WO2024024192A1 - 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム - Google Patents

発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム Download PDF

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WO2024024192A1
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black
black transfer
light emitting
transfer layer
light
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怜司 塚尾
直樹 林
大樹 野田
一夢 渡部
俊紀 白岩
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デクセリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device such as an image display device or a lighting device using a light emitting element such as a micro LED (Light Emitting Diode), and a black transfer film used in the manufacturing method.
  • a light emitting device such as an image display device or a lighting device using a light emitting element such as a micro LED (Light Emitting Diode), and a black transfer film used in the manufacturing method.
  • micro-LED displays are expected to have favorable characteristics such as high brightness, low power consumption, high contrast, and long life, because micro-LEDs themselves emit light with high luminous efficiency and long life.
  • a red LED, a green LED, and a blue LED are provided on a display substrate at predetermined intervals, and in order to emit light spontaneously, a color filter is used to separate each color by a black matrix. In some cases, it is not used. In such a case, it is necessary to form a black matrix between the micro LEDs in order to prevent color mixture (Patent Documents 1 and 2).
  • a composition for forming a black transfer layer is applied to one entire surface of the display substrate before the micro LED is mounted, and a composition for forming a black transfer layer is applied to the non-black matrix area of the display substrate.
  • a method of removing a composition for forming a black transfer layer by etching or photolithography comprising: (b) aligning a black transfer film in which a black matrix is formed on a carrier film by screen printing to a display substrate before mounting micro LEDs; (c) A method for covering a display substrate on which micro LEDs are mounted with a cover glass on which a black matrix is formed; (d) A method for attaching and peeling off the carrier film; (d) A method for covering a display substrate on which micro LEDs are mounted with a cover glass on which a black matrix is formed; A method is known in which a black matrix ink composition is applied between LEDs by an inkjet method.
  • An object of the present invention is to reduce the time required to form a black matrix and to ensure sufficient positional accuracy of the black matrix when manufacturing light-emitting devices such as image display devices and lighting devices using micro-LEDs. It is an object of the present invention to enable the formation of a black matrix at a height sufficient to suppress color mixing of LEDs, and to provide sufficient alignment accuracy when mounting micro LEDs.
  • the present inventors have discovered that the above object can be solved by utilizing the laser lift-off method, which is known as one of the semiconductor device manufacturing techniques, and have completed the present invention.
  • a first aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device having a black matrix on at least a part of the periphery of a light emitting element arranged on a wiring board, the method comprising the following steps a, b and c. This is a manufacturing method having the following.
  • Step a A step in which a black transfer film, in which a black transfer layer is formed on one side of a light-transmissive base material, is opposed from the black transfer layer side to a wiring board before a light emitting element is arranged.
  • Step b Next, a step of transferring the individual pieces of the black transfer layer to the positions where the light emitting elements of the wiring board are to be placed by irradiating laser light from the light-transmitting substrate side of the black transfer film.
  • Step c By arranging and mounting the light emitting elements on individual pieces of the black transfer layer transferred to the wiring board, the black transfer layer is deformed to form a black matrix at least partially around the light emitting elements, and the wiring board The process of connecting a light emitting element to.
  • a second aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device having a black matrix on at least a part of the periphery of a light emitting element arranged on a wiring board, the method comprising the following steps A1a and A1b. This is the manufacturing method.
  • Step A1a A step in which a black transfer film, in which a black transfer layer is formed on one side of a light-transmissive base material, is opposed to a wiring board on which a light emitting element is arranged from the black transfer layer side.
  • Step A1b Next, a step of transferring individual pieces of the black transfer layer to at least a portion of the periphery of the light emitting elements of the wiring board by irradiating laser light from the light-transmitting substrate side of the black transfer film to form a black matrix.
  • a third aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device having a black matrix in at least a part of the periphery of a light emitting element arranged on a wiring board, comprising the following steps A2a, A2b and B. This is a manufacturing method having the following.
  • Step A2a A step in which a black transfer film, in which a black transfer layer is formed on one side of a light-transmissive base material, is opposed from the black transfer layer side to a wiring board before a light emitting element is arranged.
  • Step A2b Next, by irradiating laser light from the light-transmissive base material side of the black transfer film, the individual pieces of the black transfer layer are transferred to at least a portion of the periphery of the position where the light emitting element of the wiring board is to be placed. The process of forming a black matrix.
  • Process B A process of arranging light emitting elements between the black matrix transferred to the wiring board.
  • the light emitting element is preferably a micro LED.
  • a black transfer film one in which a black transfer layer is provided solidly on one side of a light-transmitting substrate can be used.
  • the black transfer film is such that each piece of the black transfer layer is attached to the light-emitting layer of the wiring board. It is provided on the light-transmissive base material so as to correspond to at least a portion of, preferably the entire periphery of, the position where the element is to be placed.
  • the black transfer layer of the black transfer film can contain conductive particles. By containing conductive particles, conductivity or anisotropic conductivity can be imparted to the black transfer layer.
  • a fourth aspect of the present invention is a black transfer film for forming a black matrix using a laser lift-off method, which is used in the first to third aspects of the present invention.
  • the fourth aspect of the present invention is a black transfer film having a light-transmitting base material and a black transfer layer formed on one side thereof.
  • This black transfer layer contains a black pigment and a thermosetting composition, the visible light transmittance of the black transfer layer according to JIS K7375 is less than 20%, and the tack force according to JIS Z0237 is 0.1 MPa or more.
  • the black transfer layer may be provided solidly on the light-transmitting substrate, but preferably it is provided in individual pieces on the light-transmitting substrate depending on the black matrix to be formed.
  • the black transfer layer of the black transfer film may contain conductive particles as described above, and the black transfer layer containing conductive particles can exhibit conductivity or anisotropic conductivity. Since such a black transfer layer can be preferably used to obtain conduction between electrodes, it is possible to form a black matrix and connect light emitting elements at the same time, simplifying the manufacturing process and reducing manufacturing costs. This makes it possible to reduce
  • a so-called laser lift-off method is used, so that no time is required to form the black matrix, and the positional accuracy of the black matrix is sufficient. It is possible to form a black matrix at a height sufficient to suppress color mixing of micro-LEDs, and to achieve sufficient alignment accuracy when mounting micro-LEDs.
  • FIG. 3 is a process explanatory diagram of the first aspect of the present invention.
  • FIG. 3 is a process explanatory diagram of the first aspect of the present invention.
  • FIG. 3 is a process explanatory diagram of the first aspect of the present invention.
  • FIG. 3 is a process explanatory diagram of the first aspect of the present invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 2nd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 2nd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 2nd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 2nd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 3rd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 3rd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 3rd aspect of this invention.
  • It is a process explanatory diagram of the 3rd aspect of this invention.
  • It is
  • a first aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device such as an image display device or a lighting device having a black matrix in at least a part of the periphery of a light emitting element disposed on a wiring board, the method comprising: , step b and step c.
  • Step a is a step in which the black transfer layer is faced to the wiring board in order to transfer the individual pieces of the black transfer layer to the wiring board, and specifically, as shown in FIG. 1A, light emitting elements are arranged.
  • This is a step in which a black transfer film 5, in which a black transfer layer 4 is formed on one side of a light-transmitting base material 3, is opposed to the wiring board 2 on which the wiring 1 is formed from the black transfer layer 4 side.
  • the black transfer layer 4 is formed in individual pieces on one side of the light-transmitting base material 3, but it may be formed solidly on one side of the light-transmitting base material 3.
  • known methods such as a screen printing method, an etching method, and an inkjet method can be employed.
  • Step b Subsequently, as shown in FIG. 1B, the individual pieces of the black transfer layer 4 are transferred to the wiring board 2 by irradiating the laser beam L from the light-transmitting base material 3 side of the black transfer film 5 using a laser lift-off method.
  • the light emitting element is transferred to the position where it is to be placed (that is, the position covering the wiring 1).
  • a laser lift-off device for carrying out the laser lift-off method a laser lift-off device (MT-30C200) can be used. Note that even when the black transfer layer 4 is provided solidly on the light-transmitting substrate 3, the black transfer layer can be transferred into individual pieces by the laser lift-off method.
  • Step c is a step of forming a black matrix and mounting the light emitting element by thermocompression bonding, reflow processing, etc.
  • the black transfer layer transferred to the wiring board 2 is 4, the light emitting elements 6 (R, G, B) are arranged from the electrode 6a side, and as shown in FIG. 1D, the black transfer layer is bonded using a bonding tool 7 or the like. This is the process of transforming 4. As a result, as shown in FIG.
  • a black matrix 8 which is a result of heat curing of the deformed black transfer layer 4, is formed around at least a portion of the periphery of the light emitting element 6, preferably the entire periphery, and a black matrix 8 is formed on the wiring board 2.
  • a light emitting device such as an image display device or a lighting device can be obtained.
  • an adhesive film a layer formed from a conductive adhesive film containing conductive particles or an anisotropic conductive adhesive film, or a low melting point metal such as solder (for example, solder paste) is used. It can be arranged through a layer formed from etc. This layer is preferably an adhesive layer containing conductive particles.
  • a second aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device such as an image display device or a lighting device having a black matrix in at least a part of the periphery of a light emitting element arranged on a wiring board, comprising the following step A1a. and step A1b.
  • a black matrix is also transferred to a wiring board on which light emitting elements are arranged using a laser lift-off method.
  • Step A1a In step A1a, as shown in FIG. 2A, light is applied to the wiring board 22 on which the wiring 21 is formed and the light emitting elements 26 (R, G, B) are arranged from the electrode side 26a.
  • a black transfer film 25 in which a black transfer layer 24 is formed on one side of a transparent base material 23 is faced from the black transfer layer 24 side.
  • an adhesive film a layer formed from a conductive adhesive film containing conductive particles or an anisotropic conductive adhesive film, or a low melting point metal such as solder (for example, solder paste) is used. It can be arranged through a layer formed from etc.
  • This layer is preferably a conductive adhesive layer 29 containing conductive particles.
  • Step A1b Next, as shown in FIG. 2B, the individual pieces of the black transfer layer 24 are transferred to the wiring board 22 by irradiating the laser beam L from the light-transmitting base material 23 side of the black transfer film 25 using a laser lift-off method.
  • the black matrix 28 is transferred onto at least a portion of the periphery of the light emitting element 26 and thermally cured as required.
  • a light emitting device such as an image display device or a lighting device in which the hardened black matrix 28 is formed at least partially, preferably all around the light emitting element 26. .
  • a third aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device such as an image display device or a lighting device having a black matrix on at least a part of the periphery of a light emitting element arranged on a wiring board, the method comprising the following step A2a. , step A2b and step B.
  • Step A2a In step A2, as shown in FIG. 3A, a black transfer film in which a black transfer layer 34 is formed on one side of a light-transmitting base material 33 is applied to a wiring board 32 on which wiring 31 is formed before a light emitting element is arranged. 35 is opposed from the black transfer layer 34 side.
  • Step A2b Next, using a laser lift-off method, as shown in FIG. 3B, a laser beam L is irradiated from the light-transmitting base material 33 side of the black transfer film 35, thereby forming the black transfer layer 34 as shown in FIG. 3C.
  • the individual pieces are transferred to at least a portion, preferably the entire periphery, of the wiring board 32 at the position where the light emitting element is to be arranged, and thermally cured as necessary to form the black matrix 38.
  • Step B is a step of mounting the light emitting element, and specifically, as shown in FIG. 3D, the light emitting element 36 is mounted between the black matrix 38 transferred to the wiring board 32 on which the light emitting element is not placed.
  • This is a step of arranging the electrodes from the electrode 36a side using a method.
  • a light-emitting device such as an image display device or a lighting device in which the black matrix 38 is formed at least partially, preferably all around the light-emitting element 36.
  • an adhesive film a layer formed from a conductive adhesive film containing conductive particles or an anisotropic conductive adhesive film, or a low melting point metal such as solder (for example, solder paste) is used. It can be arranged through a layer formed from etc.
  • This layer is preferably a conductive adhesive layer 39 containing conductive particles.
  • the light emitting element is not particularly limited, but is preferably a micro LED.
  • the size of the micro LED is preferably such that the maximum length when viewed from above is 3 to 100 ⁇ m.
  • black transfer film In addition, as a black transfer film, one in which a black transfer layer is provided solidly on one side of a light-transmitting base material (not shown) can be used, but the black transfer layer is provided as individual pieces on one side of a light-transmitting base material. Those provided can be preferably used (see FIGS. 1A, 2A, and 3A). By handling the black transfer layer as an individual piece, the black transfer layer can be easily provided at a designated location on the substrate, and productivity can be improved. In this case, the individual pieces of the black transfer layer are provided on the light-transmitting base material so as to correspond to at least a portion, preferably the entire circumference, of the position where the light emitting element of the wiring board is to be placed. . In the black transfer film having such a structure, the black transfer layer can be formed thick enough to suppress color mixing of the micro LEDs.
  • the thickness of the light-transmitting substrate constituting the black transfer film is preferably 0.5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, from the viewpoint of handling properties of the black transfer film.
  • the lower limit of the thickness of the black transfer layer may be the same as the particle diameter of the conductive particles, and is preferably 1.3 times or more the conductive particle diameter or 3 ⁇ m or more.
  • the upper limit is preferably at most twice the diameter of the conductive particles or at most 20 ⁇ m.
  • the black transfer film may be laminated with an adhesive layer or a pressure-sensitive adhesive layer that does not contain conductive particles, and the number of layers and the laminated surface can be appropriately selected depending on the object and purpose.
  • thermosetting composition as the thermosetting composition for the black transfer layer can be used.
  • Film thickness can be measured using a known micrometer or digital thickness gauge. The film thickness may be determined by measuring, for example, 10 or more points and averaging them.
  • the black transfer layer of the black transfer film is transferred to another substrate etc. by a laser lift-off method, and is thermally cured as necessary to form a black matrix. It is blackened by preferably containing 5 to 30 parts by mass of a black pigment such as carbon black or titanium black.
  • a black pigment such as carbon black or titanium black.
  • titanium black which has an extremely low content of impurity ions and is itself insulating, can be preferably used.
  • the average particle diameter of these black pigments is 10 to 100 nm. It is desirable that the average particle diameter of this black pigment is smaller than the average particle diameter of the conductive particles.
  • the black transfer layer preferably exhibits excellent cushioning properties (shock absorption properties) for stable adhesion to the substrate. As a result, it is possible to suppress the occurrence of defects such as displacement, deformation, breakage, and omission of the chip component, and improve the transfer rate of the chip component by laser beam irradiation.
  • cushioning properties can be evaluated by durometer A hardness and/or storage modulus, as described below.
  • the durometer A hardness of the black transfer layer is preferably 20 or more and 40 or less, more preferably 20 or more and 35 or less, particularly preferably 20 or more and 30 or less. If the durometer A hardness is too high, the black transfer layer will be too hard, and defects such as deformation and destruction of chip parts will tend to occur. If the durometer A hardness is too low, the black transfer layer will be too soft. There is a tendency for defects such as misalignment of chip components to occur more easily.
  • the durometer A hardness of the black transfer layer can be measured by rubber hardness (Japanese Industrial Standard JIS-A hardness) using durometer A in accordance with JIS K6253.
  • the storage modulus of the black transfer layer is preferably 60 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, particularly preferably 10 MPa or less. If the storage modulus is too high, the impact of the chip component ejected at high speed by laser irradiation cannot be absorbed, and the transfer rate of the chip component tends to decrease.
  • the storage modulus is determined by a dynamic viscoelasticity test using an indentation test device (temperature 30°C, frequency 200Hz, using a flat punch with a diameter of 100 ⁇ m, target indentation depth of 1 ⁇ m, frequency range of 1 to 200Hz swept). be able to.
  • the storage modulus (30° C.) of the black matrix formed by thermal curing of the black transfer layer measured in tensile mode according to JIS K7244 is preferably 100 MPa or more, more preferably 2000 MPa or more. If the storage modulus at a temperature of 30° C. is too low, good conductivity cannot be obtained and connection reliability tends to decrease. Note that the storage modulus at a temperature of 30°C is measured in accordance with JIS K7244 in tensile mode using a viscoelasticity tester (Rheovibron), for example, at a frequency of 11Hz and a heating rate of 3°C/min. Can be done.
  • a viscoelasticity tester Heovibron
  • thermosetting composition constituting the black transfer layer preferably contains a rubber component, a film-forming resin, a thermosetting resin, a thermosetting agent, and an inorganic filler. If necessary, other known additives may be included within a range that does not impair the effects of the invention.
  • the rubber component contained in the thermosetting composition is a component for imparting cushioning properties (shock absorption properties) to the black transfer layer, and is not particularly limited as long as it is an elastomer with good cushioning properties.
  • Examples include acrylic rubber, silicone rubber, butadiene rubber, polyurethane resin (polyurethane elastomer), and the like. Among these, one or more selected from acrylic rubber and silicone rubber is preferred.
  • the content of the rubber component is preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler. Parts or more and 10 parts by mass or less.
  • film-forming resin As the film-forming resin, from the viewpoint of film-forming property, various resins such as phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, polyimide resin, butyral resin, etc., preferably having a weight average molecular weight of about 10,000 or more and 80,000 or less are used. Examples include resins, and these may be used alone or in combination of two or more types. Among these, phenoxy resin is preferably used from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.
  • the content of the film-forming resin is preferably 20 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably 25 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler.
  • the content is preferably 35 parts by mass or more and 45 parts by mass or less, particularly preferably 35 parts by mass or more and 45 parts by mass or less.
  • thermosetting resin examples include epoxy compounds and (meth)acrylate compounds, with epoxy compounds being particularly preferred. These compounds may be monomers, oligomers, or polymers.
  • the content of the thermosetting resin is preferably 10 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably The amount is 20 parts by mass or more and 40 parts by mass or less, particularly preferably 25 parts by mass or more and 35 parts by mass or less.
  • Epoxy compounds that can be used as thermosetting resins are not particularly limited as long as they have one or more epoxy groups in the molecule; for example, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, etc. etc., or may be a urethane-modified epoxy resin.
  • high purity bisphenol A type epoxy resin can be preferably used.
  • the high purity bisphenol A type epoxy resin for example, the product name "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be mentioned.
  • the content of the epoxy compound is preferably 30 parts by mass based on a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler. parts to 60 parts by weight, more preferably 35 parts to 55 parts by weight, particularly preferably 35 parts to 45 parts by weight.
  • thermosetting agent is selected depending on the thermosetting resin.
  • a thermal anionic polymerization initiator or a thermal cationic polymerization initiator can be preferably selected.
  • a thermal cationic polymerization initiator that suppresses the curing reaction caused by light and can be rapidly cured by heat can be more preferably selected.
  • the content of the thermosetting agent can be determined depending on the type of thermosetting agent, the type of thermosetting resin, etc.
  • the content of the thermosetting agent is preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler. It is at least 8 parts by mass, particularly preferably at least 3 parts by mass and at most 6 parts by mass.
  • thermal cationic polymerization initiators that are preferably applicable to epoxy compounds are those that generate an acid capable of cationically polymerizing a cationically polymerizable compound by heat, and include known iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, ferrocenes, etc. can be used.
  • aromatic sulfonium salts which exhibit good latency with respect to temperature, can be preferably used.
  • the aromatic sulfonium salt-based polymerization initiator there may be mentioned, for example, the product name "Sanaid SI-60L" manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • the content of such a thermal cationic polymerization initiator is preferably 1 part by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler. , more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, particularly preferably 3 parts by mass or more and 8 parts by mass or less.
  • the inorganic filler in the thermosetting composition is used for the purpose of adjusting the durometer A hardness, the storage modulus at a frequency of 200 Hz, and the storage modulus after curing of the black transfer layer.
  • talc titanium oxide, calcium carbonate, magnesium oxide, silane coupling agents, diluent monomers, fillers, softeners, colorants, flame retardants, thixotropic agents, etc.
  • the inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more types.
  • the content of the inorganic filler is preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler. Parts by weight or more and 15 parts by weight or less, particularly preferably 8 parts by weight or more and 12 parts by weight or less.
  • the content of the rubber component is 2 parts by mass or more and 10 parts by mass or less based on the total of 100 parts by mass of the rubber component, film-forming resin, thermosetting resin, thermosetting agent, and inorganic filler
  • the inorganic By setting the filler content to 8 parts by mass or more and 12 parts by mass or less, desired durometer A hardness, storage modulus at a frequency of 200 Hz, and storage modulus after curing can be easily adjusted.
  • the black transfer layer can further contain conductive particles.
  • the black transfer layer and the black matrix derived therefrom can function as a conductive layer or an anisotropic conductive layer.
  • the conductive particles those used in known conductive films and anisotropic conductive films can be appropriately selected and used. Examples include metal particles such as nickel, copper, silver, gold, palladium, and solder, and metal-coated resin particles in which the surfaces of resin particles such as polyamide and polybenzoguanamine are coated with metals such as nickel and gold. This allows conduction even if the chip component is not provided with a connection site such as a solder bump.
  • the average particle diameter of the conductive particles is usually 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, and preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, more preferably 1.5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, from the viewpoint of capturing efficiency of the conductive particles in the connected structure. In order to apply it to a micro-sized electrode, it may be 1.5 ⁇ m or more and less than 2.5 ⁇ m.
  • the average particle diameter of the conductive particles can be measured using an image-type particle size distribution analyzer (for example, FPIA-3000, manufactured by Malvern Panalytical). Further, the particle surface density of the conductive particles in the black transfer layer can be determined depending on the electrode area of the chip component, etc.
  • the lower limit of the particle surface density is preferably 500 particles/mm 2 or more, and the upper limit is preferably 500 particles/mm 2 or more.
  • the number can be 200,000 pieces/mm 2 or less, more preferably 150,000 pieces/mm 2 or less, particularly preferably 120,000 pieces/mm 2 or less. Note that the size and number density of the conductive particles can be adjusted so as not to impair the effect of the black pigment.
  • the conductive particles are arranged individually and independently in the field of view of the film plane in the black transfer layer. In this case, it is preferable that 95% or more of the conductive particles are independent based on the number of conductive particles. Furthermore, it is preferable that the conductive particles are not only arranged individually but also regularly arranged. Particularly preferred is an arrangement in which the particle arrangement in each direction orthogonal to each other in the field of view of the film plane is periodically repeated. For example, lattice arrangements such as hexagonal lattice, rectangular lattice, orthorhombic lattice, square lattice, and other rectangular lattices can be mentioned.
  • it may be an arrangement in which particle rows in which conductive particles are lined up in a straight line at predetermined intervals are arranged in parallel at predetermined intervals. In this way, by regularly arranging the conductive particles in the field of view of the film surface, the surface density of the conductive particles can be made uniform, and the transfer rate of the chip component by laser light irradiation can be further improved.
  • thermosetting composition constituting the black transfer layer contains ultraviolet absorbing resins (benzene skeletons such as aromatic epoxy resins, phenoxy resins, aromatic polyimide resins, aromatic polysulfone resins, naphthalene resins, etc.) to improve laser lift-off properties. resin having a skeleton). These components may overlap with the rubber component, film-forming resin, and the like.
  • the fourth aspect of the present invention is a preferred aspect of the black transfer film used in the manufacturing methods of the first to third aspects described above.
  • a black transfer film for forming a black matrix using a laser lift-off method has a light-transmissive base material such as a polyethylene terephthalate film and a black transfer layer formed on one side thereof.
  • the black transfer layer contains a black pigment and a thermosetting composition.
  • the visible light transmittance of the black transfer layer according to JIS K7375 is less than 20%, preferably less than 10%, and the tack force of the black transfer layer according to JIS Z0237 is 0.1 MPa or more to ensure individual piece transferability. .
  • the cushioning properties of the black transfer layer are as described above.
  • the black transfer layer is preferably provided on the light-transmitting substrate in the form of individual pieces depending on the black matrix to be formed. Further, it is preferable that the black transfer layer contains conductive particles to impart conductivity or anisotropic conductivity to the black transfer film.
  • Transfer layer forming compositions (i), (ii), (iii), (iv) and (v) in Table 1 were mixed, the resulting mixture was applied to a light-transmitting substrate, and the mixture was heated at 60°C.
  • black transfer films (i), (ii), (iii) and (iv) of the present invention each having a 6 ⁇ m thick black transfer layer were obtained.
  • a white transfer film (v) having a white transfer layer was obtained from the transfer layer forming composition (v).
  • conductive particles (Micropearl AU, Sekisui Chemical Co., Ltd.) are arranged to have a particle density of 58,000 particles/mm 2 by the conductive particle regular arrangement process described in paragraphs 0111 to 0112 of Patent No. 6187665 and FIG. 1A.
  • anisotropic conductivity was imparted to each of the black transfer films (i), (ii), (iii) and the white transfer film (v) by transferring to a black transfer film or a white transfer film.
  • the black transfer film (iv) is an example in which conductive particles are not used.
  • black transfer films were created by transferring black transfer layers in individual pieces using the laser lift-off method using black transfer films (i), (ii), and (iii), respectively. This is an example.
  • Comparative Example 1 is an example in which a white transfer layer was transferred in individual pieces by a laser lift-off method using a white transfer film (v) to create a white matrix.
  • Comparative Examples 2 and 3 are examples in which a black transfer layer was applied over the entire surface by a laser lift-off method using black transfer films (i) and (iv).
  • ⁇ Film tack evaluation test> The film tack properties of the black transfer films of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were measured using a tack tester (TAC-II, Resca Co., Ltd.). The tack test was conducted under the following conditions: probe diameter ⁇ 5.1 mm, initial load 40 gf/cm 2 , pressurization time 1 sec, and test speed 2 mm/sec.
  • ⁇ Film light shielding evaluation test> In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 2 and 3, a black transfer film and in Comparative Example 1, a white transfer film were attached to a glass substrate of 5 x 5 cm and a thickness of 0.5 mm, respectively, and a transmittance measurement device (USPM-CS01 , Olympus Corporation) to measure the light transmittance and evaluate the film's light blocking properties.
  • the visible light transmittance was calculated from the average transmittance of 400 to 700 nm.
  • Laser excimer laser with oscillation wavelength of 248 nm
  • Laser pulse energy 600 J Fluence: 150J/ cm2
  • Pulse frequency 0.01kHz
  • Number of irradiation pulses 1 pulse per small piece of each transfer layer
  • Pulse energy of laser light irradiated to the interface between the black transfer layer and the light-transmitting base material to form an image 0.001 to 2 J Fluence: 0.001-2J/ cm2
  • Pulse frequency 0.1 to 10000Hz
  • Number of irradiation pulses 1 to 30,000,000 Pulses used
  • Mask So that the projection on the interface between the black transfer layer and the base glass becomes an array of laser beams of 30 ⁇ m vertically x 40 ⁇ m horizontally with a vertical pitch of 120 ⁇ m and a horizontal pitch of 160 ⁇ m.
  • the black anisotropic conductive transfer film was transferred into individual pieces, and it was possible to obtain a mounting body that had both conduction resistance and light blocking property as a black matrix property. Furthermore, the black matrix could be selectively formed only at necessary locations. This has provided benefits such as application to transparent displays and improved alignment of LED chips.
  • Example 1 when individual pieces were transferred in the same manner as in Example 1 using a black transfer film (iv) that did not contain conductive particles and did not exhibit anisotropic conductive properties, the conduction resistance tended to be high, but other Regarding the evaluation items, the results were almost the same as in Example 1.
  • Comparative Example 1 since a white transfer film was used, it was not suitable for creating a black matrix in the first place. In Comparative Examples 2 and 3, since the black transfer film was applied over the entire surface, it was necessary to further pattern the black transfer layer to create a black matrix.
  • Example 1-3 a black transfer film using conductive particles was used, but by changing the bump conditions of the micro LED to one that allows sufficient conduction without using conductive particles, the conductive particles Even if a black transfer film is not used, it can be expected to withstand practical use if it satisfies evaluations other than conduction performance.
  • the black transfer film is a thermosetting film, and can also be used as a conductive film for LEDs. With this technology, it is possible to shorten the process and reduce costs for connecting LEDs and forming a black matrix.

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Abstract

配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法は、（工程ａ）発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程、（工程ｂ）黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置に転写する工程、そして（工程ｃ）配線基板に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子を配置し、実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを形成すると共に配線基板に発光素子を接続する工程を有する。

Description

発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム
　本発明は、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を使用する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法、及びその製造方法に使用する黒色転写フィルムに関する。
　近年、マイクロＬＥＤディスプレイは、高発光効率且つ長寿命のマイクロＬＥＤ自体を発光させているため、高輝度、低消費電力、高コントラスト、長寿命という好ましい特性を有するディスプレイとなることが期待されている。このようなマイクロＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ基板上に、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ及び青色ＬＥＤが所定の間隔を空けて設けられており、しかも自発発光するため、ブラックマトリクスで色毎に区切られたカラーフィルタを用いない場合もある。このような場合には、混色防止を目的にマイクロＬＥＤ間にブラックマトリクスを形成する必要がある（特許文献１、２）。
　マイクロＬＥＤディスプレイにブラックマトリクスを形成する手法としては、（ａ）マイクロＬＥＤの実装前のディスプレイ基板の片全面に黒色転写層形成用組成物を塗布し、ディスプレイ基板の非ブラックマトリクス領域に塗布された黒色転写層形成用組成物をエッチング処理やフォトリソ処理により除去する方法、（ｂ）スクリーン印刷によりブラックマトリクスをキャリアフィルム上に形成した黒色転写フィルムを、マイクロＬＥＤの実装前のディスプレイ基板にアライメントして貼り付け、キャリアフィルムを引き剥がす方法、（ｃ）マイクロＬＥＤが実装されているディスプレイ基板に、ブラックマトリクスが形成されたカバーガラスを被せる方法、（ｄ）マイクロＬＥＤが実装されているディスプレイ基板のマイクロＬＥＤ間に、インクジェット法によりブラックマトリクス用インク組成物を塗布する方法、等が知られている。
特表２０２１－５０６１０８号公報 ＷＯ２０２１／０６０８３２Ａ１公報
　しかしながら、前記（ａ）の方法では、ブラックマトリクスの形成に時間を要し、前記（ｂ）、（ｃ）の方法では、ブラックマトリクスの位置精度が十分とはいえず、前記（ｄ）の方法では、マイクロＬＥＤの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスを形成することが困難であった。また、これらの方法に対しては、マイクロＬＥＤ実装の際に十分なアライメント精度を実現することが求められていた。
　本発明の目的は、マイクロＬＥＤを用いた画像表示装置や照明装置等の発光装置を製造する際に、ブラックマトリクスの形成に時間を要さず、ブラックマトリクスの位置精度を十分なものとし、マイクロＬＥＤの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスの形成を可能とし、しかもマイクロＬＥＤ実装の際のアライメント精度を十分なものとすることである。
　本発明者らは、半導体装置の製造技術の１つとして知られているレーザーリフトオフ法を利用することにより上述の目的を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
（第１の態様）
　即ち、本発明の第１の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程ａ、工程ｂ及び工程ｃを有する製造方法である。
（工程ａ）
　発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
（工程ｂ）
　次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置に転写する工程。
（工程ｃ）
　配線基板に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子を配置し、実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを形成すると共に配線基板に発光素子を接続する工程。
（第２の態様）
　また、本発明の第２の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ１ａと工程Ａ１ｂとを有する製造方法である。
（工程Ａ１ａ）
　発光素子が配置された配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
（工程Ａ１ｂ）
　次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程。
（第３の態様）
　また、本発明の第３の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ２ａ、工程Ａ２ｂ及び工程Ｂを有する製造方法である。
（工程Ａ２ａ）
　発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
（工程Ａ２ｂ）
　次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程。
（工程Ｂ）
　配線基板に転写されたブラックマトリクスの間に発光素子を配置する工程。
　以上の本発明の第１～第３の態様においては、発光素子は好ましくはマイクロＬＥＤである。黒色転写フィルムとしては、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられているものを使用できるが、好ましくは、黒色転写フィルムは、黒色転写層の個片が、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に対応して光透過性基材に設けられているものである。また、黒色転写フィルムの黒色転写層には、導電粒子を含有させることができる。導電粒子を含有させることにより、黒色転写層に導電性もしくは異方導電性を付与することができる。
（第４の態様）
　本発明の第４の態様は、本発明の第１～第３の態様で用いる、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムである。
　より具体的には、本発明の第４の態様は、光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有する黒色転写フィルムである。この黒色転写層は、黒色顔料と熱硬化性組成物とを含有し、黒色転写層のＪＩＳ　Ｋ７３７５による可視光透過率が２０％未満であり、ＪＩＳ　Ｚ０２３７によるタック力が０．１ＭＰａ以上である。この黒色転写フィルムにおいては、黒色転写層がベタで光透過性基材上に設けられていてもよいが、好ましくは形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられている。また、黒色転写フィルムの黒色転写層は、前述したように導電粒子を含有してもよく、導電粒子を含有した黒色転写層は導電性又は異方導電性を示すことができる。このような黒色転写層は、電極間の導通を得る場合に好ましく用いることができるため、ブラックマトリクスの形成と発光素子の接続とを同時に実現することができ、製造プロセスの簡略化や製造コストの低減を可能とする。
　本発明の画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法においては、いわゆるレーザーリフトオフ法を利用するので、ブラックマトリクスの形成に時間を要さず、ブラックマトリクスの位置精度を十分なものとし、マイクロＬＥＤの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスの形成を可能とし、しかもマイクロＬＥＤ実装の際のアライメント精度を十分なものとすることができる。
本発明の第１の態様の工程説明図である。 本発明の第１の態様の工程説明図である。 本発明の第１の態様の工程説明図である。 本発明の第１の態様の工程説明図である。 本発明の第１の態様の工程説明図である。 本発明の第２の態様の工程説明図である。 本発明の第２の態様の工程説明図である。 本発明の第２の態様の工程説明図である。 本発明の第３の態様の工程説明図である。 本発明の第３の態様の工程説明図である。 本発明の第３の態様の工程説明図である。 本発明の第３の態様の工程説明図である。 本発明の第３の態様の工程説明図である。
　以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
＜本発明の第１の態様＞
　本発明の第１の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程ａ、工程ｂ及び工程ｃを有する。
（工程ａ）
　工程ａは、黒色転写層の個片を配線基板に転写するために、黒色転写層を配線基板に対向させる工程であり、具体的には、図１Ａに示すように、発光素子が配置される前の、配線１が形成されている配線基板２に、光透過性基材３の片面に黒色転写層４が形成された黒色転写フィルム５を黒色転写層４側から対向させる工程である。なお、図１Ａでは、黒色転写層４は光透過性基材３の片面に個片状に形成されているが、光透過性基材３の片面にベタで形成されていてもよい。光透過性基材３の片面に黒色転写層４を個片状に設ける手法としては、スクリーン印刷法、エッチング法、インクジェット法などの公知の手法を採用することができる。
（工程ｂ）
　続いて、図１Ｂに示すように、レーザーリフトオフ法を利用し、黒色転写フィルム５の光透過性基材３側からレーザー光Ｌを照射することにより、黒色転写層４の個片を配線基板２の発光素子が配置されるべき位置（即ち、配線１を覆う位置）に転写する。レーザーリフトオフ法を実施するためのレーザーリフトオフ装置としては、レーザーリフトオフ装置（ＭＴ－３０Ｃ２００）を使用することができる。なお、黒色転写層４が光透過性基材３上にベタで設けられている場合でも、レーザーリフトオフ法により黒色転写層を個片状に転写することができる。
（工程ｃ）
　工程ｃは、ブラックマトリクスを形成すると共に発光素子を、熱圧着処理やリフロー処理等により実装する工程であり、具体的には、図１Ｃに示すように、配線基板２に転写された黒色転写層４の個片に対して、発光素子６（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をその電極６ａ側から配置し、図１Ｄに示すように、ボンディングツール７などを用いて熱圧着することにより、黒色転写層４を変形させる工程である。これにより、図１Ｅに示すように、発光素子６の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に、変形した黒色転写層４が熱硬化した結果物であるブラックマトリクス８を形成すると共に配線基板２に発光素子６を接続し、画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。発光素子６の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属（例えば、ソルダーペースト）等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した接着層であることが好ましい。
＜本発明の第２の態様＞
　本発明の第２の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ１ａと工程Ａ１ｂとを有する。この第２の態様も、発光素子が配置されている配線基板に、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを転写するものである。
（工程Ａ１ａ）
　工程Ａ１ａは、図２Ａに示すように、配線２１が形成されている配線基板２２に発光素子２６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）がその電極側２６ａから配置されている当該配線基板２２に対し、光透過性基材２３の片面に黒色転写層２４が形成された黒色転写フィルム２５を黒色転写層２４側から対向させる工程である。発光素子２６の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属（例えば、ソルダーペースト）等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した導電性接着層２９であることが好ましい。
（工程Ａ１ｂ）
　次に、図２Ｂに示すように、レーザーリフトオフ法を利用し、黒色転写フィルム２５の光透過性基材２３側からレーザー光Ｌを照射することにより、黒色転写層２４の個片を配線基板２２の発光素子２６の周囲の少なくとも一部に転写し、必要に応じて熱硬化させてブラックマトリクス２８を形成する。これにより、図２Ｃに示すように、発光素子２６の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に、硬化したブラックマトリクス２８が形成された画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。
＜本発明の第３の態様＞
　本発明の第３の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ２ａ、工程Ａ２ｂ及び工程Ｂを有する。
（工程Ａ２ａ）
　工程Ａ２は、図３Ａに示すように、発光素子が配置される前の配線３１が形成された配線基板３２に、光透過性基材３３の片面に黒色転写層３４が形成された黒色転写フィルム３５を黒色転写層３４側から対向させる工程である。
（工程Ａ２ｂ）
　次に、レーザーリフトオフ法を利用し、図３Ｂに示すように、黒色転写フィルム３５の光透過性基材３３側からレーザー光Ｌを照射することにより、図３Ｃに示すように、黒色転写層３４の個片を配線基板３２の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に転写し、必要に応じて熱硬化させてブラックマトリクス３８を形成する。
（工程Ｂ）
　工程Ｂは、発光素子の実装工程であり、具体的には、図３Ｄに示すように、発光素子が配置されていない配線基板３２に転写されたブラックマトリクス３８の間に発光素子３６を公知の手法によりその電極３６ａ側から配置する工程である。これにより、図３Ｅに示すように、発光素子３６の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲にブラックマトリクス３８が形成された画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。発光素子３６の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属（例えば、ソルダーペースト）等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した導電性接着層３９であることが好ましい。
（発光素子）
　以上の本発明の第１～第３の態様において、発光素子は特に限定されないが、好ましくはマイクロＬＥＤである。マイクロＬＥＤの大きさは、好ましくは、平面視した時の最大長が３～１００μｍとなる大きさである。
（黒色転写フィルム）
　また、黒色転写フィルムとしては、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられているもの（図示せず）を使用できるが、黒色転写層が個片として光透過性基材に設けられているものを好ましく使用することができる（図１Ａ、図２Ａ、図３Ａ参照）。黒色転写層を個片として扱うことにより、黒色転写層を基板の指定した箇所に容易に設けることができ、生産性向上を図ることができる。この場合、黒色転写層の個片は、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周に対応して光透過性基材に設けられているものである。このような構造の黒色転写フィルムにおいては、黒色転写層を、マイクロＬＥＤの混色を抑制できる程度に厚く形成することができる。
　黒色転写フィルムを構成する光透過性基材の厚みは、黒色転写フィルムのハンドリング性の観点から、好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。また、黒色転写層の厚みは、下限については、導電粒子の粒子径と同じであってもよく、好ましくは導電粒子径の１．３倍以上もしくは３μｍ以上である。また、上限については、好ましくは導電粒子径の２倍以下もしくは２０μｍ以下である。また、黒色転写フィルムは、導電粒子を含有していない接着剤層や粘着剤層を積層してもよく、その層数や積層面は、対象や目的に合わせて適宜選択することができる。また、接着剤層や粘着剤層の絶縁性樹脂としては、黒色転写層の熱硬化性組成物と同様のものを使用することができる。フィルム厚みは、公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージを用いて測定することができる。フィルム厚みは、例えば１０箇所以上を測定し、平均して求めればよい。
（黒色転写層）
　また、黒色転写フィルムの黒色転写層は、他の基板等にレーザーリフトオフ法により転写され、必要に応じて熱硬化処理されてブラックマトリクスを構成するものであり、絶縁性の熱硬化性組成物１００質量部に対し、カーボンブラックやチタンブラック等の黒色顔料を好ましくは５～３０質量部含有させることにより黒色化されたものである。中でも、不純物イオンの含有量が極めて低く、しかもそれ自体が絶縁性であるチタンブラックを好ましく使用することができる。これらの黒色顔料の平均粒子径は、１０～１００ｎｍである。この黒色顔料の平均粒子径は導電粒子の平均粒子径より小さいことが望ましい。
　黒色転写層は、基板への安定した貼り付け性のために優れたクッション性（衝撃吸収性）を示すことが好ましい。これにより、チップ部品のずれ、変形、破壊、抜けなどの不良の発生を抑制し、レーザー光の照射によるチップ部品の転写率を向上させることができる。このようなクッション性は、後述するように、デュロメータＡ硬度及び／又は貯蔵弾性率で評価することができる。
　黒色転写層のデュロメータＡ硬度は、好ましくは２０以上４０以下、より好ましくは２０以上３５以下、特に好ましくは２０以上３０以下である。デュロメータＡ硬度が高すぎる場合、黒色転写層が硬すぎて、チップ部品の変形、破壊などの不良が発生し易くなる傾向にあり、デュロメータＡ硬度が低すぎる場合、黒色転写層が柔らかすぎて、チップ部品のずれなどの不良が発生し易くなる傾向にある。黒色転写層のデュロメータＡ硬度は、ＪＩＳ　Ｋ６２５３に準拠し、デュロメータＡを用いてゴム硬度（日本工業規格ＪＩＳ－Ａ硬度）で測定することができる。
　黒色転写層の貯蔵弾性率は、好ましくは６０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは１０ＭＰａ以下である。貯蔵弾性率が高すぎる場合、レーザー照射で高速に弾き出されたチップ部品の衝撃を吸収できず、チップ部品の転写率が低下する傾向にある。貯蔵弾性率は、押し込み試験装置を用いた動的粘弾性試験（温度３０℃、周波数２００Ｈｚ、直径１００μｍのフラットパンチを使用、目標押し込み深さを１μｍ、周波数１～２００Ｈｚの範囲を掃引）により求めることができる。
　また、黒色転写層の熱硬化により形成されるブラックマトリクスについて、ＪＩＳ　Ｋ７２４４に準拠した引張モードで測定された貯蔵弾性率（３０℃）は、好ましくは１００ＭＰａ以上、より好ましくは２０００ＭＰａ以上である。温度３０℃における貯蔵弾性率が低すぎる場合、良好な導通性が得られず、接続信頼性も低下する傾向にある。なお、温度３０℃における貯蔵弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ７２４４に準拠し、粘弾性試験機（レオバイブロン）を用いた引張モードで、例えば、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎの測定条件で測定することができる。
　黒色転写層を構成する熱硬化性組成物は、好ましくは、ゴム成分と、膜形成樹脂と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、無機フィラーとを含有するものである。必要に応じて、発明の効果を損なわない範囲で公知の他の添加剤を含有することができる。
（ゴム成分）
　熱硬化性組成物が含有するゴム成分は、黒色転写層のクッション性（衝撃吸収性）を付与するための成分であり、クッション性の良好なエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。これらの中でも、アクリルゴム、シリコーンゴムから選択される１種以上であることが好ましい。ゴム成分の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上２０質量部以下、より好ましくは２質量部以上１０質量部以下である。
（膜形成樹脂）
　膜形成樹脂としては、膜形成性の観点から、好ましくは約１００００以上８００００以下の重量平均分子量のフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは２０質量部以上５０質量部以下、より好ましくは２５質量部以上４５質量部以下、特に好ましくは３５質量部以上４５質量部以下である。
（熱硬化性樹脂）
　熱硬化性樹脂としては、エポキシ化合物、（メタ）アクリレート化合物等を挙げることができ、特にエポキシ化合物が好ましい。これらの化合物はモノマー、オリゴマー、ポリマーであってもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１０質量部以上５０質量部以下、より好ましくは２０質量部以上４０質量部以下、特に好ましくは２５質量部以上３５質量部以下である。
　熱硬化性樹脂として使用できるエポキシ化合物としては、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。これらの中でも、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を好ましく用いることができる。高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例としては、例えば三菱ケミカル株式会社製の商品名「ＹＬ９８０」を挙げることができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ化合物を使用する場合、エポキシ化合物の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは３０質量部以上６０質量部以下、より好ましくは３５質量部以上５５質量部以下、特に好ましくは３５質量部以上４５質量部以下である。
（熱硬化剤）
　熱硬化剤は、熱硬化性樹脂に応じて選択され、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ化合物である場合には、熱アニオン重合開始剤又は熱カチオン重合開始剤を好ましく選択することができ、レーザー光による硬化反応を抑制し、熱により速硬化させることができる熱カチオン重合開始剤をより好ましく選択することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化剤の種類や熱硬化性樹脂の種類等に応じて決定することができる。熱硬化剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは２質量部以上８質量部以下、特に好ましくは３質量部以上６質量部以下である。
　なお、エポキシ化合物に好ましく適用可能な熱カチオン重合開始剤としては、熱によりカチオン重合型化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができる。これらの中でも、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。芳香族スルホニウム塩系の重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「サンエイドＳＩ－６０Ｌ」を挙げることができる。このような熱カチオン重合開始剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上１５質量部以下、より好ましくは１質量部以上１０質量部以下、特に好ましくは３質量部以上８質量部以下である。
(無機フィラー)
　熱硬化性組成物中の無機フィラーは、黒色転写層のデュロメータＡ硬度、周波数２００Ｈｚにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を調整する目的で用いられるものであり、黒色顔料以外の、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、シランカップリング剤、希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも２種類以上を併用してもよい。
　無機フィラーの含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上２０質量部以下、より好ましくは５質量部以上１５質量部以下、特に好ましくは８質量部以上１２質量部以下である。特に、ゴム成分の含有量が、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対して２質量部以上１０質量部以下である場合に、無機フィラーの含有量を８質量部以上１２質量部以下とすることにより、所望のデュロメータＡ硬度、周波数２００Ｈｚにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を容易に調整可能となる。
（導電粒子）
　また、黒色転写層は、更に、導電粒子を含有することができる。導電粒子を含有することにより、黒色転写層及びそれから誘導されるブラックマトリクスは、導電層もしくは異方性導電層として機能することができる。導電粒子としては、公知の導電フィルムや異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、半田などの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケル、金などの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。これにより、チップ部品に半田バンプなどの接続部位が設けられていない場合でも、導通が可能となる。例えば、本発明の第１の態様において、ブラックマトリクスを形成する際に同時に発光素子を配線基板に電気的に接続することが可能となる。
　導電粒子の平均粒子径は、通常１μｍ以上５０μｍ以下であり、接続構造体における導電粒子の捕捉効率の観点から、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以上１５μｍ以下である。微小サイズの電極に適用させるために、１．５μｍ以上２．５μｍ未満としてもよい。なお、導電粒子の平均粒子径は、画像型粒度分布計（例えば、ＦＰＩＡ－３０００、マルバーン・パナリティカル社製）により測定することができる。また、導電粒子の黒色転写層における粒子面密度は、チップ部品の電極面積などに応じて決定することができ、例えば、粒子面密度の下限は好ましくは５００個／ｍｍ２以上、上限は好ましくは２０００００個／ｍｍ２以下、より好ましくは１５００００個／ｍｍ２以下、特に好ましくは１２００００個／ｍｍ２以下とすることができる。なお、導電粒子の大きさと個数密度は、黒色顔料による効果を損なわないように調整することができる。
　また、導電粒子は、黒色転写層におけるフィルム面視野で個々に独立して配置されていることが好ましい。この場合、導電粒子の個数基準で９５％以上が独立していることが好ましい。更に、導電粒子は、個々に独立して配置されているだけでなく、規則的に配列されていることが好ましい。特に、フィルム面視野で互いに直交する方向のそれぞれの方向における粒子配置が周期的に繰り返される配置が好ましい。例えば、６方格子、長方格子、斜方格子、正方格子、その他の矩形格子等の格子配列を挙げることができる。また、導電粒子が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させた配列としてもよい。このように、フィルム面視野で導電粒子を規則配列させることにより、導電粒子面密度を均一にすることができ、レーザー光の照射によるチップ部品の転写率をさらに向上させることができる。
（紫外線吸収性樹脂）
　黒色転写層を構成する熱硬化性組成物は、レーザーリフトオフ性の向上のために紫外線吸収性樹脂（芳香族エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、芳香族ポリイミド樹脂、芳香族ポリスルフォン樹脂等のベンゼン骨格やナフタレン骨格を有する樹脂）を含有することができる。これらの成分は、ゴム成分や膜形成樹脂等と重複してもよい。
＜本発明の第４の態様＞
　本発明の第４の態様は、前述の第１～第３の態様の製造方法において用いられる黒色転写フィルムの好ましい態様である。具体的には、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有する。黒色転写層は、前述したように、黒色顔料と熱硬化性組成物とを含有する。黒色転写層のＪＩＳ　Ｋ７３７５による可視光透過率は２０％未満、好ましくは１０％未満であり、黒色転写層のＪＩＳ　Ｚ０２３７によるタック力は、個片転写性を確保するために０．１ＭＰａ以上である。また、黒色転写層のクッション性は、既に説明したとおりである。なお、黒色転写層は、形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられていることが好ましい。また、黒色転写層は、導電粒子を含有し、黒色転写フィルムに導電性もしくは異方導電性を付与することが好ましい。
　以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
＜黒色転写フィルムの作成＞
　表１の転写層形成用組成物(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)をそれぞれ混合し、得られた混合物を光透過性基材に塗布し、６０℃、３ｍｉｎの乾燥処理を施すことにより、６μｍ厚の黒色転写層を有する本発明の黒色転写フィルム(i)、(ii)、(iii)及び(iv)をそれぞれ得た。なお、転写層形成用組成物（v）からは、白色転写層を有する白色転写フィルム（v）を得た。
　その後、特許第６１８７６６５の段落０１１１～０１１２及び図１Ａに記載の導電粒子規則配列処理にて導電粒子（ミクロパールＡＵ、積水化学工業（株））を粒子密度５８０００個／ｍｍ２になるように規則配列させた後、黒色転写フィルム又は白色転写フィルムに転写することにより、黒色転写フィルム(i)、(ii)、(iii)及び白色転写フィルム(v)のそれぞれに異方導電性を付与した。黒色転写フィルム(iv)は、導電粒子を使用しない例である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　得られた黒色転写フィルム及び白色転写フィルムについて、ブラックマトリクスを作成するという観点から、材料組成別、フィルム仮固定方法別に以下の評価試験を実施し、評価結果を表２に示した。具体的には、実施例１、２及び３は、それぞれ黒色転写フィルム（i)、（ii）及び（iii）を用いてレーザーリフトオフ法で黒色転写層を個片で転写させてブラックマトリクスを作成した例である。比較例１は、白色転写フィルム（v)を用いてレーザーリフトオフ法で白色転写層を個片で転写させて白色マトリクスを作成した例である。比較例２、３は、黒色転写フィルム（i）及び（iv）を用いてレーザーリフトオフ法で黒色転写層を全面貼りした例である。
＜フィルムタック性評価試験＞
　実施例１～３、比較例１の黒色転写フィルムのフィルムタック性をタック試験機（ＴＡＣ－ＩＩ、株式会社レスカ）にて測定した。タック試験は、プローブ径Φ５．１ｍｍ、初期荷重４０ｇｆ／ｃｍ２、加圧時間１ｓｅｃ、テストスピード２ｍｍ／ｓｅｃという条件で行った。
（フィルムタック性評価）　
　判定　基準
　Ａ：０．４Ｍｐａ以上
　Ｂ：０．２Ｍｐａ以上０．４Ｍｐａ未満
　Ｃ：０．１Ｍｐａ以上０．２Ｍｐａ未満
　Ｄ（ＮＧ）：０．１Ｍｐａ未満
＜フィルム光遮断性評価試験＞
　実施例１～３、及び比較例２、３では、黒色転写フィルム、比較例１では白色転写フィルムを、それぞれ５×５ｃｍ、厚み０．５ｍｍのガラス基板に貼り、透過率測定装置（ＵＳＰＭ－ＣＳ０１、オリンパス株式会社）にて光透過率を測定し、フィルム光遮断性を評価した。可視光透過率は４００～７００ｎｍの平均透過率から算出した。
（フィルム光遮断性評価）
　判定　基準
　Ａ：１０％未満
　Ｂ：１０％以上１５％未満
　Ｃ：１５％以上２０％未満
　Ｄ（ＮＧ）：２０％以上
＜個片フィルム着弾性評価試験＞
　実施例１～３では黒色転写フィルムの黒色転写層の３０×４０μｍの個片を、比較例１では白色転写フィルムの白色転写層の３０×４０μｍの個片を、以下の条件のレーザーリフトオフ装置（ＭＴ－３０Ｃ２００）を用いて、１００μｍ離れた素ガラスに１０００回転写して着弾率を算出し、個片フィルム着弾性を評価した。
レーザー：発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー：　６００Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）：　１５０Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）：　３００００ピコ秒
パルス周波数：　０．０１ｋＨｚ
照射パルス数：　各転写層１小片につき１パルス
黒色転写層と光透過性基材との界面に照射し、結像するレーザー光のパルスエネルギー：　０．００１～２Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）：　０．００１～２Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）：　０．０１～１×１０９ピコ秒
パルス周波数：　０．１～１００００Ｈｚ
照射パルス数：　１～３０，０００，０００パルス
使用マスク：　黒色転写層と素ガラスとの境界面における投影が、縦１２０μｍピッチ及び横１６０μｍピッチで縦３０μｍ×横４０μｍのレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いた。
（個片フィルム着弾性評価）
　判定　基準
　Ａ：　９９．９％以上　　
　Ｂ：　９９．０％以上９９．９％未満
　Ｃ：　９０．０％以上９９．０％未満
　Ｄ（ＮＧ）：　９０．０％未満
＜黒色箇所面積占有率（％）＞
　比較例２、３の全面貼りフィルムの場合、ガラス基板全面にフィルムを貼付けたサンプルを用意した。実施例１～３及び比較例１の各個片フィルムの場合、ガラス基板に縦４００μｍ、横３００μｍピッチ間隔に１ピース着弾させたサンプルを用意した。ガラス基板に着弾した個片フィルムもしくは貼付けを行ったフィルムを金属顕微鏡で確認した。測定領域は１ｍｍ×１ｍｍの範囲で観察し、黒色になっている領域を確認した。
＜導通抵抗＞
　黒色転写フィルムが仮固定された被着体に評価用ＬＥＤチップを乗せて２００℃－１０Ｍｐａ－３０ｓｅｃにて圧着し実装体を得た。評価用ＬＥＤチップに２対の１０×１０μｍ電極を設け、基板側の導通配線を通して導通抵抗測定を実施した。計３０箇所測定を行い、平均導通抵抗を確認した。
（導通抵抗評価）
　判定　基準
　Ａ：　５０Ω以下
　Ｂ：　５０Ω超１００Ω以下
　Ｃ：　１００Ω超２００Ω以下
　Ｄ（ＮＧ）：　２００Ω超
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
＜結果の考察＞
　フィルムタック性は、個片フィルム着弾性に影響してくるが、一番タック性が低い実施例３でも、使用した黒色転写フィルム（iii）での実用上の問題は生じなかった。また、実施例１～３及び比較例２、３で用いた、カーボンブラックやチタンブラックが配合された黒色転写フィルムは、良好な光遮断性を示した。
　また、実施例１～３では、黒色異方導電性転写フィルムを個片転写しており、導通抵抗とブラックマトリクス特性としての光遮断性とを両立させた実装体を得ることができた。しかも、選択的に必要な箇所のみにブラックマトリクスを形成することができた。これにより透明ディスプレイへの応用や、ＬＥＤチップのアライメント性が良好になる等のメリットを得ることができた。
　なお、導電粒子を含有せず、異方性導電特性を示さない黒色転写フィルム（iv）を用いて、実施例１と同様に個片転写した場合、導通抵抗は高い傾向を示したが、他の評価項目については実施例１とほぼ同じ結果となった。
　一方、比較例１の場合、白色転写フィルムを使用したので、そもそもブラックマトリクスを作成するのに適さないものであった。比較例２、３の場合は、黒色転写フィルムを全面貼りしたので、ブラックマトリクスを作成するのに黒色転写層を更にパターニングする必要があった。
　以上の実施例１－３では、導電粒子を用いた黒色転写フィルムを用いたが、マイクロＬＥＤのバンプ条件が導電粒子を介さずとも十分に導通が得られるものに仕様変更することで、導電粒子を用いない黒色転写フィルムであっても、導通性能以外の評価を満足すれば実使用に耐えうるものになると期待できる。
　マイクロＬＥＤの混色を防止するためにはＬＥＤ間にブラックマトリクスの形成が必要となるが、ＬＣＤやＯＬＥＤと異なり、カラーフィルタを用いないためカラーフィルタ層にブラックマトリクスを設けることができないところ、本発明では、レーザーリフトオフ技術により簡便にブラックマトリクスを形成することができる。黒色転写フィルムは、熱硬化性フィルムであり、ＬＥＤの導電フィルムと兼用する事も可能である。この技術により、ＬＥＤの接続とブラックマトリクスの形成のプロセス短縮・コストダウンを図ることができる。
　１、２１、３１　配線
　２、２２、３２　配線基板
　３、２３、３３　光透過性基材
　４、２４、３４　黒色転写層
　５、２５、３５　黒色転写フィルム
　６、２６、３６　発光素子
　６ａ、２６ａ、３６ａ　発光素子の電極
　７　ボンディングツール
　８、２８、３８　ブラックマトリクス
　２９、３９　導電性接着層
Ｌ　レーザー光

Claims (14)

  1. 　配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程ａ、工程ｂ及び工程ｃ：
    （工程ａ）
    　発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程；
    （工程ｂ）
    　黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置に転写する工程；及び
    （工程ｃ）
    　配線基板に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子を配置し、実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを形成すると共に配線基板に発光素子を接続する工程
    を有する発光装置の製造方法。
  2. 　配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ１ａ及び工程Ａ１ｂ：
    （工程Ａ１ａ）
    　発光素子が配置された配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程；及び
    （工程Ａ１ｂ）
    　黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程
    を有する発光装置の製造方法。
  3. 　配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程Ａ２ａ、工程Ａ２ｂ及び工程Ｂ：
    （工程Ａ２ａ）
    　発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程；
    （工程Ａ２ｂ）
    　黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程；及び
    （工程Ｂ）
    　配線基板に転写されたブラックマトリクスの間に発光素子を配置する工程
    を有する発光装置の製造方法。
  4. 　発光素子がマイクロＬＥＤである請求項１～３のいずれかに記載の製造方法。
  5. 　黒色転写フィルムにおいて、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられている請求項１～３のいずれかに記載の製造方法。
  6. 　黒色転写フィルムにおいて、黒色転写層の個片が、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に対応して光透過性基材に設けられている請求項１～３のいずれかに記載の製造方法。
  7. 　黒色転写層に導電粒子が含有されており、黒色転写層が導電性を示す請求項１～３のいずれかに記載の製造方法。
  8. 　黒色転写層が、異方導電性を示す請求項７記載の製造方法。
  9. 　レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムであって、
    　光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有し、
    　黒色転写層は、黒色顔料と熱硬化性組成物とを含有し、黒色転写層のＪＩＳ　Ｋ７３７５による可視光透過率が２０％未満であり、ＪＩＳ　Ｚ０２３７によるタック力が０．１ＭＰａ以上である、黒色転写フィルム。
  10. 　黒色転写層のデュロメータＡ硬度が、２０以上４０以下である請求項９記載の黒色転写フィルム。
  11. 　黒色転写層の動的粘弾性試験（条件：温度３０℃、周波数２００Ｈｚ、直径１００μｍのフラットパンチを使用、目標押し込み深さを１μｍ、周波数１～２００Ｈｚの範囲を掃引）による貯蔵弾性率が、６０ＭＰａ以下である請求項９記載の黒色転写フィルム。
  12. 　黒色転写層が、形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられている請求項９記載の黒色転写フィルム。
  13. 　黒色転写層が、導電粒子を含有し、導電性を示す請求項９～１２のいずれかに記載の黒色転写フィルム。
  14. 　黒色転写層が、異方導電性を示す請求項１３記載の黒色転写フィルム。
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