JP2011101053A - 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ及びledパッケージの製造方法 - Google Patents

熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ及びledパッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011101053A
JP2011101053A JP2011024230A JP2011024230A JP2011101053A JP 2011101053 A JP2011101053 A JP 2011101053A JP 2011024230 A JP2011024230 A JP 2011024230A JP 2011024230 A JP2011024230 A JP 2011024230A JP 2011101053 A JP2011101053 A JP 2011101053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat transfer
led package
led
recess
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011024230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5246893B2 (ja
Inventor
Seon Goo Lee
グー リー、ソン
Chang Ho Song
ホ ソン、チャン
Kyung Taeg Han
タエ ハン、キュン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung LED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung LED Co Ltd filed Critical Samsung LED Co Ltd
Publication of JP2011101053A publication Critical patent/JP2011101053A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5246893B2 publication Critical patent/JP5246893B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00Illumination
    • Y10S362/80Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明はLEDパッケージに関する。
【解決手段】本発明のLEDパッケージは、LEDチップと、折れた板金部材からなり上記LEDチップを装着させる凹部が上部に形成された熱伝達部と、上記熱伝達部を封止し上記LEDチップから発生した光を上方に案内するよう構成されたパッケージ本体と、少なくとも上記熱伝達部の凹部に提供された透明密封体、及び上記LEDチップに電源を供給するよう上記パッケージ本体により一部が封止される複数のリードを含む。このように板金を折って熱伝達部を形成しこの熱伝達部にLEDチップを収容する凹部を形成することにより反射効率を改善し工程を単純化することが出来る。
【選択図】図4

Description

本発明は発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)パッケージに関するものであって、より具体的には板金を折って熱伝達部を形成し、この熱伝達部にLEDチップを収容する凹部を形成することにより反射効率を改善し工程を単純化することが出来るLEDパッケージに関する。
LEDは電流が加わると多様な色相の光を発生させるための半導体装置である。LEDから発生される光の色相は、主にLEDの半導体を構成する化学成分により決められる。このようなLEDはフィラメントに基づいた発光素子に比べ長い寿命、低い電源、優秀な初期駆動特性、高い振動抵抗及び反復的な電源断続に対する高い公差などの種々の長所を有するため、その需要が持続的に増加しつつある。
最近LEDは照明装置及び大型LCD(Liquid Crystal Display)用バックライト(Backlight)装置として採用されている。これらは大きい出力が要されるため、このようなLEDには優秀な放熱性能を有するパッケージ構造が要求される。
図1は一般的なLEDパッケージ及びこのLEDパッケージが回路基板に装着された状態を示す図面である。
先ず、図1(a)を参照すると、LEDパッケージ10はLEDチップ12を装着させながら熱案内手段の役割をする熱伝達部材(heat slug)14を具備する。LEDチップ12は電源を供給する一対のワイヤ16及び一対の端子18を通じ外部電源(図示省略)から電気の供給を受ける。LEDチップ12を始めとする熱伝達部材14の上部は普通シリコンから成る封止材20で密封され、この封止材20にはレンズ22が覆われる。ハウジング24が熱伝達部材14の回りに普通成形により形成され熱伝達部材14及び端子18を支持する。
このような図1(a)のLEDパッケージ10は図1(b)に図示した通りヒートシンクである回路基板30に装着されLEDアセンブリー40を構成する。この際、ソルダのような熱伝導パッド36がLEDパッケージ10の熱伝達部材14と回路基板30の金属放熱基板32との間に介在され、これらの間の熱伝導を促進する。また、端子18もまたソルダ38により回路基板30の回路パターン34と安定的に連結される。
このように、図1に図示されたLEDパッケージ10及びこれを回路基板30に装着したLEDアセンブリー40は熱をよく放出すること、即ち放熱に焦点が合わされている。
即ち、LEDパッケージ10は、LEDチップ12から発生する熱を吸収し外部に放出するため、ヒートシンク即ち熱伝達部材14が熱伝導パッド36を通じ、または直接回路基板30の放熱基板32に連結される。このようになると、LEDチップ12から発生する熱は大部分伝導により熱伝達部材14を経て回路基板30の放熱基板32から抜け出ることとなり、少量の熱のみLEDパッケージ10の表面、即ちハウジング24またはレンズ22等を通じ空気中に放出される。
しかし、このような従来技術の放熱構造は複雑で自動化が難しいだけでなく、多くの部品を組み立てなければならないため生産原価が高いという短所を有している。
図2は特許文献1に開示されたLEDのリードフレーム構造を示す。図2にはリードフレーム2と熱伝達部4が図示される。リードフレーム2は2個の電気連結部12a、12bに分離され、電気連結部12a、12bは各々のソルダ接続ストリップ3a、3bに繋がる。
第1電気連結部12aは目状の開口があって、熱伝達部4がこの開口に挟まれる。熱伝達部4は実質的に回転対称で、リードフレーム2がハウジング内に固く固定され得るよう突出部19を有する。また、熱伝達部4は中央の凹部が井戸形態の反射鏡16を形成し、その底には光放出チップ(LEDチップ)を維持及び支持するためのチップ装着領域11が設けられる。凹部の側面は反射面として使用される。
第1電気連結部12aの目状のリングには切開部13があって、第2電気連結部12bの舌状のボンディングワイヤ連結領域10が重ねられる。ボンディングワイヤ連結領域10は光を放出する反射鏡16の縁と異なる高さで配置される。この形状はチップ装着のため反射鏡16の縁に切開部を形成することなくチップとボンディングワイヤ連結領域10との間の短いワイヤ連結を可能とする。一方、図面符号27は光放出方向を示す。
このようなリードフレーム構造は第1電気連結部12aを熱伝達部4に挟んだ状態で樹脂によりパッケージ本体を成形することが出来るため、図1から説明したパッケージ構造に比べ製造工程が簡単である。
しかし、第1電気連結部12aが熱伝達部4と直接接触するため電気連結部12aと熱伝達部4が相互電気的に連結される構造のみに使用することが出来る制約がある。即ち、電気連結部12aと熱伝達部4が相互絶縁されるべき構造には使用できない。
また、熱伝達部4と電気連結部12aを個別的に製造するため、これらの組立工程を必要とする。また組み立てられた熱伝達部4と電気連結部12aは外部衝撃を受けると相互分離され電極が短絡されやすい構造である。
アメリカ特許出願公開第2004/0075100号
本発明は前述の従来技術の問題を解決するため案出されたものとして、本発明の目的は、板金を折って熱伝達部を形成し、この熱伝達部にLEDチップを収容する凹部を形成することにより、反射効率を改善し工程を単純化することが出来るLEDパッケージを提供することにある。
本発明の他の目的は、板金を折って熱伝達部を形成し、この熱伝達部にLEDチップを収容する凹部を形成することにより、凹部を様々な形態に容易に形成することが出来るLEDパッケージを提供することにある。
前述の本発明の目的を達成するため本発明は、LEDチップと、折れた板金部材からなり上記LEDチップを装着させる凹部が上部に形成された熱伝達部と、上記熱伝達部を封止し上記LEDチップから発生した光を上方に案内するよう構成されたパッケージ本体と、少なくとも上記熱伝達部の凹部に提供された透明密封体と、上記LEDチップに電源を供給するよう上記パッケージ本体により一部が封止される複数のリードを含むLEDパッケージを提供することを特徴とする。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記パッケージ本体は上記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう上記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、上記透明密封体は上記パッケージ本体の凹部にも提供されると好ましい。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記熱伝達部は上記リードのうち一つと一体で形成されると好ましい。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記熱伝達部は上記熱伝達部の折れた部分を相互結合させるよう上記折れた部分の間に形成された結合部をさらに含むと好ましい。この際、上記結合部は溶着部または金属介在物であると好ましく、上記溶着部は抵抗溶接、ホットプレス溶接、超音波溶接及び高周波溶接を含む群から少なくとも一つにより形成され得る。また、上記金属介在物はコーティング剤または金属ペーストであると好ましい。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記熱伝達部の凹部は上記熱伝達部の折れた板金部分のうち上のものに形成された孔であると好ましい。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記熱伝達部の凹部は上記熱伝達部の折れた板金部分のうち上のものに形成された溝であると好ましい。
また、本発明のLEDパッケージにおいて、上記熱伝達部の上記LEDチップの周りの部分と上記パッケージ本体の隣接した部分は上記熱伝達部の凹部から上記電気連結部のうち少なくとも一つの上面に繋がる通路を形成するよう構成され、上記LEDチップは上記通路を通じワイヤによって上記通路と繋がった電気連結部の上面に連結されると好ましい。上記透明密封体は上記通路にも形成される。この際、上記パッケージ本体は上記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう上記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、上記LEDパッケージは上記パッケージ本体の凹部に提供された第2透明密封体をさらに含むことが出来る。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記リードの上部に形成された上記パッケージ本体の一部は、上記LEDチップと上記リードとの間の電気的連結を許容しつつ上記熱伝達部の凹部の縁まで延長され得る。
本発明のLEDパッケージにおいて、上記透明密封体は上部半球形態であり得る。
本発明によると、一対の上下板金で熱伝達部を形成し上部板金に孔を開けたり、所定の工程を通じ熱伝達部に凹部を形成することにより、LEDチップから発生した光を効果的に上方に反射することが出来る。また、板金を折って熱伝達部を形成するため、熱伝達部を容易に製造することができ、全体工程が簡素となる。尚、熱伝達部と第1リードを一体で形成するので、外部の衝撃を受けてもこれらは簡単に分離されない長所がある。また、熱伝達部にモールドを被せ射出成形によりパッケージ本体を形成し、LEDチップを装着した後、透明樹脂を注ぎ密封体を形成するためLEDパッケージの全体製造工程が容易となる。
以下、本発明の好ましい実施例を添付図面を参照により詳細に説明する。***先ず、図3ないし図6を参照に本発明の実施例によるLEDパッケージに対して説明する。これら図面において、図3は本発明の実施例による凹部が形成されたLEDパッケージの斜視図で、図4は図3の4−4線に沿って切って断面図で、図5は図3の5−5線に沿って切った断面図で、図6は図3のLEDパッケージの底部斜視図である。
LEDパッケージ100は折れた上下板金112a、112bにより形成され、LEDチップ102を収容する凹部114が形成された熱伝達部110、上記熱伝達部110を封止し上記LEDチップ102から発生した光を上部へ案内するよう凹部132が形成されたパッケージ本体130及び上記LEDチップ102を密封するよう凹部114、132に満たされた透明密封体140を含む。
熱伝達部110は図5に図示した通り、一対の板金112a、112bを折って重ねた後結合して形成する。この際、板金112a、112bの間に適切な金属媒介物を介在してこれらを結合させるか、溶接を通じこれらを相互結合させることが出来る。金属介在物としてはコーティング剤またはペーストを使用することが出来る。溶接の例には抵抗溶接、ホットプレス溶接、超音波溶接及び高周波溶接などがある。溶接は板金112a、112bの重なった部分全体または一部やこれらの縁に(図示省略の)溶着部を形成し、この溶着部が板金112a、112bを相互結合させることとなる。
上部板金112aには孔が開けられ熱伝達部110の凹部114を形成し、凹部114の底は下部板金112bの一部により形成されるため、LEDチップ102から発生した光は金属からなる凹部114により上方に効率的に反射される。一方、上部板金112aの一部はパッケージ本体130の外に延長され第1リード116を形成し、下部板金112bの底面はパッケージ本体130により囲われず図6のように外部に露出される。
第2リード120は一部がパッケージ本体130の内部に配置され電気連結部118を形成し、パッケージ本体130の一部136により熱伝達部110から絶縁されている。
一方、熱伝達部110の凹部114の中に配置されたLEDチップ102はワイヤ104により熱伝達部110の上部板金112aに連結され、上部板金112aは第1リード116と一体であるため、熱伝達部110即ち上部板金112aは電気連結部の役割をする。また、LEDチップ102は他のワイヤ104により第2リード120の電気連結部118と連結される。
パッケージ本体130は凹部132が上部の中心に形成され、その周りには階段形態の装着部134が形成されている。装着部134は後続作業において透明密封体140の上にカバーを被せる際カバーの底面を案内し支持する役割をするよう透明密封体140の上面と同一面に形成されると良い。
パッケージ本体130は一般的に不透明または反射率が大きい樹脂で成形され、射出工程が容易なポリマー樹脂を用いてパッケージ本体を構成することが好ましい。しかし、限定されるのではなく多様な樹脂材で成形することが出来る。
熱伝達部110の凹部114及び本体130の凹部132には透明密封体140が満たされ硬化されている。透明密封体140はLEDチップ102から発生した光を最小限の損失で通過させ得る高い透明度の樹脂に選択される。好ましくは弾性樹脂を使用することが出来る。弾性樹脂はシリコン等のゼル形態の樹脂を言い、黄変(yellowing)のような短波長の光による変化が非常に少なく、屈折率もまた高いため優れた光学的特性を有する。また、エポキシとは異なり硬化作業以後にもゼルや弾性体(elastomer)状態を維持するため、熱によるストレス、振動及び外部衝撃などからチップ102をより安定的に保護することが出来る。
尚、透明密封体140は液体状態で凹部114、132に満たされた後硬化されるため、硬化過程から内部の気泡が外気に露出され円滑に外に抜け出る長所がある。
この際、透明密封体140となる樹脂にはLEDチップ102から発生する紫外線を吸収する紫外線吸収剤または単色光を白色光に変換させる蛍光物質などが含有されることも出来る。
このように、一対の上下板金112a、112bで熱伝達部110を形成し、上部板金112aに孔を開け凹部114を形成することにより、LEDチップ102から発生した光を効果的に上方に反射することが出来る。また、板金112a、112bを折って熱伝達部110を形成するため、熱伝達部110を容易に製造することができ、全体工程が簡素となる。尚、熱伝達部110と第1リード116を一体で形成するため、外部の衝撃を受けてもこれらは簡単に分離されない長所がある。
図7は本発明によるLEDパッケージの変形例を示す断面図である。***図7に図示した通り、変形例のLEDパッケージ100−1は透明密封体140−1が半球形態で形成された点を除いては前述のLEDパッケージ100と同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には同一な図面符号を付与しており、その説明は省略することとする。
一方、密封体140−1は半球以外にドーム、楕円体などの様々な形状に形成され得る。密封体140−1の高さは特に制限はないが、パッケージ本体130より高くないことが好ましい。
密封体140−1は透明な樹脂として、シキソトロピー(thixotropy)を有し、吐出されると一定な形態を維持するものが選択される。好ましい材料の例にはDow Corningの製品名JCR6101up等がある。一方、この樹脂を凹部132に精密に吐出するための吐出装置の例にはMusashiの製品名ML−808FX等がある。この装置は約0.03ccまでの精密なドッティング(dotting)制御が可能である。
この構成のLEDパッケージ100−1もまた一対の上下板金112a、112bで熱伝達部110を形成し、上部板金112aに孔を開け凹部114を形成することにより、LEDチップ102から発生した光を効果的に上方に反射することが出来る。また、板金112a、112bを折って熱伝達部110を形成するため、熱伝達部110を容易に製造することができ、全体工程が簡素となる。尚、熱伝達部110と第1リード116を一体に形成するため、外部の衝撃を受けてもこれらは簡単に分離されない長所がある。
以下、図8ないし図10を参照に本発明によるLEDパッケージの製造工程を説明する。これら図面において、図8と図9は本発明によるLEDパッケージの製造工程を段階別に示す平面図で、図10は本発明の実施例によるLEDパッケージの製造工程を段階別に示す断面図である。
図8(a)に図示した通り、一対の板金112a、112bと連結部112cからなり第1リード116が一体で連結された熱伝達部110を準備し、板金112aの向こう側に第2リード120の電気連結部118を予め定められた間隔で配置する。
この際、熱伝達部110を準備する過程は次の通りである。先ず、図10(a)に図示した通り、一枚の板金からなる熱伝達部110を準備し、パンチング等により予め定められた部分に図10(b)に図示した通り孔114aを開ける。次に、図10(c)のように、孔114aを再加工して孔114を形成する。勿論、穿孔段階において孔114を所望の形態に形成することも出来る。このように得られた熱伝達部110を平面図に図示すると図8(a)の熱伝達部110となる。言い換えると、図10(c)は図8(a)の熱伝達部110の断面図である。
次いで、図8(b)と図10(d)に図示した通り、連結部112cを中心に板金112a、112bを折って相互重なるようにし溶接または金属介在物により重なった面を相互結合させる。溶接の例には抵抗溶接、ホットプレス溶接、超音波溶接及び高周波溶接などがあり、金属媒介物としてはコーティング剤またはペーストを使用することが出来る。
次いで、(図示省略の)モールドを熱伝達部110と電気連結部118の周りに覆わせ、その中に樹脂を射出して図9(a)と図10(e)に図示した通りパッケージ本体130を形成する。この際のパッケージ本体130は図4と図5を参照に前述したものと同一な形態である。このパッケージ本体130は一般的に不透明または反射率が大きい樹脂で成形され、射出工程が容易なポリマー樹脂を用いてパッケージ本体を構成することが好ましい。
その後、図9(b)と図10(f)に図示した通り、熱伝達部110の凹部114にLEDチップ102を装着しワイヤ104で熱伝達部110及び電気連結部118を連結する。
次に、パッケージ本体130の凹部132に透明樹脂を満たし硬化して本発明によるLEDパッケージ100を得る。このLEDパッケージ100は図3ないし図6に図示したものと実質的に同一な形態である。
一方、透明密封体140はLEDチップ102から発生した光を最小限の損失で通過させることが出来る高い透明度の樹脂に選択され、好ましくは弾性樹脂を使用することが出来る。このような弾性樹脂は図3ないし図6を参照に前述したものと同一なものを使用することができ、それに該当する特徴及び長所を有する。
このように板金の一部を穿孔してLEDチップ102を装着させる凹部114を形成し板金を折って熱伝達部110を作るため熱伝達部110を容易に製造することが出来る。また、熱伝達部110にモールドを覆わせ射出成形によりパッケージ本体130を形成し、LEDチップ102を装着した後、透明樹脂を注ぎ密封体140を形成するためLEDパッケージ100の全体製造工程が容易となる。
以下、図11と図12を参照に本発明によるLEDパッケージ100の大量生産工程に対して説明する。これら図面において、図11は本発明によるLEDパッケージの製造に使用されるフレームシートの平面図で、図12はフレームシートを用いたLEDパッケージ製造工程の一段階を示す図面として、図9の(b)に対応する平面図である。
先ず、図11に図示したようなフレームシート150を準備する。このフレームシート150は縁に案内及び固定のための複数の孔(H)が形成され、真ん中には図8(a)に図示したような熱伝達部110とリード120が多数個形成されている。従って、このフレームシート150に図9ないし図11のような工程を適用すると、本発明によるLEDパッケージ100を一度に多数個ずつ大量生産することが出来る。
一方、図12はフレームシート150に多数のLEDパッケージ100を形成した形態である。この状態で切断線(LT)に沿ってフレームシート150から切断すると、多数の単位LEDパッケージ100を完成することが出来る。
一方、必要に応じて、図9(b)と図10(f)段階の以前に、第1及び第2リード116、120を切断線(LT)に沿って切断することも出来る。
このように本発明によるLEDパッケージ100はフレームシート150を使用して大量生産することが出来るため作業効率が改善され単価を著しく低めることが出来る。
以下、図13ないし図15を参照に本発明の他の実施例によるLEDパッケージを説明する。これら図面において、図13は本発明の他の実施例によるLEDパッケージの斜視図で、図14は図13の14−14線に沿って切った断面図で、図15は図14のA部分の拡大図である。
本実施例のLEDパッケージ100−2は、一つのワイヤ104が凹部114の底で熱伝達部110と連結され、もう一つのワイヤ104が上部板金112aの通路115とこれに繋がったパッケージ本体130の通路138を通じ第2リード120の電気連結部118と連結された点を除いては前述のLEDパッケージ100と同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には同一な図面符号を付与しその説明は省略する。
このようなLEDパッケージ100−2では、ワイヤ104を熱伝達部110の上部板金112aの上面より低い位置に設置することが出来る。従って、透明封止体104−2を熱伝達部110の凹部114と通路115及びパッケージ本体130の通路138のみに形成してもLEDチップ102とワイヤ104を充分封止することが出来る。
このようにすると、LEDチップ102から発生した光をLEDパッケージ100−2の上方に放出する効率を高めることが出来る長所がある。
また、透明密封体140−2はLEDチップ102から発生する紫外線を吸収する紫外線吸収剤または単色光を白色光に変換させる蛍光物質などを含有することが出来る。
勿論、透明密封体140−2の上方の凹部132の空間に再び透明樹脂を注ぎ第2透明密封体を形成することが出来る。
以下、図16を参照して先行する図8ないし図10と共に本発明によるLEDパッケージ100−2の製造工程を説明する。ここで、図16は本発明の他の実施例によるLEDパッケージの製造工程において一部段階を示す断面図である。
図16(a)と図16(b)に図示した熱伝達部110−2と第1リード116及び第2リード120は、図8(a)と図8(b)及び図10(a)ないし図10(d)に対応する作業段階を遂行して得られる。この際、第2リード120の電気連結部118は熱伝達部110−2の中間高さに配置し、熱伝達部110−2の上部金属層112aの第2リード120側には電気連結部118の上面と同一面に通路115を形成する。
このように熱伝達部110−2と第1及び第2リード116、120を準備した後の、以後の作業段階は図9(a)と図9(b)及び図10(e)ないし図10(g)のものと実質的に同一である。但し、図10(g)の透明密封体形成段階とは異なり、本実施例の透明密封体140−2は熱伝達部110の凹部114と通路115及びパッケージ本体130の通路138のみに形成される。
以下、図17を参照に本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージ100−3の構成を説明する。ここで、図17は本実施例によるLEDパッケージ100−3の図4に対応する断面図である。
本実施例のLEDパッケージ100−3は熱伝達部110の凹部114−3が上部板金112aのみによって形成される点で前述のLEDパッケージ100と区別される。即ち、前述のLEDパッケージ100では上部板金112aに孔を開け凹部114を形成するため、下部板金112bの上面一部が凹部114の底を形成する。しかし、本実施例によると、切削、パンチングまたはプレッシングを通じ上部板金112aの上面の予め定められた領域に溝を形成することにより凹部114−3を形成するため、凹部114−3は上部板金112aのみにより形成される。
この点を除いては残りの構成及びそれによる効果及び長所は前述のLEDパッケージ100と実質的に同一であるため、同一であるか対応する構成要素には同一図面符号を付与しその説明は省略する。
以下、図18の断面図を参照に図17のLEDパッケージ100−3の製造工程を説明する。
図18の工程段階は、切削、パンチングまたはプレッシングにより凹部114−3を形成する段階を除いた残りの作業段階は、全て図10の作業段階と同一である。具体的に、図18(a)は図10(a)と実質的に同一で、図18(b)は図10(b)と図10(c)に該当するが変形された作業段階で、残りの図18(c)ないし図18(f)は図10(d)ないし図10(g)と実質的に同一である。
以下、図19を参照に本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージ100−4の構成を説明する。ここで、図19は本実施例によるLEDパッケージ100−4の図3に対応する断面図である。
図19のLEDパッケージ100−4を図3のLEDパッケージ100と比較してみると、図19のLEDパッケージ100−4は第1及び第2リード120a、120bが同じ側に形成され、各々電気連結部118a、118bでワイヤ104によりLEDチップ102に連結される点で前述のLEDパッケージ100と区別される。
従って、本実施例において、熱伝達部110は第1または第2リード120a、120bと一体で形成されないだけでなく、パッケージ本体130によりリード120a、120bから絶縁される。
これとは異なり、図19の構成と図3の構成を組み合わせることも可能である。即ち、図19の第1及び第2リード120a、120bとしてはLEDチップ102の一つの電極と連結し、図3の第1リード116で熱伝達部110を通じLEDチップ102の他の電極と連結することも可能である。
以下、図20ないし図22を参照に本発明の他の実施例によるLEDパッケージを説明する。これら図面において、図20は本発明の他の実施例によるLEDパッケージの斜視図で、図21は図20の21−21線に沿って切った断面図で、図22は図20の22−22線に沿って切った断面図である。
本実施例のLEDパッケージ100−5は折れた上下板金112a、112bにより形成され、LEDチップ102を収容する凹部114が形成された熱伝達部110、上記熱伝達部110を封止し上記LEDチップ102から発生した光を上部に案内するよう凹部132が形成されたパッケージ本体130及び上記LEDチップ102を密封するよう凹部114、132に満たされた透明密封体140を含む。
このようなLEDパッケージ100−5は図3ないし図6を参照に前述したLEDパッケージ100と基本的に同一な構成であるが、次のような相違点を有する。
即ち、パッケージ本体130は第1リード上部板金112aの大部分を覆うパッケージ本体上部137を含み、ワイヤ104が第1リード上部板金112aと第2リード120に装着され得るようパッケージ本体上部137に通路139が形成されている。
このようにすると、LEDチップ102から発生した光をさらに上部に集めることが出来るだけでなく、第1リード上部板金112aをより安定的に封止することが出来る。また、透明封止体140が占める体積が少なくなるため、LEDパッケージ100−5上部にカバーまたはレンズを被せる時、パッケージ本体上部137がカバーと接することとなるため接着作業はより容易である。
一方、前述のLEDパッケージ100と同一であるか対応する構成要素には同一な図面符号を付与しその説明は省略する。
以下、図23ないし図26を参照に本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージ100−5を説明する。これら図面において、図23は本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージの斜視図で、図24は図23の24−24線に沿って切った断面図で、図25は図24のA部分の拡大図で、図26は図23の26−26線に沿って切った断面図である。
本実施例のLEDパッケージ100−6は第1リード上部板金112a及び第2リード120の大部分を覆うパッケージ本体上部137が形成された点を除いては図13ないし図15に図示したLEDパッケージ100−2と実質的に同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には同一な図面符号を付与しその説明は省略する。
一方、パッケージ本体上部137は一部が割れワイヤ104が第1リード上部板金112aと第2リード120に装着され得るよう通路138を形成している。
このようにすると、LEDチップ102から発生した光をさらに上部に集めることが出来るだけでなく、第1リード上部板金112aをより安定的に封止することが出来る。また、透明封止体140が占める体積が少なくなるため、LEDパッケージ100−6上部にカバーまたはレンズを被せる時、パッケージ本体上部137がカバーと接することとなるため接着作業がより容易である。
上記では本発明の好ましい実施例を参照に説明したが、該当技術分野において通常の知識を有している者であれば添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることが分かる。
一般的なLEDパッケージ及びこのパッケージが装着された状態を示す図面である。 従来技術によるLEDパッケージのリードフレーム構造を示す図面である。 本発明の実施例によるLEDパッケージの斜視図である。 図3の4−4線に沿って切った断面図である。 図3の5−5線に沿って切った断面図である。 LEDパッケージの底部斜視図である。 本発明によるLEDパッケージの変形例を示す断面図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程を段階別に示す平面図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程を段階別に示す平面図である。 本発明の実施例によるLEDパッケージの製造工程を段階別に示す断面図である。 本発明によるLEDパッケージの製造に使用されるフレームシートの平面図である。 フレームシートを用いたLEDパッケージ製造工程の一段階を示す図面として、図9の(b)に対応する平面図である。 本発明の他の実施例によるLEDパッケージの斜視図である。 図13の14−14線に沿って切った断面図である。 図14のA部分の拡大図である。 本発明の他の実施例によるLEDパッケージの製造工程から一部段階を示す断面図である。 本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージの図4に対応する断面図である。 本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージの製造工程を示す断面図である。 本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージの斜視図である。 本発明の他の実施例によるLEDパッケージの斜視図である。 図20の21−21線に沿って切った断面図である。 図20の22−22線に沿って切った断面図である。 本発明のまた異なる実施例によるLEDパッケージの斜視図である。 図23の24−24線に沿って切った断面図である。 図24のA部分の拡大図である。 図23の26−26線に沿って切った断面図である。
102 LEDチップ
110、110−2 熱伝達部
112a、112b 板金
114、114−3 熱伝達部の凹部
115 熱伝達部の通路
116、120 リード
130 パッケージ本体
132 パッケージ本体の凹部
138 パッケージ本体の通路
140、140−1、140−2 透明密封体

Claims (14)

  1. LEDチップと、
    折れた板金部材からなり前記LEDチップを装着させる凹部が上部に形成された熱伝達部と、
    前記熱伝達部を封止し前記LEDチップから発生した光を上方に案内するよう構成されたパッケージ本体と、
    少なくとも前記熱伝達部の凹部に提供された透明密封体と、
    前記LEDチップに電源を供給するよう前記パッケージ本体により一部が封止される複数のリードを含むことを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記パッケージ本体は前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、
    前記透明密封体は前記パッケージ本体の凹部にも提供されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 前記熱伝達部は前記リードのうち一つと一体で形成されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記熱伝達部は前記熱伝達部の折れた部分を相互結合させるよう前記折れた部分の間に形成された結合部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記結合部は溶着部または金属介在物であることを特徴とする請求項4に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記溶着部は抵抗溶接、ホットプレス溶接、超音波溶接及び高周波溶接を含む群の少なくとも一つにより形成されることを特徴とする請求項5に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記金属介在物はコーティング剤または金属ペーストであることを特徴とする請求項5に記載のLEDパッケージ。
  8. 前記熱伝達部の凹部は前記熱伝達部の折れた板金部分中の上のものに形成された孔であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  9. 前記熱伝達部の凹部は前記熱伝達部の折れた板金部分中の上のものに形成された溝であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  10. 前記熱伝達部の前記LEDチップの周りの部分と前記パッケージ本体の隣接した部分は前記熱伝達部の凹部から電気連結部のうち少なくとも一つの上面に繋がる通路を形成するよう構成され、前記LEDチップは前記通路を通じワイヤにより前記通路と繋がっている電気連結部の上面に連結されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  11. 前記透明密封体は前記通路にも形成されることを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
  12. 前記パッケージ本体は前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、
    前記LEDパッケージは前記パッケージ本体の凹部に提供された第2透明密封体をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のLEDパッケージ。
  13. 前記リードの上部に形成された前記パッケージ本体の一部は前記LEDチップと前記リードとの間の電気的連結を許容しつつ前記熱伝達部の凹部の縁まで延長されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  14. 前記透明密封体は上部半球形態であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
JP2011024230A 2005-08-08 2011-02-07 Ledパッケージ及びその製造方法 Active JP5246893B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0072435 2005-08-08
KR1020050072435A KR100632003B1 (ko) 2005-08-08 2005-08-08 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006214617A Division JP4758301B2 (ja) 2005-08-08 2006-08-07 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011101053A true JP2011101053A (ja) 2011-05-19
JP5246893B2 JP5246893B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=37127869

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006214617A Active JP4758301B2 (ja) 2005-08-08 2006-08-07 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ
JP2011024230A Active JP5246893B2 (ja) 2005-08-08 2011-02-07 Ledパッケージ及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006214617A Active JP4758301B2 (ja) 2005-08-08 2006-08-07 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8169128B2 (ja)
EP (1) EP1753038A3 (ja)
JP (2) JP4758301B2 (ja)
KR (1) KR100632003B1 (ja)
CN (1) CN100428514C (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9614138B2 (en) 2014-12-25 2017-04-04 Nichia Corporation Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
US9741909B2 (en) 2014-12-02 2017-08-22 Nichia Corporation Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
WO2007054847A2 (en) * 2005-11-09 2007-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a package carrier for enclosing at least one microelectronic element and method of manufacturing a diagnostic device
DE102006048230B4 (de) * 2006-10-11 2012-11-08 Osram Ag Leuchtdiodensystem, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Hinterleuchtungseinrichtung
KR100818518B1 (ko) 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Led 패키지
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
CN101688657B (zh) * 2007-06-28 2012-06-20 夏普株式会社 背光装置、液晶显示装置以及照明装置
KR101088910B1 (ko) * 2008-05-29 2011-12-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
US20100059783A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
CN201307605Y (zh) * 2008-12-05 2009-09-09 弘凯光电(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5195678B2 (ja) * 2009-07-29 2013-05-08 豊田合成株式会社 発光装置の搭載構造及び搭載方法
WO2011091394A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Vishay Sprague, Inc. Metal based electronic component package and the method of manufacturing the same
KR20120022410A (ko) * 2010-09-02 2012-03-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
CN102185082B (zh) * 2011-04-08 2013-03-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管构造及其制造方法
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
CN102252299B (zh) * 2011-06-27 2014-04-16 成都曙光光纤网络有限责任公司 Led灯具的散热系统和led灯具
DE102012107547B4 (de) * 2011-08-22 2020-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung
CN103094450A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 广东德豪润达电气股份有限公司 Led封装支架、led器件及led器件的制造方法
FI20125932A (fi) * 2012-09-08 2014-03-09 Lighttherm Oy Menetelmä LED valaisinlaitteiden valmistamiseksi ja LED valaisinlaitteet
KR102674066B1 (ko) * 2016-11-11 2024-06-13 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102261288B1 (ko) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 자동차 외장용 발광다이오드 패키지
KR102425807B1 (ko) 2017-09-25 2022-07-28 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001036145A (ja) * 1999-07-15 2001-02-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
JP2002252372A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2004521506A (ja) * 2001-04-10 2004-07-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2004214436A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53108871U (ja) 1977-02-08 1978-08-31
DE2709601C2 (de) * 1977-03-03 1978-07-27 Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf Anwendung des Verfahrens nach DT-AS 1237241 zum elektrischen Nahtschweißen von Stahlrohren
JP2711345B2 (ja) * 1987-07-07 1998-02-10 株式会社リコー 基礎体温測定方法
JP2981370B2 (ja) * 1993-07-16 1999-11-22 シャープ株式会社 Midチップ型発光素子
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
JPH11214754A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3310955B2 (ja) * 1999-01-05 2002-08-05 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置
US6569698B2 (en) * 2000-12-07 2003-05-27 Harvatek Corp. Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package
JP3736366B2 (ja) * 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP4653484B2 (ja) * 2002-08-05 2011-03-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電気的な基板フレームの製造のための方法、表面実装可能な半導体素子の製造のための方法及び半導体素子の製造のための方法
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004119610A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4975946B2 (ja) * 2003-09-01 2012-07-11 Necトーキン株式会社 チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2005116937A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
US7977698B2 (en) * 2005-03-18 2011-07-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for surface mountable display

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001036145A (ja) * 1999-07-15 2001-02-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
JP2002252372A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2004521506A (ja) * 2001-04-10 2004-07-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2004214436A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741909B2 (en) 2014-12-02 2017-08-22 Nichia Corporation Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
US10074783B2 (en) 2014-12-02 2018-09-11 Nichia Corporation Package and light emitting device
US9614138B2 (en) 2014-12-25 2017-04-04 Nichia Corporation Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
US9893258B2 (en) 2014-12-25 2018-02-13 Nichia Corporation Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1753038A3 (en) 2012-11-21
US20070030703A1 (en) 2007-02-08
US8169128B2 (en) 2012-05-01
KR100632003B1 (ko) 2006-10-09
EP1753038A2 (en) 2007-02-14
JP5246893B2 (ja) 2013-07-24
CN1913187A (zh) 2007-02-14
JP4758301B2 (ja) 2011-08-24
CN100428514C (zh) 2008-10-22
JP2007049149A (ja) 2007-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758301B2 (ja) 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ
JP4404860B2 (ja) Ledハウジング及びその製造方法
JP4902411B2 (ja) Ledパッケージ、ledパッケージの製造方法、照明装置、lcd用バックライトおよび液晶ディスプレイ
KR100593945B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP4921876B2 (ja) 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ及び側面放出型二重レンズの製造方法
US8633643B2 (en) LED package, LED package module having the same and manufacturing method thereof, and head lamp module having the same and control method thereof
JP4481935B2 (ja) 高出力ledハウジング及びその製造方法
EP2064752B1 (en) Light emitting package and method of making same
US20060164836A1 (en) Light emitting apparatus
JP2007049152A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP2006344978A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法、並びにそれを利用したledアレイモジュール
JP5673190B2 (ja) 発光装置
KR20050092300A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지
JP2008147203A (ja) 半導体発光装置
KR20050119745A (ko) 발광 다이오드 및 발광 다이오드 어셈블리
JP2010177399A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110309

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110309

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20130321

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5246893

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250