CN111785751A - 可区块电测的Micro LED晶圆及转移方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可区块电测的Micro LED晶圆及转移方法，晶圆包括多个Micro LED区块，每个Micro LED区块包括衬底、多个Micro LED单元、第一测试电极垫、第二测试电极垫、第一互连线及第二互连线，Micro LED单元具有第一芯片电极和第二芯片电极，第一芯片电极通过第一互连线与第一测试电极垫连接，第二芯片电极通过第二互连线与第二测试电极垫连接。本发明通过第一测试电极垫及所述第二测试电极垫，可以一次性对区块里的所有Micro LED单元进行电测，获取该区块里的所有的Micro LED单元的电性参数及光学参数，筛选出符合要求的区块，用于后续显示面板的制备，具有操作简单、高效率的优点。

Description

可区块电测的Micro LED晶圆及转移方法

技术领域

本发明涉及一种属于Micro LED设计及制造领域，特别是涉及一种可区块电测的Micro LED晶圆、Micro LED的转移方法以及Micro LED显示面板的制作方法。

背景技术

在LED芯片的应用中，普通LED芯片的应用以照明与显示器背光模块为主，当前迅猛发展的Mini LED则以户内、户外显示屏等为主要应用方向。但是在许多对尺寸和PPI要求更高的应用上现有技术并不能满足要求，因此Micro LED技术作为一种全新的显示技术应运而生，其应用概念跟前两者则完全不同，可应用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、VR/AR、电视等领域，被认为是终极的显示技术。

从技术迭代角度，Micro LED要求更小的芯片尺寸以实现更小的像素间距。当前在外延生长设备、工艺及芯片工艺上存在瓶颈，LED晶圆内芯片的波长峰值分布较宽，可达10nm，而Mini LED及Micro LED显示均要求芯片发光波长分布在较窄的范围，防止出现人眼可识别的区块颜色差异。现有的解决方案是通过波长进行分选，分选后的芯片进行重新排列，在电路板上键合，此方法存在着分选量巨大，芯片利用率低，转移效率低的问题。

而在Micro LED显示阶段，LED芯片尺寸微小，无法进行常规的电性测量，也无法进行分选。因此，如何进行Micro LED芯片的电性测量，保证芯片波长的一致性，提升巨量转移速率及良率，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种可区块电测的MicroLED晶圆及转移方法，用于解决现有技术中Micro LED芯片尺寸过小而难以进行常规的电性测量及批量转移的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种可区块电测的Micro LED晶圆，所述Micro LED晶圆包括多个Micro LED区块，每个所述Micro LED区块包括衬底、多个Micro LED单元、第一测试电极垫、第二测试电极垫、第一互连线及第二互连线，所述MicroLED单元具有第一芯片电极和第二芯片电极，同一Micro LED区块内，所述第一芯片电极通过所述第一互连线与所述第一测试电极垫连接，所述第二芯片电极通过所述第二互连线与所述第二测试电极垫连接。

可选地，同一所述Micro LED区块内的每个所述Micro LED单元的第一芯片电极通过所述第一互连线并联后与所述第一测试电极垫连接，每个所述Micro LED区块内的所述Micro LED单元的第二芯片电极通过所述第二互连线并联后与所述第二测试电极垫连接，所述第一互连线及第二互连线的交叉处由绝缘介质隔离。

可选地，通过所述第一测试电极垫及所述第二测试电极垫一次性对所述MicroLED区块内的所有Micro LED单元进行电测，获取该Micro LED区块内的Micro LED单元的电性参数及光学参数，所述电性参数及光学参数包括电致发光波长、亮度、正向导通电压及反向漏电流中的一种或多种。

可选地，所述Micro LED晶圆上的各个Micro LED区块之间的电性相互独立。

可选地，各个所述Micro LED区块内所有Micro LED单元的电性参数及光学参数一致。

可选地，所述Micro LED晶圆的所有Micro LED单元的发光颜色相同，所述MicroLED单元包括紫外Micro LED芯片、蓝色Micro LED芯片、绿色Micro LED芯片及红色MicroLED芯片的一种。

可选地，多个所述Micro LED单元排布成若干列，所述第一测试电极垫及所述第二测试电极垫设置于相邻的两列Micro LED单元之间。

可选地，所述衬底包括硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、蓝宝石衬底中的一种或上述多种所构成的复合衬底，所述第一测试电极垫的材料包括Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种，所述第二测试电极垫的材料包括Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种。

本发明还提供一种Micro LED单元的转移方法，包括步骤：1)提供一电路基板，将如上所述的可区块电测的Micro LED晶圆的Micro LED区块倒装于所述电路基板上；2)将所述Micro LED区块上的Micro LED单元焊接于所述电路基板上；3)去除所述衬底，同时切断所述第一互连线及第二互连线使各Micro LED单元电性相互独立，所述第一测试电极垫及第二测试电极垫随衬底去除。

可选地，所述电路基板为PCB或玻璃基板，所述电路基板还包括薄膜晶体管阵列。

可选地，将所述Micro LED区块倒装于所述电路基板上的转移方法包括拾放对位转移及顶针转移中的一种。

可选地，去除所述衬底时，所述第一互连线及第二互连线随所述衬底的去除断裂。

可选地，去除所述衬底的方法为激光剥离；采用激光剥离方法去除所述衬底时，使用激光将所述第一互连线及第二互连线烧断。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括步骤：采用如上所述Micro LED单元的转移方法将Micro LED单元转移至电路基板上；于所述Micro LED单元上形成颜色转换层；3)提供一盖板，于所述盖板上形成对应于所述Micro LED单元的黑色矩阵，将所述盖板覆盖于所述电路基板及各Micro LED单元上，使各所述Micro LED单元封装于所述黑色矩阵内。

于所述Micro LED单元上形成颜色转换层包括：于所述Micro LED单元的顶面上形成所述颜色转换层。

可选地，所述颜色转换层通过印刷、喷涂、蒸镀中的一种制备于所述Micro LED单元顶部。

可选地，于所述Micro LED单元上形成颜色转换层包括：在所述盖板上形成与所述Micro LED单元对位设置的颜色转换层。

可选地，所述Micro LED单元发出的光为蓝光，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层包括绿色量子点层及红色量子点层。

可选地，所述Micro LED单元发出的光为紫光，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层包括绿色量子点层、红色量子点层及蓝色量子点层。

可选地，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层还包括黄色量子点层。

可选地，所述黑色矩阵为黑色不透光材料，包括黑色光刻胶、掺有黑色素的硅胶、掺有黑色素的硅树脂、掺有黑色素的环氧树脂、掺有黑色素的环氧胶、掺有黑色素的氟碳树脂的一种或多种，还包括以下结构的一种或多种，如单层镉、镉和氧化镉组成的多层结构、氮氧化镉和氮化隔组成的多层结构、硅和氧化硅组成的多层结构、二氧化硅、氮化硅、镉和氧化镉组成的多层结构。

如上所述，本发明的可区块电测的Micro LED晶圆及转移方法，具有以下有益效果：

本发明提供了一种可区块电测的Micro LED晶圆，通过第一测试电极垫及所述第二测试电极垫，可以一次性对Micro LED区块里的所有Micro LED单元进行电测，获取该Micro LED区块里的所有的Micro LED单元的电性参数及光学参数，筛选出符合规格要求的Micro LED区块，用于后续显示面板的制备，具有操作简单、高效率的优点。

本发明将Micro LED区块转移至电路基板上，即可实现Micro LED区块内多个Micro LED单元的一次性转移，通过多次Micro LED区块的转移，可满足显示面板所需，与常规的巨量转移相比，具有方法简单，转移良率高，转移速率快，转移容易的优点。

本发明采用区块转移的Micro LED来制作显示面板，具有方法简单、制作容易的特点。

附图说明

图1～图5显示为本发明实施例1的可区块电测的Micro LED晶圆的结构示意图。

图6a～图11b显示为本发明实施例2中的Micro LED单元的转移方法各步骤所呈现的结构示意图。

图12～图14显示为本发明实施例3中的显示面板的制作方法各步骤所呈现的结构示意图。

元件标号说明

10 Micro LED晶圆

20 Micro LED区块

101 衬底

102 Micro LED单元

103 第一芯片电极

104 第二芯片电极

105 第一测试电极垫

106 第二测试电极垫

107 第一互连线

108 第二互连线

201 电路基板

202 第一电极

203 第二电极

204 黑矩阵

205 掩膜层

206 出光窗口

207 红光量子点

208 绿光量子点

209 蓝光量子点

210 封装层

301 非掺杂层

302 n型层

303 发光层

304 p型层

305 反射层

401 色量子点层

402 红色量子点层

501 盖板

502 黑色矩阵

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例1

如图1～图5所示，本实施例提供一种可区块电测的Micro LED晶圆10，所述MicroLED晶圆10包括多个Micro LED区块20，如图1所示，每个所述Micro LED区块包括衬底101、多个Micro LED单元102、第一测试电极垫105、第二测试电极垫106、第一互连线107及第二互连线108，所述Micro LED单元具有第一芯片电极103和第二芯片电极104，同一Micro LED区块20内，所述第一芯片电极103通过所述第一互连线107与所述第一测试电极垫105连接，所述第二芯片电极104通过所述第二互连线108与所述第二测试电极垫106连接，如图2所示。

所述Micro LED晶圆10上的各个Micro LED区块20之间的电性相互独立，可以针对每个Micro LED区块20进行独立的电测试。

所述衬底101包括硅、碳化硅、氮化镓、蓝宝石中一种或上述多种所构成的复合衬底，在本实施例中，所述衬底101为蓝宝石衬底。

如图2所示，所述Micro LED单元102具有第一芯片电极103和第二芯片电极104，所述第一芯片电极103可以为正极或负极，所述第二芯片电极104可以为负极或正极，且所述第一芯片电极103及第二芯片电极104的极性相反。在本实施例中，所述第一芯片电极103为正极，所述第二芯片电极104为负极。

所述Micro LED晶圆的所有Micro LED单元的发光颜色相同，所述Micro LED单元包括紫外Micro LED芯片、蓝色Micro LED芯片、绿色Micro LED芯片及红色Micro LED芯片的一种。

如图3及图4所示，其中，图3为图2中A-A’处的截面结构示意图，图4为图2中B-B’处的截面结构示意图，所述Micro LED单元还包括依次层叠的非掺杂层301，n型层302，发光层303，p型层304以及反射层305，所述第一芯片电极103与所述p型层电连接，所述第二芯片电极104与所述n型层电连接。

如图2所示，所述第一测试电极垫105通过所述第一互连线107与第一芯片电极103连接，所述第一测试电极垫105的尺寸优选为能进行电性测量的最小尺寸。进一步地，所述第一测试电极垫105设置于Micro LED区块20内Micro LED单元102之间，不占用太多晶圆面积，又能保证进行电性测量。所述第一测试电极垫105的材料包括但不限于Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种。

所述第二测试电极垫106通过第二互连线108与第二芯片电极104连接，所述第二测试电极垫106的尺寸优选为能进行电性测量的最小尺寸。进一步地，所述第二测试电极垫106设置于Micro LED区块20内Micro LED单元102之间，不占用太多晶圆面积，又能保证进行电性测量。所述第二测试电极垫106的材料包括但不限于Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种。

所述第一互连线107及第二互连线108，可以采用光刻工艺及刻蚀工艺布线于衬底101上，相互之间通过绝缘介质实现隔离，例如，所述第一互连线及第二互连线的交叉处由绝缘介质隔离。在本实施例中，所示绝缘介质为所述反射层305，如图3及图4所示。

在本实施例中，如图2所示，同一所述Micro LED区块20内的每个所述Micro LED单元102的第一芯片电极103通过所述第一互连线107并联后与所述第一测试电极垫105连接，每个所述Micro LED区块20内的所述Micro LED单元102的第二芯片电极104通过所述第二互连线108并联后与所述第二测试电极垫106连接。所述第一、第二芯片电极通过所述第一、第二互连线并联的方式可以先对第一、第二芯片电极进行连线引出Micro LED单元然后进行并联，如图2所示，该方式具有工艺简单，线路清晰的优点，也可以直接在Micro LED单元102的第一、第二芯片电极上直接制作并联线，然后对所述并联线进行引出，如图5所示，该方式可以有效节省互连线所占用的面积，提高Micro LED单元的密度。

所述第一互连线107中串接有测试第一测试电极垫105，第二互连线108中串接有第二测试电极垫106，利用第一测试电极垫105及第二测试电极垫106，可一次性对所述Micro LED区块20里的所有Micro LED单元102进行电测，获取该Micro LED区块20里的Micro LED单元102的电性参数及光学参数，如电致发光波长，亮度，正向导通电压，反向漏电流等。将Micro LED晶圆10分成多个Micro LED区块20，所述Micro LED区块20只占MicroLED晶圆10的一小部分面积，可认为每个Micro LED区块20内所有Micro LED单元102的电性参数及光学参数一致。

所述Micro LED区块20的区域大小可以依据Micro LED区块内Micro LED单元102的数量进行确定，所述第一测试电极垫105与所述第二测试电极垫106的数量及位置可依据实际需求进行调整。为了更合理地利用Micro LED晶圆10的面积，如图1～图5，在本实施例中，多个所述Micro LED单元排布成若干列，所述第一测试电极垫及所述第二测试电极垫设置于相邻的两列Micro LED单元之间，在一具体的实施例中，所述Micro LED晶圆10包括多个Micro LED区块20，每个Micro LED区块20内包括：27个Micro LED单元102，其分成3排，每排9个Micro LED单元、4个第一测试电极垫105及4个第二测试电极垫106，每个区块20的区域大小为1.2mm×1.2mm。

本发明提供了一种可区块电测的Micro LED晶圆，通过第一测试电极垫及所述第二测试电极垫，可以一次性对Micro LED区块里的所有Micro LED单元进行电测，获取该Micro LED区块里的所有的Micro LED单元的电性参数及光学参数，筛选出符合规格要求的Micro LED区块，用于后续显示面板的制备，具有操作简单、高效率的优点。

实施例2

如图6a～图11b所示，本实施例提供一种Micro LED单元的转移方法，所述转移方法包括以下步骤：

如图6a、图6b及图7所示，首先进行步骤1)，提供一电路基板201，将如实施例1所述的可区块电测的Micro LED晶圆10的Micro LED区块20倒装于所述电路基板上。

例如，可以通过对所述Micro LED晶圆10进行切割以获得所述Micro LED区块20。并且，切割后，依据需求，可以对不同测的电性参数或光学参数的Micro LED区块进行分类，然后再按类别进行转移，以满足不同的性能要求。

所述电路基板201可以为PCB(包括FR4，FR4+类BT，类BT或FPC)或玻璃基板，在本实施例中，所述电路基板201为玻璃基板。可选地，所述玻璃基板还包括薄膜晶体管阵列(TFTArray)。

如图6a、图6b及图7所示，其中图7显示为图6a中A-A’处的截面结构示意图，所述电路基板201包括第一面及第二面，所述第一面有正负电极，用于与Micro LED单元102连接。所述正负电极包括第一电极202及第二电极203，所述第一电极202为点状电极，所述第一电极202可以为正极或负极，所述第二电极203可以为点状电极(如图6a所示)或条状电极(如图6b所示)，所述第二电极203可以为负极或正极，所述第二电极203为条状电极时可以为共阴极或共阳极，且所述第一电极202与第二电极203的极性相反。所述第一电极202及第二电极203呈规则阵列排布于所述电路基板201上。可选地，所述第一电极202及第二电极203还与所述TFT Array相连接。所述第一电极202及第二电极203可通过光刻工艺形成，也可以在掩膜板上刷锡膏形成，Micro LED单元102对接于所述第一电极202与第二电极203上。

作为示例，将所述Micro LED区块倒装于所述电路基板上的转移方法包括拾放对位转移及顶针转移中的一种，其中所述第一芯片电极103与第一电极202同极性对位，所述第二芯片电极104与第二电极203同极性对位。

如图8及图9所示，然后进行步骤2)，将所述Micro LED区块上的Micro LED单元焊接于所述电路基板上。例如，所述的焊接可以为回流焊及激光焊中的一种。

图8为将图2所示区块20倒装至图6a所示电路基板201后的结构示意图，图9显示为图8中A-A’处的截面结构示意图。所述Micro LED区块20包括衬底101、Micro LED单元102、第一测试电极垫105、第二测试电极垫106、第一互连线107及第二互连线108。

如图10～图11b所示，最后进行步骤3)，去除所述衬底，同时切断所述第一互连线及第二互连线使各Micro LED单元电性相互独立，所述第一测试电极垫及第二测试电极垫随衬底去除。

一个具体的实施例如图11a所示，其中图11a为在图6a上倒装Micro LED芯片单元102并进行衬底去除后的结构示意图。另一具体实施例如图11b所示，其中图11b为在图6b上倒装Micro LED芯片单元102并进行衬底去除后的结构示意图。

在一个具体实施例中，采用激光剥离方法去除所述衬底101时，所述第一互连线107及第二互连线108随所述衬底的去除断裂。

在另一具体实施例中，采用激光剥离方法去除所述衬底101时，使用激光将所述第一互连线107及第二互连线108烧断。

所述激光剥离所采用的激光器可以为气体激光器、固体激光器及半导体激光器中的一种，所述激光器波长可以为355纳米或266纳米。本发明将Micro LED区块转移至电路基板上，即可实现Micro LED区块内多个Micro LED单元的一次性转移，通过多次Micro LED区块的转移，可满足显示面板所需，与常规的巨量转移相比，具有方法简单，转移良率高，转移速率快，转移容易的优点。

实施例3

如图12～图14所示，本实施例提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：

首先进行步骤1)，采用如实施例2所述Micro LED单元102的转移方法将Micro LED单元102转移至电路基板上。

如图12所示，然后进行步骤2)，于所述Micro LED单元102上形成颜色转换层。

在本实施例中，所述颜色转换层通过印刷、喷涂、蒸镀中的一种制备于所述MicroLED单元102顶部。

如图12所示，所述颜色转换层的类型可依据Micro LED单元102的发光类型进行选择，例如，所述Micro LED单元102发出的光为蓝光，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层包括绿色量子点层401及红色量子点层402。

又如，所述Micro LED单元102发出的光为紫光，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层包括绿色量子点层401、红色量子点层402及蓝色量子点层。

进一步地，所述显示面板的每个像素包含的所述颜色转换层还可以包括黄色量子点层。

如图13～图14所示，最后进行步骤3)，提供一盖板501，于所述盖板上形成对应于所述Micro LED单元102的黑色矩阵502，将所述盖板覆盖于所述电路基板及各Micro LED单元102上，使各所述Micro LED单元102封装于所述黑色矩阵502内。

所述黑色矩阵502为黑色不透光材料，包括黑色光刻胶、掺有黑色素的硅胶、掺有黑色素的硅树脂、掺有黑色素的环氧树脂、掺有黑色素的环氧胶、掺有黑色素的氟碳树脂的一种或多种，还包括以下结构的一种或多种，如单层镉、镉和氧化镉组成的多层结构、氮氧化镉和氮化隔组成的多层结构、硅和氧化硅组成的多层结构、二氧化硅、氮化硅、镉和氧化镉组成的多层结构。

本发明采用带有不透光的黑矩阵对Micro LED单元进行封装，封装效率较高，且不容易对Micro LED单元造成伤害，可提高封装良率，且可有效减少LED显示屏模块像素间的混光现象，大大提升显示效果。

需要说明的是，也可以不直接在所述Micro LED芯片单元102形成所述颜色转换层，而是在所述盖板501上形成与所述Micro LED单元102对位设置的颜色转换层，并通过所述盖板501与所述Micro LED单元102之间的配合以实现所述Micro LED单元102的颜色转换，该方法可以在较大面积及表面较平整的盖板501上形成颜色转换层，可有效降低工艺难度，从而降低工艺成本。

如上所述，本发明的可区块电测的Micro LED晶圆及转移方法，具有以下有益效果：

本发明提供了一种可区块电测的Micro LED晶圆，通过第一测试电极垫及所述第二测试电极垫，可以一次性对Micro LED区块里的所有Micro LED单元进行电测，获取该Micro LED区块里的所有的Micro LED单元的电性参数及光学参数，筛选出符合规格要求的Micro LED区块，用于后续显示面板的制备，具有操作简单、高效率的优点。

本发明将Micro LED区块转移至电路基板上，即可实现Micro LED区块内多个Micro LED单元的一次性转移，通过多次Micro LED区块的转移，可满足显示面板所需，与常规的巨量转移相比，具有方法简单，转移良率高，转移速率快，转移容易的优点。

本发明采用区块转移的Micro LED来制作显示面板，具有方法简单、制作容易的特点。

本发明采用带有不透光的黑矩阵对Micro LED单元进行封装，封装效率较高，且不容易对Micro LED单元造成伤害，可提高封装良率，且可有效减少LED显示屏模块像素间的混光现象，大大提升显示效果。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (16)

1.一种可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于，所述Micro LED晶圆包括多个MicroLED区块，每个所述Micro LED区块包括衬底、多个Micro LED单元、第一测试电极垫、第二测试电极垫、第一互连线及第二互连线，所述Micro LED单元具有第一芯片电极和第二芯片电极；同一Micro LED区块内，所述第一芯片电极通过所述第一互连线与所述第一测试电极垫连接，所述第二芯片电极通过所述第二互连线与所述第二测试电极垫连接。

2.根据权利要求1所述的可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于：同一所述MicroLED区块内的每个所述Micro LED单元的第一芯片电极通过所述第一互连线并联后与所述第一测试电极垫连接，每个所述Micro LED区块内的所述Micro LED单元的第二芯片电极通过所述第二互连线并联后与所述第二测试电极垫连接，所述第一互连线及第二互连线的交叉处由绝缘介质隔离。

3.根据权利要求1所述的具有可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于：所述MicroLED晶圆上的各个Micro LED区块之间的电性相互独立。

4.根据权利要求1所述的可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于：所述Micro LED晶圆的所有Micro LED单元的发光颜色相同，所述Micro LED单元包括紫外Micro LED芯片、蓝色Micro LED芯片、绿色Micro LED芯片及红色Micro LED芯片的一种。

5.根据权利要求1所述的可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于：所述第一测试电极垫及所述第二测试电极垫设置于相邻的两列Micro LED单元之间。

6.根据权利要求1所述的可区块电测的Micro LED晶圆，其特征在于：所述衬底包括硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、蓝宝石衬底中的一种或上述多种所构成的复合衬底，所述第一测试电极垫的材料包括Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种，所述第二测试电极垫的材料包括Sn、In、Pt、Cu、Au、Ni、Ti、Al及Cr中的一种或多种。

7.一种Micro LED单元的转移方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一电路基板，将如权利要求1～6任意一项所述的可区块电测的Micro LED晶圆的Micro LED区块倒装于所述电路基板上；

2)将所述Micro LED区块上的Micro LED单元焊接于所述电路基板上；

3)去除所述衬底，同时切断所述第一互连线及第二互连线使各Micro LED单元电性相互独立，以将所述Micro LED单元转移至所述电路基板上。

8.根据权利要求7所述的Micro LED单元的转移方法，其特征在于：所述电路基板为PCB基板或玻璃基板，所述电路基板还包括薄膜晶体管阵列。

9.根据权利要求7所述的Micro LED单元的转移方法，其特征在于：将所述Micro LED区块倒装于所述电路基板上的转移方法包括拾放对位转移及顶针转移中的一种。

10.根据权利要求7所述的Micro LED单元的转移方法，其特征在于：去除所述衬底时，所述第一互连线及第二互连线随所述衬底的去除断裂。

11.根据权利要求7所述的Micro LED单元的转移方法，其特征在于：去除所述衬底的方法为激光剥离；采用激光剥离方法去除所述衬底时，使用激光将所述第一互连线及第二互连线烧断。

12.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

采用如权利要求7～11任意一项所述Micro LED单元的转移方法将Micro LED单元转移至电路基板上；

于所述Micro LED单元上形成颜色转换层；

提供一盖板，于所述盖板上形成对应于所述Micro LED单元的黑色矩阵，将所述盖板覆盖于所述电路基板及各Micro LED单元上，使各所述Micro LED单元封装于所述黑色矩阵内。

13.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于：所述颜色转换层通过印刷、喷涂、蒸镀中的一种制备于所述Micro LED单元顶部。

14.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于：所述黑色矩阵为黑色不透光材料，包括黑色光刻胶、掺有黑色素的硅胶、掺有黑色素的硅树脂、掺有黑色素的环氧树脂、掺有黑色素的环氧胶、掺有黑色素的氟碳树脂及多层结构中的一种，所述多层结构包括二氧化硅、氮化硅、镉和氧化镉组成的多层结构、氮氧化镉和氮化隔组成的多层结构、及硅和氧化硅组成的多层结构中的一种。

15.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于：于所述Micro LED单元上形成颜色转换层包括：于所述Micro LED单元的顶面上形成所述颜色转换层。

16.利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于：于所述Micro LED单元上形成颜色转换层包括：在所述盖板上形成与所述Micro LED单元对位设置的颜色转换层。

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