JP2016021446A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
リードフレーム1は、導電性の金属板を所定の形状に加工したものである。図1ないし図8に示すリードフレーム1は、全体の形状を帯状として、両側縁を互いに平行な姿勢としている。リードフレーム1を構成する導電性の金属板には、各種の金属を用いることができる。例えば、銅もしくは銅合金、ステンレス鋼およびインバー合金を含む鉄合金等が挙げられる。また、異種の金属をクラッドしたクラッド材であっても良い。さらに、リードフレーム1は、半導体発光素子3の実装面や外部電極との接続部位等にメッキ層を有しても良い。メッキ層は任意の種類のメッキでよく、既知の任意のメッキ方法を用いて形成することができる。好ましくは、銀、金、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、ロジウム、銅から選択される1つ以上の元素を含む。より好ましくは、銀、ニッケル、パラジウムおよび金から選択される1つ以上を主成分として含む。特に半導体発光素子が実装される最表面は、発光素子からの光に対する反射率の高い材料である銀や、ワイヤと良好な密着性を有する金を含むメッキ層を有することが好ましい。
以上のリードフレーム1は、製造工程の一つである樹脂成形工程において、第一リード1Aと第二リード1Bが定位置に配置された状態で、樹脂パッケージ2で被覆される。リードフレーム1は、樹脂成形工程で第一リード1Aと第二リード1Bを定位置に配置するために、リードフレーム1の両端、すなわち、第一リード1Aと第二リード1Bの外側の端縁がリード連結部10を介して枠形状のリードランナー60に連結された状態で成形される。ここで、図10は、実施例1の半導体発光装置100の一製造工程を示す平面図であって、複数のリードフレーム1がリード連結部10を介してリードランナー60に連結してなるフレームユニット6を示している。
樹脂パッケージ2は、リードフレーム1の表面を部分的に被覆する所定の形状に成形されている。図3の樹脂パッケージ2は、平面視を方形状とするブロック状として、四隅のコーナー部を面取りしている。ブロック状の樹脂パッケージ2は、互いに対向する第一リード1Aと第二リード1Bを部分的に被覆してインナーリード部11、12としている。樹脂パッケージ2は、樹脂パッケージ2の対向する両側面から第一リード1Aおよび第二リード1Bのアウターリード部13を突出させると共に、アウターリード部13が突出する側面と交差する側面を、リードフレーム1を露出させない被覆面としている。さらに、樹脂パッケージ2は、上面の中央部に断面凹状に開口している開口部21を形成し、この開口部21の底面において第一リード1Aのリード中央領域17と第二リード1Bのリード接続領域18を露出させている。さらに、樹脂パッケージ2は、開口部21の周囲に枠部22を形成しており、この枠部22により、リードフレーム1の樹脂連結部14を被覆すると共に、第一リード1Aのリード中央領域17と第二リード1Bのリード接続領域18の両側縁部も被覆している。図2、図3、及び図6に示す樹脂パッケージ2は、第二リード1Bの延伸部15を被覆して、第二中間領域18Aを開口部21の底面に露出させると共に、第一リード1Aの第一中間領域17Aと窪み部16の一部とを開口部21の底面に露出させている。
半導体発光素子3は、発光ダイオードや半導体レーザ等が利用できる。このような半導体発光素子3は、液相成長法、HDVPE法やMOCVD法により基板上にZnS、SiC、GaN、GaP、InN、AlN、ZnSe、GaAsP、GaAlAs、InGaN、GaAlN、AlInGaP、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが好適に用いられる。半導体層の材料やその混晶度の選択により、半導体発光素子3の発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。特に、緑色系及び青色系の高輝度に発光する発光素子の材料として、窒化物半導体を選択することが好ましい。例えば、発光層の材料として、InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)などが利用できる。
また、半導体発光装置100は、半導体発光素子31とリードフレームとを接続するための導電性ワイヤ32を備えている。半導体発光素子31に形成された一対の電極が、発光素子への電力供給のために、導電性ワイヤ32によってリードと電気的に接続される。導電性ワイヤ32の材料、直径などは特に限定されるものではなく、当該分野で通常使用されているものを利用することができる。特に、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接合性が良好であるか、電気伝導性及び熱伝導性が良好なものであることが好ましい。
さらに、図2の半導体発光装置100は、樹脂パッケージ2の開口部21内において、リードフレーム1の露出されている領域に保護素子5を実装している。保護素子5は、逆電圧が印加された際に半導体発光素子3が破損される事態を回避する。このような保護素子5として、半導体発光素子3の導通方向と逆向きに並列に接続されたツェナーダイオード5Aが好適に利用できる。
封止部材4は、樹脂パッケージ2の開口部21に充填されて、半導体発光素子3や導電性ワイヤ32、保護素子5等を封止して、塵芥や煙、水分、外力等から保護するための部材である。封止部材4には、例えばポッティングによって樹脂パッケージ2の開口部21に充填されて、この開口部21を封止する。また、熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールド、又は熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより、この樹脂封止を行うこともできる。
封止部材4は、波長変換部材を備えてもよい。これにより、半導体発光素子3の光を異なる波長の光に変換し、半導体発光素子3の光と波長変換部材で波長変換された光との混色光を外部に取り出すことが可能となる。このような波長変換部材として、半導体発光素子3の発光で励起可能な蛍光体が好適に利用できる。例えば、ユーロピウム、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、より具体的には、ユーロピウムで賦活されたα又はβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート蛍光体、ユーロピウム等のランタノイド系元素、マンガン等の遷移金属系元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はユーロピウム等のランタノイド系元素で主に賦活される有機物及び有機錯体等が挙げられる。特に、青色発光素子と組み合わせることで白色に発光するYAG(Yttrium Aluminum Garnet)系蛍光体が好適に用いられる。また、赤色蛍光体であるKSF等も用いることができる。この他にも同様の性能、効果を有する蛍光体を適宜使用することができる。
以上の半導体発光装置100は、以下の工程で製造される。
金属板を所定の形状に打抜加工して、第一リード1Aと第二リード1Bからなるリードフレーム1を準備する。第一リード1Aと第二リード1Bは、図10に示すように、完全に分離されることなく、リードフレーム1の両端部がリード連結部10を介してリードランナー60に連結されたフレームユニット6として成形される。第一リード1Aと第二リード1Bは、対向部分が所定の間隔だけ離間されて、絶縁隙間20が形成された状態に配置される。さらに、打抜加工される第一リード1Aと第二リード1Bは、図8に示すように、所定の形状に切断される。第一リード1Aと第二リード1Bは、リードフレーム1の長さ方向において、第一リード1Aが第二リード1Bよりも長く形成される。第二リード1Bは、第一リード1Aと対向する領域において、隅部を第一リード1A側に延伸させて延伸部15が形成されると共に、この延伸部15の外周縁が面取りされた形状に成形される。さらに、第一リード1Aは、第二リード1Bと対向する領域の両端部において、第二リード1Bの延伸部15に対向する窪み部16が形成される。ここで、リードフレーム1は、好ましくは、複数個をリードランナー60に連結した状態で成形される。図10に示すフレームユニット6は、複数のリードフレーム1をマトリクス状に並べる状態で成形している。このように、1つのフレームユニット6に複数のリードフレーム1を設ける構造は、能率よく多量生産できる特徴がある。
リード準備工程で成形されたリードフレーム1の表面を樹脂で被覆して樹脂パッケージ2を成形する。樹脂パッケージ2は、所定の内面形状を有する加熱金型のキャビティに流動性の中間体樹脂を注入すると共に、このキャビティ内の所定の位置に、第一リード1Aと第二リード1Bとを配置して注型成形される。樹脂を加熱等により硬化させた後、成形された樹脂パッケージ2をキャビティから脱型する。以上の樹脂成形工程において、樹脂パッケージ2は、リードフレーム1を被覆する枠部22の中央部に開口部21を備える形状であって、この開口部21の底面にリードフレーム1が露出し、リードフレーム1の両端部が枠部22の両側に延伸する形状に成形される。
図2に示すように、樹脂パッケージ2の開口部21の底面から露出する第一リード1Aの実装面19に半導体発光素子3を接合部材を用いて実装する。図に示す半導体発光装置100は、6個の半導体発光素子3を実装している。複数の半導体発光素子3は、開口部21の中央領域であって、第一リード1Aのリード中央領域17の所定の位置に実装される。また、実装された半導体発光素子31のp側電極とn側電極に接続された導電性ワイヤ32を、第一リード1Aのリード中央領域17と第二リード1Bのリード接続領域18にそれぞれ接続する。
さらに、図2に示すように、樹脂パッケージ2の開口部21の底面において、リードフレーム1の露出領域に保護素子5を実装する。図の保護素子5はツェナーダイオード5Aで、半導体発光素子3の導通方向と逆向きに並列に接続される。
図1に示すように、樹脂パッケージ2の開口部21に封止部材4を充填する。封止部材4は、リードフレーム1の上面に実装された半導体発光素子3や保護素子5を封止する。封止部材4には、透光性を有する樹脂であって、好ましくは熱硬化性樹脂が利用できる。封止部材4は、ポッティング方式によって樹脂パッケージ2の開口部21に充填される。
リードフレーム1の両端において、リード連結部10を切断して、個々の半導体発光装置100をリードランナー60から切り離して分離する。リード連結部10は、図3ないし図6の鎖線で示すように、外部リード凸部13aの先端面から多少後退した位置で切断される。これにより、リード連結部10の切断面10Aが外部リード凸部13aの先端面よりも内側に形成されるので、切断面10Aの端縁で他の半導体発光装置を損傷するのを有効に防止できる。
1…リードフレーム
1A…第一リード;1B…第二リード
1a…下面;1c、1d…側縁
2…樹脂パッケージ
2a…底面
2b…被覆面
3…半導体発光素子
4…封止部材
5…保護素子
5A…ツェナーダイオード
6…フレームユニット
10…リード連結部
10A…切断面
11…インナーリード部
12…インナーリード部
13…アウターリード部
13a…外部リード凸部
14…樹脂連結部
14a…切欠部;14b…貫通孔;14c…段差部
15…延伸部
16…窪み部
17…リード中央領域
17A…第一中間領域
18…リード接続領域
18A…第二中間領域
19…実装面
20…絶縁隙間
21…開口部
22…枠部
23…凸条
24…アンカー凸部
25…凹部
32…導電性ワイヤ
51…第一露出面
52…第二露出面
53…フランジ部
53A…折曲部
54…段差部
59…プレス型
59a…内側縁
60…リードランナー
81…リードフレーム
81A…ダイパッド部;81B…リード部
82…枠体
83…半導体発光素子
85…クラック
Claims (18)
- リードフレームと、
前記リードフレーム上に実装される半導体発光素子と、
前記リードフレームを被覆してなる樹脂パッケージと、
を備える半導体発光装置であって、
前記リードフレームは、前記樹脂パッケージ内で互いに対向して配置された第一リードと第二リードとを備え、
前記第一リード及び前記第二リードは、前記樹脂パッケージに被覆されるインナーリード部と、前記インナーリード部から延在して前記樹脂パッケージの側面に配置されるアウターリード部とを備えると共に、それぞれの下面を前記樹脂パッケージの底面から露出させた第一露出面及び第二露出面としており、
前記第一リードは、前記第一リードと前記第二リードとが対向する方向において、前記第二リードよりも長く構成されて、その上面に前記半導体発光素子を実装しており、
前記第二リードは、前記第二露出面において、前記第一リードと対向する側の両端部を前記第一リード側に向かって先細り状に延伸させた一対の延伸部を設けていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置であって、
前記一対の延伸部が、先細り状を三角形状に形成してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体発光装置であって、
前記第一リード及び前記第二リードは、前記樹脂パッケージの側面の内、前記アウターリード部が配置される側面と交差する側面を、前記リードフレームを露出させない被覆面としてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から3のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第一リードは、前記第二リードと対向する側の両端部に、前記一対の延伸部に対向して一対の窪み部を設けてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項4に記載の半導体発光装置であって、
前記第二リードは、前記第一リードと対向する領域において、前記一対の延伸部の間に略直線状の第二中間領域を形成しており、
前記第一リードは、前記第二リードと対向する領域において、前記一対の窪み部の間に略直線状の第一中間領域を形成してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項5に記載の半導体発光装置であって、
前記樹脂パッケージは、上面に断面凹状の開口部を形成すると共に、前記開口部の底面において前記リードフレームの上面を前記樹脂パッケージから露出させて、前記半導体発光素子の実装面を構成しており、
前記第二リードは、前記延伸部が前記樹脂パッケージで被覆されると共に、前記第二中間領域が前記開口部の底面に露出することを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項5または6に記載の半導体発光装置であって、
前記樹脂パッケージは、上面に断面凹状の開口部を形成すると共に、前記開口部の底面において前記リードフレームの上面を前記樹脂パッケージから露出させて、前記半導体発光素子の実装面を構成しており、
前記第一リードは、前記第一中間領域と前記窪み部が前記開口部の底面に露出されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から7のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記樹脂パッケージは、上面に断面凹状の開口部を形成すると共に、前記開口部の底面において前記リードフレームの上面を前記樹脂パッケージから露出させて、前記半導体発光素子の実装面を構成しており、
前記開口部の中央領域において、前記第一リードに前記半導体発光素子を実装してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から8のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記リードフレームは、側面視において、前記第一リードと前記第二リードとがオーバーラップする部分を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から9のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第一リードと前記第二リードは、側縁にフランジ部を備えており、
前記フランジ部は、前記樹脂パッケージに埋設されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項10に記載の半導体発光装置であって、
前記第二リードに設けられる前記フランジ部は、前記延伸部の側縁から先端縁に沿って連続して回り込むように配置された延長部が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から11のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記一対の延伸部が、互いに対向する辺を傾斜させており、前記第二リードから離れるにつれて末広がりとなるように形成してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から12のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第二リードが、前記第二露出面の側縁を前記第一リード側に延長して前記延伸部の一辺を構成してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から13のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第一露出面と前記第二露出面が、前記インナーリード部から前記アウターリード部まで連続してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から14のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第一露出面と前記第二露出面とを、前記樹脂パッケージの底面と同一平面上に配置してなることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から15のいずれか一に記載の半導体発光装置であって、
前記第二リード上に、前記半導体発光素子を保護するための保護素子を実装してなることを特徴とする半導体発光装置。 - リードフレームと、
前記リードフレーム上に実装される半導体発光素子と、
前記リードフレームを被覆してなる樹脂パッケージと、
を備える半導体発光装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、互いに対向して配置された第一リードと第二リードとを備え、前記第一リードと前記第二リードは、互いに対向する方向において、前記第一リードが前記第二リードよりも長く形成され、かつ、前記第二リードは、前記第一リードと対向する側の両端部が前記第一リード側に向かって先細り状に延伸されて一対の延伸部が形成されており、
該リードフレームを、その両端がリード連結部を介してリードランナーに連結された状態に成形されたリードフレームを準備するリード準備工程と、
前記リードフレームを樹脂で被覆して、前記リードフレームの両端を対向する両側面に配置し、かつ、前記第一リードと前記第二リードの下面を底面から露出する状態で前記樹脂パッケージを成形する樹脂パッケージ成形工程と、
前記リードフレーム上に、前記半導体発光素子を実装する実装工程と、
前記樹脂パッケージが成形された前記リードフレームの両端において、前記リード連結部を切断して、該リードフレームを前記リードランナーから分離する切断工程と、
を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 請求項17に記載される半導体発光装置の製造方法であって、
前記リード準備工程において、複数のリードフレームを、1ないし複数列に並べる状態で前記リードランナーに連結してなるフレームユニットを準備することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014143696A JP6413412B2 (ja) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US14/795,892 US9947848B2 (en) | 2014-07-11 | 2015-07-10 | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014143696A JP6413412B2 (ja) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016021446A true JP2016021446A (ja) | 2016-02-04 |
JP6413412B2 JP6413412B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=55068242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014143696A Active JP6413412B2 (ja) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9947848B2 (ja) |
JP (1) | JP6413412B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |