JP7222149B1 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
タクトタイムの短縮化を図ることができる表示装置の製造方法を提供する。レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程とを有する。レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができる。
Description
本技術は、発光素子が配列してなる表示装置の製造方法に関する。特にミニＬＥＤ、マイクロＬＥＤ等のＬＥＤ素子が配列してなる表示装置の製造方法に関する。本出願は、日本国において２０２１年３月２６日に出願された日本特許出願番号特願２０２１－０５４１３８を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
従来、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子を複数個配列させて発光素子アレイを構成する表示装置が提案されている。特許文献１には、ＬＥＤをＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）などの異方導電性接着剤で接合する工法が開示されている。
特許文献１に記載の工法では、ＡＣＦを基板の素子搭載面に一括で貼り付けるため、ＡＣＦの接着樹脂及び導電粒子が各ＬＥＤピッチ間に残存してしまう。このため、発光素子アレイに光透過性が求められる場合、光の透過を妨げてしまい、優れた光透過性を得ることができない。
一方、ＡＣＦをＬＥＤの直下のみに貼り付ける場合は、貼付だけでかなりの時間が必要となってしまい、タクトタイムが悪化してしまう。
本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、タクトタイムの短縮化を図ることができる表示装置の製造方法を提供する。
本技術に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、前記個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる再転写工程とを有する。
本技術に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、前記個片が転写された発光素子を前記配線基板上に再転写させる再転写工程と、前記個片を介して前記配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程とを有する。
本技術によれば、レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．表示装置の製造方法
２．実施例
１．表示装置の製造方法
２．実施例
＜１．表示装置の製造方法＞
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程とを有する。レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程とを有する。レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
以下、図１～図３を参照して、異方性導電接着層の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程（Ａ）、及び、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程（Ｂ）について説明する。
［転写工程（Ａ）］
図１は、基材に設けられた異方性導電接着層と、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図１に示すように、先ず、転写工程（Ａ）では、異方性導電接着層基板１０と配線基板２０とを対向させる。
図１は、基材に設けられた異方性導電接着層と、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図１に示すように、先ず、転写工程（Ａ）では、異方性導電接着層基板１０と配線基板２０とを対向させる。
異方性導電接着層基板１０は、基材１１と異方性導電接着層１２とを備え、基材１１表面に異方性導電接着層１２が設けられている。基板１１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。
異方性導電接着層１２は、例えば、バインダー中に導電粒子１３を含有する。また、異方性導電接着層１２は、レーザーによる転写性の観点から、導電粒子１３を面方向に整列することで、導通が得られるように捕捉されることと、ショートの回避ができるように構成されていることが好ましい。導電粒子の整列は規則的な配列であることが好ましい。一例として、特許６１１９７１８号が挙げられる。バインダーとしては、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤が挙げられ、それらの中でも波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂や、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などを含むエポキシ系接着剤を好ましく用いることができる。高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例としては、例えば三菱ケミカル社製の商品名「ＹＬ９８０」を挙げることができる。また、エポキシ系接着剤に含有されるエポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、芳香族スルホニウム塩系などのカチオン重合開始剤やアニオン重合開始剤を好ましく用いることができる。芳香族スルホニウム塩系のカチオン重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「ＳＩ－６０Ｌ」を挙げることができる。また、アクリル系接着剤は、ラジカル重合反応を利用した接着剤であり、例えば、（メタ）アクリレート化合物などのラジカル重合性物質と、過酸化物などのラジカル重合開始剤とを含有する。表示装置の使用時に求められる耐熱性や接着性の観点からは、エポキシ系接着剤であることが好ましい。なお、ここでは熱硬化系の異方性導電接着層を説明したが、後の工程で熱を避けたい場合などには光硬化系の異方性導電接着層を用いてもよい。その場合、前述した熱重合開始剤にかえて光重合開始剤を使用すればよい。
導電粒子１３としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル（融点 １４５５℃）、銅（融点 １０８５℃）、銀（融点 ９６１．８℃）、金（融点 １０６４℃）、パラジウム（融点 １５５５℃）、錫（融点 ２３１．９℃）、ホウ化ニッケル（融点 １２３０℃）、ルテニウム（融点 ２３３４℃）、錫合金であるはんだ等の金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン、スチレン及びジビニルベンゼンから選ばれる少なくとも１種のモノマーをモノマー単位として含むポリマー等の樹脂粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等の無機粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆無機粒子などを挙げることができる。上記金属粒子は、上述した金属により被覆されていてもよい。また、金属被覆樹脂粒子及び金属被覆無機粒子における金属層は単層でもよいし異種金属の複層から形成されていてもよい。
これら導電粒子を、例えば、樹脂層や、樹脂粒子、無機粒子等の絶縁性粒子にて被覆することにより絶縁被覆処理を施すことができる。導電粒子１３の粒子径は、実装される光学素子や配線基板の電極やバンプの面積により適宜変更されるが、１～３０μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましく、１～３μｍであることが特に好ましい。マイクロＬＥＤ素子の実装に使用される場合には、電極やバンプの面積が小さいため、この粒子径は、１～２．５μｍであることが好ましく、１～２．２μｍであることがより好ましく、１～２μｍであることが特に好ましい。粒子径は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）で２００個以上を計測し、平均から粒子径を求めることができる。
また、前述したような樹脂粒子又は無機粒子に金属を被覆した導電粒子における、金属の被覆厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。この被覆厚みは、金属被覆が複層である場合、金属被覆全体の厚みである。この被覆厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られやすく、また導電粒子が硬くなりすぎずに、前述した樹脂粒子や無機粒子の特性を活かしやすい。
上記被覆厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電粒子の断面を観察することにより測定できる。上記被覆厚みについては、任意の被覆厚み５箇所の平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することが好ましく、被覆部全体の厚みの平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することがより好ましい。上記被覆厚みは、任意の導電粒子１０個について、各導電粒子の被覆厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。
また、導電粒子の形状としては、球状、楕円体状、スパイク状、不定形状等の形状が挙げられる。これらの中でも、粒子径や粒度分布の制御が容易であることから球状の形状である導電粒子が好ましい。これらの導電粒子は接続性を向上させるために、表面に突起を有していてもよい。
異方性導電接着層の膜厚は、実装される光学素子や配線基板の電極やバンプの高さにより適宜変更されるが、１～３０μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましい。マイクロＬＥＤ素子の実装に使用される場合には、電極やバンプの高さが低いため、この膜厚は１～６μｍであることが好ましく、１～５μｍであることがより好ましく、１～４μｍであることが特に好ましい。
異方性導電接着層は、フィルム状にすることで、前記基材に異方性導電接着層を設けることが容易となる。取り扱い性の観点からは、異方性導電接着層の片面又は両面にポリエチレンテレフタレートフィルム等の離型性フィルムを設けたものであることが好ましい。
これらのフィルム状異方性導電接着層の異方性導電接着層を基材に転写することで基材上に異方性導電接着層を積層することもできるし、基材上で異方性導電接着層を製造することで基材上に異方性導電接着層を積層することもできる。基材上で異方性導電接着層を製造する方法としては、例えば、基材上に異方性導電接着剤の溶液を塗布、乾燥する方法や、基材上に導電粒子を含まない接着層を形成し、得られた接着層に導電粒子を固定する方法などが挙げられる。
配線基板２０は、基材２１上に第１導電型用回路パターンと、第２導電型用回路パターンとを備え、発光素子が１画素を構成するサブピクセル（副画素）単位で配置されるように、例えばｐ側の第１導電型電極及びｎ側の第２導電型電極に対応する位置にそれぞれ第１電極２２及び第２電極２３を有する。また、配線基板２０は、例えばマトリクス配線のデータ線、アドレス線などの回路パターンを形成し、１画素を構成する各サブピクセルに対応する発光素子をオンオフ可能とする。１画素は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個のサブピクセルで構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個のサブピクセルで構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個のサブピクセルで構成してもよい。また、配線基板２０は、透光基板であることが好ましく、基材２１は、ガラス、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）などであることが好ましく、回路パターン、第１電極２２及び第２電極２３は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＺｎＯ（Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）などの透明導電膜であることが好ましい。
図２は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。図２に示すように、転写工程（Ａ）では、基板１１側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層１２の個片１２ａを配線基板２１の所定位置に転写し、配列させる。
ここで、異方性導電接着層の個片を基板から効率よく転写するために、基板上に設けた異方性導電接着層に前処理を行い、個片がマトリクス状に配列するように形成してもよい。このような前処理としては、例えば、異方性導電接着層に、複数の縦方向の切り込みと横方向の切り込みが交差した状態である格子状の切り込みを設ける方法がある。この切り込みは、機械的な方法で設けても、化学的な方法で設けてもよい。もちろん、レーザー光によって焼失させることで切り込みを設けてもよい。このような処理を行うことで、基板上に複数の異方性導電接着層の個片がマトリクス状に配列した状態にすることができ、個片をレーザー光により転写することが容易となる。なお、この切り込みは基板が露出するまで深い必要は必ずしもなく、基板が露出しない程度の切り込みであっても、レーザー光による転写性は向上する。このような前処理は基板に異方性導電接着層を形成した後に行っても、基板に異方性導電接着層を形成する前、すなわち、フィルム状異方性導電接着層の段階で行ってもよい。
転写工程（Ａ）では、異方性導電接着層１２の個片１２ａを、１画素単位（例えばＲＧＢ１組みである１ピクセル）で配列させることができ、１画素を構成するサブピクセル（例えば任意のＲＧＢ）単位で配列させることもできる。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。
また、転写工程（Ａ）では、異方性導電接着層１２の個片１２ａを、１画素または複数画素単位で配列させることが好ましい。例えばＲＧＢの場合、発光素子は、３画素を１組、もしくはＲＧＢの冗長回路３画素を含む計６画素を１組として配列されるため、１組６画素に異方性導電膜を転写してもよいし、１画素単位で転写してもよいし、さらには電極単位で配列してもよい。一方、生産性を上げるため、透明性を損なわない範囲、例えば１ｍｍ×１ｍｍの範囲で、異方性導電膜を転写してもよい。
なお、異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる場合には、フィルム状異方性導電接着層をテープ状とし、その幅を１画素分とすることで前述した切り込みを一方向（テープの幅方向）のみとすることができる。この１画素分のテープ幅は、画素間の間隔にもよるが、１画素のサイズと等しい長さを意味するものではなく、隣接する画素と干渉しない程度の長さであることを意味する。
また、配線基板２０の所定位置に配列した個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板２０全面に貼り付ける方法が好ましくなり、個片間の距離が大き過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板２０の所定位置に貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。
異方性導電接着層１２の個片１２ａの転写には、例えば、リフト（ＬＩＦＴ：Laser Induced Forward Transfer）装置を用いることができる。リフト装置は、例えば、レーザー装置から出射されたパルスレーザ光を平行光にするテレスコープと、テレスコープを通過したパルスレーザ光の空間強度分布を均一に整形する整形光学系と、整形光学系により整形されたパルスレーザ光を所定のパターンにて通過させるマスクと、整形光学系とマスクとの間に位置するフィールドレンズと、マスクのパターンを通過したレーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズとを備え、ドナー基板である異方性導電接着層基板１０をドナーステージに保持し、レセプター基板である配線基板２１をレセプターステージに保持する。異方性導電接着層１２と配線基板２０との間の距離は、好ましくは１０～１０００μｍ、より好ましくは５０～５００μｍ、さらに好ましくは８０～２００μｍである。
レーザー装置としては、例えば波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍのレーザー光を発振するエキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーの発振波長は、例えば１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍであり、これらの発振波長の中から異方性導電接着層１２の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。
マスクは、基材１１と異方性導電接着層１２との境界面における投影が、所望のレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いる。マスクには、基材１１に例えばクロムメッキにてパターンが施され、クロムメッキが施されていない窓部分はレーザー光を透過し、クロムメッキが施されている部分はレーザー光を遮断する。
レーザー装置からの出射光はテレスコープ光学系に入射し、その先の整形光学系へと伝搬する。整形光学系に入射する直前におけるレーザー光は、このドナーステージのＸ軸の移動範囲内のいずれの位置においても、概ね平行光となるよう、テレスコープ光学系により調整されているため、常に、整形光学系に対し、概ね、同一サイズ、同一角度（垂直）により入射する。
整形光学系を通過したレーザー光は、投影レンズとの組み合わせにおいて像側テレセントリック縮小投影光学系を構成するフィールドレンズを経てマスクに入射する。マスクパターンを通過したレーザー光は、その伝搬方向を落射ミラーにより鉛直下方に変え、投影レンズに入射する。投影レンズから出射されたレーザー光は、基材１１側から入射し、その表面（下面）に形成されている異方性導電接着層１２の所定の位置に対し、マスクパターンの縮小サイズにて正確に投影される。
異方性導電接着層と基材との界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、好ましくは０．００１～２Ｊ、より好ましくは０．０１～１．５Ｊであり、さらに好ましくは０．１～１Ｊである。フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、好ましくは０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、より好ましくは０．０１～１Ｊ／ｃｍ２であり、さらに好ましくは０．０５～０．５Ｊ／ｃｍ２である。パルス幅（照射時間）は、好ましくは０．０１～１×１０９ピコ秒であり、より好ましくは０．１～１×１０7ピコ秒であり、さらに好ましくは１～１×１０５ピコ秒である。パルス周波数は、好ましくは０．１～１００００Ｈｚ、より好ましくは１～１０００Ｈｚ、さらに好ましくは１～１００Ｈｚである。照射パルス数は、好ましくは１～３０，０００，０００である。
このようなリフト装置を用いることにより、基材１１と異方性導電接着層１２との境界面において、レーザー光を照射された異方性導電接着層１２に衝撃波を発生させ、複数の個片１２ａを基材１１から剥離して配線基板２０に向けてリフトし、複数の個片１２ａを配線基板２０の所定位置に着弾させることができる。このような転写方式は、レーザーリフトオフと呼ばれ、例えば、レーザーによるアブレーションを利用した方式である。これにより、異方性導電接着層１２の個片１２ａを高精度及び高効率に配線基板２０に転写、配列させることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
転写工程（Ａ）後の異方性導電接着層１２の個片１２ａの反応率は、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。個片１２ａの反応率が２５％以下であることにより、実装工程（Ｂ）において、発光素子を熱圧着させることが可能となる。反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて求めることができる。
［実装工程（Ｂ）］
図３は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図３に示すように、実装工程（Ｂ）では、配線基板２０の所定位置に配列した個片１２ａ上に発光素子３０を実装させる。
図３は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図３に示すように、実装工程（Ｂ）では、配線基板２０の所定位置に配列した個片１２ａ上に発光素子３０を実装させる。
発光素子３０は、本体３１と、第１導電型電極３２と、第２導電型電極３３とを備え、第１導電型電極３２と第２導電型電極３３とが、同一面側に配置された水平構造を有する。本体３１は、例えばｎ－ＧａＮからなる第１導電型クラッド層と、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ層からなる活性層と、例えばｐ－ＧａＮからなる第２導電型クラッド層とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。第１導電型電極３２は、パッシベーション層により第１導電型クラッド層の一部に形成され、第２導電型電極３３は、第２導電型クラッド層の一部に形成される。第１導電型電極３２と第２導電型電極３３との間に電圧が印加されると、活性層にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
発光素子３０を配線基板２０に搭載する方法としては、特に限定されるものではないが、例えばレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）によりウェハ基板から配線基板２０に発光素子３０を直接転写、配置する方法や、発光素子３０を予め密着させた転写基板を用いて転写基板から配線基板２０に発光素子３０を転写、配置する方法が挙げられる。発光素子３０を配線基板２０に熱圧着する方法としては、公知の異方性導電フィルムにおいて用いられている接続方法を適宜選択して使用することができる。これにより、発光素子３０間に異方性導電接着層が存在せずに配線基板２０が露出した状態で、配線基板２０上に発光素子３０を異方性接続させることができる。また、配線基板２０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板２０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。
以上説明したように、第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電接着層１２の個片１２ａを高精度及び高効率に配線基板２０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。上述の実施の形態では、ディスプレイとしての表示装置の製造方法を例に挙げたが、本技術は、これに限られるものではなく、例えば、光源としての発光装置の製造方法にも適用することができる。
［第１の実施の形態の変形例］
前述した第１の実施の形態における転写工程（Ａ）では、図２に示すように、異方性導電接着層１２の個片１２ａを配線基板２１上に複数画素単位、１画素単位、又は１画素を構成するサブピクセル単位で配列させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、電極単位で配列してもよい。
前述した第１の実施の形態における転写工程（Ａ）では、図２に示すように、異方性導電接着層１２の個片１２ａを配線基板２１上に複数画素単位、１画素単位、又は１画素を構成するサブピクセル単位で配列させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、電極単位で配列してもよい。
図４は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層の個片を配線基板上に電極位置で転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図であり、図５は、配線基板に電極単位で配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。
図４に示すように、転写工程（Ａ）において、発光素子３０の例えばｐ側の第１導電型電極３２及びｎ側の第２導電型電極３３にそれぞれ対応する第１電極２２及び第２電極２３に対し、それぞれ第１の個片１４及び第２の個片１５を転写し、図５に示すように、実装工程（Ｂ）において、配線基板２０上に電極単位で配列された個片上に発光素子３０を実装させてもよい。これにより、表示装置の透明性を向上させることができきる。
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる再転写工程と、個片を介して配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程とを有する。レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる再転写工程と、個片を介して配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程とを有する。レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
以下、図６～図９を参照して、異方性導電接着層の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程（Ａ１）と、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる再転写工程（Ａ２）と、個片を介して配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程（ＢＢ）について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成には、同一の符号を付し、説明を省略する。
［転写工程（Ａ１）］
図６は、基材に設けられた異方性導電接着層と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図であり、図７は、基材に設けられた異方性導電接着層を模式的に示す断面図である。図６に示すように、先ず、転写工程（Ａ１）では、異方性導電接着層基板１０と転写基板４０とを対向させる。
図６は、基材に設けられた異方性導電接着層と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図であり、図７は、基材に設けられた異方性導電接着層を模式的に示す断面図である。図６に示すように、先ず、転写工程（Ａ１）では、異方性導電接着層基板１０と転写基板４０とを対向させる。
転写基板４０は、基材４１と、基材４１上に配列された発光素子３０とを備える。
基材４１は、後述する再転写工程（Ａ２）の転写方式に応じて適宜選択される。例えば、レーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いる場合、基材４１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。また、例えば、転写基板４０を配線基板２０に貼り合わせて発光素子３０を転着させる場合、例えばシリコーンゴム層を設けてもよい。
基材４１は、後述する再転写工程（Ａ２）の転写方式に応じて適宜選択される。例えば、レーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いる場合、基材４１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。また、例えば、転写基板４０を配線基板２０に貼り合わせて発光素子３０を転着させる場合、例えばシリコーンゴム層を設けてもよい。
転写工程（Ａ１）では、前述した第１の実施の形態と同様、例えばレーザーリフトオフと呼ばれるレーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いることができる。アブレーションを利用する場合、図７に示すように、異方性導電接着層１２の基材１１が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域Ｘには導電粒子が存在しないことが好ましい。
異方性導電接着層１２の、基材１１が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域Ｘではアブレーションの強い影響がある。したがって、この領域Ｘには導電粒子が存在しないことが好ましい。言い換えると、前記領域Ｘを除いた異方性導電接着層の部分に全ての導電粒子がはみ出すことなく存在することが好ましい。ここで、ある領域に導電粒子が存在しない状態とは、例えば、導電粒子の粒子全体がその領域中に存在しない状態だけでなく、導電粒子の一部分も含まれない状態を意味する。
異方性導電接着層の生産性の観点から、領域Ｘに導電粒子が混入してしまう場合には、領域Ｘに混入した導電粒子個数は、異方性導電接着層に含まれる全体の導電粒子個数の５％以下とすることが好ましく、１％以下とすることがより好ましい。
ここで、異方性導電接着層１２の領域Ｘの厚みｔは、基材１１が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍとしてもよく、アブレーションによる導電粒子劣化の抑制をより確実にするためには、この厚みｔを０～０．１μｍ、より好ましくは０～０．１５μｍ、特に好ましくは０～０．２μｍとし、この領域に導電粒子が存在しないことが好ましい。同様に言い換えると、これらの領域を除いた異方性導電接着層の部分に全ての導電粒子がはみ出すことなく存在することが好ましい。また、同様に、異方性導電接着層の生産性の観点から、これらの領域に導電粒子が混入してしまう場合には、領域に混入した導電粒子個数は、異方性導電接着層に含まれる全体の導電粒子個数の５％以下とすることが好ましく、１％以下とすることがより好ましい。
また、導電粒子のアブレーション耐性を高めるためには、前述した導電粒子を構成する金属の中でも、融点が１４００℃以上である金属を含む金属で構成されることが好ましい。入手容易性からは融点の上限は３５００℃程度であることが好ましい。同様の観点で、導電粒子を構成する金属は、ニッケル、パラジウム又はルテニウムを含むことが好ましい。
前述した樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子を使用する場合、樹脂粒子や無機粒子へのアブレーションの影響を最小限にするために、前記金属による被覆厚みを０．０８μｍ以上とすることが好ましく、０．１μｍ以上とすることがより好ましく、０．１５μｍ以上とすることが特に好ましく、０．２μｍ以上とすることが最も好ましい。この被覆厚みの上限は、導電粒子の直径によるが、導電粒子直径の２０％又は０．５μｍ程度であることが好ましい。
このような異方性導電接着層は、第２の実施の形態だけでなく、第１の実施の形態やその変形例、その他の形態にも適用可能である。
図８は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させた状態を模式的に示す断面図である。図８に示すように、転写工程（Ａ１）では、基材１１側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層１２の個片１６を配線基板２１の所定位置に転写し、配列させる。基材１１側からレーザー光を照射し、異方性導電接着層１２の個片１６を転写基板に配列された発光素子３０上に転写させる。
前述した第１の実施の形態と同様、異方性導電接着層１２の個片１６の転写には、例えば、リフト装置を用いることができる。リフト装置を用いることにより、基材１１と異方性導電接着層１２との境界面において、レーザー光を照射された異方性導電接着層１２に衝撃波を発生させ、複数の個片１６を基材１１から剥離して転写基板に配列された発光素子３０に向けてリフトし、個片１６を発光素子３０に高精度に着弾させることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
［再転写工程（Ａ２）］
図９は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。図９に示すように、再転写工程（Ａ２）では、個片１６が転写された発光素子３０を配線基板上に再転写させる。再転写する方法としては、特に限定されるものではないが、例えばレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により転写基板４０から配線基板２０に個片１６が転写された発光素子３０を直接転写、配置する方法、個片１６が転写された発光素子３０を予め密着させた転写基板を用いて転写基板４０から配線基板２０に発光素子３０を転写、配置する方法などが挙げられる。
図９は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。図９に示すように、再転写工程（Ａ２）では、個片１６が転写された発光素子３０を配線基板上に再転写させる。再転写する方法としては、特に限定されるものではないが、例えばレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により転写基板４０から配線基板２０に個片１６が転写された発光素子３０を直接転写、配置する方法、個片１６が転写された発光素子３０を予め密着させた転写基板を用いて転写基板４０から配線基板２０に発光素子３０を転写、配置する方法などが挙げられる。
また、再転写工程（Ａ２）では、発光素子３０を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させることが好ましい。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。
［実装工程（ＢＢ）］
実装工程（ＢＢ）では、個片１６を介して配線基板２０の所定位置に配列した発光素子３０を実装させる。発光素子３０を実装させた状態は、図３と同様である。発光素子３０を配線基板２０に実装する方法としては、公知の異方性導電フィルムにおいて用いられている熱圧着等の接続方法を適宜選択して使用することができる。これにより、発光素子３０間に異方性導電接着層が存在せずに配線基板２０が露出した状態で、配線基板２０上に発光素子３０を異方性接続させることができる。また、配線基板２０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板２０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。
実装工程（ＢＢ）では、個片１６を介して配線基板２０の所定位置に配列した発光素子３０を実装させる。発光素子３０を実装させた状態は、図３と同様である。発光素子３０を配線基板２０に実装する方法としては、公知の異方性導電フィルムにおいて用いられている熱圧着等の接続方法を適宜選択して使用することができる。これにより、発光素子３０間に異方性導電接着層が存在せずに配線基板２０が露出した状態で、配線基板２０上に発光素子３０を異方性接続させることができる。また、配線基板２０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板２０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。
以上説明したように、第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電接着層１２の個片１６を高精度及び高効率に発光素子３０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。
［第２の実施の形態の変形例］
前述した第２の実施の形態における転写工程（Ａ１）では、図８に示すように、異方性導電接着層１２の個片１６を発光素子３０上に転写させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、異方性導電接着層の個片を、発光素子上に電極単位で転写させてもよい。すなわち、発光素子３０の例えばｐ側の第１導電型電極３２及びｎ側の第２導電型電極３３にそれぞれ第１の個片及び第２の個片を転写させてもよい。これにより、表示装置の透明性を向上させることができきる。
前述した第２の実施の形態における転写工程（Ａ１）では、図８に示すように、異方性導電接着層１２の個片１６を発光素子３０上に転写させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、異方性導電接着層の個片を、発光素子上に電極単位で転写させてもよい。すなわち、発光素子３０の例えばｐ側の第１導電型電極３２及びｎ側の第２導電型電極３３にそれぞれ第１の個片及び第２の個片を転写させてもよい。これにより、表示装置の透明性を向上させることができきる。
＜２．実施例＞
本実施例では、石英ガラスに設けられた異方性導電接着層と素ガラスとを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を素ガラスの所定位置に転写し、配列させた。そして、素ガラス上に配列された個片を金属顕微鏡による目視により評価した。なお、本実施例は、これらに限定されるものではない。
本実施例では、石英ガラスに設けられた異方性導電接着層と素ガラスとを対向させ、基材側からレーザー光を照射して異方性導電接着層の個片を素ガラスの所定位置に転写し、配列させた。そして、素ガラス上に配列された個片を金属顕微鏡による目視により評価した。なお、本実施例は、これらに限定されるものではない。
［異方性導電接着層の作製］
平均粒径２．２μｍの導電粒子が整列した異方性導電接着層を石英ガラスにラミネートし、石英ガラス上に厚み４μｍの異方性導電接着層を設けた異方性導電接着層基板を作製した。異方性導電接着層のバインダーは、フェノキシ樹脂（商品名：ＰＫＨＨ、巴化学工業株式会社製）４２質量部、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ－９８０、三菱ケミカル株式会社製）４０質量部、疎水性シリカ（商品名：Ｒ２０２、日本アエロジル株式会社製）１０質量部、アクリルゴム（商品名：ＳＧ８０Ｈ、ナガセケムテックス株式会社製）３質量部、及びカチオン重合開始剤（商品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社製）５質量部を配合して、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布、乾燥して樹脂層を調製した。得られた樹脂層から導電粒子（平均粒径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．２μｍ厚、積水化学工業株式会社製）を特許６１８７６６５号記載の方法により、樹脂層の一方の界面と導電粒子が略一致するように整列させた。異方性導電接着層の平面視における導電粒子の整列は、六方格子配列で導電粒子間距離が粒子径の２倍となるようにした。
平均粒径２．２μｍの導電粒子が整列した異方性導電接着層を石英ガラスにラミネートし、石英ガラス上に厚み４μｍの異方性導電接着層を設けた異方性導電接着層基板を作製した。異方性導電接着層のバインダーは、フェノキシ樹脂（商品名：ＰＫＨＨ、巴化学工業株式会社製）４２質量部、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ－９８０、三菱ケミカル株式会社製）４０質量部、疎水性シリカ（商品名：Ｒ２０２、日本アエロジル株式会社製）１０質量部、アクリルゴム（商品名：ＳＧ８０Ｈ、ナガセケムテックス株式会社製）３質量部、及びカチオン重合開始剤（商品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社製）５質量部を配合して、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布、乾燥して樹脂層を調製した。得られた樹脂層から導電粒子（平均粒径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．２μｍ厚、積水化学工業株式会社製）を特許６１８７６６５号記載の方法により、樹脂層の一方の界面と導電粒子が略一致するように整列させた。異方性導電接着層の平面視における導電粒子の整列は、六方格子配列で導電粒子間距離が粒子径の２倍となるようにした。
［異方性導電接着層の転写］
リフト装置（ＭＴ－３０Ｃ２００）を用いて、異方性導電接着層の個片を素ガラスに転写した。前述のように、リフト装置は、レーザー装置から出射されたパルスレーザ光を平行光にするテレスコープと、テレスコープを通過したパルスレーザ光の空間強度分布を均一に整形する整形光学系と、整形光学系により整形されたパルスレーザ光を所定のパターンにて通過させるマスクと、整形光学系とマスクとの間に位置するフィールドレンズと、マスクのパターンを通過したレーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズとを備えており、ドナー基板である異方性導電接着層基板をドナーステージに保持し、レセプター基板である素ガラスをレセプターステージに保持し、異方性導電接着層と素ガラスとの間の距離を１００μｍとした。
リフト装置（ＭＴ－３０Ｃ２００）を用いて、異方性導電接着層の個片を素ガラスに転写した。前述のように、リフト装置は、レーザー装置から出射されたパルスレーザ光を平行光にするテレスコープと、テレスコープを通過したパルスレーザ光の空間強度分布を均一に整形する整形光学系と、整形光学系により整形されたパルスレーザ光を所定のパターンにて通過させるマスクと、整形光学系とマスクとの間に位置するフィールドレンズと、マスクのパターンを通過したレーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズとを備えており、ドナー基板である異方性導電接着層基板をドナーステージに保持し、レセプター基板である素ガラスをレセプターステージに保持し、異方性導電接着層と素ガラスとの間の距離を１００μｍとした。
レーザー装置は、発振波長を２４８ｎｍとするエキシマレーザーを用いた。レーザー光のパルスエネルギーは、６００Ｊ、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は１５０Ｊ／ｃｍ２、パルス幅（照射時間）は３００００ピコ秒、パルス周波数は０．０１ｋＨｚ、照射パルス数は各ＡＣＦ１小片につき１パルスとした。異方性導電接着層と基材との界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、０．００１～２Ｊであり、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、０．００１～２Ｊ／ｃｍ２であり、パルス幅（照射時間）は、０．０１～１×１０９ピコ秒であり、パルス周波数は、０．１～１００００Ｈｚであり、照射パルス数は、１～３０，０００，０００であった。
マスクは、ドナー基板である異方性導電接着層基板の異方性導電接着層と石英ガラスとの境界面における投影が、縦１２０μｍピッチ及び横１６０μｍピッチで縦３０μｍ×横４０μｍのレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いた。
［転写の評価］
素ガラス上に配列された異方性導電接着層の個片の反応率を測定した結果、１７．４％であった。反応率は、ＦＴ－ＩＲを用いて異方性導電接着層の個片中のエポキシ基の減少率により求めた。すなわち、転写前の個片中のエポキシ基がレーザー光による転写によりどれだけ減少したかを、赤外吸収スペクトルの９１４ｃｍ－１の吸収を測定することで求めた。
素ガラス上に配列された異方性導電接着層の個片の反応率を測定した結果、１７．４％であった。反応率は、ＦＴ－ＩＲを用いて異方性導電接着層の個片中のエポキシ基の減少率により求めた。すなわち、転写前の個片中のエポキシ基がレーザー光による転写によりどれだけ減少したかを、赤外吸収スペクトルの９１４ｃｍ－１の吸収を測定することで求めた。
図１０は、素ガラス上に配列された異方性導電接着層の個片を示す金属顕微鏡写真であり、図１１は、図１０に示す金属顕微鏡写真の拡大写真である。図１０及び図１１に示すように、素ガラス上に異方性導電接着層の個片がマスクのパターン通りに転写されることが確認できた。すなわち、レーザー光の照射により異方性導電接着層の個片を高精度及び高効率に転写、配列させることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができることが分かった。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、一方で本発明について異なる視点から表現すると下記（１）～（２９）及び（Ｕ１）～（Ｕ１８）のようになる。
（１） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、
前記配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程と
を有する表示装置の製造方法。
（２） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（３） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素を構成するサブピクセル単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（４） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、複数画素単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（５） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子の電極単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（６） 前記配線基板の所定位置に配列した個片間の距離が、３μｍ以上である（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（７） 前記転写工程後の個片の反応率が、２５％以下である（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（８） 前記レーザー光の波長が、１８０ｎｍ～３６０ｎｍであり、
前記異方性導電接着層が、波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂を含む（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（９） 前記異方性導電接着層は、導電粒子を含有する（１）乃至（８）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１０） 前記異方性導電接着層が、前記導電粒子を面方向に整列して構成されている（１）乃至（９）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１１） 前記異方性導電接着層の、前記基材が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（９）又は（１０）記載の表示装置の製造方法。
（１２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、樹脂無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（９）乃至（１１）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（９）乃至（１２）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１４） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、
前記個片が転写された発光素子を前記配線基板上に再転写させる再転写工程と、
前記個片を介して前記配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程と
を有する表示装置の製造方法。
（１５） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子上に電極単位で転写させる（１４）記載の表示装置の製造方法。
（１６） 前記再転写工程では、前記発光素子を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させる（１４）又は（１５）記載の表示装置の製造方法。
（１７） 基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写する工程を有する異方性導電接着層付き配線基板の製造方法。
（１８） 基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程を有する異方性導電接着層付き発光素子の製造方法。
（１９） レーザーリフトオフによる転写に用いられるフィルム状異方性導電接着層。
（２０） 導電粒子を含有する（１９）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２１） 前記レーザーリフトオフによる転写時に設けられる基材側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（２０）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、樹脂無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（２０）又は（２１）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（２０）乃至（２２）のいずれか１項に記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２４） 前記導電粒子を構成する金属は、ニッケル、パラジウム又はルテニウムを含む（２０）乃至（２３）のいずれか１項に記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２５） レーザーリフトオフによる転写に用いられる異方性導電接着層が積層された基材。
（２６） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフ転写用異方性導電接着層への応用。
（２７） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフ転写用異方性導電接着層の製造のための応用。
（２８） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフによる転写に用いられる異方性導電接着層が積層された基材の製造のための応用。
（２９） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフへの応用。
（Ｕ１） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写機構と、
前記配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装機構と
を有する表示装置の製造システム。
（Ｕ２） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ３） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素を構成するサブピクセル単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ４） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、複数画素単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ５） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子の電極単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ６） 前記配線基板の所定位置に配列した個片間の距離が、３μｍ以上である（Ｕ１）乃至（Ｕ５）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ７） 前記転写機構による転写後の個片の反応率が、２５％以下である（Ｕ１）乃至（Ｕ６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ８） 前記レーザー光の波長が、１８０ｎｍ～３６０ｎｍであり、
前記異方性導電接着層が、波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂を含む（Ｕ１）乃至（Ｕ７）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ９） 前記異方性導電接着層は、導電粒子を含有する（Ｕ１）乃至（Ｕ８）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１０） 前記異方性導電接着層が、前記導電粒子を面方向に整列して構成されている（Ｕ９）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１１） 前記異方性導電接着層の、前記基材が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（Ｕ９）又は（Ｕ１０）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（Ｕ９）乃至（Ｕ１１）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（Ｕ９）乃至（Ｕ１２）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１４） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写機構と、
前記個片が転写された発光素子を前記配線基板上に再転写させる再転写機構と、
前記個片を介して前記配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装機構と
を有する表示装置の製造システム。
（Ｕ１５） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子上に電極単位で転写させる（Ｕ１４）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１６） 前記再転写機構では、前記発光素子を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させる（Ｕ１４）又は（Ｕ１５）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１７） 基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写する機構を有する異方性導電接着層付き配線基板の製造システム。
（Ｕ１８） 基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写機構を有する異方性導電接着層付き発光素子の製造システム。
（１） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、
前記配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程と
を有する表示装置の製造方法。
（２） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（３） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素を構成するサブピクセル単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（４） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、複数画素単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（５） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子の電極単位で配列させる（１）記載の表示装置の製造方法。
（６） 前記配線基板の所定位置に配列した個片間の距離が、３μｍ以上である（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（７） 前記転写工程後の個片の反応率が、２５％以下である（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（８） 前記レーザー光の波長が、１８０ｎｍ～３６０ｎｍであり、
前記異方性導電接着層が、波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂を含む（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（９） 前記異方性導電接着層は、導電粒子を含有する（１）乃至（８）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１０） 前記異方性導電接着層が、前記導電粒子を面方向に整列して構成されている（１）乃至（９）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１１） 前記異方性導電接着層の、前記基材が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（９）又は（１０）記載の表示装置の製造方法。
（１２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、樹脂無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（９）乃至（１１）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（９）乃至（１２）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１４） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、
前記個片が転写された発光素子を前記配線基板上に再転写させる再転写工程と、
前記個片を介して前記配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装工程と
を有する表示装置の製造方法。
（１５） 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子上に電極単位で転写させる（１４）記載の表示装置の製造方法。
（１６） 前記再転写工程では、前記発光素子を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させる（１４）又は（１５）記載の表示装置の製造方法。
（１７） 基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写する工程を有する異方性導電接着層付き配線基板の製造方法。
（１８） 基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程を有する異方性導電接着層付き発光素子の製造方法。
（１９） レーザーリフトオフによる転写に用いられるフィルム状異方性導電接着層。
（２０） 導電粒子を含有する（１９）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２１） 前記レーザーリフトオフによる転写時に設けられる基材側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（２０）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、樹脂無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（２０）又は（２１）記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（２０）乃至（２２）のいずれか１項に記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２４） 前記導電粒子を構成する金属は、ニッケル、パラジウム又はルテニウムを含む（２０）乃至（２３）のいずれか１項に記載のフィルム状異方性導電接着層。
（２５） レーザーリフトオフによる転写に用いられる異方性導電接着層が積層された基材。
（２６） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフ転写用異方性導電接着層への応用。
（２７） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフ転写用異方性導電接着層の製造のための応用。
（２８） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフによる転写に用いられる異方性導電接着層が積層された基材の製造のための応用。
（２９） 異方性導電接着層の、レーザーリフトオフへの応用。
（Ｕ１） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写機構と、
前記配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装機構と
を有する表示装置の製造システム。
（Ｕ２） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ３） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素を構成するサブピクセル単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ４） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、複数画素単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ５） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子の電極単位で配列させる（Ｕ１）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ６） 前記配線基板の所定位置に配列した個片間の距離が、３μｍ以上である（Ｕ１）乃至（Ｕ５）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ７） 前記転写機構による転写後の個片の反応率が、２５％以下である（Ｕ１）乃至（Ｕ６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ８） 前記レーザー光の波長が、１８０ｎｍ～３６０ｎｍであり、
前記異方性導電接着層が、波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂を含む（Ｕ１）乃至（Ｕ７）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ９） 前記異方性導電接着層は、導電粒子を含有する（Ｕ１）乃至（Ｕ８）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１０） 前記異方性導電接着層が、前記導電粒子を面方向に整列して構成されている（Ｕ９）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１１） 前記異方性導電接着層の、前記基材が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない（Ｕ９）又は（Ｕ１０）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１２） 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である（Ｕ９）乃至（Ｕ１１）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１３） 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む（Ｕ９）乃至（Ｕ１２）のいずれか１項に記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１４） レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写機構と、
前記個片が転写された発光素子を前記配線基板上に再転写させる再転写機構と、
前記個片を介して前記配線基板の所定位置に配列した発光素子を実装する実装機構と
を有する表示装置の製造システム。
（Ｕ１５） 前記転写機構では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子上に電極単位で転写させる（Ｕ１４）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１６） 前記再転写機構では、前記発光素子を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させる（Ｕ１４）又は（Ｕ１５）記載の表示装置の製造システム。
（Ｕ１７） 基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写する機構を有する異方性導電接着層付き配線基板の製造システム。
（Ｕ１８） 基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写機構を有する異方性導電接着層付き発光素子の製造システム。
前述した多くの実施形態における各構成要件を細分化し、細分化された構成要件を各々単独で、又は組み合わせて、これら（１）～（２９）及び（Ｕ１）～（Ｕ１８）に導入することができる。
１０ 基板、１１ 基材、１２ 異方性導電接着層、１２ａ 個片、１３ 導電粒子、２０ 配線基板、２１ 基材、２２ 第１電極、２３ 第２電極、３０ 発光素子、３１ 、３２ 第１導電型電極、３３ 第２導電型電極、４０ 転写基板、４１ 基材
Claims (18)
- レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写し、配列させる転写工程と、
前記配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装する実装工程と
を有する表示装置の製造方法。 - 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素単位で配列させる請求項１記載の表示装置の製造方法。
- 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、１画素を構成するサブピクセル単位で配列させる請求項１記載の表示装置の製造方法。
- 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、複数画素単位で配列させる請求項１記載の表示装置の製造方法。
- 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子の電極単位で配列させる請求項１記載の表示装置の製造方法。
- 前記配線基板の所定位置に配列した個片間の距離が、３μｍ以上である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記転写工程後の個片の反応率が、２５％以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記レーザー光の波長が、１８０ｎｍ～３６０ｎｍであり、
前記異方性導電接着層が、波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍに極大吸収波長を持つ樹脂を含む請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記異方性導電接着層は、導電粒子を含有する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記異方性導電接着層が、前記導電粒子を面方向に整列して構成されている請求項９記載の表示装置の製造方法。
- 前記異方性導電接着層の、前記基材が設けられる側の面から厚み方向に０～０．０５μｍの領域には前記導電粒子が存在しない請求項９又は１０記載の表示装置の製造方法。
- 前記導電粒子は、樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子であり、
前記金属による被覆厚みは、０．１５μｍ以上である請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記導電粒子を構成する金属は、融点が１４００℃以上である金属を含む請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- レーザー光に対して透過性を有する基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程と、
前記個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる再転写工程と
を有する表示装置の製造方法。 - 前記転写工程では、前記異方性導電接着層の個片を、前記発光素子上に電極単位で転写させる請求項１４記載の表示装置の製造方法。
- 前記再転写工程では、前記発光素子を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させる請求項１４又は１５記載の表示装置の製造方法。
- 基材に設けられた異方性導電接着層と配線基板とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記配線基板の所定位置に転写する工程を有する異方性導電接着層付き配線基板の製造方法。
- 基材に設けられた異方性導電接着層と転写基板に配列された発光素子とを対向させ、前記基材側からレーザー光を照射して前記異方性導電接着層の個片を前記転写基板に配列された発光素子上に転写させる転写工程を有する異方性導電接着層付き発光素子の製造方法。
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