CN113380935B - 一种led集成封装体及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种LED集成封装体及显示装置。该LED集成封装体包括：基板，具有相背设置的第一表面与第二表面，基板设有从第一表面贯穿至第二表面的通孔；LED芯片，设置在第一表面上；第一电极，设置在第一表面上，第一电极与LED芯片连接，用于向LED芯片提供第一测试信号；第二电极，设置在第二表面上，第二电极沿通孔与第一电极连接，用于向第一电极提供第一测试信号。通过这种方式，能够降低巨量转移等后续工艺对良率及均匀性的要求，降低维修成本。

Description

一种LED集成封装体及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种LED集成封装体及显示装置。
背景技术
micro发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示技术是以自发光的微米量级的LED为发光像素单，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术；在现有的micro LED芯片显示应用产业链中，通常是将三色micro LED芯片分批次的直接巨量转移到驱动面板上，以直接做显示应用。这种方案需要较高的外延芯片以及较高的巨量转移良率来减少后续修复成本，对整个转移区间内的所有芯片的亮度、波长及电压的均匀性等都有比较高的要求。
发明内容
本申请提供一种LED集成封装体及显示装置，以能够降低巨量转移等后续工艺对良率及均匀性的要求，降低维修成本。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种LED集成封装体。该LED集成封装体包括：基板，具有相背设置的第一表面与第二表面，基板设有从第一表面贯穿至第二表面的通孔；LED芯片，设置在第一表面上；第一电极，设置在第一表面上，第一电极与LED芯片连接，用于向LED芯片提供第一测试信号；第二电极，设置在第二表面上，第二电极沿通孔与第一电极连接，用于向第一电极提供第一测试信号。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是：提供一种显示装置。该显示装置包括上述LED集成封装体。
本申请实施例的有益效果是：本申请LED集成封装体包括：基板，具有相背设置的第一表面与第二表面，基板设有从第一表面贯穿至第二表面的通孔；LED芯片，设置在第一表面上；第一电极，设置在第一表面上，第一电极与LED芯片连接，用于向LED芯片提供第一测试信号；第二电极，设置在第二表面上，第二电极沿通孔与第一电极连接，用于向第一电极提供第一测试信号。通过这种方式，本申请可以将单个像素或者多个像素做成LED集成封装体，因此能够对单像素或者多像素的LED集成封装体做独立测试，即测试分选，筛除测试不合格的次品，保证LED集成封装体(及其内部的LED芯片)的良率，从而能够降低巨量转移等后续工艺对良率及均匀性的要求，降低维修成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；
图2是图1实施例LED集成封装体的拆解结构示意图；
图3是图1实施例LED集成封装体的俯视示意图；
图4是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；
图5是图4实施例LED集成封装体的俯视示意图；
图6是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；
图7是图6实施例LED集成封装体的俯视示意图；
图8是本申请LED集成封装体一实施例的俯视示意图；
图9是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；
图10是图9实施例LED集成封装体的俯视示意图；
图11是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；
图12是图11实施例LED集成封装体的俯视示意图；
图13是本申请LED集成封装体一实施例的俯视示意图；
图14是图13实施例LED集成封装体的拆解结构示意图；
图15是图13实施例LED集成封装体的等效电路结构示意图；
图16是图1实施例LED集成封装体的制作方法流程示意图；
图17是图9实施例LED集成封装体的制作方法流程示意图；
图18是本申请显示装置一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请首先提出一种LED集成封装体，如图1至图3所示，图1是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；图2是图1实施例LED集成封装体的拆解结构示意图；图3是图1实施例LED集成封装体的俯视示意图。本实施例LED集成封装体10包括：基板11、LED芯片12、第一电极13及第二电极14；其中，基板11具有相背设置的第一表面(图未标)与第二表面(图未标)，基板11设有从第一表面贯穿至第二表面的通孔15；LED芯片12设置在第一表面上；第一电极13设置在第一表面上，第一电极13与LED芯片12连接，第一电极13用于向LED芯片12提供第一测试信号；第二电极14设置在第二表面上，第二电极14沿通孔15与第一电极13连接，第二电极14用于向第一电极13提供第一测试信号。
其中，本实施例的基板11可以为开有通孔15的玻璃基板、硅基板、蓝宝石基板、印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)基板等，具体不做限定。
本实施例的基板11厚度范围为10um-1000um，该厚度具体可以为10um、200um、500um及1000um等。
其中，本实施例LED集成封装体10的出光面与基板11的第一表面同侧设置。
本实施例的第二电极14可以为固晶电极，不仅用于为第一电极13提供第一测试信号，而且还用于将第二电极14上的其它封装结构通过金属连接固定到驱动面板(图未示)上。
其中，本实施例的第二电极14可以为Cr金属层、Ni金属层、Al金属层、Ti金属层、Pt金属层、Au金属层、Cu金属层、AuSn金属层、In金属层、Sn金属层等中的任意一金属层或者任意多个金属层的叠层。
其中，本实施例的第二电极14厚度范围为0.001um-50um；该厚度具体可以为0.001um、0.01um、0.1um、1um、10um、20um及50um等。
由上述分析可知，第二电极14位于基板11与驱动面板之间，即第二电极14与驱动面板同侧设置在基板11的第二表面上；而LED芯片12位于基板11的第一表面上，为了给LED芯片12提供第一测试信号，本实施例通过在第一基板11的第一表面上设置第一电极13，通过第一电极13为LED芯片12提供第一测试信号。
本实施例的第一电极13可以用于引出第二电极14，使得可以重新排布LED芯片12的正、负电极，而不受第二电极14位置的影响。
其中，本实施例的第一电极13可以为Cr金属层、Ni金属层、Al金属层、Ti金属层、Pt金属层、Au金属层、Cu金属层、AuSn金属层、In金属层、Sn金属层等中的任意一金属层或者任意多个金属层的叠层。
其中，本实施例的第二电极14厚度范围为0.001um-10um；该厚度具体可以为0.001um、0.01um、0.1um、1um、5um及10um等。
区别于现有技术，本实施例可以将单个像素或者多个像素做成LED集成封装体10，因此能够对单像素或者多像素的LED集成封装体10做独立测试，即测试分选，筛除测试不合格的次品，保证LED集成封装体10(及其内部的LED芯片12)的良率，从而能够降低巨量转移等后续工艺对良率及均匀性的要求，降低维修成本。
可选地，本实施例包括多组LED芯片12。
需要注意的是本申请文件中所述的每组LED芯片12为具有相同颜色发光的LED芯片12；每组LED芯片12可以包括一个LED芯片12、两个LED芯片12或者两个以上的LED芯片12。
其中，本实施例的多组LED芯片12包括一个红光LED芯片、一个绿光LED芯片及一个蓝光LED芯片。
本实施例的LED芯片12为micro LED芯片；LED芯片的横向尺寸范围为1um-200um，该横向尺寸具体可以为：1um、5um、10um、50um、100um及200um等；LED芯片12的厚度范围为1um-50um，该厚度具体可以为：1um、5um、10um、20um及50um等；LED芯片12可以采用倒装结构，LED芯片12的一侧为出光面，另一侧可以引出正、负电极。
可选地，本实施例LED集成封装体10进一步包括封装层16，封装层16设置在LED芯片12及第一电极13背离基板11的一侧，用于将LED芯片12及第一电极13封装在基板11上。
封装层16用于保护LED芯片12，能够提升LED集成封装体10的可靠性；封装层16可以采用深色吸光材料制成，能够提升LED集成封装体10的对比度。
封装层16采用绝缘材料制成，该绝缘材料可以为有机材料，例如光刻胶材料(包括深色光阻，如黑色矩阵(Black Matrix，BM)材料)、苯并环丁烯、聚酰亚胺及有机硅胶等；也可以为无机材料，例如硅-玻璃键合结构(Silicon On Glass，SOG)材料、Al2O3、SiO2、TiO2及SiNX等；封装层16还可以是上述部分或者所有材料层的混合叠层。封装层16的厚度范围为0.1um-60um，该厚度具体可以为：0.1um、1um、10um、30um及60um等。
需要注意的是，本申请为了在LED集成封装体的俯视示意图中更清楚的展示封装层下面的结构，在所有LED集成封装体的俯视示意图中均未展示封装层。
可选地，本实施例的第一电极13包括多个第一子电极(图未标)，多个第一子电极中的至少一个与多个LED芯片12的正电极连接，以向每个LED芯片12的正电极提供第一电压，多个第一子电极中的其它第一子电极分别与对应的LED芯片12的负电极连接，以向每个LED芯片12的负电极提供第二电压；其中，第一电压大于第二电压。
具体地，本实施例包括三组LED芯片12；三组LED芯片12可以分别是红光LED芯片、绿光LED芯片及蓝光LED芯片；第一电极13包括四个第一子电极，其中一个第一子电极分别与红光LED芯片的正电极、绿光LED芯片的正电极及蓝光LED芯片的正电极连接，并为红光LED芯片的正电极、绿光LED芯片的正电极及蓝光LED芯片的正电极提供第一电压，其它三个第一子电极分别与红光LED芯片的负电极、绿光LED芯片的负电极及蓝光LED芯片的负电极一一对应连接，并为红光LED芯片的负电极、绿光LED芯片的负电极及蓝光LED芯片的负电极提供第二电压。
本实施例的第一电压与第二电压之间的差值应大于LED芯片的阈值电压(导通电压)。在检测过程中，若某个LED芯片显示亮态，则检测通过，该LED芯片为良品；若某个LED芯片显示暗态或者不稳定的亮态，则检测失败，该LED芯片为次品。
本实施例的多个第一子电极均匀排布于LED芯片12的周边，不仅能够避免对LED芯片12光线的阻挡，而且能够使得到达各个LED芯片12的距离的差值尽可能小，能够缩小施加到各个LED芯片12电压的差异性，提高检测精度。
本实施例的第一子电极可以直接与LED芯片12连接，也可以通过引线与LED芯片12连接，对此不作具体限定。
在其它实施例，不限定第一子电极、LED芯片的上述排布；可以通过同一第一子电极分别与各个LED芯片的正电极连接，通过不同的第一子电极分别与各个LED芯片的负电极连接。
在其它实施例中，可以不限定第一子电极的数量与LED芯片的正、负电极的数量之间的关系，可以是一对一、一对多或者多对一等。
可选地，本实施例的第二电极14包括多个第二子电极(图未标，虚线框所示)，多个第二子电极与多个第一子电极一一对应连接。
第二子电极通过通孔15与对应的第一子电极连接，并为第一子电极提高第一测试信号，即上述的第一电压及第二电压。
本实施例的第二子电极与第一子电极一一对应连接，且第一子电极在基板11上的正投影位于第二子电极在基板11上的正投影内；这种结构使得基板11上的通孔15能够垂直于基板11，能够简化工艺；第一子电极的尺寸小于第二子电极的尺寸，能够进一步缩小第一子电极对LED芯片12的发光的遮挡；因第二子电极位于基板11背离LED芯片12的一侧，因此不会造成LED芯片12的发光的遮挡，因此，其尺寸尽量大，以提高其耐压性。
本实施例的通孔15内可以设置连接第一子电极和第二子电极的导电体；或者将第二子电极部分填充在通孔15内，并与第一子电极连接；又或者将电极材料填充在通孔15内，且在基板11相背设置的第一表面及第二表面形成一体设置的第一子电极及第二子电极，对此不做具体限定。
另一实施例中，如图4及图5所示，图4是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；图5是图4实施例LED集成封装体的俯视示意图。本实施例LED集成封装体30与上述LED集成封装体10的区别在于：本实施例LED集成封装体30的LED芯片31包括四组LED芯片；四组LED芯片可以分别是红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片及白光LED芯片；第一电极13包括四个第一子电极，其中，一个第一子电极分别与红光LED芯片的正电极及绿光LED芯片的正电极连接，一个第一子电极分别与红光LED芯片的负电极及绿光LED芯片的负电极连接，一个第一子电极分别与蓝光LED芯片的正电极及白光LED芯片的正电极连接，一个第一子电极分别与蓝光LED芯片的负电极及白光LED芯片的负电极连接。
这种连接方式，能够减少第一子电极的数量，但在测试过程中需要多次更换四个第一子电极上施加的电压来检测每一个LED芯片31。
关于本实施例LED集成封装体30的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
在其它实施例中，红光LED芯片与蓝光LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片、红光LED芯片与白光LED芯片、绿光LED芯片与白光LED芯片可以共用第一子电极。
在其它实施例，第一电极可以包括五个第一子电极，其中一个第一子电极与分别与红光LED芯片的正电极、绿光LED芯片的正电极、蓝光LED芯片的正电极及白光LED芯片的正电极连接，其它四个第一子电极分别与红光LED芯片的负电极、绿光LED芯片的负电极、蓝光LED芯片的负电极及白光LED芯片的负电极一一对应连接。这种连接方式，虽然第一子电极的数量较多，但是给第一子电极施加一次电压就能检测所有的LED芯片。
本申请的第一子电极的数量大于或者等于LED芯片的组数。
本实施例LED集成封装体30集成了数量四组LED芯片31，第四组LED芯片31能够用于提升单像素芯片的色域，还可以为驱动芯片比如Micro IC或者薄膜晶体管芯片，或者其他传感器芯片，以增加显示像素的其他功能。
在其它实施例中，不限定第四组LED芯片为白色LED芯片；或者LED集成封装体还可以集成四组以上的LED芯片。
在其它实施例中，不限定LED芯片正、负电极与第一子电极的连接方式。
在另一实施例中，如图6和图7所示，图6是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；图7是图6实施例LED集成封装体的俯视示意图。本实施例LED集成封装体50与上述LED集成封装体10的区别在于：本实施例的每组LED芯片51包括依次串联设置的至少两个LED芯片51；每条串联支路上，第一个LED芯片51的正电极与第一子电极连接，最后一个LED芯片51的负电极与另一个第一子电极连接。
因此，本实施例可以同时对至少两个LED芯片51进行检测；本实施例将单个LED芯片51的子像素电连接成高压的LED芯片51，能够降低驱动电流来达到同样的亮度。
具体地，本实施例每组LED芯片51包括串联设置的两个LED芯片51；在其它实施例中，每组LED芯片还可以包括依次串联设置的两个以上的LED芯片。
关于本实施例LED集成封装体50的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
进一步地，为了更精准的检测每条串联支路上的每个LED芯片，本申请提出另一实施例，如图8所示，本实施例LED集成封装体70与LED集成封装体50的区别在于：本实施例LED集成封装体70进一步包括：多个测试电极71，设置在基板11的第一表面上，测试电极71位于串联且相邻设置的两个LED芯片(图未标)之间，用于向串联且相邻设置的两个LED芯片提供第二测试信号。
测试电极71可以与第一电极(图未标)同层设置。
由上述分析可知，在串联支路上设置多个LED芯片可以同时对多个LED芯片进行检测，但是不能检测出具体哪个LED芯片不工作，因此本实施例在相邻的LED芯片之间设置测试电极71，通过测试电极71提供的第二测试信号及上述第一测试信号能够对每个LED芯片进行检测。
在其它实施例中，每组LED芯片包括依次并联设置的至少两个LED芯片，可以通过并联LED芯片的方式来提升子像素最大驱动电流。
关于本实施例LED集成封装体70的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
在另一实施例中，如图9及图10所示，图9是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；图10是图9实施例LED集成封装体的俯视示意图。本实施例本实施例LED集成封装体80与上述LED集成封装体10的区别在于：本实施例LED集成封装体80进一步包括粘贴层81，设置在LED芯片12与基板11之间，用于将LED芯片12固定在基板11上。
本实施例的第一电极13通过引线83与LED芯片12连接；因第一电极13设置在基板11上，因此需要在粘贴层81上设置第一通孔82，第一通孔82用于将引线83与第一电极13连接，以实现第一电极13与LED芯片12之间的连接。
本实施例通过粘附方式将LED芯片粘附到基板11上，能够提高其稳定性；LED芯片12可以为正装结构的薄膜LED芯片，其出光面和正、负电极在LED芯片12的同一侧。
关于本实施例LED集成封装体80的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
在另一实施例中，如图11及图12所示，图11是本申请LED集成封装体一实施例的截面结构示意图；图12是图11实施例LED集成封装体的俯视示意图。本实施例本实施例LED集成封装体100与上述LED集成封装体10的区别在于：本实施例LED集成封装体100进一步包括引线101，多个LED芯片12的正电极与引线101连接，引线101还与其中一个第一子电极连接，以通过引线101向每个LED芯片12的正电极提供第一电压，其它第一子电极与对应的LED芯片12的负电极连接，以向每个LED芯片12的负电极提供第二电压。
本实施例的LED芯片12为垂直结构的LED芯片12；LED芯片12的负电极通过固晶的方式固定到在第一电极13上，LED芯片12的正电极通过引线101引出，并与另一第一电极13连接。
进一步地，本实施例LED集成封装体100进一步包括平坦化层102，平坦化层102用于把LED芯片12以及基板11做平坦化以及绝缘处理，有利于后续的引线101等工艺制作。
平坦化层102的材料可以为绝缘材料，该绝缘材料可以为有机材料，例如光刻胶材料(包括深色光阻，如黑色矩阵(Black Matrix，BM)材料)、苯并环丁烯、聚酰亚胺及有机硅胶等；也可以为无机材料，例如硅-玻璃键合结构(Silicon On Glass，SOG)材料、Al2O3、SiO2、TiO2及SiNX等；平坦化层102还可以是上述部分或者所有材料的混合叠层。平坦化层102的厚度范围为0.1um-60um，该厚度具体可以为：0.1um、1um、10um、30um及60um等。
本实施例的第一电极13通过引线101与LED芯片12连接；因第一电极13设置在基板11上，因此需要在平坦化层102上设置第二通孔103，第二通孔103用于将引线101与第一电极13连接，以实现第一电极13与LED芯片12之间的连接。
关于本实施例LED集成封装体100的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
在另一实施例中，如图13至图15所示，本实施例LED集成封装体120与上述实施例LED集成封装体的区别在于：LED集成封装体120的每组LED芯片121包括四个LED芯片121，四个LED芯片121分为并联设置的两组，每组包括串联设置的两个LED芯片121，串联设置的两个LED芯片121设有测试电极122。
本实施例LED集成封装体120集成四个像素点，其等效电路如图15所示，12个LED芯片121的24个电极(12个正电极及12个负电极)通过第一电极13重排布的方式总共引出8个第二电极14，用于电连接，并提供测试电压。
本实施例的LED芯片121与上述实施例中的LED芯片类似，且关于本实施例LED集成封装体100的其它结构可以参与上述实施例，这里不赘述。
本申请采用第一电极对LED芯片的正、负电极进行重新分配，其连接方式还有其他多种方案，这里不一一描述。
本申请进一步提出LED集成封装体的制作方法，如图16所示，本实施例的制作方法用于实现图1实施例的LED集成封装体10。本实施例的制作方法包括以下步骤：
步骤一：提供一种衬底基板(图未示)，并在衬底基板上制作通孔15，形成设有通孔15的基板11。
步骤二：用导电材料比如金属材料填充基板11的通孔15，并在基板11的上表面(第一表面)相应位置制作第一电极13，在基板11的下表面(第二表面)相应位置制作第二电极14。
步骤三：提供一种LED芯片12在临时基板141上。LED芯片12通过临时的键合层142固定在临时基板141上，并且可用于后续巨量转移步骤。
步骤四：把步骤三提供的LED芯片12通过巨量转移和键合的方式依次巨量转移到步骤二形成的基板11的第一表面上。
步骤五：在步骤四上述形成的结构表面制作封装层16。
步骤六：用切割劈裂的方式制作独立的LED集成封装体10。
本申请进一步提出LED集成封装体的制作方法，如图17所示，本实施例的制作方法用于实现图9实施例的LED集成封装体80。本实施例的制作方法包括以下步骤：
步骤一：提供一种衬底基板(图未示)，并在衬底基板上制作通孔15，形成设有通孔15的基板11；用导电材料比如金属材料填充基板11的通孔15，并在基板11的上表面(第一表面)相应位置制作第一电极13，在基板11的下表面(第二表面)相应位置制作第二电极14。
步骤二：在上述步骤形成的基板11的第一表面制作粘附层81并形成第一通孔(图未标)。
步骤三：提供一种LED芯片12在临时基板141上。LED芯片12通过临时的键合层142固定在临时基板141上，并且可用于后续巨量转移步骤。
步骤四：把步骤三提供的LED芯片12通过巨量转移和键合的方式依次巨量转移到步骤二形成的基板11的上表面上。
步骤五：在上述步骤形成的基板11上表面制作引线83。
步骤六：在步骤四上述形成的结构表面制作封装层16。
步骤七：用切割劈裂的方式制作独立的LED集成封装体80。
本申请还可以采用类似的工艺方式实现本申请其它结构的LED集成封装体。
本申请进一步提出一种显示装置，如图18所示，显示装置160包括LED集成封装体161及驱动面板162，驱动面板162用于驱动LED集成封装体161发光，以实现显示装置160的显示功能。
LED封装体161可参阅上述实施例，这里不赘述。
区别于现有技术，本申请LED集成封装体包括：基板，具有相背设置的第一表面与第二表面，基板设有从第一表面贯穿至第二表面的通孔；LED芯片，设置在第一表面上；第一电极，设置在第一表面上，第一电极与LED芯片连接，用于向LED芯片提供第一测试信号；第二电极，设置在第二表面上，第二电极沿通孔与第一电极连接，用于向第一电极提供第一测试信号。通过这种方式，本申请可以将单个像素或者多个像素做成LED集成封装体，因此能够对单像素或者多像素的LED集成封装体做独立测试，即测试分选，筛除测试不合格的次品，保证LED集成封装体(及其内部的LED芯片)的良率，从而能够降低巨量转移等后续工艺对良率及均匀性的要求，降低维修成本。
本申请独立的LED集成封装体可以单独对子像素做相关的光电性能测试来筛除异常芯片，减少对制作工艺的良率和均匀性的需求。
本申请独立的LED集成芯封装体用于显示像素，独立的集成封装体可以单独测试分选用于筛除失效芯片。
本申请的基板采用通孔基板，如果通孔基板为透明基板，则可用于透明显示应用。
本申请的LED集成封装体可以集成多颗LED芯片，可用于改善显示色域、驱动电流、驱动电压等以适应于不同的应用需求。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种LED 集成封装体，其特征在于，所述LED 集成封装体包括：
基板，具有相背设置的第一表面与第二表面，所述基板设有从所述第一表面贯穿至所述第二表面的通孔；
多组LED芯片，设置在所述第一表面上，每组所述LED芯片包括依次串联设置的至少两个所述LED芯片，或者每组所述LED芯片包括依次并联设置的至少两个所述LED芯片；
第一电极，设置在所述第一表面上，所述第一电极与所述LED芯片连接，用于向所述LED芯片提供第一测试信号；
第二电极，设置在所述第二表面上，所述第二电极沿所述通孔与所述第一电极连接，用于向所述第一电极提供所述第一测试信号；
其中，所述第一电极包括多个第一子电极，所述多个第一子电极中的至少一个与多个所述LED芯片的正电极连接，以向每个所述LED芯片的正电极提供第一电压，所述多个第一子电极中的其它第一子电极分别与对应的所述LED芯片的负电极连接，以向每个所述LED芯片的负电极提供第二电压；
其中，所述多个第一子电极均匀排布于LED芯片的周边，且所述第一电压大于所述第二电压；
所述LED 集成封装体进一步包括：多个测试电极，设置在所述基板的所述第一表面上，所述测试电极用于向所述至少两个所述LED芯片提供第二测试信号。
2.根据权利要求1所述的LED集成封装体，其特征在于，所述LED芯片为micro LED芯片。
3.根据权利要求1所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述测试电极位于所述串联且相邻设置的两个所述LED芯片之间，用于向所述串联且相邻设置的两个LED芯片提供第二测试信号。
4.根据权利要求3所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述第二电极包括多个第二子电极，所述多个第二子电极与所述多个第一子电极一一对应连接。
5.根据权利要求1所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述LED 集成封装体进一步包括：粘贴层，设置在所述LED芯片与所述基板之间，用于将所述LED芯片固定在所述基板上。
6.根据权利要求1所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述LED 集成封装体进一步包括引线，多个所述LED芯片的正电极与所述引线连接，所述引线还与其中一个所述第一子电极连接，以通过所述引线向每个所述LED芯片的正电极提供第一电压。
7.根据权利要求1所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述多组LED芯片包括一个红光LED芯片、一个绿光LED芯片及一个蓝光LED芯片；
或者所述多组LED芯片包括一个红光LED芯片、一个绿光LED芯片、一个蓝光LED芯片及一个白光LED芯片。
8.根据权利要求1-7任一项所述的LED 集成封装体，其特征在于，所述LED 集成封装体进一步包括封装层，设置在所述LED芯片及所述第一电极背离所述基板的一侧，用于将所述LED芯片及所述第一电极封装在所述基板上。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至8任一项所述的LED 集成封装体。
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