TW202247507A - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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野田大樹
尾怜司
白岩俊紀
渡部一夢
林直樹
山岡裕
仲田悟基
齋藤剛
植森信隆
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日商迪睿合股份有限公司
日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可謀求產距時間之縮短化之顯示裝置之製造方法。本發明之顯示裝置之製造方法具有以下步驟：轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自基材側照射雷射光使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板之特定位置；及安裝步驟，其將發光元件安裝至排列於配線基板之特定位置之單片上。藉由雷射光之照射可使各向異性導電接著層之單片高精度及高效率地轉印、排列。

Description

顯示裝置之製造方法
本技術係關於一種將發光元件排列而成之顯示裝置之製造方法。尤其係關於一種將迷你LED（light emitting diode，發光二極體）、微LED等LED元件排列而成之顯示裝置之製造方法。本申請案係以於日本2021年3月26日提出申請之日本申請號特願2021-054138、及2022年3月23日提出申請之PCT/JP2022/013684為基礎而主張優先權者，該申請案以參照之方式引用於本申請案。
往昔，提出有將複數個LED（Light Emitting Diode）等發光元件排列而構成發光元件陣列之顯示裝置。專利文獻1中，揭示有將LED利用ACF（Anisotropic Conductive Film，各向異性導電膜）等各向異性導電性接著劑接合之工法。
專利文獻1所記載之工法中，將ACF一次性貼附於基板之元件搭載面，故於各LED間距間會殘存ACF之接著樹脂及導電粒子。因此，於對發光元件陣列要求透光性之情形時，會妨礙光之穿透，從而無法獲得優異之透光性。
另一方面，將ACF僅貼附於LED之正下方之情形時，僅貼附便需要相當之時間，導致產距時間（tact time）惡化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國申請公開第2015/0255505號說明書
[發明所欲解決之課題]
本技術係鑒於此種往昔之實情而完成，其提供一種可謀求產距時間縮短化之顯示裝置之製造方法。 [解決課題之技術手段]
本技術之顯示裝置之製造方法包括：轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印、排列於上述配線基板之特定位置；及安裝步驟，其將發光元件安裝至排列於上述配線基板之特定位置之單片上。
本技術之顯示裝置之製造方法具有以下步驟：轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上；再轉印步驟，其使轉印有上述單片之發光元件再轉印至上述配線基板上；及安裝步驟，其經由上述單片而安裝排列於上述配線基板之特定位置之發光元件。 [發明之效果]
根據本技術，藉由雷射光之照射可使各向異性導電接著層之單片高精度及高效率地轉印、排列，故可謀求產距時間之縮短化。
以下，一面參照圖式，一面按以下順序對本技術之實施形態詳細地進行說明。 1.顯示裝置之製造方法 2.實施例
＜1.顯示裝置之製造方法＞ [第1實施形態] 第1實施形態之顯示裝置之製造方法具有以下步驟：轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自基材側照射雷射光使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板之特定位置；及安裝步驟，其將發光元件安裝至排列於配線基板之特定位置之單片上。藉由雷射光之照射可使各向異性導電接著層之單片高精度及高效率地轉印、排列，故可謀求產距時間之縮短化。
以下，參照圖1～圖3，對將各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板之特定位置之轉印步驟（A）、及將發光元件安裝至排列於配線基板之特定位置之單片上之安裝步驟（B）進行說明。
[轉印步驟（A）] 圖1係示意性表示使設置於基材之各向異性導電接著層與配線基板對向之狀態之剖視圖。如圖1所示，首先，於轉印步驟（A）中，使各向異性導電接著層基板10與配線基板20對向。
各向異性導電接著層基板10具備基材11與各向異性導電接著層12，於基材11表面設置有各向異性導電接著層12。基板11只要係對雷射光具有穿透性者即可，其中，尤以遍及全波長具有較高之透光率之石英玻璃為佳。
各向異性導電接著層12例如於黏合劑中含有導電粒子13。又，自雷射之轉印性之觀點而言，各向異性導電接著層12較佳為藉由將導電粒子13按序排列於面方向而以可取得導通之方式捕捉、及以可避免短路之方式構成。導電粒子之按序排列較佳為規則的排列。可例舉日本專利6119718號作為一例。作為黏合劑，例如可例舉環氧系接著劑或丙烯酸系接著劑，其等之中，可較佳地使用包含於波長180 nm～360 nm具有極大吸收波長之樹脂、或高純度雙酚A型環氧樹脂等環氧系接著劑。作為高純度雙酚A型環氧樹脂之具體例，例如可列舉三菱化學公司製造之商品名「YL980」。又，作為環氧系接著劑中含有之環氧樹脂硬化劑，例如可較佳地使用芳香族鋶鹽系等陽離子聚合起始劑或陰離子聚合起始劑。作為芳香族鋶鹽系陽離子聚合起始劑之具體例，可例舉例如三新化學工業股份有限公司製造之商品名「SI-60L」。又，丙烯酸系接著劑係利用自由基聚合反應之接著劑，例如含有(甲基)丙烯酸酯化合物等自由基聚合性物質、及過氧化物等自由基聚合起始劑。自顯示裝置使用時所要求之耐熱性或接著性之觀點而言，較佳為環氧系接著劑。再者，此處說明了熱硬化系之各向異性導電接著層，但於欲在以後之步驟中避免熱之情形等時亦可使用光硬化系之各向異性導電接著層。該情形時，只要除上述熱聚合起始劑外使用光聚合起始劑即可。
作為導電粒子13，可適當選擇於公知之各向異性導電膜中使用之導電粒子來使用。例如，可例舉鎳（熔點1455℃）、銅（熔點1085℃）、銀（熔點961.8℃）、金（熔點1064℃）、鈀（熔點1555℃）、錫（熔點231.9℃）、硼化鎳（熔點1230℃）、釕（熔點2334℃）、作為錫合金之焊錫等金屬粒子；由鎳、銅、銀、金、鈀、錫、硼化鎳、釕等金屬被覆包含選自聚醯胺、聚苯胍
Figure 111111466-A0304-1
、苯乙烯及二乙烯苯之至少1種單體作為單體單位之聚合物等樹脂粒子之表面而成之金屬被覆樹脂粒子；由鎳、銅、銀、金、鈀、錫、硼化鎳、釕等金屬被覆二氧化矽（silica）、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯、碳黑、矽玻璃、硼矽酸玻璃、鉛玻璃、鈉鈣玻璃及氧化鋁矽酸鹽玻璃等無機粒子之表面而成之金屬被覆無機粒子等。上述金屬粒子亦可由上述金屬被覆。又，金屬被覆樹脂粒子及金屬被覆無機粒子中之金屬層可為單層，亦可由不同種金屬之複數層而形成。
例如可藉由以樹脂層或樹脂粒子、無機粒子等絕緣性粒子被覆該等導電粒子而實施絕緣被覆處理。導電粒子13之粒徑可根據安裝之光學元件或配線基板之電極或凸塊之面積而適當變更，但較佳為1～30 μm，更佳為1～10 μm，特佳為1～3 μm。在用於安裝微LED元件之情形時，電極或凸塊之面積較小，故該粒徑較佳為1～2.5 μm，更佳為1～2.2 μm，特佳為1～2 μm。可利用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡、電子顯微鏡等）測量200個以上之粒徑，由平均而求出粒徑。
又，將金屬被覆於如上所述之樹脂粒子或無機粒子之導電粒子中之金屬之被覆厚度較佳為0.005 μm以上，更佳為0.01 μm以上，較佳為10 μm以下，更佳為1 μm以下，進而較佳為0.3 μm以下。於金屬被覆為複數層之情形時，該被覆厚度為金屬被覆整體之厚度。該被覆厚度若為上述下限以上及上述上限以下，則易獲得充分之導電性，又，導電粒子不會變得過硬，易充分發揮上述樹脂粒子或無機粒子之特性。
上述被覆厚度例如可藉由使用穿透型電子顯微鏡（TEM）觀察導電粒子之剖面而測定。關於上述被覆厚度，較佳為算出任意5個部位之被覆厚度之平均值作為1個導電粒子之被覆厚度，更佳為算出被覆部整體厚度之平均值作為1個導電粒子之被覆厚度。上述被覆厚度較佳為藉由對任意10個導電粒子算出各導電粒子之被覆厚度之平均值而求出。
又，作為導電粒子之形狀，可例舉球狀、橢圓體狀、尖鋒（spike）狀、不定形狀等形狀。該等之中，自容易進行粒徑或粒度分佈之控制之角度而言，較佳為球狀形狀之導電粒子。為了提高連接性，該等導電粒子亦可於表面具有突起。
各向異性導電接著層之膜厚可根據安裝之光學元件或配線基板之電極或凸塊之高度而適當變更，但較佳為1～30 μm，更佳為1～10 μm。在用於安裝微LED元件之情形時，電極或凸塊之高度較低，故該膜厚較佳為1～6 μm，更佳為1～5 μm，特佳為1～4 μm。
各向異性導電接著層藉由設為膜狀而容易於上述基材設置各向異性導電接著層。自操作性之觀點而言，較佳為於各向異性導電接著層之一面或兩面設置有聚對苯二甲酸乙二酯膜等脫模性膜者。
可藉由將該等膜狀各向異性導電接著層轉印至基材而將各向異性導電接著層積層於基材上，亦可藉由於基材上製造各向異性導電接著層而將各向異性導電接著層積層於基材上。作為於基材上製造各向異性導電接著層之方法，例如可例舉：將各向異性導電接著劑之溶液塗佈於基材上並乾燥之方法；或於基材上形成不包含導電粒子之接著層，將導電粒子固定於所獲得之接著層之方法等。
配線基板20於基材21上具備第1導電型用電路圖案、及第2導電型用電路圖案，為了將發光元件以構成1像素之次像素（副像素）單位而配置，例如於與p側之第1導電型電極及n側之第2導電型電極對應之位置分別具有第1電極22及第2電極23。又，配線基板20例如形成矩陣配線之資料線、位址線等電路圖案，能夠使與構成1像素之各次像素對應之發光元件接通或斷開。1像素例如可由R（紅）G（綠）B（藍）之3個次像素構成，亦可由RGBW（白）、RGBY（黃）之4個次像素構成，還可由RG、GB之2個次像素構成。又，配線基板20較佳為透光基板，基材21較佳為玻璃、PET（Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯）等，電路圖案、第1電極22及第2電極23較佳為ITO（Indium-Tin-Oxide，氧化銦錫）、IZO（Indium-Zinc-Oxide，氧化銦鋅）、ZnO（Zinc-Oxide，氧化鋅）、IGZO（Indium-Gallium-Zinc-Oxide，氧化銦鎵鋅）等透明導電膜。
圖2係示意性表示自基板側照射雷射光，使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板之特定位置之狀態之剖視圖。如圖2所示，轉印步驟（A）中，自基板11側照射雷射光，使各向異性導電接著層12之單片12a轉印、排列於配線基板21之特定位置。
此處，為了自基板高效地轉印各向異性導電接著層之單片，亦可對設置於基板上之各向異性導電接著層進行預處理，將單片以排列成矩陣狀之方式形成。作為此種預處理，例如有如下方法，即，於各向異性導電接著層上設置複數個縱向切口與橫向切口交叉之狀態之格子狀切口。該切口可按機械方法設置，亦可按化學方法設置。當然，亦可藉由以雷射光燒毀而設置切口。藉由進行此種處理，可形成將複數個各向異性導電接著層之單片於基板上排列成矩陣狀之狀態，從而使藉由雷射光轉印單片變得容易。再者，該切口之深度並非必須深至基板露出，即便為不露出基板之程度之切口，亦可使雷射光之轉印性提高。此種預處理可於基板上形成各向異性導電接著層之後進行，亦可於基板上形成各向異性導電接著層之前、即於膜狀各向異性導電接著層之階段進行。
轉印步驟（A）中，可使各向異性導電接著層12之單片12a以1像素單位（例如以RGB為1組之1像素）而排列，亦可以構成1像素之次像素（例如任意之RGB）單位而排列。藉此，可對應較高PPI（Pixels Per Inch，像素密度）之發光元件陣列至較低PPI之發光元件陣列。
又，轉印步驟（A）中，較佳為使各向異性導電接著層12之單片12a以1像素或複數像素單位而排列。例如於RGB之情形時，發光元件以3像素為1組、或以包含RGB之冗餘電路3像素之共計6像素為1組而排列，故可將各向異性導電膜轉印至1組6像素，亦可以1像素單位而轉印，進而亦可以電極單位排列。另一方面，為了提高生產性，亦可於不損及透明性之範圍、例如1 mm×1 mm之範圍轉印各向異性導電膜。
再者，使各向異性導電接著層之單片以1像素單位而排列之情形時，可將膜狀各向異性導電接著層設為帶狀，將其寬度設為1像素量，藉此可將上述切口僅設為一方向（帶之寬度方向）。該1像素量之帶寬度雖亦取決於像素間之間隔，但並非指與1像素之尺寸相等之長度，而是指不與相鄰像素產生干涉之程度之長度。
又，排列於配線基板20之特定位置之單片間之距離較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。又，單片間之距離之上限較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下，進而較佳為500 μm以下。於單片間之距離過小之情形時，將各向異性導電膜貼附於配線基板20之整面之方法為佳，於單片間之距離過大之情形時，將各向異性導電膜貼附於配線基板20之特定位置之方法為佳。單片間之距離可使用顯微鏡觀察（光學顯微鏡、金屬顯微鏡，電子顯微鏡等）進行測量。
於各向異性導電接著層12之單片12a之轉印中，例如可使用LIFT（LIFT：Laser Induced Forward Transfer，雷射誘導前向轉移）裝置。LIFT裝置例如具備使自雷射裝置出射之脈衝雷射光為平行光之望遠鏡（telescope）、將通過望遠鏡之脈衝雷射光之空間強度分佈均勻地整形（shaping）之整形光學系統、使經整形光學系統整形之脈衝雷射光以特定之圖案通過之光罩、位於整形光學系統與光罩之間之場透鏡、及將通過光罩之圖案之雷射光縮小投影至施體基板之投影透鏡，將作為施體基板之各向異性導電接著層基板10保持於施體載台，將作為受體基板之配線基板21保持於受體載台。各向異性導電接著層12與配線基板20之間之距離較佳為10～1000 μm，更佳為50～500 μm，進而較佳為80～200 μm。
作為雷射裝置，例如可使用使波長180 nm～360 nm之雷射光振盪之準分子雷射。準分子雷射之振盪波長例如為193、248、308、351 nm，可自該等振盪波長中根據各向異性導電接著層12之材料之光吸收性而適當選擇。
光罩使用以特定間距形成有特定尺寸之窗之排列之圖案，以便基材11與各向異性導電接著層12之邊界面之投影成為所需之雷射光之排列。光罩中，對基材11例如以鍍鉻之方式形成圖案，未實施鍍鉻之窗部分使雷射光穿透，實施鍍鉻之部分將雷射光阻斷。
來自雷射裝置之出射光入射至望遠鏡光學系統，且傳輸至其之前的整形光學系統。即將入射至整形光學系統之前的雷射光由於被望遠鏡光學系統調整成於該施體載台之X軸之移動範圍內之任一位置均成為大致平行光，故而始終相對於整形光學系統以大致相同尺寸、相同角度（垂直）入射。
通過整形光學系統之雷射光於與投影透鏡之組合中經過構成像側遠心縮小投影光學系統之場透鏡而入射至光罩。通過光罩圖案之雷射光之傳輸方向藉由落射鏡而改變為鉛垂下方，入射至投影透鏡。自投影透鏡出射之雷射光自基材11側入射，對形成於其表面（下表面）之各向異性導電接著層12之特定之位置，以光罩圖案之縮小尺寸準確地投影。
照射至各向異性導電接著層與基材之界面之成像之雷射光之脈衝能量較佳為0.001～2 J，更佳為0.01～1.5 J，進而較佳為0.1～1 J。通量（fluence）較佳為0.001～2J/cm 2，更佳為0.01～1 J/cm 2，進而較佳為0.05～0.5 J/cm 2。脈衝寬度（照射時間）較佳為0.01～1×10 9皮秒，更佳為0.1～1×10 7皮秒，進而較佳為1～1×10 5皮秒。脈衝頻率較佳為0.1～10000 Hz，更佳為1～1000 Hz，進而較佳為1～100 Hz。照射脈衝數較佳為1～30,000,000。
藉由使用此種LIFT裝置，於基材11與各向異性導電接著層12之邊界面，可使照射有雷射光之各向異性導電接著層12產生衝擊波，將複數個單片12a自基材11剝離而朝配線基板20進行LIFT，使複數個單片12a著陸於配線基板20之特定位置。此種轉印方式被稱為雷射剝離，例如為利用有以雷射進行之剝蝕之方式。藉此，可使各向異性導電接著層12之單片12a高精度及高效率地轉印、排列於配線基板20，從而可謀求產距時間之縮短化。
轉印步驟（A）後之各向異性導電接著層12之單片12a之反應率較佳為25%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。藉由使單片12a之反應率為25%以下，而於安裝步驟（B）中，能夠使發光元件熱壓接合。反應率之測定例如可使用FT-IR求出。
[安裝步驟（B）] 圖3係示意性表示使發光元件安裝至排列於配線基板之特定位置之單片上之狀態之剖視圖。如圖3所示，安裝步驟（B）中，使發光元件30安裝至排列於配線基板20之特定位置之單片12a上。
發光元件30具備本體31、第1導電型電極32、及第2導電型電極33，第1導電型電極32與第2導電型電極33具有配置於同一面側之水平構造。本體31例如具備包含n-GaN之第1導電型包覆層、例如包含In xAl yGa 1-x-yN層之活性層、及例如包含p-GaN之第2導電型包覆層，具有所謂雙異質構造。第1導電型電極32藉由鈍化層而形成於第1導電型包覆層之一部分，第2導電型電極33形成於第2導電型包覆層之一部分。若對第1導電型電極32與第2導電型電極33之間施加電壓，則載子集中於活性層，藉由再結合而產生發光。
作為將發光元件30搭載於配線基板20之方法，並非特別限定，例如可例舉：藉由雷射剝離法（LLO(laser lift-off)法）自晶圓基板將發光元件30直接轉印、配置於配線基板20之方法；或使用預先密接有發光元件30之轉印基板，將發光元件30自轉印基板轉印、配置於配線基板20之方法。作為將發光元件30熱壓接合於配線基板20之方法，可適當選擇使用於公知之各向異性導電膜中採用之連接方法。藉此，於發光元件30間不存在各向異性導電接著層而露出配線基板20之狀態下，可使發光元件30各向異性連接至配線基板20上。又，藉由將配線基板20設為透光基板，相比於將各向異性導電膜貼附於配線基板20之整面之情形，可獲得優異之透光性。
如上所說明，根據第1實施形態之顯示裝置之製造方法，藉由雷射光之照射而可使各向異性導電接著層12之單片12a高精度及高效率地轉印、排列於配線基板20，故可謀求產距時間之縮短化。於上述實施形態中，舉出作為顯示器之顯示裝置之製造方法為例，但本技術並非限於此，例如亦可應用於作為光源之發光裝置之製造方法。
[第1實施形態之變化例] 上述第1實施形態之轉印步驟（A）中，如圖2所示，使各向異性導電接著層12之單片12a以複數像素單位、以1像素單位、或以構成1像素之次像素單位而排列於配線基板21上，但並非限於該等，例如亦可以電極單位排列。
圖4係示意性表示自基板側照射雷射光，使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板上電極位置之狀態之剖視圖，圖5係示意性表示使發光元件安裝於以電極單位排列於配線基板之單片上之狀態之剖視圖。
如圖4所示，於轉印步驟（A）中，對與發光元件30之例如p側之第1導電型電極32及n側之第2導電型電極33分別對應之第1電極22及第2電極23，分別轉印第1單片14及第2單片15，如圖5所示，於安裝步驟（B）中，亦可使發光元件30安裝於以電極單位排列於配線基板20上之單片上。藉此，可使顯示裝置之透明性提高。
[第2實施形態] 第2實施形態之顯示裝置之製造方法具有以下步驟：轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自基材側照射雷射光而使各向異性導電接著層之單片轉印至排列於轉印基板之發光元件上；再轉印步驟，其使轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板上；及安裝步驟，其經由單片而安裝排列於配線基板之特定位置之發光元件。藉由雷射光之照射而可使各向異性導電接著層之單片高精度及高效率地轉印、排列，故可謀求產距時間之縮短化。
以下，參照圖6～圖9，對使各向異性導電接著層之單片轉印至排列於轉印基板之發光元件上之轉印步驟（A1）、使轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板上之再轉印步驟（A2）、及經由單片而安裝排列於配線基板之特定位置之發光元件之安裝步驟（BB）進行說明。再者，對於與第1實施形態相同之構成標註相同之符號，省略說明。
[轉印步驟（A1）] 圖6係示意性表示使設置於基材之各向異性導電接著層、與排列於轉印基板之發光元件對向之狀態之剖視圖，圖7係示意性表示設置於基材之各向異性導電接著層之剖視圖。如圖6所示，首先，於轉印步驟（A1）中，使各向異性導電接著層基板10與轉印基板40對向。
轉印基板40具備基材41、及排列於基材41上之發光元件30。 基材41根據下述再轉印步驟（A2）之轉印方式而適當選擇。例如於使用利用有以雷射進行之剝蝕之轉印方式之情形時，基材41只要係對雷射光具有穿透性者即可，其中，較佳為遍及全波長具有較高透光率之石英玻璃。又，例如於將轉印基板40貼合於配線基板20而使發光元件30轉接著之情形時，例如亦可設置聚矽氧橡膠層。
於轉印步驟（A1）中，與上述第1實施形態同樣地，例如可使用利用有被稱為雷射剝離之以雷射進行之剝蝕之轉印方式。於利用剝蝕之情形時，如圖7所示，較佳為於各向異性導電接著層12之自設置有基材11之側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域X不存在導電粒子。
各向異性導電接著層12之自設置有基材11之側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域X存在剝蝕（ablation）較強之影響。因此，較佳為於該區域X不存在導電粒子。換言之，較佳為於除上述區域X外之各向異性導電接著層之部分所有導電粒子以不突出之方式存在。此處，所謂於某區域不存在導電粒子之狀態，例如不僅係指導電粒子之粒子整體不存在於該區域中之狀態，而且亦指不包含導電粒子之一部分之狀態。
自各向異性導電接著層之生產性之觀點而言，於區域X混入有導電粒子之情形時，混入至區域X之導電粒子個數較佳為設為各向異性導電接著層中包含之全體導電粒子個數之5%以下，更佳為設為1%以下。
此處，關於各向異性導電接著層12之區域X之厚度t，亦可設為自設置有基材11之側之面沿厚度方向0～0.05 μm，為了更確實地抑制由剝蝕導致之導電粒子劣化，將該厚度t設為0～0.1 μm，更佳為0～0.15 μm，特佳為0～0.2 μm，且較佳為於該區域不存在導電粒子。同樣換言之，較佳為於除該等區域外之各向異性導電接著層之部分所有導電粒子以不突出之方式存在。又，同樣地，自各向異性導電接著層之生產性之觀點而言，於該等區域混入有導電粒子之情形時，混入至區域之導電粒子個數較佳為設為各向異性導電接著層中包含之全體導電粒子個數之5%以下，更佳為設為1%以下。
又，為了提高導電粒子之剝蝕耐性，於構成上述導電粒子之金屬中，較佳為由包含熔點為1400℃以上之金屬之金屬構成。自取得容易性而言，熔點之上限較佳為3500℃左右。根據相同之觀點，構成導電粒子之金屬較佳為含有鎳、鈀或釕。
於使用由金屬被覆上述樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子之情形時，為了使剝蝕對樹脂粒子或無機粒子之影響為最小限度，較佳為將上述金屬之被覆厚度設為0.08 μm以上，更佳為0.1 μm以上，特佳為0.15 μm以上，最佳為0.2 μm以上。該被覆厚度之上限取決於導電粒子之直徑，但較佳為導電粒子之直徑之20%或0.5 μm左右。
此種各向異性導電接著層不僅能夠應用於第2實施形態，亦能夠應用於第1實施形態或其變化例、及其他形態。
圖8係示意性表示自基材側照射雷射光，使各向異性導電接著層之單片轉印至排列於轉印基板之發光元件上之狀態之剖視圖。如圖8所示，轉印步驟（A1）中，自基材11側照射雷射光，使各向異性導電接著層12之單片16轉印、排列於配線基板21之特定位置。自基材11側照射雷射光，使各向異性導電接著層12之單片16轉印至排列於轉印基板之發光元件30上。
與上述第1實施形態同樣地，於各向異性導電接著層12之單片16之轉印中，例如可使用LIFT裝置。藉由使用LIFT裝置，於基材11與各向異性導電接著層12之邊界面，使照射有雷射光之各向異性導電接著層12產生衝擊波，將複數個單片16自基材11剝離而朝排列於轉印基板之發光元件30進行LIFT，從而可使單片16高精度地著陸於發光元件30，可謀求產距時間之縮短化。
[再轉印步驟（A2）] 圖9係示意性表示使轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板上之狀態之剖視圖。如圖9所示，於再轉印步驟（A2）中，使轉印有單片16之發光元件30再轉印至配線基板上。作為再轉印之方法，並非特別限定，例如可例舉：藉由雷射剝離法（LLO法）自轉印基板40將轉印有單片16之發光元件30直接轉印、配置於配線基板20之方法；及使用預先密接有被轉印有單片16之發光元件30之轉印基板，自轉印基板40將發光元件30轉印、配置於配線基板20之方法等。
又，於再轉印步驟（A2）中，較佳為使發光元件30以構成1像素之次像素單位而轉印。藉此，可對應較高PPI（Pixels Per Inch）之發光元件陣列至較低PPI之發光元件陣列。
[安裝步驟（BB）] 安裝步驟（BB）中，經由單片16而安裝排列於配線基板20之特定位置之發光元件30。安裝有發光元件30之狀態與圖3相同。作為將發光元件30安裝於配線基板20之方法，可適當選擇使用於公知之各向異性導電膜中採用之熱壓接合等連接方法。藉此，於發光元件30間不存在各向異性導電接著層而露出配線基板20之狀態下，可使發光元件30各向異性連接至配線基板20上。又，藉由將配線基板20設為透光基板，相比於將各向異性導電膜貼附於配線基板20之整面之情形，可獲得優異之透光性。
如上所說明，根據第2實施形態之顯示裝置之製造方法，藉由雷射光之照射而可使各向異性導電接著層12之單片16高精度及高效率地轉印、排列於發光元件30，故可謀求產距時間之縮短化。
[第2實施形態之變化例] 上述第2實施形態之轉印步驟（A1）中，如圖8所示，使各向異性導電接著層12之單片16轉印至發光元件30上，但並非限於該等，例如亦可使各向異性導電接著層之單片以電極單位轉印至發光元件上。即，亦可使第1單片及第2單片分別轉印至發光元件30之例如p側之第1導電型電極32及n側之第2導電型電極33。藉此，可使顯示裝置之透明性提高。 [實施例]
＜2.實施例＞ 本實施例中，使設置於石英玻璃之各向異性導電接著層與裸玻璃對向，自基材側照射雷射光而使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於裸玻璃之特定位置。繼而，藉由金屬顯微鏡之目視而評價排列於裸玻璃上之單片。再者，本實施例並非限定於該等。
[各向異性導電接著層之製作] 將按序排列有平均粒徑2.2 μm之導電粒子之各向異性導電接著層層壓於石英玻璃，而製作於石英玻璃上設置有厚度4 μm之各向異性導電接著層之各向異性導電接著層基板。各向異性導電接著層之黏合劑係將42質量份之苯氧基樹脂（商品名：PKHH，巴化學工業股份有限公司製造）、40質量份之高純度雙酚A型環氧樹脂（商品名：YL-980，三菱化學股份有限公司製造）、10質量份之疏水性二氧化矽（商品名：R202，NIPPON AEROSIL CO., LTD.製造）、3質量份之丙烯酸橡膠（商品名：SG80H，長瀨化成股份有限公司製造）、及5質量份之陽離子聚合起始劑（商品名：SI-60L，三新化學工業股份有限公司製造）摻合，塗佈於厚度50 μm之PET膜上並乾燥而製備樹脂層。自所獲得之樹脂層，使導電粒子（平均粒徑2.2 μm，樹脂芯金屬被覆微粒子，Ni鍍層厚度0.2 μm，積水化學工業股份有限公司製造）藉由日本專利6187665號記載之方法以樹脂層之一界面與導電粒子大致一致之方式按序排列。各向異性導電接著層之俯視下之導電粒子之按序排列中，於六方晶格排列下導電粒子間距離成為粒徑之2倍。
[各向異性導電接著層之轉印] 使用LIFT裝置（MT-30C200）將各向異性導電接著層之單片轉印至裸玻璃。如上所述，LIFT裝置具備使自雷射裝置出射之脈衝雷射光為平行光之望遠鏡、將通過望遠鏡之脈衝雷射光之空間強度分佈均勻地整形之整形光學系統、使經整形光學系統整形之脈衝雷射光以特定之圖案通過之光罩、位於整形光學系統與光罩之間之場透鏡、及將通過光罩之圖案之雷射光縮小投影至施體基板之投影透鏡，將作為施體基板之各向異性導電接著層基板保持於施體載台，將作為受體基板之裸玻璃保持於受體載台，使各向異性導電接著層與裸玻璃之間之距離為100 μm。
雷射裝置使用將振盪波長設為248 nm之準分子雷射。雷射光之脈衝能量設為600 J，通量（fluence）設為150 J/cm 2，脈衝寬度（照射時間）設為30000皮秒，脈衝頻率設為0.01 kHz，照射脈衝數針對每1小片ACF設為1脈衝。照射至各向異性導電接著層與基材之界面之成像之雷射光之脈衝能量為0.001～2 J，通量（fluence）為0.001～2 J/cm 2，脈衝寬度（照射時間）為0.01～1×10 9皮秒，脈衝頻率為0.1～10000 Hz，照射脈衝數為1～30,000,000。
光罩使用以特定間距形成有特定尺寸之窗之排列之圖案，使得作為施體基板之各向異性導電接著層基板之各向異性導電接著層與石英玻璃之邊界面上之投影於縱120 μm間距及橫160 μm間距下成為縱30 μm×橫40 μm之雷射光之排列。
[轉印之評價] 對排列於裸玻璃上之各向異性導電接著層之單片之反應率進行測定，結果為17.4%。反應率係使用FT-IR根據各向異性導電接著層之單片中之環氧基之減少率而求出。即，藉由測定紅外線吸收光譜之914 cm -1之吸收而求出轉印前單片中之環氧基因雷射光之轉印而減少了多少。
圖10係表示排列於裸玻璃上之各向異性導電接著層之單片之金屬顯微鏡照片，圖11係圖10所示之金屬顯微鏡照片之放大照片。如圖10及圖11所示，確認到各向異性導電接著層之單片按光罩之圖案轉印至裸玻璃上。即，可知藉由雷射光之照射而可使各向異性導電接著層之單片高精度及高效率地轉印、排列，從而可謀求產距時間之縮短化。
以上，對本發明之實施形態進行了詳細敍述，但另一方面，若自與本發明不同之視點來表達，則為下述（1）～（29）及（U1）～（U18）。 （1）一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟： 轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印、排列於上述配線基板之特定位置；及 安裝步驟，其將發光元件安裝至排列於上述配線基板之特定位置之單片上。 （2）如（1）之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以1像素單位而排列。 （3）如（1）之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以構成1像素之次像素單位而排列。 （4）如（1）之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以複數像素為單位而排列。 （5）如（1）之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以上述發光元件之電極單位而排列。 （6）如（1）至（5）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，排列於上述配線基板之特定位置之單片間之距離為3 μm以上。 （7）如（1）至（6）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述轉印步驟後之單片之反應率為25%以下。 （8）如（1）至（7）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述雷射光之波長為180 nm～360 nm， 上述各向異性導電接著層包含：於波長180 nm～360 nm具有極大吸收波長之樹脂。 （9）如（1）至（8）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層含有導電粒子。 （10）如（1）至（9）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層係將上述導電粒子按序排列於面方向而構成。 （11）如（9）或（10）之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層之自設置有上述基材之側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域不存在上述導電粒子。 （12）如（9）至（11）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述導電粒子係由金屬被覆樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆樹脂無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子， 上述金屬之被覆厚度為0.15 μm以上。 （13）如（9）至（12）中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，構成上述導電粒子之金屬包含熔點為1400℃以上之金屬。 （14）一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟： 轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上； 再轉印步驟，其使轉印有上述單片之發光元件再轉印至上述配線基板上；及 安裝步驟，其經由上述單片而安裝排列於上述配線基板之特定位置之發光元件。 （15）如（14）之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以電極單位轉印至上述發光元件上。 （16）如（14）或（15）之顯示裝置之製造方法，其上述再轉印步驟中，使上述發光元件以構成1像素之次像素單位而轉印。 （17）一種附帶各向異性導電接著層之配線基板之製造方法，其包括以下步驟，即，使設置於基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至上述配線基板之特定位置。 （18）一種附帶各向異性導電接著層之發光元件之製造方法，其包括轉印步驟，該轉印步驟使設置於基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上。 （19）一種膜狀各向異性導電接著層，其用於以雷射剝離進行之轉印。 （20）如（19）之膜狀各向異性導電接著層，其含有導電粒子。 （21）如（20）之膜狀各向異性導電接著層，其中，於以上述雷射剝離進行轉印時自所設置之基材側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域不存在上述導電粒子。 （22）如（20）或（21）之膜狀各向異性導電接著層，其中，上述導電粒子係由金屬被覆樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆樹脂無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子， 上述金屬之被覆厚度為0.15 μm以上。 （23）如（20）至（22）中任一項之膜狀各向異性導電接著層，其中，構成上述導電粒子之金屬包含熔點為1400℃以上之金屬。 （24）如（20）至（23）中任一項之膜狀各向異性導電接著層，其中，構成上述導電粒子之金屬包含鎳、鈀或釕。 （25）一種基材，其積層有以雷射剝離進行之轉印中使用之各向異性導電接著層。 （26）一種應用，其係各向異性導電接著層對於雷射剝離轉印用各向異性導電接著層之應用。 （27）一種應用，其係各向異性導電接著層用於製造雷射剝離轉印用各向異性導電接著層之應用。 （28）一種應用，其係各向異性導電接著層用於製造積層有由雷射剝離進行之轉印中使用之各向異性導電接著層之基材之應用。 （29）一種應用，其係各向異性導電接著層對於雷射剝離之應用。 （U1）一種顯示裝置之製造系統，其具有： 轉印機構，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印、排列於上述配線基板之特定位置；及 安裝機構，其將發光元件安裝至排列於上述配線基板之特定位置之單片上。 （U2）如（U1）之顯示裝置之製造系統，其上述轉印機構中，使上述各向異性導電接著層之單片以1像素單位而排列。 （U3）如（U1）之顯示裝置之製造系統，其上述轉印機構中，使上述各向異性導電接著層之單片以構成1像素之次像素單位而排列。 （U4）如（U1）之顯示裝置之製造系統，其上述轉印機構中，使上述各向異性導電接著層之單片以複數像素單位而排列。 （U5）如（U1）之顯示裝置之製造系統，其上述轉印機構中，使上述各向異性導電接著層之單片以上述發光元件之電極單位而排列。 （U6）如（U1）至（U5）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，排列於上述配線基板之特定位置之單片間之距離為3 μm以上。 （U7）如（U1）至（U6）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，由上述轉印機構轉印後之單片之反應率為25%以下。 （U8）如（U1）至（U7）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，上述雷射光之波長為180 nm～360 nm， 上述各向異性導電接著層包含：於波長180 nm～360 nm具有極大吸收波長之樹脂。 （U9）如（U1）至（U8）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，上述各向異性導電接著層含有導電粒子。 （U10）如（U9）之顯示裝置之製造系統，其中，上述各向異性導電接著層係將上述導電粒子按序排列於面方向而構成。 （U11）如（U9）或（U10）之顯示裝置之製造系統，其中，上述各向異性導電接著層之自設置有上述基材之側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域不存在上述導電粒子。 （U12）如（U9）至（U11）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，上述導電粒子係由金屬被覆樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子， 上述金屬之被覆厚度為0.15 μm以上。 （U13）如（U9）至（U12）中任一項之顯示裝置之製造系統，其中，構成上述導電粒子之金屬包含熔點為1400℃以上之金屬。 （U14）一種顯示裝置之製造系統，其具有： 轉印機構，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上； 再轉印機構，其使轉印有上述單片之發光元件再轉印至上述配線基板上；及 安裝機構，其經由上述單片而安裝排列於上述配線基板之特定位置之發光元件。 （U15）如（U14）之顯示裝置之製造系統，其中，上述轉印機構中，使上述各向異性導電接著層之單片以電極單位轉印至上述發光元件上。 （U16）如（U14）或（U15）之顯示裝置之製造系統，其中，上述再轉印機構中，使上述發光元件以構成1像素之次像素單位而轉印。 （U17）一種附帶各向異性導電接著層之配線基板之製造系統，其具有以下機構，即，使設置於基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至上述配線基板之特定位置之機構。 （U18）一種附帶各向異性導電接著層之發光元件之製造系統，其具有轉印機構，該轉印機構使設置於基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上。
可將上述多個實施形態中之各構成要件進行細分，且將經細化之構成要件分別單獨地、或加以組合地導入至該等（1）～（29）及（U1）～（U18）。
10:基板 11:基材 12:各向異性導電接著層 12a:單片 13:導電粒子 20:配線基板 21:基材 22:第1電極 23:第2電極 30:發光元件 31,32:第1導電型電極 33:第2導電型電極 40:轉印基板 41:基材
[圖1]係示意性表示使設置於基材之各向異性導電接著層與配線基板對向之狀態之剖視圖。 [圖2]係示意性表示自基板側照射雷射光，將各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板之特定位置之狀態之剖視圖。 [圖3]係示意性表示使發光元件安裝至排列於配線基板之特定位置之單片上之狀態之剖視圖。 [圖4]係示意性表示自基板側照射雷射光，使各向異性導電接著層之單片轉印、排列於配線基板上之電極位置之狀態之剖視圖。 [圖5]係示意性表示使發光元件安裝於以電極單位排列於配線基板之單片上之狀態之剖視圖。 [圖6]係示意性表示使設置於基材之各向異性導電接著層、與排列於轉印基板之發光元件對向之狀態之剖視圖。 [圖7]係示意性表示設置於基材之各向異性導電接著層之剖視圖。 [圖8]係示意性表示自基材側照射雷射光，使各向異性導電接著層之單片轉印至排列於轉印基板之發光元件上之狀態之剖視圖。 [圖9]係示意性表示使轉印有單片之發光元件再轉印至配線基板上之狀態之剖視圖。 [圖10]係表示排列於裸玻璃上之各向異性導電接著層之單片之金屬顯微鏡照片。 [圖11]係圖4所示之金屬顯微鏡照片之放大照片。
10:各向異性導電接著層基板
11、21:基材
12:各向異性導電接著層
12a:單片
13:導電粒子
20:配線基板
22:第1電極
23:第2電極

Claims (18)

  1. 一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟： 轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印、排列於上述配線基板之特定位置；及 安裝步驟，其將發光元件安裝至排列於上述配線基板之特定位置之單片上。
  2. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以1像素單位而排列。
  3. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以構成1像素之次像素單位而排列。
  4. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以複數像素單位而排列。
  5. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以上述發光元件之電極單位而排列。
  6. 如請求項1至5中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，排列於上述配線基板之特定位置之單片間之距離為3 μm以上。
  7. 如請求項1至6中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述轉印步驟後之單片之反應率為25%以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述雷射光之波長為180 nm～360 nm， 上述各向異性導電接著層包含：於波長180 nm～360 nm具有極大吸收波長之樹脂。
  9. 如請求項1至8中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層含有導電粒子。
  10. 如請求項9之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層係將上述導電粒子按序排列於面方向而構成。
  11. 如請求項9或10之顯示裝置之製造方法，其中，上述各向異性導電接著層之自設置有上述基材之側之面沿厚度方向0～0.05 μm之區域不存在上述導電粒子。
  12. 如請求項9至11中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述導電粒子係由金屬被覆樹脂粒子之表面之金屬被覆樹脂粒子、或由金屬被覆無機粒子之表面之金屬被覆無機粒子， 上述金屬之被覆厚度為0.15 μm以上。
  13. 如請求項9至12中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，構成上述導電粒子之金屬包含熔點為1400℃以上之金屬。
  14. 一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟： 轉印步驟，其使設置於對雷射光具有穿透性之基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上； 再轉印步驟，其使轉印有上述單片之發光元件再轉印至上述配線基板上；及 安裝步驟，其經由上述單片而安裝排列於上述配線基板之特定位置之發光元件。
  15. 如請求項14之顯示裝置之製造方法，其上述轉印步驟中，使上述各向異性導電接著層之單片以電極單位轉印至上述發光元件上。
  16. 如請求項14或15之顯示裝置之製造方法，其上述再轉印步驟中，使上述發光元件以構成1像素之次像素單位而轉印。
  17. 一種附帶各向異性導電接著層之配線基板之製造方法，其具有以下步驟，即，使設置於基材之各向異性導電接著層與配線基板對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至上述配線基板之特定位置。
  18. 一種附帶各向異性導電接著層之發光元件之製造方法，其具有轉印步驟，該轉印步驟使設置於基材之各向異性導電接著層與排列於轉印基板之發光元件對向，自上述基材側照射雷射光而使上述各向異性導電接著層之單片轉印至排列於上述轉印基板之發光元件上。
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