CN102487116A - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN102487116A
CN102487116A CN2010105737711A CN201010573771A CN102487116A CN 102487116 A CN102487116 A CN 102487116A CN 2010105737711 A CN2010105737711 A CN 2010105737711A CN 201010573771 A CN201010573771 A CN 201010573771A CN 102487116 A CN102487116 A CN 102487116A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluorescence
blue light
fluorescence area
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105737711A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102487116B (zh
Inventor
张超雄
蔡明达
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN201010573771.1A priority Critical patent/CN102487116B/zh
Priority to US13/187,536 priority patent/US8436387B2/en
Publication of CN102487116A publication Critical patent/CN102487116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102487116B publication Critical patent/CN102487116B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光二极管,其包括基座、安装基座上的蓝光发光芯片、覆盖蓝光发光芯片的封装体、以及设置在该蓝光发光芯片出光面的荧光层。该荧光层包括一个位于该蓝光发光芯片的正上方的第一荧光区域以及环绕该第一荧光区域的第二荧光区域。第一荧光区域内包括红色荧光粉和绿色荧光粉,该第二荧光区域内包括黄色荧光粉。

Description

发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,尤其涉及一种白光发光二极管。
背景技术
现有的发光二极管,为了发出白光,一般在发光芯片的出光面设置荧光粉。并且,一般地,为了得到较好的演色性,在蓝光发光芯片的出光面设置红色荧光粉和绿色荧光粉,但由于红色荧光粉和绿色荧光粉的光转换效率较低,因此,最终得到的白光强度较弱。当然,为了得到较强的光强度,一般在发光芯片的出光面设置黄色荧光粉。但黄色荧光粉吸收蓝光并将其转换成的白光的演色性较差。为了同时达到演色性好,且出光强度较强,一般将红色荧光粉、绿色荧光粉以及黄色荧光粉均设置在发光芯片出光侧,但由于发光芯片出光侧的出光不均匀,最终导致出光不均匀。因此,上述得到白光的混光方法在使用上均受到一定限制。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种出光均匀的发光二极管。
一种发光二极管,其包括基座、安装基座上的蓝光发光芯片、覆盖蓝光发光芯片的封装体、以及设置在该蓝光发光芯片出光面的荧光层。该荧光层包括一个位于该蓝光发光芯片的正上方的第一荧光区域以及环绕该第一荧光区域的第二荧光区域。第一荧光区域内包括红色荧光粉和绿色荧光粉,该第二荧光区域内包括黄色荧光粉。
一种发光二极管,其包括基座、安装基座上的蓝光发光芯片、覆盖蓝光发光芯片的封装体、以及设置在该蓝光发光芯片的出光面设置的荧光层。该荧光层包括一个第一荧光区域以及一个第二荧光区域。第一荧光区域内包括红色荧光粉和绿色荧光粉。该第二荧光区域内包括黄色荧光粉。所述蓝光发光芯片照射在该第一荧光区域的光线的光强大于照射在第二荧光区域的光线的光强。
所述发光二极管包括的该蓝光发光芯片的出光强度从中间到两侧逐渐减弱,该蓝光发光芯片点亮,该红色荧光粉和绿色荧光粉吸收该蓝光发光芯片发出的中间区域的光强度较强的光,并将其转化为白光;而该黄色荧光粉吸收该蓝光发光芯片发出的周边区域的光强度较弱的光,并将其转化成白光。由于红色荧光粉和绿色荧光粉吸收蓝光并将其转化成白光的效率比黄色荧光粉差,因此,该第一荧光区域与该第二荧光区域的光转换效率基本相同,所以,该发光二极管发出的白光均匀。
附图说明
图1是本发明实施例提供的发光二极管的示意图。主要元件符号说明
发光二极管              100
基座                    10
基底                    11
反射杯                  12
第一引脚                20
第二引脚                30
接线段                  22、32
接触段                  24、34
连接段                  26、36
蓝光发光芯片            40
金线                    42
封装体                  50
荧光层                  60
第一荧光区域            61
第二荧光区域            62
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
请参阅图1,示出了本发明一实施例的发光二极管100。该发光二极管100包括基座10、分别固定于基座10相对两端的第一引脚20及第二引脚30、安装于第一引脚20上的蓝光发光芯片40、覆盖蓝光发光芯片40的封装体50,以及设置在该封装体50上且位于远离该蓝光发光芯片40一侧的荧光层60。
上述基座10包括基底11及形成基底11上的反射杯12。所述反射杯12呈环状,其中部形成一凹陷部(未标示)。所述第一引脚20及第二引脚30均由金属材料制成,并弯折成U型,分别穿置于基座10的基底11的相对两端。第一引脚20与第二引脚30相互隔开以避免短路。第一引脚20及第二引脚30均包括位于基底11底面的接触段24、34、位于基底11顶面且暴露于凹陷部内的接线段22、32及连接接触段24、34及接线段22、32的连接段26、36。该接触段24、34用于与外部的电路(图未示)连接以将电能输入进发光二极管内。该接线段22、32用于与蓝光发光芯片40电连接,以驱动蓝光发光芯片40发光。该接线段22、32平行于接触段24、34且垂直于连接段26、36。所述基座10可以由LCP(Liquid Crystal Polymer,即液晶高分子)材料一体制成,也可以为不同材料分开制造,比如所述基座10的反射杯12由LCP材料制成,而基底11为硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外,在制作中,所述LCP材料中可以混入塑胶(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高挥发性溶液。
上述蓝光发光芯片40容置于所述基座10的反射杯12内,并固定于第一引脚20的接线段22表面上,其是由氮化镓、氮化铟镓等半导体化合材料所制成。所述蓝光发光芯片40在通电之后可发射出蓝光。该蓝光发光芯片40的两个电极通过二金线42分别连接至第一引脚20及第二引脚30的接线段22、32以实现电性导通。当然,蓝光发光芯片40也可采用倒装(flip-chip)的方式直接固定于第一引脚20及第二引脚30的接线段22、32表面,而无需使用金线42。
上述封装体50填满反射杯12的凹陷部内以保护位于凹陷部内的蓝光发光芯片40。封装体50由聚碳酸酯或者聚甲基丙烯酸甲酯等透明材料所制成。
所述荧光层60设置在该封装体50的远离该蓝光发光芯片40的一侧。该荧光层60包括一个该蓝光发光芯片40的第一荧光区域61以及环绕该第一荧光区域61的第二荧光区域62。在本实施例中,该第一荧光区域61位于该荧光层60的中心处,且位于该蓝光发光芯片40的正上方。该第一荧光区域61为圆盘形,该第二荧光区域62为圆环形。
该第一荧光区域61内包括红色荧光粉和绿色荧光粉,该第二荧光区域62内包括黄色荧光粉。在本实施例中,该红色荧光粉和绿色荧光粉均匀分布在该第一荧光区域61内。该黄色荧光粉均匀分布在该第二荧光区域62内。该红色荧光粉为氮化物、硫化物或硅酸盐。该绿色荧光粉为氮氧化物、硫化物或硅酸盐。该黄色荧光粉为石榴石的化合物或硅酸盐。
该蓝光发光芯片40的出光强度从中间到两侧逐渐减弱,该蓝光发光芯片40点亮,该红色荧光粉和绿色荧光粉吸收该蓝光发光芯片40发出的中间区域的光强度较强的光,并将其转化为白光;而该黄色荧光粉吸收该蓝光发光芯片40发出的周边区域的光强度较弱的光,并将其转化成白光。由于红色荧光粉和绿色荧光粉吸收蓝光并将其转化成白光的效率比黄色荧光粉差,因此,该第一荧光区域61与该第二荧光区域62的光转换效率基本相同,所以,该发光二极管100发出的白光均匀。
可以理解的是,本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化,只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管,包括基座、安装基座上的蓝光发光芯片、及覆盖蓝光发光芯片的封装体,其特征在于:该蓝光发光芯片的出光面设置有一个荧光层,该荧光层包括一个位于该蓝光发光芯片的正上方的第一荧光区域以及环绕该第一荧光区域的第二荧光区域,第一荧光区域内包括红色荧光粉和绿色荧光粉,该第二荧光区域内包括黄色荧光粉。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该红色荧光粉为氮化物、硫化物或硅酸盐。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该绿色荧光粉为氮氧化物、硫化物或硅酸盐。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该黄色荧光粉为石榴石的化合物或硅酸盐。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该第一荧光区域为圆盘形,该第二荧光区域为圆环形。
6.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述荧光层设置在该封装体的远离该蓝光发光芯片的一侧。
7.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述基座包括基底及形成于该基底上的环状反射杯,所述蓝光发光芯片设置于基底的表面上,所述反射杯的内侧壁面围绕该蓝光发光芯片设置。
8.一种发光二极管,包括基座、安装基座上的蓝光发光芯片、及覆盖蓝光发光芯片的封装体,其特征在于:该蓝光发光芯片的出光面设置有一个荧光层,该荧光层包括一个第一荧光区域以及一个第二荧光区域,第一荧光区域内包括红色荧光粉和绿色荧光粉,该第二荧光区域内包括黄色荧光粉,所述蓝光发光芯片照射在该第一荧光区域的光线的光强大于照射在第二荧光区域的光线的光强。
9.如权利要求8所述的发光二极管,其特征在于,该第一荧光区域该蓝光发光芯片的正上方,所述第二荧光区域环绕该第一荧光区域。
10.如权利要求8所述的发光二极管,其特征在于,该第一荧光区域为圆盘形,该第二荧光区域为圆环形。
CN201010573771.1A 2010-12-03 2010-12-03 发光二极管 Expired - Fee Related CN102487116B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010573771.1A CN102487116B (zh) 2010-12-03 2010-12-03 发光二极管
US13/187,536 US8436387B2 (en) 2010-12-03 2011-07-21 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010573771.1A CN102487116B (zh) 2010-12-03 2010-12-03 发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102487116A true CN102487116A (zh) 2012-06-06
CN102487116B CN102487116B (zh) 2014-11-05

Family

ID=46152586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010573771.1A Expired - Fee Related CN102487116B (zh) 2010-12-03 2010-12-03 发光二极管

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8436387B2 (zh)
CN (1) CN102487116B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116594224A (zh) * 2023-05-26 2023-08-15 惠科股份有限公司 背光模组及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101686572B1 (ko) * 2011-10-21 2016-12-15 삼성전자 주식회사 발광 소자
DE102012222475A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Gmbh Leuchtdiode aufweisend mehrere leuchtstoffbereiche
JP2016076634A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ledパッケージ、バックライトユニット及び液晶表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1542991A (zh) * 2003-04-30 2004-11-03 三星电子株式会社 具有荧光多层结构的发光二极管装置
US20090140633A1 (en) * 2005-11-04 2009-06-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US20100148200A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-17 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode with light conversion

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200926454A (en) * 2007-08-03 2009-06-16 Panasonic Corp Light-emitting device
JP5226774B2 (ja) * 2009-07-27 2013-07-03 株式会社東芝 発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1542991A (zh) * 2003-04-30 2004-11-03 三星电子株式会社 具有荧光多层结构的发光二极管装置
US20090140633A1 (en) * 2005-11-04 2009-06-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US20100148200A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-17 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode with light conversion

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116594224A (zh) * 2023-05-26 2023-08-15 惠科股份有限公司 背光模组及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8436387B2 (en) 2013-05-07
US20120138983A1 (en) 2012-06-07
CN102487116B (zh) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100576535C (zh) 发光器件和使用所述发光器件的照明装置
CN101794855B (zh) 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
KR100930171B1 (ko) 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US7176612B2 (en) LED device and portable telephone, digital camera and LCD apparatus using the same
US20110266574A1 (en) Led package
CN101487581A (zh) 发光二极管光源模组
JP5895597B2 (ja) 発光装置
JP5895598B2 (ja) 発光装置
JP2010508669A (ja) 発光装置
CN102017206A (zh) 白光发射设备、背光灯、液晶显示设备、以及照明设备
JP4771800B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US9006007B2 (en) Method for producing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly
CN101123286A (zh) 发光二极管封装结构和方法
CN103137844A (zh) 半导体发光装置
CN101567366A (zh) 发光二极管
TWI565103B (zh) 發光二極體封裝結構
JP2009193995A (ja) Led光源およびその色度調整方法
CN102487116B (zh) 发光二极管
CN101338879A (zh) 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法
JP2005332951A (ja) 発光装置
US20110186975A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2007220737A (ja) 発光装置
TW201505217A (zh) 發光二極體封裝結構與發光二極體燈泡
JP6777105B2 (ja) 発光装置の製造方法
TW200952210A (en) Light emitting diode

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20141105

Termination date: 20151203

EXPY Termination of patent right or utility model