JP2002094130A - 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置Info
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Abstract
良好な光の広がりを実現し、表示装置においても各発光
ダイオードごとに輝度のばらつきが少なく、混色性の良
好なものを得ること、更にはその発光ダイオードの生産
性の良い製造を目的とする。 【構成】 本発明の発光ダイオードは、LEDチップが
載置されるリード電極が次式で表される光沢度Dが0.
05〜0.3の範囲に調整されている。更に別の態様と
して、反射部を含む部分的な領域の表面を上記範囲の光
沢度Dとすることで、良好な光の広がり有し、且つモー
ルド部材による封止、はんだ付けによる実装も良好なも
のとなる。 D=log(1/R)
Description
して発光させる発光ダイオードに係り、特に光の広がり
が良好な発光ダイオードに関する。
ドがRGBにそれぞれ開発されたことに伴い、光センサ
ー、信号機やLEDディスプレイなど種々の分野に利用
され始めている。
す。ここで、図5−aは発光観測面側から見た正面図で
あり、図5−bは、図5−aのX−X断面図である。こ
れらの図にしめされるように、2本以上一対のリード電
極のうちの一方のリード電極の先端部に、カップ部を設
けて、このカップ内に発光素子をダイボンドし、この発
光素子と他方のリードの先端部とを金属線にてワイヤー
ボンディングしたのち、両リードの先端の部分を透光性
樹脂などによってモールドしている。この発光ダイオー
ドを駆動基板等に接続させ電力を供給させると比較的等
方的に光が放出される。このような、発光ダイオード
は、図10の如き発光特性を持つ。
りは、モールド部材に用いる透光性樹脂をレンズとして
その形状を制御し、LEDチップをダイボンドするリー
ド先端部のカップ形状を変化させることで制御し、光学
設計されている。これに加えて、LEDチップそのもの
の指向特性が大きく影響して、発光ダイオードの指向性
を決定する。
Dチップからなる多色で発光する発光ダイオード、若し
くは異なる発光色の発光ダイオードを複数配列して形成
される表示装置などがある。これらの発光ダイオード、
表示装置は、上述した各素子自身の指向性の違いから、
各発光色若しくは発光ダイオード間の輝度のばらつきが
問題となっていた。
射部の形状、及び樹脂レンズ部の制御を中心とした光学
設計では、光の広がり角度を大きくすることには問題が
あった。例えばそれは、封止する樹脂レンズの形状を変
えて、光を広げるだけでは、光を絞り込まれたとき、す
なわち指向の狭いときにはみえなかった、素子の指向性
に起因する強度のばらつきが発生する。これは、指向特
性図で観たとき、いびつな形状として表され、例えばこ
のような発光ダイオードを複数個並べるような用途に用
いる場合に、輝度のばらつきの原因となる。
て、モールド部材中への拡散剤添加は良好な光の広がり
を与えるが、図3に示すように拡散剤により光は無視光
に拡散され、また拡散剤による吸収もあり、量が多くな
ると急激に輝度低下する問題がある。
がりを良好にする楕円状レンズでは、均一な光の広がり
が得られにくい。また、従来の発光ダイオードは、実装
時の光軸のズレに対し、柔軟に対応することができず、
発光ダイオードを設計通りに組み上げることは困難であ
った。
LEDチップを同一のリード電極に載置してなる発光ダ
イオードでは、各素子に特化した光学設計が困難なた
め、素子間の指向性の違いを解消できない。更に、これ
らの発光ダイオードを複数個配列して形成される表示装
置では、このような視野角内における光の強度の大きな
ばらつき、各素子の指向性の違いなどから、表示装置を
正面以外の所から観察した際に、発光ダイオードごとに
輝度のばらつきが目立ち、多色の発光ダイオードを用い
た場合には、混色性が失われたものとなっていった。
みなされたものであって、本発明者らは、発光素子から
の光を最初に反射する部分において広がりを持たせる方
法を鋭意検討した結果、その反射部において特定の反射
率に制御することで、光利用効率を維持しながら指向特
性と光利用効率を両立できることを見出し、上記問題点
を解決するに至った。
EDチップと、前記LEDチップが載置されたリード電
極とが、モールド部材により封止されてなる発光ダイー
ドであって、前記リード電極が、次式で表される光沢度
Dが0.05〜0.5の範囲にある表面を有することを
特徴とする。好ましくは、D値が、0.1〜0.3の範
囲にあること、前記LEDチップが反射部に形成される
こと、前記LEDチップが発光色若しくは素子構造の異
なる複数個のLEDチップであること、前記モールド部
材が楕円形状であることである。また、これらの発光ダ
イオードを複数個配列した表示装置である。
が、モールド部材に被覆された第1の領域と、モールド
部材の外側に露出した第2の領域とを有すると共に、前
記第1の領域は前記第2の領域の次式で表される光沢
度Dよりも小さいことにより、第1の領域では、発光の
指向性を考慮した光沢度を有し、第2の領域ではリード
電極の耐食性、実装時のはんだ付け性を考慮した光沢度
を有することとなり、従来と同様に扱え、且つ指向性の
改善された発光ダイオードとなる。この時、第1の領域
がモールド部材に被覆された領域全体で有る必要はな
く、少なくともLEDチップ乃至はLEDチップが載置
された反射部を含む領域とすることである。これによ
り、上記良好な指向性の発光ダイオードが実現される。
そのため、好ましくは、第1の領域の光沢度Dを0.0
5<D<0.5、更に好ましくは0.13<D<0.3
とすることである。また、表面にメッキ皮膜を有する場
合には、第2の領域の光沢度としては、上述の様に、少
なくとも第1の領域より光沢度Dが大きいことであり、
好ましくはDが0.5より大きく、更に好ましくは0.
8より大きくすることで、緻密な皮膜によりリード電極
素地が覆われ、耐食性に富むものとなる。
射光量/入射光量)) また、本発明は、リード電極の一方の端部と、該リード
電極に設けられLEDチップが配置された反射部と、を
含む領域がモールド部材により封止された発光ダイオー
ドであって、前記発光ダイオードが、前記リード電極上
において、前記封止された領域である封止領域と、式
(0.05<D<0.5)で表される光沢度Dにある光
沢度調整領域と、実装時に該封止領域から離れた位置で
はんだ付けされるはんだ領域と、を有すると共に、前記
光沢度調整領域が、前記端部を含み、前記はんだ領域よ
り離れて前記端部までの領域に形成されていることを特
徴とする。このことにより、発光ダイオードの発光は、
良好な指向性、高角度領域での良好な視認性を有すると
共に、実装時も従来と同様に扱え、詳しくは半田がモー
ルド部材に被覆された領域を侵し、悪影響を及ぼすこと
なく、良好なはんだ付け性を有するものとなる。その
上、前記リード電極が、前記封止領域の外側にて側方に
延びるタイバーを残すことによりストッパー部を有し、
前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該ストッパー
部より前記端部までの領域であることにより、実装時の
固定及びはんだ付け性をより良好なものとすることがで
きる。これは、実装時に固定・位置決め等に用いられる
ストッパー部を境として、反射部側の表面が良好な発光
を確保する状態にあり、その反対側は実装時のはんだ付
け性を確保する表面状態を呈しているためである。更に
好ましくは、封止領域が光沢度調整領域を含むこと、す
なわち、封止領域の少なくとも反射部を含む領域が上記
光沢度調整領域と同様な光沢度の表面を有することで、
封止領域とそれ以外の領域とで、上記主な目的を異にす
る表面を有する発光ダイオードとなり、はんだ付け性、
モールド部材の封止に有利なものとなる。これは、その
ままでははんだ付け性、モールド部材による封止に難が
ある光沢度調整領域の表面を、モールド部材により覆う
ことで、そのような問題が回避でき好ましい。
ド電極をメッキし、リード電極の一方の端部若しくはそ
の近傍に設けられた反射部に、LEDチップを載置し、
該LEDチップ及び反射部をモールド部材により封止す
る発光ダイオードの製造方法において、前記リード電極
のメッキは、連結されたリード電極を第1のメッキ工程
と、その後に、第2のメッキ工程とを具えることにより
メッキするものであって、該第1のメッキ工程が前記リ
ード電極のほぼ全面にメッキすること、該第2のメッキ
工程が前記リード電極の端部から前記反射部を含む部分
的な領域をメッキし、該部分的な領域が式(0.05
<D<0.5)で表す光沢度Dの表面を有することを特
徴とする。この製造方法により、上述した主に発光を担
う領域(第1の領域、光沢度調整領域)と、主に実装時
の取扱いの容易性を担う領域(第2の領域、はんだ領
域、光沢度調整領域以外若しくは封止領域以外の領域)
とを少なくとも有する発光ダイオードを生産性良く、製
造することが可能で、上記良好な発光ダイオードを安価
に大量生産することが可能である。更にまた、前記リー
ド電極のメッキは、連結されたリード電極を第1の搬送
手段から送り出して第2の搬送手段により巻き取られる
までに、少なくとも第1のメッキ工程と、第2のメッキ
工程とを具えることによりメッキするものであって、該
第1のメッキ工程により前記リード電極のほぼ全面にメ
ッキすることで、該ほぼ全面が式で表される光沢度D
の表面を有し、該第2のメッキ工程により前記リード電
極の一方の端部及び反射部を除く領域をメッキすること
で、第2のメッキ工程によりメッキされなかった前記一
方の端部及び反射部を含む部分的な領域が次式で表され
る光沢度Dの表面を有すること、少ない工数で、良好な
生産性を有し、且つ上記各領域を有する発光ダイオード
の製造が可能となる。これらの製造方法は、上記部分的
なメッキをする工程の後に、ほぼ全面にメッキをする工
程を具えるだけでは場合には、その生産性、発光ダイオ
ードの取扱い性に劣るためである。
結されたリード電極は、前記モールド部材により封止さ
れる領域から離れた位置で側方に延びる、少なくとも1
つのタイバーを設けたことにより連結されるものであ
り、前記部分的な領域は、前記一方の端部を含み、その
一方の端部より該タイバーまでの領域にあることによ
り、良好な精度で部分的な領域(光沢度調整領域)の形
成が可能であり、製造歩留りを向上させることが可能で
ある。更に、実施例13に示すように、更に上記部分的
な領域の形成時の精度・生産性を確保した方法、すなわ
ち、反射部とストッパー部を形成するタイバー部との間
に、メッキ浴液面の位置を制御することが可能な特定の
外形(実施例中ではタイバー507´´)を設けても、
同様に良好な製造が可能となる。また、この方法によれ
ば、上記封止領域に光沢度調整領域が含まれる発光ダイ
オードの形成が、生産性良く製造可能である。
いた光軸からずれた所での放射強度のむらが、本発明の
発光ダイオードでは、所望の視野角内での光の強度にお
いて、そのむらを無くし、良好な光の広がりを容易に実
現するものである。以下、本発明の発光ダイオードを説
明する。
度と記す)Dとは、次式に示されるものであり、測定に
はGAM社製のDensitmeter Model
144の光度計を用いてその値を検出したものである。
実施例についても同様である。但し、微少領域(面
積)、例えば反射部(カップ)の底部などについては、
日本電色工業株式会社製の微小面積色差計VSR 30
0Aを用いて、測定した。
射光量/入射光量)) ここで、その測定器の原理について簡単に説明すると、
図4に示すように、測定物を所定の位置に置き、この測
定物の表面に光源から光を当てて、測定物表面から45
度方向にある検出器でもって、測定物表面で反射した光
を検出する。この時、表面が光沢を有する場合には、D
値が大きく、比較的光沢の無い場合には、D値が小さく
なる。
は、0.05〜0.5の範囲であり、好ましくは、0.
1〜0.3の範囲である。なぜなら、0.05未満であ
ると例えば後述する反射部の調整にされた指向角外への
光の放射が多くなり、発光ダイオードとして輝度が大幅
に低下し、0.5を超えると、放射強度に偏りが表れ、
複数個配置して観察した場合に、各発光ダイオードごと
の輝度のばらつきが目立ちはじめるからである。更に、
0.1以上、0.3以下の範囲であると、指向半値角の
広い、例えば120°以上、場合であっても、良好な光
の広がりが実現され、その指向特性図において滑らかな
曲線となる。
リード電極の表面全体に対してこのような範囲にある必
要はなく、少なくと一対のリード電極を有するものであ
れば、LEDチップがダイボンドされる方だけ、更には
LEDチップからの出射光を反射する部分だけ、若しく
はその周辺部にだけを対象としてもよく、この部分にだ
け上述のD値の範囲が適用されていればよい。すなわ
ち、光沢度の調整された領域は、リード電極全体である
必要はなく、部分的なものであっても良い。詳しくは、
図1,5,6に示すようにリードフレーム先端部に設け
られたカップ状の反射部204の光沢度が上述の範囲に
あることである。例えば、図6−bにおいて、リード電
極204の斜線部の領域の光沢度だけが、上記範囲に調
節されたものを含むものである。好ましくは、光を絞り
込むために反射部を形成し、その底部にLEDチップを
ボンディングし、そのLEDチップが載置されたリード
電極若しくはその一部が、上記光沢度の範囲にあればよ
い。なぜなら、LEDチップを比較的平らな面に載せる
よりも、光学設計が可メッキ状を有する反射部に載置さ
れた発光ダイオードは、調節された視野角、すなわち所
望の角度内において光の広がりを向上させることができ
るためである。
射部若しくはリード電極は、発光素子からの光の利用効
率を高めるべく、鏡面処理され、具体的にはメッキが施
されたものが、用いられていた。そのため従来のそれの
光沢度は、通常1.0以上であった。そして、反射部の
形状、及び反射部からの光を樹脂レンズ部で制御し、発
光ダイオードからの発光を光学設計していた。
述の範囲になるようにする方法としては、特に限定され
ないが、表面が滑らかでなく、微少な凹凸を有するもの
などがある。具体的には、リード電極には、通常メッキ
が施されているが、このときメッキ条件を調整して好ま
しい光沢度の表面を得る方法、メッキする前に予め表面
に微細な凹凸を設けておく方法、メッキ後に微細な凹凸
を設ける。この時の凹凸の程度としては、指向性を損な
わずに、絞り込まれた指向角内で適度に光が広がる程度
であればよい。ここで、メッキ条件を調整する方法とし
て、メッキ浴中の添加剤の量を調整して、形成されるメ
ッキの形態を変化させる、例えば緻密で均一なものか
ら、粗くて凹凸を有するものとする等がある。表面に凹
凸を設けた後メッキする、若しくはメッキ後に凹凸を設
ける方法としては、ブラスト加工など一般的に知られて
いる方法でよい。
されたリード電極を有することで、LEDチップのボン
ディング性が向上し、モールド部材の密着性も向上す
る。詳しくは、リード電極表面の微細な凹凸は、表面
積、接着面積が従来のそれより大きいため、接着性、密
着性が向上するものであり、好ましくは、D値が0.1
〜0.3の範囲にあることである。なぜなら、0.1未
満であると、表面が粗くなり、ボンディング部材などが
深く浸透しないため結果として接着面積が低下し、0.
3を超えると従来のものと表面積に変化はあるが、密着
性、接着性にほとんど差がなくなるためである。
れ、LEDチップからの発光を反射する機能を有する反
射部の形状は、特に限定されず、リード電極の表面にチ
ップを載せただけのものであっても良い。好ましくは、
上述したように、LEDチップから出射する光を、所望
に集光することができる、すなわち光学設計の可能な形
状からなる反射部を有することである。具体的には、リ
ード電極にLEDチップをその底部に載置できる程度の
大きさでもって、凹部を設けて、光をその底面若しくは
側面で反射させる反射部とすることである。この反射部
の形状は、発光観測面側から観て、図5,6に示すよう
に、円形若しくは楕円形状(トラック状のもの)等があ
り、本発明において好ましく用いることができる。詳し
くは、本発明の発光ダイオードは、このような光学設計
された反射部を用いた場合、その光の指向性の制御を助
けるものとして働いているのである。具体的には、図2
に示すように、LEDチップからの光、主に側面からの
光を反射する傾斜が設けられたものなどがある。なぜな
ら、本発明において、LEDチップからの発光を所望の
方向に導くために設計された反射部でもって、図2に示
すようにその設計された光の方向より僅かにずれた光を
発生させるため、所望の指向角内に適度な光の分布が可
能になる。
れるリード電極には、発光素子であるLEDチップを配
置すると共に反射板としての機能を持たせることができ
る。反射機能を向上させるためにリード先端をカップ形
状とした反射部を形成することが好ましく、その大きさ
はLEDチップをダイボンド等の機器で積載するのに十
分なものであれば良い。また、カップの形状も、発光観
測面側から観て、トラック状、楕円状、長方形状等様々
な形状が選択でき、図3に示すようにトラック状、若し
くは扁平した(長軸方向に長く伸びた形状)楕円状のカ
ップで、カップの長手方向を樹脂レンズの長軸方向にほ
ぼ一致するように配置すると、水平(樹脂レンズの長
軸)方向に広視野角が確保でき好ましい。
EDチップの個数は、1個に限定されず、後述するよう
に素子構造若しくは発光色の異なるLEDチップ、又は
同色系若しくは同一のLEDチップを、複数個1つのリ
ード電極に載置してもよく、これらLEDチップが載置
されたリード電極を複数個組み合わせてモールド部材で
封止されていてもよい。
反射部の形状は、特に限定されず用途に応じて使い分け
ることができる。ここで、図1,6に観るように、視野
角を広げるために、樹脂レンズの形状が発光観測面側か
ら観て楕円状である場合には、本発明の発光ダイオード
は、光沢度の調整されたリード電極を用いることで、広
い指向性を有し、且つその広い指向角内において良好な
光の広がりが実現される。
ダイオードでは、樹脂レンズ中に拡散剤等を添加して、
光を拡散し、指向角内における放射強度の差を緩和して
いた。しかしこの方法では、図3に観るように、素子か
らの光が拡散剤により拡散されるが、この時光は無指向
に拡散し、更に拡散剤による光の吸収もあるため、結果
として所望の指向角内における輝度は、低下していた。
しかし、本発明では、図2に示すように、素子から出射
した光は、光沢度の調整されたリード電極表面(反射
部)で反射・拡散されるため、所望の指向角内におい
て、適度に放射強度が分散された光を出射する発光ダイ
オードとなる。
が載置されたリード電極の面でもって反射されるため、
光が無指向に広がらず、また素子の比較的近傍で光の反
射・拡散がなされるため、光軸から大きくずれた高角度
側への光の放射が最小限に抑えられる。更に、上述のリ
ード電極に設けられた反射部により、素子からの光が反
射される場合には、反射される光の量が増え、この反射
部から反射する光は放射強度のばらつきの少ない光とな
る。なぜなら、この反射部では、所望の方向への光を調
節されている、すなわち光学設計された反射部において
光が適度に拡散されるため、所望の指向角内で良好な光
の広がりが実現される。
脂レンズの長手方向と、各リード電極を結ぶ方向とが平
行となっているが、図9のように垂直であってもよく、
それ以外の位置関係にあってもかまわない。
の異なる複数のLEDチップからなる発光ダイオードと
は、図8に示すように、具体的には一つのリード電極に
設けられた反射部内に各々のLEDチップを載置して、
各LEDチップに対応するもう一方のリード電極にワイ
ヤーボンディングされて、形成される発光ダイオードな
どである。ここで、素子構造の異なるLEDチップと
は、後述するように素子自身の指向特性が異なるものを
指す。例えば、RGB三色(図9)、黄色と青緑色(図
8)のLEDチップをカップ状の反射部に載置し、それ
ぞれのチップに対応するリード電極に接続されているも
の等がある。しかし、これらの発光ダイオードは、少な
くとも異なるLEDチップを有しているため、そのまま
では混色性の劣るものとなる。ここで、異なるLEDチ
ップとは、チップの大きさ、構造、組成等があり、結果
として各チップからチップ自身の指向性、すなわち各チ
ップから出射する光の広がり方も異なるため、従来、図
8に観るように単純に各素子を配列しただけでは、各発
光色ごとに異なる指向特性となり、その結果得られる発
光ダイオードは混色性が悪くなる。
を、同一の反射部に複数個載置した場合に、輝度のばら
つきが改善され、混色性が良好になる。これは、各LE
Dチップから出射した光は、図2で観るように光沢の度
合いが調節された本発明のリード電極若しくは反射部で
反射されるため、LEDチップの違いを吸収・緩和して
良好な指向特性を有する発光ダイオードとなる。すなわ
ち、D値の調節されたリード電極で光が反射されるた
め、各チップからの反射光はチップ間の違いが大幅に抑
えられたものとなり、その結果、本発明の発光ダイオー
ドは容易に良好な混色性を得ることができる。
を有するものであれば特に限定されず、合成樹脂などが
用いられる。ここで、透光性とは、無色透明なものだけ
でなく、発光色の調整、コントラスト比の向上等のため
に、着色したものであっても良い。
ードを複数配列したものには、様々なものがあり、同一
若しくは同色系の発光ダイオード、上述した異なるLE
Dチップからなる発光ダイオード、発光色の異なる発光
ダイオード等、若しくは、これらを組み合わせて複数個
配列したものなどがある。例えば、発光色の異なる発光
ダイオードを配列したものとして、赤、緑、青の三色の
発光ダイオードを1画素としてそれを所望の数だけ配置
したマルチカラーのドットマトリックスディスプレイな
どがある。従来、このような複数個の発光ダイオードを
配列した表示装置は、特に正面からはずれて斜めに観察
したときに、輝度のばらつきの問題があった。なぜな
ら、表示装置は、例えば実装時のズレなど様々な要因か
ら、発光ダイオード同士で僅かながらも光軸のずれた状
態で、表示装置が形成されるため、結果としてそれを構
成する各発光ダイオードの指向性に敏感なものとなるか
らである。詳しくは、発光ダイオードの調整された指向
角内で、光の強度の比較的急激な変化、例えば図11
(X)における20°付近、を有していれば、上述した
ように光軸がずれて実装されているために、この強度の
変化は、ある発光ダイオードは強度が大きく、ある発光
ダイオードは強度が小さく、結局、表示装置全体で捉え
たとき、発光強度の異なる発光ダイオードで構成されて
いるようにみえるためである。
したように所望の視野角内、すなわち調節された光の広
がりにおいて、光度がなだらかに変化するため、この発
光ダイオードからなる表示装置は、上述のこのような光
軸のズレに対しても、従来のように輝度のばらつきが目
立たないものとなる。
状に並べた場合、各発光ダイオードについて光度ではな
く、輝度を考慮する必要がある。すなわち、輝度とは、
光源の微小面積dS、光源の法線方向からの角度θ、そ
の方向における光度をIrとしたとき、任意方向の輝度
Lrは次式で表される。
発光ダイオードの光軸からの任意方向における光度が次
式(A)で表される値であると、任意の方向における輝
度が一定となる。
施した領域(A)として示すように、任意の指向角内で
この曲線に一致するように、設計することが面状の表示
装置に用いる発光ダイオードで重要となる。
に所望の視野角で、適度に光を分散することが可能であ
り、図12の点線に観るように、光軸からずれた方向で
の輝度の落ち込みが改善され、これを用いた面状の表示
装置は、斜めの方向から観ても表示された図形などが良
好に観察される。また、マルチカラーの表示装置のよう
に、1画素に異なる発光ダイオードを用いた場合でも、
所望の視野角で、上記の(A)と輝度がほぼ一致してい
るため、その表示装置は、その視野角において輝度のば
らつきのないものとなる。
ドが、複数の種類から成る場合には、上述したように各
発光ダイオードは種類の違いが吸収・緩和されているた
め、このような作用は顕著であり、従来では輝度のばら
つきを悪化させることになる複数種の発光ダイオードか
らなる表示装置において、本発明のそれは良好な視野
角、視認性、混色性を有するものとなる。また、このよ
うな効果は、上述した異なるLEDチップを一つのリー
ド電極に載置してなる発光ダイオードでも、同様になる
ことはいうまでもない。
イオードを図5に示し、その構成を以下に示す。この発
光ダイオードは、一対のリード電極204,205を有
し、一方のリード電極204にLEDチップを載置する
ための反射部208が設けられている。この反射部20
8は図で観るように、発光観測面側から観て円形状で
(図5−a)、凹部にLEDチップをダイボンディング
されており(図5−b)、さらにこのLEDチップは他
方のリード電極205に金線などでワイヤーボンディン
グされている。これらがモールド部材でもって封止さ
れ、図に示すような発光観測面側から観て円形状で、砲
弾型樹脂レンズとなっている。
度合いをGAM社製のDensitmeter Mod
el 144を用いて測定したところ、D=0.15で
あり、この発光ダイオードのX方向における指向特性は
図10の実線部で示すようになった。斜線部で示す比較
例1のそれと比べて、光軸から20°内でなだらかな曲
線を呈しており、所望の視野角内に光が適度に分布して
いる発光ダイオードであった。すなわち、光軸からずれ
たところでも、光度の低下が少ない発光ダイオードであ
り、実装時の光軸のずれにも問題なく用いることがで
き、このため発光ダイオードを複数並べて用いるような
場合に有利に作用する。
電色工業株式会社製の微小面積色差計VSR 300A
(スポット径50μm)を用いて、反射部の内面、詳し
くはカップの底面(その一部)を測定したところ、同様
にD=0.15であった。
ード電極204は、その先端部に設けられた反射部20
8の形状が図1で観るように、発光観測面側から観て円
形状で、樹脂レンズも楕円形状であることを除いて、実
施例1と同様にして図1で示す発光ダイオードを作製し
た。この時、リード電極の光沢度Dは、0.2であっ
た。 また、実施例1と同様に、リード電極の光沢の度
合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計VS
R 300A(スポット径50μm)を用いて、反射部
の内面、詳しくはカップの底面(その一部)を測定した
ところ、同様にD=0.2であった。このような楕円状
の樹脂レンズは、発光観測面側から観て樹脂レンズの長
手方向(図1のX方向)に視野角が広く、且つ発光の広
がりも良好な発光ダイオードとすることができる。な
お、LEDチップは、窒化ガリウム系化合物半導体から
なるものであった。1得られた発光ダイオードは、比較
例2のそれに比べて、その指向特性図は、20〜30°
付近の凹凸部が無くなり、なだらかな曲線を呈してお
り、指向角の比較的広い発光ダイオードにおいても、容
易に良好な光の広がりが実現できることがわかる。
すように、半導体層の表面402と、その一部を除去し
て露出した面401とに電極を設ける構造となってお
り、詳しくは後述するように、素子側面からの発光が比
較的強いため、比較例2の発光ダイオードに観られるよ
うに、光軸からずれたところに凸部がある指向特性図に
なる。しかし、本実施例の発光ダイオードは、このよう
な光軸からはずれた所に形成される比較的光の強いとこ
ろを無くし、その分を光軸からずれた位置における光の
強度を強くし、その結果広い視野角でもって、光度の変
化の少ない指向性を有するものとなっている。また、図
11においてハッチング領域(A)で示すように、上述
した輝度一定の領域に35°(視野角70°)で良好に
一致しており、この発光ダイオードを用いた表示装置
は、この視野角において輝度が一定となると思われ、比
較例2のように輝度の変化のないものとなる。
6に示すように、リード電極204の先端部には、トラ
ック状の反射部208が設けられており、その底部に窒
化ガリウム系化合物半導体からなる青色のLEDチップ
201をダイボンディングし、ワイヤーボンディング2
07,208して、モールド部材206により封止され
た発光ダイオードである。この時、リード電極の光沢度
Dは、0.1であり、モールド部材206は図に観るよ
うに、発光観測面側から観て楕円状であり(図7−
a)、その先端部は樹脂レンズ状に形成されている(図
7−b)。ここで、実施例1と同様に、リード電極の光
沢の度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差
計VSR 300A(スポット径50μm)を用いて、
反射部の内面、詳しくはカップの底面(その一部)を測
定したところ、同様にD=0.1であった。また、LE
Dチップは、その電極が、窒化ガリウム系化合物半導体
を積層した表面402と、その半導体層の一部をエッチ
ングなどにより除去して露出した面401とに、形成さ
れている。このLEDチップは、図2−bに示すよう
に、素子の側面から出射する光が強いため、従来の発光
ダイオードである比較例3では、図12の特性図に示す
ように、光軸から40〜60°の所に観られる凹凸がで
き、特有の指向性を有するものである。これは、積層し
た半導体層の一部を露出して、同一面側に一対の電極を
形成する素子構造の場合、面方向の電流の流れが多いな
どの要因から、図2−aのような半導体層を挟んで対向
する位置に電極がある素子に比べて、側面からの光が強
くなるためである。
12に示すように、光軸からずれたところでも、なだら
かな指向特性を有しており、良好な光の広がりを実現で
きる。また、モールド部材の形状が本実施例のように楕
円状の樹脂レンズでは(図6)、その長軸方向(図6の
X方向)で、視野角の広い光となるが、得られた発光ダ
イオードは、その広い視野角内において良好な光の広が
りが実現されている。上述した指向特性図における凹凸
の形成は、視野角を広くするほど顕著であり、すなわち
光の広がりが悪化するが、本実施例で得られた発光ダイ
オードは、その問題を解決できている。このことは、上
述した輝度一定の領域(A)でも明らかなように、実施
例の発光ダイオードは、図12に示すように、輝度一定
の曲線(A)と良好な一致を示しており、視野角120
°で輝度一定の発光ダイオードが得られた。
実施例では120°に設計されている)場合には、光沢
度Dは、0.1プラスマイナス0.05の範囲に調整す
ることで、上述したような特性、指向特性図において滑
らかな曲線を有すること、広視野角で輝度一定となるこ
と、が可能となるため好ましい。
ードを複数個配列してなる表示装置において、従来は個
々の発光ダイオードの輝度のばらつきが目立つものとな
るが、どの位置からでもそのような問題が無く、従って
このような樹脂レンズ若しくは反射部の形状を用いた場
合でも、広い指向角内で良好な光の広がり、すなわち広
指向角(120°)で輝度が一定の表示装置を容易に実
現している。
発光素子からなる発光ダイオードの一実施例として、図
8に示すような発光ダイオードを作製する。発光素子と
して黄色201、実施例3と同様な素子若しくは電極の
構造を有する青緑色202のLEDチップを用い、これ
らを図に示すように、リード電極204の先端部に形成
された楕円状の凹部(反射部208)にダイボンディン
グした。各素子の電極をワイヤーボンディングしてリー
ド電極205,205´に接続し、モールド部材で楕円
形状となる樹脂レンズ状に封止しした。この時、リード
電極の光沢度Dは、0.3であった。この発光ダイオー
ドについて、リード電極204に設けられた反射部20
8の長手方向(X方向)における指向特性を、図13に
示す。
をそれぞれ個別に発光させたときの指向特性は、図13
に示すように、良好な一致を示しており、異なる素子を
同一のリード電極に載置しても、発光ダイオードは良好
な混色性を有していた。従来は、このように単に各素子
を載置しただけでは、各素子ごとの指向性の違いが顕著
にあらわれ、特にこの実施例に観るような、X方向に広
い視野角を有する場合には、その違いは大きくなり、広
い視野角内においてその混色性は大きく異なるものであ
る。本実施例では、単に各素子を反射部に載置しただけ
で、容易に広い視野角のほぼ全域で、良好な指向性の一
致が実現でき、素子の違いを意識せずに発光ダイオード
の設計を可能にしている。
すように、LEDチップとして赤201、緑202、青
色203の3つを、リード電極204の先端部に設けら
れたトラック状の反射部208における凹部の底にダイ
ボンディングし、各リード電極205,205´,20
5´´と接続し、発光観測面側から観て楕円状となるよ
うに、モールド部材206で樹脂レンズ状に封止した。
この時、リード電極の光沢度Dは、0.1であった。な
お、緑色202及び青色203の発光素子は、実施例
3,4の素子と同様に、同一面側に正負一対の電極を有
するもので、一方の電極は、露出した下層の表面に形成
されている窒化ガリウム系化合物半導体素子である。
X方向について各素子を単独で発光させてその指向特性
を測定した結果、図14に示すように、良好な混色性を
有していた。このことは、素子の異なるものを同一の反
射部に載置しても、指向性の良好な一致が実現できるこ
とを示すものである。すなわちこれは、指向性の異なる
複数個のLEDチップを同一のリード電極に載置して
も、本発明の発光ダイオードは、そのチップ間の違いを
緩和し、ただそれらのチップを並べるだけで容易に指向
性の一致を実現できることを示唆するものである。
すように、視野角80°でその領域と好ましく一致して
おり、輝度一定となり、更にその外側でも(A)からそ
れほどはずれておらず、良好な複数のLEDチップから
なる発光ダイオードが得られた。
向性の一致は観られず、特に構造の大きく異なる赤色
と、緑若しくは青色とでは、その指向性にも大きな違い
があり、従来その違いを解消するため、特別な形状の反
射部を用いたり、各チップの配置の工夫等を行っていた
が、この実施例で得られたような、指向性の一致にはほ
ど遠く、混色性の良好なものとはならなかった。
6に示す表面実装タイプの発光ダイオードを作製した。
この時、LEDチップは、図に観るように、リード電極
先端部に設けられた凹部(反射部)にダイボンディング
したものであり、リード電極の光沢度は、D=0.05
である。また、実施例1と同様に、リード電極の光沢の
度合いを、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計V
SR 300A(スポット径50μm)を用いて、反射
部の内面、詳しくはカップの底面(その一部)を測定し
たところ、同様にD=0.05であった。得られた発光
ダイオードは、良好な発光及び指向性を有しており、実
装タイプの発光ダイオードでも容易に発光特性の向上を
可能にした。
ップが載置されたリード電極204の表面の一部(図7
の斜線部)が、光沢度D=0.1で、その他の部分(斜
線部以外の領域)及びリード電極205の表面はD=
1.0となるようにした。得られた発光ダイオードの指
向特性は、実施例5とほぼ同等に良好なものであった。
また、実施例1と同様に、リード電極の光沢の度合い
を、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計VSR
300A(スポット径50μm)を用いて、反射部の内
面、詳しくはカップの底面(その一部)を測定したとこ
ろ、同様にD=0.1であった。
Dチップに代わり、赤色のLEDチップと、窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる緑色のLEDチップを用いた
発光ダイオードを用意した。この時のリード電極の光沢
度Dは、0.1である。各発光ダイオードの指向特性
は、ほぼ同等なものであり、指向半値角が広く、且つ水
平方向に広い視認性を有するものであった。これらの
赤、緑、青色すなわちRGB三色を1画素とし、表示装
置として16×16のドットマトリクスディスプレイを
作製した。得られた表示装置は、広い視野角において十
分な輝度を有しており、各色の指向特性がほぼ一致して
いるため、その広い視野角において良好な混色性を有す
るものであった。また、これらLEDチップが異なる場
合には、各LEDチップごとに光沢度を最適化して、チ
ップごとにことなるリード電極を用いてもよい。
度の調節された表面(以下、光沢度調整領域と記す)を
有するリード電極の形成方法ついて、その1実施形態に
ついて、以下説明する。
形成に、メッキによるリード電極の皮膜上記光沢度Dの
範囲にある表面を形成するものである。具体的な実施例
としては、図15にみるように、少なくとも2段階でリ
ード電極をメッキすることである。以下、具体的なメッ
キ工程について、順を追って説明する。
電極には、耐食性を持たせるために、何らかの皮膜が施
されており、その中でメッキによるものが、多用されて
いる。 図15に示すように、適当な搬送手段503等
により、複数のリード電極が連なったもの(連結された
リード電極)を搬送することで、各メッキを行う。すな
わち、連結されたリード電極をリール・トウ・リール
(ロール・トウ・ロール)でメッキするものであり、そ
のメッキが後述するように少なくとも第1のメッキ工程
と、第2のメッキ工程具えることである。先ず、第1の
メッキ工程として、図15に示す第3のメッキ浴501
により、リード電極のほぼ全面を浸して、電気メッキに
より、リード電極のほぼ全面に銀メッキを施す。この
時、第1のメッキ工程により形成された皮膜、すなわち
リード電極のほぼ全面の光沢度Dは、1.0であった。
次に、図15に示すように、第2のメッキ工程として、
リード電極端部から反射部を含む所望の領域まで、第4
のメッキ浴に浸して、部分的にメッキを施す。このと
き、第2のメッキ工程では、メッキ皮膜によるリード電
極の表面の光沢度Dが、上記範囲(0.05<D<0.
5)となるように、電気メッキにより銀メッキするもの
であり、第2のメッキ工程により形成された皮膜の表面
の光沢度Dは、0.2であった。このように、上記第1
及び第2のメッキ工程を経ることで、選択的に所望の領
域に光沢度の調整された表面を有するリード電極が得ら
れる。このリード電極の反射部に、LEDチップをダイ
ボンディングし、モールド部材として透光性樹脂で封止
し、図18に示す斜線部の表面の光沢度Dが0.05〜
0.5の範囲にある発光ダイオードが得られる。また、
本実施例では、上記第3のメッキ浴、第4のメッキ浴を
シアン系の銀を用いた。第2のメッキ工程では、図17
(a)に示すように、矢印の方向でもって、図中のタイ
バー507の位置までメッキされる深さでメッキ浴に浸
漬し(図16(b))、図18(b)に示すように、斜
線部が光沢度0.2にある発光ダイオードを形成した。
この時、反射部の形状、LEDチップは実施例1と同様
であり、発光ダイオードの発光特性もほぼ同等なもので
あった。
れた領域(光沢度調整領域)を有するリード電極を有す
る発光ダイオードの製造方法は、リード電極のメッキに
おいて、少なくともリード電極のほぼ全面にメッキする
第1のメッキ工程と、その後に部分的にメッキする第2
のメッキ工程を具備するものである。詳しくは、反射部
を有するリード電極において、反射部を含む部分的な領
域における光沢度Dが上記範囲にある表面を形成し、す
るものである。この時、好ましくは、上記光沢度の調整
された領域以外の領域は、その表面の光沢度Dが、0.
5を超えるようにすることである。なぜなら、光沢度D
が0.5を超えるような、皮膜が形成されることで、比
較的緻密なメッキとなり、耐食性が向上する。すなわ
ち、反射部を含む部分的な領域(光沢度調整領域)の表
面が、上述した光の広がりを良好にする上記光沢度Dの
範囲にあり、その他の部分が一般的な緻密で光沢性のあ
るメッキ皮膜を形成するものである。加えて、上記範囲
にある光沢度調整領域では、モールド部材とのぬれ性
が、より緻密な表面有する領域に比べて高い傾向にあ
り、それはモールド部材が所望とする領域以上に、リー
ド電極表面に広がる傾向にあり、これがはんだ付け性に
悪影響を与えるため、これを回避することが好ましい。
つまり、詳しくは後述するように、モールド部材で被覆
する領域以上に、すなわち被覆領域の外部にいたるま
で、光沢度調整領域を形成すると、モールド部材が所望
とする被覆領域よりも表面に広がって、特に光沢度調整
領域表面をモールド部材がはい上がるように、表面を薄
くモールド部材が被覆すると、薄く被覆された領域で
は、はんだ付けを悪化することにある。以下、上記範囲
(0.05<D<0.5、好ましくは、0.1<D<
0.3)の光沢度にある表面を非光沢面、光沢度Dが
0.5を超える表面を光沢面と記す。
ド電極のほぼ全面にメッキすることである。具体的に
は、図16(a)に示すように、リール・トウ・リール
で複数連なったリード電極(連結されたリード電極)を
メッキするための第3のメッキ浴に浸漬し、メッキ皮膜
をリード電極のほぼ全面に形成する。この時、リード電
極のほぼ全面とは、上記メッキ工程における連結された
リード電極、若しくは一対のリード電極のほぼ全面であ
ることに限定されず、得られる発光ダイオードのリード
電極のほぼ全面となるようにメッキするものである。す
なわち、発光ダイオードに用いられないリード電極の一
部、つまりメッキ工程を経た後、除去される部分の表面
には、特に第1のメッキ工程においてメッキされる必要
はなく、発光ダイオードに用いるリード電極のほぼ全面
がメッキされるように、第1のメッキ工程を具えれば十
分である。具体的には、図17の連結されたリード電極
において、リール・トウ・リールで送り出す際に用いる
レール部509、加えてその近傍のリード電極の一部、
タイバー(若しくはその一部)507等がある。
的なメッキをリード電極に施すものである。部分的にメ
ッキされることにより、反射部を含むリード電極の一部
の表面が上記非光沢面となるような、光沢度調整領域を
リード電極に少なくとも設けるものである。このため、
具体的には第2のメッキ工程において、メッキするリー
ド電極の部分的な領域とは、反射部を含む領域の場合
と、反射部を除く領域の場合とがある。具体的には、図
17において矢印の方向がメッキ浴に浸漬する方向を示
すものであり、前者の場合は図中の矢印の方向に相当
し、後者の場合は図中の矢印と反対方向に相当し、すな
わちレール部509からメッキ浴に近づける。詳しく
は、図17の矢印方向の場合、すなわち反射部を含む部
分的な領域を第2のメッキ工程によりメッキする場合、
図中の矢印方向にメッキ浴の液面に近づけ、図16
(b)に示すようにリード電極の反射部含む領域(図中
ではリード電極の反射部に近い端部から反射部を越える
深さ)で浸漬する。また、反射部を除く領域の場合に
は、図16(b)に示すように、リードフレームを図中
の矢印の方向にメッキ浴の液面に近づけ、反射部近傍ま
で、具体的には後述する理由からタイバーの手前まで浸
漬する。このようにして、反射部を含む部分的な領域
を、上記光沢度Dの範囲にある光沢度調整領域とするも
のである。より詳しくは、各メッキ浴を有するセルの高
さを変えて、リード電極を浸漬する深さを決定して光沢
度調整領域を形成する。これは、各メッキ工程で用いる
メッキ浴を、メッキ浴を内部に有するセルと、更にその
セルを内部に有する槽を用いて、各メッキ工程をその槽
に割り当て、それらの槽を並べて、図15にみるように
連結されたリード電極を槽及びセルに設けられたスリッ
トを通すことでメッキし、この時のメッキ浴のリード電
極に対する位置で浸漬する深さを決定する。
分的な領域としては、上述したように、少なくともLE
Dからの発光を主に反射する反射部を含む領域を指すも
のであり、この反射部が上記光沢度の調整された領域で
あることが必要である。すなわち、それ以外の領域にお
いて、リード電極は特に光沢度が調節されている必要が
なく、リード電極のメッキでは、リード電極の反射部を
除くほぼ全面に上記光沢面をメッキ皮膜が形成され、上
記反射部を含む部分的な領域を非光沢面とするために、
本発明はほぼ全面にメッキする第1のメッキ工程と、部
分的にメッキする第2のメッキ工程を具えるものであ
る。
イオードの製造方法は、上述したメッキ処理したリード
電極を用いるものである。上述したような少なくとも反
射部を含む部分的な領域が上記光沢度の範囲にある(光
沢度調整領域)リード電極を用いてLEDチップをダイ
ボンディングし、モールド部材により封止することで、
良好な指向性を有する発光ダイオードとして形成するも
のである。
オードの製造を生産性の良好なものとして、形成するも
のである。詳しくは、連結されたリード電極を第1の搬
送手段から送り出し、第2の搬送手段により巻き取る間
に、少なくとも上記第1のメッキ工程と、第2のメッキ
工程とを具えることで、上記発光ダイオードの製造を実
現するものである。そのため、好ましくは第1の工程
と、第2の工程のみを具えることで、生産において最も
簡略化され、且つ良好な指向性を有する発光ダイオード
の形成に十分なリード電極となる。
では、メッキ浴にリード電極を部分的に浸漬するため、
特に上記光沢度調整領域である部分的な領域の制御が困
難な問題があり、以下、このことについて説明する。リ
ード電極素地の上に、直接上記範囲の光沢度にある
(0.05<D<0.5)非光沢面(メッキ皮膜)を形
成するだけでは、上記光沢面の形成(メッキ皮膜)に比
べて、皮膜の緻密性が劣るため耐食性に劣り、メッキ処
理に費やす時間が増えるなど、生産性も劣る。そのた
め、好ましくは、実施例9に示すように、第1のメッキ
工程により、リード電極のほぼ全面に上記光沢面を形成
し、その後に第2のメッキ工程により反射部を含む部分
的な領域を非光沢面を形成することである。すなわち、
第1のメッキ工程によりリード電極のほぼ全面にメッキ
し、後の第2のメッキ工程により、反射部を含む部分的
な領域を、上記範囲(0.05<D<0.5、好ましく
は0.1<D<0.3)の光沢度Dになるようメッキ
し、この時第1のメッキ工程では光沢度Dが第2のメッ
キ工程のそれより大きくなるようにすることである。
る領域において、光沢度の調節された部分的な領域(上
記光沢度調整領域)を有するリード電極用いた発光ダイ
オード及びその製造を目的とするものであり、生産性に
富み、精度良く発光ダイオードを得られるものとするた
め、部分的なメッキ皮膜の形成について考慮しなければ
ならない。詳しくは、メッキ浴に浸漬した際に、第2の
メッキ工程における部分的なメッキの精度を上げるた
め、メッキ液面がリードフレームの濡れ性等により、そ
の液面が上昇するため、それを考慮する必要がある。具
体的には、図17において、斜線部のタイバー507の
位置で制御することで、精度良く第2のメッキ工程を行
うことができる。それは、タイバーの手前までメッキ浴
の液面に浸漬し、タイバーによりその形状変化、表面積
変化があるため、リード電極を浸漬したときにこのタイ
バーの位置で、上記液面の上昇が抑えられ、精度良く部
分的なメッキ(第2のメッキ工程)が行われる。すなわ
ち、上記タイバーのように形状変化、表面積変化を有し
ていない位置で、部分的なメッキを実施すると、連結さ
れた各リード電極間若しくはそれを構成するリードごと
のばらつきが大きくなる。従って、上記タイバーの位置
で、第2のメッキ工程における部分的なメッキをするこ
とで、量産性を確保しながら良好な精度でもって部分的
なメッキ皮膜を形成することができる。これにより形成
される発光ダイオードは、タイバーを残すことによるス
トッパー部より反射部含むリード電極端部までの領域
に、上記光沢度調整領域が形成されることとなる。
ッキ浴の種類は、特に限定するものではなく、リード電
極のメッキとして知られているメッキで良い。具体例と
しては、実施例で示す銀メッキ、その他にはAu、Ni
等若しくはそれらの合金メッキを用いることができる。
また、第1のメッキ工程、第2のメッキ工程におけるメ
ッキは、メッキの種類が異なっていても良い。例えば、
第1のメッキ工程において、リード電極のほぼ全面に銀
メッキを施し、第2のメッキ工程において、部分的にA
uメッキを施すなどが、可能である。また、第1のメッ
キ工程、第2のメッキ工程において、上記非光沢面(光
沢度調整領域)、光沢面の形成は、メッキ浴の組成、光
沢剤、緩衝剤などの添加剤の有無、種類若しくは添加
量、浴温、電流密度、攪拌などのメッキ条件、等を変化
させることにより、所望の光沢度を有する皮膜(リード
電極の表面)を形成する。更に、各メッキ工程におい
て、特にメッキ方法は限定されないが、メッキの種類ご
とに工業的に、生産性に有利な方法が、適宜選択され
る。
も考慮してリード電極を形成することが好ましい。具体
的には、前記非光沢面を形成するメッキ工程では、上記
耐食性が十分に確保される緻密な皮膜が形成されにくい
傾向があるため、下層に緻密な皮膜を形成するか、その
非光沢面の下の素地が露出しないように、上層に緻密な
皮膜を形成するか、モールド樹脂などで覆うことで対処
する。
樹脂の形成においても、留意すべきことがある。それ
は、上記非光沢面が反射部を含む領域で形成されるもの
であり、反射部はモールド部材により封止されるため、
このモールド部材による封止の際にあらわれるぬれ性で
ある。詳しくは、上記非光沢面は、封止の際若しくは封
止の前処理の際に、光沢面に比べて、それらモールド部
材若しくは前処理剤とのぬれ性が良好なため、それらが
所望の領域以上に広がることである。このことは、はん
だ付け不良を招く原因となる。なぜなら、モールド部材
が必要以上にリード電極表面に広がって形成されると、
はんだ付け位置までおよび、はんだ付け時にリード電極
表面がモールド部材に覆われていると、はんだ付け性を
悪化させ、はんだ付け不良を発生させるためである。こ
のため、反射部を含む領域を非光沢面とする際には、上
述したように、モールド部材に覆われるように封止され
る領域の内部に形成するか、はんだ付け位置よりも反射
部側にある上記モールド部材がはんだ付け不良を起こす
位置まで、はい上がる現象を回避できる。
明においては、反射部を含む部分的な領域において、光
沢度を調節したリード電極の形成(光沢度調整領域)
が、リール・トウ・リールにおいて上述の第1のメッキ
工程及び第2のメッキ工程を具備する方法により、生産
性良く且つ指向特性の良好な発光ダイオードを製造する
ものである。
の範囲にあるメッキ皮膜では、上述したようにモールド
部材が所望の封止領域より広い面積で封止され、ボンデ
ィング不良が発生したり、リード電極素地上に単一の皮
膜として形成される場合には、腐食性・耐候性等に劣
り、保管性に乏しいといった問題の発生を防ぐことにあ
る。すなわち、少なくともLEDチップからの発光を所
望に光学設計可能な反射部が、上記光沢度の範囲(0.
05<D<0.5)にあればよいため、それ以外の領域
は上記問題を解決する従来と同様な緻密なメッキ皮膜
を、形成することである。
を含む部分的な領域を光沢度調整領域とし、それ以外の
領域を別の光沢度、好ましくはその光沢度調整領域より
光沢度を高くすることで、具体的には上述したように光
沢度Dが0.5を超える値で、好ましくは更に0.8よ
り大きい表面を呈することであり、上記製造方法におい
てはそのようなメッキ皮膜を形成することである。しか
し、このようにリード電極に少なくとも上記光沢度調整
領域である部分的な領域と、上記問題を回避できるよう
にそれ以外の領域を設けるのには、生産性、生産コスト
の問題が伴うことになる。
結されたリード電極を少なくとも2つの搬送手段により
送り出して巻き取られるまでに、上記第1のメッキ工程
と第2のメッキ工程とを具備すること、すなわち、図1
5,16にみるようにリール・トウ・リールで上記反射
部を含む部分的な領域を光沢度調整領域とした発光ダイ
オードを製造することである。このことにより、上述し
た問題を解決し、生産性良く、且つ精度良く発光ダイオ
ードの製造が可能となる。第2のメッキ工程では、部分
的なメッキをリード電極に施すが、このとき図17に示
すように、矢印の方向にメッキ浴浸漬させ、反射部50
5を含む領域をメッキする態様と、図中の矢印とは逆方
向に浸漬させ、反射部505を除く領域をメッキする態
様とがあり、上述した理由から好ましくは、前者の態様
である。また、図17にみるように、リード電極を浸漬
する方向は、矢印の方向、それに反対の方向であり、こ
の時図中の斜線を施したタイバー507でメッキを制御
すると良好な精度でもって、部分的なメッキ(第2のメ
ッキ工程)が可能である。
は、図18に示すように、少なくとも反射部を含む部分
的な領域(図中の斜線部506)が光沢度調整領域にあ
り、LEDチップからの発光を良好な指向性でもって、
光の広がりを実現するものである。図18に観るよう
に、本発明の発光ダイオードは、モールド部材206に
より封止された領域に、リード電極204,205の一
方の端部と、LEDチップが載置された反射部を含み、
この一方の端部より反射部を含む領域を光沢度調整領域
として形成されている。この光沢度調整領域以外の領域
は、上述した理由から光沢度を高くすることが好まし
い。実施例7、図6に示すように、モールド部材に被覆
された領域(第1の領域)と、その外部に露出した領域
(第2の領域)とを有する場合には、第1の領域が第2
の領域より光沢度Dが小さく、更にはその光沢度Dが
0.05<D<0.5の範囲にあることが好ましい。
ード電極に少なくとも2つの領域が存在することは、各
領域で表面状態が異なることから、モールド部材による
封止、実装時のはんだ付けの際に、接着性、ぬれ性など
が異なるため、その影響を受けないように配慮する必要
が生じる。このことは、すなわち上記第1の領域、第2
の領域の場合には、モールド部材で被覆される領域でも
って光沢度調整領域が形成されることにより、外部の領
域(第2の領域)と隔てられ、上記表面状態の違いを認
識せずとも、その発光ダイオードを取り扱うことが可能
となる。
んだ付け位置(はんだ領域)よりも、離れた位置から反
射部を含む領域を光沢度調整領域とすること、更に好ま
しくは上記理由から、タイバーを残すことによるストッ
パー部から反射部を含む領域を光沢度調整領域とするこ
とである。
ッキを施す際に(第2のメッキ工程)、リード電極のど
ちらかの端部側から浸漬することによるものである。
メッキ工程によりリード電極の表面が上記非光沢面とな
るメッキを行い、その後に、第2のメッキ工程により部
分的に光沢面を形成する実施形態について、以下説明す
る。先ず、第1のメッキ工程により、図16(a)に示
すように、リード電極のほぼ全面にメッキするように第
3のメッキ浴に浸漬し、表面の光沢度Dが0.2にある
メッキ皮膜を形成するが、この時図17で示す連結され
たリード電極のレール部509を下にして浸漬する。次
に、第2のメッキ工程として、図17(a)において、
矢印と反対方向でもって、第4のメッキ浴液面に近づ
け、タイバー507のところで液面の上昇を抑えるよう
に、そのタイバー507手前までリードを浸漬し、光沢
度1.0のメッキ皮膜を形成した。この時、リード電極
の表面状態、メッキ浴の組成などにより、浸漬する深さ
を決定する。得られたリード電極の反射部208の底面
の光沢度Dを、実施例1と同様に、日本電色工業株式会
社製の微小面積色差計VSR 300A(スポット径5
0μm)を用いて、反射部の内面、詳しくはカップの底
面(その一部)を測定したところ、同様にD=0.2で
あった。得られたリード電極を実施例9と同様に、LE
Dチップ208を反射部208にダイボンディングし、
透光性樹脂206で封止して発光ダイオードを得る。得
られる発光ダイオードは、図18(b)に示すように、
斜線部で示すストッパーから封止されたリード電極端部
までの領域が光沢度0.2にある光沢度調整領域を形成
でき、その発光特性は、実施例9とほぼ同様である。し
かし、モールド部材が被覆されない外部であって、スト
ッパー508よりモールド部材側の領域が、光沢度0.
2である比較的粗な皮膜だけが形成されているため、実
施例9に比べて、その保管性に僅かに劣るものである。
また、その製造においては、第1のメッキ工程での皮膜
の形成が実施例9のそれに比べて、時間を要するため、
量産性の比較で劣るものとなる。
て、図17(a)の矢印に示す方向にリード電極504
をメッキ浴液面に近づけ、図18(a)の斜線部に示す
非光沢面が形成されるように、図17(a)中のタイバ
ー506の手前となる深さまで図16(b)に示すよう
に浸漬したことを除いて、実施例9と同様にリード電極
を形成した。このリード電極を用いて、実施例9と同様
に、LEDチップをダイボンディングし、モールド部材
として透光性樹脂で封止し、発光ダイオードを得た。
に示すように、上記メッキ工程におけるリード電極のタ
イバー506を分断して残されたストッパー507の位
置から、反射部側(図中の斜線部)の表面が上記光沢度
調整領域となるものであった。この発光ダイオードの発
光特性は、実施例9と同様に良好なものであった。ま
た、上記第2のメッキ工程において、リード電極のタイ
バーまでを部分的にメッキすることで、実施例9に比べ
てメッキ皮膜の形成領域の精度が劣り、すなわち、各発
光ダイオードにおいてはリード電極の上記光沢度調整領
域にばらつきが多く、実施例9に比べてその歩留りに劣
るものである。
て、リード電極表面の光沢度Dを、1.2となるよう
に、光沢剤の添加量を増やした第3のメッキ浴を用いる
他は、実施例9と同様にしてリード電極を形成し、それ
を用いて発光ダイオードを形成した。得られたリード電
極は、前記非光沢面の下地に第1のメッキ工程により形
成された緻密な上記光沢面(光沢度D=1.2)が形成
されているため、耐食性が向上し、保管性に優れてい
る。また、それにより得られる発光ダイオードは、図1
7(b)におけるストッパー位置より反射部側(先端部
側)まで上記非光沢面が形成されているが、上述した様
なモールド樹脂により封止する際において樹脂がリード
電極に沿ってコーティングされる様な場合にも、上記非
光沢面と光沢面との境目でもって、そのような現象を抑
止する傾向にある。このため、上記ストッパー位置より
反射部側でその境目が形成されているため、通常のボン
ディング位置となるストッパー位置から反射部とは反対
側の位置まで、前記樹脂が這い上がることがなく良好な
発光ダイオードが形成される。また、光沢度Dが実施例
9に比べて高く、その皮膜は比較的緻密であるため、リ
ード電極としても発光ダイオードとしても良好な保管性
を有するものである。
に、切断除去後にストッパーとするタイバー507と反
射部505との間に、タイバー507´´を設けたリー
ド電極を用いる他は、実施例9と同様にして、第1のメ
ッキ工程、第2のメッキ工程を経てメッキを施す。この
時、第2のメッキ工程において、第4のメッキ浴に浸漬
の際には、実施例9とは異なり、タイバー507´´の
位置までメッキ皮膜が形成されるように、すなわち、上
述したようにこのタイバー507´´をメッキ浴液面の
上昇を抑える働きをさせ、反射部を含むタイバー507
´´までの部分的な領域を光沢度調整領域として、メッ
キ皮膜を形成する。次に、連結されたリード電極をタイ
バーを切断、除去して、発光ダイオードに用いるわけで
あるが、この時タイバー507は実施例9と同様に、そ
の一部を残して(突出部を形成)、ストッパー508と
して用いるが、タイバー507´´は、リード電極の面
に合わせるように、除去する。すなわち、タイバー50
7´´は、タイバー507と異なり、リード電極から突
出している一部を残してストッパーとせずに、突出した
部分がほぼなくなるまで、ほぼ完全にタイバー507´
´を除去する。このリード電極を用いて、発光ダイオー
ドを形成し、この時モールド部材は、ほぼタイバー50
7´´の位置まで覆うように、すなわちモールド部材が
被覆する領域の内部におさめるように形成する。こうす
ることで、上述したような光沢度調整領域がモールド部
材の外部に露出する問題を回避でき、保管性が高まり、
好ましい。得られる発光ダイオードは、発光特性につい
て実施例9と同様に良好で、広い指向半値角を有し、高
角度側でも良好な視認性を有するものであった。
バー507と反射部との間に、タイバー507´´を設
けて、部分的なメッキを施す際に、メッキ浴に浸漬した
際に、浴液面がリード電極表面を上昇することを防止
し、メッキ皮膜の位置精度を高めるように作用する。こ
のため、この様な作用を有する連結されたリード電極の
一部として、タイバー507´´を設けたが、これに限
定されず、そのような液面の上昇を抑え、メッキ皮膜を
所望の部分的な領域に精度良く形成するために、様々な
方法を採ることができる。例えば、タイバーと反射部と
の間に、タイバー507´´とは連結されていないこと
で異なり外形的に突出したような凸部を設けて、上記皮
膜精度を決定するものとする他、上述したような液面上
昇を抑える様々な外形的変化を設けて、メッキ工程を経
ることで、良好な光沢度調整領域の形成が可能である。
するタイバー等を設ける位置としては、本実施例で示す
ように、好ましくはモールド部材で被覆される領域の内
部とすることで、なぜならそれは、耐食性などの問題を
回避できるためである。モールド部材で被覆される領域
の外側にそのような位置決めのための部位をリード電極
に設ける場合は、その設けられる位置としては、一部を
残してストッパーとするタイバーと同様に決定されるも
のである。
1.0であることを除いて、実施例1と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図5
のX方向における指向特性が、図10に示すように、光
軸から20°ずれた範囲において、光度が下がってお
り、比較的光軸方向でのみ視認するような用途に限定さ
れるものとなっている。
0.6であることを除いて、実施例2と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図1
1に示す指向特性図に観るように、X,Y方向ともに全
体的にいびつな形状を呈している。図6−aのX方向に
おける指向特性(図11−X)は、20〜60°付近で
は、その光度に大きな差がある。そのため、このような
発光ダイオードを複数配列した表示装置では、正面から
はずれたところで、輝度のばらつきを生み出す。また、
図6−aのY方向についても同様に、その指向特性(図
11−Y)は、10°付近に凹凸が観られ、同様なこと
が懸念される。
0.6であることを除いて、実施例2と同様にして、発
光ダイオードを得た。得られた発光ダイオードは、図1
2に示す指向特性図に観るように、X,Y方向ともに全
体的にいびつな形状を呈しており、特に図1−aのX方
向における指向特性(図12−X)は、40〜60°付
近に比較的大きな凹凸が観られる。これは、例えば、こ
れらの発光ダイオードを、若しくはこれと異なる発光ダ
イオードと共に複数個配列した表示装置において、この
範囲における視野角内で輝度のばらつき、若しくは特定
の種類の発光ダイオードが目立つ結果となることを示唆
するものであり、このような利用が困難なことを示すも
のである。また、図1−bのY方向における指向特性
(図12−Y)についても同様であり、X方向に比べて
その半値指向角が狭いため、顕著なものとはならない
が、それでも同様な傾向にあり、複数個配列した場合に
懸念されるものとなる。
部材206中に実施例3と同程度の指向特性となるよう
に、拡散剤301を添加したことを除いて、比較例2と
同様にして発光ダイオードを得た。得られた発光ダイオ
ードは、実施例3に比べて約30%も光度が低下してお
り、また、高角度付近の光度が比較的高く、発光が不必
要な方向へ漏れていることがわかった。
0.8であることを除いて、実施例7と同様にして、
赤、緑、青色の三色の発光ダイオードを得た。これらR
GB三色を1画素として、実施例8と同様にして表示装
置を作成した。得られた表示装置は、斜めから観たと
き、輝度にばらつきが発生しており、特に赤色と、緑及
び青色とは発光素子が大きく異なるため、光軸からはず
れたところで観察したときに、どちらかの色が目立つ結
果となり、混色性は損なわれていた。
角内で好ましく光が分散されるため、容易に良好な指向
特性が実現でき、従来のように拡散剤などを用いる方法
に比べて、輝度が高くなる。更に、本発明の発光ダイオ
ードは、発光素子の違いを吸収できるため、発光素子が
異なるものであっても、同様に扱うことができ、またこ
のような異なる発光ダイオード間でも、共通の指向性を
有するものが実現されている。これに加えて、異なる発
光素子を同一のリード電極に載置してなる発光ダイオー
ドにおいて、本発明のものは、容易に良好な混色性を実
現でき、また指向角を広くしても同様であり、従来のよ
うに拡散剤、発光素子の違いを緩和するための特別な設
計を必要としないものである。
装置において、本発明のものは、従来のそれに比べて、
高視野角で、且つ混色性に優れており、特に表示装置を
斜めから観たときに、その良好な混色性を顕著にみてと
れることができ、更に広視野角で輝度一定となる面状の
表示装置の作製が容易になった。
説明する模式図
式図
Claims (13)
- 【請求項1】LEDチップと、該LEDチップが載置さ
れたリード電極とが、モールド部材により封止されてな
る発光ダイオードであって、前記リード電極が、次式で
表される光沢度Dが0.05〜0.5の範囲にある表面
を有することを特徴とする発光ダイオード。 D=log(1/R) (但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反
射光量/入射光量)) - 【請求項2】前記LEDチップが、前記リード電極に設
けられた反射部に載置されていることを特徴とする請求
項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項3】リード電極の表面が、モールド部材に被覆
された第1の領域と、モールド部材の外側に露出した第
2の領域とを有すると共に、前記第1の領域は前記第2
の領域の次式で表される光沢度Dよりも小さいことを特
徴とする発光ダイオード D=log(1/R) (但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反
射光量/入射光量)) - 【請求項4】前記第1の領域において、LEDチップが
載置された反射部を有し、少なくとも該反射部の光沢度
Dが0.05<D<0.5の範囲にあることを特徴とす
る請求項3記載の発光ダイオード。 - 【請求項5】リード電極の一方の端部と、該リード電極
に設けられLEDチップが配置された反射部と、を含む
領域がモールド部材により封止された発光ダイオードで
あって、前記発光ダイオードが、前記リード電極上にお
いて、前記封止された領域である封止領域と、次式で表
される光沢度Dにある光沢度調整領域と、実装時に該封
止領域から離れた位置ではんだ付けされるはんだ領域
と、を有すると共に、前記光沢度調整領域が、前記端部
を含み、前記はんだ領域より離れて前記端部までの領域
に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。 D=log(1/R)、0.05<D<0.5 (但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反
射光量/入射光量)) - 【請求項6】前記リード電極が、前記封止領域の外側に
て側方に延びるタイバーを残すことによりストッパー部
を有し、前記光沢度調整領域が、前記端部を含み、該ス
トッパー部より前記端部までの領域であることを特徴と
する請求項5記載の発光ダイオード。 - 【請求項7】前記光沢度Dが0.1〜0.3の範囲にあ
ることを特徴とする請求項 - 【請求項8】前記リード電極に載置される前記LEDチ
ップが、発光色若しくは素子構造の異なる複数個のLE
Dチップであることを特徴とする請求項1乃至6記載の
発光ダイオード。 - 【請求項9】前記モールド部材が、LEDチップ上にレ
ンズ面が形成された透光性の樹脂であり、その樹脂レン
ズは発光観測面側から観て楕円状であることを特徴とす
る請求項1乃至6記載の発光ダイオード。 - 【請求項10】請求項1乃至6記載の発光ダイオードを
複数個配列してなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項11】リード電極をメッキし、リード電極の一
方の端部若しくはその近傍に設けられた反射部に、LE
Dチップを載置し、該LEDチップ及び反射部をモール
ド部材により封止する発光ダイオードの製造方法におい
て、前記リード電極のメッキは、連結されたリード電極
を第1のメッキ工程と、その後に、第2のメッキ工程と
を具えることによりメッキするものであって、該第1の
メッキ工程が前記リード電極のほぼ全面にメッキするこ
と、該第2のメッキ工程が前記リード電極の端部から前
記反射部を含む部分的な領域をメッキし、該部分的な領
域が次式で表す光沢度Dの表面を有することを特徴とす
る発光ダイオード。 D=log(1/R)、0.05<D<0.5 (但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反
射光量/入射光量)) - 【請求項12】リード電極をメッキし、リード電極の一
方の端部若しくはその近傍に設けられた反射部に、LE
Dチップを載置し、該LEDチップ及び反射部をモール
ド部材により封止する発光ダイオードの製造方法におい
て、前記リード電極のメッキは、連結されたリード電極
を第1の搬送手段から送り出して第2の搬送手段により
巻き取られるまでに、少なくとも第1のメッキ工程と、
第2のメッキ工程とを具えることによりメッキするもの
であって、該第1のメッキ工程により前記リード電極の
ほぼ全面にメッキすることで、該ほぼ全面が次式で表さ
れる光沢度Dの表面を有し、該第2のメッキ工程により
前記リード電極の一方の端部及び反射部を除く領域をメ
ッキすることで、第2のメッキ工程によりメッキされな
かった前記一方の端部及び反射部を含む部分的な領域が
次式で表される光沢度Dの表面を有することを特徴とす
る発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項13】前記連結されたリード電極は、前記モー
ルド部材により封止される領域から離れた位置で側方に
延びる、少なくとも1つのタイバーを設けたことにより
連結されるものであり、前記部分的な領域は、前記一方
の端部を含み、その一方の端部より該タイバーまでの領
域にあることを特徴とする請求項11又は12記載の発
光ダイオードの製造方法
Priority Applications (1)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230453A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びその製造方法 |
JP2007157430A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nec Tokin Corp | リードスイッチ |
JP2009193953A (ja) * | 2008-12-19 | 2009-08-27 | Stanley Electric Co Ltd | 車両前照灯用光源装置 |
JP2011249433A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018137335A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社本田電子技研 | 自動ドア開閉制御用センサ |
KR20190024757A (ko) | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임, 발광 장치용 패키지, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4956870U (ja) * | 1972-08-26 | 1974-05-20 | ||
JPS53122392A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture for photo electric device |
JPS574183A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
JPS574184A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
JPS5868993A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS58111958U (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-30 | シャープ株式会社 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
JPS60138090A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 部分銀めつき方法 |
JPS6118185A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Toshiba Corp | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPH0613661A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオード |
JPH06283763A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Rohm Co Ltd | Ledランプのリードフレーム製造方法 |
JPH0732969U (ja) * | 1994-11-14 | 1995-06-16 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードランプ |
JPH08274377A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ |
JPH09260727A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
JPH1012926A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 全色発光型発光ダイオードランプ及びディスプレイ装置 |
JPH1022529A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 |
JPH10144839A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Metetsuku Kitamura Kk | リードフレームとその製造方法及びリード部品 |
JPH10265973A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Kobe Steel Ltd | 良好な銀めっき性を有する電子部品用銅合金材の製造方法 |
JPH10275941A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-10-13 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びその形成方法 |
-
2001
- 2001-07-23 JP JP2001220972A patent/JP4815708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4956870U (ja) * | 1972-08-26 | 1974-05-20 | ||
JPS53122392A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture for photo electric device |
JPS574183A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
JPS574184A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
JPS5868993A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS58111958U (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-30 | シャープ株式会社 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
JPS60138090A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 部分銀めつき方法 |
JPS6118185A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Toshiba Corp | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPH0613661A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオード |
JPH06283763A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Rohm Co Ltd | Ledランプのリードフレーム製造方法 |
JPH0732969U (ja) * | 1994-11-14 | 1995-06-16 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードランプ |
JPH08274377A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ |
JPH09260727A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
JPH1012926A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 全色発光型発光ダイオードランプ及びディスプレイ装置 |
JPH1022529A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 |
JPH10144839A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Metetsuku Kitamura Kk | リードフレームとその製造方法及びリード部品 |
JPH10275941A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-10-13 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びその形成方法 |
JPH10265973A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Kobe Steel Ltd | 良好な銀めっき性を有する電子部品用銅合金材の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230453A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びその製造方法 |
JP2007157430A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nec Tokin Corp | リードスイッチ |
JP2009193953A (ja) * | 2008-12-19 | 2009-08-27 | Stanley Electric Co Ltd | 車両前照灯用光源装置 |
JP4618571B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2011-01-26 | スタンレー電気株式会社 | 車両前照灯用光源装置 |
JP2011249433A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018137335A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社本田電子技研 | 自動ドア開閉制御用センサ |
JP7049769B2 (ja) | 2017-02-22 | 2022-04-07 | 株式会社本田電子技研 | 自動ドア開閉制御用センサ |
KR20190024757A (ko) | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임, 발광 장치용 패키지, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
US10483445B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-11-19 | Nichia Corporation | Lead frame, package for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing light emitting device |
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Publication number | Publication date |
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