JP5246893B2 - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
Ledパッケージ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5246893B2 JP5246893B2 JP2011024230A JP2011024230A JP5246893B2 JP 5246893 B2 JP5246893 B2 JP 5246893B2 JP 2011024230 A JP2011024230 A JP 2011024230A JP 2011024230 A JP2011024230 A JP 2011024230A JP 5246893 B2 JP5246893 B2 JP 5246893B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat transfer
- recess
- led
- led package
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S362/00—Illumination
- Y10S362/80—Light emitting diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
110、110−2 熱伝達部
112a、112b 板金
114、114−3 熱伝達部の凹部
115 熱伝達部の通路
116、120 リード
130 パッケージ本体
132 パッケージ本体の凹部
138 パッケージ本体の通路
140、140−1、140−2 透明密封体
Claims (21)
- LEDチップと、
一つの板金部材を折り曲げて形成される上部板金と下部板金とを重ねた後、互いを結合して形成された積層体でなり、その上面に前記LEDチップが装着される熱伝達部と、
前記熱伝達部を封止し前記LEDチップから発生した光を上方に案内するよう構成されたパッケージ本体と、
少なくとも前記LEDチップの上部に提供された透明密封体と、
前記LEDチップに電源を供給するよう前記パッケージ本体により一部が封止される複数のリードを含み、
前記下部板金は底面全体が前記パッケージ本体の底面から露出されることを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記熱伝達部の前記上部板金には、前記LEDチップを装着する凹部が形成され、
前記パッケージ本体は前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、
前記透明密封体は前記パッケージ本体の凹部にも提供されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。 - 前記熱伝達部の前記上部板金には、前記LEDチップを装着する凹部が形成され、
前記パッケージ本体は前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、
前記透明密封体は、上部半球形態であって、前記パッケージ本体の凹部の内側の前記上部板金の一部を露出させることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。 - 前記熱伝達部は前記複数のリードのうち一つと一体で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のLEDパッケージ。
- 前記熱伝達部は前記上部板金と前記下部板金との間に形成された結合部をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のLEDパッケージ。
- 前記結合部は溶着部または金属介在物であることを特徴とする請求項5に記載のLEDパッケージ。
- 前記溶着部は抵抗溶接、ホットプレス溶接、超音波溶接及び高周波溶接を含む群の少なくとも一つにより形成されることを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ。
- 前記金属介在物はコーティング剤または金属ペーストであることを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ。
- 前記熱伝達部の凹部は前記熱伝達部の前記上部板金に形成された孔であることを特徴とする請求項2または3に記載のLEDパッケージ。
- 前記熱伝達部の凹部は前記熱伝達部の前記上部板金に形成された溝であることを特徴とする請求項2または3に記載のLEDパッケージ。
- 前記複数のリードは、前記上部板金の一部が前記パッケージ本体の外に延長された第1リードと、一部がパッケージ本体内部に配置されワイヤによってLEDチップに連結される電気連結部を形成し前記パッケージ本体により前記熱伝達部と絶縁される第2リードとからなり、
前記熱伝達部の前記LEDチップの周りの部分と前記パッケージ本体の隣接した部分は前記熱伝達部の凹部から前記電気連結部の上面に繋がる通路を形成するよう構成され、前記LEDチップは前記通路を通じワイヤにより前記通路と繋がっている前記電気連結部の上面に連結されることを特徴とする請求項2または3に記載のLEDパッケージ。 - 前記透明密封体は前記通路にも形成されることを特徴とする請求項11に記載のLEDパッケージ。
- 前記パッケージ本体は、前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成されたパッケージ本体の凹部を含み、
前記LEDパッケージは、前記通路に形成された透明密封体の上部となる前記パッケージ本体の凹部に提供された第2透明密封体をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のLEDパッケージ。 - 前記複数のリードの上部に形成された前記パッケージ本体の一部は前記LEDチップと前記複数のリードとの間の電気的連結を許容しつつ前記熱伝達部の凹部の縁まで延長されることを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
- 前記透明密封体は上部半球形態であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載のLEDパッケージ。
- 凹部が形成された上部板金と下部板金とが連結部により連結され、第1リードが一体に連結された板金部材を準備し、前記板金部材の第1リードに対向する側の第2リードの電気連結部を予め定められた間隔で配置する段階と、
前記連結部を中心に前記上部板金と前記下部板金とを折り曲げて相互に重なるようにし、溶接または金属介在物により重なった面を相互結合させて熱伝達部を形成する段階と、
モールドを前記熱伝達部と前記電気連結部の周りに覆わせ、その中に樹脂を射出して、前記下部板金の底面全体を露出させるパッケージ本体を形成する段階と、
前記熱伝達部の前記凹部にLEDチップを装着し、ワイヤで前記熱伝達部及び前記電気連結部を連結する段階と、
前記パッケージ本体の前記凹部に透明樹脂を満たし硬化させて透明密封体を形成する段階とを含むことを特徴とするLEDパッケージの製造方法。 - 前記パッケージ本体は前記熱伝達部の上面の一部を露出させるよう前記熱伝達部の凹部の周りの上方に形成された凹部を含み、
前記透明密封体は、凸型の半球形態であって、前記パッケージ本体の凹部の内側の前記上部板金の一部を露出させることを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージの製造方法。 - 前記凹部は、前記上部板金の予め定められた部分に孔を開けて形成されることを特徴とする請求項16又は17に記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記凹部は、前記上部板金の予め定められた領域に溝を形成することにより形成されることを特徴とする請求項16又は17に記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記板金部材と前記リードとが複数個形成されて配列されたフレームシートを準備する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16乃至19のいずれか1項に記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記第2リードの前記電気連結部は前記熱伝達部の中間高さに位置するように配置し、
前記熱伝達部の前記上部板金の前記第2リード側には、前記電気連結部の上面と同一面をなす通路を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16乃至20のいずれか1項に記載のLEDパッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0072435 | 2005-08-08 | ||
KR1020050072435A KR100632003B1 (ko) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006214617A Division JP4758301B2 (ja) | 2005-08-08 | 2006-08-07 | 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011101053A JP2011101053A (ja) | 2011-05-19 |
JP5246893B2 true JP5246893B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=37127869
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006214617A Active JP4758301B2 (ja) | 2005-08-08 | 2006-08-07 | 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ |
JP2011024230A Active JP5246893B2 (ja) | 2005-08-08 | 2011-02-07 | Ledパッケージ及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006214617A Active JP4758301B2 (ja) | 2005-08-08 | 2006-08-07 | 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8169128B2 (ja) |
EP (1) | EP1753038A3 (ja) |
JP (2) | JP4758301B2 (ja) |
KR (1) | KR100632003B1 (ja) |
CN (1) | CN100428514C (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100629496B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2006-09-28 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
WO2007054847A2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a package carrier for enclosing at least one microelectronic element and method of manufacturing a diagnostic device |
DE102006048230B4 (de) * | 2006-10-11 | 2012-11-08 | Osram Ag | Leuchtdiodensystem, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Hinterleuchtungseinrichtung |
KR100818518B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-03-31 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
JP5233170B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
CN101688657B (zh) * | 2007-06-28 | 2012-06-20 | 夏普株式会社 | 背光装置、液晶显示装置以及照明装置 |
KR101088910B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2011-12-07 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
US20100059783A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Harry Chandra | Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation |
CN201307605Y (zh) * | 2008-12-05 | 2009-09-09 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
JP5195678B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-05-08 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の搭載構造及び搭載方法 |
WO2011091394A1 (en) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | Vishay Sprague, Inc. | Metal based electronic component package and the method of manufacturing the same |
KR20120022410A (ko) * | 2010-09-02 | 2012-03-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
CN102185082B (zh) * | 2011-04-08 | 2013-03-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光二极管构造及其制造方法 |
JP2012238830A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Lumirich Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
CN102252299B (zh) * | 2011-06-27 | 2014-04-16 | 成都曙光光纤网络有限责任公司 | Led灯具的散热系统和led灯具 |
DE102012107547B4 (de) * | 2011-08-22 | 2020-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung |
CN103094450A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 广东德豪润达电气股份有限公司 | Led封装支架、led器件及led器件的制造方法 |
FI20125932A (fi) * | 2012-09-08 | 2014-03-09 | Lighttherm Oy | Menetelmä LED valaisinlaitteiden valmistamiseksi ja LED valaisinlaitteet |
JP6481349B2 (ja) | 2014-12-02 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6387824B2 (ja) | 2014-12-25 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
KR102674066B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2024-06-13 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102261288B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-06-04 | 현대자동차 주식회사 | 자동차 외장용 발광다이오드 패키지 |
KR102425807B1 (ko) | 2017-09-25 | 2022-07-28 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 디바이스 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53108871U (ja) | 1977-02-08 | 1978-08-31 | ||
DE2709601C2 (de) * | 1977-03-03 | 1978-07-27 | Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf | Anwendung des Verfahrens nach DT-AS 1237241 zum elektrischen Nahtschweißen von Stahlrohren |
JP2711345B2 (ja) * | 1987-07-07 | 1998-02-10 | 株式会社リコー | 基礎体温測定方法 |
JP2981370B2 (ja) * | 1993-07-16 | 1999-11-22 | シャープ株式会社 | Midチップ型発光素子 |
DE4446566A1 (de) * | 1994-12-24 | 1996-06-27 | Telefunken Microelectron | Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement |
JPH11214754A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
US6184544B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer |
US6335548B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
JP3310955B2 (ja) * | 1999-01-05 | 2002-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
JP4366767B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2009-11-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの形成方法 |
JP3964590B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2007-08-22 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 光半導体パッケージ |
US6569698B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-05-27 | Harvatek Corp. | Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package |
JP3736366B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2006-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2002252372A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
DE10117889A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US20020163001A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Shaddock David Mulford | Surface mount light emitting device package and fabrication method |
JP4653484B2 (ja) * | 2002-08-05 | 2011-03-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電気的な基板フレームの製造のための方法、表面実装可能な半導体素子の製造のための方法及び半導体素子の製造のための方法 |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
JP2004119610A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP3910144B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP4975946B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2012-07-11 | Necトーキン株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2005116937A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
KR100587020B1 (ko) * | 2004-09-01 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드용 패키지 |
US7977698B2 (en) * | 2005-03-18 | 2011-07-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for surface mountable display |
-
2005
- 2005-08-08 KR KR1020050072435A patent/KR100632003B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-08-07 JP JP2006214617A patent/JP4758301B2/ja active Active
- 2006-08-08 EP EP06254175A patent/EP1753038A3/en not_active Withdrawn
- 2006-08-08 US US11/500,361 patent/US8169128B2/en active Active
- 2006-08-08 CN CNB2006101106884A patent/CN100428514C/zh active Active
-
2011
- 2011-02-07 JP JP2011024230A patent/JP5246893B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1753038A3 (en) | 2012-11-21 |
US20070030703A1 (en) | 2007-02-08 |
US8169128B2 (en) | 2012-05-01 |
KR100632003B1 (ko) | 2006-10-09 |
EP1753038A2 (en) | 2007-02-14 |
CN1913187A (zh) | 2007-02-14 |
JP4758301B2 (ja) | 2011-08-24 |
CN100428514C (zh) | 2008-10-22 |
JP2007049149A (ja) | 2007-02-22 |
JP2011101053A (ja) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5246893B2 (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP4902411B2 (ja) | Ledパッケージ、ledパッケージの製造方法、照明装置、lcd用バックライトおよび液晶ディスプレイ | |
JP4404860B2 (ja) | Ledハウジング及びその製造方法 | |
JP4921876B2 (ja) | 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ及び側面放出型二重レンズの製造方法 | |
KR100593945B1 (ko) | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 | |
EP2064752B1 (en) | Light emitting package and method of making same | |
US6730933B1 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
JP4481935B2 (ja) | 高出力ledハウジング及びその製造方法 | |
JP6131048B2 (ja) | Ledモジュール | |
EP1059678A2 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
EP2327582A2 (en) | LED package, LED package module having the same and manufacturing method thereof, and head lamp module having the same and control method thereof | |
JP2006344978A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法、並びにそれを利用したledアレイモジュール | |
JP5673190B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007049152A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
KR20050092300A (ko) | 고출력 발광 다이오드 패키지 | |
JP2012109587A (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP5286122B2 (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
JP4967347B2 (ja) | 線状光源及び半導体発光ユニットの製法 | |
WO2009139453A1 (ja) | Ledパッケージ、リードフレーム及びその製造法 | |
CN114914350A (zh) | 高光效led及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110309 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110309 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120813 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5246893 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |