JP2002252372A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

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JP2002252372A
JP2002252372A JP2001050886A JP2001050886A JP2002252372A JP 2002252372 A JP2002252372 A JP 2002252372A JP 2001050886 A JP2001050886 A JP 2001050886A JP 2001050886 A JP2001050886 A JP 2001050886A JP 2002252372 A JP2002252372 A JP 2002252372A
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light emitting
emitting element
emitting diode
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Satoru Ogawa
悟 小川
Akiyuki Kitano
晃行 北野
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Nichia Chemical Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、発光素子からの発光波長を変換し
て発光させる蛍光物質を有する発光ダイオードにおい
て、長時間の使用環境下においても発光強度の低下が極
めて少ない、信頼性に優れた発光ダイオードを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、発光素子
と、発光素子を載置する基体と、発光素子を封止するた
めに基体に接着される蓋体とからなる発光ダイオードに
おいて、前記蓋体は蛍光物質を備える透光性のガラス部
材を備えてなる。更に別の態様として、発光素子が載置
される基体の凹部とガラス部材を備える蓋体とに囲まれ
た中空部には蛍光物質からなる粉末が充填されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶のバックライ
ト、照明光源、各種インジケーターや交通信号灯などに
利用可能な発光ダイオードに係り、特に信頼性が高く経
時変化の少ない発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、青色光が高輝度に発光可能な半導
体発光素子である窒化物半導体（Ｉｎ ｘＧａｙＡｌ
１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を利用したＬ
ＥＤチップが開発された。窒化物半導体を利用した発光
素子は、他のＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等の材料を利用
した赤から黄緑色を発光する発光素子と比較して出力が
高い、温度による色シフトが少ないなどの特徴を持って
いるものの、現在までのところ、緑色以上の波長を有す
る長波長域で高出力を得られにくいという傾向がある。
他方、このＬＥＤチップ上にＬＥＤチップから放出され
た青色光の少なくとも一部を吸収して、黄色が発光可能
な蛍光物質であるＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体などを配置させる
ことによって白色系が発光可能な発光ダイオードをも本
出願人が開発し、出願（国際公開番号ＷＯ９８／５０７
８号）した。
【０００３】このような発光ダイオードとしては、例え
ば図６のように、パッケージに一体成型されたリード電
極と電気的に接続させたＬＥＤチップからの光と、ＬＥ
Ｄチップを封止する透光性樹脂中に含有されたＹＡＧ：
Ｃｅなど蛍光物質からの光の混色光を発光するＳＭＤ型
発光ダイオードが挙げられる。このように、ＬＥＤチッ
プからの光を吸収し波長変換する蛍光物質は、封止樹脂
中に含有されてＬＥＤチップ周辺に配置されている。封
止樹脂としては、窒化物半導体との密着性が良く、機械
的強度に優れ、また化学的にも安定しており、価格が安
価である等の理由から、エポキシ系樹脂が現在最もよく
用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エポキ
シ系樹脂等の封止樹脂は、発光素子からの強い光や熱に
弱いという性質を有する。特に短波長の発光が可能な窒
化物半導体素子を用いた発光ダイオードの場合、他色に
比べてエネルギーが高いために、封止樹脂が発光素子の
周辺から次第に劣化・着色し、その着色部が発光素子か
らの光を吸収してしまう。また、駆動時には発光素子の
温度が上昇し、発光素子からの熱によっても封止樹脂の
劣化・着色が生じ、特に小型のＬＥＤは、放熱性の問題
から熱による影響を受けやすい。このような理由から、
長時間の使用環境下では、発光素子自体は劣化していな
いにもかかわらず、発光ダイオードの発光強度が低下し
て使用不可になってしまう。そのため、高出力可能な発
光ダイオードであるにもかかわらず、小さい電流しか流
すことができず、特性を十分に引き出すことができない
のが現状である。そこで、本発明の目的は、上記課題を
解決し、長時間の使用環境下においても発光強度の低下
が極めて少ない、信頼性に優れた発光ダイオードを提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の発光
ダイオードは、発光素子と、発光素子を載置する基体
と、発光素子を封止するために前記基体に接着される蓋
体とからなる発光ダイオードにおいて、前記蓋体は透光
性のガラス部材からなるか、或いは透光性のガラス部材
を備えてなると共に、前記透光性ガラス部材は発光素子
が発光する発光波長の少なくとも一部を吸収し波長変換
して発光する蛍光物質を備えてなることを特徴とする。
【０００６】このように構成することにより、蛍光物質
を樹脂を使用せずに発光素子周辺に配置できるため、従
来問題となっていた発光素子からの光や熱による樹脂劣
化の問題がなくなり、信頼性の高い長波長変換型の発光
ダイオードを実現することができる。
【０００７】本発明の請求項２に記載の発光ダイオード
は、蛍光物質が透光性のガラス部材中に分散されている
発光ダイオードである。
【０００８】本発明の請求項３に記載の発光ダイオード
は、透光性のガラス部材の内面及び／又は外面に蛍光物
質含有層が形成されている発光ダイオードである。
【０００９】本発明の請求項４に記載の発光ダイオード
は、凹部を備えた基体と、該凹部の底面に設けられた発
光素子と、該発光素子を封止するために前記基体に接着
される蓋体とからなる発光ダイオードにおいて、前記蓋
体は透光性のガラス部材からなるか、或いは透光性のガ
ラス部材を備えてなると共に、前記基体の凹部と蓋体と
に囲まれた中空部には発光素子が発光する発光波長の少
なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質か
らなる粉末が充填されていることを特徴とする。
【００１０】このように構成することにより、蛍光物質
を樹脂を使用せずに発光素子周辺に配置できるため、従
来問題となっていた発光素子からの光や熱による樹脂劣
化の問題がなくなり、信頼性の高い長波長変換型の発光
ダイオードを実現することができる。
【００１１】本発明の請求項５に記載の発光ダイオード
は、粉末に、更に透光性の無機フィラーが含有されてい
る発光ダイオードである。
【００１２】本発明の請求項６に記載の発光ダイオード
は、発光素子が前記基体上にろう材を介して接合される
と共に、発光素子の同一面上に形成された正負一対の電
極は、基体に形成されたリード電極とそれぞれワイヤー
ボンディングされている発光ダイオードである。このよ
うに構成することで、さらに経時変化の少ない高信頼性
の発光ダイオードが得られる。
【００１３】本発明の請求項７に記載の発光ダイオード
は、発光素子の同一面側に形成された正負一対の電極
が、基体に形成されたリード電極とそれぞれ、はんだ又
は金属バンプを介して接続されている発光ダイオードで
ある。このように構成することで、さらに経時変化の少
ない高信頼性の発光ダイオードが得られる。
【００１４】本発明の請求項８に記載の発光ダイオード
は、発光素子が少なくとも発光層に窒化物系化合物半導
体を有する発光ダイオードである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明者らは種々の実験の結果、
発光素子が発光する発光波長の少なくとも一部を吸収し
波長変換して発光する蛍光物質を樹脂を使用せずに発光
素子周辺に配置できる長波長変換型の発光ダイオードを
見出し本発明を成すに至った。
【００１６】従来の長波長変換型の発光ダイオードで
は、蛍光物質を含有させた樹脂で発光素子を封止してい
たが、このような発光ダイオードでは、発光素子からの
光や熱により時間経過とともに樹脂が劣化し、発光ダイ
オードの発光強度が低下するという問題があった。特
に、紫外線による樹脂の劣化は著しく、発光素子として
紫外線を発するＬＥＤチップを使用できないという問題
もあった。しかし、本発明の発光ダイオードによれば、
発光素子周辺を樹脂で封止しないため、長時間の使用環
境下においても発光強度の低下が極めて少ない、信頼性
に優れた発光ダイオードが得られる。また、樹脂による
劣化がないために、高電流下での使用が可能になり、高
出力の発光ダイオードを実現することが可能となる。さ
らに、樹脂による劣化がないため、発光素子に紫外線を
発するＬＥＤチップを使用することもできるため、紫外
線により励起されて可視光を発する種々の蛍光物質と組
み合わせて、あらゆる色調の発光ダイオードを得ること
ができる。以下、本発明に係る実施の形態の発光ダイオ
ードについて説明する。
【００１７】（実施の形態１）図１は、本発明に係る実
施の形態１のＳＭＤ型発光ダイオードの構成を示す模式
断面図であり、基体１０１の凹部底面に露出された一対
のリード電極１０２上に、ＬＥＤチップ１０３が配置さ
れている。ＬＥＤチップ１０３は青窒化ガリウム系化合
物半導体を発光層とする発光素子であり、同一面側に形
成された正負一対の各電極上には、それぞれ金バンプ１
０４がそれぞれ形成され、これらのバンプ１０４と基体
１０１の凹部底面に露出されたリード電極１０２とをそ
れぞれ接続するように超音波フリップチップ実装されて
いる。また、基体１０１にはＬＥＤチップを気密封止す
るためにガラス部材からなる蓋体１０６がエポキシ樹脂
等の接着剤１０５を介して接着されている。蓋体１０６
は透光性のガラス部材からなり、その透光性のガラス部
材中には、前記ＬＥＤチップ１０３が発光する発光波長
の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物
質が分散されている。
【００１８】（実施の形態２）図２は、本発明に係る実
施の形態２のＳＭＤ型発光ダイオードの構成を示す模式
断面図であり、基体２０１の凹部底面に露出された一対
のリード電２０２極上に、ＬＥＤチップ２０３が配置さ
れている。ＬＥＤチップ２０３は窒化ガリウム系化合物
半導体を発光層とする発光素子であり、同一面側に形成
された正負一対の各電極上には、金バンプ２０４がそれ
ぞれ形成され、これらのバンプ２０４と基体の凹部底面
に露出されたリード電極２０２とをそれぞれ接続するよ
うに超音波フリップチップ実装されている。また、基体
２０１にはＬＥＤチップ２０３を気密封止するために蓋
体２０６がエポキシ樹脂等の接着剤２０５を介して接着
されている。この蓋体２０６は透光性のガラス部材から
なり、そのガラス部材の一方の面側、つまり基体２０１
へ接着時に内面となる側には、前記ＬＥＤチップ２０３
が発光する発光波長の少なくとも一部を吸収し波長変換
して発光する蛍光物質を含有する蛍光物質含有層２０７
が形成されている。
【００１９】（実施の形態３）図３は、本発明に係る実
施の形態４のＳＭＤ型発光ダイオードの構成を示す模式
図である。（ａ）は使用する基体を示す斜視図であり、
基体は絶縁部材３０３により接着されると共に電気的に
分離された第１の金属部３０１と第２の金属部３０２と
からなる。第１の金属部３０１および第２の金属部３０
２の材料としては、熱伝導率の良いＣｕ等が好ましく使
用でき、また、反射率を良くするために表面をＡｇでメ
ッキしてもよい。絶縁部材３０３としては、エポキシ樹
脂等が使用できる。（ｂ）は（ａ）の基体を用いて作製
したＳＭＤ型発光ダイオードを示す（ａ）のＸＸ’方向
の模式断面図である。ＬＥＤチップ３０４は窒化ガリウ
ム系化合物半導体を発光層とする発光素子であり、凹部
を有する第１の金属部３０１の凹部底面にはんだなどの
ダイボンド材３０５を介してダイボンディングされてい
る。ＬＥＤチップ３０４の同一面側に形成された正電極
と負電極うちの一方の電極と第１の金属部３０１、ＬＥ
Ｄチップ３０４の他方の電極と第２の電極部３０２とを
金線等の導電性ワイヤー３０６でワイヤーボンディング
して電気的導通を取る。ここで、第１の金属部３０１及
び第２の金属部３０２のワイヤーボンディング部とし
て、第１の金属部の凹部から続く溝が形成されており、
また、この溝にはワイヤーボンディング後にエポキシ樹
脂等の絶縁部材３０７を充填し硬化させている。絶縁部
材３０７を硬化させた後、第１の金属部３０１の凹部内
に蛍光物質の粉末３０８を充填した後、粉末３０８が凹
部内を移動しないようにガラス部材からなる蓋体３１０
を接着剤３０９を介して基体に固着して、粉体表面を蓋
体３１０で抑える。またこの時、図のように蓋体３１０
を第１の金属部３０１の凹部と嵌合するような形状とす
ることで、蛍光物質の粉末３０８の充填量を最適量に調
節することができる。
【００２０】（実施の形態４）図４は、本発明に係る実
施の形態４のキャンタイプの発光ダイオードの構成を示
す模式断面図である。金属ステム４０１の凹部底面には
二つの貫通孔が設けられており、その貫通孔には、絶縁
部材４０３を介してリード電極４０２がそれぞれ固定さ
れている。金属ステム４０１やリード電極４０２の材料
としては、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ｆｅ合金が好ましく使
用できる。絶縁部材４０３としては、ガラス、ガラスエ
ポキシ樹脂、セラミックス等を用いる。ＬＥＤチップ４
０４は窒化ガリウム系化合物半導体を発光層とする発光
素子であり、金属ステム４０１の凹部底面上にはんだや
低融点金属等のダイボンド材４０５を介してダイボンデ
ィングされている。ＬＥＤチップ４０４の同一面側に形
成された正負一対の各電極とリード電極４０２とをそれ
ぞれ金線等の導電性ワイヤー４０６でワイヤーボンディ
ングし電気的導通を取る。その後、金属ステム４０１の
凹部内に蛍光物質の粉末４０８を充填した後、粉末４０
７が凹部内を移動しないように金属ステム４０１にガラ
ス部材からなるレンズ状の蓋体４０９を接着剤４０８を
介して固着する。
【００２１】以下に本実施の形態１〜４の発光ダイオー
ドの各構成要素について説明する。 （蛍光物質）本発明の発光ダイオードに用いられる蛍光
物質としては、発光素子からの光を受けて励起され、そ
れよりも長波長の可視光を発光可能な種々の蛍光物質を
利用することができる。
【００２２】例えば、発光素子として紫外光が発光可能
な発光素子を使用した場合、蛍光物質としては紫外線に
より励起されて可視光を発する蛍光体が使用できる。具
体的には、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、アル
ミン酸系蛍光体、希土類系蛍光体、酸希土類系蛍光体、
硫化亜鉛系蛍光体などが挙げられ、緑色系発光蛍光体で
は、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：
Ｃｅ，Ｔｂ、ＢａＭｇ ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｍｎ、（Ｚ
ｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ、Ｚｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、青色系発光蛍
光体では（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、
（ＢａＣａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａ
ｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、
Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ、ＺｎＳ：
Ａｇ，Ａｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、ＺｎＳ：ＡｇＣ
ｌ、ＺｎＳ：ＡｇＣｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、赤色系
発光蛍光体ではＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、Ｙ２Ｏ ３：Ｅｕ、３．５Ｍｇ
Ｏ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、Ｙ（ＰＶ）
Ｏ４：Ｅｕ、５ＭｇＯ・３Ｌｉ２Ｏ・Ｓｂ２Ｏ５：Ｍ
ｎ、Ｍｇ２ＴｉＯ４：Ｍｎ等が挙げられる。比較的発光
効率が高いものとしては、緑色系発光蛍光体ではＳｒＡ
ｌ ２Ｏ４：Ｅｕ、青色系発光蛍光体ではＳｒ５（Ｐ
Ｏ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、赤色系発光蛍光体ではＹ２Ｏ
２Ｓ：Ｅｕが挙げられる。また、上述したような緑色系
発光蛍光体、青色系発光蛍光体及び赤色系発光蛍光体の
３種の発光色の蛍光体を組み合わせて使用することで、
白色が発光可能な発光ダイオードを得ることができる。
【００２３】また、発光素子として青色系が発光可能な
発光素子を使用した場合、補色により白色系が発光可能
な蛍光物質としてセリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム・ガーネット系蛍光体が好適に用いられ
る。本明細書において、セリウムで付活されたイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は特に広義に
解釈するものとし、イットリウムの一部あるいは全体
を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも１つの元素に置換し、あるいは、アル
ミニウムの一部あるいは全体を、ＧａとＩｎの何れか又
は両方で置換する蛍光作用を発する蛍光体を含む広い意
味に使用する。
【００２４】更に詳しくは、一般式（ＹｚＧｄ１−ｚ）
３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０＜ｚ≦１）で示される
フォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ１−ａＳｍ
ａ） ３Ｒｅ’５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ＜１、０≦
ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから選択される
少なくとも一種、Ｒｅ’は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択
される少なくとも一種である。）で示される蛍光体であ
る。
【００２５】この蛍光体は、ガーネット構造のため、
熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを４５
０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピーク
も、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまですそを引くブ
ロードな発光スペクトルを持つ。
【００２６】また、結晶中にＧｄ（ガドリニウム）を含
有することにより、４６０ｎｍ以上の長波長域の励起発
光効率を高くすることができる。Ｇｄの含有量の増加に
より、発光ピーク波長が長波長に移動し全体の発光波長
も長波長側にシフトする。すなわち、赤みの強い発光色
が必要な場合、Ｇｄの置換量を多くすることで達成でき
る。一方、Ｇｄが増加すると共に、青色光によるフォト
ルミネセンスの発光輝度は低下する傾向にある。
【００２７】しかも、ガーネット構造を持ったイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成のう
ち、Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波
長側にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換
することで、発光波長が長波長側にシフトする。このよ
うに組成を変化することで発光色を連続的に調節するこ
とも可能である。
【００２８】このような蛍光体は、次のようにして得ら
れる。まず、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ａｌ及びＧａの原料とし
て酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用
し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。
又は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に
溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られ
る共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを
混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ
化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰
め、空気中１３５０〜１４５０℃の温度範囲で２〜５時
間焼成して焼成品を得、つぎに焼成品を水中でボールミ
ルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得る
ことができる。
【００２９】他にも青色、青緑色や緑色を吸収して赤色
が発光可能な蛍光物質である、ユウロピウム及び／又は
セリウムで付活されたサファイア（酸化アルミニウム）
蛍光体やユウロピウム及び／又はセリウムで付活された
窒素含有ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２蛍光体（オキシ
ナイトライド蛍光硝子）などが挙げられる。これらの蛍
光体を利用して、発光素子からの光と蛍光体からの光の
混色により白色光を得ることもできる。
【００３０】ユウロピウム及び／又はセリウムで付活さ
れた窒素含有ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２蛍光体は、
酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化珪素及び酸
化カルシウムなどの原料に希土類原料を所定に混合した
粉末を窒素雰囲気下において１３００℃から１９００℃
（より好ましくは１５００℃から１７５０℃）において
溶融し成形させる。成型品をボールミルして洗浄、分
離、乾燥、最後に篩を通して蛍光体を形成させることが
できる。これにより４５０ｎｍにピークをもった励起ス
ペクトルと約６５０ｎｍにピークがある青色光により赤
色発光が発光可能なＥｕ及び／又はＣｒで付活されたＣ
ａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子とす
ることができる。
【００３１】なお、ユウロピウム及び／又はセリウムで
付活されたＣａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド
蛍光硝子の窒素含有量を増減することによって発光スペ
クトルのピークを５７５ｎｍから６９０ｎｍに連続的に
シフトすることができる。同様に、励起スペクトルも連
続的にシフトさせることができる。そのため、Ｍｇ、Ｚ
ｎなどの不純物がドープされたＧａＮやＩｎＧａＮを発
光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体からの光と、約
５８０ｎｍの蛍光体の光の合成光により白色系を発光さ
せることができる。特に、約４９０ｎｍの光が高輝度に
発光可能なＩｎＧａＮを発光層に含む窒化ガリウム系化
合物半導体からなる発光素子との組合せに理想的に発光
を得ることもできる。
【００３２】また、上述のＣｅで付活されたＹＡＧ系蛍
光体とユウロピウム及び／又はセリウムで付活された窒
素含有Ｃａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光
硝子とを組み合わせることにより青色系が発光可能な発
光素子を利用してＲＧＢ（赤色、緑色、青色）成分を高
輝度に含む極めて演色性の高い発光ダイオードを形成さ
せることもできる。
【００３３】（発光素子）発光素子は、種々の蛍光体物
質を効率よく励起できる比較的バンドエネルギーが高い
半導体発光素子が好適に挙げられる。このような発光素
子としては、ＭＯＣＶＤ法等により形成された窒化物系
化合物半導体が用いられる。窒化物系化合物半導体発光
素子は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦
ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を発光層とし、半導体層の材
料やその混晶度によって発振波長を種々選択することが
できる。半導体の素子構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩ
Ｎ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あ
るいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体活
性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸
構造や多重量子井戸構造とすることもできる。特に、本
願発明においては、ＬＥＤチップの活性層をＩｎＧａＮ
からなる多重量子井戸構造とすることにより、フォトル
ミネセンス蛍光体の劣化がなく、より高輝度に発光する
発光ダイオードとして利用することができる。
【００３４】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガ
リウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いるこ
とが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ
等のバッファー層を形成し、その上にｐｎ接合を有する
窒化ガリウム系化合物半導体を形成させる。窒化ガリウ
ム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型
導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体を形成させる場合は、ｎ型ド
ーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導
入することが好ましい。一方、ｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパンドであるＺ
ｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントをドー
プしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入
後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等
により低抵抗化させることが好ましい。エッチングなど
によりｐ型半導体及びｎ型半導体の露出面を形成させた
後、半導体層上にスパッタリング法や真空蒸着法などを
用いて所望の形状の各電極を形成させてからウエハを分
割し、ＬＥＤチップを得ることができる。
【００３５】本願発明の発光ダイオードにおいて、セリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット蛍光体を発光させる場合は、蛍光体との補色関係を
考慮して発光素子の主発光ピーク波長は４００ｎｍ以上
５３０ｎｍ以下の範囲にあることが好ましく、４２０ｎ
ｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップと
蛍光体との効率をそれぞれより向上させるためには、４
５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の範囲にあることががさら
に好ましい。また本発明の発光ダイオードにおいて、蛍
光物質として紫外線により励起されて可視光を発する蛍
光体を使用する場合は、発光素子の主発光ピークは３６
０ｎｍ以上３９０ｎｍ以下の範囲にあることが好まし
い。このように蛍光物質との組み合わせを考慮して、最
適な発光波長の発光素子を選択する。なお、本願発明の
ＬＥＤチップにくわえて、蛍光物質を励起しないＬＥＤ
チップを一緒に用いることもできる。また、発光素子と
して半導体レーザーを利用することもできる。
【００３６】（パッケージ）本発明で使用されるパッケ
ージは、発光素子を載置するための基体と、発光素子を
封止するための蓋体とから構成され、その蓋体が透光性
ガラス部材を備えたものが使用される。蓋体は、透光性
ガラス部材で形成されていてもよいし、発光素子と対向
する部分に透光性のガラス部材を備えて構成されていて
もよい。また、実施の形態１、２のような表面実装型の
樹脂パッケージや、実施の形態３にような表面実装型の
金属パッケージ、実施の形態４のようなキャンタイプの
パッケージ等、種々のパッケージを使用することができ
る。
【００３７】長波長変換型の発光ダイオードを実現する
ためには、発光素子が発光する発光波長の少なくとも一
部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を発光素子周
辺に配置させるが、本発明ではその第１の手段として、
実施の形態１〜３のように蛍光物質を蓋体に備えられた
透光性のガラス部材中に含有させるか、透光性のガラス
部材の内面及び／又は外面に蛍光物質含有層を形成させ
ることで、発光素子からの発光と蛍光物質からの発光と
の混色光を発光する長波長変換型の発光ダイオードを形
成させる。ここで、ガラス部材の内面及び／又は外面に
蛍光物質含有層を形成するには、蛍光物質をバインダー
中に分散させて塗布した後、加熱してバインダーを飛ば
すことで形成することができる。この時、透光性のガラ
ス部材を基体の凹部と嵌合するような形状とすること
で、発光素子と蛍光物質が含有されたガラス部材との距
離を短くなり、発光素子から放出された光を蛍光物質が
より効率よく変換することが可能となる。
【００３８】蛍光物質を発光素子周辺に配置させる本発
明の第２の手段としては、実施の形態４、５のように、
基体に形成された凹部の底面に発光素子を載置させ、そ
の凹部と蓋体とに囲まれた中空部に蛍光物質を粉末の状
態で充填することで、発光素子からの発光と蛍光物質か
らの発光との混色光を発光する長波長変換型の発光ダイ
オードを形成させる。この時、パッケージのキャビティ
高さを調整したり、ガラス部材をパッケージの凹部内に
嵌合するような形状にしたり、或いは、粉末中に更に無
機部材のフィラーを含有させることで、蛍光物質の充填
量を最適量に調整することができる。また、拡散材とし
ての効果を持たせることもできる。無機部材のフィラー
としては、透光性であれば良く、具体的にはＳｉＯ２、
ＴｉＯ２等が使用できる。
【００３９】蛍光物質を樹脂中に含有させる従来の方法
では、蛍光物質を含有させた樹脂を溶融状態でキャビテ
ィに充填し固化させるが、この時、比重差により樹脂が
固化するまでの間に樹脂と蛍光物質の分離が生じるた
め、樹脂中に蛍光物質を均一に分散させるのは困難であ
った。ところが、本発明の発光ダイオードでは、粉末の
状態でキャビティ内に充填するため、たとえフィラーを
含有していても比重差により分離が生じることもなく、
また気泡が生じることもないので、色ムラなく均一に発
光させることが可能となる。また、本発明の発光ダイオ
ードでは、蛍光物質を粉末の状態でキャビティ内に充填
するため、孔版印刷によりキャビティ内を樹脂封止する
時のようにマスクを形成する必要がなく、樹脂を固化さ
せる時間も不要になるため非常に生産性に優れている。
さらに、キャビティ内を樹脂やガラス等で封止した従来
の発光ダイオードでは、実装時のリフロー熱により、Ｌ
ＥＤチップ・基板・リード電極と封止部材との熱膨張係
数差による剥離に伴いワイヤーオープン等の不良が発生
する場合がある。特に、金属材料のパッケージでは、放
熱性に優れているという利点はあるものの、封止部材と
の熱膨張係数差が大きくパッケージと封止部材との間に
剥離が生じやすく、それに伴い配光特性が変化する恐れ
がある。ところが、本発明の発光ダイオードでは、キャ
ビティ内に蛍光物質が粉末の状態で充填されているので
熱膨張係数差による剥離が発生せず、非常に信頼性に優
れている。
【００４０】（ガラス部材）パッケージに備えられる透
光性のガラス部材の形状を所望の形状にすることによ
り、発光素子からの発光を集束させたり拡散させたりす
るレンズ効果を持たせることもできる。例えば、発光面
側を凸レンズ形状、或いは凹レンズ形状等にしてもよ
い。さらに、上記で述べたように、発光素子との距離や
蛍光物質の充填量を調整するために、発光素子側をパッ
ケージの凹部内に嵌合するような形状にしても良い。
【００４１】（リード電極）パッケージは、ＬＥＤチッ
プの各電極と電気的に接続するためのリード電極を有し
ており、発光ダイオードの形態によって種々の形状を取
ることができる。例えば、実施の形態１、２のような樹
脂パッケージの場合は、一対の金属板をリード電極とし
て構成することができる。また、実施の形態３のように
パッケージとリード電極としての機能を併せて持たせる
こともできる。実施の形態４のように、金属ステムに絶
縁部材を介してリード電極を設けることもできる。これ
らリード電極は、導電性ワイヤーであるボンディングワ
イヤー等との接続性及び電気伝導性が良いことが求めら
れる。具体的材料としては、鉄、銅、銅の合金等や、こ
れらに銀、アルミニウム、金等の金属メッキが施された
ものが挙げられる。
【００４２】（実装手段）発光素子とリード電極とを電
気的に接続させるには、発光素子の電極とパッケージの
リード電極とをフリップチップで実装させてもよいし、
発光素子の電極とリード電極とをワイヤーボンディング
により接続させてもよい。しかし、本実施の形態１、２
のように、蓋体のガラス部材に蛍光物質が備えられてい
る場合は、発光素子をフリップチップ実装することが好
ましい。フリップチップ実装することで、ワイヤーを張
るためのスペースが不要となり、発光素子とガラス部材
との距離を短くすることができるので、発光素子から放
出された光を蛍光物質がより効率よく変換することが可
能となる。
【００４３】フリップチップで実装させる場合、接合材
料としては、金属バンプやはんだを使用し、好ましくは
金バンプを用いる。金バンプは、発光素子の電極に形成
してもよいし、基体のリード電極に形成してもよい。金
バンプを使用してフリップチップ実装する場合、金バン
プを超音波にて金属間接合させる超音波フリップチップ
接合方式を使用することが好ましい。これは、種々のフ
リップチップ実装方式の中で、シンプルかつ最も生産性
の高い実装方式であり、これによれば、接合部にも樹脂
を必要としないため、さらに信頼性が向上し、また高電
流にも対応できる。
【００４４】また、ワイヤーボンディングで接続させる
場合、発光素子をパッケージの基体にダイボンディング
するためのダイボンド材としては、発光素子からの光や
熱による劣化を考慮して、樹脂を使用せず、はんだや低
融点金属等のろう材を用いる。具体的には、Ｉｎ、Ａｕ
−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、
Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓ
ｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ−Ｓｂ
等が挙げられ、好ましくは化学的に安定なＡｕ−Ｓｎ共
晶を使用する。これらのろう材は、予め発光素子又は基
体のボンディング位置に蒸着、スパッタまたはメッキ等
の方法で薄膜として形成させても良いし、金やはんだ等
でバンプとして形成させても良い。このようにして薄膜
やバンプを形成させた後、熱圧着により基体上に発光素
子をダイボンディングさせる。また、単に箔材を発光素
子と基体との間に介在させて熱圧着を行い、発光素子と
基体とを同時に箔材に接着させることでもダイボンディ
ング可能である。
【００４５】
【実施例】［実施例１］本発明の発光ダイオードとし
て、図５の如き長波長変換型のＳＭＤ型発光ダイオード
を形成する。基体として、打ち抜き加工によりリード電
極５０２を形成し、ガラスエポキシ樹脂を射出成型器ホ
ッパに入れて加熱溶融させながら、リード電極５０２を
配置させた金型内に注入し、射出成形を利用して基体５
０１を形成する。
【００４６】発光素子として、ＩｎＧａＮからなる発光
層を有し主発光ピークが４７０ｎｍのＬＥＤチップ５０
３を用いる。ＬＥＤチップは、ＭＯＣＶＤ法を利用して
形成する。具体的には、反応室内に洗浄したサファイア
基板を配置させる。反応ガスとして、ＴＭＧ（トリメチ
ル）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、ＴＭ
Ａ（トリメチルアルミニウム）ガス、アンモニアガス及
びキャリアガスとして水素ガス、さらには不純物ガスと
してシランガス及びシクロペンタジアマグネシウムを利
用して成膜させる。
【００４７】発光素子の層構成として、サファイア基板
上に低温バッファ層であるＡｌＧａＮ、結晶性を向上さ
せるノンドープＧａＮ（厚さ約１５０００Å）、電極が
形成されｎ型コンタクト層として働くＳｉドープのＧａ
Ｎ（厚さ約２１６５０Å）、結晶性を向上させるノンド
ープのＧａＮ（厚さ約３０００Å）、ｎ型クラッド層と
してノンドープのＧａＮ（厚さ約５０Å）、Ｓｉをドー
プしたＧａＮ（厚さ約３００Å）の超格子からなる多層
膜、その上に形成される発光層の結晶性を向上させる、
ノンドープのＧａＮ（厚さ約４０Å）と、ノンドープの
ＩｎＧａＮ（厚さ約２０Å）の超格子からなる多層膜、
多重量子井戸構造からなる発光層として、ノンドープの
ＧａＮ（厚さ約２５０Å）と、ＩｎＧａＮ（厚さ約３０
Å）の多層膜、ｐ型コンタクト層として働くＭｇがドー
プされたＩｎＧａＮ（厚さ約２５Å）とＭｇがドープさ
れたＧａＡｌＮ（厚さ約４０Å）の超格子からなる多層
膜及びｐ型コンタクト層であるＭｇがドープされたＧａ
Ｎ（厚さ約１２００Å）を成膜させる。
【００４８】こうして成膜した半導体ウエハのｐ型窒化
ガリウム系半導体層及び発光層を部分的にエッチングし
て、ｎ型コンタクト層を露出させ、露出されたｎ型コン
タクト層の上面にｎ側の負電極を形成する。更に、ｐ型
コンタクト層の上面のほぼ全面にｐ側の第１の正電極を
形成し、その第１の電極上の負電極から離れた位置に第
２の正電極を形成する。電極形成後、負電極上及び第２
の正電極上の開口部を除き、各電極及び各半導体層を覆
うように絶縁膜を形成し、負電極及び第２の正電極の開
口部に金バンプを形成した後に、個々の発光素子に分割
して青色が発光可能なＬＥＤチップ５０３を形成させ
る。
【００４９】以上のようにして形成されたＬＥＤチップ
５０３を、ＬＥＤチップ５０３の各電極上にそれぞれ形
成されたバンプ５０４と基体５０１の凹部底面に露出さ
れたリード電極５０２とがそれぞれ接続するようにフリ
ップチップ実装する。その後、基体５０１の凹部内にＹ
ＡＧ：Ｃｅ蛍光体の粉末５０５を充填した後、基体５０
１の凹部周縁部に接着剤５０６としてエポキシ樹脂を塗
布した後、厚さ０．１ｍｍの板状のガラス部材からなる
蓋体５０７を張り合わせて接着剤５０６を硬化させる。
このようにして、高輝度及び高出力でもって白色が発光
可能な発光ダイオードが得られる。
【００５０】［実施例２］実施例１と同様にして、図１
に示すように窒化物半導体からなるＬＥＤチップ１０３
を、ＬＥＤチップ１０３の各電極上にそれぞれ形成され
たバンプ１０４と基体１０１の凹部底面に露出されたリ
ード電極１０２とがそれぞれ接続するようにフリップチ
ップ実装する。次に、溶融状態のガラス部材にＹＡＧ：
Ｃｅ蛍光体の粉末を添加、混合して均一に分散させた
後、固化させ、蛍光物質が含有された厚さ０．１ｍｍの
板状のガラス部材を形成し、これを蓋体１０６とする。
基体１０１の凹部周縁部に接着剤１０５としてエポキシ
樹脂を塗布した後、形成された蓋体１０６を張り合わせ
て接着剤１０５を硬化させる。このようにして、高輝度
及び高出力でもって白色が発光可能な発光ダイオードが
得られる。
【００５１】［比較例１］実施例１と同様にして、窒化
物半導体からなるＬＥＤチップ６０３を、ＬＥＤチップ
６０３の各電極上にそれぞれ形成されたバンプ６０４と
基体６０１の凹部底面に露出されたリード電極６０２と
がそれぞれ接続するようにフリップチップ実装する。次
に、エポキシ樹脂とＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体をよく混合して
スラリーとする。このスラリーを基体６０１の凹部内に
充填し硬化させて、蛍光物質６０５が含有された封止樹
脂６０６を基体６０１の凹部内に形成させる。このよう
にして、白色発光可能な発光ダイオードを形成する。
【００５２】［評価］実施例１及び比較例１で形成され
た発光ダイオードについて、信頼性試験により比較を行
った。図７は、（ａ）が実施例１、（ｂ）が比較例１の
信頼性試験の結果を示すグラフ図で、温度２５℃で１０
ｍＡ、２０ｍＡ、４０ｍＡ通電の経過時間に対する輝度
保持率を表している。輝度はそれぞれの初期値を基準に
して相対値を示す。この結果から、実施例１の発光ダイ
オードは、比較例１の発光ダイオードに比べて輝度保持
率が高く、信頼性に優れているといえる。特に、４０ｍ
Ａ通電における輝度保持率は、比較例１の発光ダイオー
ドでは１０００時間後に４０％以下になっていたのが、
実施例１の発光ダイオードでは約７０％であり、高電流
下での信頼性に優れていることがわかる。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、本願発明の発光ダイオー
ドによれば、蛍光物質を樹脂を使用せずに発光素子周辺
に配置するため、長時間の使用環境下においても樹脂劣
化による発光強度の低下のない、信頼性に優れた発光ダ
イオードを得ることができる。また、樹脂による劣化が
ないので、高電流下での使用が可能なとなり高出力の発
光ダイオードを得ることができる。更に、紫外光を発す
る発光素子と紫外光により励起されて可視光を発する蛍
光物質とを組み合わせた信頼性の高い発光ダイオードも
得ることができる。
【００５４】また、本発明の発光ダイオードでは、キャ
ビティ内に蛍光物質が粉末の状態で充填されているの
で、従来の発光ダイオードにようにＬＥＤチップ・パッ
ケージ・リード電極と封止部材との間に熱膨張係数差に
よる剥離が発生せず、非常に信頼性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態のＳＭＤ型発光ダイオ
ードを示す模式的断面図である。
【図２】 本発明の一実施の形態のＳＭＤ型発光ダイオ
ードを示す模式的断面図である。
【図３】 本発明の一実施の形態のＳＭＤ型発光ダイオ
ードを示す模式図である。
【図４】 本発明の一実施の形態のキャンタイプの発光
ダイオードを示す模式的断面図である。
【図５】 本発明の実施例１のＳＭＤ型発光ダイオード
を示す模式的断面図である。
【図６】 本発明と比較のために示したＳＭＤ型発光ダ
イオードの模式的断面図である。
【図７】 実施例１と比較例１の発光ダイオードの信頼
性試験の結果を表すグラフ図である。
【符号の説明】 １０１、２０１、５０１、６０１・・・基体 １０２、２０２、４０２、５０２、６０２・・・リード
電極 １０３、２０３、３０４、４０４、５０３、６０３・・
・ＬＥＤチップ １０４、２０４、５０４、６０４・・・バンプ １０５、２０５、３０９、４０８、５０６・・・接着剤 １０６、２０６、３１０、４０９、５０７・・・蓋体 ２０７・・・蛍光物質含有層 ３０１・・・第１の金属部 ３０２・・・第２の金属部 ３０３、４０３・・・絶縁部材 ３０５、４０５・・・ダイボンド材 ３０６、４０６・・・導電性ワイヤー ３０７・・・絶縁部材 ３０８、４０７、５０５・・・蛍光物質の粉末 ４０１・・・金属ステム ６０５・・・蛍光物質 ６０６・・・封止樹脂

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光素子と、発光素子を載置する基体
    と、発光素子を封止するために前記基体に接着される蓋
    体とからなる発光ダイオードにおいて、前記蓋体は透光
    性のガラス部材からなるか、或いは透光性のガラス部材
    を備えてなると共に、前記透光性ガラス部材は発光素子
    が発光する発光波長の少なくとも一部を吸収し波長変換
    して発光する蛍光物質を備えてなることを特徴とする発
    光ダイオード。
  2. 【請求項２】 前記蛍光物質は、前記透光性のガラス部
    材中に分散されている請求項１に記載の発光ダイオー
    ド。
  3. 【請求項３】 前記透光性のガラス部材の内面及び／又
    は外面に、蛍光物質含有層が形成されている請求項１ま
    たは２に記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 凹部を備えた基体と、該凹部の底面に設
    けられた発光素子と、該発光素子を封止するために前記
    基体に接着される蓋体とからなる発光ダイオードにおい
    て、前記蓋体は透光性のガラス部材からなるか、或いは
    透光性のガラス部材を備えてなると共に、前記基体の凹
    部と蓋体とに囲まれた中空部には発光素子が発光する発
    光波長の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する
    蛍光物質からなる粉末が充填されていることを特徴とす
    る発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 前記粉末には、更に透光性の無機フィラ
    ーが含有されている請求項４に記載の発光ダイオード。
  6. 【請求項６】 前記発光素子が前記基体上にろう材を介
    して接合されると共に、発光素子の同一面上に形成され
    た正負一対の電極は、基体に形成されたリード電極とそ
    れぞれワイヤーボンディングされている請求項１乃至５
    に記載の発光ダイオード。
  7. 【請求項７】 前記発光素子の同一面側に形成された正
    負一対の電極が、基体に形成されたリード電極とそれぞ
    れ、はんだ又は金属バンプを介して接続されている請求
    項１乃至５に記載の発光ダイオード。
  8. 【請求項８】 前記発光素子は少なくとも発光層に窒化
    物系化合物半導体を有する請求項１乃至７に記載の発光
    ダイオード。
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Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077578A2 (de) * 2003-02-28 2004-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul auf leuchtdioden-basis und verfahren zu dessen herstellung
JP2004281606A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2005084634A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp 光源装置、光源装置の製造方法、投射型表示装置
JP2005135983A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2005074044A1 (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Ccs Inc. Led及びledの取付構造
JP2006032387A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Asahi Rubber:Kk Ｌｅｄランプ
JP2006128514A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置およびそれを用いた光モジュール
JPWO2004065324A1 (ja) * 2003-01-20 2006-05-18 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料およびその用途
JP2006140281A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
JP2006286999A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2007149795A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007180326A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Showa Denko Kk 発光装置
JP2007208136A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2008210588A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置及び照明システム
JP2008306013A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Ushio Inc 照明装置
JP2009021426A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JP2009044157A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Alti Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2011101053A (ja) * 2005-08-08 2011-05-19 Samsung Led Co Ltd 熱伝達部に凹部が形成されたｌｅｄパッケージ及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP2011109010A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2011134785A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2011134786A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012069975A (ja) * 2011-11-07 2012-04-05 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
KR101467959B1 (ko) * 2013-08-16 2014-12-03 에이비엠 주식회사 광 디바이스 기판
JP2015103694A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015173280A (ja) * 2008-11-13 2015-10-01 メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド 蛍光体変換発光装置のための蛍光体被覆光抽出構造
WO2015174127A1 (ja) * 2014-05-16 2015-11-19 日本電気硝子株式会社 発光デバイス及びその製造方法
KR20160056330A (ko) * 2014-11-10 2016-05-20 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160059709A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
TWI596803B (zh) * 2014-03-10 2017-08-21 LED module package structure and manufacturing method thereof
US10014455B2 (en) 2014-09-30 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising cavity with curved surfaces
CN110892194A (zh) * 2017-07-07 2020-03-17 昕诺飞控股有限公司 聚光器模块

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004065324A1 (ja) * 2003-01-20 2006-05-18 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料およびその用途
JP4609319B2 (ja) * 2003-01-20 2011-01-12 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料およびその用途
US8900480B2 (en) 2003-01-20 2014-12-02 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite material for light conversion and use thereof
JP4791951B2 (ja) * 2003-02-28 2011-10-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 照明モジュールおよび該照明モジュールの製造方法
WO2004077578A2 (de) * 2003-02-28 2004-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul auf leuchtdioden-basis und verfahren zu dessen herstellung
US7560741B2 (en) 2003-02-28 2009-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting module and method for the production thereof
WO2004077578A3 (de) * 2003-02-28 2005-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul auf leuchtdioden-basis und verfahren zu dessen herstellung
JP2006519481A (ja) * 2003-02-28 2006-08-24 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 照明モジュールおよび該照明モジュールの製造方法
JP2004281606A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4661038B2 (ja) * 2003-09-11 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 光源装置、光源装置の製造方法、投射型表示装置
JP2005084634A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp 光源装置、光源装置の製造方法、投射型表示装置
JP2005135983A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
EP1710845A1 (en) * 2004-01-30 2006-10-11 CCS Inc. Led and led mounting structure
EP1710845A4 (en) * 2004-01-30 2012-07-04 MOUNTING STRUCTURE OF LIGHT DIODES AND LIGHT DIODES (LED)
JPWO2005074044A1 (ja) * 2004-01-30 2008-01-10 シーシーエス株式会社 Ｌｅｄ及びｌｅｄの取付構造
WO2005074044A1 (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Ccs Inc. Led及びledの取付構造
CN100454589C (zh) * 2004-01-30 2009-01-21 Ccs株式会社 Led及led的安装构造
US7589356B2 (en) 2004-01-30 2009-09-15 Ccs Inc. LED and attachment structure of LED
JP2006032387A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Asahi Rubber:Kk Ｌｅｄランプ
JP2006128514A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置およびそれを用いた光モジュール
JP2006140281A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
JP2006286999A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2011101053A (ja) * 2005-08-08 2011-05-19 Samsung Led Co Ltd 熱伝達部に凹部が形成されたｌｅｄパッケージ及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP2007149795A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007180326A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Showa Denko Kk 発光装置
JP2007208136A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2008210588A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置及び照明システム
JP2008306013A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Ushio Inc 照明装置
US8134160B2 (en) 2007-07-12 2012-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED having an insulating substrate in which a first concave hole and a second concave hole are formed
US8460951B2 (en) 2007-07-12 2013-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method of manufacturing the same
JP2009021426A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JP2009044157A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Alti Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2015173280A (ja) * 2008-11-13 2015-10-01 メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド 蛍光体変換発光装置のための蛍光体被覆光抽出構造
US10038123B2 (en) 2008-11-13 2018-07-31 Maven Optronics International, Ltd. Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices
JP2011109010A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2011134785A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2011134786A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012069975A (ja) * 2011-11-07 2012-04-05 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
KR101467959B1 (ko) * 2013-08-16 2014-12-03 에이비엠 주식회사 광 디바이스 기판
JP2015103694A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI596803B (zh) * 2014-03-10 2017-08-21 LED module package structure and manufacturing method thereof
WO2015174127A1 (ja) * 2014-05-16 2015-11-19 日本電気硝子株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP2015220330A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 日本電気硝子株式会社 発光デバイス及びその製造方法
US10014455B2 (en) 2014-09-30 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising cavity with curved surfaces
KR20160056330A (ko) * 2014-11-10 2016-05-20 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR102307062B1 (ko) * 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160059709A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
KR102220504B1 (ko) 2014-11-19 2021-02-25 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
CN110892194A (zh) * 2017-07-07 2020-03-17 昕诺飞控股有限公司 聚光器模块
CN110892194B (zh) * 2017-07-07 2022-08-05 昕诺飞控股有限公司 聚光器模块

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