JP3310955B2 - 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、ＬＥＤチップを利用
して発光させる発光ダイオードに係り、特に光の広がり
が良好な発光ダイオードに関する。
して発光させる発光ダイオードに係り、特に光の広がり
が良好な発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、高光度に発光可能な発光ダイオー
ドがＲＧＢにそれぞれ開発されたことに伴い、光センサ
ー、信号機やＬＥＤディスプレイなど種々の分野に利用
され始めている。
ドがＲＧＢにそれぞれ開発されたことに伴い、光センサ
ー、信号機やＬＥＤディスプレイなど種々の分野に利用
され始めている。
【０００３】この種の発光ダイオードの一例を図５に示
す。ここで、図５−ａは発光観測面側から見た正面図で
あり、図５−ｂは、図５−ａのＸ−Ｘ断面図である。こ
れらの図にしめされるように、２本以上一対のリード電
極のうちの一方のリード電極の先端部に、カップ部を設
けて、このカップ内に発光素子をダイボンドし、この発
光素子と他方のリードの先端部とを金属線にてワイヤー
ボンディングしたのち、両リードの先端の部分を透光性
樹脂などによってモールドしている。この発光ダイオー
ドを駆動基板等に接続させ電力を供給させると比較的等
方的に光が放出される。このような、発光ダイオード
は、図１０の如き発光特性を持つ。
す。ここで、図５−ａは発光観測面側から見た正面図で
あり、図５−ｂは、図５−ａのＸ−Ｘ断面図である。こ
れらの図にしめされるように、２本以上一対のリード電
極のうちの一方のリード電極の先端部に、カップ部を設
けて、このカップ内に発光素子をダイボンドし、この発
光素子と他方のリードの先端部とを金属線にてワイヤー
ボンディングしたのち、両リードの先端の部分を透光性
樹脂などによってモールドしている。この発光ダイオー
ドを駆動基板等に接続させ電力を供給させると比較的等
方的に光が放出される。このような、発光ダイオード
は、図１０の如き発光特性を持つ。
【０００４】このような、発光ダイオードの発光の広が
りは、モールド部材に用いる透光性樹脂をレンズとして
その形状を制御し、ＬＥＤチップをダイボンドするリー
ド先端部のカップ形状を変化させることで制御し、光学
設計されている。これに加えて、ＬＥＤチップそのもの
の指向特性が大きく影響して、発光ダイオードの指向性
を決定する。
りは、モールド部材に用いる透光性樹脂をレンズとして
その形状を制御し、ＬＥＤチップをダイボンドするリー
ド先端部のカップ形状を変化させることで制御し、光学
設計されている。これに加えて、ＬＥＤチップそのもの
の指向特性が大きく影響して、発光ダイオードの指向性
を決定する。
【０００５】また、これらの他に、発光色の異なるＬＥ
Ｄチップからなる多色で発光する発光ダイオード、若し
くは異なる発光色の発光ダイオードを複数配列して形成
される表示装置などがある。これらの発光ダイオード、
表示装置は、上述した各素子自身の指向性の違いから、
各発光色若しくは発光ダイオード間の輝度のばらつきが
問題となっていた。
Ｄチップからなる多色で発光する発光ダイオード、若し
くは異なる発光色の発光ダイオードを複数配列して形成
される表示装置などがある。これらの発光ダイオード、
表示装置は、上述した各素子自身の指向性の違いから、
各発光色若しくは発光ダイオード間の輝度のばらつきが
問題となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の反
射部の形状、及び樹脂レンズ部の制御を中心とした光学
設計では、光の広がり角度を大きくすることには問題が
あった。例えばそれは、封止する樹脂レンズの形状を変
えて、光を広げるだけでは、光を絞り込まれたとき、す
なわち指向の狭いときにはみえなかった、素子の指向性
に起因する強度のばらつきが発生する。これは、指向特
性図で観たとき、いびつな形状として表され、例えばこ
のような発光ダイオードを複数個並べるような用途に用
いる場合に、輝度のばらつきの原因となる。
射部の形状、及び樹脂レンズ部の制御を中心とした光学
設計では、光の広がり角度を大きくすることには問題が
あった。例えばそれは、封止する樹脂レンズの形状を変
えて、光を広げるだけでは、光を絞り込まれたとき、す
なわち指向の狭いときにはみえなかった、素子の指向性
に起因する強度のばらつきが発生する。これは、指向特
性図で観たとき、いびつな形状として表され、例えばこ
のような発光ダイオードを複数個並べるような用途に用
いる場合に、輝度のばらつきの原因となる。
【０００７】このような指向特性を改善する方法とし
て、モールド部材中への拡散剤添加は良好な光の広がり
を与えるが、図３に示すように拡散剤により光は無視光
に拡散され、また拡散剤による吸収もあり、量が多くな
ると急激に輝度低下する問題がある。
て、モールド部材中への拡散剤添加は良好な光の広がり
を与えるが、図３に示すように拡散剤により光は無視光
に拡散され、また拡散剤による吸収もあり、量が多くな
ると急激に輝度低下する問題がある。
【０００８】従って、その長手方向（水平方向）への広
がりを良好にする楕円状レンズでは、均一な光の広がり
が得られにくい。また、従来の発光ダイオードは、実装
時の光軸のズレに対し、柔軟に対応することができず、
発光ダイオードを設計通りに組み上げることは困難であ
った。
がりを良好にする楕円状レンズでは、均一な光の広がり
が得られにくい。また、従来の発光ダイオードは、実装
時の光軸のズレに対し、柔軟に対応することができず、
発光ダイオードを設計通りに組み上げることは困難であ
った。
【０００９】また、発光色、素子構造の異なる複数個の
ＬＥＤチップを同一のリード電極に載置してなる発光ダ
イオードでは、各素子に特化した光学設計が困難なた
め、素子間の指向性の違いを解消できない。更に、これ
らの発光ダイオードを複数個配列して形成される表示装
置では、このような視野角内における光の強度の大きな
ばらつき、各素子の指向性の違いなどから、表示装置を
正面以外の所から観察した際に、発光ダイオードごとに
輝度のばらつきが目立ち、多色の発光ダイオードを用い
た場合には、混色性が失われたものとなっていった。
ＬＥＤチップを同一のリード電極に載置してなる発光ダ
イオードでは、各素子に特化した光学設計が困難なた
め、素子間の指向性の違いを解消できない。更に、これ
らの発光ダイオードを複数個配列して形成される表示装
置では、このような視野角内における光の強度の大きな
ばらつき、各素子の指向性の違いなどから、表示装置を
正面以外の所から観察した際に、発光ダイオードごとに
輝度のばらつきが目立ち、多色の発光ダイオードを用い
た場合には、混色性が失われたものとなっていった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記事情に鑑
みなされたものであって、本発明者らは、発光素子から
の光を最初に反射する部分において広がりを持たせる方
法を鋭意検討した結果、その反射部において特定の反射
率に制御することで、光利用効率を維持しながら指向特
性と光利用効率を両立できることを見出し、上記問題点
を解決するに至った。
みなされたものであって、本発明者らは、発光素子から
の光を最初に反射する部分において広がりを持たせる方
法を鋭意検討した結果、その反射部において特定の反射
率に制御することで、光利用効率を維持しながら指向特
性と光利用効率を両立できることを見出し、上記問題点
を解決するに至った。
【００１１】すなわち、本発明の発光ダイオードは、Ｌ
ＥＤチップと、前記ＬＥＤチップが載置されたリード電
極とが、モールド部材により封止されてなる発光ダイー
ドであって、前記リード電極が、次式で表される光沢度
Ｄが０．０５〜０．５の範囲にある表面を有することを
特徴とする。好ましくは、Ｄ値が、０．１〜０．３の範
囲にあること、前記ＬＥＤチップが反射部に形成される
こと、前記ＬＥＤチップが発光色若しくは素子構造の異
なる複数個のＬＥＤチップであること、前記モールド部
材が楕円形状であることである。また、これらの発光ダ
イオードを複数個配列した表示装置である。
ＥＤチップと、前記ＬＥＤチップが載置されたリード電
極とが、モールド部材により封止されてなる発光ダイー
ドであって、前記リード電極が、次式で表される光沢度
Ｄが０．０５〜０．５の範囲にある表面を有することを
特徴とする。好ましくは、Ｄ値が、０．１〜０．３の範
囲にあること、前記ＬＥＤチップが反射部に形成される
こと、前記ＬＥＤチップが発光色若しくは素子構造の異
なる複数個のＬＥＤチップであること、前記モールド部
材が楕円形状であることである。また、これらの発光ダ
イオードを複数個配列した表示装置である。
【００１２】また、本発明において、リード電極の表面
が、モールド部材に被覆された第１の領域と、モールド
部材の外側に露出した第２の領域とを有すると共に、前
記第１の領域は前記第２の領域の次式で表される光沢
度Ｄよりも小さいことにより、第１の領域では、発光の
指向性を考慮した光沢度を有し、第２の領域ではリード
電極の耐食性、実装時のはんだ付け性を考慮した光沢度
を有することとなり、従来と同様に扱え、且つ指向性の
改善された発光ダイオードとなる。この時、第１の領域
がモールド部材に被覆された領域全体で有る必要はな
く、少なくともＬＥＤチップ乃至はＬＥＤチップが載置
された反射部を含む領域とすることである。これによ
り、上記良好な指向性の発光ダイオードが実現される。
そのため、好ましくは、第１の領域の光沢度Ｄを０．０
５＜Ｄ＜０．５、更に好ましくは０．１３＜Ｄ＜０．３
とすることである。また、表面にメッキ皮膜を有する場
合には、第２の領域の光沢度としては、上述の様に、少
なくとも第１の領域より光沢度Ｄが大きいことであり、
好ましくはＤが０．５より大きく、更に好ましくは０．
８より大きくすることで、緻密な皮膜によりリード電極
素地が覆われ、耐食性に富むものとなる。
が、モールド部材に被覆された第１の領域と、モールド
部材の外側に露出した第２の領域とを有すると共に、前
記第１の領域は前記第２の領域の次式で表される光沢
度Ｄよりも小さいことにより、第１の領域では、発光の
指向性を考慮した光沢度を有し、第２の領域ではリード
電極の耐食性、実装時のはんだ付け性を考慮した光沢度
を有することとなり、従来と同様に扱え、且つ指向性の
改善された発光ダイオードとなる。この時、第１の領域
がモールド部材に被覆された領域全体で有る必要はな
く、少なくともＬＥＤチップ乃至はＬＥＤチップが載置
された反射部を含む領域とすることである。これによ
り、上記良好な指向性の発光ダイオードが実現される。
そのため、好ましくは、第１の領域の光沢度Ｄを０．０
５＜Ｄ＜０．５、更に好ましくは０．１３＜Ｄ＜０．３
とすることである。また、表面にメッキ皮膜を有する場
合には、第２の領域の光沢度としては、上述の様に、少
なくとも第１の領域より光沢度Ｄが大きいことであり、
好ましくはＤが０．５より大きく、更に好ましくは０．
８より大きくすることで、緻密な皮膜によりリード電極
素地が覆われ、耐食性に富むものとなる。
【００１３】Ｄ＝ｌｏｇ（１／Ｒ） −−−− （但し、Ｒは、４５度方向への反射率であり、Ｒ＝（反
射光量／入射光量）） また、本発明は、リード電極の一方の端部と、該リード
電極に設けられＬＥＤチップが配置された反射部と、を
含む領域がモールド部材により封止された発光ダイオー
ドであって、前記発光ダイオードが、前記リード電極上
において、前記封止された領域である封止領域と、式
（０．０５＜Ｄ＜０．５）で表される光沢度Ｄにある光
沢度調整領域と、実装時に該封止領域から離れた位置で
はんだ付けされるはんだ領域と、を有すると共に、前記
光沢度調整領域が、前記端部を含み、前記はんだ領域よ
り離れて前記端部までの領域に形成されていることを特
徴とする。このことにより、発光ダイオードの発光は、
良好な指向性、高角度領域での良好な視認性を有すると
共に、実装時も従来と同様に扱え、詳しくは半田がモー
ルド部材に被覆された領域を侵し、悪影響を及ぼすこと
なく、良好なはんだ付け性を有するものとなる。その
上、前記リード電極が、前記封止領域の外側にて側方に
延びるタイバーを残すことによりストッパー部を有し、
前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該ストッパー
部より前記端部までの領域であることにより、実装時の
固定及びはんだ付け性をより良好なものとすることがで
きる。これは、実装時に固定・位置決め等に用いられる
ストッパー部を境として、反射部側の表面が良好な発光
を確保する状態にあり、その反対側は実装時のはんだ付
け性を確保する表面状態を呈しているためである。更に
好ましくは、封止領域が光沢度調整領域を含むこと、す
なわち、封止領域の少なくとも反射部を含む領域が上記
光沢度調整領域と同様な光沢度の表面を有することで、
封止領域とそれ以外の領域とで、上記主な目的を異にす
る表面を有する発光ダイオードとなり、はんだ付け性、
モールド部材の封止に有利なものとなる。これは、その
ままでははんだ付け性、モールド部材による封止に難が
ある光沢度調整領域の表面を、モールド部材により覆う
ことで、そのような問題が回避でき好ましい。
射光量／入射光量）） また、本発明は、リード電極の一方の端部と、該リード
電極に設けられＬＥＤチップが配置された反射部と、を
含む領域がモールド部材により封止された発光ダイオー
ドであって、前記発光ダイオードが、前記リード電極上
において、前記封止された領域である封止領域と、式
（０．０５＜Ｄ＜０．５）で表される光沢度Ｄにある光
沢度調整領域と、実装時に該封止領域から離れた位置で
はんだ付けされるはんだ領域と、を有すると共に、前記
光沢度調整領域が、前記端部を含み、前記はんだ領域よ
り離れて前記端部までの領域に形成されていることを特
徴とする。このことにより、発光ダイオードの発光は、
良好な指向性、高角度領域での良好な視認性を有すると
共に、実装時も従来と同様に扱え、詳しくは半田がモー
ルド部材に被覆された領域を侵し、悪影響を及ぼすこと
なく、良好なはんだ付け性を有するものとなる。その
上、前記リード電極が、前記封止領域の外側にて側方に
延びるタイバーを残すことによりストッパー部を有し、
前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該ストッパー
部より前記端部までの領域であることにより、実装時の
固定及びはんだ付け性をより良好なものとすることがで
きる。これは、実装時に固定・位置決め等に用いられる
ストッパー部を境として、反射部側の表面が良好な発光
を確保する状態にあり、その反対側は実装時のはんだ付
け性を確保する表面状態を呈しているためである。更に
好ましくは、封止領域が光沢度調整領域を含むこと、す
なわち、封止領域の少なくとも反射部を含む領域が上記
光沢度調整領域と同様な光沢度の表面を有することで、
封止領域とそれ以外の領域とで、上記主な目的を異にす
る表面を有する発光ダイオードとなり、はんだ付け性、
モールド部材の封止に有利なものとなる。これは、その
ままでははんだ付け性、モールド部材による封止に難が
ある光沢度調整領域の表面を、モールド部材により覆う
ことで、そのような問題が回避でき好ましい。
【００１４】更に、本発明の製造方法においては、リー
ド電極をメッキし、リード電極の一方の端部若しくはそ
の近傍に設けられた反射部に、ＬＥＤチップを載置し、
該ＬＥＤチップ及び反射部をモールド部材により封止す
る発光ダイオードの製造方法において、前記リード電極
のメッキは、連結されたリード電極を第１のメッキ工程
と、その後に、第２のメッキ工程とを具えることにより
メッキするものであって、該第１のメッキ工程が前記リ
ード電極のほぼ全面にメッキすること、該第２のメッキ
工程が前記リード電極の端部から前記反射部を含む部分
的な領域をメッキし、該部分的な領域が式（０．０５
＜Ｄ＜０．５）で表す光沢度Ｄの表面を有することを特
徴とする。この製造方法により、上述した主に発光を担
う領域（第１の領域、光沢度調整領域）と、主に実装時
の取扱いの容易性を担う領域（第２の領域、はんだ領
域、光沢度調整領域以外若しくは封止領域以外の領域）
とを少なくとも有する発光ダイオードを生産性良く、製
造することが可能で、上記良好な発光ダイオードを安価
に大量生産することが可能である。更にまた、前記リー
ド電極のメッキは、連結されたリード電極を第１の搬送
手段から送り出して第２の搬送手段により巻き取られる
までに、少なくとも第１のメッキ工程と、第２のメッキ
工程とを具えることによりメッキするものであって、該
第１のメッキ工程により前記リード電極のほぼ全面にメ
ッキすることで、該ほぼ全面が式で表される光沢度Ｄ
の表面を有し、該第２のメッキ工程により前記リード電
極の一方の端部及び反射部を除く領域をメッキすること
で、第２のメッキ工程によりメッキされなかった前記一
方の端部及び反射部を含む部分的な領域が次式で表され
る光沢度Ｄの表面を有すること、少ない工数で、良好な
生産性を有し、且つ上記各領域を有する発光ダイオード
の製造が可能となる。これらの製造方法は、上記部分的
なメッキをする工程の後に、ほぼ全面にメッキをする工
程を具えるだけでは場合には、その生産性、発光ダイオ
ードの取扱い性に劣るためである。
ド電極をメッキし、リード電極の一方の端部若しくはそ
の近傍に設けられた反射部に、ＬＥＤチップを載置し、
該ＬＥＤチップ及び反射部をモールド部材により封止す
る発光ダイオードの製造方法において、前記リード電極
のメッキは、連結されたリード電極を第１のメッキ工程
と、その後に、第２のメッキ工程とを具えることにより
メッキするものであって、該第１のメッキ工程が前記リ
ード電極のほぼ全面にメッキすること、該第２のメッキ
工程が前記リード電極の端部から前記反射部を含む部分
的な領域をメッキし、該部分的な領域が式（０．０５
＜Ｄ＜０．５）で表す光沢度Ｄの表面を有することを特
徴とする。この製造方法により、上述した主に発光を担
う領域（第１の領域、光沢度調整領域）と、主に実装時
の取扱いの容易性を担う領域（第２の領域、はんだ領
域、光沢度調整領域以外若しくは封止領域以外の領域）
とを少なくとも有する発光ダイオードを生産性良く、製
造することが可能で、上記良好な発光ダイオードを安価
に大量生産することが可能である。更にまた、前記リー
ド電極のメッキは、連結されたリード電極を第１の搬送
手段から送り出して第２の搬送手段により巻き取られる
までに、少なくとも第１のメッキ工程と、第２のメッキ
工程とを具えることによりメッキするものであって、該
第１のメッキ工程により前記リード電極のほぼ全面にメ
ッキすることで、該ほぼ全面が式で表される光沢度Ｄ
の表面を有し、該第２のメッキ工程により前記リード電
極の一方の端部及び反射部を除く領域をメッキすること
で、第２のメッキ工程によりメッキされなかった前記一
方の端部及び反射部を含む部分的な領域が次式で表され
る光沢度Ｄの表面を有すること、少ない工数で、良好な
生産性を有し、且つ上記各領域を有する発光ダイオード
の製造が可能となる。これらの製造方法は、上記部分的
なメッキをする工程の後に、ほぼ全面にメッキをする工
程を具えるだけでは場合には、その生産性、発光ダイオ
ードの取扱い性に劣るためである。
【００１５】以上の本発明の製造方法に加えて、前記連
結されたリード電極は、前記モールド部材により封止さ
れる領域から離れた位置で側方に延びる、少なくとも１
つのタイバーを設けたことにより連結されるものであ
り、前記部分的な領域は、前記一方の端部を含み、その
一方の端部より該タイバーまでの領域にあることによ
り、良好な精度で部分的な領域（光沢度調整領域）の形
成が可能であり、製造歩留りを向上させることが可能で
ある。更に、実施例１３に示すように、更に上記部分的
な領域の形成時の精度・生産性を確保した方法、すなわ
ち、反射部とストッパー部を形成するタイバー部との間
に、メッキ浴液面の位置を制御することが可能な特定の
外形（実施例中ではタイバー５０７´´）を設けても、
同様に良好な製造が可能となる。また、この方法によれ
ば、上記封止領域に光沢度調整領域が含まれる発光ダイ
オードの形成が、生産性良く製造可能である。
結されたリード電極は、前記モールド部材により封止さ
れる領域から離れた位置で側方に延びる、少なくとも１
つのタイバーを設けたことにより連結されるものであ
り、前記部分的な領域は、前記一方の端部を含み、その
一方の端部より該タイバーまでの領域にあることによ
り、良好な精度で部分的な領域（光沢度調整領域）の形
成が可能であり、製造歩留りを向上させることが可能で
ある。更に、実施例１３に示すように、更に上記部分的
な領域の形成時の精度・生産性を確保した方法、すなわ
ち、反射部とストッパー部を形成するタイバー部との間
に、メッキ浴液面の位置を制御することが可能な特定の
外形（実施例中ではタイバー５０７´´）を設けても、
同様に良好な製造が可能となる。また、この方法によれ
ば、上記封止領域に光沢度調整領域が含まれる発光ダイ
オードの形成が、生産性良く製造可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】従来の発光ダイオードで発生して
いた光軸からずれた所での放射強度のむらが、本発明の
発光ダイオードでは、所望の視野角内での光の強度にお
いて、そのむらを無くし、良好な光の広がりを容易に実
現するものである。以下、本発明の発光ダイオードを説
明する。
いた光軸からずれた所での放射強度のむらが、本発明の
発光ダイオードでは、所望の視野角内での光の強度にお
いて、そのむらを無くし、良好な光の広がりを容易に実
現するものである。以下、本発明の発光ダイオードを説
明する。
【００１７】本発明に用いる光沢の度合い（以下、光沢
度と記す）Ｄとは、次式に示されるものであり、測定に
はＧＡＭ社製のＤｅｎｓｉｔｍｅｔｅｒ Ｍｏｄｅｌ
１４４の光度計を用いてその値を検出したものである。
実施例についても同様である。但し、微少領域（面
積）、例えば反射部（カップ）の底部などについては、
日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３０
０Ａを用いて、測定した。
度と記す）Ｄとは、次式に示されるものであり、測定に
はＧＡＭ社製のＤｅｎｓｉｔｍｅｔｅｒ Ｍｏｄｅｌ
１４４の光度計を用いてその値を検出したものである。
実施例についても同様である。但し、微少領域（面
積）、例えば反射部（カップ）の底部などについては、
日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３０
０Ａを用いて、測定した。
【００１８】Ｄ＝ｌｏｇ（１／Ｒ） （但し、Ｒは、４５度方向への反射率であり、Ｒ＝（反
射光量／入射光量）） ここで、その測定器の原理について簡単に説明すると、
図４に示すように、測定物を所定の位置に置き、この測
定物の表面に光源から光を当てて、測定物表面から４５
度方向にある検出器でもって、測定物表面で反射した光
を検出する。この時、表面が光沢を有する場合には、Ｄ
値が大きく、比較的光沢の無い場合には、Ｄ値が小さく
なる。
射光量／入射光量）） ここで、その測定器の原理について簡単に説明すると、
図４に示すように、測定物を所定の位置に置き、この測
定物の表面に光源から光を当てて、測定物表面から４５
度方向にある検出器でもって、測定物表面で反射した光
を検出する。この時、表面が光沢を有する場合には、Ｄ
値が大きく、比較的光沢の無い場合には、Ｄ値が小さく
なる。
【００１９】本発明において、リード電極の光沢度Ｄ
は、０．０５〜０．５の範囲であり、好ましくは、０．
１〜０．３の範囲である。なぜなら、０．０５未満であ
ると例えば後述する反射部の調整にされた指向角外への
光の放射が多くなり、発光ダイオードとして輝度が大幅
に低下し、０．５を超えると、放射強度に偏りが表れ、
複数個配置して観察した場合に、各発光ダイオードごと
の輝度のばらつきが目立ちはじめるからである。更に、
０．１以上、０．３以下の範囲であると、指向半値角の
広い、例えば１２０°以上、場合であっても、良好な光
の広がりが実現され、その指向特性図において滑らかな
曲線となる。
は、０．０５〜０．５の範囲であり、好ましくは、０．
１〜０．３の範囲である。なぜなら、０．０５未満であ
ると例えば後述する反射部の調整にされた指向角外への
光の放射が多くなり、発光ダイオードとして輝度が大幅
に低下し、０．５を超えると、放射強度に偏りが表れ、
複数個配置して観察した場合に、各発光ダイオードごと
の輝度のばらつきが目立ちはじめるからである。更に、
０．１以上、０．３以下の範囲であると、指向半値角の
広い、例えば１２０°以上、場合であっても、良好な光
の広がりが実現され、その指向特性図において滑らかな
曲線となる。
【００２０】また、本発明において、上述したＤ値は、
リード電極の表面全体に対してこのような範囲にある必
要はなく、少なくと一対のリード電極を有するものであ
れば、ＬＥＤチップがダイボンドされる方だけ、更には
ＬＥＤチップからの出射光を反射する部分だけ、若しく
はその周辺部にだけを対象としてもよく、この部分にだ
け上述のＤ値の範囲が適用されていればよい。すなわ
ち、光沢度の調整された領域は、リード電極全体である
必要はなく、部分的なものであっても良い。詳しくは、
図１，５，６に示すようにリードフレーム先端部に設け
られたカップ状の反射部２０４の光沢度が上述の範囲に
あることである。例えば、図６−ｂにおいて、リード電
極２０４の斜線部の領域の光沢度だけが、上記範囲に調
節されたものを含むものである。好ましくは、光を絞り
込むために反射部を形成し、その底部にＬＥＤチップを
ボンディングし、そのＬＥＤチップが載置されたリード
電極若しくはその一部が、上記光沢度の範囲にあればよ
い。なぜなら、ＬＥＤチップを比較的平らな面に載せる
よりも、光学設計が可メッキ状を有する反射部に載置さ
れた発光ダイオードは、調節された視野角、すなわち所
望の角度内において光の広がりを向上させることができ
るためである。
リード電極の表面全体に対してこのような範囲にある必
要はなく、少なくと一対のリード電極を有するものであ
れば、ＬＥＤチップがダイボンドされる方だけ、更には
ＬＥＤチップからの出射光を反射する部分だけ、若しく
はその周辺部にだけを対象としてもよく、この部分にだ
け上述のＤ値の範囲が適用されていればよい。すなわ
ち、光沢度の調整された領域は、リード電極全体である
必要はなく、部分的なものであっても良い。詳しくは、
図１，５，６に示すようにリードフレーム先端部に設け
られたカップ状の反射部２０４の光沢度が上述の範囲に
あることである。例えば、図６−ｂにおいて、リード電
極２０４の斜線部の領域の光沢度だけが、上記範囲に調
節されたものを含むものである。好ましくは、光を絞り
込むために反射部を形成し、その底部にＬＥＤチップを
ボンディングし、そのＬＥＤチップが載置されたリード
電極若しくはその一部が、上記光沢度の範囲にあればよ
い。なぜなら、ＬＥＤチップを比較的平らな面に載せる
よりも、光学設計が可メッキ状を有する反射部に載置さ
れた発光ダイオードは、調節された視野角、すなわち所
望の角度内において光の広がりを向上させることができ
るためである。
【００２１】従来の発光ダイオードでは、このような反
射部若しくはリード電極は、発光素子からの光の利用効
率を高めるべく、鏡面処理され、具体的にはメッキが施
されたものが、用いられていた。そのため従来のそれの
光沢度は、通常１．０以上であった。そして、反射部の
形状、及び反射部からの光を樹脂レンズ部で制御し、発
光ダイオードからの発光を光学設計していた。
射部若しくはリード電極は、発光素子からの光の利用効
率を高めるべく、鏡面処理され、具体的にはメッキが施
されたものが、用いられていた。そのため従来のそれの
光沢度は、通常１．０以上であった。そして、反射部の
形状、及び反射部からの光を樹脂レンズ部で制御し、発
光ダイオードからの発光を光学設計していた。
【００２２】ここで、リード電極のＤ値（光沢度）を上
述の範囲になるようにする方法としては、特に限定され
ないが、表面が滑らかでなく、微少な凹凸を有するもの
などがある。具体的には、リード電極には、通常メッキ
が施されているが、このときメッキ条件を調整して好ま
しい光沢度の表面を得る方法、メッキする前に予め表面
に微細な凹凸を設けておく方法、メッキ後に微細な凹凸
を設ける。この時の凹凸の程度としては、指向性を損な
わずに、絞り込まれた指向角内で適度に光が広がる程度
であればよい。ここで、メッキ条件を調整する方法とし
て、メッキ浴中の添加剤の量を調整して、形成されるメ
ッキの形態を変化させる、例えば緻密で均一なものか
ら、粗くて凹凸を有するものとする等がある。表面に凹
凸を設けた後メッキする、若しくはメッキ後に凹凸を設
ける方法としては、ブラスト加工など一般的に知られて
いる方法でよい。
述の範囲になるようにする方法としては、特に限定され
ないが、表面が滑らかでなく、微少な凹凸を有するもの
などがある。具体的には、リード電極には、通常メッキ
が施されているが、このときメッキ条件を調整して好ま
しい光沢度の表面を得る方法、メッキする前に予め表面
に微細な凹凸を設けておく方法、メッキ後に微細な凹凸
を設ける。この時の凹凸の程度としては、指向性を損な
わずに、絞り込まれた指向角内で適度に光が広がる程度
であればよい。ここで、メッキ条件を調整する方法とし
て、メッキ浴中の添加剤の量を調整して、形成されるメ
ッキの形態を変化させる、例えば緻密で均一なものか
ら、粗くて凹凸を有するものとする等がある。表面に凹
凸を設けた後メッキする、若しくはメッキ後に凹凸を設
ける方法としては、ブラスト加工など一般的に知られて
いる方法でよい。
【００２３】また、上述の範囲に光沢度（Ｄ値）が調整
されたリード電極を有することで、ＬＥＤチップのボン
ディング性が向上し、モールド部材の密着性も向上す
る。詳しくは、リード電極表面の微細な凹凸は、表面
積、接着面積が従来のそれより大きいため、接着性、密
着性が向上するものであり、好ましくは、Ｄ値が０．１
〜０．３の範囲にあることである。なぜなら、０．１未
満であると、表面が粗くなり、ボンディング部材などが
深く浸透しないため結果として接着面積が低下し、０．
３を超えると従来のものと表面積に変化はあるが、密着
性、接着性にほとんど差がなくなるためである。
されたリード電極を有することで、ＬＥＤチップのボン
ディング性が向上し、モールド部材の密着性も向上す
る。詳しくは、リード電極表面の微細な凹凸は、表面
積、接着面積が従来のそれより大きいため、接着性、密
着性が向上するものであり、好ましくは、Ｄ値が０．１
〜０．３の範囲にあることである。なぜなら、０．１未
満であると、表面が粗くなり、ボンディング部材などが
深く浸透しないため結果として接着面積が低下し、０．
３を超えると従来のものと表面積に変化はあるが、密着
性、接着性にほとんど差がなくなるためである。
【００２４】本発明において、ＬＥＤチップが載置さ
れ、ＬＥＤチップからの発光を反射する機能を有する反
射部の形状は、特に限定されず、リード電極の表面にチ
ップを載せただけのものであっても良い。好ましくは、
上述したように、ＬＥＤチップから出射する光を、所望
に集光することができる、すなわち光学設計の可能な形
状からなる反射部を有することである。具体的には、リ
ード電極にＬＥＤチップをその底部に載置できる程度の
大きさでもって、凹部を設けて、光をその底面若しくは
側面で反射させる反射部とすることである。この反射部
の形状は、発光観測面側から観て、図５，６に示すよう
に、円形若しくは楕円形状（トラック状のもの）等があ
り、本発明において好ましく用いることができる。詳し
くは、本発明の発光ダイオードは、このような光学設計
された反射部を用いた場合、その光の指向性の制御を助
けるものとして働いているのである。具体的には、図２
に示すように、ＬＥＤチップからの光、主に側面からの
光を反射する傾斜が設けられたものなどがある。なぜな
ら、本発明において、ＬＥＤチップからの発光を所望の
方向に導くために設計された反射部でもって、図２に示
すようにその設計された光の方向より僅かにずれた光を
発生させるため、所望の指向角内に適度な光の分布が可
能になる。
れ、ＬＥＤチップからの発光を反射する機能を有する反
射部の形状は、特に限定されず、リード電極の表面にチ
ップを載せただけのものであっても良い。好ましくは、
上述したように、ＬＥＤチップから出射する光を、所望
に集光することができる、すなわち光学設計の可能な形
状からなる反射部を有することである。具体的には、リ
ード電極にＬＥＤチップをその底部に載置できる程度の
大きさでもって、凹部を設けて、光をその底面若しくは
側面で反射させる反射部とすることである。この反射部
の形状は、発光観測面側から観て、図５，６に示すよう
に、円形若しくは楕円形状（トラック状のもの）等があ
り、本発明において好ましく用いることができる。詳し
くは、本発明の発光ダイオードは、このような光学設計
された反射部を用いた場合、その光の指向性の制御を助
けるものとして働いているのである。具体的には、図２
に示すように、ＬＥＤチップからの光、主に側面からの
光を反射する傾斜が設けられたものなどがある。なぜな
ら、本発明において、ＬＥＤチップからの発光を所望の
方向に導くために設計された反射部でもって、図２に示
すようにその設計された光の方向より僅かにずれた光を
発生させるため、所望の指向角内に適度な光の分布が可
能になる。
【００２５】従って、本発明において、チップが配置さ
れるリード電極には、発光素子であるＬＥＤチップを配
置すると共に反射板としての機能を持たせることができ
る。反射機能を向上させるためにリード先端をカップ形
状とした反射部を形成することが好ましく、その大きさ
はＬＥＤチップをダイボンド等の機器で積載するのに十
分なものであれば良い。また、カップの形状も、発光観
測面側から観て、トラック状、楕円状、長方形状等様々
な形状が選択でき、図３に示すようにトラック状、若し
くは扁平した（長軸方向に長く伸びた形状）楕円状のカ
ップで、カップの長手方向を樹脂レンズの長軸方向にほ
ぼ一致するように配置すると、水平（樹脂レンズの長
軸）方向に広視野角が確保でき好ましい。
れるリード電極には、発光素子であるＬＥＤチップを配
置すると共に反射板としての機能を持たせることができ
る。反射機能を向上させるためにリード先端をカップ形
状とした反射部を形成することが好ましく、その大きさ
はＬＥＤチップをダイボンド等の機器で積載するのに十
分なものであれば良い。また、カップの形状も、発光観
測面側から観て、トラック状、楕円状、長方形状等様々
な形状が選択でき、図３に示すようにトラック状、若し
くは扁平した（長軸方向に長く伸びた形状）楕円状のカ
ップで、カップの長手方向を樹脂レンズの長軸方向にほ
ぼ一致するように配置すると、水平（樹脂レンズの長
軸）方向に広視野角が確保でき好ましい。
【００２６】本発明において、リード電極に載置するＬ
ＥＤチップの個数は、１個に限定されず、後述するよう
に素子構造若しくは発光色の異なるＬＥＤチップ、又は
同色系若しくは同一のＬＥＤチップを、複数個１つのリ
ード電極に載置してもよく、これらＬＥＤチップが載置
されたリード電極を複数個組み合わせてモールド部材で
封止されていてもよい。
ＥＤチップの個数は、１個に限定されず、後述するよう
に素子構造若しくは発光色の異なるＬＥＤチップ、又は
同色系若しくは同一のＬＥＤチップを、複数個１つのリ
ード電極に載置してもよく、これらＬＥＤチップが載置
されたリード電極を複数個組み合わせてモールド部材で
封止されていてもよい。
【００２７】本発明において、ＬＥＤチップを載置する
反射部の形状は、特に限定されず用途に応じて使い分け
ることができる。ここで、図１，６に観るように、視野
角を広げるために、樹脂レンズの形状が発光観測面側か
ら観て楕円状である場合には、本発明の発光ダイオード
は、光沢度の調整されたリード電極を用いることで、広
い指向性を有し、且つその広い指向角内において良好な
光の広がりが実現される。
反射部の形状は、特に限定されず用途に応じて使い分け
ることができる。ここで、図１，６に観るように、視野
角を広げるために、樹脂レンズの形状が発光観測面側か
ら観て楕円状である場合には、本発明の発光ダイオード
は、光沢度の調整されたリード電極を用いることで、広
い指向性を有し、且つその広い指向角内において良好な
光の広がりが実現される。
【００２８】従来、このような広い指向性を有する発光
ダイオードでは、樹脂レンズ中に拡散剤等を添加して、
光を拡散し、指向角内における放射強度の差を緩和して
いた。しかしこの方法では、図３に観るように、素子か
らの光が拡散剤により拡散されるが、この時光は無指向
に拡散し、更に拡散剤による光の吸収もあるため、結果
として所望の指向角内における輝度は、低下していた。
しかし、本発明では、図２に示すように、素子から出射
した光は、光沢度の調整されたリード電極表面（反射
部）で反射・拡散されるため、所望の指向角内におい
て、適度に放射強度が分散された光を出射する発光ダイ
オードとなる。
ダイオードでは、樹脂レンズ中に拡散剤等を添加して、
光を拡散し、指向角内における放射強度の差を緩和して
いた。しかしこの方法では、図３に観るように、素子か
らの光が拡散剤により拡散されるが、この時光は無指向
に拡散し、更に拡散剤による光の吸収もあるため、結果
として所望の指向角内における輝度は、低下していた。
しかし、本発明では、図２に示すように、素子から出射
した光は、光沢度の調整されたリード電極表面（反射
部）で反射・拡散されるため、所望の指向角内におい
て、適度に放射強度が分散された光を出射する発光ダイ
オードとなる。
【００２９】これは、ＬＥＤチップからの光は、チップ
が載置されたリード電極の面でもって反射されるため、
光が無指向に広がらず、また素子の比較的近傍で光の反
射・拡散がなされるため、光軸から大きくずれた高角度
側への光の放射が最小限に抑えられる。更に、上述のリ
ード電極に設けられた反射部により、素子からの光が反
射される場合には、反射される光の量が増え、この反射
部から反射する光は放射強度のばらつきの少ない光とな
る。なぜなら、この反射部では、所望の方向への光を調
節されている、すなわち光学設計された反射部において
光が適度に拡散されるため、所望の指向角内で良好な光
の広がりが実現される。
が載置されたリード電極の面でもって反射されるため、
光が無指向に広がらず、また素子の比較的近傍で光の反
射・拡散がなされるため、光軸から大きくずれた高角度
側への光の放射が最小限に抑えられる。更に、上述のリ
ード電極に設けられた反射部により、素子からの光が反
射される場合には、反射される光の量が増え、この反射
部から反射する光は放射強度のばらつきの少ない光とな
る。なぜなら、この反射部では、所望の方向への光を調
節されている、すなわち光学設計された反射部において
光が適度に拡散されるため、所望の指向角内で良好な光
の広がりが実現される。
【００３０】ここで、図８では発光観測面側から観て樹
脂レンズの長手方向と、各リード電極を結ぶ方向とが平
行となっているが、図９のように垂直であってもよく、
それ以外の位置関係にあってもかまわない。
脂レンズの長手方向と、各リード電極を結ぶ方向とが平
行となっているが、図９のように垂直であってもよく、
それ以外の位置関係にあってもかまわない。
【００３１】本発明において、発光色若しくは素子構造
の異なる複数のＬＥＤチップからなる発光ダイオードと
は、図８に示すように、具体的には一つのリード電極に
設けられた反射部内に各々のＬＥＤチップを載置して、
各ＬＥＤチップに対応するもう一方のリード電極にワイ
ヤーボンディングされて、形成される発光ダイオードな
どである。ここで、素子構造の異なるＬＥＤチップと
は、後述するように素子自身の指向特性が異なるものを
指す。例えば、ＲＧＢ三色（図９）、黄色と青緑色（図
８）のＬＥＤチップをカップ状の反射部に載置し、それ
ぞれのチップに対応するリード電極に接続されているも
の等がある。しかし、これらの発光ダイオードは、少な
くとも異なるＬＥＤチップを有しているため、そのまま
では混色性の劣るものとなる。ここで、異なるＬＥＤチ
ップとは、チップの大きさ、構造、組成等があり、結果
として各チップからチップ自身の指向性、すなわち各チ
ップから出射する光の広がり方も異なるため、従来、図
８に観るように単純に各素子を配列しただけでは、各発
光色ごとに異なる指向特性となり、その結果得られる発
光ダイオードは混色性が悪くなる。
の異なる複数のＬＥＤチップからなる発光ダイオードと
は、図８に示すように、具体的には一つのリード電極に
設けられた反射部内に各々のＬＥＤチップを載置して、
各ＬＥＤチップに対応するもう一方のリード電極にワイ
ヤーボンディングされて、形成される発光ダイオードな
どである。ここで、素子構造の異なるＬＥＤチップと
は、後述するように素子自身の指向特性が異なるものを
指す。例えば、ＲＧＢ三色（図９）、黄色と青緑色（図
８）のＬＥＤチップをカップ状の反射部に載置し、それ
ぞれのチップに対応するリード電極に接続されているも
の等がある。しかし、これらの発光ダイオードは、少な
くとも異なるＬＥＤチップを有しているため、そのまま
では混色性の劣るものとなる。ここで、異なるＬＥＤチ
ップとは、チップの大きさ、構造、組成等があり、結果
として各チップからチップ自身の指向性、すなわち各チ
ップから出射する光の広がり方も異なるため、従来、図
８に観るように単純に各素子を配列しただけでは、各発
光色ごとに異なる指向特性となり、その結果得られる発
光ダイオードは混色性が悪くなる。
【００３２】本発明ではこのような異なるＬＥＤチップ
を、同一の反射部に複数個載置した場合に、輝度のばら
つきが改善され、混色性が良好になる。これは、各ＬＥ
Ｄチップから出射した光は、図２で観るように光沢の度
合いが調節された本発明のリード電極若しくは反射部で
反射されるため、ＬＥＤチップの違いを吸収・緩和して
良好な指向特性を有する発光ダイオードとなる。すなわ
ち、Ｄ値の調節されたリード電極で光が反射されるた
め、各チップからの反射光はチップ間の違いが大幅に抑
えられたものとなり、その結果、本発明の発光ダイオー
ドは容易に良好な混色性を得ることができる。
を、同一の反射部に複数個載置した場合に、輝度のばら
つきが改善され、混色性が良好になる。これは、各ＬＥ
Ｄチップから出射した光は、図２で観るように光沢の度
合いが調節された本発明のリード電極若しくは反射部で
反射されるため、ＬＥＤチップの違いを吸収・緩和して
良好な指向特性を有する発光ダイオードとなる。すなわ
ち、Ｄ値の調節されたリード電極で光が反射されるた
め、各チップからの反射光はチップ間の違いが大幅に抑
えられたものとなり、その結果、本発明の発光ダイオー
ドは容易に良好な混色性を得ることができる。
【００３３】本発明において、モールド部材は、透光性
を有するものであれば特に限定されず、合成樹脂などが
用いられる。ここで、透光性とは、無色透明なものだけ
でなく、発光色の調整、コントラスト比の向上等のため
に、着色したものであっても良い。
を有するものであれば特に限定されず、合成樹脂などが
用いられる。ここで、透光性とは、無色透明なものだけ
でなく、発光色の調整、コントラスト比の向上等のため
に、着色したものであっても良い。
【００３４】本発明における表示装置とは、発光ダイオ
ードを複数配列したものには、様々なものがあり、同一
若しくは同色系の発光ダイオード、上述した異なるＬＥ
Ｄチップからなる発光ダイオード、発光色の異なる発光
ダイオード等、若しくは、これらを組み合わせて複数個
配列したものなどがある。例えば、発光色の異なる発光
ダイオードを配列したものとして、赤、緑、青の三色の
発光ダイオードを１画素としてそれを所望の数だけ配置
したマルチカラーのドットマトリックスディスプレイな
どがある。従来、このような複数個の発光ダイオードを
配列した表示装置は、特に正面からはずれて斜めに観察
したときに、輝度のばらつきの問題があった。なぜな
ら、表示装置は、例えば実装時のズレなど様々な要因か
ら、発光ダイオード同士で僅かながらも光軸のずれた状
態で、表示装置が形成されるため、結果としてそれを構
成する各発光ダイオードの指向性に敏感なものとなるか
らである。詳しくは、発光ダイオードの調整された指向
角内で、光の強度の比較的急激な変化、例えば図１１
（Ｘ）における２０°付近、を有していれば、上述した
ように光軸がずれて実装されているために、この強度の
変化は、ある発光ダイオードは強度が大きく、ある発光
ダイオードは強度が小さく、結局、表示装置全体で捉え
たとき、発光強度の異なる発光ダイオードで構成されて
いるようにみえるためである。
ードを複数配列したものには、様々なものがあり、同一
若しくは同色系の発光ダイオード、上述した異なるＬＥ
Ｄチップからなる発光ダイオード、発光色の異なる発光
ダイオード等、若しくは、これらを組み合わせて複数個
配列したものなどがある。例えば、発光色の異なる発光
ダイオードを配列したものとして、赤、緑、青の三色の
発光ダイオードを１画素としてそれを所望の数だけ配置
したマルチカラーのドットマトリックスディスプレイな
どがある。従来、このような複数個の発光ダイオードを
配列した表示装置は、特に正面からはずれて斜めに観察
したときに、輝度のばらつきの問題があった。なぜな
ら、表示装置は、例えば実装時のズレなど様々な要因か
ら、発光ダイオード同士で僅かながらも光軸のずれた状
態で、表示装置が形成されるため、結果としてそれを構
成する各発光ダイオードの指向性に敏感なものとなるか
らである。詳しくは、発光ダイオードの調整された指向
角内で、光の強度の比較的急激な変化、例えば図１１
（Ｘ）における２０°付近、を有していれば、上述した
ように光軸がずれて実装されているために、この強度の
変化は、ある発光ダイオードは強度が大きく、ある発光
ダイオードは強度が小さく、結局、表示装置全体で捉え
たとき、発光強度の異なる発光ダイオードで構成されて
いるようにみえるためである。
【００３５】しかし、本発明の発光ダイオードは、上述
したように所望の視野角内、すなわち調節された光の広
がりにおいて、光度がなだらかに変化するため、この発
光ダイオードからなる表示装置は、上述のこのような光
軸のズレに対しても、従来のように輝度のばらつきが目
立たないものとなる。
したように所望の視野角内、すなわち調節された光の広
がりにおいて、光度がなだらかに変化するため、この発
光ダイオードからなる表示装置は、上述のこのような光
軸のズレに対しても、従来のように輝度のばらつきが目
立たないものとなる。
【００３６】ここで、表示装置が、発光ダイオードを面
状に並べた場合、各発光ダイオードについて光度ではな
く、輝度を考慮する必要がある。すなわち、輝度とは、
光源の微小面積ｄＳ、光源の法線方向からの角度θ、そ
の方向における光度をＩrとしたとき、任意方向の輝度
Ｌrは次式で表される。
状に並べた場合、各発光ダイオードについて光度ではな
く、輝度を考慮する必要がある。すなわち、輝度とは、
光源の微小面積ｄＳ、光源の法線方向からの角度θ、そ
の方向における光度をＩrとしたとき、任意方向の輝度
Ｌrは次式で表される。
【００３７】Ｌr＝Ｉr／ｄＳｃｏｓθ （ｃｄ／ｍ2） そのため、光源の法線方向での光度をＩ0としたとき、
発光ダイオードの光軸からの任意方向における光度が次
式（Ａ）で表される値であると、任意の方向における輝
度が一定となる。
発光ダイオードの光軸からの任意方向における光度が次
式（Ａ）で表される値であると、任意の方向における輝
度が一定となる。
【００３８】Ｉr＝Ｉ0ｃｏｓθ・・・・・（Ａ） これは指向特性図、例えば図１２においてハッチングを
施した領域（Ａ）として示すように、任意の指向角内で
この曲線に一致するように、設計することが面状の表示
装置に用いる発光ダイオードで重要となる。
施した領域（Ａ）として示すように、任意の指向角内で
この曲線に一致するように、設計することが面状の表示
装置に用いる発光ダイオードで重要となる。
【００３９】本発明の発光ダイオードは、上述したよう
に所望の視野角で、適度に光を分散することが可能であ
り、図１２の点線に観るように、光軸からずれた方向で
の輝度の落ち込みが改善され、これを用いた面状の表示
装置は、斜めの方向から観ても表示された図形などが良
好に観察される。また、マルチカラーの表示装置のよう
に、１画素に異なる発光ダイオードを用いた場合でも、
所望の視野角で、上記の（Ａ）と輝度がほぼ一致してい
るため、その表示装置は、その視野角において輝度のば
らつきのないものとなる。
に所望の視野角で、適度に光を分散することが可能であ
り、図１２の点線に観るように、光軸からずれた方向で
の輝度の落ち込みが改善され、これを用いた面状の表示
装置は、斜めの方向から観ても表示された図形などが良
好に観察される。また、マルチカラーの表示装置のよう
に、１画素に異なる発光ダイオードを用いた場合でも、
所望の視野角で、上記の（Ａ）と輝度がほぼ一致してい
るため、その表示装置は、その視野角において輝度のば
らつきのないものとなる。
【００４０】従って、表示装置を構成する発光ダイオー
ドが、複数の種類から成る場合には、上述したように各
発光ダイオードは種類の違いが吸収・緩和されているた
め、このような作用は顕著であり、従来では輝度のばら
つきを悪化させることになる複数種の発光ダイオードか
らなる表示装置において、本発明のそれは良好な視野
角、視認性、混色性を有するものとなる。また、このよ
うな効果は、上述した異なるＬＥＤチップを一つのリー
ド電極に載置してなる発光ダイオードでも、同様になる
ことはいうまでもない。
ドが、複数の種類から成る場合には、上述したように各
発光ダイオードは種類の違いが吸収・緩和されているた
め、このような作用は顕著であり、従来では輝度のばら
つきを悪化させることになる複数種の発光ダイオードか
らなる表示装置において、本発明のそれは良好な視野
角、視認性、混色性を有するものとなる。また、このよ
うな効果は、上述した異なるＬＥＤチップを一つのリー
ド電極に載置してなる発光ダイオードでも、同様になる
ことはいうまでもない。
【００４１】
【実施例】［実施例１］本発明の一実施例に係る発光ダ
イオードを図５に示し、その構成を以下に示す。この発
光ダイオードは、一対のリード電極２０４，２０５を有
し、一方のリード電極２０４にＬＥＤチップを載置する
ための反射部２０８が設けられている。この反射部２０
８は図で観るように、発光観測面側から観て円形状で
（図５−ａ）、凹部にＬＥＤチップをダイボンディング
されており（図５−ｂ）、さらにこのＬＥＤチップは他
方のリード電極２０５に金線などでワイヤーボンディン
グされている。これらがモールド部材でもって封止さ
れ、図に示すような発光観測面側から観て円形状で、砲
弾型樹脂レンズとなっている。
イオードを図５に示し、その構成を以下に示す。この発
光ダイオードは、一対のリード電極２０４，２０５を有
し、一方のリード電極２０４にＬＥＤチップを載置する
ための反射部２０８が設けられている。この反射部２０
８は図で観るように、発光観測面側から観て円形状で
（図５−ａ）、凹部にＬＥＤチップをダイボンディング
されており（図５−ｂ）、さらにこのＬＥＤチップは他
方のリード電極２０５に金線などでワイヤーボンディン
グされている。これらがモールド部材でもって封止さ
れ、図に示すような発光観測面側から観て円形状で、砲
弾型樹脂レンズとなっている。
【００４２】このリード電極２０４，２０５は、光沢の
度合いをＧＡＭ社製のＤｅｎｓｉｔｍｅｔｅｒ Ｍｏｄ
ｅｌ １４４を用いて測定したところ、Ｄ＝０．１５で
あり、この発光ダイオードのＸ方向における指向特性は
図１０の実線部で示すようになった。斜線部で示す比較
例１のそれと比べて、光軸から２０°内でなだらかな曲
線を呈しており、所望の視野角内に光が適度に分布して
いる発光ダイオードであった。すなわち、光軸からずれ
たところでも、光度の低下が少ない発光ダイオードであ
り、実装時の光軸のずれにも問題なく用いることがで
き、このため発光ダイオードを複数並べて用いるような
場合に有利に作用する。
度合いをＧＡＭ社製のＤｅｎｓｉｔｍｅｔｅｒ Ｍｏｄ
ｅｌ １４４を用いて測定したところ、Ｄ＝０．１５で
あり、この発光ダイオードのＸ方向における指向特性は
図１０の実線部で示すようになった。斜線部で示す比較
例１のそれと比べて、光軸から２０°内でなだらかな曲
線を呈しており、所望の視野角内に光が適度に分布して
いる発光ダイオードであった。すなわち、光軸からずれ
たところでも、光度の低下が少ない発光ダイオードであ
り、実装時の光軸のずれにも問題なく用いることがで
き、このため発光ダイオードを複数並べて用いるような
場合に有利に作用する。
【００４３】また、リード電極の光沢の度合いを、日本
電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３００Ａ
（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部の内面、詳し
くはカップの底面（その一部）を測定したところ、同様
にＤ＝０．１５であった。
電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３００Ａ
（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部の内面、詳し
くはカップの底面（その一部）を測定したところ、同様
にＤ＝０．１５であった。
【００４４】［実施例２］ＬＥＤチップが載置されたリ
ード電極２０４は、その先端部に設けられた反射部２０
８の形状が図１で観るように、発光観測面側から観て円
形状で、樹脂レンズも楕円形状であることを除いて、実
施例１と同様にして図１で示す発光ダイオードを作製し
た。この時、リード電極の光沢度Ｄは、０．２であっ
た。 また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の度
合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳ
Ｒ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部
の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定した
ところ、同様にＤ＝０．２であった。このような楕円状
の樹脂レンズは、発光観測面側から観て樹脂レンズの長
手方向（図１のＸ方向）に視野角が広く、且つ発光の広
がりも良好な発光ダイオードとすることができる。な
お、ＬＥＤチップは、窒化ガリウム系化合物半導体から
なるものであった。１得られた発光ダイオードは、比較
例２のそれに比べて、その指向特性図は、２０〜３０°
付近の凹凸部が無くなり、なだらかな曲線を呈してお
り、指向角の比較的広い発光ダイオードにおいても、容
易に良好な光の広がりが実現できることがわかる。
ード電極２０４は、その先端部に設けられた反射部２０
８の形状が図１で観るように、発光観測面側から観て円
形状で、樹脂レンズも楕円形状であることを除いて、実
施例１と同様にして図１で示す発光ダイオードを作製し
た。この時、リード電極の光沢度Ｄは、０．２であっ
た。 また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の度
合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳ
Ｒ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部
の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定した
ところ、同様にＤ＝０．２であった。このような楕円状
の樹脂レンズは、発光観測面側から観て樹脂レンズの長
手方向（図１のＸ方向）に視野角が広く、且つ発光の広
がりも良好な発光ダイオードとすることができる。な
お、ＬＥＤチップは、窒化ガリウム系化合物半導体から
なるものであった。１得られた発光ダイオードは、比較
例２のそれに比べて、その指向特性図は、２０〜３０°
付近の凹凸部が無くなり、なだらかな曲線を呈してお
り、指向角の比較的広い発光ダイオードにおいても、容
易に良好な光の広がりが実現できることがわかる。
【００４５】また、ＬＥＤチップは、図１−ａ，ｂに示
すように、半導体層の表面４０２と、その一部を除去し
て露出した面４０１とに電極を設ける構造となってお
り、詳しくは後述するように、素子側面からの発光が比
較的強いため、比較例２の発光ダイオードに観られるよ
うに、光軸からずれたところに凸部がある指向特性図に
なる。しかし、本実施例の発光ダイオードは、このよう
な光軸からはずれた所に形成される比較的光の強いとこ
ろを無くし、その分を光軸からずれた位置における光の
強度を強くし、その結果広い視野角でもって、光度の変
化の少ない指向性を有するものとなっている。また、図
１１においてハッチング領域（Ａ）で示すように、上述
した輝度一定の領域に３５°（視野角７０°）で良好に
一致しており、この発光ダイオードを用いた表示装置
は、この視野角において輝度が一定となると思われ、比
較例２のように輝度の変化のないものとなる。
すように、半導体層の表面４０２と、その一部を除去し
て露出した面４０１とに電極を設ける構造となってお
り、詳しくは後述するように、素子側面からの発光が比
較的強いため、比較例２の発光ダイオードに観られるよ
うに、光軸からずれたところに凸部がある指向特性図に
なる。しかし、本実施例の発光ダイオードは、このよう
な光軸からはずれた所に形成される比較的光の強いとこ
ろを無くし、その分を光軸からずれた位置における光の
強度を強くし、その結果広い視野角でもって、光度の変
化の少ない指向性を有するものとなっている。また、図
１１においてハッチング領域（Ａ）で示すように、上述
した輝度一定の領域に３５°（視野角７０°）で良好に
一致しており、この発光ダイオードを用いた表示装置
は、この視野角において輝度が一定となると思われ、比
較例２のように輝度の変化のないものとなる。
【００４６】［実施例３］本発明の一実施例として、図
６に示すように、リード電極２０４の先端部には、トラ
ック状の反射部２０８が設けられており、その底部に窒
化ガリウム系化合物半導体からなる青色のＬＥＤチップ
２０１をダイボンディングし、ワイヤーボンディング２
０７，２０８して、モールド部材２０６により封止され
た発光ダイオードである。この時、リード電極の光沢度
Ｄは、０．１であり、モールド部材２０６は図に観るよ
うに、発光観測面側から観て楕円状であり（図７−
ａ）、その先端部は樹脂レンズ状に形成されている（図
７−ｂ）。ここで、実施例１と同様に、リード電極の光
沢の度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差
計ＶＳＲ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、
反射部の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測
定したところ、同様にＤ＝０．１であった。また、ＬＥ
Ｄチップは、その電極が、窒化ガリウム系化合物半導体
を積層した表面４０２と、その半導体層の一部をエッチ
ングなどにより除去して露出した面４０１とに、形成さ
れている。このＬＥＤチップは、図２−ｂに示すよう
に、素子の側面から出射する光が強いため、従来の発光
ダイオードである比較例３では、図１２の特性図に示す
ように、光軸から４０〜６０°の所に観られる凹凸がで
き、特有の指向性を有するものである。これは、積層し
た半導体層の一部を露出して、同一面側に一対の電極を
形成する素子構造の場合、面方向の電流の流れが多いな
どの要因から、図２−ａのような半導体層を挟んで対向
する位置に電極がある素子に比べて、側面からの光が強
くなるためである。
６に示すように、リード電極２０４の先端部には、トラ
ック状の反射部２０８が設けられており、その底部に窒
化ガリウム系化合物半導体からなる青色のＬＥＤチップ
２０１をダイボンディングし、ワイヤーボンディング２
０７，２０８して、モールド部材２０６により封止され
た発光ダイオードである。この時、リード電極の光沢度
Ｄは、０．１であり、モールド部材２０６は図に観るよ
うに、発光観測面側から観て楕円状であり（図７−
ａ）、その先端部は樹脂レンズ状に形成されている（図
７−ｂ）。ここで、実施例１と同様に、リード電極の光
沢の度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差
計ＶＳＲ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、
反射部の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測
定したところ、同様にＤ＝０．１であった。また、ＬＥ
Ｄチップは、その電極が、窒化ガリウム系化合物半導体
を積層した表面４０２と、その半導体層の一部をエッチ
ングなどにより除去して露出した面４０１とに、形成さ
れている。このＬＥＤチップは、図２−ｂに示すよう
に、素子の側面から出射する光が強いため、従来の発光
ダイオードである比較例３では、図１２の特性図に示す
ように、光軸から４０〜６０°の所に観られる凹凸がで
き、特有の指向性を有するものである。これは、積層し
た半導体層の一部を露出して、同一面側に一対の電極を
形成する素子構造の場合、面方向の電流の流れが多いな
どの要因から、図２−ａのような半導体層を挟んで対向
する位置に電極がある素子に比べて、側面からの光が強
くなるためである。
【００４７】しかし、本実施例の発光ダイオードは、図
１２に示すように、光軸からずれたところでも、なだら
かな指向特性を有しており、良好な光の広がりを実現で
きる。また、モールド部材の形状が本実施例のように楕
円状の樹脂レンズでは（図６）、その長軸方向（図６の
Ｘ方向）で、視野角の広い光となるが、得られた発光ダ
イオードは、その広い視野角内において良好な光の広が
りが実現されている。上述した指向特性図における凹凸
の形成は、視野角を広くするほど顕著であり、すなわち
光の広がりが悪化するが、本実施例で得られた発光ダイ
オードは、その問題を解決できている。このことは、上
述した輝度一定の領域（Ａ）でも明らかなように、実施
例の発光ダイオードは、図１２に示すように、輝度一定
の曲線（Ａ）と良好な一致を示しており、視野角１２０
°で輝度一定の発光ダイオードが得られた。
１２に示すように、光軸からずれたところでも、なだら
かな指向特性を有しており、良好な光の広がりを実現で
きる。また、モールド部材の形状が本実施例のように楕
円状の樹脂レンズでは（図６）、その長軸方向（図６の
Ｘ方向）で、視野角の広い光となるが、得られた発光ダ
イオードは、その広い視野角内において良好な光の広が
りが実現されている。上述した指向特性図における凹凸
の形成は、視野角を広くするほど顕著であり、すなわち
光の広がりが悪化するが、本実施例で得られた発光ダイ
オードは、その問題を解決できている。このことは、上
述した輝度一定の領域（Ａ）でも明らかなように、実施
例の発光ダイオードは、図１２に示すように、輝度一定
の曲線（Ａ）と良好な一致を示しており、視野角１２０
°で輝度一定の発光ダイオードが得られた。
【００４８】また、本実施例のように視野角の広い（本
実施例では１２０°に設計されている）場合には、光沢
度Ｄは、０．１プラスマイナス０．０５の範囲に調整す
ることで、上述したような特性、指向特性図において滑
らかな曲線を有すること、広視野角で輝度一定となるこ
と、が可能となるため好ましい。
実施例では１２０°に設計されている）場合には、光沢
度Ｄは、０．１プラスマイナス０．０５の範囲に調整す
ることで、上述したような特性、指向特性図において滑
らかな曲線を有すること、広視野角で輝度一定となるこ
と、が可能となるため好ましい。
【００４９】このような広い視野角を有する発光ダイオ
ードを複数個配列してなる表示装置において、従来は個
々の発光ダイオードの輝度のばらつきが目立つものとな
るが、どの位置からでもそのような問題が無く、従って
このような樹脂レンズ若しくは反射部の形状を用いた場
合でも、広い指向角内で良好な光の広がり、すなわち広
指向角（１２０°）で輝度が一定の表示装置を容易に実
現している。
ードを複数個配列してなる表示装置において、従来は個
々の発光ダイオードの輝度のばらつきが目立つものとな
るが、どの位置からでもそのような問題が無く、従って
このような樹脂レンズ若しくは反射部の形状を用いた場
合でも、広い指向角内で良好な光の広がり、すなわち広
指向角（１２０°）で輝度が一定の表示装置を容易に実
現している。
【００５０】［実施例４］次に、本発明において異なる
発光素子からなる発光ダイオードの一実施例として、図
８に示すような発光ダイオードを作製する。発光素子と
して黄色２０１、実施例３と同様な素子若しくは電極の
構造を有する青緑色２０２のＬＥＤチップを用い、これ
らを図に示すように、リード電極２０４の先端部に形成
された楕円状の凹部（反射部２０８）にダイボンディン
グした。各素子の電極をワイヤーボンディングしてリー
ド電極２０５，２０５´に接続し、モールド部材で楕円
形状となる樹脂レンズ状に封止しした。この時、リード
電極の光沢度Ｄは、０．３であった。この発光ダイオー
ドについて、リード電極２０４に設けられた反射部２０
８の長手方向（Ｘ方向）における指向特性を、図１３に
示す。
発光素子からなる発光ダイオードの一実施例として、図
８に示すような発光ダイオードを作製する。発光素子と
して黄色２０１、実施例３と同様な素子若しくは電極の
構造を有する青緑色２０２のＬＥＤチップを用い、これ
らを図に示すように、リード電極２０４の先端部に形成
された楕円状の凹部（反射部２０８）にダイボンディン
グした。各素子の電極をワイヤーボンディングしてリー
ド電極２０５，２０５´に接続し、モールド部材で楕円
形状となる樹脂レンズ状に封止しした。この時、リード
電極の光沢度Ｄは、０．３であった。この発光ダイオー
ドについて、リード電極２０４に設けられた反射部２０
８の長手方向（Ｘ方向）における指向特性を、図１３に
示す。
【００５１】得られた発光ダイオードにおいて、各素子
をそれぞれ個別に発光させたときの指向特性は、図１３
に示すように、良好な一致を示しており、異なる素子を
同一のリード電極に載置しても、発光ダイオードは良好
な混色性を有していた。従来は、このように単に各素子
を載置しただけでは、各素子ごとの指向性の違いが顕著
にあらわれ、特にこの実施例に観るような、Ｘ方向に広
い視野角を有する場合には、その違いは大きくなり、広
い視野角内においてその混色性は大きく異なるものであ
る。本実施例では、単に各素子を反射部に載置しただけ
で、容易に広い視野角のほぼ全域で、良好な指向性の一
致が実現でき、素子の違いを意識せずに発光ダイオード
の設計を可能にしている。
をそれぞれ個別に発光させたときの指向特性は、図１３
に示すように、良好な一致を示しており、異なる素子を
同一のリード電極に載置しても、発光ダイオードは良好
な混色性を有していた。従来は、このように単に各素子
を載置しただけでは、各素子ごとの指向性の違いが顕著
にあらわれ、特にこの実施例に観るような、Ｘ方向に広
い視野角を有する場合には、その違いは大きくなり、広
い視野角内においてその混色性は大きく異なるものであ
る。本実施例では、単に各素子を反射部に載置しただけ
で、容易に広い視野角のほぼ全域で、良好な指向性の一
致が実現でき、素子の違いを意識せずに発光ダイオード
の設計を可能にしている。
【００５２】［実施例５］別の実施例として、図９に示
すように、ＬＥＤチップとして赤２０１、緑２０２、青
色２０３の３つを、リード電極２０４の先端部に設けら
れたトラック状の反射部２０８における凹部の底にダイ
ボンディングし、各リード電極２０５，２０５´，２０
５´´と接続し、発光観測面側から観て楕円状となるよ
うに、モールド部材２０６で樹脂レンズ状に封止した。
この時、リード電極の光沢度Ｄは、０．１であった。な
お、緑色２０２及び青色２０３の発光素子は、実施例
３，４の素子と同様に、同一面側に正負一対の電極を有
するもので、一方の電極は、露出した下層の表面に形成
されている窒化ガリウム系化合物半導体素子である。
すように、ＬＥＤチップとして赤２０１、緑２０２、青
色２０３の３つを、リード電極２０４の先端部に設けら
れたトラック状の反射部２０８における凹部の底にダイ
ボンディングし、各リード電極２０５，２０５´，２０
５´´と接続し、発光観測面側から観て楕円状となるよ
うに、モールド部材２０６で樹脂レンズ状に封止した。
この時、リード電極の光沢度Ｄは、０．１であった。な
お、緑色２０２及び青色２０３の発光素子は、実施例
３，４の素子と同様に、同一面側に正負一対の電極を有
するもので、一方の電極は、露出した下層の表面に形成
されている窒化ガリウム系化合物半導体素子である。
【００５３】得られた発光ダイオードについて、図９の
Ｘ方向について各素子を単独で発光させてその指向特性
を測定した結果、図１４に示すように、良好な混色性を
有していた。このことは、素子の異なるものを同一の反
射部に載置しても、指向性の良好な一致が実現できるこ
とを示すものである。すなわちこれは、指向性の異なる
複数個のＬＥＤチップを同一のリード電極に載置して
も、本発明の発光ダイオードは、そのチップ間の違いを
緩和し、ただそれらのチップを並べるだけで容易に指向
性の一致を実現できることを示唆するものである。
Ｘ方向について各素子を単独で発光させてその指向特性
を測定した結果、図１４に示すように、良好な混色性を
有していた。このことは、素子の異なるものを同一の反
射部に載置しても、指向性の良好な一致が実現できるこ
とを示すものである。すなわちこれは、指向性の異なる
複数個のＬＥＤチップを同一のリード電極に載置して
も、本発明の発光ダイオードは、そのチップ間の違いを
緩和し、ただそれらのチップを並べるだけで容易に指向
性の一致を実現できることを示唆するものである。
【００５４】また、図１４のハッチング領域（Ａ）に示
すように、視野角８０°でその領域と好ましく一致して
おり、輝度一定となり、更にその外側でも（Ａ）からそ
れほどはずれておらず、良好な複数のＬＥＤチップから
なる発光ダイオードが得られた。
すように、視野角８０°でその領域と好ましく一致して
おり、輝度一定となり、更にその外側でも（Ａ）からそ
れほどはずれておらず、良好な複数のＬＥＤチップから
なる発光ダイオードが得られた。
【００５５】従来の発光ダイオードでは、このような指
向性の一致は観られず、特に構造の大きく異なる赤色
と、緑若しくは青色とでは、その指向性にも大きな違い
があり、従来その違いを解消するため、特別な形状の反
射部を用いたり、各チップの配置の工夫等を行っていた
が、この実施例で得られたような、指向性の一致にはほ
ど遠く、混色性の良好なものとはならなかった。
向性の一致は観られず、特に構造の大きく異なる赤色
と、緑若しくは青色とでは、その指向性にも大きな違い
があり、従来その違いを解消するため、特別な形状の反
射部を用いたり、各チップの配置の工夫等を行っていた
が、この実施例で得られたような、指向性の一致にはほ
ど遠く、混色性の良好なものとはならなかった。
【００５６】［実施例６］更に、別の実施例として、図
６に示す表面実装タイプの発光ダイオードを作製した。
この時、ＬＥＤチップは、図に観るように、リード電極
先端部に設けられた凹部（反射部）にダイボンディング
したものであり、リード電極の光沢度は、Ｄ＝０．０５
である。また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の
度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計Ｖ
ＳＲ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射
部の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定し
たところ、同様にＤ＝０．０５であった。得られた発光
ダイオードは、良好な発光及び指向性を有しており、実
装タイプの発光ダイオードでも容易に発光特性の向上を
可能にした。
６に示す表面実装タイプの発光ダイオードを作製した。
この時、ＬＥＤチップは、図に観るように、リード電極
先端部に設けられた凹部（反射部）にダイボンディング
したものであり、リード電極の光沢度は、Ｄ＝０．０５
である。また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の
度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計Ｖ
ＳＲ ３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射
部の内面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定し
たところ、同様にＤ＝０．０５であった。得られた発光
ダイオードは、良好な発光及び指向性を有しており、実
装タイプの発光ダイオードでも容易に発光特性の向上を
可能にした。
【００５７】［実施例７］実施例３において、ＬＥＤチ
ップが載置されたリード電極２０４の表面の一部（図７
の斜線部）が、光沢度Ｄ＝０．１で、その他の部分（斜
線部以外の領域）及びリード電極２０５の表面はＤ＝
１．０となるようにした。得られた発光ダイオードの指
向特性は、実施例５とほぼ同等に良好なものであった。
また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の度合い
を、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ
３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部の内
面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定したとこ
ろ、同様にＤ＝０．１であった。
ップが載置されたリード電極２０４の表面の一部（図７
の斜線部）が、光沢度Ｄ＝０．１で、その他の部分（斜
線部以外の領域）及びリード電極２０５の表面はＤ＝
１．０となるようにした。得られた発光ダイオードの指
向特性は、実施例５とほぼ同等に良好なものであった。
また、実施例１と同様に、リード電極の光沢の度合い
を、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計ＶＳＲ
３００Ａ（スポット径５０μｍ）を用いて、反射部の内
面、詳しくはカップの底面（その一部）を測定したとこ
ろ、同様にＤ＝０．１であった。
【００５８】［実施例８］実施例３において、青色ＬＥ
Ｄチップに代わり、赤色のＬＥＤチップと、窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる緑色のＬＥＤチップを用いた
発光ダイオードを用意した。この時のリード電極の光沢
度Ｄは、０．１である。各発光ダイオードの指向特性
は、ほぼ同等なものであり、指向半値角が広く、且つ水
平方向に広い視認性を有するものであった。これらの
赤、緑、青色すなわちＲＧＢ三色を１画素とし、表示装
置として１６×１６のドットマトリクスディスプレイを
作製した。得られた表示装置は、広い視野角において十
分な輝度を有しており、各色の指向特性がほぼ一致して
いるため、その広い視野角において良好な混色性を有す
るものであった。また、これらＬＥＤチップが異なる場
合には、各ＬＥＤチップごとに光沢度を最適化して、チ
ップごとにことなるリード電極を用いてもよい。
Ｄチップに代わり、赤色のＬＥＤチップと、窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる緑色のＬＥＤチップを用いた
発光ダイオードを用意した。この時のリード電極の光沢
度Ｄは、０．１である。各発光ダイオードの指向特性
は、ほぼ同等なものであり、指向半値角が広く、且つ水
平方向に広い視認性を有するものであった。これらの
赤、緑、青色すなわちＲＧＢ三色を１画素とし、表示装
置として１６×１６のドットマトリクスディスプレイを
作製した。得られた表示装置は、広い視野角において十
分な輝度を有しており、各色の指向特性がほぼ一致して
いるため、その広い視野角において良好な混色性を有す
るものであった。また、これらＬＥＤチップが異なる場
合には、各ＬＥＤチップごとに光沢度を最適化して、チ
ップごとにことなるリード電極を用いてもよい。
【００５９】［実施例９］次に、上述した部分的に光沢
度の調節された表面（以下、光沢度調整領域と記す）を
有するリード電極の形成方法ついて、その１実施形態に
ついて、以下説明する。
度の調節された表面（以下、光沢度調整領域と記す）を
有するリード電極の形成方法ついて、その１実施形態に
ついて、以下説明する。
【００６０】本実施例では、上記部分的な光沢度領域の
形成に、メッキによるリード電極の皮膜上記光沢度Ｄの
範囲にある表面を形成するものである。具体的な実施例
としては、図１５にみるように、少なくとも２段階でリ
ード電極をメッキすることである。以下、具体的なメッ
キ工程について、順を追って説明する。
形成に、メッキによるリード電極の皮膜上記光沢度Ｄの
範囲にある表面を形成するものである。具体的な実施例
としては、図１５にみるように、少なくとも２段階でリ
ード電極をメッキすることである。以下、具体的なメッ
キ工程について、順を追って説明する。
【００６１】通常、発光ダイオードに用いられるリード
電極には、耐食性を持たせるために、何らかの皮膜が施
されており、その中でメッキによるものが、多用されて
いる。 図１５に示すように、適当な搬送手段５０３等
により、複数のリード電極が連なったもの（連結された
リード電極）を搬送することで、各メッキを行う。すな
わち、連結されたリード電極をリール・トウ・リール
（ロール・トウ・ロール）でメッキするものであり、そ
のメッキが後述するように少なくとも第１のメッキ工程
と、第２のメッキ工程具えることである。先ず、第１の
メッキ工程として、図１５に示す第３のメッキ浴５０１
により、リード電極のほぼ全面を浸して、電気メッキに
より、リード電極のほぼ全面に銀メッキを施す。この
時、第１のメッキ工程により形成された皮膜、すなわち
リード電極のほぼ全面の光沢度Ｄは、１．０であった。
次に、図１５に示すように、第２のメッキ工程として、
リード電極端部から反射部を含む所望の領域まで、第４
のメッキ浴に浸して、部分的にメッキを施す。このと
き、第２のメッキ工程では、メッキ皮膜によるリード電
極の表面の光沢度Ｄが、上記範囲（０．０５＜Ｄ＜０．
５）となるように、電気メッキにより銀メッキするもの
であり、第２のメッキ工程により形成された皮膜の表面
の光沢度Ｄは、０．２であった。このように、上記第１
及び第２のメッキ工程を経ることで、選択的に所望の領
域に光沢度の調整された表面を有するリード電極が得ら
れる。このリード電極の反射部に、ＬＥＤチップをダイ
ボンディングし、モールド部材として透光性樹脂で封止
し、図１８に示す斜線部の表面の光沢度Ｄが０．０５〜
０．５の範囲にある発光ダイオードが得られる。また、
本実施例では、上記第３のメッキ浴、第４のメッキ浴を
シアン系の銀を用いた。第２のメッキ工程では、図１７
（ａ）に示すように、矢印の方向でもって、図中のタイ
バー５０７の位置までメッキされる深さでメッキ浴に浸
漬し（図１６（ｂ））、図１８（ｂ）に示すように、斜
線部が光沢度０．２にある発光ダイオードを形成した。
この時、反射部の形状、ＬＥＤチップは実施例１と同様
であり、発光ダイオードの発光特性もほぼ同等なもので
あった。
電極には、耐食性を持たせるために、何らかの皮膜が施
されており、その中でメッキによるものが、多用されて
いる。 図１５に示すように、適当な搬送手段５０３等
により、複数のリード電極が連なったもの（連結された
リード電極）を搬送することで、各メッキを行う。すな
わち、連結されたリード電極をリール・トウ・リール
（ロール・トウ・ロール）でメッキするものであり、そ
のメッキが後述するように少なくとも第１のメッキ工程
と、第２のメッキ工程具えることである。先ず、第１の
メッキ工程として、図１５に示す第３のメッキ浴５０１
により、リード電極のほぼ全面を浸して、電気メッキに
より、リード電極のほぼ全面に銀メッキを施す。この
時、第１のメッキ工程により形成された皮膜、すなわち
リード電極のほぼ全面の光沢度Ｄは、１．０であった。
次に、図１５に示すように、第２のメッキ工程として、
リード電極端部から反射部を含む所望の領域まで、第４
のメッキ浴に浸して、部分的にメッキを施す。このと
き、第２のメッキ工程では、メッキ皮膜によるリード電
極の表面の光沢度Ｄが、上記範囲（０．０５＜Ｄ＜０．
５）となるように、電気メッキにより銀メッキするもの
であり、第２のメッキ工程により形成された皮膜の表面
の光沢度Ｄは、０．２であった。このように、上記第１
及び第２のメッキ工程を経ることで、選択的に所望の領
域に光沢度の調整された表面を有するリード電極が得ら
れる。このリード電極の反射部に、ＬＥＤチップをダイ
ボンディングし、モールド部材として透光性樹脂で封止
し、図１８に示す斜線部の表面の光沢度Ｄが０．０５〜
０．５の範囲にある発光ダイオードが得られる。また、
本実施例では、上記第３のメッキ浴、第４のメッキ浴を
シアン系の銀を用いた。第２のメッキ工程では、図１７
（ａ）に示すように、矢印の方向でもって、図中のタイ
バー５０７の位置までメッキされる深さでメッキ浴に浸
漬し（図１６（ｂ））、図１８（ｂ）に示すように、斜
線部が光沢度０．２にある発光ダイオードを形成した。
この時、反射部の形状、ＬＥＤチップは実施例１と同様
であり、発光ダイオードの発光特性もほぼ同等なもので
あった。
【００６２】本発明において、部分的な光沢度の調節さ
れた領域（光沢度調整領域）を有するリード電極を有す
る発光ダイオードの製造方法は、リード電極のメッキに
おいて、少なくともリード電極のほぼ全面にメッキする
第１のメッキ工程と、その後に部分的にメッキする第２
のメッキ工程を具備するものである。詳しくは、反射部
を有するリード電極において、反射部を含む部分的な領
域における光沢度Ｄが上記範囲にある表面を形成し、す
るものである。この時、好ましくは、上記光沢度の調整
された領域以外の領域は、その表面の光沢度Ｄが、０．
５を超えるようにすることである。なぜなら、光沢度Ｄ
が０．５を超えるような、皮膜が形成されることで、比
較的緻密なメッキとなり、耐食性が向上する。すなわ
ち、反射部を含む部分的な領域（光沢度調整領域）の表
面が、上述した光の広がりを良好にする上記光沢度Ｄの
範囲にあり、その他の部分が一般的な緻密で光沢性のあ
るメッキ皮膜を形成するものである。加えて、上記範囲
にある光沢度調整領域では、モールド部材とのぬれ性
が、より緻密な表面有する領域に比べて高い傾向にあ
り、それはモールド部材が所望とする領域以上に、リー
ド電極表面に広がる傾向にあり、これがはんだ付け性に
悪影響を与えるため、これを回避することが好ましい。
つまり、詳しくは後述するように、モールド部材で被覆
する領域以上に、すなわち被覆領域の外部にいたるま
で、光沢度調整領域を形成すると、モールド部材が所望
とする被覆領域よりも表面に広がって、特に光沢度調整
領域表面をモールド部材がはい上がるように、表面を薄
くモールド部材が被覆すると、薄く被覆された領域で
は、はんだ付けを悪化することにある。以下、上記範囲
（０．０５＜Ｄ＜０．５、好ましくは、０．１＜Ｄ＜
０．３）の光沢度にある表面を非光沢面、光沢度Ｄが
０．５を超える表面を光沢面と記す。
れた領域（光沢度調整領域）を有するリード電極を有す
る発光ダイオードの製造方法は、リード電極のメッキに
おいて、少なくともリード電極のほぼ全面にメッキする
第１のメッキ工程と、その後に部分的にメッキする第２
のメッキ工程を具備するものである。詳しくは、反射部
を有するリード電極において、反射部を含む部分的な領
域における光沢度Ｄが上記範囲にある表面を形成し、す
るものである。この時、好ましくは、上記光沢度の調整
された領域以外の領域は、その表面の光沢度Ｄが、０．
５を超えるようにすることである。なぜなら、光沢度Ｄ
が０．５を超えるような、皮膜が形成されることで、比
較的緻密なメッキとなり、耐食性が向上する。すなわ
ち、反射部を含む部分的な領域（光沢度調整領域）の表
面が、上述した光の広がりを良好にする上記光沢度Ｄの
範囲にあり、その他の部分が一般的な緻密で光沢性のあ
るメッキ皮膜を形成するものである。加えて、上記範囲
にある光沢度調整領域では、モールド部材とのぬれ性
が、より緻密な表面有する領域に比べて高い傾向にあ
り、それはモールド部材が所望とする領域以上に、リー
ド電極表面に広がる傾向にあり、これがはんだ付け性に
悪影響を与えるため、これを回避することが好ましい。
つまり、詳しくは後述するように、モールド部材で被覆
する領域以上に、すなわち被覆領域の外部にいたるま
で、光沢度調整領域を形成すると、モールド部材が所望
とする被覆領域よりも表面に広がって、特に光沢度調整
領域表面をモールド部材がはい上がるように、表面を薄
くモールド部材が被覆すると、薄く被覆された領域で
は、はんだ付けを悪化することにある。以下、上記範囲
（０．０５＜Ｄ＜０．５、好ましくは、０．１＜Ｄ＜
０．３）の光沢度にある表面を非光沢面、光沢度Ｄが
０．５を超える表面を光沢面と記す。
【００６３】本発明における第１のメッキ工程は、リー
ド電極のほぼ全面にメッキすることである。具体的に
は、図１６（ａ）に示すように、リール・トウ・リール
で複数連なったリード電極（連結されたリード電極）を
メッキするための第３のメッキ浴に浸漬し、メッキ皮膜
をリード電極のほぼ全面に形成する。この時、リード電
極のほぼ全面とは、上記メッキ工程における連結された
リード電極、若しくは一対のリード電極のほぼ全面であ
ることに限定されず、得られる発光ダイオードのリード
電極のほぼ全面となるようにメッキするものである。す
なわち、発光ダイオードに用いられないリード電極の一
部、つまりメッキ工程を経た後、除去される部分の表面
には、特に第１のメッキ工程においてメッキされる必要
はなく、発光ダイオードに用いるリード電極のほぼ全面
がメッキされるように、第１のメッキ工程を具えれば十
分である。具体的には、図１７の連結されたリード電極
において、リール・トウ・リールで送り出す際に用いる
レール部５０９、加えてその近傍のリード電極の一部、
タイバー（若しくはその一部）５０７等がある。
ド電極のほぼ全面にメッキすることである。具体的に
は、図１６（ａ）に示すように、リール・トウ・リール
で複数連なったリード電極（連結されたリード電極）を
メッキするための第３のメッキ浴に浸漬し、メッキ皮膜
をリード電極のほぼ全面に形成する。この時、リード電
極のほぼ全面とは、上記メッキ工程における連結された
リード電極、若しくは一対のリード電極のほぼ全面であ
ることに限定されず、得られる発光ダイオードのリード
電極のほぼ全面となるようにメッキするものである。す
なわち、発光ダイオードに用いられないリード電極の一
部、つまりメッキ工程を経た後、除去される部分の表面
には、特に第１のメッキ工程においてメッキされる必要
はなく、発光ダイオードに用いるリード電極のほぼ全面
がメッキされるように、第１のメッキ工程を具えれば十
分である。具体的には、図１７の連結されたリード電極
において、リール・トウ・リールで送り出す際に用いる
レール部５０９、加えてその近傍のリード電極の一部、
タイバー（若しくはその一部）５０７等がある。
【００６４】本発明における第２のメッキ工程は、部分
的なメッキをリード電極に施すものである。部分的にメ
ッキされることにより、反射部を含むリード電極の一部
の表面が上記非光沢面となるような、光沢度調整領域を
リード電極に少なくとも設けるものである。このため、
具体的には第２のメッキ工程において、メッキするリー
ド電極の部分的な領域とは、反射部を含む領域の場合
と、反射部を除く領域の場合とがある。具体的には、図
１７において矢印の方向がメッキ浴に浸漬する方向を示
すものであり、前者の場合は図中の矢印の方向に相当
し、後者の場合は図中の矢印と反対方向に相当し、すな
わちレール部５０９からメッキ浴に近づける。詳しく
は、図１７の矢印方向の場合、すなわち反射部を含む部
分的な領域を第２のメッキ工程によりメッキする場合、
図中の矢印方向にメッキ浴の液面に近づけ、図１６
（ｂ）に示すようにリード電極の反射部含む領域（図中
ではリード電極の反射部に近い端部から反射部を越える
深さ）で浸漬する。また、反射部を除く領域の場合に
は、図１６（ｂ）に示すように、リードフレームを図中
の矢印の方向にメッキ浴の液面に近づけ、反射部近傍ま
で、具体的には後述する理由からタイバーの手前まで浸
漬する。このようにして、反射部を含む部分的な領域
を、上記光沢度Ｄの範囲にある光沢度調整領域とするも
のである。より詳しくは、各メッキ浴を有するセルの高
さを変えて、リード電極を浸漬する深さを決定して光沢
度調整領域を形成する。これは、各メッキ工程で用いる
メッキ浴を、メッキ浴を内部に有するセルと、更にその
セルを内部に有する槽を用いて、各メッキ工程をその槽
に割り当て、それらの槽を並べて、図１５にみるように
連結されたリード電極を槽及びセルに設けられたスリッ
トを通すことでメッキし、この時のメッキ浴のリード電
極に対する位置で浸漬する深さを決定する。
的なメッキをリード電極に施すものである。部分的にメ
ッキされることにより、反射部を含むリード電極の一部
の表面が上記非光沢面となるような、光沢度調整領域を
リード電極に少なくとも設けるものである。このため、
具体的には第２のメッキ工程において、メッキするリー
ド電極の部分的な領域とは、反射部を含む領域の場合
と、反射部を除く領域の場合とがある。具体的には、図
１７において矢印の方向がメッキ浴に浸漬する方向を示
すものであり、前者の場合は図中の矢印の方向に相当
し、後者の場合は図中の矢印と反対方向に相当し、すな
わちレール部５０９からメッキ浴に近づける。詳しく
は、図１７の矢印方向の場合、すなわち反射部を含む部
分的な領域を第２のメッキ工程によりメッキする場合、
図中の矢印方向にメッキ浴の液面に近づけ、図１６
（ｂ）に示すようにリード電極の反射部含む領域（図中
ではリード電極の反射部に近い端部から反射部を越える
深さ）で浸漬する。また、反射部を除く領域の場合に
は、図１６（ｂ）に示すように、リードフレームを図中
の矢印の方向にメッキ浴の液面に近づけ、反射部近傍ま
で、具体的には後述する理由からタイバーの手前まで浸
漬する。このようにして、反射部を含む部分的な領域
を、上記光沢度Ｄの範囲にある光沢度調整領域とするも
のである。より詳しくは、各メッキ浴を有するセルの高
さを変えて、リード電極を浸漬する深さを決定して光沢
度調整領域を形成する。これは、各メッキ工程で用いる
メッキ浴を、メッキ浴を内部に有するセルと、更にその
セルを内部に有する槽を用いて、各メッキ工程をその槽
に割り当て、それらの槽を並べて、図１５にみるように
連結されたリード電極を槽及びセルに設けられたスリッ
トを通すことでメッキし、この時のメッキ浴のリード電
極に対する位置で浸漬する深さを決定する。
【００６５】この時、光沢度が上記範囲に調整される部
分的な領域としては、上述したように、少なくともＬＥ
Ｄからの発光を主に反射する反射部を含む領域を指すも
のであり、この反射部が上記光沢度の調整された領域で
あることが必要である。すなわち、それ以外の領域にお
いて、リード電極は特に光沢度が調節されている必要が
なく、リード電極のメッキでは、リード電極の反射部を
除くほぼ全面に上記光沢面をメッキ皮膜が形成され、上
記反射部を含む部分的な領域を非光沢面とするために、
本発明はほぼ全面にメッキする第１のメッキ工程と、部
分的にメッキする第２のメッキ工程を具えるものであ
る。
分的な領域としては、上述したように、少なくともＬＥ
Ｄからの発光を主に反射する反射部を含む領域を指すも
のであり、この反射部が上記光沢度の調整された領域で
あることが必要である。すなわち、それ以外の領域にお
いて、リード電極は特に光沢度が調節されている必要が
なく、リード電極のメッキでは、リード電極の反射部を
除くほぼ全面に上記光沢面をメッキ皮膜が形成され、上
記反射部を含む部分的な領域を非光沢面とするために、
本発明はほぼ全面にメッキする第１のメッキ工程と、部
分的にメッキする第２のメッキ工程を具えるものであ
る。
【００６６】以上説明してきたように、本発明の発光ダ
イオードの製造方法は、上述したメッキ処理したリード
電極を用いるものである。上述したような少なくとも反
射部を含む部分的な領域が上記光沢度の範囲にある（光
沢度調整領域）リード電極を用いてＬＥＤチップをダイ
ボンディングし、モールド部材により封止することで、
良好な指向性を有する発光ダイオードとして形成するも
のである。
イオードの製造方法は、上述したメッキ処理したリード
電極を用いるものである。上述したような少なくとも反
射部を含む部分的な領域が上記光沢度の範囲にある（光
沢度調整領域）リード電極を用いてＬＥＤチップをダイ
ボンディングし、モールド部材により封止することで、
良好な指向性を有する発光ダイオードとして形成するも
のである。
【００６７】本発明の製造方法は、そのような発光ダイ
オードの製造を生産性の良好なものとして、形成するも
のである。詳しくは、連結されたリード電極を第１の搬
送手段から送り出し、第２の搬送手段により巻き取る間
に、少なくとも上記第１のメッキ工程と、第２のメッキ
工程とを具えることで、上記発光ダイオードの製造を実
現するものである。そのため、好ましくは第１の工程
と、第２の工程のみを具えることで、生産において最も
簡略化され、且つ良好な指向性を有する発光ダイオード
の形成に十分なリード電極となる。
オードの製造を生産性の良好なものとして、形成するも
のである。詳しくは、連結されたリード電極を第１の搬
送手段から送り出し、第２の搬送手段により巻き取る間
に、少なくとも上記第１のメッキ工程と、第２のメッキ
工程とを具えることで、上記発光ダイオードの製造を実
現するものである。そのため、好ましくは第１の工程
と、第２の工程のみを具えることで、生産において最も
簡略化され、且つ良好な指向性を有する発光ダイオード
の形成に十分なリード電極となる。
【００６８】しかし、上述したような第２のメッキ工程
では、メッキ浴にリード電極を部分的に浸漬するため、
特に上記光沢度調整領域である部分的な領域の制御が困
難な問題があり、以下、このことについて説明する。リ
ード電極素地の上に、直接上記範囲の光沢度にある
（０．０５＜Ｄ＜０．５）非光沢面（メッキ皮膜）を形
成するだけでは、上記光沢面の形成（メッキ皮膜）に比
べて、皮膜の緻密性が劣るため耐食性に劣り、メッキ処
理に費やす時間が増えるなど、生産性も劣る。そのた
め、好ましくは、実施例９に示すように、第１のメッキ
工程により、リード電極のほぼ全面に上記光沢面を形成
し、その後に第２のメッキ工程により反射部を含む部分
的な領域を非光沢面を形成することである。すなわち、
第１のメッキ工程によりリード電極のほぼ全面にメッキ
し、後の第２のメッキ工程により、反射部を含む部分的
な領域を、上記範囲（０．０５＜Ｄ＜０．５、好ましく
は０．１＜Ｄ＜０．３）の光沢度Ｄになるようメッキ
し、この時第１のメッキ工程では光沢度Ｄが第２のメッ
キ工程のそれより大きくなるようにすることである。
では、メッキ浴にリード電極を部分的に浸漬するため、
特に上記光沢度調整領域である部分的な領域の制御が困
難な問題があり、以下、このことについて説明する。リ
ード電極素地の上に、直接上記範囲の光沢度にある
（０．０５＜Ｄ＜０．５）非光沢面（メッキ皮膜）を形
成するだけでは、上記光沢面の形成（メッキ皮膜）に比
べて、皮膜の緻密性が劣るため耐食性に劣り、メッキ処
理に費やす時間が増えるなど、生産性も劣る。そのた
め、好ましくは、実施例９に示すように、第１のメッキ
工程により、リード電極のほぼ全面に上記光沢面を形成
し、その後に第２のメッキ工程により反射部を含む部分
的な領域を非光沢面を形成することである。すなわち、
第１のメッキ工程によりリード電極のほぼ全面にメッキ
し、後の第２のメッキ工程により、反射部を含む部分的
な領域を、上記範囲（０．０５＜Ｄ＜０．５、好ましく
は０．１＜Ｄ＜０．３）の光沢度Ｄになるようメッキ
し、この時第１のメッキ工程では光沢度Ｄが第２のメッ
キ工程のそれより大きくなるようにすることである。
【００６９】本発明では、上記モールド部材で封止され
る領域において、光沢度の調節された部分的な領域（上
記光沢度調整領域）を有するリード電極用いた発光ダイ
オード及びその製造を目的とするものであり、生産性に
富み、精度良く発光ダイオードを得られるものとするた
め、部分的なメッキ皮膜の形成について考慮しなければ
ならない。詳しくは、メッキ浴に浸漬した際に、第２の
メッキ工程における部分的なメッキの精度を上げるた
め、メッキ液面がリードフレームの濡れ性等により、そ
の液面が上昇するため、それを考慮する必要がある。具
体的には、図１７において、斜線部のタイバー５０７の
位置で制御することで、精度良く第２のメッキ工程を行
うことができる。それは、タイバーの手前までメッキ浴
の液面に浸漬し、タイバーによりその形状変化、表面積
変化があるため、リード電極を浸漬したときにこのタイ
バーの位置で、上記液面の上昇が抑えられ、精度良く部
分的なメッキ（第２のメッキ工程）が行われる。すなわ
ち、上記タイバーのように形状変化、表面積変化を有し
ていない位置で、部分的なメッキを実施すると、連結さ
れた各リード電極間若しくはそれを構成するリードごと
のばらつきが大きくなる。従って、上記タイバーの位置
で、第２のメッキ工程における部分的なメッキをするこ
とで、量産性を確保しながら良好な精度でもって部分的
なメッキ皮膜を形成することができる。これにより形成
される発光ダイオードは、タイバーを残すことによるス
トッパー部より反射部含むリード電極端部までの領域
に、上記光沢度調整領域が形成されることとなる。
る領域において、光沢度の調節された部分的な領域（上
記光沢度調整領域）を有するリード電極用いた発光ダイ
オード及びその製造を目的とするものであり、生産性に
富み、精度良く発光ダイオードを得られるものとするた
め、部分的なメッキ皮膜の形成について考慮しなければ
ならない。詳しくは、メッキ浴に浸漬した際に、第２の
メッキ工程における部分的なメッキの精度を上げるた
め、メッキ液面がリードフレームの濡れ性等により、そ
の液面が上昇するため、それを考慮する必要がある。具
体的には、図１７において、斜線部のタイバー５０７の
位置で制御することで、精度良く第２のメッキ工程を行
うことができる。それは、タイバーの手前までメッキ浴
の液面に浸漬し、タイバーによりその形状変化、表面積
変化があるため、リード電極を浸漬したときにこのタイ
バーの位置で、上記液面の上昇が抑えられ、精度良く部
分的なメッキ（第２のメッキ工程）が行われる。すなわ
ち、上記タイバーのように形状変化、表面積変化を有し
ていない位置で、部分的なメッキを実施すると、連結さ
れた各リード電極間若しくはそれを構成するリードごと
のばらつきが大きくなる。従って、上記タイバーの位置
で、第２のメッキ工程における部分的なメッキをするこ
とで、量産性を確保しながら良好な精度でもって部分的
なメッキ皮膜を形成することができる。これにより形成
される発光ダイオードは、タイバーを残すことによるス
トッパー部より反射部含むリード電極端部までの領域
に、上記光沢度調整領域が形成されることとなる。
【００７０】本発明において、メッキ、メッキ皮膜、メ
ッキ浴の種類は、特に限定するものではなく、リード電
極のメッキとして知られているメッキで良い。具体例と
しては、実施例で示す銀メッキ、その他にはＡｕ、Ｎｉ
等若しくはそれらの合金メッキを用いることができる。
また、第１のメッキ工程、第２のメッキ工程におけるメ
ッキは、メッキの種類が異なっていても良い。例えば、
第１のメッキ工程において、リード電極のほぼ全面に銀
メッキを施し、第２のメッキ工程において、部分的にＡ
ｕメッキを施すなどが、可能である。また、第１のメッ
キ工程、第２のメッキ工程において、上記非光沢面（光
沢度調整領域）、光沢面の形成は、メッキ浴の組成、光
沢剤、緩衝剤などの添加剤の有無、種類若しくは添加
量、浴温、電流密度、撹拌などのメッキ条件、等を変化
させることにより、所望の光沢度を有する皮膜（リード
電極の表面）を形成する。更に、各メッキ工程におい
て、特にメッキ方法は限定されないが、メッキの種類ご
とに工業的に、生産性に有利な方法が、適宜選択され
る。
ッキ浴の種類は、特に限定するものではなく、リード電
極のメッキとして知られているメッキで良い。具体例と
しては、実施例で示す銀メッキ、その他にはＡｕ、Ｎｉ
等若しくはそれらの合金メッキを用いることができる。
また、第１のメッキ工程、第２のメッキ工程におけるメ
ッキは、メッキの種類が異なっていても良い。例えば、
第１のメッキ工程において、リード電極のほぼ全面に銀
メッキを施し、第２のメッキ工程において、部分的にＡ
ｕメッキを施すなどが、可能である。また、第１のメッ
キ工程、第２のメッキ工程において、上記非光沢面（光
沢度調整領域）、光沢面の形成は、メッキ浴の組成、光
沢剤、緩衝剤などの添加剤の有無、種類若しくは添加
量、浴温、電流密度、撹拌などのメッキ条件、等を変化
させることにより、所望の光沢度を有する皮膜（リード
電極の表面）を形成する。更に、各メッキ工程におい
て、特にメッキ方法は限定されないが、メッキの種類ご
とに工業的に、生産性に有利な方法が、適宜選択され
る。
【００７１】また、従来と同様に、リード電極の耐食性
も考慮してリード電極を形成することが好ましい。具体
的には、前記非光沢面を形成するメッキ工程では、上記
耐食性が十分に確保される緻密な皮膜が形成されにくい
傾向があるため、下層に緻密な皮膜を形成するか、その
非光沢面の下の素地が露出しないように、上層に緻密な
皮膜を形成するか、モールド樹脂などで覆うことで対処
する。
も考慮してリード電極を形成することが好ましい。具体
的には、前記非光沢面を形成するメッキ工程では、上記
耐食性が十分に確保される緻密な皮膜が形成されにくい
傾向があるため、下層に緻密な皮膜を形成するか、その
非光沢面の下の素地が露出しないように、上層に緻密な
皮膜を形成するか、モールド樹脂などで覆うことで対処
する。
【００７２】これに加えて、上記非光沢面は、モールド
樹脂の形成においても、留意すべきことがある。それ
は、上記非光沢面が反射部を含む領域で形成されるもの
であり、反射部はモールド部材により封止されるため、
このモールド部材による封止の際にあらわれるぬれ性で
ある。詳しくは、上記非光沢面は、封止の際若しくは封
止の前処理の際に、光沢面に比べて、それらモールド部
材若しくは前処理剤とのぬれ性が良好なため、それらが
所望の領域以上に広がることである。このことは、はん
だ付け不良を招く原因となる。なぜなら、モールド部材
が必要以上にリード電極表面に広がって形成されると、
はんだ付け位置までおよび、はんだ付け時にリード電極
表面がモールド部材に覆われていると、はんだ付け性を
悪化させ、はんだ付け不良を発生させるためである。こ
のため、反射部を含む領域を非光沢面とする際には、上
述したように、モールド部材に覆われるように封止され
る領域の内部に形成するか、はんだ付け位置よりも反射
部側にある上記モールド部材がはんだ付け不良を起こす
位置まで、はい上がる現象を回避できる。
樹脂の形成においても、留意すべきことがある。それ
は、上記非光沢面が反射部を含む領域で形成されるもの
であり、反射部はモールド部材により封止されるため、
このモールド部材による封止の際にあらわれるぬれ性で
ある。詳しくは、上記非光沢面は、封止の際若しくは封
止の前処理の際に、光沢面に比べて、それらモールド部
材若しくは前処理剤とのぬれ性が良好なため、それらが
所望の領域以上に広がることである。このことは、はん
だ付け不良を招く原因となる。なぜなら、モールド部材
が必要以上にリード電極表面に広がって形成されると、
はんだ付け位置までおよび、はんだ付け時にリード電極
表面がモールド部材に覆われていると、はんだ付け性を
悪化させ、はんだ付け不良を発生させるためである。こ
のため、反射部を含む領域を非光沢面とする際には、上
述したように、モールド部材に覆われるように封止され
る領域の内部に形成するか、はんだ付け位置よりも反射
部側にある上記モールド部材がはんだ付け不良を起こす
位置まで、はい上がる現象を回避できる。
【００７３】（作用・効果）以上説明したように、本発
明においては、反射部を含む部分的な領域において、光
沢度を調節したリード電極の形成（光沢度調整領域）
が、リール・トウ・リールにおいて上述の第１のメッキ
工程及び第２のメッキ工程を具備する方法により、生産
性良く且つ指向特性の良好な発光ダイオードを製造する
ものである。
明においては、反射部を含む部分的な領域において、光
沢度を調節したリード電極の形成（光沢度調整領域）
が、リール・トウ・リールにおいて上述の第１のメッキ
工程及び第２のメッキ工程を具備する方法により、生産
性良く且つ指向特性の良好な発光ダイオードを製造する
ものである。
【００７４】これは、光沢度Ｄが０．０５＜Ｄ＜０．５
の範囲にあるメッキ皮膜では、上述したようにモールド
部材が所望の封止領域より広い面積で封止され、ボンデ
ィング不良が発生したり、リード電極素地上に単一の皮
膜として形成される場合には、腐食性・耐候性等に劣
り、保管性に乏しいといった問題の発生を防ぐことにあ
る。すなわち、少なくともＬＥＤチップからの発光を所
望に光学設計可能な反射部が、上記光沢度の範囲（０．
０５＜Ｄ＜０．５）にあればよいため、それ以外の領域
は上記問題を解決する従来と同様な緻密なメッキ皮膜
を、形成することである。
の範囲にあるメッキ皮膜では、上述したようにモールド
部材が所望の封止領域より広い面積で封止され、ボンデ
ィング不良が発生したり、リード電極素地上に単一の皮
膜として形成される場合には、腐食性・耐候性等に劣
り、保管性に乏しいといった問題の発生を防ぐことにあ
る。すなわち、少なくともＬＥＤチップからの発光を所
望に光学設計可能な反射部が、上記光沢度の範囲（０．
０５＜Ｄ＜０．５）にあればよいため、それ以外の領域
は上記問題を解決する従来と同様な緻密なメッキ皮膜
を、形成することである。
【００７５】従って、リード電極において、上記反射部
を含む部分的な領域を光沢度調整領域とし、それ以外の
領域を別の光沢度、好ましくはその光沢度調整領域より
光沢度を高くすることで、具体的には上述したように光
沢度Ｄが０．５を超える値で、好ましくは更に０．８よ
り大きい表面を呈することであり、上記製造方法におい
てはそのようなメッキ皮膜を形成することである。しか
し、このようにリード電極に少なくとも上記光沢度調整
領域である部分的な領域と、上記問題を回避できるよう
にそれ以外の領域を設けるのには、生産性、生産コスト
の問題が伴うことになる。
を含む部分的な領域を光沢度調整領域とし、それ以外の
領域を別の光沢度、好ましくはその光沢度調整領域より
光沢度を高くすることで、具体的には上述したように光
沢度Ｄが０．５を超える値で、好ましくは更に０．８よ
り大きい表面を呈することであり、上記製造方法におい
てはそのようなメッキ皮膜を形成することである。しか
し、このようにリード電極に少なくとも上記光沢度調整
領域である部分的な領域と、上記問題を回避できるよう
にそれ以外の領域を設けるのには、生産性、生産コスト
の問題が伴うことになる。
【００７６】本発明の発光ダイオードの製造方法は、連
結されたリード電極を少なくとも２つの搬送手段により
送り出して巻き取られるまでに、上記第１のメッキ工程
と第２のメッキ工程とを具備すること、すなわち、図１
５，１６にみるようにリール・トウ・リールで上記反射
部を含む部分的な領域を光沢度調整領域とした発光ダイ
オードを製造することである。このことにより、上述し
た問題を解決し、生産性良く、且つ精度良く発光ダイオ
ードの製造が可能となる。第２のメッキ工程では、部分
的なメッキをリード電極に施すが、このとき図１７に示
すように、矢印の方向にメッキ浴浸漬させ、反射部５０
５を含む領域をメッキする態様と、図中の矢印とは逆方
向に浸漬させ、反射部５０５を除く領域をメッキする態
様とがあり、上述した理由から好ましくは、前者の態様
である。また、図１７にみるように、リード電極を浸漬
する方向は、矢印の方向、それに反対の方向であり、こ
の時図中の斜線を施したタイバー５０７でメッキを制御
すると良好な精度でもって、部分的なメッキ（第２のメ
ッキ工程）が可能である。
結されたリード電極を少なくとも２つの搬送手段により
送り出して巻き取られるまでに、上記第１のメッキ工程
と第２のメッキ工程とを具備すること、すなわち、図１
５，１６にみるようにリール・トウ・リールで上記反射
部を含む部分的な領域を光沢度調整領域とした発光ダイ
オードを製造することである。このことにより、上述し
た問題を解決し、生産性良く、且つ精度良く発光ダイオ
ードの製造が可能となる。第２のメッキ工程では、部分
的なメッキをリード電極に施すが、このとき図１７に示
すように、矢印の方向にメッキ浴浸漬させ、反射部５０
５を含む領域をメッキする態様と、図中の矢印とは逆方
向に浸漬させ、反射部５０５を除く領域をメッキする態
様とがあり、上述した理由から好ましくは、前者の態様
である。また、図１７にみるように、リード電極を浸漬
する方向は、矢印の方向、それに反対の方向であり、こ
の時図中の斜線を施したタイバー５０７でメッキを制御
すると良好な精度でもって、部分的なメッキ（第２のメ
ッキ工程）が可能である。
【００７７】このようにして得られる発光ダイオード
は、図１８に示すように、少なくとも反射部を含む部分
的な領域（図中の斜線部５０６）が光沢度調整領域にあ
り、ＬＥＤチップからの発光を良好な指向性でもって、
光の広がりを実現するものである。図１８に観るよう
に、本発明の発光ダイオードは、モールド部材２０６に
より封止された領域に、リード電極２０４，２０５の一
方の端部と、ＬＥＤチップが載置された反射部を含み、
この一方の端部より反射部を含む領域を光沢度調整領域
として形成されている。この光沢度調整領域以外の領域
は、上述した理由から光沢度を高くすることが好まし
い。実施例７、図６に示すように、モールド部材に被覆
された領域（第１の領域）と、その外部に露出した領域
（第２の領域）とを有する場合には、第１の領域が第２
の領域より光沢度Ｄが小さく、更にはその光沢度Ｄが
０．０５＜Ｄ＜０．５の範囲にあることが好ましい。
は、図１８に示すように、少なくとも反射部を含む部分
的な領域（図中の斜線部５０６）が光沢度調整領域にあ
り、ＬＥＤチップからの発光を良好な指向性でもって、
光の広がりを実現するものである。図１８に観るよう
に、本発明の発光ダイオードは、モールド部材２０６に
より封止された領域に、リード電極２０４，２０５の一
方の端部と、ＬＥＤチップが載置された反射部を含み、
この一方の端部より反射部を含む領域を光沢度調整領域
として形成されている。この光沢度調整領域以外の領域
は、上述した理由から光沢度を高くすることが好まし
い。実施例７、図６に示すように、モールド部材に被覆
された領域（第１の領域）と、その外部に露出した領域
（第２の領域）とを有する場合には、第１の領域が第２
の領域より光沢度Ｄが小さく、更にはその光沢度Ｄが
０．０５＜Ｄ＜０．５の範囲にあることが好ましい。
【００７８】以上説明したように、発光ダイオードのリ
ード電極に少なくとも２つの領域が存在することは、各
領域で表面状態が異なることから、モールド部材による
封止、実装時のはんだ付けの際に、接着性、ぬれ性など
が異なるため、その影響を受けないように配慮する必要
が生じる。このことは、すなわち上記第１の領域、第２
の領域の場合には、モールド部材で被覆される領域でも
って光沢度調整領域が形成されることにより、外部の領
域（第２の領域）と隔てられ、上記表面状態の違いを認
識せずとも、その発光ダイオードを取り扱うことが可能
となる。
ード電極に少なくとも２つの領域が存在することは、各
領域で表面状態が異なることから、モールド部材による
封止、実装時のはんだ付けの際に、接着性、ぬれ性など
が異なるため、その影響を受けないように配慮する必要
が生じる。このことは、すなわち上記第１の領域、第２
の領域の場合には、モールド部材で被覆される領域でも
って光沢度調整領域が形成されることにより、外部の領
域（第２の領域）と隔てられ、上記表面状態の違いを認
識せずとも、その発光ダイオードを取り扱うことが可能
となる。
【００７９】また、別の本発明の態様では、実装時のは
んだ付け位置（はんだ領域）よりも、離れた位置から反
射部を含む領域を光沢度調整領域とすること、更に好ま
しくは上記理由から、タイバーを残すことによるストッ
パー部から反射部を含む領域を光沢度調整領域とするこ
とである。
んだ付け位置（はんだ領域）よりも、離れた位置から反
射部を含む領域を光沢度調整領域とすること、更に好ま
しくは上記理由から、タイバーを残すことによるストッ
パー部から反射部を含む領域を光沢度調整領域とするこ
とである。
【００８０】ここで、上記端部を含むとは、上述したメ
ッキを施す際に（第２のメッキ工程）、リード電極のど
ちらかの端部側から浸漬することによるものである。
ッキを施す際に（第２のメッキ工程）、リード電極のど
ちらかの端部側から浸漬することによるものである。
【００８１】［実施例１０］実施例９とは逆に、第１の
メッキ工程によりリード電極の表面が上記非光沢面とな
るメッキを行い、その後に、第２のメッキ工程により部
分的に光沢面を形成する実施形態について、以下説明す
る。先ず、第１のメッキ工程により、図１６（ａ）に示
すように、リード電極のほぼ全面にメッキするように第
３のメッキ浴に浸漬し、表面の光沢度Ｄが０．２にある
メッキ皮膜を形成するが、この時図１７で示す連結され
たリード電極のレール部５０９を下にして浸漬する。次
に、第２のメッキ工程として、図１７（ａ）において、
矢印と反対方向でもって、第４のメッキ浴液面に近づ
け、タイバー５０７のところで液面の上昇を抑えるよう
に、そのタイバー５０７手前までリードを浸漬し、光沢
度１．０のメッキ皮膜を形成した。この時、リード電極
の表面状態、メッキ浴の組成などにより、浸漬する深さ
を決定する。得られたリード電極の反射部２０８の底面
の光沢度Ｄを、実施例１と同様に、日本電色工業株式会
社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３００Ａ（スポット径５
０μｍ）を用いて、反射部の内面、詳しくはカップの底
面（その一部）を測定したところ、同様にＤ＝０．２で
あった。得られたリード電極を実施例９と同様に、ＬＥ
Ｄチップ２０８を反射部２０８にダイボンディングし、
透光性樹脂２０６で封止して発光ダイオードを得る。得
られる発光ダイオードは、図１８（ｂ）に示すように、
斜線部で示すストッパーから封止されたリード電極端部
までの領域が光沢度０．２にある光沢度調整領域を形成
でき、その発光特性は、実施例９とほぼ同様である。し
かし、モールド部材が被覆されない外部であって、スト
ッパー５０８よりモールド部材側の領域が、光沢度０．
２である比較的粗な皮膜だけが形成されているため、実
施例９に比べて、その保管性に僅かに劣るものである。
また、その製造においては、第１のメッキ工程での皮膜
の形成が実施例９のそれに比べて、時間を要するため、
量産性の比較で劣るものとなる。
メッキ工程によりリード電極の表面が上記非光沢面とな
るメッキを行い、その後に、第２のメッキ工程により部
分的に光沢面を形成する実施形態について、以下説明す
る。先ず、第１のメッキ工程により、図１６（ａ）に示
すように、リード電極のほぼ全面にメッキするように第
３のメッキ浴に浸漬し、表面の光沢度Ｄが０．２にある
メッキ皮膜を形成するが、この時図１７で示す連結され
たリード電極のレール部５０９を下にして浸漬する。次
に、第２のメッキ工程として、図１７（ａ）において、
矢印と反対方向でもって、第４のメッキ浴液面に近づ
け、タイバー５０７のところで液面の上昇を抑えるよう
に、そのタイバー５０７手前までリードを浸漬し、光沢
度１．０のメッキ皮膜を形成した。この時、リード電極
の表面状態、メッキ浴の組成などにより、浸漬する深さ
を決定する。得られたリード電極の反射部２０８の底面
の光沢度Ｄを、実施例１と同様に、日本電色工業株式会
社製の微小面積色差計ＶＳＲ ３００Ａ（スポット径５
０μｍ）を用いて、反射部の内面、詳しくはカップの底
面（その一部）を測定したところ、同様にＤ＝０．２で
あった。得られたリード電極を実施例９と同様に、ＬＥ
Ｄチップ２０８を反射部２０８にダイボンディングし、
透光性樹脂２０６で封止して発光ダイオードを得る。得
られる発光ダイオードは、図１８（ｂ）に示すように、
斜線部で示すストッパーから封止されたリード電極端部
までの領域が光沢度０．２にある光沢度調整領域を形成
でき、その発光特性は、実施例９とほぼ同様である。し
かし、モールド部材が被覆されない外部であって、スト
ッパー５０８よりモールド部材側の領域が、光沢度０．
２である比較的粗な皮膜だけが形成されているため、実
施例９に比べて、その保管性に僅かに劣るものである。
また、その製造においては、第１のメッキ工程での皮膜
の形成が実施例９のそれに比べて、時間を要するため、
量産性の比較で劣るものとなる。
【００８２】［実施例１１］第２のメッキ工程におい
て、図１７（ａ）の矢印に示す方向にリード電極５０４
をメッキ浴液面に近づけ、図１８（ａ）の斜線部に示す
非光沢面が形成されるように、図１７（ａ）中のタイバ
ー５０６の手前となる深さまで図１６（ｂ）に示すよう
に浸漬したことを除いて、実施例９と同様にリード電極
を形成した。このリード電極を用いて、実施例９と同様
に、ＬＥＤチップをダイボンディングし、モールド部材
として透光性樹脂で封止し、発光ダイオードを得た。
て、図１７（ａ）の矢印に示す方向にリード電極５０４
をメッキ浴液面に近づけ、図１８（ａ）の斜線部に示す
非光沢面が形成されるように、図１７（ａ）中のタイバ
ー５０６の手前となる深さまで図１６（ｂ）に示すよう
に浸漬したことを除いて、実施例９と同様にリード電極
を形成した。このリード電極を用いて、実施例９と同様
に、ＬＥＤチップをダイボンディングし、モールド部材
として透光性樹脂で封止し、発光ダイオードを得た。
【００８３】得られた発光ダイオードは、図１８（ａ）
に示すように、上記メッキ工程におけるリード電極のタ
イバー５０６を分断して残されたストッパー５０７の位
置から、反射部側（図中の斜線部）の表面が上記光沢度
調整領域となるものであった。この発光ダイオードの発
光特性は、実施例９と同様に良好なものであった。ま
た、上記第２のメッキ工程において、リード電極のタイ
バーまでを部分的にメッキすることで、実施例９に比べ
てメッキ皮膜の形成領域の精度が劣り、すなわち、各発
光ダイオードにおいてはリード電極の上記光沢度調整領
域にばらつきが多く、実施例９に比べてその歩留りに劣
るものである。
に示すように、上記メッキ工程におけるリード電極のタ
イバー５０６を分断して残されたストッパー５０７の位
置から、反射部側（図中の斜線部）の表面が上記光沢度
調整領域となるものであった。この発光ダイオードの発
光特性は、実施例９と同様に良好なものであった。ま
た、上記第２のメッキ工程において、リード電極のタイ
バーまでを部分的にメッキすることで、実施例９に比べ
てメッキ皮膜の形成領域の精度が劣り、すなわち、各発
光ダイオードにおいてはリード電極の上記光沢度調整領
域にばらつきが多く、実施例９に比べてその歩留りに劣
るものである。
【００８４】［実施例１２］第１のメッキ工程におい
て、リード電極表面の光沢度Ｄを、１．２となるよう
に、光沢剤の添加量を増やした第３のメッキ浴を用いる
他は、実施例９と同様にしてリード電極を形成し、それ
を用いて発光ダイオードを形成した。得られたリード電
極は、前記非光沢面の下地に第１のメッキ工程により形
成された緻密な上記光沢面（光沢度Ｄ＝１．２）が形成
されているため、耐食性が向上し、保管性に優れてい
る。また、それにより得られる発光ダイオードは、図１
７（ｂ）におけるストッパー位置より反射部側（先端部
側）まで上記非光沢面が形成されているが、上述した様
なモールド樹脂により封止する際において樹脂がリード
電極に沿ってコーティングされる様な場合にも、上記非
光沢面と光沢面との境目でもって、そのような現象を抑
止する傾向にある。このため、上記ストッパー位置より
反射部側でその境目が形成されているため、通常のボン
ディング位置となるストッパー位置から反射部とは反対
側の位置まで、前記樹脂が這い上がることがなく良好な
発光ダイオードが形成される。また、光沢度Ｄが実施例
９に比べて高く、その皮膜は比較的緻密であるため、リ
ード電極としても発光ダイオードとしても良好な保管性
を有するものである。
て、リード電極表面の光沢度Ｄを、１．２となるよう
に、光沢剤の添加量を増やした第３のメッキ浴を用いる
他は、実施例９と同様にしてリード電極を形成し、それ
を用いて発光ダイオードを形成した。得られたリード電
極は、前記非光沢面の下地に第１のメッキ工程により形
成された緻密な上記光沢面（光沢度Ｄ＝１．２）が形成
されているため、耐食性が向上し、保管性に優れてい
る。また、それにより得られる発光ダイオードは、図１
７（ｂ）におけるストッパー位置より反射部側（先端部
側）まで上記非光沢面が形成されているが、上述した様
なモールド樹脂により封止する際において樹脂がリード
電極に沿ってコーティングされる様な場合にも、上記非
光沢面と光沢面との境目でもって、そのような現象を抑
止する傾向にある。このため、上記ストッパー位置より
反射部側でその境目が形成されているため、通常のボン
ディング位置となるストッパー位置から反射部とは反対
側の位置まで、前記樹脂が這い上がることがなく良好な
発光ダイオードが形成される。また、光沢度Ｄが実施例
９に比べて高く、その皮膜は比較的緻密であるため、リ
ード電極としても発光ダイオードとしても良好な保管性
を有するものである。
【００８５】［実施例１３］図１７（ｂ）に示すよう
に、切断除去後にストッパーとするタイバー５０７と反
射部５０５との間に、タイバー５０７´´を設けたリー
ド電極を用いる他は、実施例９と同様にして、第１のメ
ッキ工程、第２のメッキ工程を経てメッキを施す。この
時、第２のメッキ工程において、第４のメッキ浴に浸漬
の際には、実施例９とは異なり、タイバー５０７´´の
位置までメッキ皮膜が形成されるように、すなわち、上
述したようにこのタイバー５０７´´をメッキ浴液面の
上昇を抑える働きをさせ、反射部を含むタイバー５０７
´´までの部分的な領域を光沢度調整領域として、メッ
キ皮膜を形成する。次に、連結されたリード電極をタイ
バーを切断、除去して、発光ダイオードに用いるわけで
あるが、この時タイバー５０７は実施例９と同様に、そ
の一部を残して（突出部を形成）、ストッパー５０８と
して用いるが、タイバー５０７´´は、リード電極の面
に合わせるように、除去する。すなわち、タイバー５０
７´´は、タイバー５０７と異なり、リード電極から突
出している一部を残してストッパーとせずに、突出した
部分がほぼなくなるまで、ほぼ完全にタイバー５０７´
´を除去する。このリード電極を用いて、発光ダイオー
ドを形成し、この時モールド部材は、ほぼタイバー５０
７´´の位置まで覆うように、すなわちモールド部材が
被覆する領域の内部におさめるように形成する。こうす
ることで、上述したような光沢度調整領域がモールド部
材の外部に露出する問題を回避でき、保管性が高まり、
好ましい。得られる発光ダイオードは、発光特性につい
て実施例９と同様に良好で、広い指向半値角を有し、高
角度側でも良好な視認性を有するものであった。
に、切断除去後にストッパーとするタイバー５０７と反
射部５０５との間に、タイバー５０７´´を設けたリー
ド電極を用いる他は、実施例９と同様にして、第１のメ
ッキ工程、第２のメッキ工程を経てメッキを施す。この
時、第２のメッキ工程において、第４のメッキ浴に浸漬
の際には、実施例９とは異なり、タイバー５０７´´の
位置までメッキ皮膜が形成されるように、すなわち、上
述したようにこのタイバー５０７´´をメッキ浴液面の
上昇を抑える働きをさせ、反射部を含むタイバー５０７
´´までの部分的な領域を光沢度調整領域として、メッ
キ皮膜を形成する。次に、連結されたリード電極をタイ
バーを切断、除去して、発光ダイオードに用いるわけで
あるが、この時タイバー５０７は実施例９と同様に、そ
の一部を残して（突出部を形成）、ストッパー５０８と
して用いるが、タイバー５０７´´は、リード電極の面
に合わせるように、除去する。すなわち、タイバー５０
７´´は、タイバー５０７と異なり、リード電極から突
出している一部を残してストッパーとせずに、突出した
部分がほぼなくなるまで、ほぼ完全にタイバー５０７´
´を除去する。このリード電極を用いて、発光ダイオー
ドを形成し、この時モールド部材は、ほぼタイバー５０
７´´の位置まで覆うように、すなわちモールド部材が
被覆する領域の内部におさめるように形成する。こうす
ることで、上述したような光沢度調整領域がモールド部
材の外部に露出する問題を回避でき、保管性が高まり、
好ましい。得られる発光ダイオードは、発光特性につい
て実施例９と同様に良好で、広い指向半値角を有し、高
角度側でも良好な視認性を有するものであった。
【００８６】本実施例では、ストッパーを形成するタイ
バー５０７と反射部との間に、タイバー５０７´´を設
けて、部分的なメッキを施す際に、メッキ浴に浸漬した
際に、浴液面がリード電極表面を上昇することを防止
し、メッキ皮膜の位置精度を高めるように作用する。こ
のため、この様な作用を有する連結されたリード電極の
一部として、タイバー５０７´´を設けたが、これに限
定されず、そのような液面の上昇を抑え、メッキ皮膜を
所望の部分的な領域に精度良く形成するために、様々な
方法を採ることができる。例えば、タイバーと反射部と
の間に、タイバー５０７´´とは連結されていないこと
で異なり外形的に突出したような凸部を設けて、上記皮
膜精度を決定するものとする他、上述したような液面上
昇を抑える様々な外形的変化を設けて、メッキ工程を経
ることで、良好な光沢度調整領域の形成が可能である。
バー５０７と反射部との間に、タイバー５０７´´を設
けて、部分的なメッキを施す際に、メッキ浴に浸漬した
際に、浴液面がリード電極表面を上昇することを防止
し、メッキ皮膜の位置精度を高めるように作用する。こ
のため、この様な作用を有する連結されたリード電極の
一部として、タイバー５０７´´を設けたが、これに限
定されず、そのような液面の上昇を抑え、メッキ皮膜を
所望の部分的な領域に精度良く形成するために、様々な
方法を採ることができる。例えば、タイバーと反射部と
の間に、タイバー５０７´´とは連結されていないこと
で異なり外形的に突出したような凸部を設けて、上記皮
膜精度を決定するものとする他、上述したような液面上
昇を抑える様々な外形的変化を設けて、メッキ工程を経
ることで、良好な光沢度調整領域の形成が可能である。
【００８７】更にまた、上記部分的なメッキを位置決め
するタイバー等を設ける位置としては、本実施例で示す
ように、好ましくはモールド部材で被覆される領域の内
部とすることで、なぜならそれは、耐食性などの問題を
回避できるためである。モールド部材で被覆される領域
の外側にそのような位置決めのための部位をリード電極
に設ける場合は、その設けられる位置としては、一部を
残してストッパーとするタイバーと同様に決定されるも
のである。
するタイバー等を設ける位置としては、本実施例で示す
ように、好ましくはモールド部材で被覆される領域の内
部とすることで、なぜならそれは、耐食性などの問題を
回避できるためである。モールド部材で被覆される領域
の外側にそのような位置決めのための部位をリード電極
に設ける場合は、その設けられる位置としては、一部を
残してストッパーとするタイバーと同様に決定されるも
のである。
【００８８】［比較例１］リード電極の光沢度Ｄが、
１．０であることを除いて、実施例１と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図５
のＸ方向における指向特性が、図１０に示すように、光
軸から２０°ずれた範囲において、光度が下がってお
り、比較的光軸方向でのみ視認するような用途に限定さ
れるものとなっている。
１．０であることを除いて、実施例１と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図５
のＸ方向における指向特性が、図１０に示すように、光
軸から２０°ずれた範囲において、光度が下がってお
り、比較的光軸方向でのみ視認するような用途に限定さ
れるものとなっている。
【００８９】［比較例２］リード電極の光沢度Ｄが、
０．６であることを除いて、実施例２と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図１
１に示す指向特性図に観るように、Ｘ，Ｙ方向ともに全
体的にいびつな形状を呈している。図６−ａのＸ方向に
おける指向特性（図１１−Ｘ）は、２０〜６０°付近で
は、その光度に大きな差がある。そのため、このような
発光ダイオードを複数配列した表示装置では、正面から
はずれたところで、輝度のばらつきを生み出す。また、
図６−ａのＹ方向についても同様に、その指向特性（図
１１−Ｙ）は、１０°付近に凹凸が観られ、同様なこと
が懸念される。
０．６であることを除いて、実施例２と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図１
１に示す指向特性図に観るように、Ｘ，Ｙ方向ともに全
体的にいびつな形状を呈している。図６−ａのＸ方向に
おける指向特性（図１１−Ｘ）は、２０〜６０°付近で
は、その光度に大きな差がある。そのため、このような
発光ダイオードを複数配列した表示装置では、正面から
はずれたところで、輝度のばらつきを生み出す。また、
図６−ａのＹ方向についても同様に、その指向特性（図
１１−Ｙ）は、１０°付近に凹凸が観られ、同様なこと
が懸念される。
【００９０】［比較例３］リード電極の光沢度Ｄが、
０．６であることを除いて、実施例２と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図１
２に示す指向特性図に観るように、Ｘ，Ｙ方向ともに全
体的にいびつな形状を呈しており、特に図１−ａのＸ方
向における指向特性（図１２−Ｘ）は、４０〜６０°付
近に比較的大きな凹凸が観られる。これは、例えば、こ
れらの発光ダイオードを、若しくはこれと異なる発光ダ
イオードと共に複数個配列した表示装置において、この
範囲における視野角内で輝度のばらつき、若しくは特定
の種類の発光ダイオードが目立つ結果となることを示唆
するものであり、このような利用が困難なことを示すも
のである。また、図１−ｂのＹ方向における指向特性
（図１２−Ｙ）についても同様であり、Ｘ方向に比べて
その半値指向角が狭いため、顕著なものとはならない
が、それでも同様な傾向にあり、複数個配列した場合に
懸念されるものとなる。
０．６であることを除いて、実施例２と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図１
２に示す指向特性図に観るように、Ｘ，Ｙ方向ともに全
体的にいびつな形状を呈しており、特に図１−ａのＸ方
向における指向特性（図１２−Ｘ）は、４０〜６０°付
近に比較的大きな凹凸が観られる。これは、例えば、こ
れらの発光ダイオードを、若しくはこれと異なる発光ダ
イオードと共に複数個配列した表示装置において、この
範囲における視野角内で輝度のばらつき、若しくは特定
の種類の発光ダイオードが目立つ結果となることを示唆
するものであり、このような利用が困難なことを示すも
のである。また、図１−ｂのＹ方向における指向特性
（図１２−Ｙ）についても同様であり、Ｘ方向に比べて
その半値指向角が狭いため、顕著なものとはならない
が、それでも同様な傾向にあり、複数個配列した場合に
懸念されるものとなる。
【００９１】［比較例４］図３に示すように、モールド
部材２０６中に実施例３と同程度の指向特性となるよう
に、拡散剤３０１を添加したことを除いて、比較例２と
同様にして発光ダイオードを得た。得られた発光ダイオ
ードは、実施例３に比べて約３０％も光度が低下してお
り、また、高角度付近の光度が比較的高く、発光が不必
要な方向へ漏れていることがわかった。
部材２０６中に実施例３と同程度の指向特性となるよう
に、拡散剤３０１を添加したことを除いて、比較例２と
同様にして発光ダイオードを得た。得られた発光ダイオ
ードは、実施例３に比べて約３０％も光度が低下してお
り、また、高角度付近の光度が比較的高く、発光が不必
要な方向へ漏れていることがわかった。
【００９２】［比較例５］リード電極の光沢度Ｄが、
０．８であることを除いて、実施例７と同様にして、
赤、緑、青色の三色の発光ダイオードを得た。これらＲ
ＧＢ三色を１画素として、実施例８と同様にして表示装
置を作成した。得られた表示装置は、斜めから観たと
き、輝度にばらつきが発生しており、特に赤色と、緑及
び青色とは発光素子が大きく異なるため、光軸からはず
れたところで観察したときに、どちらかの色が目立つ結
果となり、混色性は損なわれていた。
０．８であることを除いて、実施例７と同様にして、
赤、緑、青色の三色の発光ダイオードを得た。これらＲ
ＧＢ三色を１画素として、実施例８と同様にして表示装
置を作成した。得られた表示装置は、斜めから観たと
き、輝度にばらつきが発生しており、特に赤色と、緑及
び青色とは発光素子が大きく異なるため、光軸からはず
れたところで観察したときに、どちらかの色が目立つ結
果となり、混色性は損なわれていた。
【００９３】
【発明の効果】本発明の発光ダイオードは、狙った指向
角内で好ましく光が分散されるため、容易に良好な指向
特性が実現でき、従来のように拡散剤などを用いる方法
に比べて、輝度が高くなる。更に、本発明の発光ダイオ
ードは、発光素子の違いを吸収できるため、発光素子が
異なるものであっても、同様に扱うことができ、またこ
のような異なる発光ダイオード間でも、共通の指向性を
有するものが実現されている。これに加えて、異なる発
光素子を同一のリード電極に載置してなる発光ダイオー
ドにおいて、本発明のものは、容易に良好な混色性を実
現でき、また指向角を広くしても同様であり、従来のよ
うに拡散剤、発光素子の違いを緩和するための特別な設
計を必要としないものである。
角内で好ましく光が分散されるため、容易に良好な指向
特性が実現でき、従来のように拡散剤などを用いる方法
に比べて、輝度が高くなる。更に、本発明の発光ダイオ
ードは、発光素子の違いを吸収できるため、発光素子が
異なるものであっても、同様に扱うことができ、またこ
のような異なる発光ダイオード間でも、共通の指向性を
有するものが実現されている。これに加えて、異なる発
光素子を同一のリード電極に載置してなる発光ダイオー
ドにおいて、本発明のものは、容易に良好な混色性を実
現でき、また指向角を広くしても同様であり、従来のよ
うに拡散剤、発光素子の違いを緩和するための特別な設
計を必要としないものである。
【００９４】また、発光ダイオードを複数配列した表示
装置において、本発明のものは、従来のそれに比べて、
高視野角で、且つ混色性に優れており、特に表示装置を
斜めから観たときに、その良好な混色性を顕著にみてと
れることができ、更に広視野角で輝度一定となる面状の
表示装置の作製が容易になった。
装置において、本発明のものは、従来のそれに比べて、
高視野角で、且つ混色性に優れており、特に表示装置を
斜めから観たときに、その良好な混色性を顕著にみてと
れることができ、更に広視野角で輝度一定となる面状の
表示装置の作製が容易になった。
【図１】本発明の１実施形態を示す模式図
【図２】本発明におけるＬＥＤチップからの光の経路を
説明する模式図
説明する模式図
【図３】従来の発光ダイオードを説明する模式図
【図４】本発明に用いる光沢度の測定方法を説明する模
式図
式図
【図５】本発明の１実施形態を示す模式図
【図６】本発明の１実施形態を示す模式図
【図７】本発明の１実施形態を示す断面模式図
【図８】本発明の１実施形態を示す斜視図
【図９】本発明の１実施形態を示す斜視図
【図１０】本発明の１実施例に係る指向特性図
【図１１】本発明の１実施例に係る指向特性図
【図１２】本発明の１実施例に係る指向特性図
【図１３】本発明の１実施例に係る指向特性図
【図１４】本発明の１実施例に係る指向特性図
【図１５】本発明の１実施形態を説明する模式図。
【図１６】本発明の１実施形態を説明する模式図。
【図１７】本発明の１実施形態を説明する模式図。
【図１８】本発明の１実施形態を説明する模式図。
１０１・・・・光源 １０２・・・・検出器 １０３・・・・測定物 ２０１，２０２，２０２・・・・ＬＥＤチップ ２０４，２０５・・・・リード電極 ２０６・・・・モールド部材 ２０７・・・・ワイヤ ２０８・・・・反射部 ３０１・・・・拡散剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−122392（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−4184（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−4183（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−18185（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274377（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−12926（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283763（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−13661（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−260727（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−22529（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−275941（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259341（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335458（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−113255（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−160059（ＪＰ，Ａ) 実開 昭49−56870（ＪＰ，Ｕ) 実開 平７−32969（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭58−111958（ＪＰ，Ｕ)
Claims (9)
- 【請求項１】 ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが載置
された反射部を含むリード電極とが、該ＬＥＤチップ上
にレンズ面が形成されたモールド部材により封止されて
なる発光ダイオードであって、 前記ＬＥＤチップは、同一面側に正負一対の電極を有す
る窒化ガリウム系化合物半導体からなり、 前記反射部の形状は発光観測面側から観てトラック状若
しくは楕円形状で、 且つ前記レンズは発光観測面側から観て楕円状であり、 前記リード電極の表面が、前記モールド部材に被覆され
た第１の領域と、前記モールド部材の外側に露出した第
２の領域とを有し、 前記第１の領域の次式で表される光沢度Ｄが０．０５〜
０．５の範囲であり、Ｄ＝ｌｏｇ（１／Ｒ）、 但しＲは４５度方向への反射率であり、Ｒ＝（反射光量
／入射光量）、 前記第２の領域の光沢度が０．５を超えるとともに、 前記反射部の光沢度Ｄが０．０５〜０．５の範囲である
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが載置
された反射部を含むリード電極とが、該ＬＥＤチップ上
にレンズ面が形成されたモールド部材により封止されて
なる発光ダイオードであって、 前記ＬＥＤチップは、同一面側に正負一対の電極を有す
る窒化ガリウム系化合物半導体からなり、 前記反射部の形状は発光観測面側から観てトラック状若
しくは楕円形状で、 且つ前記レンズは発光観測面側から観て楕円状であり、 前記リード電極の表面が、前記モールド部材に被覆され
た第１の領域と、前記モールド部材の外側に露出した第
２の領域とを有し、 前記第１の領域の次式で表される光沢度Ｄが０．０５〜
０．５の範囲であり、 Ｄ＝ｌｏｇ（１／Ｒ）、 但しＲは４５度方向への反射率であり、Ｒ＝（反射光量
／入射光量）、 前記第２の領域の光沢度が０．５を超えるとともに、 前記反射部の光沢度Ｄが０．０５〜０．５の範囲であ
り、 発光ダイオードの前記反射部の長手方向における指向特
性が、１２０°の視野角内において、次式Ａで表される
光軸からの任意の方向における光度Ｉｒとほぼ一致して
いることを特徴とする発光ダイオード。 Ｉｒ＝Ｉ０ｃｏｓθ・・・（Ａ） - 【請求項３】 前記反射部の長手方向は、前記モールド
部材の長軸方向とほぼ一致していることを特徴とする請
求項１又は２に記載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記発光ダイオードが、前記リード電極
上において、前記封止された領域である封止領域と、光
沢度調整領域と、実装時に該封止領域から離れた位置で
はんだ付けされるはんだ領域と、を有すると共に、 前記光沢度調整領域が、前記封止領域内のリード電極の
端部を含み、前記はんだ領域より離れて該端部までの領
域に形成され、その光沢度が０．０５〜０．５の範囲に
あり、前記はんだ領域の光沢度Ｄが０．５を超えること
を特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の発光ダ
イオード。 - 【請求項５】 前記リード電極が、前記封止領域の外側
にて側方に延びるタイバーを残すことによりストッパー
部を有し、前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該
ストッパー部より前記端部までの領域であることを特徴
とする請求項１から４のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項６】 前記リード電極が、前記封止領域の外側
にて側方に延びるタイバーを残すことによりストッパー
部を有し、前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該
ストッパー部より前記端部までの領域であることを特徴
とする請求項５に記載の発光ダイオード。 - 【請求項７】 前記反射部にメッキが施されていること
を特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の発光ダ
イオード。 - 【請求項８】 請求項１乃至７記載の発光ダイオードを
複数個配列してなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項９】 前記表示装置は、同一面側に正負一対の
電極を有するＬＥＤチップからなる発光ダイオードと、
前記ＬＥＤチップと素子構造の異なる他のＬＥＤチップ
からなる発光ダイオードとを組み合わせて複数個配列さ
れてなることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16350199A JP3310955B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-06-10 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27699 | 1999-01-05 | ||
| JP11-276 | 1999-01-05 | ||
| JP16350199A JP3310955B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-06-10 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001220972A Division JP4815708B2 (ja) | 1999-01-05 | 2001-07-23 | 発光ダイオードを用いた表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261040A JP2000261040A (ja) | 2000-09-22 |
| JP3310955B2 true JP3310955B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=26333215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16350199A Expired - Fee Related JP3310955B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-06-10 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3310955B2 (ja) |
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| JP3614776B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ｌｅｄとその製造方法 |
| JP2002299698A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
| DE10125341B4 (de) * | 2001-05-23 | 2006-11-23 | Ivoclar Vivadent Ag | Bestrahlungsvorrichtung und Lichthärtgerät |
| DE10315131A1 (de) * | 2003-04-03 | 2004-10-14 | Hella Kg Hueck & Co. | Scheinwerfer für Fahrzeuge |
| JP4176703B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、カメラ、及び製造方法 |
| KR101154801B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2012-07-03 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지 |
| US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
| US7564180B2 (en) | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
| JP4452216B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-04-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法 |
| KR100632003B1 (ko) | 2005-08-08 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 열전달부에 오목부가 형성된 ｌｅｄ 패키지 |
| JP4367457B2 (ja) | 2006-07-06 | 2009-11-18 | パナソニック電工株式会社 | 銀膜、銀膜の製造方法、ｌｅｄ実装用基板、及びｌｅｄ実装用基板の製造方法 |
| JP2008091818A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 |
| JP2008098555A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Genki Koden Handotai Kofun Yugenkoshi | 植え込み式ｌｅｄを有するバックライト・パネルの構造及びその製作方法 |
| JP4823866B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2011-11-24 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具の発光モジュール |
| JP2009117757A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光モジュール |
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