JP6255884B2 - 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法 - Google Patents

光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6255884B2
JP6255884B2 JP2013215609A JP2013215609A JP6255884B2 JP 6255884 B2 JP6255884 B2 JP 6255884B2 JP 2013215609 A JP2013215609 A JP 2013215609A JP 2013215609 A JP2013215609 A JP 2013215609A JP 6255884 B2 JP6255884 B2 JP 6255884B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal portion
optical semiconductor
semiconductor device
thin film
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013215609A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015079835A (ja
Inventor
大蔵 橋本
大蔵 橋本
川合　研三郎
研三郎 川合
甚 西山
甚 西山
和範 小田
小田　　和範
直之 打矢
直之 打矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2013215609A priority Critical patent/JP6255884B2/ja
Publication of JP2015079835A publication Critical patent/JP2015079835A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6255884B2 publication Critical patent/JP6255884B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body

Description

本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、動画照明補助光源、その他の一般的民生用光源などに用いられる光半導体装置及びそれに適したリードフレーム並びにそれらの製造方法に関する。
発光素子を用いた表面実装型発光装置は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、この発光素子は半導体素子であるため球切れなどの心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）などの発光素子を用いる光半導体装置は、各種の光源として利用されている。
従来の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームは、電極部を構成するメタルサブストレート上に射出成型にて熱硬化性樹脂を成形し、当該成形樹脂を発光素子からのリフレクタ部（光反射板）として用いる構造が主流となっている（特許文献１等参照）。
しかしながら、上述のような構成においては、リフレクタ部とメタルサブストレート、すなわち電極部との間に結合界面が存在することから、当該結合界面から水分等がリフレクタ部に浸透し、当該リフレクタ部を腐食させてしまう場合がある。したがって、リフレクタ部から発光された全光束が低下してしまうという問題がある。
また、リフレクタ部を射出成型によって形成しているため、リフレクタ部の位置合わせや小型化が困難であるという問題もあった。
特開２００６−１５６７０４号
本発明は、簡易な方法で、本来的に高い反射率を有するとともに、リフレクタ部及び電極部間の結合界面からの水分等の浸透を抑制し、リフレクタ部の腐食を抑制して、当該リフレクタ部の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能であり、さらに小型の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームを提供することを目的とする。
上記目的を達成すべく、本発明は、
一面側に素子載置部を有する第１の端子部と、
前記第１の端子部から離間して位置する第２の端子部と、
前記第１の端子部の前記一面上に前記素子載置部を囲むように設けられ、絶縁体である壁部と該壁部の前記素子載置部側の面である反射面に設けられた金属薄膜層とを有するリフレクタ部と、
前記素子載置部上に配置され、前記金属薄膜層及び前記第２の端子部に電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子及び前記金属薄膜層を覆うように設けられた封止樹脂と、を有し、
前記第２の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第２の端子部とが接続され、
前記金属薄膜層は、前記素子載置部と前記反射面との界面を覆うように設けられていることを特徴とする、光半導体装置に関する。
また、本発明は、
一面側に素子載置部を有する第１の端子部と、
前記第１の端子部から離間して位置する第２の端子部と、
前記第１の端子部の前記一面上に前記素子載置部を囲むように設けられ、絶縁体である壁部と該壁部の前記素子載置部側の面である反射面に設けられた金属薄膜層とを有するリフレクタ部と、を有し、
前記第２の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第２の端子部とが接続され、
前記金属薄膜層は、前記素子載置部と前記反射面との界面を覆うように設けられていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームに関する。
本発明の光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームによれば、リフレクタ部の、絶縁体である壁部の第１の電極部における素子載置部側の面である反射面に設けられた金属薄膜層が、第１の端子部の素子載置部と、リフレクタ部の反射面との界面を覆うように設けられている。すなわち、リフレクタ部及び電極部間の結合界面に金属薄膜層が形成されているため、当該金属薄膜層によって、リフレクタ部への結合界面からの水分等の浸透を抑制することができ、リフレクタ部の腐食を抑制して、当該リフレクタ部の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部の反射面には、上記金属薄膜層が配設されているので、上述したようなリフレクタ部の腐食の抑制の作用効果とも相伴って、上記金属薄膜層に起因した高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部の反射面には金属薄膜層が形成されているので、発光素子からの熱を電極部の表面のみでなく、当該金属薄膜層からも放熱することができ、すなわち、リフレクタ部からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や光半導体装置の封止樹脂の溶解等を防止することができる。
さらに、本発明の光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置によれば、第２の端子部側の壁部が第１の端子部と第２の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部と第２の端子部とが接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能という作用効果を得ることができる。
本発明の一態様においては、第２の端子部から壁部の反射面ではない面に至るまで第２の金属薄膜層が設けられ、発光素子と第２の端子部とは、第２の金属薄膜層を介して電気的に接続されているようにすることができる。これによって、この場合、発光素子と第２の端子部とを接続するための端子部（ワイヤー等）の長さを短くすることができる。
また、本発明の一態様においては、壁部は、第２の端子部側の高さが、第２の端子部側ではない側の高さよりも低くすることができる。これによって、例えば封止樹脂によって発光素子及び金属薄膜層を覆うとともに、第２の端子部を覆う場合において、封止樹脂の一部が上記第２の端子側の壁部に堆積しても、当該堆積部分の高さを低減することができる。したがって、光半導体装置の高さを低減することができ、当該光半導体装置の小型化を図ることができる。
さらに、本発明の一態様においては、第１の端子部は一面側に銅面を有し、金属薄膜層は反射面側より順に積層された銅薄膜層と銀薄膜層とを有することができる。これによって、発光素子が発した光が銀薄膜層で反射されるようになるため発光効率が高くなる。また、第１の端子部と金属薄膜層とが同一の成分を含んで強固に結合するようになるので、たとえ素子載置部と反射面との界面に腐食性ガスや水分が浸透したとしても、反射面の表面（銅薄膜層）には達しにくくなる。したがって、リフレクタ部の腐食をより効果的に抑制することができる。
また、本発明の一態様においては、上記金属薄膜層は、反射面の全面に設けることができる。この場合、端子部側から界面を伝わって腐食性ガスや水分が浸透しても、壁部の上部に至るまで当該腐食性ガス等の出口が存在しないため、これら腐食性ガス等が金属薄膜層の、反射面と相対する側の面、すなわち発光素子からの光を反射する側の面に到達しにくくなる。したがって、リフレクタ部の腐食をより効果的に抑制することができる。
さらに、本発明の一態様においては、第１の端子部の第２の端子部側ではない側において、第１の端子部から離間して位置する第３の端子部を有し、第３の端子部側の壁部が第１の端子部と第３の端子部の間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部と第３の端子部とが接続され、発光素子は、金属薄膜層に電気的に接続するのに代えて、第３の端子部に電気的に接続されているようにすることができる。これによって、発光素子と端子部との電気的接続を反射面の外側で行うことができるので、電気的に接続に必要な領域を反射面に設ける必要がない。このため、反射効率を向上させることができる。また、素子載置部をコンパクト化できるので、発光素子と反射面との距離を短くすることができ、上記反射効率をさらに向上させることができる。
なお、上述の光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置は、任意の製造方法によって製造することができるが、好ましくは以下の製造方法によって得ることができる。
すなわち、
光半導体装置の製造方法は、
金属層と該金属層の一面上に積層された絶縁層とを有する積層体を準備する第１の工程と、
前記絶縁層上にマスクを設けて前記絶縁層のエッチング処理を行うことにより、前記一面に素子載置部を囲むように設けられた壁部を形成する第２の工程と、
前記素子載置部及び前記壁部に対してめっき処理を行って、前記素子載置部と前記壁部の前記素子載置部側の面である反射面との界面を覆う金属薄膜層を形成することにより、前記壁部と前記金属薄膜層とを有するリフレクタ部を形成する第３の工程と、
前記金属層上にマスクを設けて前記金属層のエッチング処理を行うことにより、第１の端子部と、前記第１の端子部から離間して位置し、前記壁部によって前記第１の端子部と接続された第２の端子部とを形成する第４の工程と、
前記素子載置部に発光素子を実装する第５の工程と、
前記素子載置部に樹脂を充填して、前記発光素子と前記金属薄膜層を封止する第６の工程と、
を有することを特徴とする。
また、光半導体装置用リードフレームの製造方法は、
金属層と該金属層の一面上に積層された絶縁層とを有する積層体を準備する第１の工程と、
前記絶縁層上にマスクを設けて前記絶縁層のエッチング処理を行うことにより、前記一面に素子載置部を囲むように設けられた壁部を形成する第２の工程と、
前記素子載置部及び前記壁部に対してめっき処理を行って、前記素子載置部と前記壁部の前記素子載置部側の面である反射面との界面を覆う金属薄膜層を形成することにより、前記壁部と前記金属薄膜層とを有するリフレクタ部を形成する第３の工程と、
前記金属層上にマスクを設けて前記金属層のエッチング処理を行うことにより、第１の端子部と、前記第１の端子部から離間して位置し、前記壁部によって前記第１の端子部と接続された第２の端子部とを形成する第４の工程と、
を有することを特徴とする。
以上、本発明によれば、簡易な方法で、本来的に高い反射率を有するとともに、リフレクタ部及び電極部間の結合界面からの水分等の浸透を抑制し、リフレクタ部の腐食を抑制して、当該リフレクタ部の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能であり、さらに小型の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームを提供することができる。
実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態におけるマルチチップ化された光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図である。 図２１に示す光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図である。 図２１に示す光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 実施形態におけるマルチチップ化された光半導体装置の概略構成を示す上平面図である。 図２４に示す光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。 図２４に示す光半導体装置の概略構成を示すII−II線に沿った断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施形態におけるマルチチップ化された光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図である。 図３８に示す光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図である。 図３８に示す光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すIII−III線に沿った断面図である。 実施形態におけるマルチチップ化された光半導体装置の概略構成を示す上平面図である。 図４１に示す光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。 図４２に示す光半導体装置の概略構成を示すIV−IV線に沿った断面図である。 実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における光半導体装置のその他の例の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置のその他の例の概略構成を示す上平面図である。 実施形態における光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す下平面図である。 実施形態における多面製造型の光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す断面図である。 図５０に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレームをＶ−Ｖ線間で個片化した場合の概略構成を示す断面図である。 実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図である。 図５２に示す光半導体装置の概略構成を示す上平面図である。 図５２に示す光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図であり、図２は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図であり、図３は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図である。
図１〜図３に示すように、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０は、一面側に素子載置部１１Ａを有する第１の端子部１１と、第１の端子部１１から離間して位置する第２の端子部１２とを有している。また、第１の端子部１１の素子載置部１１Ａを囲むように設けられ、絶縁体からなり、第２の端子部１２から離間して配設された第１の壁部１３１及び第２の端子部１２側の第２の壁部１３２と、第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２において、素子載置部１１Ａ側の面である反射面１３１Ａ，１３２Ａに設けられた金属薄膜層１３３とを有するリフレクタ部１３を有している。
また、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられており、第２の壁部１３２によって、第１の端子部１１と第２の端子部１２とが接続されている。さらに、金属薄膜層１３３は、素子載置部１１Ａと反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられている。
さらに、図１及び２に示すように、本実施形態において、第２の端子部１２上には、第２の壁部１３２が位置するとともに、これと対向するようにして、絶縁体からなる第３の壁部１６が位置し、第２の壁部１３２及び第３の壁部１６で形成される空間には、第２の端子部１２の上面の一部１２Ａが露出している。また、第２の壁部１３２及び第３の壁部１６の対向する側の面には、第２の金属薄膜層１７が配設されている。第２の金属薄膜層１７は、反射面１３２Ａまで至ることなく、第２の壁部１３２の上面まで延在している。
なお、第２の端子部１２側がこのような構成を採るのは、後に搭載する発光素子と第２の端子部とを接続するための端子部（ワイヤー等）の長さを短くするためである。
本実施形態では、金属薄膜層１３３が第１の端子部１１における素子載置部１１Ａと、リフレクタ部１３における反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられている。したがって、金属薄膜層１３３によって、リフレクタ部１３への界面ＩＳからの水分等の浸透を抑制することができ、リフレクタ部１３の腐食を抑制して、リフレクタ部１３の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ，１３２Ａには、金属薄膜層１３３が配設されているので、上述したようなリフレクタ部１３の腐食の抑制の作用効果とも相伴って、金属薄膜層１３３に起因した高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ及び１３２Ａには金属薄膜層１３３が形成されているので、後に形成する発光素子からの熱を第１の電極部１１の表面のみでなく、金属薄膜層１３３からも放熱することができ、すなわち、リフレクタ部１３からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や光半導体装置の封止樹脂の溶解等を防止することができる。
さらに、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０においては、第１の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１と第２の端子部１２とが接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能という作用効果を得ることができる。
また、図１及び図２等に示すように、金属薄膜層１３３は、反射面１３１Ａ，１３２Ａの全面に設けている。したがって、たとえ第１の端子部１１側から界面ＩＳを伝わって腐食性ガスや水分が浸透しても、第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２の上部に至るまで当該腐食性ガス等の出口が存在しないため、これら腐食性ガス等が金属薄膜層１３３の、反射面１３１Ａ、１３２Ａと相対する側の面、後に搭載する発光素子からの光を反射する側の面（表面）に到達しにくくなる。したがって、リフレクタ部１３の腐食をより効果的に抑制することができる。
第１の壁部１３１、第２の壁部１３２、さらには第３の壁部１６を構成する絶縁体は、以下に説明する製造方法を考慮した場合においてエッチング可能であることが好ましく、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び、アクリレート樹脂等から構成することができるが、耐熱性を考慮してポリイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、本実施形態におけるエッチングとは、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものである。例えば、絶縁部材をポリイミド樹脂から構成した場合、ウエットエッチングの場合はヒドラジン系アルカリ液等のエッチング液を用いることができ、ドライエッチングの場合は、酸素等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
金属薄膜層１３３、第２の金属薄膜層１７、第１の端子部１１及び第２の端子部１２は、以下に説明する製造方法を考慮した場合において、エッチング可能であることが好ましく、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等から構成することができる。この場合のエッチングも、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものである。例えば、第１の金属部材及び第２の金属部材をＣｕから構成した場合、ウエットエッチングの場合は塩化第二鉄溶液等のエッチング液を用いることができる。また、第１の金属部材及び第２の金属部材をＡｌから構成した場合、ドライエッチングの場合は、塩素系ガス等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
上記絶縁体をエッチング可能なものとし、上記金属薄膜層１３３等をエッチング可能なものとすることにより、以下に説明する光半導体装置用リードフレームの製造方法において、リフレクタ部１３をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易にリフレクタ部１３を形成することができる。
また、上記エッチング法によってリフレクタ部１３を形成することができるので、リフレクタ部１３を構成する第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２の厚みを調節することによって、リフレクタ部１３の厚みを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部１３の厚みの低減が可能となる。したがって、光半導体装置用リードフレーム１０の薄型化も可能となる。
（第２の実施形態）
図４は、本実施形態における光半導体装置リードフレームの概略構成を示す断面図であり、図５は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図６は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０は、図４〜図６に示すように、図１〜図３に係る第１の実施形態の半導体装置用リードフレーム１０において、金属薄膜層１３３を第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２それぞれの反射面１３１Ａ及び１３２Ａより順に積層された銅薄膜層１３３−１と銀薄膜層１３３−２とから構成するようにし、第１の端子部１１において、素子載置部１１Ａが形成されている面側が銀面となっている点で相違し、その他の構成要素については同様である。したがって、以下では、上記相違点を中心に本実施形態の特徴について説明する。
なお、図１〜図３に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同一の符号を用いている。
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０においては、上記構成に基づき、後に搭載する発光素子が発した光が銀薄膜層で反射されるようになるため発光効率が高くなる。また、第１の端子部１１と銅薄膜層１３３−１とが同一の成分を含んで強固に結合するようになるので、たとえ素子載置部１３Ａと反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳに腐食性ガスや水分が浸透したとしても、反射面１３１Ａ，１３２Ａの表面（銅薄膜層）には達しにくくなる。したがって、リフレクタ部の腐食をより効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態では、図４〜図６に示すように、第２の端子部１２の上部に配設された第２の金属薄膜層１７も、金属薄膜層１３３と同様に、第２の壁部１３２及び第３の壁部１６の壁面上に順次に形成された第２の銅薄膜層１７−１及び第２の銀薄膜層１７−２を有するように構成されている。第２の端子部１２側がこのような構成を採るのは、後に搭載する発光素子と第２の端子部とを接続するための端子部（ワイヤー等）の長さを短くするためである。
その他の特徴及び構成については、第１の実施形態における光半導体装置用リードフレーム１０と同様であるので、本実施形態では記載を省略する。
また、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０も、金属薄膜層１３３が、銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２とから構成されていることを除き、第１の実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０と同様の構成を有するので、当該光半導体装置用リードフレーム１０と同様の作用効果を奏する。すなわち、金属薄膜層１３３の銅薄膜層１３３−１が、第１の端子部１１における素子載置部１１Ａと、リフレクタ部１３における反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられているので、金属薄膜層１３３によって、リフレクタ部１３への界面ＩＳからの水分等の浸透を抑制することができ、リフレクタ部１３の腐食を抑制することができる。そして、特に、第１の端子部１１の素子載置部１１Ａが形成されている面側が銀面となっているので、リフレクタ部１３の反射率を銅面等の場合に比較してより向上させることができ、より高い全光束値を得ることが可能となる。
（第３の実施形態）
図７は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図８は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図９は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
図７〜図９に示すように、本実施形態の光半導体装置３０は、図１〜図３に示す第１の実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０において、第１の端子部１１の素子搭載面１１Ａ上に発光素子３６が搭載され、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａが、素子搭載面１１Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の素子端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の第２の金属薄膜層１７に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６及びリフレクタ部１３が封止樹脂３９によって封止されていることを特徴とする。
発光素子３６は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたIII-V族半導体材料系のＬＥＤなどから構成することができる。
封止樹脂３９は、発光素子３６及びリフレクタ部１３を外部環境からの外力や埃、水分などから保護できるものであれば特に限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等から構成することができる、耐熱性を考慮してポリイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。
本実施形態の光半導体装置３０は、図１〜図３に示す光半導体装置用リードフレーム１０の第１の端子部１１の素子載置部１１Ａに発光素子３６が搭載され、ワイヤ３７，３８で電気的に接続され、さらに発光素子３６が封止樹脂３９で封止されていることを除いて、上記光半導体装置用リードフレーム１０と同様の構成を有する。したがって、本実施形態の光半導体装置３０は、上記光半導体装置用リードフレーム１０と同様の作用効果を奏する。
具体的には、本実施形態の光半導体装置３０では、金属薄膜層１３３が第１の端子部１１における素子載置部１１Ａと、リフレクタ部１３における反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられている。したがって、金属薄膜層１３３によって、リフレクタ部１３への界面ＩＳからの水分等の浸透を抑制することができ、リフレクタ部１３の腐食を抑制して、リフレクタ部１３の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ，１３２Ａには、金属薄膜層１３３が配設されているので、上述したようなリフレクタ部１３の腐食の抑制の作用効果とも相伴って、金属薄膜層１３３に起因した高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ及び１３２Ａには金属薄膜層１３３が形成されているので、発光素子３６からの熱を第１の電極部１１の表面のみでなく、金属薄膜層１３３からも放熱させることができ、すなわち、リフレクタ部１３からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子３６の、上記発熱に伴う誤動作や光半導体装置の封止樹脂の溶解等を防止することができる。
さらに、本実施形態の光半導体装置３０においては、第１の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１と第２の端子部１２とが接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能という作用効果を得ることができる。
また、図７及び図８等に示すように、金属薄膜層１３３は、反射面１３１Ａ，１３２Ａの全面に設けているので、第１の端子部１１側から界面ＩＳを伝わって腐食性ガスや水分が浸透しても、第１の壁部１３１、第２の壁部１３２の上部に至るまで当該腐食性ガス等の出口が存在しないため、これら腐食性ガス等が金属薄膜層１３３の、反射面１３１Ａ，１３２Ａと相対する側の面、すなわち発光素子３６からの光を反射する側の面（表面）に到達しにくくなる。したがって、リフレクタ部１３の腐食をより効果的に抑制することができる。
上記第１の壁部１３１等を構成する絶縁体をエッチング可能なものとし、上記金属薄膜層１３３等をエッチング可能なものとすることにより、以下に説明する光半導体装置の製造方法において、リフレクタ部１３をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易にリフレクタ部１３を形成することができる。
また、上記エッチング法によってリフレクタ部１３を形成することができるので、リフレクタ部１３を構成する第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２の厚みを調節することによって、リフレクタ部１３の厚みを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部１３の厚みの低減が可能となる。したがって、光半導体装置３０の薄型化も可能となる。
また、第２の端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の第２の金属薄膜層１７に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）されているので、ワイヤ３８の長さを短くすることができる。
（第４の実施形態）
図１０は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図１１は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図１２は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
図１０〜図１２に示すように、本実施形態の光半導体装置４０は、図４〜図６に示す第２の実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０において、第１の端子部１１の素子搭載面１１Ａ上に発光素子３６が搭載され、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａが、素子搭載面１１Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の素子端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の銀薄膜層１７−２に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６及びリフレクタ部１３が封止樹脂３９によって封止されていることを特徴とする。
本実施形態の光半導体装置４０は、図４〜図６に示す光半導体装置用リードフレーム２０の第１の端子部１１の素子載置部１１Ａに発光素子３６が搭載され、ワイヤ３７，３８で電気的に接続され、さらに発光素子３６が封止樹脂３９で封止されていることを除いて、上記光半導体装置用リードフレーム２０と同様の構成を有する。したがって、本実施形態の光半導体装置４０は、上記光半導体装置用リードフレーム２０と同様の作用効果を奏する。
具体的に、金属薄膜層１３３を第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２それぞれの反射面１３１Ａ及び１３２Ａより順に積層された銅薄膜層１３３−１と銀薄膜層１３３−２とから構成するようにし、第１の端子部１１において、素子載置部１１Ａが形成されている面側が銀面となっているので、発光素子３６が発した光が銀薄膜層１３３−１で反射されるようになるため銅面等の場合に比較して発光効率が高くなる。また、第１の端子部１１と銅箔膜層１３３−１とが同一の成分を含んで強固に結合するようになるので、たとえ素子載置部１３Ａと反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳに腐食性ガスや水分が浸透したとしても、反射面１３１Ａ，１３２Ａの表面（銅薄膜層）には達しにくくなる。したがって、リフレクタ部１３の腐食をより効果的に抑制することができる。
その他の特徴及び構成については、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレーム２０と同様であるので、本実施形態では記載を省略する。
また、本実施形態の光半導体装置４０も、金属薄膜層１３３を第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２それぞれの反射面１３１Ａ及び１３２Ａより順に積層された銅薄膜層１３３−１と銀薄膜層１３３−２とから構成するようにし、第１の端子部１１において、素子載置部１１Ａが形成されている面側が銀面となっていることを除き、第３の実施形態の光半導体装置３０と同様の構成を有するので、第３の実施形態で述べた光半導体装置３０と同様の特徴を有し、同様の作用効果を奏する。
（第５の実施形態）
図１３〜図２０は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法及び光半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
なお、図１３〜図１８は、第１の実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法に関する工程図であり、図１３〜図１９は、第３の実施形態における光半導体装置の製造に関する工程図である。また、図１３〜図１８及び図２０は、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法に関する工程図であり、図１３〜図２０は、第４の実施形態における光半導体装置の製造に関する工程図である。
最初に、図１３に示すように、金属層１１Ｘと金属層の１１Ｘの一面上に絶縁層１３Ｘを積層して積層体１０Ｘを準備する。なお、金属層１１Ｘは、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等のエッチング可能な金属から構成することができる。また、絶縁層１３Ｘは、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び、アクリレート樹脂等のエッチング可能な絶縁体から構成することができる。
また、第１の金属層１１Ｘの厚さは、後に形成する第１の端子部１１及び第２の端子部１２とほぼ同一に設定し、絶縁層１３Ｘの厚さは、後に形成するリフレクタ部１３の第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２の厚さとほぼ同一に設定する。
次いで、図１４に示すように、積層体１０の表面、具体的には絶縁層１３Ｘの表面にマスク５１を形成して、積層体１０、具体的には絶縁層１３Ｘに対してエッチング処理を施し、図１５に示すように、金属層１１Ｘの一面に形成された素子載置部１１Ａを囲むように配設された、第１の壁部１３１、第２の壁部１３２、及び第３の壁部１６を形成する。
本実施形態におけるエッチングとは、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものであるが、絶縁層１３Ｘをポリイミド樹脂から構成した場合、ウエットエッチングの場合はヒドラジン系アルカリ液等のエッチング液を用いることができ、ドライエッチングの場合は、酸素等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
次いで、図１６に示すように、金属層１１Ｘの素子載置部１１Ａ及び第１の壁部１３１、第２の壁部１３２に対してめっき処理を行い、素子載置部１１Ａと第１の壁部１３１の反射面１３１Ａ及び第２の壁部１３２の反射面１３２Ａとの界面ＩＳを覆う金属薄膜層１３３を形成することにより、第１の壁部１３１、第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３とを有するリフレクタ部１３を形成する。なお、このとき、第３の壁部１６に対しても上記めっき処理が行われるので、第３の壁部１６上にも第２の金属薄膜層１７が金属薄膜層１３３と連続するようにして形成される。
次いで、図１７に示すように、金属層１１Ｘ上にマスク５２を設け、金属層１１Ｘのエッチング処理を行うことにより、図１８に示すように、第１の端子部１１と、第１の端子部１１から離間して位置し、第２の壁部１３２によって第１の端子部１１と接続された第２の端子部１２とを形成する。なお、このとき、金属薄膜層１３３及び第２の金属薄膜層１７上にもマスク５３を形成して上記エッチング処理を行うことにより、金属薄膜層１３３及び第２の金属薄膜層１７を分断する。
本実施形態におけるエッチングとは、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものであるが、例えば金属層１１ＸをＣｕから構成した場合、ウエットエッチングの場合は塩化第二鉄溶液等のエッチング液を用いることができる。また、第１の金属部材及び第２の金属部材をＡｌから構成した場合、ドライエッチングの場合は、塩素系ガス等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。以上の操作を経ることにより、第１の実施形態に関する光半導体装置用リードフレーム１０を得ることができる。
次いで、図１９に示すように、図１８で得た光半導体装置用リードフレーム１０において、第１の端子部１１の素子載置面１１Ａ上に発光素子３６を搭載するとともに、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａ及び第２の素子端子部３６Ｂを、それぞれワイヤ３７及び３８を介して素子搭載面１１Ａ及び第２の壁部１３２の上部における第２の金属薄膜層１７に電気的に接続（ワイヤボンディング）し、素子載置部１１Ａに封止樹脂３９を充填して、発光素子３６及び金属薄膜層１３３等を封止することにより、図７等に示すような光半導体装置３０を得る。
封止樹脂３９は、上述のように、例えばエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等から構成することができる。
また、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレーム２０を得るには、図１６〜図１８に示す工程において、金属薄膜層１３３等の代わりに銅薄膜層１３３−１をめっき処理によって形成し、図１８に示す工程の後に、図２０に示すように、銀薄膜層１３３−２を銅薄膜層１３３−１等上にめっき処理によって形成して、金属薄膜層１３３等を銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２等から構成する。
さらに、第４の実施形態における光半導体装置４０を得るには、図２０で得た光半導体装置用リードフレーム２０において、第１の端子部１１の素子載置面１１Ａ上に発光素子３６を搭載するとともに、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａ及び第２の素子端子部３６Ｂを、それぞれワイヤ３７及び３８を介して素子搭載面１１Ａ及び第２の壁部１３２の上部における第２の金属薄膜層１７に電気的に接続（ワイヤボンディング）し、素子載置部１１Ａに封止樹脂３９を充填する。
（第６の実施形態）
第１の実施形態から第５の実施形態においては、光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームが個片単体で得られる場合について説明したが、本実施形態では、光半導体装置用リードフレームがマルチチップ化された構成を有する場合について説明する。
図２１は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図であり、図２２は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図であり、図２３は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
図２１〜図２３に示すように、本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０においては、複数の光半導体装置用リードフレーム１０が図中ｙ方向に沿って並列に配列されている。また、これら複数の光半導体装置用リードフレーム１０は、第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用しており、当該金属薄膜層１３３が図中ｙ方向に沿って配設され、当該ｙ方向と垂直なｘ方向に延在した、絶縁体からなる壁部１３４によって分断されることにより、各光半導体装置用リードフレーム１０に属するリフレクタ部１３及び素子載置部１１Ａが画定されている。
本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０においても、当該リードフレーム１１０は、第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用した複数の光半導体装置用リードフレーム１０を含むので、当該リードフレーム１０の特徴及び作用効果を奏するようになる。
なお、光半導体装置用リードフレーム１０の特徴及び作用効果については第１の実施形態で述べた通りであるので、ここでは記載を省略する。
また、図２１〜図２３に示すマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０は、図１３〜図２０に示す個片単体の場合の製造方法において、マスク５１のパターンを壁部１３４のパターンと合致させることにより、上記同様の製造方法を経て得ることができる。
さらに、金属薄膜層１３３が銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２を有する場合は、例えば、図２３における金属薄膜層１３３が銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２の２層となることを除き、上記同様の構成を有する。
（第７の実施形態）
第１の実施形態から第５の実施形態においては、光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームが個片単体で得られる場合について説明したが、本実施形態では、光半導体装置がマルチチップ化された構成を有する場合について説明する。
図２４は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図２５は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図であり、図２６は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すII−II線に沿った断面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
図２４〜図２６に示すように、本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置１３０においては、図２１〜図２３に示す第６の実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０の、各光半導体装置用リードフレーム１０において、第１の端子部１１の素子搭載面１１Ａ上に発光素子３６が搭載され、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａが、素子搭載面１１Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の素子端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の第２の金属薄膜層１７に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６及びリフレクタ部１３が封止樹脂３９によって封止されていることを特徴とする。
本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置１３０においても、当該光半導体装置１３０は、第６の実施形態に関するマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０、すなわち第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用した複数の光半導体装置用リードフレーム１０を含むので、当該リードフレーム１０の特徴及び作用効果を奏するようになる。
なお、光半導体装置用リードフレーム１０の特徴及び作用効果については第１の実施形態で述べた通りであり、マルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム１１０のその他の特徴及び作用効果については第６の実施形態で述べた通りであるので、ここでは記載を省略する。
（第８の実施形態）
図２７は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図であり、図２８は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図であり、図２９は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図である。また、図３０は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図３１は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図３２は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム５０は、図２７〜図２９に示すように、図１〜図３に係る第１の実施形態の半導体装置用リードフレーム１０において、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２の高さが、第２の端子部１２側でない第１の壁部１３１の高さよりも低くなっている。
したがって、光半導体装置用リードフレーム１０の、第１の端子部１１の素子搭載面１１Ａ上に発光素子３６が搭載され、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａが、素子搭載面１１Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の素子端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の第２の金属薄膜層１７に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６及びリフレクタ部１３が封止樹脂３９によって封止されてなる、図３０〜図３２に示す光半導体装置６０において、封止樹脂３９が第２の壁部１３２上に堆積された場合においても、当該堆積部分の高さを低減することができる。したがって、光半導体装置６０の高さを低減することができ、当該光半導体装置６０の小型化を図ることができる。
なお、光半導体装置用リードフレーム５０及び光半導体装置用６０のその他特徴及び作用効果については第１の実施形態及び第３の実施形態で述べた通りであるので、ここでは記載を省略する。
また、金属薄膜層１３３が銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２を有する場合は、例えば、図２７における金属薄膜層１３３が銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２の２層となることを除き、上記同様の構成を有する。
（第９の実施形態）
図３３〜図３７は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法及び光半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
なお、図３３〜図３６は、第８の実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法に関する工程図であり、図３３〜図３７は、第８の実施形態における光半導体装置の製造に関する工程図である。
最初に、第５の実施形態で説明したように、金属層１１Ｘと金属層の１１Ｘの一面上に絶縁層１３Ｘを積層して積層体１０Ｘを準備し、積層体１０Ｘの表面、具体的には絶縁層１３Ｘの表面にマスク５１を形成して、積層体１０Ｘ、具体的には絶縁層１３Ｘに対してエッチング処理を施し、金属層１１Ｘの一面に形成された素子載置部１１Ａを囲むように配設された、第１の壁部１３１、第２の壁部１３２、及び第３の壁部１６を形成する（図１３〜図１５参照）。
次いで、図３３に示すように、第２の壁部１３２の上面に対してエッチング処理を行い、第２の壁部１３２の高さが、第１の壁部１３１及び第３の壁部１６の高さよりも低くなるようにする。
次いで、図３４に示すように、金属層１１Ｘの素子載置部１１Ａ及び第１の壁部１３１、第２の壁部１３２に対してめっき処理を行い、素子載置部１１Ａと第１の壁部１３１の反射面１３１Ａ及び第２の壁部１３２の反射面１３２Ａとの界面ＩＳを覆う金属薄膜層１３３を形成することにより、第１の壁部１３１、第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３とを有するリフレクタ部１３を形成する。なお、このとき、第３の壁部１６に対しても上記めっき処理が行われるので、第３の壁部１６上にも第２の金属薄膜層１７が金属薄膜層１３３と連続するようにして形成される。
次いで、図３５に示すように、金属層１１Ｘ上にマスク５２を設け、金属層１１Ｘのエッチング処理を行うことにより、図３６に示すように、第１の端子部１１と、第１の端子部１１から離間して位置し、第２の壁部１３２によって第１の端子部１１と接続された第２の端子部１２とを形成する。なお、このとき、金属薄膜層１３３及び第２の金属薄膜層１７上にもマスク５３を形成して上記エッチング処理を行うことにより、金属薄膜層１３３及び第２の金属薄膜層１７を分断する。
以上の操作を経ることにより、第８の実施形態に関する光半導体装置用リードフレーム５０を得ることができる。
次いで、図３７に示すように、図３６で得た光半導体装置用リードフレーム５０において、第１の端子部１１の素子載置面１１Ａ上に発光素子３６を搭載するとともに、発光素子３６の第１の素子端子部３６Ａ及び第２の素子端子部３６Ｂを、それぞれワイヤ３７及び３８を介して素子搭載面１１Ａ及び第２の壁部１３２の上部における第２の金属薄膜層１７に電気的に接続（ワイヤボンディング）し、素子載置部１１Ａに封止樹脂３９を充填して、発光素子３６及び金属薄膜層１３３等を封止することにより、図３０に示すような光半導体装置６０を得る。
なお、本実施形態のその他の特徴及び作用効果については第５の実施形態における製造方法と同様であるので、ここでは記載を省略する。
（第１０の実施形態）
図３８は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図であり、図３９は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図であり、図４０は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すIII−III線に沿った断面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
図３８〜図４０に示すように、本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０においては、第８の実施形態における複数の光半導体装置用リードフレーム５０が図中ｙ方向に沿って並列に配列されている。また、これら複数の光半導体装置用リードフレーム５０は、第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用しており、当該金属薄膜層１３３が図中ｙ方向に沿って配設され、当該ｙ方向と垂直なｘ方向に延在した、絶縁体からなる壁部１３４によって分断されることにより、各光半導体装置用リードフレーム５０に属するリフレクタ部１３及び素子載置部１１Ａが画定されている。
本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０においても、当該リードフレーム１１０は、第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用した複数の光半導体装置用リードフレーム５０を含むので、当該リードフレーム５０の特徴及び作用効果を奏するようになる。
なお、光半導体装置用リードフレーム５０の特徴及び作用効果については第８の実施形態で述べた通りであるので、ここでは記載を省略する。
また、図３８〜図４０に示すマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０は、図３３〜図３７に示す個片単体の場合の製造方法において、マスク５１のパターンを壁部１３４のパターンと合致させることにより、上記同様の製造方法を経て得ることができる。
（第１１の実施形態）
図４１は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図４２は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図であり、図４３は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示すIV−IV線に沿った断面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
図４１〜図４３に示すように、本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置２３０においては、図３８〜図４０に示す第１０の実施形態のマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０の、各光半導体装置用リードフレーム５０において、第１の端子部１１の素子搭載面１１Ａ上に発光素子３６が搭載され、発光素子３６の第１の端子部３６Ａが、素子搭載面１１Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の端子部３６Ｂが、第２の端子部１２の第２の金属薄膜層１７に第２の壁部１３２の上部においてワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６及びリフレクタ部１３が封止樹脂３９によって封止されていることを特徴とする。
本実施形態のマルチチップ化された光半導体装置２３０においても、当該光半導体装置用２３０は、第１０の実施形態に関するマルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０、すなわち第１の端子部１１、第２の端子部１２、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２及び金属薄膜層１３３を共用した複数の光半導体装置用リードフレーム５０を含むので、当該リードフレーム５０の特徴及び作用効果を奏するようになる。
なお、光半導体装置用リードフレーム５０の特徴及び作用効果については第８の実施形態で述べた通りであり、マルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム２１０のその他の特徴及び作用効果については第１０の実施形態で述べた通りであるので、ここでは記載を省略する。
（第１２の実施形態）
図４４は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図４５は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図４６は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
本実施形態の光半導体装置７０は、第３の実施形態に係る図７〜図９に示す光半導体装置３０において、第１の端子部１１の第２の端子部１２側ではない側、すなわち第１の壁部１３１側において、第１の端子部１１から離間して位置する第３の端子部７３を有し、第３の端子部７３側の壁部、すなわち第１の壁部１３１が第１の端子部１１と第３の端子部７３の間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１と第３の端子部７３とが接続されており、発光素子３６が、金属薄膜層１３３に電気的に接続するのに代えて、第３の端子部７３（第１の壁部１３１上に配設された第３の金属薄膜層７７）に電気的に接続されている点で相違する。
したがって、本実施形態の光半導体装置７０は、第３の実施形態に係る図７〜図９に示す光半導体装置３０と比較して、発光素子３６と端子部との電気的接続を反射面１３１Ａ，１３２Ａの外側で行うことができるので、電気的に接続に必要な領域を反射面１３１Ａ，１３２Ａに設ける必要がない。このため、反射効率を向上させることができる。また、素子載置部１１Ａをコンパクト化できるので、発光素子と反射面との距離を短くすることができ、上記反射効率をさらに向上させることができる。
なお、図４４及び４５に示すように、本実施形態において、第３の端子部７３上には、第１の壁部１３１が位置するとともに、これと対向するようにして、絶縁体からなる第４の壁部７６が位置し、第１の壁部１３１及び第４の壁部７６で形成される空間には、第３の端子部７３の上面の一部７３Ａが露出している。また、第１の壁部１３１及び第４の壁部７６の対向する側の面には、第３の金属薄膜層７７が配設されている。第３の金属薄膜層７７は、第１の壁部１３１側の反射面１３１Ａまで至ることなく、第１の壁部１３１の上面まで延在している。
なお、第３の端子部７３側がこのような構成を採るのは、発光素子３６と第３の端子部７３とを接続するためのワイヤ３７の長さを短くするためである。
本実施形態の光半導体装置７０用のリードフレームは、本実施形態に示す光半導体装置７０から、発光素子３６、ワイヤ３７、３８、封止樹脂３９を除去した構成である。したがって、反射面１３１Ａ，１３２Ａの一部を電気的接続に使うことなく反射面として機能させることができるので、発光素子が搭載された場合に発光素子からの光の反射効率を向上させることができる。また、素子搭載部１１Ａがコンパクトとなり、発光素子が搭載された場合に反射面との距離を短くすることができる。このため、発光素子からの光の反射効率をさらに向上させることができる。さらにまた、第１の壁部１３１が第１の端子部１１と第３の端子部７３との間の隙間を跨ぐように設けられ、第２の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１、第２の端子部１２及び第３の端子部７３が接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能である。
本実施形態の光半導体装置７０は、第３の実施形態に関する光半導体装置３０の構成要素を総て包含するので、光半導体装置３０の特徴及び作用効果をも奏することができるが、ここでは記載を省略する。
（第１３の実施形態）
図４７は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図４８は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図４９は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
本実施形態の光半導体装置８０は、第８の実施形態に係る図３０〜図３２に示す光半導体装置６０において、第１の端子部１１の第２の端子部１２側ではない側、すなわち第１の壁部１３１側において、第１の端子部１１から離間して位置する第３の端子部７３を有し、第３の端子部７３側の壁部、すなわち第１の壁部１３１が第１の端子部１１と第３の端子部７３の間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１と第３の端子部７３とが接続されており、発光素子３６が、金属薄膜層１３３に電気的に接続するのに代えて、第３の端子部７３（第１の壁部１３１上に配設された第３の金属薄膜層７７）に電気的に接続されている点で相違する。
したがって、本実施形態の光半導体装置８０は、第８の実施形態に係る図３０〜図３２に示す光半導体装置６０と比較して、発光素子３６と端子部との電気的接続を反射面１３１Ａ，１３２Ａの外側で行うことができるので、電気的に接続に必要な領域を反射面１３１Ａ，１３２Ａに設ける必要がない。このため、反射効率を向上させることができる。また、素子載置部１１Ａをコンパクト化できるので、発光素子と反射面との距離を短くすることができ、上記反射効率をさらに向上させることができる。
なお、図４７及び４８に示すように、本実施形態において、第３の端子部７３上には、第１の壁部１３１が位置するとともに、これと対向するようにして、絶縁体からなる第４の壁部７６が位置し、第１の壁部１３１及び第４の壁部７６で形成される空間には、第３の端子部７３の上面の一部７３Ａが露出している。また、第１の壁部１３１及び第４の壁部７６の対向する側の面には、第３の金属薄膜層７７が配設されている。第３の金属薄膜層７７は、第１の壁部１３１側の反射面１３１Ａまで至ることなく、第１の壁部１３１の上面まで延在している。
なお、第３の端子部７３側がこのような構成を採るのは、発光素子３６と第３の端子部７３とを接続するためのワイヤ３７の長さを短くするためである。
また、本実施形態の光半導体装置８０用のリードフレームは、本実施形態に示す光半導体装置８０から、発光素子３６、ワイヤ３７、３８、封止樹脂３９を除去した構成である。したがって、反射面１３１Ａ，１３２Ａの一部を電気的接続に使うことなく反射面として機能させることができるので、発光素子が搭載された場合に発光素子からの光の反射効率が向上させることができる。また、素子搭載部１１Ａがコンパクトとなり、発光素子が搭載された場合に反射面との距離を短くすることができる。このため、発光素子からの光の反射効率をさらに向上させることができる。さらにまた、第１の壁部１３１が第１の端子部１１と第３の端子部７３との間の隙間を跨ぐように設けられ、第２の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１、第２の端子部１２及び第３の端子部７３が接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能である。
本実施形態の光半導体装置８０用のリードフレームは、第８の実施形態に関する光半導体装置６０の構成要素を総て包含するので、光半導体装置６０の特徴及び作用効果をも奏することができるが、ここでは記載を省略する。
（第１４の実施形態）
上述した実施形態においては、光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームが個片単体で得られる場合について説明したが、本実施形態では、光半導体装置用リードフレームが多面製造型の構成を有する場合について説明する。
図５０は、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
図５０に示すように、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム９０は、一面側に素子載置部１１Ａを有する第１の端子部１１と、第１の端子部１１から離間して位置する第２の端子部１２とを有し、第１の端子部１１の素子載置部１１Ａを囲むように設けられ、絶縁体からなり、第２の端子部１２から離間して配設された第１の壁部１３１及び第２の端子部１２側の第２の壁部１３２と、第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２において、素子載置部１１Ａ側の面である反射面１３１Ａ，１３２Ａに設けられた金属薄膜層１３３とを有するリフレクタ部１３を有し、さらに、第２の端子部１２側の第２の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられており、第２の壁部１３２によって、第１の端子部１１と第２の端子部１２とが接続され、金属薄膜層１３３が、素子載置部１１Ａと反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられた第１の光半導体装置用リードフレーム９０−１と、当該第１の光半導体装置用リードフレーム９０−１と同一構成の第２の光半導体装置用リードフレーム９０−２とを有している。
また、第１の光半導体装置用リードフレーム９０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム９０−２は互いに隣接し、第１の壁部１３１をこれら２つの光半導体装置用リードフレーム９０−１及び９０−２によって共有し、いわゆる多面製造型の光半導体装置用リードフレームを構成している。
なお、光半導体装置用リードフレーム９０の下部には、第１の光半導体装置用リードフレーム９０−１における第１の端子部１１と、第２の光半導体装置用リードフレーム９０−２における第２の端子部１２とを分離画定するとともに、個片化を容易にするための溝Ｄが形成されている。
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム９０においても、第１の光半導体装置用リードフレーム９０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム９０−２では、金属薄膜層１３３が第１の端子部１１における素子載置部１１Ａと、リフレクタ部１３における反射面１３１Ａ，１３２Ａとの界面ＩＳを覆うように設けられている。したがって、金属薄膜層１３３によって、リフレクタ部１３への界面ＩＳからの水分等の浸透を抑制することができ、リフレクタ部１３の腐食を抑制して、リフレクタ部１３の高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ，１３２Ａには、金属薄膜層１３３が配設されているので、上述したようなリフレクタ部１３の腐食の抑制の作用効果とも相伴って、金属薄膜層１３３に起因した高い反射率に基づく高い全光束値を得ることが可能となる。
また、リフレクタ部１３の反射面１３１Ａ及び１３２Ａには金属薄膜層１３３が形成されているので、後に形成する発光素子からの熱を第１の電極部１１の表面のみでなく、金属薄膜層１３３からも放熱させることができ、すなわち、リフレクタ部１３からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や光半導体装置の封止樹脂の溶解等を防止することができる。
さらに、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム９０においては、第１の壁部１３２が第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、第１の端子部１１と第２の端子部１２とが接続されるようにしているので、一体化されたパッケージ形態を取ることが可能という作用効果を得ることができる。
また、図１及び図２等に示すように、金属薄膜層１３３は、反射面１３１Ａ，１３２Ａの全面に設けている。したがって、たとえ第１の端子部１１側から界面ＩＳを伝わって腐食性ガスや水分が浸透しても、第１の壁部１３１及び第２の壁部１３２の上部に至るまで当該腐食性ガス等の出口が存在しないため、これら腐食性ガス等が金属薄膜層１３３の、反射面１３１Ａ、１３２Ａと相対する側の面、後に搭載する発光素子からの光を反射する側の面（表面）に到達しにくくなる。したがって、リフレクタ部１３の腐食をより効果的に抑制することができる。
なお図５１は、図５０に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム９０を共有する第１の壁部１３１でダイシングして個片化した場合における、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１（５０−２）の概略構成を示す断面図である。図５１から明らかなように、図５０に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム９０を個片化した場合においては、上記溝Ｄに起因して、第１の端子部１１の外方及び第２の端子部１２の外方には、凹部１１Ｄ及び１２Ｄが形成される。
（第１５の実施形態）
本実施形態は、図７〜図９に関する第３の実施形態の変形例に相当するものである。
図５２は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図５３は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図５４は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
図５２〜図５４に示すように、本実施形態の光半導体装置１００は、図７〜図９に示す第３の実施形態の光半導体装置３０における第２の金属薄膜層１７が、第２の壁部１３２の上部において素子搭載部１１Ａ側に延在する延在部１７Ａを有し、当該延在部１７Ａにおいて、発光素子３６の第２の素子端子部３６Ｂがワイヤ３８によって電気的に接続（ワイヤボンディング）されていることを特徴とする。
本実施形態では、上記のような構成とすることにより、第２の壁部１３２の上部のうちの素子搭載部１１Ａ寄りの領域においてワイヤ３８を接続することができるので、当該ワイヤ３８の長さを短くすることができる。
本実施形態の光半導体装置１００のその他の特徴及び作用効果については、第３の実施形態の場合と同様であるので、ここでは記載を省略する。
また、本実施形態の光半導体装置１００用のリードフレームは、本実施形態に示す光半導体装置１００から、発光素子３６、ワイヤ３７、３８、封止樹脂３９を除去した構成である。当該リードフレームは、発光素子が搭載されて第２の素子端子部３６Ｂがワイヤ３８によって電気的に接続される場合に、ワイヤ３８の長さを短くすることができるという効果を奏する。
本実施形態の光半導体装置１００用のリードフレームのその他の特徴及び作用効果については、第１の実施形態の場合と同様であるので、ここでは記載を省略する。
なお、本実施形態で述べた構成は、他の実施形態で述べた構成と組み合わせることもできる。例えば、図４４〜図４６に示す第１２の実施形態の光半導体装置７０においては、素子搭載領域１１Ａの両側に位置する第１の壁部１３１と第２の壁部１３２の双方の上部において、それぞれ第３の金属薄膜層７７と第２の金属薄膜層１７が延在部を有する構成とすることができる。
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
例えば、第１４の実施形態においては、多面製造型の光半導体装置用リードフレームについて説明しているが、当該リードフレームにおいて、素子載置部１１Ａ上に発光素子３６を搭載し、封止樹脂３９で樹脂封止することにより、多面製造型の光半導体装置を得ることができる。
また、上記実施形態で特に言及していない場合においても、金属薄膜層１３３は、銅薄膜層１３３−１及び銀薄膜層１３３−２の２層から構成することができる。
１０，２０，５０ 光半導体装置用リードフレーム
１１ 第１の端子部
１１Ａ 素子載置部
１２ 第２の端子部
１３ リフレクタ部
１３１ 第１の壁部
１３１Ａ 反射面
１３２ 第２の壁部
１３２Ａ 反射面
１３３ 金属薄膜層
１３３−１ 銅薄膜層
１３３−２ 銀薄膜層
１６ 第３の壁部
１７ 第２の金属薄膜層
３０，４０，６０，７０，８０，１００ 光半導体装置
３６ 発光素子
３７，３８ ワイヤ
３９ 封止樹脂
１１０，２１０ マルチチップ化された光半導体装置用リードフレーム
１３０，２３０ マルチチップ化された光半導体装置
９０ 多面製造型の光半導体装置用リードフレーム

Claims (13)

  1. 一面側に素子載置部を有する第１の端子部と、
    前記第１の端子部から離間して位置する第２の端子部と、
    前記第１の端子部の前記一面上に前記素子載置部を囲むように設けられ、絶縁体である壁部と該壁部の前記素子載置部側の面である反射面に設けられた金属薄膜層とを有するリフレクタ部と、
    前記素子載置部上に配置され、前記金属薄膜層及び前記第２の端子部に電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子及び前記金属薄膜層を覆うように設けられた封止樹脂と、を有し、
    前記第２の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第２の端子部とが接続され、
    前記金属薄膜層は、前記素子載置部と前記反射面との界面を覆うように設けられており、
    前記壁部は、前記第２の端子部側の全体の高さが、前記第２の端子部側ではない側の高さよりも低いことを特徴とする、光半導体装置。
  2. 前記第２の端子部から前記壁部の前記反射面ではない面に至るまで第２の金属薄膜層が設けられ、
    前記発光素子と前記第２の端子部とは、前記第２の金属薄膜層を介して電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体装置。
  3. 前記発光素子が、前記壁部の上面において、前記第２の金属薄膜層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２に記載の光半導体装置。
  4. 前記第１の端子部は前記一面側に銅面を有し、
    前記金属薄膜層は前記反射面側より順に積層された銅薄膜層と銀薄膜層を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の光半導体装置。
  5. 前記金属薄膜層は、前記反射面の全面に設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の光半導体装置。
  6. 前記第１の端子部の前記第２の端子部側ではない側において、前記第１の端子部から離間して位置する第３の端子部を有し、
    前記第３の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第３の端子部の間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第３の端子部とが接続され、
    前記発光素子は、前記金属薄膜層に電気的に接続するのに代えて、前記第３の端子部に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の光半導体装置。
  7. 一面側に素子載置部を有する第１の端子部と、
    前記第１の端子部から離間して位置する第２の端子部と、
    前記第１の端子部の前記一面上に前記素子載置部を囲むように設けられ、絶縁体である壁部と該壁部の前記素子載置部側の面である反射面に設けられた金属薄膜層とを有するリフレクタ部と、を有し、
    前記第２の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第２の端子部とが接続され、
    前記金属薄膜層は、前記素子載置部と前記反射面との界面を覆うように設けられており、
    前記壁部は、前記第２の端子部側の全体の高さが、前記第２の端子部側ではない側の高さよりも低いことを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
  8. 前記第２の端子部から前記壁部の前記反射面ではない面に至るまで第２の金属薄膜層が設けられていることを特徴とする、請求項７に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  9. 前記第１の端子部は前記一面側に銅面を有し、
    前記金属薄膜層は前記反射面側より順に積層された銅薄膜層と銀薄膜層を有することを特徴とする、請求項７又は８に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  10. 前記金属薄膜層は、前記反射面の全面に設けられていることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  11. 前記第１の端子部の前記第２の端子部側ではない側において、前記第１の端子部から離
    間して位置する第３の端子部を有し、
    前記第３の端子部側の壁部が前記第１の端子部と前記第３の端子部との間の隙間を跨ぐように設けられていることにより、前記第１の端子部と前記第３の端子部とが接続されていることを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか一に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  12. 金属層と該金属層の一面上に積層された絶縁層とを有する積層体を準備する第１の工程と、
    前記絶縁層上にマスクを設けて前記絶縁層のエッチング処理を行うことにより、前記一面に素子載置部を囲むように設けられた壁部を形成する第２の工程と、
    前記素子載置部及び前記壁部に対してめっき処理を行って、前記素子載置部と前記壁部の前記素子載置部側の面である反射面との界面を覆う金属薄膜層を形成することにより、前記壁部と前記金属薄膜層とを有するリフレクタ部を形成する第３の工程と、
    前記金属層上にマスクを設けて前記金属層のエッチング処理を行うことにより、第１の
    端子部と、前記第１の端子部から離間して位置し、前記壁部によって前記第１の端子部と接続された第２の端子部とを形成する第４の工程と、
    前記素子載置部に発光素子を実装する第５の工程と、
    前記素子載置部に樹脂を充填して、前記発光素子と前記金属薄膜層を封止する第６の工程と、を有し、
    前記壁部は、前記第２の端子部側の全体の高さが、前記第２の端子部側ではない側の高さよりも低いことを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
  13. 金属層と該金属層の一面上に積層された絶縁層とを有する積層体を準備する第１の工程と、
    前記絶縁層上にマスクを設けて前記絶縁層のエッチング処理を行うことにより、前記一面に素子載置部を囲むように設けられた壁部を形成する第２の工程と、
    前記素子載置部及び前記壁部に対してめっき処理を行って、前記素子載置部と前記壁部の前記素子載置部側の面である反射面との界面を覆う金属薄膜層を形成することにより、
    前記壁部と前記金属薄膜層とを有するリフレクタ部を形成する第３の工程と、
    前記金属層上にマスクを設けて前記金属層のエッチング処理を行うことにより、第１の端子部と、前記第１の端子部から離間して位置し、前記壁部によって前記第１の端子部と接続された第２の端子部とを形成する第４の工程と、を有し、
    前記壁部は、前記第２の端子部側の全体の高さが、前記第２の端子部側ではない側の高さよりも低いことを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
JP2013215609A 2013-10-16 2013-10-16 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法 Expired - Fee Related JP6255884B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013215609A JP6255884B2 (ja) 2013-10-16 2013-10-16 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013215609A JP6255884B2 (ja) 2013-10-16 2013-10-16 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015079835A JP2015079835A (ja) 2015-04-23
JP6255884B2 true JP6255884B2 (ja) 2018-01-10

Family

ID=53011039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013215609A Expired - Fee Related JP6255884B2 (ja) 2013-10-16 2013-10-16 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6255884B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017157684A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137823B2 (ja) * 1994-02-25 2001-02-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6949771B2 (en) * 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
JP2008108835A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Harison Toshiba Lighting Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009021426A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2011233645A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015079835A (ja) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7100275B2 (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP5573176B2 (ja) リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
TWI628815B (zh) 半導體裝置
JP5743184B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP6070188B2 (ja) 発光装置
JP2006093672A (ja) 半導体発光装置
US9553245B2 (en) Light emitting device
JP6447580B2 (ja) 発光装置
JP6255884B2 (ja) 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
JP6019988B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6551210B2 (ja) 発光装置
US10186649B2 (en) Light emitting device
JP6066544B2 (ja) 発光装置
JP5939474B2 (ja) リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2013062490A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置
JP6398541B2 (ja) リードフレーム及び発光装置
JP6252023B2 (ja) 発光装置
JP6115058B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6155584B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP5227116B2 (ja) 発光モジュール
JP5867261B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法
JP2015056425A (ja) 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
JP5998609B2 (ja) 光半導体装置
JP2019033300A (ja) 発光装置
JP2019012854A (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160829

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170509

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6255884

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees