CN112151665B - 微发光二极管器件及其制备方法、显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微发光二极管器件及其制备方法、显示面板及其制作方法，涉及显示技术领域。其中，该微发光二极管器件包括电路基板以及设置在电路基板上的微发光二极管芯片，其中电路基板具有第一电极，第一电极上设有软质焊料块和硬质金属井中之一；所述微发光二极管具有第二电极，所述第二电极上设有软质焊料块和硬质金属井中另一，且所述软质焊料块填充在所述硬质金属井内。本发明提供的微发光二极管器件，通过软质焊料块和硬质金属井之间的配合，能够实现微发光二极管与电路基板在较低温度下的键合，避免出现衬底与电路基板之间对位不准的问题，因此能够提高微发光二极管显示面板的质量和良率。

Description

微发光二极管器件及其制备方法、显示面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管器件及其制备方法、显示面板及其制作方法。

背景技术

微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，从而使得单一的Micro LED作为像素用于显示成为可能。Micro LED显示器是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，因此Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。

现阶段Micro LED显示器的制备，多是先在蓝宝石类的衬底上获得Micro LED，随后将微发光二极管与衬底分离，再采用转移头(Transfer head)批量拾取微发光二极管并转移到电路基板的对应区域上进行焊接，形成Micro LED阵列，最后再经过封装等制程，制得Micro LED显示面板。

但是采用上述手段，在焊接过程中常常出现对位偏移的问题，造成微发光二极管芯片的电极与电路基板上的电极不能实现良好的电连接，使微发光二极管显示面板的品质和良率均下降等问题。

发明内容

针对上述缺陷，本发明提供一种微发光二极管器件及其制备方法，能够避免焊接过程中出现的对位偏移问题，确保微发光二极管芯片与电路基板的电极实现良好的电连接。

本发明还提供一种显示面板及其制作方法，包括上述微发光二极管器件的制备方法，能够提高微发光二极管显示面板的品质和良率。

为实现上述目的，本发明的第一个方面是提供一种微发光二极管器件，包括电路基板以及设置在电路基板上的微发光二极管芯片，其中微发光二极管芯片具有第一电极，第一电极上设有软质焊料块和硬质金属井中之一；电路基板具有第二电极，第二电极上设有软质焊料块和硬质金属井中另一，且软质焊料块填充在硬质金属井内。

进一步地，软质焊料块设置在第一电极上，硬质金属井设置在第二电极上。

进一步地，以垂直于电路基板的平面为截面，硬质金属井的截面形状为梯形，且梯形的上底为硬质金属井的开口。

进一步地，梯形的上底尺寸为5～30μm，下底尺寸为10～50μm，至少一条腰与下底之间的夹角为60～80度。

进一步地，在相邻的软质焊料块之间设有硬质连接柱；在相邻的硬质金属井之间设有与硬质连接柱对应的固化胶块；硬质连接柱插设在固化胶块内并被固化胶块所粘结。

本发明的第二个方面是提供一种微发光二极管器件的制备方法，包括：在微发光二极管芯片的第一电极上形成软质焊料柱和硬质金属井中之一，并在电路基板的第二电极上形成软质焊料柱和硬质金属井中另一，其中微发光二极管芯片位于衬底上；移动衬底，使软质焊料柱对准硬质金属井；对衬底施加压力，使软质焊料柱插入硬质金属井内并压溃填充硬质金属井；将衬底与微发光二极管芯片分离。

进一步地，在微发光二极管的第一电极上形成软质焊料柱，在电路基板的第二电极上形成硬质金属井。

进一步地，软质焊料柱具有朝向硬质金属井的顶端以及背离硬质金属井的底端，顶端的尺寸小于底端的尺寸。

进一步地，上述制备方法还包括：在相邻的软质焊料柱之间形成硬质连接柱；在相邻的硬质金属井之间形成与硬质连接柱对应的待固化胶块；在对衬底施加压力时，硬质连接柱插入待固化胶块内；对待固化胶块实施固化处理，使待固化胶块固化并粘结硬质连接柱。

本发明的第三个方面是提供一种显示面板，包括前述第一个方面所述的微发光二极管器件。

本发明的第四个方面是提供一种显示面板的制作方法，包括：在衬底上形成微发光二极管芯片；按照前述第二个方面的制备方法，将微发光二极管芯片转移到电路基板上，形成用于构成显示的微发光二极管器件；对微发光二极管器件进行封装，得到微发光二极管显示面板。

本发明提供的微发光二极管器件，通过嵌合连接的软质焊料块和硬质金属井实现了微发光二极管芯片与电路基板之间的准确对位以及有效电连接，避免了现有焊接工艺中经常出现的对位偏移问题。

本发明提供的微发光二极管器件的制备方法，通过设置相配合的软质焊料柱和硬质金属井，在对衬底施加压力的过程中，软质焊料柱插入到硬质金属井内并被挤压、压溃变形而扩散，实现对硬质金属井的填充，完成了微发光二极管芯片与电路基板的键合。因此，该制备方法，避免了现阶段采用高温焊接时，因转移头与电路基板的热膨胀系数不匹配所带来的对位偏移问题。

并且，由于硬质金属井对软质焊料柱起到了一定的限位作用，因此能够进一步避免衬底上的微发光二极管芯片与电路基板之间发生对位偏移，进一步确保了微发光二极管与电路之间形成良好的键合及电连接。

本发明提供的显示面板，由于包括前述微发光二极管器件，因此具有与上述微发光二极管器件相同的优势，因此具有非常高的品质。

本发明提供的显示面板的制作方法，由于采用前述制备方法进行微发光二极管芯片的批量转移，因此具有与上述制备方法相同的优势，提高了微发光二极管显示面板的品质和良率。

附图说明

图1为本发明一实施例中提供的微发光二极管器件的结构示意图一；

图2为本发明一实施例中提供的微发光二极管器件的结构示意图二；

图3为本发明一实施例中提供的微发光二极管器件的制备方法的示意图；

图4为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中步骤S1的示意图一；

图5为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中步骤S1的示意图二；

图6为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中步骤S2的示意图；

图7为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中步骤S3的示意图；

图8为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中硬质金属井形成工艺的流程示意图；

图9为本发明一具体实施例中所提供的微发光二极管器件的制备方法中软质焊料柱形成工艺的流程示意图；

图10为本发明另一实施例中提供的微发光二极管器件的制备方法的示意图。

附图标记说明：

10-电路基板； 11-正性光阻层；

20-微发光二极管芯片； 30-软质焊料块；

31-软质焊料柱； 311-圆柱体；

312-圆台； 40-硬质金属井；

41-硬质金属层； 50-衬底；

51-负性光阻层； 60-硬质连接柱；

70-固化胶块； 71-待固化胶块。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解的是，下面的实施例并不严格限制本发明所保护的制备方法中各步骤的执行顺序。本发明的制备方法的各个步骤在不相互矛盾的情况下能够以任意可能的顺序来执行和实施。

现阶段Micro LED显示面板的制备，多是先在蓝宝石类的衬底上外延获得MicroLED，随后通过激光剥离(Laser lift-off)技术将微发光二极管从衬底上分离开，然后通过微转印(Micro Transfer Print)技术将微发光二极管转移到已经预先制备完成电极图案的电路基板上，形成Micro LED阵列，最后再经过封装等制程，制得Micro LED显示面板。

其中，微转印技术的过程大致为：使用具有一定粘性的转移头拾取微发光二极管，然后将转移头与电路基板进行对位。电路基板的电极上设有与每个微发光二极管的电极相对应的焊点，焊点表面设有焊料，焊料层在高温下与微发光二极管的电极焊接固定，从而使微发光二极管的电极与电路基板上的电极实现电连接，最后再将转移头从电路基板上剥离，即可完成微发光二极管的批量转移。

但是，发明人研究发现，采用现有高温焊接的方式，在微发光二极管与电路基板进行键合时，由于转移头与电路基板的热膨胀系数往往并不匹配，所以常常出现对位偏移的问题，导致微发光二极管的电极与电路基板上的电极不能实现良好的电连接，最终造成微发光二极管显示面板的品质和良率均下降。为了解决上述问题，发明人提出了一种微发光二极管器件及其制备方法。

实施例一

本实施例提供一种微发光二极管器件及其制备方法，如图1和图2所示，该微发光二极管器件包括电路基板10以及设置在电路基板10上的微发光二极管芯片20，其中微发光二极管芯片20具有第一电极(未图示)，第一电极上设有软质焊料块30和硬质金属井40中之一；电路基板10具有第二电极(未图示)，第二电极上设有软质焊料块30和硬质金属井40中另一，且软质焊料块30填充在硬质金属井40内。

本实施例提供的微发光二极管器件，通过软质焊料块30和硬质金属井40之间的嵌合结构连接，实现了微发光二极管芯片20与电路基板10之间的准确对位，确保了第一电极与第二电极之间的有效电连接，避免了当前采用高温焊接工艺中因膨胀系数不匹配所导致的微发光二极管芯片20与电路基板10之间发生偏移所带来的系列问题，提高了微发光二极管器件的品质和良率。

本实施例还提供该微发光二极管器件的制备方法，请参考图3至图7并结合图1和图2，该制备方法具体可包括如下步骤：

S1、在微发光二极管芯片20的第一电极上形成软质焊料柱31和硬质金属井40中之一，并在电路基板10的第二电极上形成软质焊料柱31和硬质金属井40中另一，其中微发光二极管芯片20位于衬底50上；

S2、移动衬底50，使软质焊料柱31对准硬质金属井40；

S3、对衬底50施加压力，使软质焊料柱31插入硬质金属井40内并压溃填充硬质金属井40；

S4、将衬底50与微发光二极管芯片20分离。

本实施例提供的微发光二极管器件的制备方法，通过在微发光二极管芯片20和电路基板10的其中之一上设置软质焊料柱31，另一设置硬质金属井40，在键合时，软质焊料柱31插入到硬质金属井40内并被挤压、变形、压溃而在硬质金属井40内扩散延伸直至填充硬质金属井40，从而实现微发光二极管芯片20与电路基板10的键合。该制备方法，所需操作温度较低，甚至可在常温下进行，避免了现阶段采用高温焊接时，因转移头与电路基板10的热膨胀系数不匹配所带来的对位偏移问题；此外，由于硬质金属井40对软质焊料柱31也起到了限位作用，进一步确保了键合过程中微发光二极管芯片20与电路基板10之间保持对准，使微发光二极管芯片20的第一电极与电路基板10上的第二电极实现良好的电连接。

此外，采用现有高温焊接的方式，若焊料的材质较软，还容易出现因键合压力过大所导致焊料被挤压变形严重、相邻焊料相互搭接而造成的短路问题。而采用本实施例所提供的转移方法，由于硬质金属井40具有一定的刚性和硬度，所以在实际操作时，即使对衬底50施加的压力略大于工艺理论值，硬质金属井40也基本不会发生形变，且能够将微发光二极管芯片20与电路基板10之间的间距控制在一定范围内，避免出现压力过大所带来的短路等问题。因此该制备方法还能在一定程度上解决现有高温焊接时工艺条件难以把控的问题。

本实施例对于微发光二极管芯片20在衬底50上的形成方式不做特别限定，比如可以采用目前较为常用的外延法。其中该衬底50可以是目前微发光二极管器件所常用的蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底等。

本实施例对于微发光二极管芯片20的具体结构不做特别限定，只要在键合时，该微发光二极管芯片20的n型电极和p型电极中至少有一个朝向电路基板10即可。比如该微发光二极管芯片20是倒装结构，其n型电极和p型电极均为第一电极，在n型电极和p型电极上均形成软质焊料柱31或硬质金属井40；在键合时，n型电极和p型电极均朝向电路基板10并与电路基板10上的第二电极实现电连接。

或者，该微发光二极管芯片20也可以为垂直结构，其n型电极或p型电极作为第一电极。以n型电极作为第一电极为例，在n型电极上形成软质焊料柱31或硬质金属井40；在键合时，n型电极朝向电路基板10并与电路基板10上的第二电极实现电连接，p型电极背向电路基板10。

本实施例中，电路基板10用于承载并驱动微发光二极管芯片，使微发光二极管芯片20被驱动发光。该电路基板10具体可以是目前微发光二极管显示面板中所常用的电路基板10，包括但不限于印刷背板、TFT背板、PM走线背板、CMOS晶体管背板等。

本实施例对于软质焊料柱31的材质不做特别限定，只要相对于硬质金属井40足够柔软，以在键合时，更易发生形变而被压溃并在硬质金属井40内扩散、形成软质焊料块30即可。具体软质焊料可以采用铟、锡等作为焊料的材质较软的金属。相应的，硬质金属井40应具有足够的硬度，以在键合时有足够的强度而不发生或者基本不发生形变，以容纳变形的软质焊料柱31。具体硬质金属井40可以采用铜、镍等材质较硬的金属。

考虑到在实际操作时，一般是将微发光二极管芯片20位于电路基板10上方，且第一电极和第二电极对合设计，然后对衬底50施加向下的压力，因此，作为优选的实施方案，是在微发光二极管芯片20的第一电极上形成软质焊料柱31，在电路基板10的第二电极上形成硬质金属井40，如图4至图7所示(图7中虚线箭头方向代表所施加压力的方向)。这样不仅有利于实际操作，而且有利于将压力传递给软质焊料柱31，使其更易在硬质金属井40内变形扩散并填充满整个硬质金属井40，实现第一电极和第二电极之间良好的电连接。

请进一步参考图1和图2、图5至图7，以垂直于电路基板的平面为截面，硬质金属井40的截面形状优选为梯形，且梯形的上底为硬质金属井40的开口。硬质金属井40采用此种结构，一方面有利于软质焊料柱31在进入后向四周延伸而填满整个硬质金属井40内的空间，另一方面能够更好地起到限位作用，防止衬底50相对于电路基板10的移位。

梯形的尺寸，或者说硬质金属井40的尺寸可以根据实际用于构成显示的微发光二极管芯片20的排布情况确定，而考虑到微发光二极管芯片20的排布情况一般取决于显示面板的像素要求，因此一般控制梯形的上底尺寸为5～30μm，下底尺寸为10～50μm。当然，下底尺寸大于上底尺寸。

优选的，梯形至少一条腰与下底之间的夹角为60～80度，这样在对衬底50施加压力时，利于被压溃的软质焊料柱31在硬质金属井内40向两个腰的方向延伸而将硬质金属井40的空间完全填满，实现微发光二极管芯片20与电路基板10的有效键合。

再进一步的优选的，前述梯形为等腰梯形，两个腰与下底之间的夹角均为60～80度，从而更有利于软质焊料柱31被压溃、形变所形成的软质焊料块30将硬质金属井40内的空间完全填满，也能确保硬质金属井40对软质焊料块30的限位作用。

上述结构的硬质金属井40可以采用半色调掩膜技术制备。如图8所示，以硬质金属井40形成在电路基板10上为例，可以首先在电路基板10上涂布正性光阻材料，形成正性光阻层11；然后对该正性光阻层11进行曝光和显影，半色调掩膜的透射区域所对应的正性光阻层11得以全部去除，半色调掩膜的半透射区域所对应的正性光阻层11部分保留，半色调掩膜的挡光区域(或称为完全不透射区域)所对应的正性光阻层11得以保留；随后采用电镀或其它手段，在电路基板10上的正性光阻层11的开口区域内形成硬质金属层41；最后再将正性光阻层11去除，得到形成于电路基板10上的硬质金属井40。当然上述结构的硬质金属井40可以采用其它现有技术制备。

请进一步参考图4、图6和图7，软质焊料柱31具有朝向硬质金属井40的顶端以及背离硬质金属井40的底端。可以理解，软质焊料柱31顶端的尺寸应小于硬质金属井40开口的尺寸，以方便软质焊料柱31顺利进入硬质金属井40内。

进一步的，软质焊料柱31顶端的尺寸优选小于底端的尺寸，以更进一步地方便软质焊料柱31插入到硬质金属井40内，而且在对衬底50施加压力时，即使衬底50与电路基板10之间的对位略有偏移，也能确保软质焊料柱31进入硬质金属井40内并在压力作用下填充硬质金属井40。比如自底端至顶端的方向，软质焊料柱31的横截面呈逐渐减小的趋势；或者说，软质焊料柱31的纵截面呈梯形，其中顶端对应梯形的上底，底端对应梯形的下底。上述结构的软质焊料柱31也可以采用半色调掩膜技术制得，其中所用的光阻材料(或称为光刻胶)负性光阻材料。当然软质焊料柱31也可以通过其它现有技术获得。

请进一步参考图4、图6和图7，软质焊料柱31包括朝向硬质金属井40的圆柱体311以及背离硬质金属井的圆台312，且圆柱体311与圆台312一体设置。可以理解，该圆柱体311的径向尺寸应小于硬质金属井40的开口，圆柱体311的高度最好大于硬质金属井40的深度，以确保软质焊料柱31能够充分进入到硬质金属井40内，有利于使所形成的软质焊料块40填充满整个硬质金属井40，确保第一电极与第二电极之间的有效电连接。

上述具有圆柱体311与圆台312结构的软质焊料柱31可以采用曝光和显影等手段获得。请参考图9，以软质焊料柱31形成在微发光二极管芯片20上为例，可以首先在衬底50上涂布负性光阻材料，形成负性光阻层51；然后对该负性光阻层51进行曝光和显影，从而在衬底50上形成梯形的开口；其次在梯形的开口内电镀金属焊料，并去除剩余的负性光阻层51，从而在衬底50上形成软质焊料柱31。当然具有圆柱体351与圆台352结构的软质焊料柱31也可以采用本领域常规技术手段获得。

本实施例中，可以采用激光剥离法，实现衬底50与微发光二极管芯片20之间的分离。当然，也可以采用其他方式实现衬底50与微发光二极管20之间的分离。

实施例二

本实施例提供一种微发光二极管器件及其制备方法，其是在实施例一的基础上加以改进，本实施例未述部分与前述实施例一的内容相同。

请进一步参考图1和图2，本实施例提供的微发光二极管器件，在相邻的软质焊料块30之间还设有硬质连接柱60；在相邻的硬质金属井40之间设有与硬质连接柱60对应的固化胶块70；硬质连接柱60插设在固化胶块70内并被固化胶块70所粘结。

通过设置相互配合的硬质连接柱60和固化胶块70，进一步增强了微发光二极管芯片20与电路基板10之间的结合力，避免了二者在键合过程中发生对位偏移等问题，从而提高了微发光二极管器件的品质。

请参考图10并结合图1和图2、图4至图7，本实施例提供的微发光二极管器件的制备方法，具体包括如下步骤：

S1'、在微发光二极管芯片20的第一电极上形成软质焊料柱31和硬质金属井40中之一，并在电路基板10的第二电极上形成软质焊料柱31和硬质金属井40中另一，该微发光二极管芯片20位于衬底50上；

在相邻的软质焊料柱31之间形成硬质连接柱60；在相邻的硬质金属井40之间形成与硬质连接柱60对应的待固化胶块71；

S2、移动衬底50，使软质焊料柱31对准硬质金属井40；

S3'、对衬底50施加压力，使软质焊料柱31插入硬质金属井40内并压溃填充硬质金属井40，硬质连接柱60插入待固化胶块71内；

对待固化胶块71实施固化处理，使待固化胶块71固化并粘结硬质连接柱60；

S4、将衬底50与微发光二极管10分离。

本实施例提供的微发光二极管器件的制备方法，通过在相邻软质焊料柱31之间形成硬质连接柱60，在相邻硬质金属井40之间形成待固化胶块71。在对衬底50施加压力时，软质焊料柱31插入硬质金属井40内并填充硬质金属井40，同时硬质连接柱60插入待固化胶块71内，因此能够起到防止衬底50与电路基板10对位偏移的效果；再对待固化胶块71实施固化处理，待固化胶块71发生固化而收缩，使得到的固化胶块70与硬质连接柱60之间具有更强的粘结力，同时也增强了微发光二极管芯片20与电路基板10之间的结合力，进一步提高了微发光二极管显示面板的可靠性。

具体的，上述硬质连接柱60应相对于待固化胶块71具有一定的硬度，以能够插入并挤压待固化胶块71。该硬质连接柱60的材质可以选择具有一定硬度的金属材料，比如可以是铜、镍等。相应的，待固化胶块71相对于硬质连接柱60应足够柔软，以能够确保硬质连接柱60能够插入并挤压该待固化胶块71，且待固化胶块71优选为绝缘。待固化胶块71的材质比如可以是光敏树脂或热敏树脂材料，以及适量的引发剂，尤其可以是光刻胶。在固化之前，待固化胶块71具有足够的柔软性以便于硬质连接柱60插入；而固化之后，待固化胶块71的树脂分子因交联固化而收缩，使得到的固化胶块70与硬质连接柱60之间具有较强的粘结力。

本实施例中，待固化胶块71的具体固化方式可根据所选择的树脂情况选择匹配的固化方式，比如可以是紫外光固化，或者也可以是热固化，其中热固化的温度不宜太高，以自然固化为佳。

请进一步参考图4、图6和图7并结合图1和图2，本实施例中，硬质连接柱60最好呈锥状，即硬质连接柱60朝向待固化胶块71的一端具有相对较小的尺寸，而背向待固化胶块71的一端具有相对较大的尺寸。呈锥状结构的硬质连接柱60，能够更易插入到待固化胶块71内，且不容易造成待固化胶块71因被挤压而发生较大的形变。

本实施例中硬质连接柱60可以采用光刻加电镀的工艺制备得到；待固化胶块71可以采用光刻工艺制得。当然硬质连接柱60以及待固化胶块71均可以采用本领域常规手段获得。

作为优选的实施方案，在微发光二极管芯片20的第一电极上形成软质焊料柱31，在衬底50上相邻的微发光二极管芯片20之间形成硬质连接柱60；在电路基板10的第二电极上形成硬质金属井40，在相邻的硬质金属井40之间形成待固化胶块71。这样不仅有利于实际操作，而且有利于将压力传递给软质焊料柱31，使其更易在硬质金属井40内扩散并填充满整个硬质金属井40，也有利于硬质连接柱60在压力下插入待固化胶块71内，实现第一电极和第二电极之间良好的电连接。

实施例三

本实施例提供一种显示面板及其制作方法，请参考图1至图9，该制作方法具体可包括如下步骤：

在衬底50上形成微发光二极管芯片20；

按照实施例一或实施例二中的转移方法，将微发光二极管芯片20转移到电路基板10上，形成用于构成显示的微发光二极管器件；

对微发光二极管器件进行封装，得到微发光二极管显示面板。

如前述，本实施例中衬底50的材质，包括但不限于蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底。本实施例对于微发光二极管芯片20的形成方式也不做特别限定，比如可以在C面蓝宝石衬底上通过外延生长而形成微发光二极管芯片20。

本实施例对于微发光二极管芯片20的结构也不做特别限定，比如目前典型的GaN基Micro LED芯片结构，包括位于衬底50上的n-GaN层、位于一部分n-GaN层上的n型电极、位于另一部分n-GaN层上的多量子阱有源层、位于多量子阱有源层上的p-GaN层、位于p-GaN层上的p型电极。

本实施例对于微发光二极管器件的封装方式不做特别限定，比如可采取物理沉积制程，完成保护层与上电极，从而完成封装，得到微发光二极管显示面板。

本实施例提供的显示面板的制作方法，由于包括前述实施例一或实施例二中的制备方法，形成用于构成显示的微发光二极管器件，因此也具有与实施例一或实施例二相同的优势，由于微发光二极管芯片20的第一电极与电路基板10上的第二电极之间形成了有效的键合及电连接，因此该微发光二极管显示面板的性能和良率都有明显提升。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一电极”和“第二电极”仅用于方便描述不同的电极，而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种微发光二极管器件，其特征在于，包括电路基板以及设置在所述电路基板上的微发光二极管芯片，其中所述微发光二极管芯片具有第一电极，所述第一电极上设有软质焊料块和硬质金属井中之一；所述电路基板具有第二电极，所述第二电极上设有软质焊料块和硬质金属井中另一，且所述软质焊料块填充在所述硬质金属井内；

以垂直于所述电路基板的平面为截面，所述硬质金属井的截面形状为梯形，且所述梯形的上底为硬质金属井的开口；

所述梯形的上底尺寸为5～30μm，下底尺寸为10～50μm，至少一条腰与下底之间的夹角为60～80度。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述软质焊料块设置在所述第一电极上，所述硬质金属井设置在所述第二电极上。

3.根据权利要求1或2所述的微发光二极管器件，其特征在于，在相邻的软质焊料块之间设有硬质连接柱；在相邻的硬质金属井之间设有与所述硬质连接柱对应的固化胶块；所述硬质连接柱插设在所述固化胶块内并被所述固化胶块所粘结。

4.一种微发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：

在微发光二极管芯片的第一电极上形成软质焊料柱和硬质金属井中之一，并在电路基板的第二电极上形成软质焊料柱和硬质金属井中另一，其中所述微发光二极管芯片位于衬底上；其中，以垂直于所述电路基板的平面为截面，所述硬质金属井的截面形状为梯形，且所述梯形的上底为硬质金属井的开口；所述梯形的上底尺寸为5～30μm，下底尺寸为10～50μm，至少一条腰与下底之间的夹角为60～80度；

移动所述衬底，使所述软质焊料柱对准所述硬质金属井；

对所述衬底施加压力，使所述软质焊料柱插入所述硬质金属井内并压溃填充所述硬质金属井；

将所述衬底与所述微发光二极管分离。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述微发光二极管芯片的第一电极上形成软质焊料柱，在所述电路基板的第二电极上形成硬质金属井。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，还包括：在相邻的软质焊料柱之间形成硬质连接柱；在相邻的硬质金属井之间形成与所述硬质连接柱对应的待固化胶块；

在对所述衬底施加压力时，所述硬质连接柱插入所述待固化胶块内；

对所述待固化胶块实施固化处理，使所述待固化胶块固化并粘结所述硬质连接柱。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的微发光二极管器件。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成微发光二极管芯片；

按照权利要求4-6任一项所述的制备方法，将所述微发光二极管芯片转移到电路基板上，形成用于构成显示的微发光二极管器件；

对所述微发光二极管器件进行封装，得到微发光二极管显示面板。

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