CN110416247A - 一种显示组件、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示组件、显示面板及显示装置。其中，该显示组件包括：多个发光二极管芯片和多个隔离部，隔离部位于相邻发光二极管芯片之间；隔离部的材料为具有负折射率的超材料。本发明实施例提供的技术方案可以避免相邻像素之间会发生光串扰，并能提高出光效率，提高显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示组件、显示面板及显示装置。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED，μLED)显示器是一种以在一个基底上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，像素点距离为微米级，属于自发光显示器，具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点。
然而现有的微发光二极管显示器中相邻像素之间会发生光串扰，会使色彩不纯，图像失真。
发明内容
本发明实施例提供一种显示组件、显示面板及显示装置，以解决相邻像素之间发生光串扰问题，提高出光效率，并提高显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示组件，包括：
多个发光二极管芯片和多个隔离部，隔离部位于相邻发光二极管芯片之间；
隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
进一步地，超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1-xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi、Y、La、Ce、Gd、Eu、Nd或Pr，A包括Ca、Sr、Ba或Pb。
进一步地，发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极，各发光二极管芯片的第一半导体层连续设置；
隔离部位于第一半导体层靠近发光层的一侧，并与第一半导体层接触。
进一步地，隔离部沿第一半导体层的厚度方向上的截面为梯形，梯形靠近第一半导体层的一边长于远离第一半导体层的一边。
进一步地，该显示组件还包括第一基底，发光二极管芯片和隔离部位于第一基底的同一侧，沿第一基底的厚度方向，隔离部的高度大于发光二极管芯片的高度；优选地，发光二极管芯片和相邻的隔离部之间设置有沟槽。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：
驱动背板；
多个发光二极管芯片，多个发光二极管芯片与驱动背板连接；
多个隔离部，隔离部位于相邻发光二极管芯片之间；隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
进一步地，驱动背板包括第一电极和第二电极，发光二极管芯片还包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极，各发光二极管芯片的第一半导体层连续设置；
发光二极管芯片的第一电极与驱动背板上的第一电极连接；
隔离部位于第一半导体层靠近发光层的一侧，并与第一半导体层接触；
隔离部内设置有导电通孔，导电通孔沿驱动背板的厚度方向延伸，导电通孔内设置有导电部，导电部电连接第一半导体层和驱动背板上的第二电极。
进一步地，驱动背板还包括绝缘层，绝缘层设置有多个第一开孔，第一开孔露出驱动背板的第一电极，导电通孔贯穿第一半导体层和绝缘层，导电通孔露出驱动背板的第二电极的一部分。
进一步地，该显示面板还包括光转换层和黑矩阵层，均位于发光二极管芯片远离驱动背板的一侧；
光转换层与发光二极管芯片沿驱动背板的厚度方向上的投影交叠，黑矩阵层与隔离部沿驱动背板的厚度方向上的投影交叠；
优选地，超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1-xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi、Y、La、Ce、Gd、Eu、Nd或Pr，A包括Ca、Sr、Ba或Pb；
优选地，沿驱动背板的厚度方向，隔离部的高度大于发光二极管芯片的高度；
优选地，发光二极管芯片和相邻的隔离部之间设置有沟槽。
本发明实施例的技术方案中，显示组件包括多个发光二极管芯片和多个隔离部，隔离部位于相邻发光二极管芯片之间；隔离部的材料为具有负折射率的超材料，通过将隔离部的材料设置为具有负折射率的超材料，以使发光二极管芯片发出的射向相邻发光二极管芯片的那部分光可重新定向，不被隔离部吸收，而无损失的绕过隔离部，从而可以提高发光二极管芯片的出光效率，解决了相邻发光二极管芯片之间的光串扰的问题，从而提高显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示组件的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的又一种显示组件的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示组件的制作方法的流程图；
图5为与图4中各步骤对应的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种显示组件的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种显示组件的制作方法的流程图；
图9至图10分别为与图8中各步骤对应的剖面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程图；
图14至图15分别为与图13中步骤470至步骤550对应的剖面结构示意图；
图16为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图17为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图18为现有技术中的一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种显示组件。图1为本发明实施例提供的一种显示组件的剖面结构示意图。该显示组件可作为制作显示面板所需的部件。该显示组件包括：多个发光二极管芯片20和多个隔离部30。
其中，隔离部30位于相邻发光二极管芯片20之间；隔离部30的材料为具有负折射率的超材料。
其中，该显示组件可以是发光二极管芯片阵列，可设置于显示装置中。发光二极管芯片20可包括沿发光二极管芯片20的厚度方向依次层叠设置的外延结构和第一电极，外延结构可以包括下述至少一种材料：GaN(氮化镓)、GaP(磷化镓)、GaAs(砷化镓)、AlGaInP(铝镓铟磷)等。隔离部30为具有负折射率(negative index materials，NIM)的光学超材料(Metamaterial)，超材料是指通过空间排列或连接纳米结构，来控制波函数相位和纳米尺度传输特性的人工结构，从而体现出不同于材料特性的新量子力学特性。具有负折射率的超材料可由普通电介质构成，既不需要激发磁共振也不需要激发电共振，能够直接实现负折射，因此损耗极低，具有负折射率的超材料的介电常数ε和磁导率μ均为负数(ε<0和μ<0)，可通过使用具有负折射率的超材料来获得衍射极限上的光学隐身现象和聚焦光。显示装置在通过发光二极管芯片20发光进行显示时，发光二极管芯片20发出的一部分光会朝向显示面直接射出；发光二极管芯片20发出的另一部分光朝相邻的发光二极管芯片20和隔离部30方向倾斜射出，由于隔离部30的材料为具有负折射率的超材料，该部分光可重新定向，不被隔离部30吸收，而无损失的绕过隔离部30，从而可以提高发光二极管芯片20的出光效率，解决了相邻发光二极管芯片20之间的光串扰问题，从而提高显示效果。
本实施例的技术方案中，显示组件包括多个发光二极管芯片20和多个隔离部30，隔离部30位于相邻发光二极管芯片20之间；隔离部30的材料为具有负折射率的超材料，通过将隔离部30的材料设置为具有负折射率的超材料，以使发光二极管芯片20发出的射向相邻发光二极管芯片的那部分光可重新定向，不被隔离部30吸收，而无损失的绕过隔离部30，从而可以提高发光二极管芯片20的出光效率，避免相邻发光二极管芯片20之间的光串扰，从而提高显示效果。
可选的，在上述实施例的基础上，图2为本发明实施例提供的又一种显示组件的剖面结构示意图，该显示组件还包括第一基底10，发光二极管芯片20和隔离部30位于第一基底10的同一侧。
其中，第一基底10可以是硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底等。该显示组件可以是发光二极管芯片阵列，可与驱动背板50邦定连接，之后剥离第一基底10，以形成显示面板。或者，在第一基底10远离发光二极管芯片20的一侧形成驱动电路结构，并在第一基底10上形成贯穿第一基底10的导电通孔，以连接发光二极管芯片和驱动电路结构，从而使第一基底形成驱动背板，进而形成显示面板，如图3所示，图3为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，其中，图3中的部件50可为驱动背板，发光二极管芯片20发出的一部分光会朝向显示面直接射出，即垂直于并远离驱动背板的方向射出；发光二极管芯片20发出的另一部分光朝相邻的发光二极管芯片20和隔离部30方向倾斜射出，由于隔离部30的材料为具有负折射率的超材料，该部分光可重新定向，不被隔离部30吸收，而无损失的绕过隔离部30，从而可以提高发光二极管芯片20的出光效率，解决了相邻发光二极管芯片20之间的光串扰问题，从而提高显示效果。
本发明实施例提供一种显示组件的制作方法。图4为本发明实施例提供的一种显示组件的制作方法的流程图。图5为与图4中各步骤对应的剖面结构示意图。该显示组件的制作方法可用于制作上述实施例提供的显示组件。该显示组件的制作方法包括：
步骤110、在第一基底的一侧形成多个发光二极管芯片。
其中，如图5所示，可通过金属氧化物化学气相沉积工艺、蚀刻工艺等，在第一基底10的一侧形成多个发光二极管芯片20。
步骤120、在第一基底靠近发光二极管芯片的一侧，相邻发光二极管芯片之间形成多个隔离部，隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
其中，如图5所示，可通过沉积工艺等，在第一基底10靠近发光二极管芯片20的一侧，相邻发光二极管芯片20之间形成多个隔离部30。
本发明实施例提供的显示组件的制作方法用于制作上述实施例中的显示组件，因此本发明实施例提供的显示组件的制作方法也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
在上述实施例的基础上，优选地，超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1-xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi(铋)、Y(钇)、La(镧)、Ce(铈)、Gd(钆)、Eu(铕)、Nd(钕)或Pr(镨)，A包括Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)或Pb(铅)。其中，R可为+3价的稀土离子，A可为+2价的金属离子。根据需要设置x的大小，即掺杂浓度。隔离部30可包括交替沉积的稀土离子氧化物层、金属离子氧化物层和氧化锰层。该隔离部30可在空气环境下进行沉积工艺等形成。采用该类型超材料，能够更好地使光重新定向，进一步提高发光二极管芯片20的出光效率，解决了相邻发光二极管芯片20之间的光串扰问题，从而提高显示效果。
图6为本发明实施例提供的又一种显示组件的剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，发光二极管芯片20包括依次层叠设置的第一半导体层21、发光层22、第二半导体层23和第一电极24，各发光二极管芯片20的第一半导体层21连续设置；隔离部30位于第一半导体层21靠近发光层22的一侧，并与第一半导体层21接触。当显示组件中还包括第一基底10时，发光二极管芯片20包括沿远离第一基底10方向依次层叠设置的第一半导体层21、发光层22、第二半导体层23和第一电极24。
其中，第一半导体层21可以是n型(电子型)半导体层或p型(空穴型)半导体层。第二半导体层23可以是n型(电子型)半导体层或p型(空穴型)半导体层。第一半导体层21与第二半导体层23的导电类型不同。示例性的，第一半导体层21为n型GaN层，第二半导体层23为p型GaN层。第一电极24可以是阴极或阳极。第一电极24可以包括下属至少一种材料：Au、Al、Ag、Pb、AuSn、AgSn、AgIn、Cu和In。
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图，如图7所示，可通过将该组件上发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51邦定连接。将显示组件与驱动背板邦定连接时，隔离部30可以阻挡发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51焊接的焊料56的流动，避免焊料56向相邻的发光二极管芯片20处流动，导致短路。
图8为本发明实施例提供的又一种显示组件的制作方法的流程图。图9至图10分别为与图8中各步骤对应的剖面结构示意图。该显示组件的制作方法可用于制作上述实施例提供的显示组件。在上述实施例的基础上，该显示组件的制作方法包括：
步骤210、在第一基底的一侧形成第一半导体层。
其中，如图9所示，可通过金属氧化物化学气相沉积工艺等，在第一基底10的一侧形成第一半导体层21。
步骤220、在第一半导体层远离第一基底的一侧形成发光层。
其中，如图9所示，可通过金属氧化物化学气相沉积工艺等，在第一半导体层21远离第一基底10的一侧形成发光层22。
步骤230、在发光层远离第一基底的一侧形成第二半导体层。
其中，如图9所示，可通过金属氧化物化学气相沉积工艺等，在发光层22远离第一基底10的一侧形成第二半导体层23。
步骤240、在第二半导体层远离发光层的一侧形成发光二极管芯片的第一电极。
其中，如图9所示，可通过沉积工艺、蒸镀工艺或溅射工艺等，在第二半导体层23远离发光层22的一侧形成发光二极管芯片20的第一电极24。
步骤250、在第二半导体层和发光层形成多个第二开孔，第二开孔暴露第一半导体层。
其中，如图10所示，可通过蚀刻工艺等，在未被发光二极管芯片20的第一电极24覆盖的位置，在第二半导体层23和发光层22形成多个第二开孔26，第二开孔26暴露第一半导体层21。
步骤260、在第二开孔内形成隔离部，隔离部与第一半导体层接触，隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
其中，如图10所示，可通过沉积工艺等，在第二开孔内形成隔离部30，隔离部30与第一半导体层21接触，隔离部30的材料为具有负折射率的超材料。可在将该组件上发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51邦定连接之后剥离第一基底10，或者，在邦定连接之前剥离第一基底10，可根据需要改变制作流程。图6剥离第一基底10后的剖面结构如图1所示。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图1或图6，沿第一基底110的厚度方向，平行于图1或图6中的X方向，隔离部30的高度大于发光二极管芯片20的高度。通过将隔离部30的高度设置为大于发光二极管芯片20的台面25的高度，即发光二极管芯片20的台面25相对于隔离部30凹陷，使得将显示组件与驱动背板对置，以使发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51相对接触，隔离部30可以阻挡驱动背板50的第一电极51的移动，避免发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51错开较大的位移，导致接触面积较小，导电效果较差。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图6，发光二极管芯片20和相邻的隔离部30之间设置有沟槽40。可根据需要设置沟槽的深度和宽度。沟槽越深越宽，容纳空间越大，可以容纳较多的焊料。若沟槽的深度太大，隔离部40的长度过长，在邦定连接时，发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51不容易接触，会导致焊接不良。发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51的最大错位距离为沟槽的宽度，若沟槽的宽度太宽，会影响发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51的对位精度。可选的，沟槽40的宽度可为大于或等于1微米，且小于或等于3微米。可选的，沟槽的深度可为大于或等于4微米，且小于或等于6微米。既可以保证发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51的对位精度，并能在邦定连接时，保证发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51接触良好，焊接牢靠。如图7所示，将显示组件与驱动背板邦定连接时，发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51焊接的焊料56可以流动至沟槽40中，以方便使用足够的焊料56进行邦定连接，使发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51之间焊料56充足，焊接可靠，焊接电阻小，避免虚焊，以提高导电效果。沟槽40的宽度越大，容纳流动的焊料56的空间越大，有利于邦定连接。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图6和图7，隔离部30沿第一半导体层21的厚度方向(平行于X方向)上的截面为梯形，梯形靠近第一半导体层21的一边长于远离第一半导体层21的一边，以使发光二极管芯片20的第一电极25与隔离部30之间形成较大的空隙，以使与发光二极管芯片20的发光层25相对的隔离部30的厚度较大，以更好的防止串扰，且在邦定连接时，为流动的焊料56提供较大的容纳空间。
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图，可通过该显示组件的发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51邦定连接，之后剥离第一基底10，并在隔离部30上形成导电通孔31，以实现第一半导体层21与驱动背板上的第二电极52的连接，可以提高导电效果，该隔离部30为绝缘材料，可防止发光二极管芯片侧壁发生漏电，且相比于整面的第一半导体层仅通过边缘与驱动背板的第二电极电连接的方式，无需在第一半导体层远离驱动背板的一侧设置高导电率的导电层，避免高导电率的导电层的遮光作用，影响发光二极管芯片的出光效率。
继续参见图3、图7或图11，在上述实施例的基础上，该显示面板包括驱动背板50多个发光二极管芯片20和多个隔离部30。
其中，隔离部30位于相邻发光二极管芯片20之间，隔离部30的材料为具有负折射率的超材料。
其中，该显示面板可以是彩色显示面板或单色显示面板。驱动背板50可以包括CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动组件或TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)驱动组件。驱动背板包括多个像素驱动电路、多条扫描线、多条数据线和多条发光控制线等，多个像素驱动电路与多个发光二极管芯片20一一对应电连接，任一像素驱动电路可包括驱动晶体管、存储电容、开关晶体管等。像素驱动电路与对应的扫描线、数据线和发光控制线等电连接，以接收扫描信号、数据信号和发光控制信号等，从而实现独立控制对应的发光二极管芯片20发光亮度和时间等。
本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例中的显示组件，或采用上述实施例中的显示组件进行制作形成，因此本发明实施例提供的显示面板也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
继续参见图11，在上述实施例的基础上，驱动背板50包括第一电极51和第二电极52，发光二极管芯片20还包括依次层叠设置的第一半导体层21、发光层22、第二半导体层23和第一电极24，各发光二极管芯片20的第一半导体层21连续设置；发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50上的第一电极51连接；隔离部30位于第一半导体层21靠近发光层22的一侧，并与第一半导体层21接触；隔离部30内设置有导电通孔31，导电通孔31沿驱动背板50的厚度方向(平行于图11中的Y方向)延伸，导电通孔31内设置有导电部32，导电部32电连接第一半导体层21和驱动背板50上的第二电极52。
其中，导电部32可以是导电材料，包括下述至少一种材料：铜、铝、金、铝、银和铂。驱动背板50的第二电极52的面积尽可能做大，以提高导电效果，驱动背板50的第二电极52可以为共阴极。在隔离部30上形成导电通孔31，以实现第一半导体层21与驱动背板上的第二电极52的连接，该隔离部30为绝缘材料，可以防止发光二极管芯片80侧壁漏电，发生短路。图18为现有技术中的一种显示面板的剖面结构示意图，现有技术中在发光二极管芯片80的表面形成钝化层81，在钝化层81远离发光二极管芯片80的表面形成导电桥82，以使发光二极管芯片80远离驱动背板90的第二电极与驱动背板90的第二电极92电连接，发光二极管芯片80靠近驱动背板90的第一电极与驱动背板90的第一电极91电连接，由于钝化层81在制备形成的过程中易混入导电粒子，导致发光二极管芯片80侧壁与导电桥82之间发生漏电，发光二极管芯片80的第一电极和第二电极经钝化层81和导电桥82发生短路，在该技术方案中，在绝缘的隔离部30上设置导电通孔31，将各发光二极管芯片20的第一半导体层21通过导电通孔31的导电部32与驱动背板上的第二电极52电连接，相比于图18中的技术方案，可防止发光二极管芯片侧壁发生漏电。
另外，各发光二极管芯片20的第一半导体层21通过导电通孔31内的导电部32与驱动背板上的第二电极52电连接，可以提高导电效果，无需在第一半导体层远离驱动背板的一侧设置高导电率的导电层，避免高导电率的导电层的遮光作用，影响发光二极管芯片的出光效率。
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，驱动背板50还包括绝缘层53，绝缘层53设置有多个第一开孔54，第一开孔54露出驱动背板50的第一电极51，导电通孔31贯穿第一半导体层21和绝缘层53，导电通孔31露出驱动背板50的第二电极52的一部分。
其中，该绝缘层53可以包括下述至少一种材料：氧化硅和氮化硅等。通过设置绝缘层53，可以保护驱动背板50的第二电极52，避免将驱动背板50的第二电极52设置在最外侧，从而避免将显示组件与驱动背板邦定连接时，焊料56由第一电极51流动至第二电极52，导致驱动背板50的第一电极51和第二电极52短路的问题。
图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程图。图14至图15分别为与图13中步骤470至步骤550对应的剖面结构示意图。步骤410至步骤460的过程和原理与上述实施例中的显示组件的制作方法相同或类似，此处不再赘述。该显示面板的制作方法可用于制作上述实施例提供的显示面板。在上述实施例的基础上，该显示面板的制作方法包括：
步骤410、在第一基底的一侧形成第一半导体层。
步骤420、在第一半导体层远离第一基底的一侧形成发光层。
步骤430、在发光层远离第一基底的一侧形成第二半导体层。
步骤440、在第二半导体层远离发光层的一侧形成多个发光二极管芯片的第一电极。
步骤450、在所述第二半导体层和所述发光层形成多个第二开孔，所述第二开孔暴露所述第一半导体层，第二开孔与发光二极管芯片的第一电极间隔设置。
步骤460、在第二开孔内形成隔离部，隔离部与第一半导体层接触。
步骤470、在驱动背板的一侧形成驱动背板的第二电极。
其中，如图14所示，可通过沉积工艺、蒸镀工艺或溅射工艺等，在驱动背板50的一侧形成驱动背板50的第二电极52。
步骤480、在第二电极靠近驱动背板外侧的一侧形成绝缘层。
其中，如图14所示，可通过沉积工艺等，在第二电极52靠近驱动背板50外侧的一侧形成绝缘层53。
步骤490、在绝缘层上形成多个第一开孔，第一开孔与第二电极不交叠。
其中，如图14所示，可通过蚀刻工艺等，在绝缘层53上形成多个第一开孔54，第一开孔54与第二电极52在驱动背板50的厚度方向上的投影不交叠。
步骤500、在第一开孔中形成驱动背板的第一电极。
其中，如图14所示，可通过沉积工艺、蚀刻工艺等，在第一开孔54中形成驱动背板50的第一电极51。
步骤510、将第一基底与驱动背板对置，发光二极管芯片的第一电极与驱动背板的第一电极一一对应接触，绝缘层与隔离部接触。
其中，如图14所示，将第一基底10与驱动背板50对置，发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51一一对应接触，绝缘层54与隔离部30接触。通过将隔离部30的高度设置为大于发光二极管芯片20的高度，即发光二极管芯片20的台面25相对于隔离部30凹陷，驱动背板50的第一电极51进入凹陷区与发光二极管芯片20的第一电极24接触，隔离部30可以阻挡驱动背板的第一电极51移动较大距离，可以避免发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51错开较大的位移，出现接触面积较小，导电效果较差的情况。
步骤520、将发光二极管芯片的第一电极与驱动背板的第一电极一一对应邦定连接。
其中，可通过倒装焊键合工艺，将发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板50的第一电极51一一对应邦定连接。
步骤530、去除第一基底。
其中，如图15所示，可通过剥离工艺等去除第一基底10。示例性地，若第一基底为蓝宝石衬底，则可以采用激光剥离将蓝宝石衬底去除；若第一基底为硅衬底，则可以采用湿法腐蚀将硅衬底去除。
步骤540、在隔离部、位于隔离部两侧的第一半导体层和绝缘层上形成多个导电通孔，导电通孔沿垂直于驱动背板的方向延伸，导电通孔贯穿隔离部、第一半导体层和绝缘层，导电通孔露出驱动背板的第二电极。
其中，如图15所示，在隔离部30、位于隔离部30两侧的第一半导体层21和绝缘层53上形成多个导电通孔31，导电通孔31沿驱动背板50的厚度方向延伸，导电通孔31贯穿隔离部30、第一半导体层21和绝缘层53，导电通孔31露出驱动背板50的第二电极52。
步骤550、在导电通孔内形成导电部。
其中，如图15所示，在导电通孔31内形成导电部32。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法用于制作上述实施例中的显示面板，因此本发明实施例提供的显示面板的制作方法也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图12，发光二极管芯片20和相邻的隔离部30之间形成有沟槽40，以方便使用足够的焊料56进行邦定连接，使发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51之间焊料56充分，以提高导电效果。
可选的，驱动背板50的第一电极51与隔离部30之间形成沟槽，即存在间隙，以方便使用足够的焊料56进行邦定连接，使发光二极管芯片20的第一电极24与驱动背板的第一电极51之间焊料56充足，焊接可靠，焊接电阻小，避免虚焊，以提高导电效果。
可选的，在上述实施例的基础上，图16为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图，该显示面板还包括光转换层60和黑矩阵层70，均位于发光二极管芯片20远离驱动背板50的一侧；光转换层60与发光二极管芯片20交叠，黑矩阵层70与隔离部30交叠。
其中，发光二极管芯片20可以是蓝光发光二极管芯片、紫光发光二极管芯片或紫外发光二极管芯片。光转换层60包括下述至少一种材料：无机荧光粉、磷光材料、有机染料、有机荧光材料、有机磷光材料和无机半导体纳米材料，可以将紫光或紫外光转化成红光、绿光和蓝光，或是将蓝光转化成红光、绿光，部分发光二极管芯片20不与光转换层60交叠，直接发出蓝光。光转换层60与发光二极管芯片20沿驱动背板50的厚度方向上的投影交叠，黑矩阵层70与隔离部30沿驱动背板50的厚度方向上的投影交叠。
优选地，超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1-xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi、Y、La、Ce、Gd、Eu、Nd或Pr，A包括Ca、Sr、Ba或Pb。
优选地，沿驱动背板的厚度方向，隔离部30的高度大于发光二极管芯片的高度。
优选地，发光二极管芯片20和相邻的隔离部30之间设置有沟槽40。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图16，该显示面板还包括透明盖板71，位于光转换层60和黑矩阵层70远离驱动背板50的一侧。
图17为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置100包括本发明任意实施例提供的显示组件或显示面板。需要说明的是，本发明实施例提供的显示装置还可以包括其他用于支持显示装置正常工作的电路及器件，上述的显示装置可以为手机、平板电脑、电子纸和电子相框中的一种。本发明实施例提供的显示装置包括上述实施例中的显示组件或显示面板，因此本发明实施例提供的显示装置也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示组件，其特征在于，包括：
多个发光二极管芯片和多个隔离部，所述隔离部位于相邻所述发光二极管芯片之间；
所述隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
2.根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1- xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi、Y、La、Ce、Gd、Eu、Nd或Pr，A包括Ca、Sr、Ba或Pb。
3.根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极，各所述发光二极管芯片的第一半导体层连续设置；
所述隔离部位于所述第一半导体层靠近所述发光层的一侧，并与所述第一半导体层接触。
4.根据权利要求3所述的显示组件，其特征在于，所述隔离部沿所述第一半导体层的厚度方向上的截面为梯形，所述梯形靠近所述第一半导体层的一边长于远离所述第一半导体层的一边。
5.根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，还包括第一基底，所述发光二极管芯片和所述隔离部位于所述第一基底的同一侧，沿所述第一基底的厚度方向，所述隔离部的高度大于所述发光二极管芯片的高度；优选地，所述发光二极管芯片和相邻的所述隔离部之间设置有沟槽。
6.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板；
多个发光二极管芯片，多个所述发光二极管芯片与所述驱动背板连接；
多个隔离部，所述隔离部位于相邻所述发光二极管芯片之间；所述隔离部的材料为具有负折射率的超材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动背板包括第一电极和第二电极，
所述发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极，各所述发光二极管芯片的第一半导体层连续设置；
所述发光二极管芯片的第一电极与所述驱动背板上的第一电极连接；
所述隔离部位于所述第一半导体层靠近所述发光层的一侧，并与所述第一半导体层接触；
所述隔离部内设置有导电通孔，所述导电通孔沿所述驱动背板的厚度方向延伸，所述导电通孔内设置有导电部，所述导电部电连接所述第一半导体层和所述驱动背板上的第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述驱动背板还包括绝缘层，所述绝缘层设置有多个第一开孔，所述第一开孔露出所述驱动背板的第一电极，所述导电通孔贯穿所述第一半导体层和所述绝缘层，所述导电通孔露出所述驱动背板的第二电极的一部分。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括光转换层和黑矩阵层，均位于所述发光二极管芯片远离所述驱动背板的一侧；
所述光转换层与所述发光二极管芯片沿所述驱动背板的厚度方向上的投影交叠，所述黑矩阵层与所述隔离部沿所述驱动背板50的厚度方向上的投影交叠；
优选地，所述超材料包括：掺杂型锰钙钛矿R1-xAxMnO3，其中，0<x<1，R包括Bi、Y、La、Ce、Gd、Eu、Nd或Pr，A包括Ca、Sr、Ba或Pb；
优选地，沿所述驱动背板的厚度方向，所述隔离部的高度大于所述发光二极管芯片的高度；
优选地，所述发光二极管芯片和相邻的所述隔离部之间设置有沟槽。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的显示组件或如权利要求6-9任一项所述的显示面板。
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