JP2024017711A - 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム - Google Patents

発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム Download PDF

Info

Publication number
JP2024017711A
JP2024017711A JP2022120533A JP2022120533A JP2024017711A JP 2024017711 A JP2024017711 A JP 2024017711A JP 2022120533 A JP2022120533 A JP 2022120533A JP 2022120533 A JP2022120533 A JP 2022120533A JP 2024017711 A JP2024017711 A JP 2024017711A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
black
black transfer
transfer layer
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022120533A
Other languages
English (en)
Inventor
怜司 塚尾
Satoshi Tsukao
直樹 林
Naoki Hayashi
大樹 野田
Daiki Noda
一夢 渡部
Kazumu Watanabe
俊紀 白岩
Toshiki Shiraiwa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to JP2022120533A priority Critical patent/JP2024017711A/ja
Priority to PCT/JP2023/016379 priority patent/WO2024024192A1/ja
Publication of JP2024017711A publication Critical patent/JP2024017711A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスの形成を可能とし、しかもブラックマトリクス形成後のマイクロLED実装時のアライメント精度を十分なものとする。【解決手段】配線基板2に配置されている発光素子6の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクス8を有する発光装置の製造方法は、(工程a)配線基板2に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程、(工程b)黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射し、黒色転写層の個片を配線基板2の発光素子6が配置されるべき位置に転写する工程、そして(工程c)配線基板2に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子6を配置・実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子6の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクス8を形成すると共に配線基板2に発光素子6を接続する工程を有する。【選択図】図1E

Description

本発明は、マイクロLED(Light Emitting Diode)等の発光素子を使用する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法、及びその製造方法に使用する黒色転写フィルムに関する。
近年、マイクロLEDディスプレイは、高発光効率且つ長寿命のマイクロLED自体を発光させているため、高輝度、低消費電力、高コントラスト、長寿命という好ましい特性を有するディスプレイとなることが期待されている。このようなマイクロLEDディスプレイでは、ディスプレイ基板上に、赤色LED、緑色LED及び青色LEDが所定の間隔を空けて設けられており、しかも自発発光するため、ブラックマトリクスで色毎に区切られたカラーフィルタを用いない場合もある。このような場合には、混色防止を目的にマイクロLED間にブラックマトリクスを形成する必要がある(特許文献1、2)。
マイクロLEDディスプレイにブラックマトリクスを形成する手法としては、(a)マイクロLEDの実装前のディスプレイ基板の片全面に黒色転写層形成用組成物を塗布し、ディスプレイ基板の非ブラックマトリクス領域に塗布された黒色転写層形成用組成物をエッチング処理やフォトリソ処理により除去する方法、(b)スクリーン印刷によりブラックマトリクスをキャリアフィルム上に形成した黒色転写フィルムを、マイクロLEDの実装前のディスプレイ基板にアライメントして貼り付け、キャリアフィルムを引き剥がす方法、(c)マイクロLEDが実装されているディスプレイ基板に、ブラックマトリクスが形成されたカバーガラスを被せる方法、(d)マイクロLEDが実装されているディスプレイ基板のマイクロLED間に、インクジェット法によりブラックマトリクス用インク組成物を塗布する方法、等が知られている。
特表2021-506108号公報 WO2021/060832A1公報
しかしながら、前記(a)の方法では、ブラックマトリクスの形成に時間を要し、前記(b)、(c)の方法では、ブラックマトリクスの位置精度が十分とはいえず、前記(d)の方法では、マイクロLEDの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスを形成することが困難であった。また、これらの方法に対しては、マイクロLED実装の際に十分なアライメント精度を実現することが求められていた。
本発明の目的は、マイクロLEDを用いた画像表示装置や照明装置等の発光装置を製造する際に、ブラックマトリクスの形成に時間を要さず、ブラックマトリクスの位置精度を十分なものとし、マイクロLEDの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスの形成を可能とし、しかもマイクロLED実装の際のアライメント精度を十分なものとすることを目的とする。
本発明者らは、半導体装置の製造技術の1つとして知られているレーザーリフトオフ法を利用することにより上述の目的を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
(第1の態様)
即ち、本発明の第1の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程a、工程b及び工程cを有する製造方法である。
(工程a)
発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
(工程b)
次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置に転写する工程。
(工程c)
配線基板に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子を配置し、実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを形成すると共に配線基板に発光素子を接続する工程。
(第2の態様)
また、本発明の第2の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程A1aと工程A1bとを有する製造方法である。
(工程A1a)
発光素子が配置された配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
(工程A1b)
次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程。
(第3の態様)
また、本発明の第3の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程A2a、工程A2b及び工程Bを有する製造方法である。
(工程A2a)
発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程。
(工程A2b)
次に、黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程。
(工程B)
配線基板に転写されたブラックマトリクスの間に発光素子を配置する工程。
以上の本発明の第1~第3の態様においては、発光素子は好ましくはマイクロLEDである。黒色転写フィルムとしては、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられているものを使用できるが、好ましくは、黒色転写フィルムは、黒色転写層の個片が、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に対応して光透過性基材に設けられているものである。また、黒色転写フィルムの黒色転写層には、導電粒子を含有させることができる。導電粒子を含有させることにより、黒色転写層に導電性もしくは異方導電性を付与することができる。
(第4の態様)
本発明の第4の態様は、本発明の第1~第3の態様で用いる、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムである。
より具体的には、本発明の第4の態様は、光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有する黒色転写フィルムである。この黒色転写層は、黒色顔料と熱硬化性組成物とを含有し、黒色転写層のJIS K7375による可視光透過率が20%未満であり、JIS Z0237によるタック力が0.1MPa以上である。この黒色転写フィルムにおいては、黒色転写層がベタで光透過性基材上に設けられていてもよいが、好ましくは形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられている。また、黒色転写フィルムの黒色転写層は、前述したように導電粒子を含有してもよく、導電粒子を含有した黒色転写層は導電性又は異方導電性を示すことができる。このような黒色転写層は、電極間の導通を得る場合に好ましく用いることができるため、ブラックマトリクスの形成と発光素子の接続とを同時に実現することができ、製造プロセスの簡略化や製造コストの低減を可能とする。
本発明の画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法においては、いわゆるレーザーリフトオフ法を利用するので、ブラックマトリクスの形成に時間を要さず、ブラックマトリクスの位置精度を十分なものとし、マイクロLEDの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリクスの形成を可能とし、しかもマイクロLED実装の際のアライメント精度を十分なものとすることができる。
本発明の第1の態様の工程説明図である。 本発明の第1の態様の工程説明図である。 本発明の第1の態様の工程説明図である。 本発明の第1の態様の工程説明図である。 本発明の第1の態様の工程説明図である。 本発明の第2の態様の工程説明図である。 本発明の第2の態様の工程説明図である。 本発明の第2の態様の工程説明図である。 本発明の第3の態様の工程説明図である。 本発明の第3の態様の工程説明図である。 本発明の第3の態様の工程説明図である。 本発明の第3の態様の工程説明図である。 本発明の第3の態様の工程説明図である。
以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
<本発明の第1の態様>
本発明の第1の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程a、工程b及び工程cを有する。
(工程a)
工程aは、黒色転写層の個片を配線基板に転写するために、黒色転写層を配線基板に対向させる工程であり、具体的には、図1Aに示すように、発光素子が配置される前の、配線1が形成されている配線基板2に、光透過性基材3の片面に黒色転写層4が形成された黒色転写フィルム5を黒色転写層4側から対向させる工程である。なお、図1Aでは、黒色転写層4は光透過性基材3の片面に個片状に形成されているが、光透過性基材3の片面にベタで形成されていてもよい。光透過性基材3の片面に黒色転写層4を個片状に設ける手法としては、スクリーン印刷法、エッチング法、インクジェット法などの公知の手法を採用することができる。
(工程b)
続いて、図1Bに示すように、レーザーリフトオフ法を利用し、黒色転写フィルム5の光透過性基材3側からレーザー光Lを照射することにより、黒色転写層4の個片を配線基板2の発光素子が配置されるべき位置(即ち、配線1を覆う位置)に転写する。レーザーリフトオフ法を実施するためのレーザーリフトオフ装置としては、レーザーリフトオフ装置(MT-30C200)を使用することができる。なお、黒色転写層4が光透過性基材3上にベタで設けられている場合でも、レーザーリフトオフ法により黒色転写層を個片状に転写することができる。
(工程c)
工程cは、ブラックマトリクスを形成すると共に発光素子を、熱圧着処理やリフロー処理等により実装する工程であり、具体的には、図1Cに示すように、配線基板2に転写された黒色転写層4の個片に対して、発光素子6(R、G、B)をその電極6a側から配置し、図1Dに示すように、ボンディングツール7などを用いて熱圧着することにより、黒色転写層4を変形させる工程である。これにより、図1Eに示すように、発光素子6の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に、変形した黒色転写層4が熱硬化した結果物であるブラックマトリクス8を形成すると共に配線基板2に発光素子6を接続し、画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。発光素子6の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属(例えば、ソルダーペースト)等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した接着層であることが好ましい。
<本発明の第2の態様>
本発明の第2の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程A1aと工程A1bとを有する。この第2の態様も、発光素子が配置されている配線基板に、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを転写するものである。
(工程A1a)
工程A1aは、図2Aに示すように、配線21が形成されている配線基板22に発光素子26(R,G,B)がその電極側26aから配置されている当該配線基板22に対し、光透過性基材23の片面に黒色転写層24が形成された黒色転写フィルム25を黒色転写層24側から対向させる工程である。発光素子26の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属(例えば、ソルダーペースト)等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した導電性接着層29であることが好ましい。
(工程A1b)
次に、図2Bに示すように、レーザーリフトオフ法を利用し、黒色転写フィルム25の光透過性基材23側からレーザー光Lを照射することにより、黒色転写層24の個片を配線基板22の発光素子26の周囲の少なくとも一部に転写し、必要に応じて熱硬化させてブラックマトリクス28を形成する。これにより、図2Cに示すように、発光素子26の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に、硬化したブラックマトリクス28が形成された画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。
<本発明の第3の態様>
本発明の第3の態様は、配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する画像表示装置や照明装置等の発光装置の製造方法であって、以下の工程A2a、工程A2b及び工程Bを有する。
(工程A2a)
工程A2は、図3Aに示すように、発光素子が配置される前の配線31が形成された配線基板32に、光透過性基材33の片面に黒色転写層34が形成された黒色転写フィルム35を黒色転写層34側から対向させる工程である。
(工程A2b)
次に、レーザーリフトオフ法を利用し、図3Bに示すように、黒色転写フィルム35の光透過性基材33側からレーザー光Lを照射することにより、図3Cに示すように、黒色転写層34の個片を配線基板32の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲に転写し、必要に応じて熱硬化させてブラックマトリクス38を形成する。
(工程B)
工程Bは、発光素子の実装工程であり、具体的には、図3Dに示すように、発光素子が配置されていない配線基板32に転写されたブラックマトリクス38の間に発光素子36を公知の手法によりその電極36a側から配置する工程である。これにより、図3Eに示すように、発光素子36の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周囲にブラックマトリクス38が形成された画像表示装置や照明装置等の発光装置を得ることができる。発光素子36の配置の際、必要に応じ、接着フィルム、導電粒子を含有した導電性接着フィルムや異方性導電接着フィルムから形成される層、あるいはハンダなどの低融点金属(例えば、ソルダーペースト)等から形成される層を介して配置することができる。この層は導電粒子を含有した導電性接着層39であることが好ましい。
(発光素子)
以上の本発明の第1~第3の態様において、発光素子は特に限定されないが、好ましくはマイクロLEDである。マイクロLEDの大きさは、好ましくは、平面視した時の最大長が3~100μmとなる大きさである。
(黒色転写フィルム)
また、黒色転写フィルムとしては、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられているもの(図示せず)を使用できるが、黒色転写層が個片として光透過性基材に設けられているものを好ましく使用することができる(図1A、図2A、図3A参照)。黒色転写層を個片として扱うことにより、黒色転写層を基板の指定した箇所に容易に設けることができ、生産性向上を図ることができる。この場合、黒色転写層の個片は、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部、好ましくは全周に対応して光透過性基材に設けられているものである。このような構造の黒色転写フィルムにおいては、黒色転写層を、マイクロLEDの混色を抑制できる程度に厚く形成することができる。
黒色転写フィルムを構成する光透過性基材の厚みは、黒色転写フィルムのハンドリング性の観点から、好ましくは0.5μm以上10μm以下、より好ましくは1μm以上5μm以下である。また、黒色転写層の厚みは、下限については、導電粒子の粒子径と同じであってもよく、好ましくは導電粒子径の1.3倍以上もしくは3μm以上である。また、上限については、好ましくは導電粒子径の2倍以下もしくは20μm以下である。また、黒色転写フィルムは、導電粒子を含有していない接着剤層や粘着剤層を積層してもよく、その層数や積層面は、対象や目的に合わせて適宜選択することができる。また、接着剤層や粘着剤層の絶縁性樹脂としては、黒色転写層の熱硬化性樹脂組成物と同様のものを使用することができる。フィルム厚みは、公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージを用いて測定することができる。フィルム厚みは、例えば10箇所以上を測定し、平均して求めればよい。
(黒色転写層)
また、黒色転写フィルムの黒色転写層は、他の基板等にレーザーリフトオフ法により転写され、必要に応じて熱硬化処理されてブラックマトリクスを構成するものであり、絶縁性の熱硬化性樹脂組成物100質量部に対し、カーボンブラックやチタンブラック等のブラック顔料を好ましくは5~30質量部含有させたることにより黒色化されたものである。中でも、不純物イオンの含有量が極めて低く、しかもそれ自体が絶縁性であるチタンブラックを好ましく使用することができる。これらのブラック顔料の平均粒子径は、10~100nmである。このブラック顔料は導電粒子の平均粒子径より小さいことが望ましい。
黒色転写層は、基板への安定した貼り付け性のために優れたクッション性(衝撃吸収性)を示すことが好ましい。これにより、チップ部品のずれ、変形、破壊、抜けなどの不良の発生を抑制し、レーザー光の照射によるチップ部品の転写率を向上させることができる。このようなクッション性は、後述するように、デュロメータA硬度及び/又は貯蔵弾性率で評価することができる。
黒色転写層のデュロメータA硬度は、好ましくは20以上40以下、より好ましくは20以上35以下、特に好ましくは20以上30以下である。デュロメータA硬度が高すぎる場合、黒色転写層が硬すぎて、チップ部品の変形、破壊などの不良が発生し易くなる傾向にあり、デュロメータA硬度が低すぎる場合、黒色転写層が柔らかすぎて、チップ部品のずれなどの不良が発生し易くなる傾向にある。黒色転写層のデュロメータA硬度は、JIS K6253に準拠し、デュロメータAを用いてゴム硬度(日本工業規格JIS-A硬度)で測定することができる。
黒色転写層の貯蔵弾性率は、好ましくは60MPa以下、より好ましくは30MPa以下、特に好ましくは10MPa以下である。貯蔵弾性率が高すぎる場合、レーザー照射で高速に弾き出されたチップ部品の衝撃を吸収できず、チップ部品の転写率が低下する傾向にある。貯蔵弾性率は、押し込み試験装置を用いた動的粘弾性試験(温度30℃、周波数200Hz、直径100μmのフラットパンチを使用、目標押し込み深さを1μm、周波数1~200Hzの範囲を掃引)により求めることができる。
また、黒色転写層の熱硬化により形成されるブラックマトリクスについて、JIS K7244に準拠した引張モードで測定された貯蔵弾性率(30℃)は、好ましくは100MPa以上、より好ましくは2000MPa以上である。温度30℃における貯蔵弾性率が低すぎる場合、良好な導通性が得られず、接続信頼性も低下する傾向にある。なお、温度30℃における貯蔵弾性率は、JIS K7244に準拠し、粘弾性試験機(レオバイブロン)を用いた引張モードで、例えば、周波数11Hz、昇温速度3℃/minの測定条件で測定することができる。
黒色転写層を構成する熱硬化性樹脂組成物は、好ましくは、ゴム成分と、膜形成樹脂と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、無機フィラーとを含有するものである。必要に応じて、発明の効果を損なわない範囲で公知の他の添加剤を含有することができる。
(ゴム成分)
熱硬化性樹脂組成物が含有するゴム成分は、黒色転写層のクッション性(衝撃吸収性)を付与するための成分であり、クッション性の良好なエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂(ポリウレタン系エラストマー)などを挙げることができる。これらの中でも、アクリルゴム、シリコーンゴムから選択される1種以上であることが好ましい。ゴム成分の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは1質量部以上20質量部以下、より好ましくは2質量部以上10質量部以下である。
(膜形成樹脂)
膜形成樹脂としては、膜形成性の観点から、好ましくは約10000以上80000以下の重量平均分子量のフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは20質量部以上50質量部以下、より好ましくは25質量部以上45質量部以下、さらに好ましくは35質量部以上45質量部以下である。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂としては、エポキシ化合物、(メタ)アクリレート化合物等を挙げることができ、特にエポキシ化合物が好ましい。これらの化合物はモノマー、オリゴマー、ポリマーであってもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは10質量部以上50質量部以下、より好ましくは20質量部以上40質量部以下、さらに好ましくは25質量部以上35質量部以下である。
熱硬化性樹脂として使用できるエポキシ化合物としては、分子内に1つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。これらの中でも、高純度ビスフェノールA型エポキシ樹脂を好ましく用いることができる。高純度ビスフェノールA型エポキシ樹脂の具体例としては、例えば三菱ケミカル社製の商品名「YL980」を挙げることができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ化合物を使用する場合、エポキシ化合物の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは30質量部以上60質量部以下、より好ましくは35質量部以上55質量部以下、さらに好ましくは35質量部以上45質量部以下である。
(熱硬化剤)
熱硬化剤は、熱硬化性樹脂に応じて選択され、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ化合物である場合には、熱アニオン重合開始剤又は熱カチオン重合開始剤を好ましく選択することができ、レーザー光による硬化反応を抑制し、熱により速硬化させることができる熱カチオン重合開始剤をより好ましく選択することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化剤の種類や熱硬化性樹脂の種類等に応じて決定することができる。熱硬化剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは1質量部以上10質量部以下、より好ましくは2質量部以上8質量部以下、さらに好ましくは3質量部以上6質量部以下である。
なお、エポキシ化合物に好ましく適用可能な熱カチオン重合開始剤としては、熱によりカチオン重合型化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができる。これらの中でも、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。芳香族スルホニウム塩系の重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「サンエイドSI-60L」を挙げることができる。このような熱カチオン重合開始剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは1質量部以上15質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下、さらに好ましくは3質量部以上8質量部以下である。
(無機フィラー)
熱硬化性樹脂組成物中の無機フィラーは、黒色転写層のデュロメータA硬度、周波数200Hzにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を調整する目的で用いられるものであり、ブラック顔料以外の、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、シランカップリング剤、希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも2種類以上を併用してもよい。
無機フィラーの含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対し、好ましくは1質量部以上20質量部以下、より好ましくは5質量部以上15質量部以下、さらに好ましくは8質量部以上12質量部以下である。特に、ゴム成分の含有量が、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計100質量部に対して2質量部以上10質量部以下である場合に、無機フィラーの含有量を8質量部以上12質量部以下とすることにより、所望のデュロメータA硬度、周波数200Hzにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を容易に実現可能となる。
(導電粒子)
また、黒色転写層は、更に、導電粒子を含有することができる。導電粒子を含有することにより、黒色転写層及びそれから誘導されるブラックマトリクスは、導電層もしくは異方性導電層として機能することができる。導電粒子としては、公知の導電フィルムや異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、半田などの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケル、金などの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。これにより、チップ部品に半田バンプなどの接続部位が設けられていない場合でも、導通が可能となる。例えば、本発明の第1の態様において、ブラックマトリクスを形成する際に同時に発光素子を配線基板に電気的に接続することが可能となる。
導電粒子の平均粒子径は、通常1μm以上50μm以下であり、接続構造体における導電粒子の捕捉効率の観点から、好ましくは1μm以上20μm以下、より好ましくは1.5μm以上15μm以下である。微小サイズの電極に適用させるために、1.5μm以上2.5μm未満としてもよい。なお、導電粒子の平均粒子径は、画像型粒度分布計(例えば、FPIA-3000、マルバーン・パナリティカル社製)により測定することができる。また、導電粒子の黒色転写層における粒子面密度は、チップ部品の電極面積などに応じて決定することができ、例えば、粒子面密度の下限は好ましくは500個/mm以上、上限は好ましくは200000個/mm以下、より好ましくは150000個/mm以下、特に好ましくは120000個/mm以下とすることができる。なお、導電粒子の大きさと個数密度は、黒色顔料による効果を損なわないように調整することができる。
また、導電粒子は、黒色転写層におけるフィルム面視野で個々に独立して配置されていることが好ましい。この場合、導電粒子の個数基準で95%以上が独立していることが好ましい。更に、導電粒子は、個々に独立して配置されているだけでなく、規則的に配列されていることが好ましい。特に、フィルム面視野で互いに直交する方向のそれぞれの方向における粒子配置が周期的に繰り返される配置が好ましい。例えば、6方格子、長方格子、斜方格子、正方格子、その他の矩形格子等の格子配列を挙げることができる。また、導電粒子が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させた配列としてもよい。このように、フィルム面視野で導電粒子を規則配列させることにより、導電粒子面密度を均一にすることができ、レーザー光の照射によるチップ部品の転写率をさらに向上させることができる。
(紫外線吸収性樹脂)
黒色転写層を構成する熱硬化性樹脂組成物は、レーザーリフトオフ性の向上のために紫外線吸収性樹脂(芳香族エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、芳香族ポリイミド樹脂、芳香族ポリスルフォン樹脂等のベンゼン骨格やナフタレン骨格を有する樹脂)を含有することができる。これらの成分は、ゴム成分や膜形成樹脂等と重複してもよい。
<本発明の第4の態様>
本発明の第4の態様は、前述の第1~第3の態様の製造方法において用いられる黒色転写フィルムの好ましい態様である。具体的には、レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有する。黒色転写層は、前述したように、黒色顔料と熱硬化性樹脂組成物とを含有する。黒色転写層のJIS K7375による可視光透過率は20%未満、好ましくは10%未満であり、黒色転写層のJIS Z0237によるタック力は、個片転写性を確保するために0.1MPa以上である。また、黒色転写層のクッション性は、既に説明したとおりである。なお、黒色転写層は、形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられていることが好ましい。また、黒色転写層は、導電粒子を含有し、黒色転写フィルムに導電性もしくは異方導電性を付与することが好ましい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
<黒色転写フィルムの作成>
表1の転写層形成用樹脂組成物(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)をそれぞれ混合し、得られた混合物を光透過性基材に塗布し、60℃、3minの乾燥処理を施すことにより、6μm厚の黒色転写層を有する本発明の黒色転写フィルム(i)、(ii)、(iii)及び(iv)をそれぞれ得た。なお、転写層形成用樹脂組成物(v)からは、白色転写層を有する白色転写フィルム(v)を得た。
その後、特許第6187665の段落0111~0112及び図1Aに記載の導電粒子規則配列処理にて導電粒子(ミクロパールAU、積水化学工業(株))を粒子密度58000個/mmになるように規則配列させた後、黒色転写フィルム又は白色転写フィルムに転写することにより、黒色転写フィルム(i)、(ii)、(iii)及び白色転写フィルム(v)のそれぞれに異方導電性を付与した。黒色転写フィルム(iv)は、導電粒子を使用しない例である。
Figure 2024017711000002
得られた黒色転写フィルム及び白色転写フィルムについて、ブラックマトリクスを作成するという観点から、材料組成別、フィルム仮固定方法別に以下の評価試験を実施し、評価結果を表2に示した。具体的には、実施例1、2及び3は、それぞれ黒色転写フィルム(i)、(ii)及び(iii)を用いてレーザーリフトオフ法で黒色転写層を個片で転写させてブラックマトリクスを作成した例である。比較例1は、白色転写フィルム(v)を用いてレーザーリフトオフ法で白色転写層を個片で転写させて白色マトリクスを作成した例である。比較例2、3は、黒色転写フィルム(i)及び(iv)を用いてレーザーリフトオフ法で黒色転写層を全面貼りした例である。
<フィルムタック性評価試験>
実施例1~3、比較例1の黒色転写フィルムのフィルムタック性をタック試験機(TAC-II、株式会社レスカ)にて測定した。タック試験は、プローブ径Φ5.1mm、初期荷重40gf/cm、加圧時間1sec、テストスピード2mm/secという条件で行った。
(フィルムタック性評価)
判定 基準
A:0.4Mpa以上
B:0.2Mpa以上0.4Mpa未満
C:0.1Mpa以上0.2Mpa未満
D(NG):0.1Mpa未満
<フィルム光遮断性評価試験>
実施例1~3、及び比較例2、3では、黒色転写フィルム、比較例1では白色転写フィルムを、それぞれ5×5cm、厚み0.5mmのガラス基板に貼り、透過率測定装置(USPM-CS01、オリンパス株式会社)にて光透過率を測定し、フィルム光遮断性を評価した。可視光透過率は400~700nmの平均透過率から算出した。
(フィルム光遮断性評価)
判定 基準
A:10%未満
B:10%以上15%未満
C:15%以上20%未満
D(NG):20%以上
<個片フィルム着弾性評価試験>
実施例1~3では黒色転写フィルムの黒色転写層の30×40μmの個片を、比較例1では白色転写フィルムの白色転写層の30×40μmの個片を、以下の条件のレーザーリフトオフ装置(MT-30C200)を用いて、100μm離れた素ガラスに1000回転写して着弾率を算出し、個片フィルム着弾性を評価した。
レーザー:発振波長248nmのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー: 600J
フルーエンス(fluence): 150J/cm
パルス幅(照射時間): 30000ピコ秒
パルス周波数: 0.01kHz
照射パルス数: 各ACF1小片につき1パルス
黒色転写層と光透過性基材との界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギー: 0.001~2J
フルーエンス(fluence): 0.001~2J/cm
パルス幅(照射時間): 0.01~1×10ピコ秒
パルス周波数: 0.1~10000Hz
照射パルス数: 1~30,000,000。
使用マスク: 黒色転写層と素ガラスとの境界面における投影が、縦120μmピッチ及び横160μmピッチで縦30μm×横40μmのレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いた。
(個片フィルム着弾性評価)
判定 基準
A: 99.9%以上
B: 99.0%以上99.9%未満
C: 90.0%以上99.0%未満
D(NG): 90.0%未満
<黒色箇所面積占有率(%)>
比較例2、3の全面貼りフィルムの場合、ガラス基板全面にフィルムを貼付けたサンプルを用意した。実施例1~3及び比較例1の各個片フィルムの場合、ガラス基板に縦400μm、横300μmピッチ間隔に1ピース着弾させたサンプルを用意した。ガラス基板に着弾した個片フィルムもしくは貼付けを行ったフィルムを金属顕微鏡で確認した。測定領域は1mm×1mmの範囲で観察し、黒色になっている領域を確認した。
<導通抵抗>
黒色転写フィルムが仮固定された被着体に評価用LEDチップを乗せて200℃-10Mpa-30secにて圧着し実装体を得た。評価用LEDチップに2対の10×10μm電極を設け、基板側の導通配線を通して導通抵抗測定を実施した。計30箇所測定を行い、平均導通抵抗を確認した。
(導通抵抗評価)
判定 基準
A: 50Ω以下
B: 50Ω超100Ω以下
C: 100Ω超200Ω以下
D(NG): 200Ω超
Figure 2024017711000003
<結果の考察>
フィルムタック性は、個片フィルム着弾性に影響してくるが、一番タック性が低い実施例3でも、使用した黒色転写フィルム(iii)での実用上の問題は生じなかった。また、実施例1~3及び比較例2、3で用いた、カーボンブラックやチタンブラックが配合された黒色転写フィルムは、良好な光遮断性を示した。
また、実施例1~3では、黒色異方導電性転写フィルムを個片転写しており、導通抵抗とブラックマトリクス特性としての光遮断性とを両立させた実装体を得ることができた。しかも、選択的に必要な箇所のみにブラックマトリクスを形成することができた。これにより透明ディスプレイへの応用や、LEDチップのアライメント性が良好になる等のメリットを得ることができた。
なお、導電粒子を含有せず、異方性導電特性を示さない黒色転写フィルム(iv)を用いて、実施例1と同様に個片転写した場合、導通抵抗は高い傾向を示したが、他の評価項目については実施例1とほぼ同じ結果となった。
一方、比較例1の場合、白色転写フィルムを使用したので、そもそもブラックマトリクスを作成するのに適さないものであった。比較例2、3の場合は、黒色転写フィルムを全面貼りしたので、ブラックマトリクスを作成するのに黒色転写層を更にパターニングする必要があった。
以上の実施例1-3、比較例1では、導電粒子を用いた黒色転写フィルムを用いたが、マイクロLEDのバンプ条件が導電粒子を介さずとも十分に導通が得られるものに仕様変更することで、導電粒子を用いない黒色転写フィルムであっても、導通性能以外の評価を満足すれば実使用に耐えうるものになると期待できる。
マイクロLEDの混色を防止するためにはLED間にブラックマトリクスの形成が必要となるが、LCDやOLEDと異なり、カラーフィルタを用いないためカラーフィルタ層にブラックマトリクスを設けることができないところ、本発明では、レーザーリフトオフ技術により簡便にブラックマトリクスを形成することができる。黒色転写フィルムは、熱硬化性フィルムであり、LEDの導電フィルムと兼用する事も可能である。この技術により、LEDの接続とブラックマトリクスの形成のプロセス短縮・コストダウンを図ることができる。
1、21、31 配線
2、22、32 配線基板
3、23、33 光透過性基材
4、24、34 黒色転写層
5、25、35 黒色転写フィルム
6、26、36 発光素子
6a、26a、36a 発光素子の電極
7 ボンディングツール
8、28、38 ブラックマトリクス
29、39 導電性接着層
L レーザー光

Claims (14)

  1. 配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程a、工程b及び工程c:
    (工程a)
    発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程;
    (工程b)
    黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置に転写する工程;及び
    (工程c)
    配線基板に転写された黒色転写層の個片に対して発光素子を配置し、実装することにより、黒色転写層を変形させて発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを形成すると共に配線基板に発光素子を接続する工程;
    を有する発光装置の製造方法。
  2. 配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程A1a及び工程A1b:
    (工程A1a)
    発光素子が配置された配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程;及び
    (工程A1b)
    黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程;
    を有する発光装置の製造方法。
  3. 配線基板に配置されている発光素子の周囲の少なくとも一部にブラックマトリクスを有する発光装置の製造方法であって、以下の工程A2a、工程A2b及び工程B:
    (工程A2a)
    発光素子が配置される前の配線基板に、光透過性基材の片面に黒色転写層が形成された黒色転写フィルムを黒色転写層側から対向させる工程;
    (工程A2b)
    黒色転写フィルムの光透過性基材側からレーザー光を照射することにより、黒色転写層の個片を配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に転写してブラックマトリクスを形成する工程;及び
    (工程B)
    配線基板に転写されたブラックマトリクスの間に発光素子を配置する工程;
    を有する発光装置の製造方法。
  4. 発光素子がマイクロLEDである請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。
  5. 黒色転写フィルムにおいて、黒色転写層が光透過性基材の片面にベタで設けられている請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。
  6. 黒色転写フィルムにおいて、黒色転写層の個片が、配線基板の発光素子が配置されるべき位置の周囲の少なくとも一部に対応して光透過性基材に設けられている請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。
  7. 黒色転写層に導電粒子が含有されており、黒色転写層が導電性を示す請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。
  8. 黒色転写層が、異方導電性を示す請求項7記載の製造方法。
  9. レーザーリフトオフ法を利用してブラックマトリクスを形成するための黒色転写フィルムであって、
    光透過性基材と、その片面に形成された黒色転写層とを有し、
    黒色転写層は、黒色顔料と熱硬化性組成物とを含有し、黒色転写層のJIS K7375による可視光透過率が20%未満であり、JIS Z0237によるタック力が0.1MPa以上である、黒色転写フィルム。
  10. 黒色転写層のデュロメータA硬度が、20以上40以下である請求項9記載の黒色転写フィルム。
  11. 黒色転写層の動的粘弾性試験(条件:温度30℃、周波数200Hz、直径100μmのフラットパンチを使用、目標押し込み深さを1μm、周波数1~200Hzの範囲を掃引)による貯蔵弾性率が、60MPa以下である請求項9記載の黒色転写フィルム。
  12. 黒色転写層が、形成すべきブラックマトリクスに応じて個片状に光透過性基材上に設けられている請求項9記載の黒色転写フィルム。
  13. 黒色転写層が、導電粒子を含有し、導電性を示す請求項9~12のいずれかに記載の黒色転写フィルム。
  14. 黒色転写層が、異方導電性を示す請求項13記載の黒色転写フィルム。
JP2022120533A 2022-07-28 2022-07-28 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム Pending JP2024017711A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022120533A JP2024017711A (ja) 2022-07-28 2022-07-28 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム
PCT/JP2023/016379 WO2024024192A1 (ja) 2022-07-28 2023-04-26 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022120533A JP2024017711A (ja) 2022-07-28 2022-07-28 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024017711A true JP2024017711A (ja) 2024-02-08

Family

ID=89705931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022120533A Pending JP2024017711A (ja) 2022-07-28 2022-07-28 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2024017711A (ja)
WO (1) WO2024024192A1 (ja)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006084908A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルターの製造方法およびカラーフィルター
TWI439779B (zh) * 2010-06-24 2014-06-01 Prime View Int Co Ltd 顯示裝置、雷射轉印方法及雷射轉印色板
JP2016027668A (ja) * 2015-10-01 2016-02-18 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
CN108242454B (zh) * 2016-12-23 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11302842B2 (en) * 2017-08-08 2022-04-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof
US11508708B2 (en) * 2017-08-10 2022-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor module, display apparatus, and semiconductor module manufacturing method
WO2019146819A1 (ko) * 2018-01-29 2019-08-01 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치
JP2020043140A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ブイ・テクノロジー Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル
JP2020092159A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロled実装構造、マイクロledディスプレイ及びマイクロledディスプレイの製造方法
KR20210034977A (ko) * 2019-09-23 2021-03-31 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20210043236A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024024192A1 (ja) 2024-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI745206B (zh) 發光顯示單元及顯示裝置
WO2015037579A1 (ja) 接着剤、及び発光装置
TWI786126B (zh) 發光裝置、其製造方法及顯示模組
KR20210046827A (ko) 이방성 도전 필름
US20190096843A1 (en) Anisotropic conductive film
WO2024024192A1 (ja) 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム
JP2022151816A (ja) 接続フィルム、及び接続構造体の製造方法
WO2023157709A1 (ja) 接続構造体の製造方法、及び個片化接着フィルムの転写方法
WO2022202944A1 (ja) 接続フィルム、及び接続構造体の製造方法
WO2022202945A1 (ja) 表示装置の製造方法
KR20230164139A (ko) 접속 구조체의 제조 방법 및 접속 필름
JP2023121118A (ja) 接続構造体の製造方法、及び個片化接着フィルムの転写方法
WO2024057755A1 (ja) 個片フィルムの製造方法及び個片フィルム、並びに表示装置の製造方法及び表示装置
WO2024057754A1 (ja) マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置
WO2023190055A1 (ja) 接続構造体
WO2024070281A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに接続フィルム及び接続フィルムの製造方法
JP2022151818A (ja) 表示装置の製造方法
WO2023189416A1 (ja) 導電フィルム、接続構造体及びその製造方法
WO2022202988A1 (ja) フィラー配列フィルム
WO2024070369A1 (ja) 接続構造体
WO2023238693A1 (ja) 積層体及びその製造方法
CN114502685B (zh) 连接体的制备方法、各向异性导电接合材料及连接体
WO2022202987A1 (ja) フィラー配列フィルム
JP2023152865A (ja) 接続構造体
JP2023179992A (ja) 積層体及びその製造方法