JP2013165221A - リードフレーム、樹脂付リードフレーム、及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子載置部とリード部との間の空間から樹脂部が脱落することを防止する。
【解決手段】リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１が載置されるＬＥＤ素子載置部１１と、ＬＥＤ素子載置部１１に離間して配置されたリード部１２と、を備え、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２のうち少なくとも一方の周縁部には、表面が他の部分から落ち込む表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂと、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃとが形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するために用いられるリードフレーム、樹脂付リードフレーム、及びこのようなリードフレームを備えた半導体装置に関する。

従来、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、ディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームとＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある（例えば特許文献１参照）。

このような半導体装置として、例えば、ＬＥＤ素子を載置するダイパッド（ＬＥＤ素子載置部）及びダイパッドから離間して設けられたリード部を有するリードフレームと、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める埋設樹脂部と、ダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子を封止する透明樹脂部とを備えたものが知られている。このような半導体装置は、ダイパッドとリード部との間の空間を埋設樹脂部で埋めた樹脂付リードフレームを準備し、樹脂付リードフレームのダイパッド上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子を透明樹脂で封止することで作製される。

しかし、リードフレームと埋設樹脂部との密着性が低く、樹脂付リードフレームの取り扱い中に、埋設樹脂部がリードフレームから脱落しやすいという問題があった。

特開２０１１−９６９７０号公報

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子載置部及びリード部から埋設樹脂部が脱落することを防止することが可能なリードフレーム、樹脂付リードフレーム、及び半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によるリードフレームは、ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、を備え、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部のうち少なくとも一方の周縁部には、表面が他の部分から落ち込む表面落ち込み領域と、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域とが形成されているものである。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記表面落ち込み領域と前記裏面落ち込み領域とが交互に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の両方の周縁部に、前記表面落ち込み領域及び前記裏面落ち込み領域が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記ＬＥＤ素子載置部の平面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部の中心点を中心とした点対称形となることが好ましい。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記リード部の平面形状は、前記リード部の中心点を中心とした点対称形となることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームは、ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、を備えた樹脂付リードフレームであって、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部のうち少なくとも一方の周縁部には、表面が他の部分から落ち込む表面落ち込み領域と、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域とが形成され、前記ＬＥＤ素子載置部と前記リード部との間の空間、前記表面落ち込み領域、及び前記裏面落ち込み領域を埋める埋設樹脂部を設けたものである。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記表面落ち込み領域と前記裏面落ち込み領域とが交互に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の両方の周縁部に、前記表面落ち込み領域及び前記裏面落ち込み領域が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記ＬＥＤ素子載置部の平面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部の中心点を中心とした点対称形となることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記リード部の平面形状は、前記リード部の中心点を中心とした点対称形となることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の平面形状は、それぞれ、パッケージ中心線に対して線対称になっていることが好ましい。

本発明の一態様による樹脂付リードフレームにおいては、前記埋設樹脂部の表面は、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の表面と面一に形成され、前記埋設樹脂部の裏面は、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の裏面と面一に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置は、上記樹脂付リードフレームと、前記ＬＥＤ素子載置部に載置されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部と、前記ＬＥＤ素子及び前記リード部を封止する封止樹脂部と、を備えたものである。

本発明によれば、ＬＥＤ素子載置部及びリード部のうち少なくとも一方の周縁部に表面落ち込み領域と裏面落ち込み領域とを形成しているので、ＬＥＤ素子載置部及びリード部から埋設樹脂部が脱落することを防止することができる。

本実施形態によるリードフレームの上面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿った断面図である。 本実施形態によるＬＥＤ素子載置部の斜視図である。 本実施形態によるリード部の斜視図である。 本実施形態による樹脂付リードフレームの上面図である。 図６のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 図６のＥ−Ｅ線、Ｆ−Ｆ線に沿った断面図である。 本実施形態による半導体装置の上面図である。 図９のＨ−Ｈ線に沿った断面図である。 図９のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 本実施形態によるリードフレームの製造方法を説明する工程断面図である。 リードフレームの全体平面図である。 リードフレームの部分拡大平面図である。 変形例によるリードフレームの上面図である。 変形例によるリードフレームの上面図である。 変形例によるリードフレームの上面図である。 変形例による樹脂付リードフレームの断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

リードフレームの構成
まず、図１〜図５により、本実施形態によるリードフレームの概略について説明する。図１はリードフレームの上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３（ａ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図であり、図３（ｂ）は図１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図４はリードフレームに含まれるＬＥＤ素子載置部の斜視図であり、図５はリードフレームに含まれるリード部の斜視図である。

図１に示すようにＬＥＤ用リードフレーム１０（以下、リードフレーム１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置する載置面１１ａを有するＬＥＤ素子載置部１１と、空間１３を介してＬＥＤ素子載置部１１から離間して設けられたリード部１２とを備えている。リード部１２の表面（上面）には、後述するボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成されている。また、リード部１２の裏面（下面）には、図示しない外部端子部が形成されている。

ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の材料としては、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の厚みは、０．０５ｍｍ〜０．８ｍｍとすることが好ましい。

図１、図２、図３（ｂ）及び図４に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１の周縁部（外周部）には、表面が他の部分（例えば載置面１１ａ）から落ち込む表面落ち込み領域１１ｂと、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域１１ｃとが形成されている。例えば、ＬＥＤ素子載置部１１の平面形状は四角形であり、表面落ち込み領域１１ｂは対向する２辺に形成され、裏面落ち込み領域１１ｃは表面落ち込み領域１１ｂとは異なる対向する２辺に形成される。すなわち、ＬＥＤ素子載置部１１の周縁部において、表面落ち込み領域１１ｂと裏面落ち込み領域１１ｃとが交互に形成される。

また、図１、図２、図３（ａ）及び図５に示すように、リード部１２の周縁部（外周部）には、表面が他の部分（例えばボンディング面１２ａ）から落ち込む表面落ち込み領域１２ｂと、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域１２ｃとが形成されている。例えば、リード部１２の平面形状は四角形であり、表面落ち込み領域１２ｂは対向する２辺に形成され、裏面落ち込み領域１２ｃは表面落ち込み領域１２ｂとは異なる対向する２辺に形成される。すなわち、リード部１２の周縁部において、表面落ち込み領域１２ｂと裏面落ち込み領域１２ｃとが交互に形成される。

このように、ＬＥＤ素子載置部１１の周縁部とリード部１２の周縁部とに、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂと裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃとが形成されていることにより、後述するように、空間１３内に充填される埋設樹脂部２３の脱落を防止することができる。

樹脂付リードフレームの構成
次に、図６〜図８により、本実施形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図６は樹脂付リードフレームの上面図である。図７は、図６のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図８（ａ）は、図６のＥ−Ｅ線に沿った断面図であり、図８（ｂ）は図６のＦ−Ｆ線に沿った断面図である
図６〜図８に示すように、樹脂付リードフレーム３０は、図１に示すリードフレーム１０と、リードフレーム１０のＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間の空間１３を埋める埋設樹脂部２３とを備えている。リードフレーム１０と埋設樹脂部２３とは、互いに一体に結合されている。

また、埋設樹脂部２３は、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の外周を取り囲むように形成され、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ及び裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃにも埋設される。

埋設樹脂部２３の表面は、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の表面と面一に形成される。また、埋設樹脂部２３の裏面は、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の裏面と面一に形成される。

埋設樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することに形成されたものである。埋設樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により様々に実現することが可能である。また、スキージを用いた印刷法や、コーターを用いた成形法で埋設樹脂部２３を形成しても良い。

埋設樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂については、特に耐熱性、耐光性および機械的強度に優れたものを選ぶことが好ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフタレート、オレフィン、シクロオレフィン、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。

ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２に表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂが形成されていることにより、埋設樹脂部２３がリードフレーム１０の下方へ脱落することを防止できる。また、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２に裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃが形成されていることにより、リードフレーム１０が埋設樹脂部２３の下方へ脱落することを防止できる。このように、樹脂付リードフレーム３０は、埋設樹脂部２３とリードフレーム１０との結合が外れることを防止できる。

半導体装置の構成
次に、図９〜図１１により、本実施形態による半導体装置の概略について説明する。図９は半導体装置の上面図である。図１０は、図９のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。図１１（ａ）は、図９のＨ−Ｈ線に沿った断面図であり、図１１（ｂ）は図９のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

図９〜図１１に示すように、半導体装置２０は、図６〜図９に示す樹脂付リードフレーム３０と、ＬＥＤ素子載置部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リード部１２とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。ＬＥＤ素子２１及びボンディングワイヤ２２は、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。

ＬＥＤ素子２１は従来一般に用いられているものを使用することができる。また、ＬＥＤ素子２１の発光層として、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡＬＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光にわたる発光波長を選択することができる。

また、ＬＥＤ素子２１は、はんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）により、ＬＥＤ素子載置部１１の載置面１１ａ上に固定されている。このようなダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することができる。

ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅、銀等の導電性のよい材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部１２のボンディング面１２ａに接続されている。

封止樹脂部２４は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２１の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択することが好ましい。耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。

リードフレームの製造方法
次に、図１〜図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図１２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。

まず、図１２（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお、金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏に感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させる（図１２（ｂ））。なお、感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。

次に、感光性レジスト３２ａ、３３ａを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１２（ｃ））。

具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分及びハーフエッチングを行う部分に開口部３２ｂを形成する。また、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分及びハーフエッチングを行う部分に開口部３３ｂを形成する。貫通エッチングを行う部分は、リードフレーム１０の空間１３を形成する部分に対応する。また、金属基板３１の表面側においてハーフエッチングを行う部分は、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂを形成する部分に対応する。また、金属基板３１の裏面側においてハーフエッチングを行う部分は、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを形成する部分に対応する。なお、図１２（ｃ）は、図２に対応する部分の断面を示しており、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃに対応する開口部３３ｂが示されているが、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂに対応する開口部３２ｂは示されていない。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３をマスクとして金属基板３１にウェットエッチングを施す（図１２（ｄ））。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、塩化第二鉄水溶液を使用してウェットエッチングを行うことができる。

金属基板３１が厚さ方向に貫通して空間１３が形成され、同時に、空間１３を介してＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２が形成される。また、ハーフエッチングにより、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ（図示せず）及び裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃが形成される。エッチングされた部分の断面形状が垂直断面のように図示されているが、湾曲していてもよい。

続いて、図１２（ｅ）に示すように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、ＬＥＤ素子載置部１１と、ＬＥＤ素子載置部１１から離間して設けられたリード部１２とを備え、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の周縁部に、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ（図示せず）及び裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃが形成されたリードフレーム１０が得られる。

なお、図１２（ａ）〜（ｅ）では、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２をそれぞれ１つ示しているが、図１３及び図１４に示すように、金属基板３１のエッチングにより、矩形状の外形を有する枠体領域１４と、枠体領域１４内にマトリクス状に配置された複数のパッケージ領域１５とを備えたものが得られるようにしてもよい。図１４は図１３の領域Ｒの拡大図である。各パッケージ領域１５が、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２をそれぞれ１つ含むリードフレーム１０に対応している。

各パッケージ領域１５内のＬＥＤ素子載置部１１は、隣接する他のパッケージ領域１５内のＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２と、それぞれ連結部２７によって連結されている。同様に、各パッケージ領域１５内のリード部１２は、隣接する他のパッケージ領域１５内のＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２と、それぞれ連結部２７によって連結されている。

図１２（ａ）〜（ｅ）に示す工程により作製したリードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形し、埋設樹脂部２３を形成することにより、図６〜図８に示すような、リードフレーム１０と埋設樹脂部２３とが一体に結合された樹脂付リードフレーム３０が得られる。

図９〜図１１に示す半導体装置２０を作製する場合は、まず、上述のようにして得られた樹脂付リードフレーム３０のＬＥＤ素子載置部１１の載置面１１ａ上に、はんだ又はダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を載置して固定する。次に、ＬＥＤ素子２１とリード部１２とをボンディングワイヤ２２によって接続する。次に、ＬＥＤ素子２１及びボンディングワイヤ２２をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド、樹脂ポッティング等により、封止樹脂部２３により封止する。このようにして、図９〜図１１に示す半導体装置２０を得ることができる。

なお、図１３及び図１４に示すように、金属基板３１のエッチングにより枠体領域１４内にマトリクス状に配置された複数のパッケージ領域１５（リードフレーム１０）を形成している場合、各パッケージ領域１５に対して、上述したようなＬＥＤ素子２１の載置・固定、ボンディングワイヤ２２の接続、封止樹脂部２３による封止を行った後、連結部２７をダイシングすることにより、個片化した半導体装置２０を得ることができる。

本実施形態によれば、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２に表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂが形成されていることにより、埋設樹脂部２３がリードフレーム１０の下方へ脱落することを防止できる。また、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２に裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃが形成されていることにより、リードフレーム１０が埋設樹脂部２３の下方へ脱落することを防止できる。従って、埋設樹脂部２３とリードフレーム１０との結合が外れることを防止でき、歩留まりを向上させることができる。

変形例
上記実施形態では、図１〜図５に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２において、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂは対向する２辺に１つずつ形成され、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃは表面落ち込み領域１２ｂとは異なる対向する２辺に１つずつ形成されているが、図１５に示すように、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂを対向する２辺に２つずつ形成し、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂとは異なる対向する２辺に２つずつ形成してもよい。各辺に形成される表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃの数は２つ以上にすることができる。

また、図１６に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の周縁部に、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂと裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃとを連続して交互に形成してもよい。

また、図１７に示すように、四角形のＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の各辺の中央部に裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを形成し、頂点（角）の部分に表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂを形成し、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃの両端に切欠き部１６を形成するような構成にしてもよい。このような構成にすることで、アンカー効果が得られるので、樹脂付リードフレーム３０及び半導体装置２０のストレスに対する強度を向上させることができる。従って、樹脂付リードフレーム３０や半導体装置２０にストレスが加わった場合であっても、埋設樹脂部２３とリードフレーム１０との結合が外れることを防止できる。

ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の平面形状は、中心点（重心）を中心とした点対称形状になっていることが好ましい。表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ及び裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを点対称の位置に配置することで、各端子にかかる応力を端子の一部に局在させることなく、均一化することができるので、埋設樹脂部２３とリードフレーム１０との結合性を向上させることができる。

また、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の平面形状は、パッケージ中心線に対して、それぞれ線対称になっていることが好ましい。ここで、パッケージ中心線とは、図１４に示す各パッケージ領域１５を（図１４における）上下の２領域に分割するような直線をいう。表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ及び裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを線対称の位置に配置することで、パッケージにかかる応力を左右のどちらかに局在させず、均一化することができるので、埋設樹脂部２３とリードフレーム１０との結合性を向上させることができる。

上述した実施形態及び変形例において、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂと裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃとの位置を入れ替えてもよい。

また、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂ、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃを、ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２のうち、いずれか一方にのみ形成した構成としてもよい。

また、表面落ち込み領域１１ｂ、１２ｂをＬＥＤ素子載置部１１又はリード部１２の一方に形成し、裏面落ち込み領域１１ｃ、１２ｃをＬＥＤ素子載置部１１又はリード部１２の他方に形成した構成としてもよい。

また、図１８に示すように、リードフレーム１０の上方に突設する突設樹脂部４０を設けた樹脂付リードフレーム３０としてもよい。突設樹脂部４０はリードフレーム１０と一体に結合されており、ＬＥＤ素子載置部の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａを取り囲むように形成される。この突設樹脂部４０は、埋設樹脂部２３と同じ工程で形成することができる。その後の工程で形成される封止樹脂部２４は、突設樹脂部４０、載置面１１ａ、及びボンディング面１２ａからなる凹部４１内に充填されることになる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１０ リードフレーム
１１ ＬＥＤ素子載置部
１１ａ 載置面
１１ｂ 表面落ち込み領域
１１ｃ 裏面落ち込み領域
１２ リード部
１２ａ ボンディング面
１２ｂ 表面落ち込み領域
１２ｃ 裏面落ち込み領域
１３ 空間
１４ 枠体領域
１５ パッケージ領域
１６ 切欠き部
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 埋設樹脂部
２４ 封止樹脂部
２７ 連結部
３０ 樹脂付リードフレーム
３１ 金属基板
３２、３３ エッチング用レジスト層

Claims (13)

1. ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、
   前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、
   を備え、
   前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部のうち少なくとも一方の周縁部には、表面が他の部分から落ち込む表面落ち込み領域と、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域とが形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記表面落ち込み領域と前記裏面落ち込み領域とが交互に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の両方の周縁部に、前記表面落ち込み領域及び前記裏面落ち込み領域が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
4. 前記ＬＥＤ素子載置部の平面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部の中心点を中心とした点対称形となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリードフレーム。
5. 前記リード部の平面形状は、前記リード部の中心点を中心とした点対称形となることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレーム。
6. ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、を備えた樹脂付リードフレームであって、
   前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部のうち少なくとも一方の周縁部には、表面が他の部分から落ち込む表面落ち込み領域と、裏面が他の部分から落ち込む裏面落ち込み領域とが形成され、
   前記ＬＥＤ素子載置部と前記リード部との間の空間、前記表面落ち込み領域、及び前記裏面落ち込み領域を埋める埋設樹脂部を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
7. 前記表面落ち込み領域と前記裏面落ち込み領域とが交互に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂付リードフレーム。
8. 前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の両方の周縁部に、前記表面落ち込み領域及び前記裏面落ち込み領域が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の樹脂付リードフレーム。
9. 前記ＬＥＤ素子載置部の平面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部の中心点を中心とした点対称形となることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
10. 前記リード部の平面形状は、前記リード部の中心点を中心とした点対称形となることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
11. 前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の平面形状は、それぞれ、パッケージ中心線に対して線対称になっていることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
12. 前記埋設樹脂部の表面は、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の表面と面一に形成され、前記埋設樹脂部の裏面は、前記ＬＥＤ素子載置部及び前記リード部の裏面と面一に形成されていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
13. 請求項６乃至１２のいずれかに記載の樹脂付リードフレームと、
    前記ＬＥＤ素子載置部に載置されたＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部と、
    前記ＬＥＤ素子及び前記リード部を封止する封止樹脂部と、
    を備えたことを特徴とする半導体装置。

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