JP2019033300A - 発光装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 99
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 40
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N strontium aluminate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Sr+2].[Sr+2] FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
図1Aおよび図1Bはそれぞれ発光装置100を上面側および下面側から見た模式的斜視図である。発光装置100は、樹脂パッケージ10と、第1発光素子40と、第2発光素子50と、封止部材70とを備える。樹脂パッケージ10は上面10aおよび下面10bを有する。上面10aには凹部11が設けられ、凹部11内に第1発光素子40および第2発光素子50が配置されている。樹脂パッケージ10の凹部11に封止部材70が配置されている。図1Aでは、凹部11内に配置された第1発光素子40および第2発光素子50を示すため、封止部材70は、透明であるように示している。以下、各構成要素を詳細に説明する。
図2Aは、樹脂パッケージ10の模式的斜視図であり、図2Bおよび図2Cは、樹脂パッケージ10の上面図および底面図である。図2Dおよび図2Eは、それぞれ、図2Aの2D−2D線および2E−2E線における端面図である。
第1樹脂部31は、樹脂パッケージ10の凹部11の底面に位置する。以下において説明するように、第1樹脂部31は、第1リード21および第2リード22の間に位置しており、第1方向に延伸している。図2Aに示すように、上面10aに平行であり、かつ、樹脂パッケージ10の外側面10cおよび10fに平行な方向にx軸およびy軸をとり、これらに垂直な方向にz軸を取る。第1方向はy軸方向である。なお、第1樹脂部31は、上面視において少なくとも第1方向に延伸する直線部を有していればよく、すなわち、第1樹脂部31は、上面視において第1方向に延伸する直線部の他に屈曲する部分を有していてもよい。本実施形態の樹脂パッケージ10では、凹部11の底面に位置する第1樹脂部31は、凹部11の底面において内側面11dから内側面11eに渡って全て直線部から形成されている。
図2Aに示すように、上面視において、第2樹脂部32は、凹部11を囲む枠形状を有している。第2樹脂部32は、樹脂パッケージ10の外側面10c〜10fおよび凹部11の内側面を構成している。
よい。この場合、凹部11の開口の面積を小さくでき、発光装置100から出射する光の発光面積をより小さくすることができるため、発光装置100をより点光源に近づけることができる。
第1リード21は上面21aおよび上面21aと反対側に位置する下面21bを含み、第2リード22は、上面22aおよび上面22aと反対側に位置する下面22bを含む。第1リード21および第2リード22は、下面21bおよび下面22bが略同一平面上に位置するように、第1樹脂部31を挟んで配置されている。
第1樹脂部31および第2樹脂部32は第1リード21および第2リード22と一体的に形成され、第1発光素子40および第2発光素子50を搭載するパッケージを構成する。第1樹脂部31および第2樹脂部32は母材となる樹脂として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化体、ポリフタルアミド(PPA)、ポリアミド(PA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、熱硬化樹脂を用いることが好ましい。
1樹脂部31および第2樹脂部32の全重量に対して、20重量%以上60重量%以下の割合で酸化チタンを含むことが好ましく、25重量%以上55重量%以下の割合で含有することがより好ましい。第1樹脂部31および第2樹脂部32は、第1発光素子40および第2発光素子50からの光に対し、60%以上の反射率を有することが好ましく、より好ましくは90%以上の反射率を有する。
第1発光素子40および第2発光素子50には、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。第1発光素子40および第2発光素子50は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y
≦1)の発光素子であることが好ましい。第1発光素子40および第2発光素子50は同じ波長の光を出射してもよいし、異なる波長の光を出射してもよい。例えば、第1発光素子40及び第2発光素子50は青色の光を発する青色発光素子であってもよいし、第1発光素子40は青色の光を発する青色発光素子で、第2発光素子50は緑色の光を発する緑色発光素子であってもよい。本実施形態の発光装置は、出力が高い発光素子を用いる場合に特に効果を奏する。また、発光装置100は、3つ以上の発光素子を備えていてもよく、第1発光素子40および第2発光素子50以外に第3発光素子を備えていてもよい。複数の発光素子はワイヤ等により直列又は並列に接続することができる。
発光装置100は、静電耐圧を向上させるために保護素子60を備えていてもよい。保
護素子60には、一般的な発光装置に搭載される種々の保護素子を用いることができる。例えば、保護素子60としてツェナーダイオードを用いることができる。発光装置100において、保護素子60は直列に接続された第1発光素子40および第2発光素子50に対して並列に接続されている。
封止部材70は、第1発光素子40および第2発光素子50を被覆し、凹部11内に位置している。封止部材70は第1発光素子40および第2発光素子50を外力や埃、水分などから保護すると共に、第1発光素子40および第2発光素子50の耐熱性、耐候性、耐光性を良好にする。
発光装置100は第1リード21、第2リード22、第1発光素子40および第2発光素子50の表面に酸化ケイ素等の保護膜を備えていてもよい。特に、第1リード21および第2リード22の表面に銀のメッキ層が配置される場合、銀のメッキ層の表面を保護膜で保護することで、銀のメッキ層が大気中の硫黄成分等により変色することを抑制することができる。保護膜の成膜方法は、例えばスパッタ等の真空プロセスによる成膜法やその他の既知の方法を用いることができる。
図4Aは発光装置100の上面図であり、図4Bおよび図4Cは、図4Aの4B−4B線および4C−4C線における発光装置の断面図である。図4Bおよび図4Cにおいて、ワイヤ61〜64は図示していない。
第1側面の配置の効果が小さいからである。
発光装置100は、例えば、以下の手順によって製造することができる。まず、第1リード21と第2リード22とを含むリードフレームを準備する。次に、トランスファーモールド成形等の成形方法によって、第1樹脂部31、第2樹脂部32、第1リード21および第2リード22を一体的に形成し、複数の凹部11を有する樹脂成形体付リードフレームを準備する。なお、樹脂成形体付リードフレームは購入等することによって準備してもよい。
発光装置100によれば、第1発光素子40の第1側面40cおよび第2発光素子50の第1側面50cの一部のみが対向しているため、2つの第1側面で挟まれ、熱および光
がこもりやすい素子対向部70aを小さくすることができ、熱および光による封止部材70の劣化を抑制することができる。
発光装置には種々の変形例が可能である。特に第1発光素子40および第2発光素子50の配置以外の形態、例えば、発光素子の構造、樹脂パッケージの構造や形態、封止部材の構成等については、特に上記実施形態で説明した形態に限られない。実施形態で説明した形態以外の形態を本開示の発光装置に好適に用いることが可能である。以下、主として、第1発光素子40および第2発光素子50の配置に関する他の形態を説明する。
は、第2発光素子50の第1側面50cは、第1発光素子40の第4側面40fとも対向している。このように、角度θが0でない場合には、第1発光素子40および第2発光素子50の側面のうち、上面視において、なす角度が最も小さい一対の側面が上記実施形態で説明した配置の条件を満たしていればよい。また、この場合、第1発光素子40の第1側面40cと第2発光素子50の第1側面50cとの距離dは、2つの側面が最も離れた位置において、一方の側面から垂直に測った他方の側面までの長さを言う。
Aに示す発光装置102は、上面視において第1発光素子40と第2発光素子50は四角形形状を有する。そして、第1発光素子40の第1側面40cと第2発光素子50の第1側面50cとは、互いに対向しておらず、四角形形状の対角方向が第1方向に平行となる向きで、上面視において、第1発光素子40の四角形の対角線と、第2発光素子50の四角形の対角線とは同一線上に位置している。上面視において、第1発光素子40の四角形の対角線と、第2発光素子50の四角形の対角線とが同一線上に位置しているとは、2つの対角線が、完全に同一線上になる場合だけでなく、2つの対角線のうち一方の対角線に対して他方の対角線が0°から±5°程度の範囲にある場合を含む。このような形態によれば、2つの発光素子の1つの側面のそれぞれが互いに対向する素子対向部がないため、より封止部材の熱および光による劣化が抑制される。
装置103において、第1発光素子40’の第1側面40c’および第2発光素子50’の第6側面50h、並びに、第1発光素子40’の第6側面40hおよび第2発光素子50’の第1側面50cも対向していると言えるが、対向する2つの側面の上目視るにおけるなす角度は、第1側面40c’および第1側面50c’が最も小さい。このため、この2つの側面が上記実施形態で説明した配置の条件を満たしている。
2h 第2屈曲点
3h 第3屈曲点
10 樹脂パッケージ
10a 上面
10b 下面
10c〜10f 外側面
11 凹部
11c〜11g 内側面
21 第1リード
21a 上面
21b 下面
21c〜21f、22c〜22f 側部
21g、22g 側縁溝部
21h、22h 延伸部
22 第2リード
22a 上面
22b 下面
31 第1樹脂部
32 第2樹脂部
40、40’ 第1発光素子
40c、40c’ 第1側面
40ca 部分
40d 第2側面
40e 第3側面
40f 第4側面
40h 第6側面
45a 基板
45b n型半導体層
45c 活性層
45d p型半導体層
45e 絶縁膜
45f 透明電極
45g n側電極
45h p側電極
45i 保護膜
46 半導体積層部
50、50’ 第2発光素子
50c、50c’ 第1側面
50ca 部分
50d 第2側面
50e 第3側面
50f 第4側面
50h 第6側面
60 保護素子
61〜64 ワイヤ
70 封止部材
70a、70c 素子対向部
70b 薄肉部
80 第3発光素子
100〜104 発光装置
Claims (2)
- 上面および下面をそれぞれ有する第1リードおよび第2リードと、前記第1リードおよび前記第2リードの間に位置し、第1方向に延伸する第1樹脂部とを含む樹脂パッケージと、
前記第1リードの前記上面に前記第1方向に並んで配置された第1発光素子および第2発光素子と、
前記第1発光素子および前記第2発光素子を電気的に接続するワイヤと、
前記第1リードの前記上面において、前記第1発光素子および前記第2発光素子を被覆する封止部材と、を備え、
上面視において、前記第1発光素子および前記第2発光素子は、四角形形状を有し、
前記上面視において、前記第1発光素子の四角形の対角線と、前記第2発光素子の四角形の対角線とは同一線上に位置しており、
前記ワイヤは前記第1発光素子の電極と前記第2発光素子の電極の間に第1屈曲点と、第3屈曲点と、前記第1屈曲点と前記第3屈曲点との間に位置する第2屈曲点とを有し、前記第2屈曲点は高さ方向において前記第1屈曲点および前記第3屈曲点よりも低い、発光装置。 - 前記上面視において、前記2屈曲点が前記第1発光素子または前記第2発光素子上に位置する、請求項1に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018223321A JP6809522B2 (ja) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018223321A JP6809522B2 (ja) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 発光装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016119155A Division JP6447580B2 (ja) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019033300A true JP2019033300A (ja) | 2019-02-28 |
JP2019033300A5 JP2019033300A5 (ja) | 2019-06-20 |
JP6809522B2 JP6809522B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=65523677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018223321A Active JP6809522B2 (ja) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6809522B2 (ja) |
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- 2018-11-29 JP JP2018223321A patent/JP6809522B2/ja active Active
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JP6809522B2 (ja) | 2021-01-06 |
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