CN206736346U - 掩膜版 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种掩膜版,属于蒸镀技术领域。所述掩膜版包括:掩膜框架和固定设置在所述掩膜框架上的多个掩膜版本体,所述掩膜框架和所述多个掩膜版本体形成有透光区域,每个所述掩膜版本体包括:掩膜条;所述掩膜条上设置有衔接层;设置有所述衔接层的掩膜条上设置有保护层,所述衔接层用于将所述保护层粘附至所述掩膜条上。本实用新型解决了相关技术中掩膜版的可靠性较差的问题,提高了掩膜版的可靠性,用于蒸镀工艺。
Description
技术领域
本实用新型涉及蒸镀技术领域,特别涉及一种掩膜版。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)因其轻薄、主动发光、亮度高、响应快速、能耗低、柔软显示等特点,受到了广泛关注。蒸镀工艺是制造AMOLED过程中重要环节之一。蒸镀工艺指的是在真空条件下,将有机材料加热至一定温度,使得有机材料通过待蒸镀基板上方的掩膜版的图案区域到达基板表面,在待蒸镀基板上形成一定形状的薄膜。通常,为了得到掩膜版,需要采用张网机将金属掩膜条焊接至掩膜框架。受重力影响,掩膜条的中间区域易下坠并与待蒸镀基板接触,而为了在待蒸镀基板上形成较高质量的薄膜,需要对掩膜版和待蒸镀基板的位置进行校正,使得掩膜版上的图案在待蒸镀基板上的投影与待蒸镀基板将要形成薄膜的区域相重叠。所以,在进行位置校正时,掩膜版会对待蒸镀基板的部分区域(比如电路区域和像素界定层)造成损害,产生暗线等不良现象。
相关技术中,为了避免掩膜版对待蒸镀基板造成损害,通常是在掩膜版上设置一保护膜,该保护膜由有机材料制成,当保护膜与待蒸镀基板接触时,保护膜对待蒸镀基板造成的损害小于掩膜版对待蒸镀基板造成的损害。
但设置在掩膜版上的保护膜易剥离脱落至待蒸镀基板,对待蒸镀基板产生污染,所以掩膜版的可靠性较差。
实用新型内容
为了解决相关技术中保护膜对待蒸镀基板产生污染,掩膜版的可靠性较差的问题,本实用新型提供了一种掩膜版。所述技术方案如下:
所述掩膜版包括:掩膜框架和固定设置在所述掩膜框架上的多个掩膜版本体,所述掩膜框架和所述多个掩膜版本体形成有透光区域,
每个所述掩膜版本体包括:掩膜条;
所述掩膜条上设置有衔接层;
设置有所述衔接层的掩膜条上设置有保护层,所述衔接层用于将所述保护层粘附至所述掩膜条上。
可选的,所述保护层呈蜂窝网状。
可选的,所述保护层的网格为六边形网格,所述网格的边长为100微米~1000微米,线宽度为20微米~100微米,厚度为1微米~20微米。
可选的,所述保护层的网格的边长为200微米,线宽度为20微米,厚度为10微米。
可选的,所述衔接层的厚度为0.1微米~1微米。
可选的,所述衔接层的厚度为0.5微米。
可选的,所述多个掩膜版本体的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域,所述重叠的区域上不设置保护层。
可选的,所述保护层由树脂材料制成。
可选的,所述衔接层由硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种制成。
可选的,所述掩膜条由不锈钢箔、因瓦合金或可伐合金制成。
本实用新型提供了一种掩膜版,掩膜版包括掩膜框架和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体,每个掩膜版本体包括掩膜条,掩膜条上设置有衔接层,设置有衔接层的掩膜条上设置有保护层,该衔接层能够将保护层粘附至掩膜条上,避免了保护层剥离脱落至待蒸镀基板,进而避免了保护层对待蒸镀基板产生污染,提高了掩膜版的可靠性。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本实用新型。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的一种掩膜版本体的结构示意图;
图3是本实用新型实施例提供的一种保护层的结构示意图;
图4是本实用新型实施例提供的一种保护层网格的结构示意图;
图5是本实用新型实施例提供的多个掩膜版本体的结构示意图。
通过上述附图,已示出本实用新型明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本实用新型构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本实用新型的概念。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
本实用新型实施例提供了一种掩膜版,如图1所示,该掩膜版包括:掩膜框架100和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体200。掩膜框架100和多个掩膜版本体200形成有透光区域300。
如图2所示,每个掩膜版本体200包括:
掩膜条211;
掩膜条211上设置有衔接层212;
设置有衔接层212的掩膜条上设置有保护层213,衔接层212用于将保护层213粘附至掩膜条211上。
综上所述,本实用新型实施例提供的掩膜版,掩膜版包括掩膜框架和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体,每个掩膜版本体包括掩膜条,掩膜条上设置有衔接层,设置有衔接层的掩膜条上设置有保护层,该衔接层能够将保护层粘附至掩膜条上,避免了保护层剥离脱落至待蒸镀基板,进而避免了保护层对待蒸镀基板产生污染,提高了掩膜版的可靠性。
需要说明的是,如果保护层与待蒸镀基板的接触面积过大,保护层也会对待蒸镀基板造成损害,因此,为了减小保护层与待蒸镀基板的接触面积,进而减小保护层对待蒸镀基板的损害,如图3所示,保护层213可以呈蜂窝网状。
另外,蜂窝网状结构可以分散来自各方向的压力,使得蜂窝网状结构对压力的抵抗能力较高,所以呈蜂窝网状的保护层比较坚固,能够减小待蒸镀基板与保护层接触时待蒸镀基板对保护层的损伤及压伤。
此外,保护层还可以呈三角形状、菱形状或矩形状等。本实用新型实施例对保护层的结构不做限定。
示例的,如图4所示,呈蜂窝网状的保护层的网格为六边形网格。保护层的网格的边长a为100微米~1000微米,线宽度b为20微米~100微米,厚度(图4中未示出)为1微米~20微米。优选的,保护层213的网格的边长为200微米,线宽度为20微米,厚度为10微米。
可选的,保护层由树脂材料制成。保护层的材质较软,对待蒸镀基板的损害更小。
可选的,如图2所示,衔接层212的厚度d为0.1微米~1微米。优选的,衔接层212的厚度为0.5微米。
为了将保护层牢固地粘附至掩膜条上,衔接层由具有较小表面张力及表面疏水处理作用的材料制成。示例的,衔接层可以由硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种制成。
如图5所示,多个掩膜版本体200的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域400(如图5中虚线所指示的区域),为了减小该重叠的区域的厚度,在本实用新型实施例中,重叠的区域上不设置保护层。
可选的,图2中的掩膜条211由不锈钢箔、因瓦合金(Invar)或可伐合金(Kovar)制成。
具体的,参见图1和图2,本实用新型实施例中的掩膜版的制造过程可以包括如下几个步骤:
1)在掩膜条上形成衔接层。
示例的,可以通过喷涂、旋涂、分子束外延等方式将具有较小表面张力及表面疏水处理作用的材料形成在掩膜条上,这样一来,掩膜条上形成一层疏水薄膜,该疏水薄膜即为衔接层。该材料可以为硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种。关于喷涂、旋涂、分子束外延等方式的具体过程可以参考相关技术。
2)在形成有衔接层的掩膜条上形成保护层。
示例的,可以通过旋涂、曝光等光刻工艺将树脂材料形成在衔接层上,使得衔接层上形成呈蜂窝网状的保护层。至此,完成一个掩膜版本体的制造。
按照步骤1)和2),制造多个掩膜版本体。
3)采用张网机将多个掩膜版本体固定设置在掩膜框架上。
掩膜框架和多个掩膜版本体形成有透光区域。示例的,可以采用张网机将多个掩膜版本体焊接在掩膜框架上。进一步的,如图5所示,多个掩膜版本体的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域400,为了减小该重叠的区域400的厚度,可以通过打磨的方式去除重叠的区域400上的保护层。
在使用本实用新型实施例提供的掩膜版进行蒸镀工艺时,将该掩膜版设置于待蒸镀基板上方,并对掩膜版和待蒸镀基板的位置进行校正。之后,将有机材料加热至一定温度,使得有机材料通过待蒸镀基板上方的掩膜版的透光区域到达待蒸镀基板表面,从而在待蒸镀基板上形成一定形状的薄膜。
综上所述,本实用新型实施例提供的掩膜版,掩膜版包括掩膜框架和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体,每个掩膜版本体包括掩膜条,掩膜条上设置有衔接层,设置有衔接层的掩膜条上设置有保护层,该衔接层能够将保护层粘附至掩膜条上,避免了保护层剥离脱落至待蒸镀基板,进而避免了保护层对待蒸镀基板产生污染,且保护层与待蒸镀基板的接触面积较小,使得保护层对待蒸镀基板的损害较小,因此,提高了掩膜版的可靠性。同时,该掩膜版的结构简单,成本较低。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括:掩膜框架和固定设置在所述掩膜框架上的多个掩膜版本体,所述掩膜框架和所述多个掩膜版本体形成有透光区域,
每个所述掩膜版本体包括:掩膜条;
所述掩膜条上设置有衔接层;
设置有所述衔接层的掩膜条上设置有保护层,所述衔接层用于将所述保护层粘附至所述掩膜条上。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述保护层呈蜂窝网状。
3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述保护层的网格为六边形网格,所述网格的边长为100微米~1000微米,线宽度为20微米~100微米,厚度为1微米~20微米。
4.根据权利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述保护层的网格的边长为200微米,线宽度为20微米,厚度为10微米。
5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述衔接层的厚度为0.1微米~1微米。
6.根据权利要求5所述的掩膜版,其特征在于,所述衔接层的厚度为0.5微米。
7.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述多个掩膜版本体的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域,所述重叠的区域上不设置保护层。
8.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述保护层由树脂材料制成。
9.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述衔接层由硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种制成。
10.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜条由不锈钢箔、因瓦合金或可伐合金制成。
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Cited By (2)
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