JP4609319B2 - 光変換用セラミックス複合材料およびその用途 - Google Patents

光変換用セラミックス複合材料およびその用途 Download PDF

Info

Publication number
JP4609319B2
JP4609319B2 JP2005508070A JP2005508070A JP4609319B2 JP 4609319 B2 JP4609319 B2 JP 4609319B2 JP 2005508070 A JP2005508070 A JP 2005508070A JP 2005508070 A JP2005508070 A JP 2005508070A JP 4609319 B2 JP4609319 B2 JP 4609319B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
tio
emitting diode
phase
composite material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2005508070A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2004065324A1 (ja
Inventor
信一 坂田
芳春 和久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Publication of JPWO2004065324A1 publication Critical patent/JPWO2004065324A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4609319B2 publication Critical patent/JP4609319B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111Fine ceramics
    • C04B35/117Composites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/107Refractories by fusion casting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/62665Flame, plasma or melting treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/65Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
    • C04B35/652Directional oxidation or solidification, e.g. Lanxide process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/653Processes involving a melting step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0805Chalcogenides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6581Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

本発明は、照射光の一部を、それとは異なる波長の光に変換すると共に、変換しなかった照射光と混合して、照射光とは色合いの異なる光に変換する機能を有した光変換用セラミックス複合材料およびその用途に関する。
近年、青色発光ダイオードが実用化されたことを受け、このダイオードを発光源とする白色光源の開発研究が盛んに行われている。白色光は、照明用光源として需要が非常に大きいことに加え、既存の白色光源に比した発光ダイオードの消費電力の低さと、寿命の長さが大きな利点であるからである。
この方法では、青色発光ダイオードが発生する青色光を、光変換機能を持つ材料を利用して白色光に変換するのであるが、光の三原色の中の青色は、青色発光ダイオードが発生する光の中に含まれており、不足している緑色、赤色光を発生させる必要がある。ここで、ある波長の光を吸収して其れとは異なる波長の光を発生させる蛍光体が使われる。
青色発光ダイオードの青色を白色光ヘ変換する方法として一般的に行なわれているのは、例えば特開2000−208815号公報に示される様に、発光素子の前面に青色光の一部を吸収して黄色光を発する蛍光体を含むコーティング層と、光源の青色光とコーティング層からの黄色光を混色するためのモールド層を設けることである。図1を参照すると、発光素子1の前面にコーティング層2を有し、さらにモールド層3が設けられている。図において4は導電性ワイヤ、5、6はリードである。この場合、混色は、モールド層3だけで行われるのではなく、コーティング層2においても起こっている。
従来技術においてコーティング層としては、セリウム化合物をドープしたYAG(Y3Al512:Ce)粉末とエポキシ樹脂の混合物を発光素子に塗布したものが採用されている(特開2000−208815号公報)。しかし、この方法では、蛍光体粉末と樹脂の混合の均一性の確保、塗布した膜の厚みの最適化など制御が難しく、均一な白色光を再現性良く得ることを困難にしている。また、光の透過性が低い蛍光体の粉末を用いることも、高輝度の発光ダイオードを作製する上での障害となる。さらに、高強度の光を得ようとすると蓄熱の問題が在り、コーティング層、およびモールド層の樹脂の耐熱性、耐紫外線性が大きな問題となる。
以上の問題を改善するには、発光ダイオードが発する青色光を吸収して黄色の発光をし、かつ、光混合性に優れ、耐熱性に優れた材料が必要となる。
本発明の目的は、光変換機能、すなわちある波長の光を吸収し其れとは異なる波長の光である蛍光を発生する機能を有していることは勿論、輝度、光混合性に優れ、かつ、耐熱性、耐紫外線性にも優れたセラミックス複合材料およびそれを用いた発光ダイオードを提供することにある。
本発明者は、2種以上の酸化物よりなり、蛍光を発する化合物を含むマトリックス相から構成される凝固体が、前記課題を解決した材料となることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は下記を提供する。
(1)金属の酸化物と二種以上の金属の酸化物から生成される複合酸化物とからなる群から選ばれる二種以上の酸化物を夫々成分とする二種以上のマトリックス相から形成されている凝固体であり、各マトリックス相が連続的にかつ三次元的に配列されて相互に絡み合って存在し、該マトリックス相の少なくとも一つが付活された酸化物からなる蛍光体相であることを特徴とする光変換用セラミック複合材料。
(2)凝固体が、一方向凝固法により得られたものであることを特徴とする上記(1)に記載の光変換用セラミック複合材料。
)金属酸化物が、Al23、MgO、SiO2、TiO2、ZrO2、CaO、Y23、BaO、BeO、FeO、Fe23、MnO、CoO、Nb25、Ta25、Cr23、SrO、ZnO、NiO、Li2O、Ga23、HfO2、ThO2、UO2、SnO2および希土類元素酸化物(La23、Y23、CeO2、Pr611、Nd23、Sm23、Gd23、Eu23、Tb47、Dy23、Ho23、Er23、Tm23、Yb23、Lu23)からなる群から選択される上記(1)又は(2)のいずれか1項に記載の光変換用セラミック複合材料。
)2種以上の金属酸化物の組み合わせで生成される複合酸化物が、3Al23・2SiO2(Mullite)、MgO・Al23、Al23・TiO2、BaO・6Al23、BaO・Al23、BeO・3Al23、BeO・Al23、3BeO・Al23、CaO・TiO2、CaO・Nb23、CaO・ZrO2、2CoO・TiO2、FeAl24、MnAl24、3MgO・Y23、2MgO・SiO2、MgCr24、MgO・TiO2、MgO・Ta25、MnO・TiO2、2MnO・TiO2、3SrO・Al23、SrO・Al23、SrO・2Al23SrO・6Al23、SrO・TiO3、TiO2・3Nb25、TiO2・Nb25、3Y23・5Al23、2Y23・Al23、2MgO・2Al23・5SiO2、LaAlO3、CeAlO3、PrAlO3、NdAlO3、SmAlO3、EuAlO3、GdAlO3、DyAlO3、Yb4Al29、Er3Al512、11Al23・La23、11Al23・Nd23、11Al23・Pr23、EuAl1118、2Gd23・Al23、11Al23・Sm23、Yb3Al512、CeAl1118、およびEr4Al29からなる群から選択される上記(1)又は(2)のいずれか1項に記載の光変換用セラミック複合材料。
)マトリックスを構成する相がα−Al23相及びY3Al512(YAG)相の2相であることを特徴とする、上記(1)又は(2)の何れか1項に記載の光変換用セラミック複合材料。
)付活元素がセリウムであることを特徴とする、上記(1)〜()の何れか1項に記載の光変換用セラミック複合材料。
)上記(1)〜()のいずれか1項に記載の光変換用セラミック複合材料を使用して、発光ダイオードから発光された光の色を別の色に変えることを特徴とする光変換方法。
)マトリックスを構成する相がα−Al23相及びYAG相であり、YAG相がセリウムで付活された蛍光体である光変換用セラミック複合材料を使用し、青色光を白色光に変えることを特徴とする上記(7)に記載の光変換方法。
)発光ダイオードチップと、上記(1)〜()のいずれか1項に記載の光変換用セラミック複合材料とを有する発光ダイオード。
10)光変換用セラミック複合材料が発光ダイオードチップから放出された可視光により励起されて励起波長よりも長波長の可視光の蛍光を出すマトリックス相を含む上記()に記載の発光ダイオード。
11)光変換用セラミック複合材料が発光ダイオードチップから放出された青色光を白色光に変える上記(10)または(11)に記載の発光ダイオード。
本発明のセラミック複合材料は、製造条件を制御することによって、コロニー、ボイドのない均一な組織になる。また、所定の成分に調製した混合粉末を加圧焼結して得られる一般的な焼結体に存在する粒界相は存在しない。さらに、製造条件を制御することによって本複合材料を構成する酸化物及び複合酸化物がそれぞれ単結晶/単結晶、単結晶/多結晶、多結晶/多結晶から構成されるセラミック複合材料も得ることができる。なお、本発明において「単結晶」とは、X線回折において、特定の結晶面からの回折ピークのみが観察される状態の結晶構造を意味する。さらに、構成する酸化物以外の酸化物を添加して、複合材料を構成する相のうち少なくとも一方に固溶または析出させる、あるいは、相の界面に存在させることにより、光学的性質、機械的性質および熱的性質を変化させることも可能である。
本発明のセラミック複合材料は、構成する酸化物相が微細なレベルで均質にしかも、連続的に繋がった構造をしている。それぞれの相の大きさは凝固条件を変更することによって制御可能であるが、一般には1〜50μmである。
本発明のセラミックス複合材料は、原料金属酸化物を融解後、凝固して作られる。例えば、所定温度に保持したルツボに仕込んだ溶融物を、冷却温度を制御しながら冷却凝結させる簡単な方法で凝固体を得ることができるが、最も好ましいのは一方向凝固法によるものである。その工程の概略は次である。
マトリックス相を形成する金属酸化物及び蛍光発生体となる金属酸化物を所望する成分比率の割合で混合して、混合粉末を調整する。混合方法については特別の制限はなく、乾式混合法及び湿式混合法のいずれも採用することができる。ついで、この混合粉末を公知の溶融炉、例えば、アーク溶融炉を用いて仕込み原料が溶解する温度に加熱して溶融させる。例えば、Al23とEr23の場合、1,900〜2,000℃に加熱して溶解する。
得られた溶融物は、そのままルツボに仕込み一方向凝固させるか、あるいは、一旦凝固させた後に粉砕し、粉砕物をルツボに仕込み、再度加熱・溶融させた後、融液の入ったルツボを溶融炉の加熱ゾーンから引き出し、一方向凝固を行う。融液の一方向凝固は常圧下でも可能であるが、結晶相の欠陥の少ない材料を得るためには、4000Pa以下の圧力下で行うのが好ましく、0.13Pa(10-3Torr)以下は更に好ましい。
ルツボの加熱域からの引き出し速度、すなわち、融液の凝固速度は、融液組成及び溶融条件によって、適宜の値に設定することになるが、通常50mm/時間以下、好ましくは1〜20mm/時間である。
一方向に凝固させる装置としては、垂直方向に設置された円筒状の容器内にルツボが上下方向に移動可能に収納されており、円筒状容器の中央部外側に加熱用の誘導コイルが取り付けられており、容器内空間を減圧にするための真空ポンプが設置されている、それ自体公知の装置を使用することができる。
本発明の光変換用セラミック複合材料の少なくとも1つのマトリックス相を構成する蛍光体は、金属酸化物あるいは複合酸化物に付活元素を添加して得ることができる。このような蛍光体材料自体は公知であり、格別の追加の説明を要しない。本発明の光変換用セラミック複合材料に用いるセラミック複合材料は、少なくとも1つのマトリックス相を蛍光体相にするが、基本的に、本願出願人(発明譲受人)が先に特開平7−149597号公報、特開平7−187893号公報、特開平8−81257号公報、特開平8−253389号公報、特開平8−253390号公報および特開平9−67194号公報並びにこれらに対応する米国出願(米国特許第5,569,547号、同第5,484,752号、同第5,902,763号)等に開示したセラミック複合材料と同様のものであることができ、これらの出願(特許)に開示した製造方法で製造できるものである。これらの出願あるいは特許の開示内容はここに参照して含めるものである。
得られた凝固体より必要な形状のブロックを切出し、ある波長の光を、目的とする他の色相の光に変換するセラミックス複合材料基板に利用する。
マトリックス相を形成する酸化物種については、種々の組合わせが可能であるが、金属の酸化物と二種以上の金属の酸化物から生成される複合酸化物とからなる群から選ばれるセラミックスが好適である。
金属の酸化物としては、酸化アルミニウム(Al23)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化シリコン(SiO2)、酸化チタン(TiO2)酸化バリウム(BaO)、酸化ベリリウム(BeO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化クロミウム(Cr23)等の他、希土類元素酸化物(La23、Y23、CeO2、Pr611、Nd23、Sm23、Gd23、Eu23、Tb47、Dy23、Ho23、Er23、Tm23、Yb23、Lu23)等々がある。
また、これらの金属酸化物から生成される複合酸化物としては、例えば、LaAlO3、CeAlO3、PrAlO3、NdAlO3、SmAlO3、EuAlO3、GdAlO3、DyAlO3、ErAlO3、Yb4Al29、Y3Al512、Er3Al512、11Al23・La23、11Al23・Nd23、3Dy23・5Al23、2Dy23・Al23、11Al23・Pr23、EuAl1118、2Gd23・Al23、11Al23・Sm23、Yb3Al512、CeAl1118、Er4Al29が挙げられる。
例えば、Al23とGd23の組み合わせの場合、Al23:78mol%,Gd23:22mol%で共晶を形成するので、Al23相とAl23とGd23の複合酸化物であるペロブスカイト構造のGdAlO3相からなるセラミック複合材料を得ることができる。さらに上記と同様に、α−Al23が約20〜80容積%、GdAlO3が約80〜20容積%の範囲内でその分率を変化させることができる。この他に、二種以上の金属の酸化物がペロブスカイト構造を有するものには、LaAlO3、CeAlO3、PrAlO3、NdAlO3、SmAlO3、EuAlO3、DyAlO3等がある。これらのいずれかが本複合材料を構成する場合、組織が微細化し機械的強度が大きいセラミック複合材料を得ることができる。
また、Al23とEr23の組み合わせの場合、Al23:81.1mol%,Er23:18.9mol%で共晶を形成するので、Al23相とAl23とEr23の複合酸化物であるガーネット構造のEr3Al512相からなるセラミック複合材料を得ることができる。さらに上記と同様に、α−Al23が約20〜80容積%、Er3Al512が約80〜20容積%の範囲内でその分率を変化させることができる。この他に、二種以上の金属の酸化物がガーネット構造を有するものには、Yb3Al512等がある。これらのいずれかが本複合材料を構成する場合、クリープ強度が大きいセラミック複合材料を得ることができる。
この中でも、特にAl23と希土類元素酸化物の組合わせが好ましい。機械的特性に優れているだけでなく、光学的特性にも優れた材料を与えるからである。また、後述する様に、一方向凝固法により、各マトリックス相が三次元的、連続的に絡み合った複合材料が得られ易く、希土類金属酸化物よりなる蛍光体が安定に存在し得るマトリックス相が形成されるからである。特に、Al23とY23から製造されるAl23とYAGの二相をマトリックス相とする複合材料は好ましい。
上記の如き金属酸化物または複合酸化物に付活元素を添加することで蛍光体が得られる。
マトリックス相に含有させる付活元素(蛍光体種)は、光源色の波長及びそれを変換して得ることを目的とする色相に応じて適宜選択することになる。例えば、青色発光ダイオードの430〜480nmの青色光を白色光に変換するにはセリウムを付活元素とし、セリウムの酸化物を添加することが好適である。勿論、セリウムと他の蛍光体種など複数の添加元素を入れることで色の調整をすることも可能である。セリウム以外の付活元素としては、マトリックス酸化物の種類にもよるが、例えば、テルビウム、ユーロピウム、マンガン、クロム、ネオジム、ジスプロジウムなどが用いられる。
マトリックス酸化物相に付活元素(蛍光体種)を添加するには、通常、付活元素の酸化物を所定量で添加すればよい。
本発明のセラミックス複合材料は、複数種のマトリックス相より構成され、また付活のために添加した元素はその製法から考えて各マトリックス相に分配係数に従い分配されて存在すると考えられるが、蛍光を発する相は、成分による。例えば、Al23とY23からはアルミナ(Al23)とYAGをマトリックス相とする複合材料が形成されるが、蛍光はYAG相から発生しており、そのマトリックス相はYAG:Ceで表されるセリウムで付活された蛍光体であると考えられる。分配係数によれば、添加したCeは殆どがYAGに分配され、アルミナ中には殆ど存在しない。添加元素が存在することで蛍光体になるかどうかは成分により一概ではないが、本発明のセラミックス複合材料では少なくとも1つのマトリックス相が蛍光を発する相である。
アルミナおよびYAG自体は光透過性であり、このYAG:Ceで表されるセリウムで付活された蛍光体からなるマトリックス相も基本的に光透過性である。そして、アルミナ(Al23)とYAG:Ceをマトリックス相とする複合材料では、アルミナ相に入った光は青色光のまま透過してくるがYAG:Ce相に入った青色光の一部は黄色光に変わり、それらが混合されることにより、透過光が白色に見えることになる。
一方向凝固法では、各マトリックス相が3次元的に複雑に絡み合った構造を有した複合材料を得ることができる(例えば、図3,4が参照される)。特に、Al23と希土類金属酸化物から得られる複合材料では、この構造を持つものが容易に得られる。この構造は、光変換材料として都合が良い。Al23相の透明性が高いのに加え、YAG:Ceのマトリックス相は全体が均一な蛍光体として作用し(発光中心をなす付活元素であるセリウムはマトリックス相全体に原子レベルで均一に分布する)、かつ、このような各相が三次元的に複雑に絡み合う構造であることで、輝度が高く、しかも透過光と蛍光との混色が有効に行われるからである。
また、蛍光粉末と樹脂を混ぜ合わせた材料では粉体表面で光の散乱が起きるが、本発明の複合材料ではそのような光の散乱はなく、その他の光の散乱も少ないので、光の透過性が高く、効率的に発光ダイオードの光(青色光)を利用することができる。
さらに、本発明の複合材料は高融点のセラミック材料であるために、熱的な安定性が非常に高く、樹脂材料のような耐熱性の問題は生じない、さらに、紫外光による劣化の問題も生じない利点も有する。
従って、本発明のセラミック複合材料は、変換機能、すなわちある波長の光を吸収し其れとは異なる波長の光である蛍光を発生する機能を有していることは勿論、輝度、光透過性、光混合性に優れ、また光利用効率も優れ、かつ、耐熱性、耐紫外線性にも優れたセラミックス複合材料であり、発光ダイオードの色を変換する目的に好適な光変換用セラミック複合材料である。
本発明の光変換用セラミック複合材料を発光ダイオードに用いる場合、例えば、図2に示す如く、発光ダイオード(LED)チップ1の前面に本発明の光変換用セラミック複合材料8を配置して発光ダイオードを構成すれば良い。図2において、4は導電性ワイヤ、5,6はリードであり、図1と同様である。チップ(素子)1が光変換用セラミック複合材料8に接触するように配置することも可能である。この方が素子の放熱の面からは好ましいと考えられる。また容器や台の形状は必要に応じ、形状を変えることができる。また、材質についても必要に応じ選択することができる。
以下では、具体的例を挙げ、本発明を更に詳しく説明する。
(実施例1)
α−Al23粉末(純度99.99%)とY23粉末(純度99.999%)の混合比は、モル比で82:18とし、CeO2粉末(純度99.99%)は、仕込み酸化物の反応により生成するYAG1モル対し0.01モルとなるようにした。これらの粉末をエタノール中、ボールミルによって16時間湿式混合した後、エバポレーターを用いてエタノールを脱媒して原料粉末を得た。原料粉末は、真空炉中で予備溶解し一方向凝固の原料とした。
次に、この原料をそのままモリブデンルツボに仕込み、一方向凝固装置にセットし、1.33×10-3Pa(10-5Torr)の圧力下で原料を融解した。次に同一の雰囲気においてルツボを5mm/時間の速度で下降させ凝固体を得た。得られた凝固体は黄色を呈していた。
凝固体の凝固方向に垂直な断面組織を図3に示す。白い部分がYAG(より正確にはYAG:Ce)相、黒い部分がAl23相である。この凝固体にはコロニーや粒界相がなく、さらに気泡やボイドが存在しない均一な組織を有していることが分かる。
また、同一方向に切り出した試料をカーボン粉と共に1600℃に加熱し、試料表面近傍のAl23相を除去したサンプルにおける、凝固方向に垂直な表面の構造を示す電子顕微鏡写真を図4に示す。
さらに、凝固方向にほぼ垂直な面からのX線回折を観察した結果、夫々YAGの(110)面及びα−Al23の(110)面からの回折ピークのみが観察された。
以上より、この複合材料においては、α−Al23単結晶相とYAG単結晶相の二相が連続的に且つ三次元的に配列され相互に絡み合って存在することが分かる。
凝固体から、凝固方向に対して垂直な方向に1mm厚さの基板を切り出し、この材料の蛍光特性を蛍光評価装置によって評価した。図5に結果を示す。青色の約450nmの光を照射した場合、約530nmにピークをもつ幅広いスペクトルの黄色の蛍光特性を持つことが分かった。従って、YAG相はYAG:Ceで表される蛍光体である。
次に図6に示す方法で、青色の光との混合性を確認する測定を行った。試料13の下側に鏡14をおき、試料を透過した光が測定部に戻るようにした。このようにすると、試料の表面や内部から反射される光と、試料を透過し鏡によって反射される光15が検出器16に入ることになる。入射光12としては、光源11からの450nmの青色光を用いた。試料の厚みは0.1mm、0.2mm、0.5mm、1.0mmの4種とした。
検出器における検出例を図7に示す。ここには、厚みの異なる2種試料を用いた例を示すが、試料厚みが増すと450nmの青色光が減少していることが分かる。
試料の厚みと青色光、及び黄色の蛍光強度との関係を示したのが図8である。黄色蛍光については、縦軸のスケールを変えた拡大図を図9に示す。青色光は、試料が厚くなるに従い強度が減少するが、0.5mm以上の厚みではほぼ一定となる。一方、黄色蛍光は、試料厚みと共に強度が増し、極大値を経て減少し、0.5mm以上の厚みでは、青色光同様ほぼ一定となる。試料厚みが大きい領域で測定値が一定となるのは、試料表面からの青色光の反射光と、表面からの深さがある値以下の相で発生した黄色蛍光の散乱光を測定しているからであり、このことは、試料が厚くなると入射光が試料中で吸収、波長変換され、試料を透過しなくなることを示している。逆に、厚みの薄い試料では、入射光の一部が試料を透過し、鏡で反射した後、更にその一部が再び試料から出てくることを示している。
この観測結果により、この材料が、入射青色光を透過させると同時にその一部を530nm付近にピークを示す幅広のスペクトルを持つ黄色光に変換し、これら2色の光を混合して白色光を出していることが分かる。また、材料の厚みを調整して色の調整が可能であることが分かる。
(実施例2)
実施例1で作製した光変換用セラミック複合材料から、ダイヤモンドカッターを用いて薄板を切出した。この薄板を加工して図2に示す発光ダイオードに装着できる円盤状の試料を作製し発光ダイオードを作製した。用いた青発光ダイオードチップの波長は470nmである。このようにして得られた白色発光ダイオードの発光スペクトルを図10に示す。約470nmの青色と、光変換用セラミック複合材料から放出された530nmの光が観察された。
さらに、この発光ダイオードを積分球に入れて色の測定を行った。その結果、発光の色はCIE色度図での座標がx=0.27,y=0.34であり、白色であることが確認された。
(比較例1)
Y3Al5O121モル対し、Ceの付活量を0.03モルになるように、Al2O3(99.99%)とY2O3(99.999%)を実施例1で示した方法によって混合、乾燥し原料を得た。この原料100重量部に対しフラックスとして5重量部の弗化バリウム(BaF2)を混合し、アルミナ坩堝にし込み、大気中1600℃1時間の焼成を行った。窒温に戻った坩堝から試料を取出し、これを硝酸溶液で洗浄しフラックスを除去した。このようにして得られたCeを付活したYAG粉末40重量部をエポキシ樹脂100重量部に混練し、120℃1時間、150℃4時間かけて、樹脂を硬化させ成形体を得た。これを円盤状に加工し図2に示す発光ダイオードを作製した。円盤の厚みは、発光ダイオードの発光色が実施例2と同じ色になるように調整した。このようにして決めた円盤の厚みは実施例2のセラミック複合材料の円盤の厚みとほぼ同じであった。発光ダイオードの色はCIE色度図における座標がx=0.27,y=0.36であった。このようにして作製した発光ダイオードの放射エネルギーを380nmから780nmの範囲で積分球を用いて測定した。同様に実施例2に述べた発光ダイオードの放射エネルギーも測定した。このようにして得られた白色発光ダイオードの発光スペクトルを図10に示す。その結果、比較例1を基準にした場合、実施例2の放射エネルギーは約1.5倍となった。このことから本発明における波長変換セラミック複合材料のほうがより光を透過でき、高輝度の発光ダイオードを作製できることが分かる。
本発明の光変換用セラミック複合材料は、輝度、光混合性に優れ、かつ、耐熱性、耐紫外線性にも優れている。特に、青色発光ダイオードの青色光から白色光を得る性能に優れていることから、発光ダイオードの消費電力の低さと、寿命の長さを活かした照明用光源として実用的価値が高い。
図1は従来技術の発光ダイオードを示す断面図である。 図2は本発明の発光ダイオードの例を示す断面図である。 図3は実施例で得られた材料の組織構造を示す電子顕微鏡写真である。 図4は実施例で得られた材料中におけるYAG相の存在形態を示す電子顕微鏡写真である。 図5は実施例1で得られた材料の蛍光特性を示すスペクトルである。 図6は蛍光特性測定法の概略を示す図である。 図7は検出器における検出例を示す図である。 図8は光変換材料の試料厚みと蛍光特性との関係例を示す図である。 図9は光変換材料の試料厚みと蛍光特性との関係例を示す図である。530nm光についてのスケールが拡大されている。 図10は実施例2、比較例で得られた材料の蛍光特性を示すスペクトルである。

Claims (16)

  1. ある波長の光を吸収してそれとは異なる波長の光である蛍光を発生する一体物の光変換部材であって、該光変換部材が、一方向凝固により得られたものであり、金属の酸化物と二種以上の金属の酸化物から生成される複合酸化物とからなる群から選ばれる二種以上の酸化物を夫々成分とする二種以上のマトリックス相から形成されている凝固体であり、各マトリックス相が連続的にかつ三次元的に配列されて相互に絡み合って存在し、該マトリックス相の少なくとも一つが付活された酸化物からなる蛍光体相であるセラミック複合材料からなることを特徴とする光変換部材。
  2. 前記セラミック複合材料が可視光により励起されて励起波長よりも長波長の可視光の蛍光を出すマトリックス相を含む請求項に記載の光変換部材。
  3. 前記セラミック複合材料が青色光を白色光に変える請求項に記載の光変換部材。
  4. 金属酸化物が、Al、MgO、SiO、TiO、ZrO、CaO、Y、BaO、BeO、FeO、Fe、MnO、CoO、Nb、Ta、Cr、SrO、ZnO、NiO、LiO、Ga、HfO、ThO、UO、SnOおよび希土類元素酸化物(La、Y、CeO、Pr11、Nd、Sm、Gd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)からなる群から選択される請求項1〜のいずれか1項に記載の光変換部材。
  5. 2種以上の金属酸化物の組み合わせで生成される複合酸化物が、3Al・2SiO2(Mullite)、MgO・Al、Al・TiO、BaO・6Al、BaO・Al、BeO・3Al、BeO・Al、3BeO・Al、CaO・TiO、CaO・Nb、CaO・ZrO、2CoO・TiO、FeAl、MnAl、3MgO・Y、2MgO・SiO、MgCr、MgO・TiO、MgO・Ta、MnO・TiO、2MnO・TiO、3SrO・Al、SrO・Al、SrO・2AlSrO・6Al、SrO・TiO、TiO・3Nb、TiO・Nb、3Y・5Al、2Y・Al、2MgO・2Al・5SiO、LaAlO、CeAlO、PrAlO、NdAlO、SmAlO、EuAlO、GdAlO、DyAlO、YbAl、ErAl12、11Al・La、11Al・Nd、11Al・Pr、EuAl1118、2Gd・Al、11Al・Sm、YbAl12、CeAl1118、およびErl2からなる群から選択される請求項1〜のいずれか1項に記載の光変換部材。
  6. マトリックスを構成する相がα−Al相及びYAl12(YAG)相の2相であることを特徴とする、請求項1〜のいずれか1項に記載の光変換部材。
  7. 前記光変換部材が板状である請求項1〜6のいずれか1項に記載の光変換部材。
  8. 発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップへ電流を供給する電極と、発光ダイオードの光放出側に配置され発光ダイオードチップから発光された光の色を別の色に変える光変換部材とを有する発光ダイオードであって、前記光変換部材が、一方向凝固により得られたものであり、金属の酸化物と二種以上の金属の酸化物から生成される複合酸化物とからなる群から選ばれる二種以上の酸化物を夫々成分とする二種以上のマトリックス相から形成されている凝固体であり、各マトリックス相が連続的にかつ三次元的に配列されて相互に絡み合って存在し、該マトリックス相の少なくとも一つが付活された酸化物からなる蛍光体相である光変換用セラミック複合材料の本体(body)からなることを特徴とする発光ダイオード。
  9. 前記光変換用セラミック複合材料が発光ダイオードチップから放出された可視光により励起されて励起波長よりも長波長の可視光の蛍光を出すマトリックス相を含む請求項に記載の発光ダイオード。
  10. 前記光変換用セラミック複合材料が発光ダイオードチップから放出された青色光を白色光に変える請求項8または9に記載の発光ダイオード。
  11. 金属酸化物が、Al、MgO、SiO、TiO、ZrO、CaO、Y、BaO、BeO、FeO、Fe、MnO、CoO、Nb、Ta、Cr、SrO、ZnO、NiO、LiO、Ga、HfO、ThO、UO、SnOおよび希土類元素酸化物(La、Y、CeO、Pr11、Nd、Sm、Gd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)からなる群から選択される請求項8〜10のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  12. 2種以上の金属酸化物の組み合わせで生成される複合酸化物が、3Al・2SiO(Mullite)、MgO・Al、Al・TiO、BaO・6Al、BaO・Al、BeO・3Al、BeO・Al、3BeO・Al、CaO・TiO、CaO・Nb、CaO・ZrO、2CoO・TiO、FeAl、MnAl、3MgO・Y、2MgO・SiO、MgCr、MgO・TiO、MgO・Ta、MnO・TiO、2MnO・TiO、3SrO・Al、SrO・Al、SrO・2AlSrO・6Al、SrO・TiO、TiO・3Nb、TiO・Nb、3Y・5Al、2Y・Al、2MgO・2Al・5SiO、LaAlO、CeAlO、PrAlO、NdAlO、SmAlO、EuAlO、GdAlO、DyAlO、YbAl、ErAl12、11Al・La、11Al・Nd、11Al・Pr、EuAl1118、2Gd・Al、11Al・Sm、YbAl12、CeAl1118、およびErAlからなる群から選択される請求項8〜11のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  13. マトリックスを構成する相がα−Al相及びYAl12(YAG)相の2相であることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  14. 前記光変換部材が板状である請求項8〜10のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  15. 請求項8〜14のいずれか1項に記載の発光ダイオードを使用して、発光ダイオードチップから発光された光の色を別の色に変えることを特徴とする光変換方法。
  16. 請求項15の光変換方法において、マトリックスを構成する相がα−Al相及びYAG相であり、YAG相がセリウムで付活された蛍光体である光変換用セラミック複合材料を使用し、青色光を白色光に変えることを特徴とする光変換方法。
JP2005508070A 2003-01-20 2004-01-19 光変換用セラミックス複合材料およびその用途 Expired - Lifetime JP4609319B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003010887 2003-01-20
JP2003010887 2003-01-20
PCT/JP2004/000371 WO2004065324A1 (ja) 2003-01-20 2004-01-19 光変換用セラミックス複合材料およびその用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2004065324A1 JPWO2004065324A1 (ja) 2006-05-18
JP4609319B2 true JP4609319B2 (ja) 2011-01-12

Family

ID=32767267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005508070A Expired - Lifetime JP4609319B2 (ja) 2003-01-20 2004-01-19 光変換用セラミックス複合材料およびその用途

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8900480B2 (ja)
EP (2) EP1588991B1 (ja)
JP (1) JP4609319B2 (ja)
KR (1) KR100639647B1 (ja)
CN (2) CN1738781A (ja)
TW (1) TWI314364B (ja)
WO (1) WO2004065324A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016503497A (ja) * 2012-11-07 2016-02-04 ロレックス・ソシエテ・アノニムRolex Sa 時計構成要素
KR20190047078A (ko) 2016-10-28 2019-05-07 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 광 파장 변환 부재의 제조 방법, 광 파장 변환 부재, 광 파장 변환 부품, 및 발광 장치
US10910524B2 (en) 2016-10-28 2021-02-02 Ngk Spark Plug Co.. Ltd. Light wavelength conversion member and light emitting device

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340240A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Cimeo Precision Co Ltd 透光色変換部材及びその製造方法
JP2008513992A (ja) * 2004-09-23 2008-05-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
US7935973B2 (en) 2004-10-21 2011-05-03 Ube Industries, Ltd. Light-emitting diode, light-emitting diode substrate and production method of light-emitting diode
JP2006173433A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
JP4513541B2 (ja) * 2004-12-17 2010-07-28 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体を用いた発光装置
CN100530715C (zh) * 2004-12-17 2009-08-19 宇部兴产株式会社 光转换结构体及利用了该光转换结构体的发光装置
CN101103088A (zh) * 2005-01-10 2008-01-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含陶瓷发光转换器的照明系统
US7901592B2 (en) 2005-02-17 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
JP5288792B2 (ja) * 2005-03-01 2013-09-11 株式会社東芝 発光装置
JP5490407B2 (ja) * 2005-03-14 2014-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子
CN100566490C (zh) * 2005-03-14 2009-12-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 多晶陶瓷结构中的磷光体和包括该磷光体的发光元件
WO2006111906A2 (en) * 2005-04-19 2006-10-26 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a red-emitting ceramic luminescence converter
JP4810152B2 (ja) * 2005-07-25 2011-11-09 三井金属鉱業株式会社 赤色蛍光体及び白色発光装置
GB2429011B (en) 2005-08-10 2007-05-30 Filtronic Comtek Microwave Dielectric Ceramic
KR101036530B1 (ko) * 2005-08-10 2011-05-24 우베 고산 가부시키가이샤 발광 다이오드용 기판 및 발광 다이오드
EP1928977B1 (en) * 2005-08-24 2016-08-17 New STS Limited Luminescent material compositions and structures incorporating the same
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
JP4957557B2 (ja) * 2006-01-19 2012-06-20 宇部興産株式会社 セラミックス複合体光変換部材およびそれを用いた発光装置
JP5025143B2 (ja) * 2006-02-27 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP5285435B2 (ja) 2006-03-06 2013-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
CN101405368B (zh) * 2006-03-21 2012-05-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
TWI410665B (zh) * 2006-03-30 2013-10-01 Ube Industries Light penetrating scatterers and their use
JP5308618B2 (ja) * 2006-04-26 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
CN101431934B (zh) * 2006-04-26 2011-01-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有改进的转换元件的光传输装置
JP2009540558A (ja) * 2006-06-08 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP4956064B2 (ja) * 2006-06-20 2012-06-20 ハリソン東芝ライティング株式会社 高輝度発光デバイス
JP2008004645A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス
WO2007148829A1 (ja) * 2006-06-22 2007-12-27 Ube Industries, Ltd. 光変換用複合体、それを用いた発光装置および色調制御方法
JP5157909B2 (ja) * 2006-09-25 2013-03-06 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合体およびそれを用いた発光装置
EP2087530A1 (en) * 2006-11-10 2009-08-12 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter
JP5034653B2 (ja) * 2007-04-25 2012-09-26 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合体を用いた発光装置
WO2009031696A1 (ja) * 2007-09-04 2009-03-12 Ube Industries, Ltd. 発光素子形成用複合基板及びその製造方法
RU2489774C2 (ru) * 2007-11-29 2013-08-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
CN101250410B (zh) * 2008-01-03 2010-06-16 湘潭大学 一种共掺铈、铁铝酸锂的转光荧光粉及其制备方法
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
DE102008011866B4 (de) 2008-02-29 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenanordnung mit einer Halbleiterlichtquelle
EP2158618A1 (en) * 2008-05-20 2010-03-03 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
EP2297278A1 (en) * 2008-06-02 2011-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
US8029595B2 (en) * 2008-06-02 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Method and apparatus of producing nanoparticles using nebulized droplet
CN101462867B (zh) * 2009-01-16 2011-09-14 中南大学 一种利用凝胶注模成型技术制备BeO陶瓷的方法
WO2010119655A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 パナソニック株式会社 蛍光体、発光装置およびプラズマディスプレイパネル
WO2010141291A1 (en) 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Luminescent ceramic and light-emitting device using the same
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
JP2011012215A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Covalent Materials Corp セラミックス複合体
US8206672B2 (en) * 2009-07-10 2012-06-26 Nitto Denko Corporation Production of phase-pure ceramic garnet particles
JP5246376B2 (ja) * 2010-03-31 2013-07-24 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体、その製造方法、及びそれを備えた発光装置
JPWO2011126000A1 (ja) 2010-04-08 2013-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9133392B2 (en) 2010-07-22 2015-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material
JP5153014B2 (ja) * 2010-09-17 2013-02-27 コバレントマテリアル株式会社 緑色蛍光体
WO2012081566A1 (ja) 2010-12-16 2012-06-21 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体、その製造方法、及びそれを備えた発光装置
US9617469B2 (en) 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
CN102249660B (zh) * 2011-04-22 2013-05-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 GaInN白光LED用复合结构荧光陶瓷及其制备方法
KR20120121588A (ko) * 2011-04-27 2012-11-06 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
WO2013008751A1 (ja) 2011-07-08 2013-01-17 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体の製造方法
JP5712916B2 (ja) * 2011-12-22 2015-05-07 信越化学工業株式会社 イットリウムセリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び発光装置
JP5472339B2 (ja) * 2012-02-09 2014-04-16 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合体を用いた発光装置
DE102012005658B4 (de) * 2012-03-22 2013-10-24 Schott Ag Weißlichterzeugung
WO2013146994A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
WO2013172025A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置
DE102013100821B4 (de) 2013-01-28 2017-05-04 Schott Ag Polykristalline Keramiken, deren Herstellung und Verwendungen
JP6215545B2 (ja) * 2013-03-19 2017-10-18 スタンレー電気株式会社 複合セラミックスの製造方法、波長変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6232827B2 (ja) * 2013-08-12 2017-11-22 宇部興産株式会社 セラミックス複合体の製造方法
CN103468257B (zh) * 2013-10-11 2014-08-13 电子科技大学 一种蓝光紫外连续可调的铝酸盐荧光粉及其制备方法
US20170088774A1 (en) * 2014-03-18 2017-03-30 Ube Industries, Ltd. Ceramic Composite Material for Optical Conversion, Production Method Therefor, and Light-Emitting Device Provided with Same
DE102014105470A1 (de) 2014-04-16 2015-10-22 Schott Ag Schichtverbund, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie dessen Verwendungen
CN106458597A (zh) * 2014-06-13 2017-02-22 沙特基础工业全球技术公司 由二元和三元基于铈的氧化物制备合成气
CN104710164B (zh) * 2014-11-24 2016-08-31 南京工业大学 一种光学识别透明陶瓷条形码材料及其制备方法
CN104556971B (zh) * 2014-12-16 2016-12-07 广东华辉煌光电科技有限公司 一种白光led用的透明陶瓷
CN104609848B (zh) * 2015-02-10 2017-09-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于白光led荧光转换的复合相透明陶瓷及其制备方法
EP3100992A1 (en) * 2015-06-02 2016-12-07 Eoswiss Engineering Sarl Method of producing a light conversion object
JP6833683B2 (ja) * 2015-06-12 2021-02-24 株式会社東芝 蛍光体およびその製造方法、ならびにledランプ
EP3313960B1 (en) 2015-06-24 2019-10-23 Seaborough IP I B.V. Phosphor ceramic
CN105130414B (zh) * 2015-08-13 2017-11-28 航天材料及工艺研究所 一种制备超高温隔热Yb3Al5O12陶瓷元件的方法
CN105176526A (zh) * 2015-10-28 2015-12-23 上海洞舟实业有限公司 一种低压高亮度橙红色硫化锌基荧光材料的制备方法
CN107311653A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 比亚迪股份有限公司 锆基复合陶瓷材料及其制备方法与外壳或装饰品
JP2017202962A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料、その製造方法、およびそれを備えた発光装置
CN106566550A (zh) * 2016-11-15 2017-04-19 扬州大学 复合材料上转换发光材料的制备方法及其应用
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US10995935B2 (en) 2018-01-30 2021-05-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and method for producing same
CN110240468B (zh) * 2018-03-09 2022-03-25 深圳光峰科技股份有限公司 荧光陶瓷及其制备方法
CN110272279B (zh) * 2018-03-16 2022-04-12 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 波长转换元件及其制备方法、照明光源
CN110294627A (zh) * 2018-03-21 2019-10-01 深圳光峰科技股份有限公司 发光陶瓷及其制备方法
JP7062281B2 (ja) * 2018-05-31 2022-05-06 株式会社オキサイド 蛍光体素子評価方法、蛍光体素子評価プログラムおよび蛍光体素子評価装置
KR102500926B1 (ko) 2018-07-11 2023-02-17 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 광파장 변환 부재 및 발광 장치
US11945987B2 (en) 2018-07-31 2024-04-02 Niterra Co., Ltd. Light wavelength conversion member and light-emitting device
CN109369183B (zh) * 2018-12-13 2020-07-17 东北大学 一种红外透明陶瓷材料及其制备方法
US11920072B2 (en) * 2019-04-11 2024-03-05 Nichia Corporation Method for producing rare earth aluminate sintered body
CN110981472B (zh) * 2019-12-30 2022-06-07 江西赛瓷材料有限公司 一种高强度绿色氧化锆陶瓷粉体及其制备方法和应用
CN111254495A (zh) * 2020-03-16 2020-06-09 长飞光纤光缆股份有限公司 一种由多晶原料制备铽镓石榴石单的方法
CN111410514B (zh) * 2020-03-31 2021-01-05 青海大学 一种光学测温材料及其制备方法和非接触式测温材料
CN111875335B (zh) * 2020-08-09 2021-11-16 苏州智本工程技术有限公司 建筑楼地面和浮筑楼面专用砂浆及生产方法
CN112110740B (zh) * 2020-09-27 2022-11-25 景德镇陶瓷大学 一种原位反应制备氧化铝基复合生物陶瓷材料的方法及其制得的产品
CN113213928B (zh) * 2021-05-08 2022-11-04 松山湖材料实验室 荧光陶瓷、其制备方法及应用
CN114436650B (zh) * 2022-02-23 2023-03-17 山东国瓷功能材料股份有限公司 氧化锆组合物、氧化锆烧结体、牙科修复体及制备方法
CN116332632A (zh) * 2022-12-12 2023-06-27 南京工业大学 一种多光谱抑制陶瓷材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000272955A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Ube Ind Ltd 希土類選択エミッター材料
JP2001328871A (ja) * 2000-05-17 2001-11-27 Univ Osaka 高融点材料からなる成形体の製造方法
JP2002252372A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2003521435A (ja) * 2000-02-02 2003-07-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 溶融Al2O3−希土類酸化物共晶研磨粒子、研磨物品、ならびにそれらの製造方法および使用方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3691482A (en) * 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
HU200033B (en) * 1988-03-28 1990-03-28 Tungsram Reszvenytarsasag Method for making luminous powder in yellow-green range and mercury vapour gas-discharge lamp containing the said powder
JP3216683B2 (ja) 1993-10-08 2001-10-09 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
US5484752A (en) 1993-11-12 1996-01-16 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite material
JP3264106B2 (ja) 1993-11-12 2002-03-11 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3128044B2 (ja) 1993-11-12 2001-01-29 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
US5902763A (en) * 1995-01-19 1999-05-11 Ube Industries, Inc. Fused ceramic composite
JP3412379B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3412378B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3412381B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
CN1211312C (zh) * 1996-07-01 2005-07-20 宇部兴产株式会社 陶瓷复合材料和多孔陶瓷材料及其生产方法
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
WO2001024284A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
JP4151284B2 (ja) 2001-03-05 2008-09-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子及び発光装置並びにそれらの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000272955A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Ube Ind Ltd 希土類選択エミッター材料
JP2003521435A (ja) * 2000-02-02 2003-07-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 溶融Al2O3−希土類酸化物共晶研磨粒子、研磨物品、ならびにそれらの製造方法および使用方法
JP2001328871A (ja) * 2000-05-17 2001-11-27 Univ Osaka 高融点材料からなる成形体の製造方法
JP2002252372A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016503497A (ja) * 2012-11-07 2016-02-04 ロレックス・ソシエテ・アノニムRolex Sa 時計構成要素
KR20190047078A (ko) 2016-10-28 2019-05-07 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 광 파장 변환 부재의 제조 방법, 광 파장 변환 부재, 광 파장 변환 부품, 및 발광 장치
US10910524B2 (en) 2016-10-28 2021-02-02 Ngk Spark Plug Co.. Ltd. Light wavelength conversion member and light emitting device
US11063186B2 (en) 2016-10-28 2021-07-13 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method for producing light wavelength conversion member, light wavelength conversion member, light wavelength conversion component and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101555128A (zh) 2009-10-14
WO2004065324A1 (ja) 2004-08-05
KR20050093839A (ko) 2005-09-23
EP2497758B1 (en) 2019-05-29
TWI314364B (en) 2009-09-01
EP1588991A4 (en) 2011-05-18
EP2497758A3 (en) 2016-05-25
US8900480B2 (en) 2014-12-02
EP1588991B1 (en) 2019-04-17
KR100639647B1 (ko) 2006-11-01
JPWO2004065324A1 (ja) 2006-05-18
US20060124951A1 (en) 2006-06-15
EP1588991A1 (en) 2005-10-26
CN1738781A (zh) 2006-02-22
EP2497758A2 (en) 2012-09-12
TW200425540A (en) 2004-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4609319B2 (ja) 光変換用セラミックス複合材料およびその用途
KR100885694B1 (ko) 광변환 구조체 및 그것을 이용한 발광장치
JP4420021B2 (ja) 白色発光ダイオード装置
JP7056553B2 (ja) 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
TWI399422B (zh) 螢光體、其製造方法及照明器具
JP5347354B2 (ja) 蛍光物質成形体及びその製造方法、発光装置
TWI384053B (zh) 螢光體、其製造方法及照明器具
EP1878778A1 (en) Fluorescent substance, fluorescent substance sheet and process for producing the same, and luminescent device using said fluorescent substance
JP6897387B2 (ja) 焼結蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置および車両用表示灯
TWI428309B (zh) A ceramic composite for optical conversion and a light-emitting device using the ceramic composite
JP2006008721A (ja) 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
KR102062950B1 (ko) 산질화물 형광체 분말 및 그 제조 방법
WO2018021418A1 (ja) 焼結蛍光体、発光装置、照明装置及び車両用表示灯
JP5354114B2 (ja) 光変換用セラミック複合体、その製造方法、及びそれを備えた発光装置
JP2006173433A (ja) 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
JP4513541B2 (ja) 光変換用セラミック複合体を用いた発光装置
KR20130129437A (ko) 형광체 및 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100914

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100927

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4609319

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term