JP2007180326A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光特性および量産性に優れた発光装置を提供すること。
【解決手段】第１素子電極１と、第１素子電極１と平面的に離間して配置された第２素子電極２とを備えた発光素子３と、第１パッケージ電極１１と、第１パッケージ電極１１と平面的に離間して配置された第２パッケージ電極１２とを備えたパッケージ１３と、前記第１素子電極１と前記第１パッケージ電極１１とを導電接続する第１導電性ワイヤー２１と、前記第２素子電極２と前記第２パッケージ電極１２とを導電接続する第２導電性ワイヤー２２とを備え、前記第１パッケージ電極１１と前記第１導電性ワイヤー２１との接点に対する前記第１素子電極１の方向が、前記第２パッケージ電極１２と前記第２導電性ワイヤー２２との接点に対する前記第２素子電極２の方向と同じである発光装置とする。
【選択図】図１
【解決手段】第１素子電極１と、第１素子電極１と平面的に離間して配置された第２素子電極２とを備えた発光素子３と、第１パッケージ電極１１と、第１パッケージ電極１１と平面的に離間して配置された第２パッケージ電極１２とを備えたパッケージ１３と、前記第１素子電極１と前記第１パッケージ電極１１とを導電接続する第１導電性ワイヤー２１と、前記第２素子電極２と前記第２パッケージ電極１２とを導電接続する第２導電性ワイヤー２２とを備え、前記第１パッケージ電極１１と前記第１導電性ワイヤー２１との接点に対する前記第１素子電極１の方向が、前記第２パッケージ電極１２と前記第２導電性ワイヤー２２との接点に対する前記第２素子電極２の方向と同じである発光装置とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光装置に関し、特に、生産性を向上させることが可能であり、なおかつ、光特性を向上させることのできる発光装置に関するものである。
従来から、発光装置として、発光素子を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）などが知られている。ＬＥＤとしては、発光素子の電極とパッケージ電極とを導電性ワイヤーで接続したものがある（例えば、特許文献１参照）。このようなＬＥＤでは、Ａｕからなる導電性ワイヤーをワイヤーボンディングすることによって、発光素子の電極とパッケージ電極とを接続している。
特開平９−３０７１４５号公報
しかしながら、従来のＬＥＤでは、光特性が不十分であり、量産性を低下させることなく、光特性をより一層向上させることが要求されていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、光特性を向上させることが可能であり、なおかつ量産性に優れた発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、光特性を向上させることが可能であり、なおかつ量産性に優れた発光装置を提供することを目的とする。
本発明者は、発光装置の光特性を向上させるために、導電性ワイヤーの反射率に着目して本発明を想到した。本発明者は、鋭意研究することにより、導電性ワイヤーの材料として反射率の高い材料を用いることで、高い反射率が得られ、ＬＥＤの光特性を向上させることができることを見出した。また、反射率の高い材料として、Ａｌを用いることが望ましいことを見出した。しかし、Ａｌからなる導電性ワイヤーは、ウェッジボンディングによりボンディングしなければならないため、Ａｕからなる導電性ワイヤーをボールボンディングによってボンディングする場合と比較して、導電性ワイヤーのボンディングに要する時間が約３倍も多くかかり、量産性が悪くなってしまう。
すなわち、一般に、ボールボンディング装置は、どの方向にもボンディング可能なものであるので、複数のボンディング作業を連続して実行させる際に、各ボンディング作業毎に導電性ワイヤーの延在方向が異なっていてもボンディングに要する時間に対する影響は少ない。
これに対し、ウェッジボンディング装置は、基本的に一方向のみしかボンディングできない。このため、ウェッジボンディング装置を用いて、ボンディング作業毎に導電性ワイヤーの延在方向が異なる複数のボンディング作業を連続して実行させる際には、ボンディングヘッドに回転機構を取り付けなければならない。ボンディングヘッドに回転機構を取り付けてボンディング作業を実行させると、ボンディングヘッドを回転させる分の時間の増加と、回転機構を取り付けたことによる重量増加に起因するボンディング速度の低下による時間の増加によって、ボンディングに要する時間が非常に長くなる。
そこで、本発明者は、発光装置の構造について検討を重ね、ウェッジボンディング装置を用いて、ボールボンディングと同等の速度でボンディングすることができる本発明の発光装置を想到した。
これに対し、ウェッジボンディング装置は、基本的に一方向のみしかボンディングできない。このため、ウェッジボンディング装置を用いて、ボンディング作業毎に導電性ワイヤーの延在方向が異なる複数のボンディング作業を連続して実行させる際には、ボンディングヘッドに回転機構を取り付けなければならない。ボンディングヘッドに回転機構を取り付けてボンディング作業を実行させると、ボンディングヘッドを回転させる分の時間の増加と、回転機構を取り付けたことによる重量増加に起因するボンディング速度の低下による時間の増加によって、ボンディングに要する時間が非常に長くなる。
そこで、本発明者は、発光装置の構造について検討を重ね、ウェッジボンディング装置を用いて、ボールボンディングと同等の速度でボンディングすることができる本発明の発光装置を想到した。
（１）第１素子電極と、前記第１素子電極と平面的に離間して配置された第２素子電極とを備えた発光素子と、第１パッケージ電極と、前記第１パッケージ電極と平面的に離間して配置された第２パッケージ電極とを備えたパッケージと、前記第１素子電極と前記第１パッケージ電極とを導電接続する第１導電性ワイヤーと、前記第２素子電極と前記第２パッケージ電極とを導電接続する第２導電性ワイヤーとを備え、前記第１パッケージ電極と前記第１導電性ワイヤーとの接点に対する前記第１素子電極の方向が、前記第２パッケージ電極と前記第２導電性ワイヤーとの接点に対する前記第２素子電極の方向と同じであることを特徴とする発光装置。
（２）前記第１導電性ワイヤーおよび前記第２導電性ワイヤーが、Ａｌからなることを特徴とする（１）に記載の発光装置。
（３）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面の前記発光素子が配置されている素子領域よりも外側の領域に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（４）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面に、前記第１素子電極と前記第２素子電極との間の距離よりも直径の小さい円形状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（５）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極および前記第２素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（６）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面に、半円状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられているとともに、前記第２素子電極が前記第２パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（２）前記第１導電性ワイヤーおよび前記第２導電性ワイヤーが、Ａｌからなることを特徴とする（１）に記載の発光装置。
（３）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面の前記発光素子が配置されている素子領域よりも外側の領域に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（４）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面に、前記第１素子電極と前記第２素子電極との間の距離よりも直径の小さい円形状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（５）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極および前記第２素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
（６）前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、前記凹部の底面に、半円状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられているとともに、前記第２素子電極が前記第２パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする（１）または（２）に記載の発光装置。
本発明の発光装置によれば、前記第１パッケージ電極と前記第１導電性ワイヤーとの接点に対する前記第１素子電極の方向が、前記第２パッケージ電極と前記第２導電性ワイヤーとの接点に対する前記第２素子電極の方向と同じであるので、第１導電性ワイヤーおよび第２導電性ワイヤーは、一方向にのみボンディングされることにより製造されるものとなる。
したがって、本発明の発光装置を製造する際に、ウェッジボンディング装置を用いて、第１導電性ワイヤーおよび第２導電性ワイヤーを一方向にのみボンディングする場合でも、ボンディングヘッドに回転機構を取り付ける必要はなく、ボールボンディングを行う場合と同等の速度でボンディングすることができる。また、本発明の発光装置を製造する際に、ボールボンディング装置を用いた場合であっても、ボンディング作業の作業効率を向上させることができる。したがって、本発明の発光装置は、効率良く製造できる。
しかも、本発明の発光装置は、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも効率良く製造できるので、導電性ワイヤーの材料の選択の自由度を増大させることができる。したがって、導電性ワイヤーを例えばＡｌなどの反射率の高い材料からなるものとすることができる。したがって、本発明の発光装置において、Ａｌからなる第１導電性ワイヤーおよび第２導電性ワイヤーを備えたものとすることで、効率良く製造でき、光特性に優れた発光装置が実現できる。
したがって、本発明の発光装置を製造する際に、ウェッジボンディング装置を用いて、第１導電性ワイヤーおよび第２導電性ワイヤーを一方向にのみボンディングする場合でも、ボンディングヘッドに回転機構を取り付ける必要はなく、ボールボンディングを行う場合と同等の速度でボンディングすることができる。また、本発明の発光装置を製造する際に、ボールボンディング装置を用いた場合であっても、ボンディング作業の作業効率を向上させることができる。したがって、本発明の発光装置は、効率良く製造できる。
しかも、本発明の発光装置は、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも効率良く製造できるので、導電性ワイヤーの材料の選択の自由度を増大させることができる。したがって、導電性ワイヤーを例えばＡｌなどの反射率の高い材料からなるものとすることができる。したがって、本発明の発光装置において、Ａｌからなる第１導電性ワイヤーおよび第２導電性ワイヤーを備えたものとすることで、効率良く製造でき、光特性に優れた発光装置が実現できる。
「第１実施形態」
図１（ａ）は、本発明の発光装置の第１実施形態の一例を示した平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す発光装置のＡ−Ａ‘線に沿う断面図である。なお、図１（ａ）においては、図面を見やすくするために、パッケージの封止部の記載を省略して示している。
図１に示す発光装置は、発光素子３とパッケージ１３とを備えたものであり、発光素子３によって発光された光が上方から取り出されるようになっている。
発光素子３は、半導体発光層３ａと、半導体発光層３ａの上に配置され、正極として機能する第１素子電極１と、半導体発光層３ａ上において第１素子電極１と平面的に離間して配置され、負極として機能する第２素子電極２とを備えている。
図１（ａ）は、本発明の発光装置の第１実施形態の一例を示した平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す発光装置のＡ−Ａ‘線に沿う断面図である。なお、図１（ａ）においては、図面を見やすくするために、パッケージの封止部の記載を省略して示している。
図１に示す発光装置は、発光素子３とパッケージ１３とを備えたものであり、発光素子３によって発光された光が上方から取り出されるようになっている。
発光素子３は、半導体発光層３ａと、半導体発光層３ａの上に配置され、正極として機能する第１素子電極１と、半導体発光層３ａ上において第１素子電極１と平面的に離間して配置され、負極として機能する第２素子電極２とを備えている。
半導体発光層３ａは、基板上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを備えたものである。基板の材料としては、サファイア単結晶、スピネル単結晶、ＺｎＯ単結晶、ＬｉＡｌＯ2単結晶、ＬｉＧａＯ2単結晶、ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＳｉＣ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＡｌＮ単結晶、ＧａＮ単結晶およびＺｒＢ2などのホウ化物単結晶などを何ら制限なく用いることができる。
ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層は、例えば、窒化物系半導体からなるものとすることができる。窒化物系半導体としては、例えば、一般式ＡｌXＧａYＩｎZＮ1-AＭA（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１で且つ、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１。記号Ｍは窒素（Ｎ）とは別の第Ｖ族元素を表し、０≦Ａ＜１である。）で表わされる窒化物系半導体を用いることができる。窒化物系半導体は、Ａｌ、ＧａおよびＩｎ以外に他のＩＩＩ族元素を含有することができ、必要に応じてＧｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐ、ＡｓおよびＢなどの元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
ｎ型半導体層は、通常、下地層、ｎコンタクト層およびｎクラッド層から構成される。ｎコンタクト層は下地層および／またはｎクラッド層を兼ねることができる。下地層はＡｌXＧａ1―XＮ層（０≦ｘ≦１、好ましくは０≦ｘ≦０．５、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．１）から構成されることが好ましい。ｎコンタクト層としては、下地層と同様にＡｌXＧａ1―XＮ層（０≦ｘ≦１、好ましくは０≦ｘ≦０．５、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．１）から構成されることが好ましい。また、ｎコンタクト層を構成する窒化物系半導体は、下地層と同一組成であることが好ましい。
ｎコンタクト層と発光層との間には、ｎクラッド層を設けることが好ましい。ｎクラッド層はＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどで形成することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。
ｎコンタクト層と発光層との間には、ｎクラッド層を設けることが好ましい。ｎクラッド層はＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどで形成することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。
発光層としては、好ましくはＧａ1-sＩｎsＮ（０＜ｓ＜１）の窒化物系半導体からなる発光層が用いられる。発光層は、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造の他に、上記Ｇａ1-sＩｎsＮを井戸層として、この井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいＡｌcＧａ1-cＮ（０≦ｃ≦１）障壁層とからなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造としてもよい。
ｐ型半導体層は、通常、ｐクラッド層およびｐコンタクト層から構成される。ｐクラッド層は、ＡｌdＧａ1-dＮ（０＜ｄ≦１、好ましくは０．１≦ｄ≦０．３）から構成されることが好ましい。ｐコンタクト層は、少なくともＡｌeＧａ1-eＮ（０≦ｅ＜１、好ましくは０≦ｅ≦０．２、より好ましくは０≦ｅ≦０．１）を含んでなる窒化物系半導体層から構成される。
発光素子３における第１素子電極１および第２素子電極２の配置は、特に限定されず、例えば、図１（ａ）に示すように、第１素子電極１と第２素子電極２とが、発光素子３の対向する二辺の中間線上に配置されていても良いし、発光素子３の対角線上に配置されていてもよい。また、第１素子電極１および第２素子電極２の平面形状は、ウェッジボンディング可能な面積を有していればいかなる形状であってもよく、図１（ａ）に示すように、円形状とすることができる。
第１素子電極１および第２素子電極２としては、Ａｕ，Ａｌ，ＮｉおよびＣｕ等の材料を用いることができる。
第１素子電極１および第２素子電極２としては、Ａｕ，Ａｌ，ＮｉおよびＣｕ等の材料を用いることができる。
また、パッケージ１３は、本体１３ａと、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２と、第１端子４１および第２端子４２と、本体１３ａの凹部１４内に充填された封止部１３ｃとを備えている。
本体１３ａおよび封止部１３ｃは、発光素子３を保護するものである。本体１３ａは、平面視円形のすり鉢状の凹部１４を有するものであり、凹部１４の中心部１４ａには発光素子３が配置されている。
本体１３ａおよび封止部１３ｃは、ポリフタルアミドなどのアミド樹脂、イミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ガラスエポキシ等からなるものとすることができる。また、本体１３ａは、モールド形成やインサート成形された樹脂などの絶縁材料により形成することができる。
本体１３ａおよび封止部１３ｃは、発光素子３を保護するものである。本体１３ａは、平面視円形のすり鉢状の凹部１４を有するものであり、凹部１４の中心部１４ａには発光素子３が配置されている。
本体１３ａおよび封止部１３ｃは、ポリフタルアミドなどのアミド樹脂、イミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ガラスエポキシ等からなるものとすることができる。また、本体１３ａは、モールド形成やインサート成形された樹脂などの絶縁材料により形成することができる。
第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２は、発光素子３とパッケージ１３との電気的接続を行なうためのものであり、凹部１４の底面１４ｂに配置されている。
また、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１とは、例えば、Ａｌからなる第１導電性ワイヤー２１によって導電接続され、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２とは、例えば、Ａｌからなる第２導電性ワイヤー２２によって導電接続されている。
また、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１とは、例えば、Ａｌからなる第１導電性ワイヤー２１によって導電接続され、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２とは、例えば、Ａｌからなる第２導電性ワイヤー２２によって導電接続されている。
第１パッケージ電極１１は、底面１４ｂの外形に沿って底面１４ｂの第１端子４１側半分に設けられた略半月の主部１１ａと、主部１１ａと一体化されて設けられ、凹部１４の中心部１４ａにおいて主部１１ａから第２端子４２側に張り出して形成された張り出し部１１ｂとからなる。図１（ａ）に示すように、第１パッケージ電極１１上には、発光素子３が配置されており、発光素子３の第１素子電極１および第２素子電極２が第１パッケージ電極１１と平面的に重なり合っている。
第２パッケージ電極１２は、底面１４ｂにおける第１パッケージ電極１１が設けられていない領域を覆うように設けられ、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、絶縁領域１３ｂによって、第１パッケージ電極１１と平面的に離間して配置されている。
第２パッケージ電極１２は、底面１４ｂにおける第１パッケージ電極１１が設けられていない領域を覆うように設けられ、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、絶縁領域１３ｂによって、第１パッケージ電極１１と平面的に離間して配置されている。
絶縁領域１３ｂは、本体１３ａを構成する絶縁材料からなるものであり、第１パッケージ電極１１と第２パッケージ電極１２との間にほぼ一定の幅で帯状に配置されている。より詳細には、絶縁領域１３ｂは、底面１４ｂの第１端子４１と第２端子４２との中間位置よりも第２端子４２側においては、発光素子３を取り囲むように図１（ａ）における発光素子３の上側と下側と第２端子４２側とに配置され、底面１４ｂの第１端子４１と第２端子４２との中間線上における発光素子３よりも下側および上側においては、第１端子４１と第２端子４２との中間線に沿って配置されている。また、本実施形態においては、第１端子４１と第２端子４２との中間線が、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との中間線と重なり合っている。
本実施形態においては、図１（ａ）に示すように、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向（図１においては下方向、以下「矢印ａ方向という」）が、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向と同じとされている。
また、パッケージ１３に対する発光素子３の配置は、発光素子３を構成する第１素子電極１と第２素子電極２とをつなぐ線の延在方向と、矢印ａ方向とが交差するようにされている。なお、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との間の距離を十分に確保して短絡を防ぐため、図１（ａ）に示すように、第１素子電極１と第２素子電極２とをつなぐ線の延在方向と、矢印ａ方向とが直交するように配置されることが望ましい。
また、パッケージ１３に対する発光素子３の配置は、発光素子３を構成する第１素子電極１と第２素子電極２とをつなぐ線の延在方向と、矢印ａ方向とが交差するようにされている。なお、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との間の距離を十分に確保して短絡を防ぐため、図１（ａ）に示すように、第１素子電極１と第２素子電極２とをつなぐ線の延在方向と、矢印ａ方向とが直交するように配置されることが望ましい。
また、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２は、発光素子３から放出された熱を外部に放熱しやすいものとするため熱伝導性に優れた材料からなるものとすることが望ましい。さらに、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２は、発光素子３が放出した光を効率よく利用できるものとするため反射率の高い材料からなるものとすることが望ましい。具体的には、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２としては、ＣｕやＣｕ系合金、Ｆｅ系合金、あるいはＮｉなどの素地金属の上にＡｕ或いはＡｇ等の貴金属メッキを施したものなどを好適に用いることができる。
また、第１端子４１および第２端子４２は、パッケージ１３と外部との電気的接続を行なうためのものである。第１端子４１は、第１パッケージ電極１１と同じ材料からなり、本体１３ａの凹部１４を構成する壁部１４ｃを貫通して第１パッケージ電極１１と一体化されている。また、第１端子４１は、本体１３ａの側部から導出され、本体１３ａの底部に沿って折り曲げられている。
一方、第２端子４２は、第２パッケージ電極１２と同じ材料からなり、本体１３ａの凹部１４を構成する壁部１４ｃを貫通して第２パッケージ電極１２と一体化されている。また、第２端子４２は、第１端子４１と対向する本体１３ａの側部から導出され、本体１３ａの底部に沿って折り曲げられている。
一方、第２端子４２は、第２パッケージ電極１２と同じ材料からなり、本体１３ａの凹部１４を構成する壁部１４ｃを貫通して第２パッケージ電極１２と一体化されている。また、第２端子４２は、第１端子４１と対向する本体１３ａの側部から導出され、本体１３ａの底部に沿って折り曲げられている。
本実施形態の発光装置は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、発光素子３を製造する。すなわち、基板上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）などを用いて形成することにより半導体発光層３ａを形成し、得られた半導体発光層３ａの上に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、第１素子電極１と第２素子電極２とを形成することにより発光素子３とする。
まず、発光素子３を製造する。すなわち、基板上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）などを用いて形成することにより半導体発光層３ａを形成し、得られた半導体発光層３ａの上に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、第１素子電極１と第２素子電極２とを形成することにより発光素子３とする。
また、金属板を打ち抜くことにより、第１端子４１、第２端子４２、第１パッケージ電極１１、第２パッケージ電極１２となる複数の図２（ａ）に示す基本単位形状５１ａを有する図２（ｂ）に示すリードフレーム５１を形成する。図２（ａ）において、符号４１ｃは第１端子４１となる部分であり、符号４２ｃは第２端子４２となる部分であり、符号１１ｃは第１パッケージ電極１１となる部分であり、符号１２ｃは第２パッケージ電極１２となる部分である。
次に、図２（ｂ）に示すリードフレーム５１にパッケージ１３の本体１３ａとなる絶縁材料をモールド形成して、凹部１４を有する本体１３ａ、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２、第１端子４１および第２端子４２の形成された複数の図３（ａ）に示す基本単位形状５２ａを有する図３（ｂ）に示すモールドリードフレーム５２を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すリードフレーム５１にパッケージ１３の本体１３ａとなる絶縁材料をモールド形成して、凹部１４を有する本体１３ａ、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２、第１端子４１および第２端子４２の形成された複数の図３（ａ）に示す基本単位形状５２ａを有する図３（ｂ）に示すモールドリードフレーム５２を形成する。
次に、モールドリードフレーム５２の凹部１４に、第１素子電極１と第２素子電極２とをつなぐ線の延在方向と、図１（ａ）に示す矢印ａ方向であるリードフレーム５１の基本単位形状５１ａの幅方向とが直交するように発光素子３を実装し、ウェッジボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１とをＡｌからなる第１導電性ワイヤー２１によって導電接続するとともに、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２とをＡｌからなる第２導電性ワイヤー２２によって導電接続する。
その後、本体１３ａの凹部１４内に、樹脂などを充填して封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して個々の発光装置とすることで、本実施形態の発光装置が得られる。
その後、本体１３ａの凹部１４内に、樹脂などを充填して封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して個々の発光装置とすることで、本実施形態の発光装置が得られる。
本実施形態の発光装置は、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とが、いずれも同じ矢印ａ方向とされているので、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングは、一方向にのみボンディングすることにより製造されることになる。
したがって、本実施形態の発光装置を製造する際に、ウェッジボンディング装置を用いて、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２をボンディングする場合でも、ボンディングヘッドに回転機構を取り付ける必要はなく、ボールボンディングを行う場合と同等の速度でボンディングすることができる。
また、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングを、一方向にのみボンディングすることにより実施できるので、本実施形態の発光装置を製造する際に、ボールボンディング装置を用いた場合であっても、ボンディング作業の作業効率を向上させることができる。
このように、本実施形態の発光装置は、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも生産性の高いボンディングで得られるものであり、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２を反射率の高いＡｌからなるものとすることができるので、生産性の高い製造ができ、しかも、光特性に優れた発光装置となる。
したがって、本実施形態の発光装置を製造する際に、ウェッジボンディング装置を用いて、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２をボンディングする場合でも、ボンディングヘッドに回転機構を取り付ける必要はなく、ボールボンディングを行う場合と同等の速度でボンディングすることができる。
また、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングを、一方向にのみボンディングすることにより実施できるので、本実施形態の発光装置を製造する際に、ボールボンディング装置を用いた場合であっても、ボンディング作業の作業効率を向上させることができる。
このように、本実施形態の発光装置は、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも生産性の高いボンディングで得られるものであり、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２を反射率の高いＡｌからなるものとすることができるので、生産性の高い製造ができ、しかも、光特性に優れた発光装置となる。
「第２実施形態」
図４は、本発明の発光装置の第２実施形態の一例を示した平面図である。図４に示す第２実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図４に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂのうち、発光素子３が配置されている素子領域よりも外側で下側の領域１４ｄにのみ、第１パッケージ電極１５および第２パッケージ電極１６が配置されており、凹部１４の底面１４ｂのうちの第１パッケージ電極１５および第２パッケージ電極１６が配置されていない領域が絶縁領域１３ｄとされている。また、第１パッケージ電極１５と第２パッケージ電極１６は同形で、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との中間線の延在方向に沿って配置された絶縁領域１３ｄによって平面的に離間して配置されている。
図４は、本発明の発光装置の第２実施形態の一例を示した平面図である。図４に示す第２実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図４に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂのうち、発光素子３が配置されている素子領域よりも外側で下側の領域１４ｄにのみ、第１パッケージ電極１５および第２パッケージ電極１６が配置されており、凹部１４の底面１４ｂのうちの第１パッケージ電極１５および第２パッケージ電極１６が配置されていない領域が絶縁領域１３ｄとされている。また、第１パッケージ電極１５と第２パッケージ電極１６は同形で、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との中間線の延在方向に沿って配置された絶縁領域１３ｄによって平面的に離間して配置されている。
また、本実施形態の発光装置においても、第１パッケージ電極１５と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１６と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とが、いずれも同じ矢印ａ方向とされているので、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングは、一方向にのみボンディングすることにより製造されることになる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
「第３実施形態」
図５は、本発明の発光装置の第３実施形態の一例を示した平面図である。図５に示す第３実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図５に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂのうち、発光素子３が配置されている素子領域よりも外側で下側の領域１４ｄにのみ、第１パッケージ電極１７および第２パッケージ電極１８が配置されており、凹部１４の底面１４ｂのうち第１パッケージ電極１７および第２パッケージ電極１８が配置されていない領域が絶縁領域１３ｅとされている。また、第１パッケージ電極１７と第２パッケージ電極１８は同形で、第１素子電極１と第２素子電極２との間の距離よりも直径の小さい円形状である。そして、図５に示すように、第１パッケージ電極１７の中心が、第１パッケージ電極１７と第１導電性ワイヤー２１との接点３１となっており、第２パッケージ電極１８の中心が、第２パッケージ電極１８と第２導電性ワイヤー２２との接点３２となっている。
図５は、本発明の発光装置の第３実施形態の一例を示した平面図である。図５に示す第３実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図５に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂのうち、発光素子３が配置されている素子領域よりも外側で下側の領域１４ｄにのみ、第１パッケージ電極１７および第２パッケージ電極１８が配置されており、凹部１４の底面１４ｂのうち第１パッケージ電極１７および第２パッケージ電極１８が配置されていない領域が絶縁領域１３ｅとされている。また、第１パッケージ電極１７と第２パッケージ電極１８は同形で、第１素子電極１と第２素子電極２との間の距離よりも直径の小さい円形状である。そして、図５に示すように、第１パッケージ電極１７の中心が、第１パッケージ電極１７と第１導電性ワイヤー２１との接点３１となっており、第２パッケージ電極１８の中心が、第２パッケージ電極１８と第２導電性ワイヤー２２との接点３２となっている。
本実施形態の発光装置においても、第１パッケージ電極１７と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１８と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とが、いずれも同じ矢印ａ方向とされているので、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングは、一方向にのみボンディングすることにより製造されることになる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
「第４実施形態」
図６は、本発明の発光装置の第４実施形態の一例を示した平面図である。図６に示す第４実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図６に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂに、半円状の第１パッケージ電極１９および第２パッケージ電極２０が配置されている。第１パッケージ電極１９と第２パッケージ電極２０とは、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との中間線の延在方向に沿って凹部１４の底面１４ｂを分断する絶縁領域１３ｆによって平面的に離間して配置されている。また、図６に示す発光装置では、第１素子電極１が第１パッケージ電極１９と平面的に重なり合っているとともに、第２素子電極２が第２パッケージ電極２０と平面的に重なり合っている。
図６は、本発明の発光装置の第４実施形態の一例を示した平面図である。図６に示す第４実施形態の発光装置が、図１に示す第１実施形態の発光装置と異なるところは、第１パッケージ電極と第２パッケージ電極の形状のみであるので、以下の説明においては、異なるところについてのみ説明し、重複する説明を省略する。
図６に示す発光装置では、凹部１４の底面１４ｂに、半円状の第１パッケージ電極１９および第２パッケージ電極２０が配置されている。第１パッケージ電極１９と第２パッケージ電極２０とは、第１導電性ワイヤー２１と第２導電性ワイヤー２２との中間線の延在方向に沿って凹部１４の底面１４ｂを分断する絶縁領域１３ｆによって平面的に離間して配置されている。また、図６に示す発光装置では、第１素子電極１が第１パッケージ電極１９と平面的に重なり合っているとともに、第２素子電極２が第２パッケージ電極２０と平面的に重なり合っている。
本実施形態の発光装置においても、第１パッケージ電極１９と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極２０と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とが、いずれも同じ矢印ａ方向とされているので、第１導電性ワイヤー２１および第２導電性ワイヤー２２のボンディングは、一方向にのみボンディングすることにより製造されることになる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
したがって、本実施形態の発光装置も、ウェッジボンディングでもボールボンディングでも同様に効率良くボンディングされて得られるものとなる。
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実験例１〜実験例２）
サファイア単結晶からなる基板上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）を用いてｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを形成し、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体からなる半導体発光層３ａを形成した。
そして、得られた半導体発光層３ａをエッチングすることにより、ｎ型半導体層を露出させたｎ型コンタクト層上にフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、Ａｕからなる第１素子電極１を形成した。
また、半導体発光層３ａ上にＩＴＯからなる透明電極を形成し、透明電極の上の一部に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、Ａｕからなる第２素子電極２を形成した。
このようにして、表面側（図１（ｂ）においては上側）に第１素子電極１および第２素子電極２が形成された縦０．３５ｍｍ、横０．３５ｍｍ、高さ０．１ｍｍの発光素子３を得た。
（実験例１〜実験例２）
サファイア単結晶からなる基板上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）を用いてｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを形成し、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体からなる半導体発光層３ａを形成した。
そして、得られた半導体発光層３ａをエッチングすることにより、ｎ型半導体層を露出させたｎ型コンタクト層上にフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、Ａｕからなる第１素子電極１を形成した。
また、半導体発光層３ａ上にＩＴＯからなる透明電極を形成し、透明電極の上の一部に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、Ａｕからなる第２素子電極２を形成した。
このようにして、表面側（図１（ｂ）においては上側）に第１素子電極１および第２素子電極２が形成された縦０．３５ｍｍ、横０．３５ｍｍ、高さ０．１ｍｍの発光素子３を得た。
また、Ｃｕ合金からなる金属板を打ち抜くことにより、第１端子４１、第２端子４２、第１パッケージ電極１１、第２パッケージ電極１２となるリードフレーム５１を形成し、パッケージ１３の本体１３ａとなるＴｉＯ２フィラーを含むポリアミドからなるモールド形成して、凹部１４を有する本体１３ａ、第１パッケージ電極１１および第２パッケージ電極１２、第１端子４１および第２端子４２の形成されたモールドリードフレーム５２を形成した。
次に、モールドリードフレーム５２の凹部１４に発光素子３を実装し、ウェッジボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２を、表１に示すワイヤーによって導電接続した。なお、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とは、いずれも同じ矢印ａ方向とした。
その後、本体１３ａの凹部１４内に、エポキシ樹脂を充填して封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して図１に示す発光装置を得た。
その後、本体１３ａの凹部１４内に、エポキシ樹脂を充填して封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して図１に示す発光装置を得た。
このようにして得られた実験例１〜実験例２の発光装置に、定電流電源を用いて２０ｍＡの電流を流し、表１に示す各項目について、以下に示すようにして調べた。その結果を表１に示す。
「ＶＦ」
２０ｍＡの電流を流したときに発光素子３に印加される電圧を電圧計を用いて調べた。
「放射束」「光束」「発光効率」
積分球を用いて測定し、実験例２の結果を１とした場合の相対値に換算した。
「ＶＦ」
２０ｍＡの電流を流したときに発光素子３に印加される電圧を電圧計を用いて調べた。
「放射束」「光束」「発光効率」
積分球を用いて測定し、実験例２の結果を１とした場合の相対値に換算した。
表１より、いずれの項目についてもワイヤーとしてＡｌを用いた実験例１の方が、ワイヤーとしてＡｕを用いた実験例２と比較して、大きい値となり、光特性に優れたものとなることを確認できた。
（実験例３）
実験例１と同様のモールドリードフレーム５２の凹部１４に実験例１と同様の発光素子３を実装し、ボールボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２を、実験例２と同様のワイヤーによって導電接続した。なお、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とは、いずれも同じ矢印ａ方向とした。
その後、実験例１と同様にして封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して図１に示す発光装置を得た。
実験例１と同様のモールドリードフレーム５２の凹部１４に実験例１と同様の発光素子３を実装し、ボールボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２を、実験例２と同様のワイヤーによって導電接続した。なお、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とは、いずれも同じ矢印ａ方向とした。
その後、実験例１と同様にして封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して図１に示す発光装置を得た。
（実験例４）
実験例１と同様のモールドリードフレーム５２の凹部１４に実験例１と同様の発光素子３を実装し、ウェッジボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２を、実験例１と同様のワイヤーによって導電接続した。なお、実験例４では、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向は矢印ａ方向とし、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向は矢印ａ方向の反対方向とした。なお、実験例４においては、ボンディングヘッドに回転機構を取り付けてボンディング作業を行なった。
その後、実験例１と同様にして封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して発光装置を得た。
実験例１と同様のモールドリードフレーム５２の凹部１４に実験例１と同様の発光素子３を実装し、ウェッジボンディングにより、第１素子電極１と第１パッケージ電極１１、第２素子電極２と第２パッケージ電極１２を、実験例１と同様のワイヤーによって導電接続した。なお、実験例４では、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向は矢印ａ方向とし、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向は矢印ａ方向の反対方向とした。なお、実験例４においては、ボンディングヘッドに回転機構を取り付けてボンディング作業を行なった。
その後、実験例１と同様にして封止部１３ｃを形成し、モールドリードフレーム５２を切断して発光装置を得た。
このようにして得られた、実験例１、実験例３、実験例４の発光装置の生産性を調べるために、１時間当たりの生産量（生産個数）を調べた。その結果を表２に示す。
表２より、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向と、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向とが同じ矢印ａ方向である実験例１および実験例３では、第１パッケージ電極１１と第１導電性ワイヤー２１との接点３１に対する第１素子電極１の方向は矢印ａ方向とし、第２パッケージ電極１２と第２導電性ワイヤー２２との接点３２に対する第２素子電極２の方向は矢印ａ方向の反対方向とした本発明の比較例である実験例４と比較して、生産性に優れていることが確認できた。
また、ウェッジボンディングを行なった実験例１と、ボールボンディングを行なった実験例３とでは、生産性が同等であることがわかった。
また、ウェッジボンディングを行なった実験例１と、ボールボンディングを行なった実験例３とでは、生産性が同等であることがわかった。
１・・・第１素子電極、２・・・第２素子電極、３・・・発光素子、３ａ・・・半導体発光層、１１、１５、１７・・・第１パッケージ電極、１１ａ・・・主部、１１ｂ・・・張り出し部、１２、１６、１８・・・第２パッケージ電極、１３・・・パッケージ、１３ａ・・・本体、１３ｂ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ・・・絶縁領域、１３ｃ・・・封止部、１４・・・凹部、１４ａ・・・中心部、１４ｂ・・・底面、４１・・・第１端子、４２・・・第２端子、３１、３２・・・接点、５１・・・リードフレーム、５２・・・モールドリードフレーム、２１・・・第１導電性ワイヤー、２２・・・第２導電性ワイヤー。
Claims (6)
- 第１素子電極と、前記第１素子電極と平面的に離間して配置された第２素子電極とを備えた発光素子と、
第１パッケージ電極と、前記第１パッケージ電極と平面的に離間して配置された第２パッケージ電極とを備えたパッケージと、
前記第１素子電極と前記第１パッケージ電極とを導電接続する第１導電性ワイヤーと、
前記第２素子電極と前記第２パッケージ電極とを導電接続する第２導電性ワイヤーとを備え、
前記第１パッケージ電極と前記第１導電性ワイヤーとの接点に対する前記第１素子電極の方向が、前記第２パッケージ電極と前記第２導電性ワイヤーとの接点に対する前記第２素子電極の方向と同じであることを特徴とする発光装置。 - 前記第１導電性ワイヤーおよび前記第２導電性ワイヤーが、Ａｌからなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面の前記発光素子が配置されている素子領域よりも外側の領域に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。 - 前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面に、前記第１素子電極と前記第２素子電極との間の距離よりも直径の小さい円形状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。 - 前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面に、前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極および前記第２素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。 - 前記パッケージは、平面視円形の凹部を有するものであり、
前記凹部の中心部に、前記発光素子が配置され、
前記凹部の底面に、半円状の前記第１パッケージ電極および前記第２パッケージ電極が配置され、前記第１素子電極が前記第１パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられているとともに、前記第２素子電極が前記第２パッケージ電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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