DE102012107547B4 - Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Gehäuse (1) für eine lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700), das Folgendes aufweist:Einen Gehäusehauptkörper (10), welcher einen Chip-Anbringbereich (16) hat, welcher durch Seitenwände (15) umgeben ist;Leiterrahmen (30, 31, 32), welche voneinander beabstandet sind, wobei wenigstens ein Abschnitt davon in dem Chip-Anbringbereich (16) positioniert ist;eine lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700), welche auf dem Chip-Anbringbereich (16) angebracht ist;einen Draht (50, 50'), welcher den Leiterrahmen (30, 31, 32) und die lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) verbindet;eine Linse (20), welche an der lichtabgebenden Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) angebracht ist; undeine Linsen-Abstützeinheit (11), welche gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht (50) in dem Chip-Anbringbereich (16), und die die Linse (20) derart abstützt, dass die Linse (20) nicht in Kontakt mit dem Draht (50) gelangt,dadurch gekennzeichnet, dassdie Linsen-Abstützeinheit (11) eine Struktur hat, in welcher wenigstens ein Teil davon sich von der Seitenwand (15) in Richtung der lichtabgebenden Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) erstreckt,die Linse (20) einen reflektierenden Abschnitt mit einer flachen oberen Oberfläche und einem konvexen unteren Abschnitt aufweist, unddie Linsen-Abstützeinheit (11) den unteren Abschnitt des reflektierenden Abschnitts darauf angebracht aufweist, und dasszusätzlich zur Linsen-Abstützeinheit (11) die Seitenwand (15) wenigstens einen Abstütz-Überstand (12) hat, und die Linse (20) wenigstens einen horizontalen Vorsprung (22) hat, welcher an einem äußeren Umfang davon gebildet ist, und durch den Abstütz-Überstand (11a, 12) abgestützt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Eine Leuchtdiode (LED = Light Emitting Diode = Leuchtdiode), eine Halbleitervorrichtung, welche in der Lage ist, Licht mit verschiedenen Farben gemäß einer Elektron-Loch-Rekombination, welche in p-Typ und n-Typ-Halbleiterübergängen auftritt, wenn Strom daran angelegt wird, zu erzeugen, ist umweltfreundlich, hat eine schnelle Ansprechzeit in dem Bereich einiger Nanosekunden, so dass sie effektiv beim Anzeigen eines Videosignalstroms ist, und sie ist für ein impulsives bzw. stoßartiges Treiben zugänglich.
  • Ebenso kann eine LED, um eine Vorrichtungs-Ansprechempfindlichkeit und eine Leuchtintensitätsverteilung zu verbessern, sowie um ein hohes Zuverlässigkeits-Niveau bereitzustellen, in der Form eines Gehäuses (Package) durch ein Installieren der LED in einem Gehäuse-Hauptkörper gestaltet werden.
  • Einige LED-Gehäuse werden hergestellt, so dass sie eine Linse haben, welche an einer lichtabgebenden Oberflächenseite vorgesehen ist, und solch eine Linse dient dazu, um Licht zu sammeln oder zu dispergieren bzw. zu streuen, welches von einer LED abgegeben bzw. emittiert wird.
  • Im Stand der Technik wurde herkömmlicherweise eine Linse vom halbsphärischen Typ (dome-type lens) mit einer flachen Basisebene und einem konvexen oberen Abschnitt verwendet, um die Herstellung zu erleichtern. Die Linse vom halbsphärischen Typ hat jedoch ein Problem, bei welchem ein Draht, welcher eine LED und einen Leitungsrahmen bzw. Gehäuserahmen elektrisch verbindet, durch ein Zusammenziehen und eine Ausdehnung der Linse abgeschnitten werden kann.
  • Mittlerweile wurde in der letzten Zeit weit verbreitet in Übereinstimmung mit der Tendenz zur Verringerung einer Gehäusegröße eine Linse vom flachen Typ verwendet, von welcher ein Reflektor in Richtung des Inneren eines Gehäuses hervorsteht, welcher eine Struktur hat, welche es der Linse ermöglicht, leicht während eines Oberflächen-Montagetechnologie (SMT = Surface Mounting Technology = Oberflächen-Montagetechnologie)-Vorgangs abgehoben zu werden.
  • Das Abheben bezieht sich auf die Montage bzw. das Anbringen einer Linse auf einem Gehäusehauptkörper durch eine Verwendung einer Aufnahmevorrichtung während eines Vorgangs des Koppelns der Linse mit dem Gehäusehauptkörper, und zu dieser Zeit tritt ein Phänomen auf, bei welchem die Linse aufgrund von Druck einer gewissen Größe bzw. Größenordnung, welcher auf die Vorrichtung ausgeübt wird, nach unten gedrückt wird. Dies ist der Fall, da Linsen herkömmlicherweise aus einem Harz bzw. Kunstharz, wie beispielsweise Silizium oder dergleichen gefertigt sind, welches keinen großen Härtegrad hat, so dass sie leicht deformiert werden und flexibel sind und ein Kontaktbereich zwischen dem Gehäusehauptkörper und der Linse nicht groß ist.
  • Demnach kann, wenn die Linse während des Abheb-Vorganges nach unten gedrückt wird, ein Draht, welcher die LED des Gehäuses mit einem Leitungsrahmen verbindet, durch einen unteren Endabschnitt des Linsenreflektors gedrückt und beschädigt oder abgetrennt werden, was zu eine Defekt, wie beispielsweise einem Kurzschluss führt.
  • Das Dokument US 2008/0054288A1 beschreibt eine Licht abgebende Vorrichtung mit einer an der Oberseite konvex gekrümmten Linse, welche sich mit Randabschnitten gegen einen Trägerrahmen in dessen Aussparungen abstützt,
  • Das Dokument US 2008/0023714A1 beschreibt ebenfalls eine Licht abgebende Vorrichtung mit einer an der Oberseite konvex gekrümmten Linse, welche sich mit Randabschnitten gegen einenTrägerrahmen in dessen Aussparungen abstützt.
  • Das Dokument EP 2287928 A2 beschreibt eine LED Anordnung, bei welcher eine an der Oberseite konvex geformete Linse mit konkaver Unterseite in einem Haltekörper umfänglich befestigt ist.
  • Das Dokument JP 2007/214522A beschreibt eine Licht abgebende Vorrichtung, bei welcher ebenfalls eine an der Oberseite konvex geformete Linse mit konkaver Unterseite in einem Haltekörper umfänglich befestigt ist.
  • Das Dokument US 4 702 555 A beschreibt eine optische Vorrichtung mit einer auf einem Spulenträger montierten Linse.
  • KURFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung sieht ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung, welches in der Lage ist, möglichen Schaden an einem Draht zu vermeiden, welcher von einer Linse herrührt, die bei einem Vorgang des Installierens einer Linse in einem Gehäusehauptkörper gedrückt wird, und ein Herstellungsverfahren dafür vor.
  • Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung sieht ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung vor, welches in der Lage ist, Schaden an einem Draht durch ein Minimieren eines Auftretens eines Phänomens zu vermeiden, in welchem der Draht durch ein Zusammenziehen und ein Ausdehnen einer Linse oder einer Einkapselungseinheit bzw. Kapselungseinheit, welche durch ein Umspritzen bzw. Eingießen gebildet wird, beeinflusst wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung vorgesehen, welches Folgendes aufweist: Einen Gehäuse-hauptkörper, welcher einen Chip-Anbringbereich bzw. Chip-Montagebereich hat, welcher durch Seitenwände umgeben ist; Leitungsrahmen, welche voneinander beabstandet sind, wobei wenigstens ein Abschnitt davon in dem Chip-Anbringbereich positioniert ist; eine lichtabgebende Vorrichtung, welche auf dem Chip-Anbringbereich angebracht ist; ein Draht, welcher den Leitungsrahmen und die lichtabgebende Vorrichtung verbindet; eine Linse, die auf der lichtabgebenden Vorrichtung angeordnet ist; und eine Linsen-Abstützeinheit, welche gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht in dem Chip-Anbringbereich und die die Linse derart abstützt, dass die Linse nicht in Kontakt mit dem Draht gelangt.
  • Die Linsen-Abstützeinheit kann an wenigstens einem Abschnitt unter den verbleibenden Abschnitten gebildet werden, nachdem die lichtabgebende Vorrichtung auf bzw. an dem Chip-Anbringbereich angebracht ist.
  • Die Linsen-Abstützeinheit kann einen Stopp-Überstand haben, welcher es einem unteren Endabschnitt der Linse ermöglicht, dadurch erfasst bzw. gefangen zu werden.
  • Der Stopp-Überstand kann ein halbkugelförmige Form haben.
  • Der Stopp-Überstand kann eine eckige Säulenform haben.
  • Die Linsen-Abstützeinheit kann eine Struktur haben, in welcher wenigstens ein Teil davon sich von der Seitenwand in Richtung der lichtabgebenden Vorrichtung erstreckt.
  • Die Linsen-Abstützeinheit kann ein Öffnungsloch haben, welches die Linsen-Abstützeinheit in einem Abschnitt davon, sich von der Seitenwand erstreckend und in einem oberen Raum des Chip-Anbringbereiches angeordnet, durchdringt.
  • Wenigstens eine der Mehrzahl von Linsen-Abstützeinheiten kann sich von einer Seitenwand erstrecken und den Chip-Anbringbereich durchqueren bzw. durchlaufen, so dass sie mit der anderen Seitenwand verbunden ist.
  • Eine Mehrzahl von Linsen-Abstützeinheiten kann einander in dem Chip-Anbringbereich schneiden.
  • Eine untere Oberfläche der Linsen-Abstützeinheit kann positioniert sein, so dass sie höher ist als der Draht.
  • Die Seitenwand kann wenigstens einen Abstütz-Überstand haben, und die Linse kann wenigstens einen horizontalen Vorsprung haben, welcher an einem äußeren Umfang davon gebildet ist und durch den Abstütz-Überstand abgestützt ist.
  • Die Seitenwand kann wenigstens eine Vertiefung haben, welche in einem oberen Rand davon gebildet ist, und die Linse kann wenigstens einen Einführvorsprung haben, welcher an einem äußeren Rand davon gebildet ist, so dass er mit der Vertiefung in der Seitenwand übereinstimmt bzw. zu dieser korrespondiert.
  • Der Gehäusehauptkörper kann einen Abstütz-Überstand, welcher an einer inneren Seite der Seitenwand gebildet ist, und einen Aussparungsabschnitt aufweisen, welcher den Chip-Anbringbereich an einer inneren Seite des Abstütz-Überstandes hat, wobei der Aussparungsabschnitt gebildet sein kann, so dass er eine Tiefe hat, von welcher der Draht nicht nach oben hervorsteht, und eine obere Oberfläche des Abstütz-Überstandes kann positioniert sein, so dass sie höher ist als der Draht.
  • Ein Abschnitt der Linsen-Abstützeinheit kann fest auf dem Abstütz-Überstand platziert sein, und der andere verbleibende Abschnitt kann über dem Aussparungsabschnitt platziert sein und über dem Chip-Anbringbereich angeordnet sein.
  • Eine untere Oberfläche der Linsen-Abstützeinheit kann koplanar zu einer oberen Oberfläche des Abstütz-Überstandes sein.
  • Das Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung kann weiterhin eine Kapselungseinheit bzw. Einkapselungseinheit aufweisen, welche den Aussparungsabschnitt füllt, um die lichtabgebende Vorrichtung und den Draht zu kapseln.
  • Die Kapselungseinheit kann wenigstens einen Typ von Phosphor beinhalten.
  • Die Linse kann gebildet sein derart, dass eine obere Oberfläche davon flach ist und ein unterer Abschnitt davon hervortretend ist.
  • Die Linse kann derart geformt sein, dass eine untere Oberfläche davon flach ist.
  • Die Linse kann derart geformt sein, dass eine untere Oberfläche davon eine Fresnel-Linsenform hat.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zu Herstellen eines Gehäuses für eine lichtabgebende Vorrichtung vorgesehen, das Folgendes aufweist: Ein Bereitstellen eines Gehäusehauptkörpers durch ein Bilden von Seitenwänden, so dass sie einen Chip- Anbringbereich darin haben, ein Bilden einer Linsen-Abstützeinheit benachbart zu dem Chip-Anbringbereich, und ein Installieren von einem ersten und einem zweiten Leitungsrahmen derart, dass sie voneinander beabstandet sind, wobei wenigstens ein Abschnitt davon in dem Chip- Anbringbereich positioniert ist; ein Anbringen einer lichtabgebenden Vorrichtung an bzw. auf einem Bereich des ersten Leitungsrahmens, welcher zu dem Chip- Anbringbereich freiliegend ist; ein Verbinden des zweiten Leitungsrahmens und der lichtabgebenden Vorrichtung durch einen Draht; ein Installieren einer Linse an bzw. auf der Linsen-Abstützeinheit derart, dass die Linse nicht in Kontakt mit dem Draht gelangt, wobei die Linsen-Abstützeinheit gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht.
  • Die Linsen-Abstützeinheit kann einen Stopp-Überstand haben, welcher es einem unteren Endabschnitt der Linse ermöglicht, dadurch erfasst bzw. gefangen zu werden.
  • Der Gehäusehauptkörper kann von einer Gussform bzw. Spritzgussform durch ein Verwenden der Linsen-Abstützeinheit als einer Ausstoßpin-Abstützeinheit getrennt werden, um hergestellt zu werden.
  • Ein Raum zwischen der lichtabgebenden Vorrichtung und einer unteren Oberfläche der Linse kann durch ein Anpassen der Höhe der Linsen-Abstützeinheit angepasst werden.
  • Die Linse kann derart gebildet werden, dass eine obere Oberfläche davon flach ist und eine untere Oberfläche davon hervorstehend ist.
  • Die Linse kann derart gebildet werden, dass eine untere Oberfläche davon flach ist.
  • Die Linse kann derart gebildet werden, dass eine untere Oberfläche davon eine Fresnel-Linsenform hat.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für eine lichtabgebende Vorrichtung vorgesehen, das Folgendes aufweist: Ein Bereitstellen eines Gehäusehauptkörpers durch ein Bilden eines Aussparungsabschnittes, um einen Chip-Anbringbereich darin vorgesehen zu haben, ein Bilden eines Abstütz-Überstands, so dass er den Aussparungsabschnitt an einer inneren Seite davon hat, ein Bilden einer Seitenwand, so dass sie den Abstütz-Überstand an einer inneren Seite davon hat, und ein Installieren eines ersten und zweiten Leitungsrahmens derart, dass sie voneinander beabstandet sind, wobei wenigstens ein Abschnitt davon zu dem Chip-Anbringbereich freiliegend ist; ein Anbringen einer Leuchtdioden (LED)-Vorrichtung an bzw. auf einem Bereich des ersten Leitungsrahmens, welcher zu dem Chip-Anbringbereich freiliegend ist; ein Verbinden des zweiten Leitungsrahmens und der lichtabgebenden Vorrichtung durch einen Draht; ein Vorsehen einer Linsen-Abstützeinheit derart, dass ein Abschnitt davon an bzw. auf dem Abstütz-Überstand platziert ist, so dass er abgestützt ist, und der andere verbleibende Abschnitt über dem Aussparungsabschnitt platziert ist und über dem Chip-Anbringbereich angeordnet ist; und ein Vorsehen einer Linse an bzw. auf dem Abstütz-Überstand und der Linsen-Abstützeinheit, wobei die Linsen-Abstützeinheit gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht.
  • Das Verfahren kann weiterhin Folgendes aufweisen: Ein Bilden einer Kapselungseinheit durch ein Einspritzen eines Vergussharzes bzw. Vergusskunstharzes in den Aussparungsabschnitt, um die LED-Vorrichtung und den Draht zu kapseln, bevor die Linsen-Abstützeinheit vorgesehen wird.
  • Eine untere Oberfläche der Linsen-Abstützeinheit kann koplanar zu einer oberen Oberfläche des Abstütz-Überstandes sein.
  • Figurenliste
  • Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung zusamengenommen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstanden werden, in welchen:
    • 1 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 2 eine Draufsicht auf 1 ist;
    • 3 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 4 eine vergrößerte perspektivische Ansicht einer Linsen-Abstützeinheit der 3 ist;
    • 5 eine perspektivische Explosionsansicht ist, welche schematisch einen Zustand veranschaulicht, in welchem ein Gehäusehauptkörper und eine Linse eines Gehäuses für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung getrennt sind;
    • 6 eine Seitenschnittansicht der 5 ist;
    • 7 eine perspektivische Ansicht ist, welche schematisch ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer anderen zumindest hinsichtlich einer gezeigten Linsenform nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform veranschaulicht;
    • 8 eine Schnittansicht der 7 ist;
    • 9A und 9B eine vergrößerte perspektivische Ansicht und eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Linsen-Abstützeinheit in 7 sind;
    • 10 eine perspektivische Ansicht ist, welche schematisch ein anderes Beispiel einer Linsen-Abstützeinheit in dem Gehäuse für die lichtabgebende Vorrichtung der 7 veranschaulicht;
    • 11 bis 14 Ansichten sind, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen des Gehäuses für eine lichtabgebende Vorrichtung der 7 veranschaulichen;
    • 15 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch eine Leuchtdiode (LED) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 16 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch ein Beispiel für einen LED-Chip veranschaulicht, welcher in der LED-Vorrichtung der 15 eingesetzt werden kann;
    • 17 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 18 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch ein Beispiel eines LED-Chips veranschaulicht, welcher in der LED-Vorrichtung der 17 eingesetzt werden kann;
    • 19 eine Querschnittsansicht ist, welche die LED-Vorrichtung, welche den LED-Chip der 18 einsetzt, veranschaulicht;
    • 20 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 21 eine Querschnittsansicht ist, welche schematisch eine Struktur zeigt, in welcher die LED-Vorrichtung der 19 an bzw. auf einem Leitungsrahmen angebracht ist;
    • 22 und 23 perspektivische Ansichten sind zum Erklären eines Verfahrens des Bildens eines Wellenlängen-Umwandlungsfilms bzw. einer Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welche in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann;
    • 24 und 25 Ansichten sind, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge eines Verfahrens zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
    • 26 eine Ansicht ist, welche schematisch eine LED-Vorrichtung veranschaulicht, welche gemäß dem Verfahren der 24 und 25 hergestellt ist;
    • 27A bis 27F Ansichten sind, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
    • 28A bis 28F Ansichten sind, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
    • 29 und 29B Ansichten sind, welche schematisch einen Zustand veranschaulichen, in welchem die LED-Vorrichtung, welche gemäß den Vorgängen der 27 und 28 hergestellt wird, an bzw. auf einem Leitungsrahmen angebracht wird;
    • 30A bis 30E Ansichten sind, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zu Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen; und
    • 31 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Zustand veranschaulicht, in welchem eine LED-Vorrichtung, welche gemäß dem Vorgang der 30 hergestellt ist, an einem Leitungsrahmen angebracht wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun im Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die Ausführungsformen, welche hierin beschrieben sind, beschränkt betrachtet werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen vorgesehen, dass diese Offenbarung vollständig und gewissenhaft sein wird und den Umfang der Erfindung für Fachleute vollständig wiedergeben wird. In den Zeichnungen können die Formen und Dimensionen von Elementen zur Klarheit überzogen bzw. überhöht sein und dieselben Bezugszeichen werden durchwegs verwendet werden, um die gleichen oder ähnliche Komponenten bzw. Bestandteile zu bezeichnen.
  • Ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben werden. 1 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und 2 ist eine Draufsicht auf die 1.
  • Das Gehäuse 1 für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann einen Gehäusehauptkörper 10, welcher einen Aussparungsabschnitt 14, welcher einen Chip-Anbringbereich 16 darin aufweist, hat, einen Leitungsrahmen 30, welcher einen Abschnitt freiliegend zu dem Chip-Anbringbereich 16 hat, eine Lichtdioden (LED)-Vorrichtung 100 als eine LED, welche an bzw. auf dem Bereich des Leitungsrahmens 30, welcher zu dem Chip-Anbringbereich 16 freiliegend ist, angebracht ist, einen Draht 50, welcher den Leitungsrahmen 30 und die LED-Vorrichtung 100 elektrisch verbindet, und eine Linse 20 aufweisen, welche in dem Aussparungsabschnitt 14 oberhalb der LED-Vorrichtung 100 angeordnet ist.
  • In dem Gehäusehauptkörper 10 ist eine Linsen-Abstützeinheit 11 an einem Abschnitt vorgesehen, welcher verbleibt, nachdem die LED-Vorrichtung 100 in dem Chip-Anbringbereich 16 des Aussparungsabschnitts 14 angebracht ist, derart dass die Linsen-Abstützeinheit 11 gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht 50, um einen unteren Endabschnitt der Linse 20 abzustützen. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Linsen-Abstützeinheit 11 veranschaulicht, so dass sie sich von einem Wandkörper (welcher später zu beschreiben ist) des Gehäusehauptkörpers 10 erstreckt, wenn notwendig kann die Linsen-Abstützeinheit 11 aber gebildet sein, so dass sie von dem Wandkörper getrennt ist.
  • Die Linsen-Abstützeinheit 11 ist nämlich gebildet, so dass sie höher ist als der Draht 50, um ein unteres Ende eines reflektierenden Bereichs, welcher von einem unteren Abschnitt der Linse 20 hervorsteht, abzustützen, wodurch verhindert wird, dass der Draht 50 durch den unteren Endabschnitt der Linse gedrückt bzw. gepresst wird, auch wenn die Linse 20 durch eine Aufnahmevorrichtung gepresst bzw. gedrückt wird.
  • Der Gehäusehauptkörper 10 kann aus einem isolierenden Material wie beispielsweise Plastik, Silizium, einem keramischen Harz bzw. Kunstharz oder dergleichen gefertigt sein, welches eine hervorragende Wärmeverteil- bzw. Wärmeableitleistungsfähigkeit und Lichtreflexionsvermögen sowie isolierende Charakteristiken hat, um einen elektrischen Kurzschluss zu verhindern. Vorzugsweise kann der Gehäusehauptkörper 10 eine Struktur haben, welche ein transparentes Harz bzw. Kunstharz und lichtreflektierende Partikel (beispielsweise TiO2) aufweist, welche in dem transparenten Harz bzw. Kunstharz verteilt sind. Das Material jedoch, welches zum Herstellen des Gehäusehauptkörpers 10 verwendet wird, ist nicht besonders hierauf beschränkt.
  • Ebenso kann der Gehäusehauptkörper 10 eine vertikale Seitenwand 15 haben, welche an dem Umfang davon gebildet ist derart, dass der Aussparungsabschnitt 14 gebildet ist. Die Seitenwand 15 kann eine reflektierende Schicht (nicht gezeigt) haben, welche die Lichtausgabe bzw. Lichtabgabe von der LED-Vorrichtung 100 in Richtung der Linse 20, welche oberhalb davon angeordnet ist, reflektiert, um somit einen Lichtverlust zu minimieren. Die reflektierende Schicht kann gebildet werden durch ein Beschichten wenigstens eines bzw. mit wenigstens einem von hochreflektierenden Metallen wie beispielsweise Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au oder einer Mischung davon auf einer Innenoberfläche der Seitenwand 15 oder durch ein Anbringen einer reflektierenden Folie bzw. eines reflektierenden Bleches, welche bzw. welches aus einem der Metalle oder einer Mischung von zweien oder mehreren der Metalle gefertigt ist, auf der Innenoberfläche der Seitenwand 15.
  • Der Leitungsrahmen 30 kann eine Mehrzahl von Leitungsrahmen aufweisen; einen ersten und einen zweiten Leitungsrahmen 31 und 32. Der erste und der zweite Leitungsrahmen 31 und 32 können aus einem Metall, beispielsweise Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) oder dergleichen gefertigt sein, welche hervorragende elektrische Leitfähigkeits- und thermische Leitfähigkeits-Eigenschaften haben, und sie können zur Linken und Rechten an dem Gehäusehauptkörper 10 angeordnet sein derart, dass sie voneinander beabstandet sind.
  • Ein Ende des ersten und zweiten Leitungsrahmens 31 und 32 können ein Leiter bzw. eine Leitung werden, welche elektrisch mit der LED-Vorrichtung 100 verbunden ist, und das anderen Ende davon, das mit beispielsweise einem Schaltungsmuster oder dergleichen eines Substrats (nicht gezeigt) in Kontakt stehet, kann elektrisch mit dem Schaltungsmuster verbunden sein, so dass es eine Basiseinheit als ein Bonding-Bereich wird, welcher als ein Oberflächen-Anbringbereich vorgesehen ist, welcher ein externes elektrisches Signal anlegt. In diesem Fall kann ein Abschnitt einer unteren Oberfläche des ersten und des zweiten Leitungsrahmens 31 und 32 von einem unteren Abschnitt des Gehäusehauptkörpers 10 freiliegend sein, um als ein Bonding-Bereich des Oberflächen-Anbringbereiches vorgesehen zu sein.
  • Die LED-Vorrichtung 100 ist eine Diode, welche eine Übergangsstruktur wie beispielsweise p-n, n-p-n oder dergleichen aufweist, und Licht abgibt bzw. emittiert, wenn injizierte Elektronen oder Löcher rekombiniert werden. In der vorliegenden Ausführungsform kann eine aus einem Bereich bzw. Umfang von LED-Vorrichtungen, wie beispielsweise eine rote LED-Vorrichtung, eine grüne LED-Vorrichtung, eine blaue LED-Vorrichtung, eine weiße LED-Vorrichtung, eine gelbe LED-Vorrichtung oder eine UV-LED-Vorrichtung als die LED-Vorrichtung 100 eingesetzt werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist veranschaulicht, dass die LED-Vorrichtung 100 an bzw. auf dem ersten Leitungsrahmen 31 installiert ist, wenn notwendig jedoch können zwei oder mehr LED-Vorrichtungen 100 auf dem einzelnen bzw. einzigen Chip-Anbringbereich 16 installiert werden, um die Luminanz zu erhöhen.
  • Ebenso ist in der vorliegenden Ausführungsform die LED-Vorrichtung 100 direkt elektrisch mit dem ersten Leitungsrahmen 130 verbunden, wenn sie darauf angebracht ist, und mit dem zweiten Leitungsrahmen 32 durch einen Draht 50 verbunden, das Verbindungsverfahren jedoch zum Verbinden der LED-Vorrichtung 100 und des Leitungsrahmens 30 ist nicht darauf beschränkt und kann variabel abgewandelt werden. Beispielsweise kann, gemäß einer Ausführungsform, die LED-Vorrichtung 100 mit dem ersten Leitungsrahmen 31 durch einen Draht elektrisch verbunden sein. Die LED-Vorrichtung 100 wird im Detail später beschrieben werden.
  • Die Linse 20, welche in der vorliegenden Ausführungsform eingesetzt wird, kann aus einem transparenten oder lichtdurchlässigen Material gefertigt sein, vorzugsweise einem Harz oder Kunstharz, wie beispielsweise Silizium, Epoxidharz oder dergleichen, um es Licht zu ermöglichen, von der LED-Vorrichtung 100 nach oben abgegeben zu werden. Was die Form der Linse 20 betrifft, kann die Linse 20 als eine so genannte Flat-Top-Linse konfiguriert sein, welche einen reflektierenden Abschnitt mit einer flachen oberen Oberfläche und einen konvexen unteren Abschnitt hat.
  • Hier kann die Linse 20 eine reflektierende Oberfläche 24 aufweisen, welche die Lichtabgabe von einer oberen vorderen Oberfläche der LED-Vorrichtung 100 steuert und eine vollständig reflektierende Oberfläche 25, welche die Lichtabgabe von einer lateralen Seite der LED-Vorrichtung 100 steuert.
  • Die lichtbrechende Oberfläche 24 kann eine flache oder konvexe untere Oberfläche haben, welche dazu dient, um zu steuern, dass Licht von der LED-Vorrichtung 100 unter einem bestimmten Winkel gebrochen wird, so dass es zu einer Ausgabeoberfläche reflektiert wird. In diesem Fall kann die untere Oberfläche der lichtbrechenden Oberfläche 24 eine Fresnel-Linsenform haben, welche es Licht ermöglicht, weiterhin auf die Abgabeoberfläche konzentriert zu werden.
  • Die vollständig reflektierende Oberfläche 25 kann gebildet sein, so dass sie gekrümmt oder nicht gekrümmt ist. Wenn die vollständig reflektierende Oberfläche 25 gebildet ist, so dass sie gekrümmt ist, ist sie vorzugsweise gebildet, so dass sie eine konische Oberfläche oder eine asphärische Oberfläche hat. Die vollständig reflektierende Oberfläche 25 kann die Lichtabgabe von der lateralen Seite der LED-Vorrichtung 100 derart steuern, dass es vollständig reflektiert wird, um so die Lichtabgabe in eine nach vorne gerichtete Richtung zu konzentrieren.
  • Die Linse 20 weist wenigstens einen horizontalen Vorsprung 22 auf, welcher an einer äußeren Umfangsoberfläche davon gebildet ist und wenigstens eine flache Oberfläche hat. Der horizontale Vorsprung 22 ist auf bzw. an jedem Abstütz-Überstand 12 an einer inneren Seite einer Seitenwand des Gehäusehauptkörpers 10 gebildet und mit dem Gehäusehauptkörper 10 unter Verwendung eines Klebstoffs oder dergleichen gekoppelt. Ein Kopplungsverfahren jedoch zum Koppeln der Linse 20 und des Gehäusehauptkörpers 10 ist nicht auf solch ein Bonding-Verfahren bzw. Anbring-Verfahren beschränkt und es kann variabel abgewandelt werden, gemäß einer Form und einer Größe des Gehäusehauptkörpers 10 und der Linse 20.
  • Indes ist einer der Schlüsselfaktoren beim Bestimmen der optischen Charakteristiken des Gehäuses 1 für die lichtabgebende Vorrichtung einschließlich der Linse 20 ein Abstand zwischen der LED-Vorrichtung 100, welche Licht abgibt, und der Linse 20, welche die Brechung von Licht erzeugt, nämlich ein Luftspalt. Was den Luftspalt betrifft, wird ein optimaler Abstand, um Licht abzugeben, welches unter einem bestimmten Abgabewinkel nach außen gestrahlt wird,durch ein Experimentieren bestimmt, um dadurch die Luminanzeffizienz zu optimieren.
  • Demnach wird, um die Effizienz der nach vorne gerichteten und der lateralen Lichtabgabe von der LED-Vorrichtung 100 zu maximieren, ein angemessener Abstand des Luftspaltes zwischen der LED-Vorrichtung 100 und einer räumlichen Höhe der lichtbrechenden Oberfläche 24 der Linse 10 benötigt.
  • Der Grund ist, dass, wenn der Luftspalt zu klein ist, die Lichtabgabe von der lateralen Seite der LED-Vorrichtung 100 auf die brechende Oberfläche einstrahlt bzw. fällt, so dass sie auf die Außenseite der Abgabeoberfläche einfällt, was einen Lichtverlust erhöht, und demnach sollte ein numerischer Wert des Luftspaltes, wenn das Gehäuse 1 für die lichtabgebende Vorrichtung ausgestaltet wurde, aufrechterhalten werden oder sollte nicht verringert werden, um kleiner zu sein, um wenigstens die optischen Charakteristiken des Produkts ordnungsgemäß darzustellen.
  • In dieser Hinsicht jedoch wird, wenn die Linse 20 durch eine Aufnahmevorrichtung während eines Vorgangs des Koppelns der Linse 20 und des Gehäusehauptkörpers 10 gedrückt bzw. gepresst wird, der vorbestimmte numerische Wert des Luftspaltes durch den gedrückten numerischen Wert geändert, was dazu führt, dass optische Charakteristiken des Gehäuses 1 für die lichtabgebende Vorrichtung geändert werden, so dass sie unterschiedlich von denjenigen des Gehäuses 1 für die lichtabgebende Vorrichtung sind, als es ausgestaltet wurde.
  • In der vorliegenden Ausführungsform jedoch kann, da die Linsen-Abstützeinheit 11 gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht 50, um das untere Ende des Reflektors, welcher von einem unteren Abschnitt der Linse 20 hervorsteht, abzustützen, auch in dem Fall, in dem die Linse 20 durch Aufnahmevorrichtung gedrückt wird, der Luftspalt zwischen der lichtbrechenden Oberfläche 24 zur Linse 20 und der LED-Vorrichtung 100 einheitlich aufrechterhalten werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform verhindert nämlich die Linsen-Abstützeinheit 11, dass die Linse 20 durch die Aufnahmevorrichtung gedrückt wird, so dass sie dadurch eine Änderung in dem Luftspalt zwischen der LED-Vorrichtung 100 und der Linse 20 verhindert, wodurch die optischen Charakteristiken, welche bestimmt werden, als das Gehäuse 1 für die lichtabgebende Vorrichtung 1 ausgestaltet wurde, aufrechterhalten werden.
  • Indes kann in der vorliegenden Ausführungsform der Chip-Anbringbereich 16 als ein konkaver Abschnitt in dem Aussparungsabschnitt 14 des Gehäusehauptkörpers vorgesehen werden bzw. sein durch die Anwesenheit der Linsen-Abstützeinheit 11, und eine Kapselungseinheit bzw. Einkapselungseinheit (nicht gezeigt) kann auf bzw. an dem Chip-Anbringbereich 16 gebildet sein, um die LED-Vorrichtung 100 zu bedecken, um die LED-Vorrichtung 100 zu schützen, und um einen Brechungsindex zu implementieren, welcher zwischen einem Material der LED-Vorrichtung 100 und der Außenseite übereinstimmt, um die Lichtextraktionseffizienz nach außen zu erhöhen.
  • Die Kapselungseinheit kann durch Anwenden eines lichtdurchlässigen Harzes bzw. Kunstharzes, wie beispielsweise Silizium oder Epoxidharz gebildet sein. Ebenso kann die Kapselungseinheit Phosphore aufweisen, um eine Farbe von Licht, welches von der LED-Vorrichtung 100 abgegeben wird, in verschiedene Farben umzuwandeln. Ebenso kann die Kapselungseinheit Quantendots aufweisen.
  • Unter Bezugnahme auf die 3 und 4 kann in einer Abwandlung der Linsen-Abstützeinheit 11 ein Stopp-Überstand 11a gebildet sein, so dass er nach oben hervorsteht, derart, dass ein unterer Endabschnitt der Linse 20 durch den Endabschnitt der Linsen-Abschnittseinheit 11 erfasst wird, um die Position (nämlich die Position in einer vertikalen Richtung) der Linse 20 zu fixieren bzw. festzuhalten. Hier kann der Stopp-Überstand 11a eine halbkugelförmige Form, eine rechtwinklige Säulenform oder dergleichen haben, und kann gebildet sein, um sich entlang einer äußeren Umfangsoberfläche des unteren Endabschnitts der Linse 20 zu erstrecken. Hier kann der Stopp-Überstand 11a abgewandelt sein, so dass er irgendeine Form hat, solange er den unteren Endabschnitt der Linse 20 abstützen kann, um die Position der Linse 20 zu fixieren.
  • Unter Bezugnahme auf die 5 und 6 kann in einer Abwandlung des Gehäusehauptkörpers 10 und der Linse 20 der Gehäusehauptkörper 10 wenigstens eine Vertiefung (d.h. eine Einbuchtung) 13 aufweisen, welche in einem oberen Teil der Seitenwand 15 gebildet ist, und die Linse 20 kann Einführ-Vorsprünge aufweisen, welche gebildet sind, so dass sie flach von einem oberen Ende davon hervorstehen derart, dass die Einführ-Vorsprünge den Vertiefungen 13 entsprechen. Demzufolge werden beim Koppeln der Linse 20 mit dem Gehäusehauptkörper 10 unter Verwendung einer Aufnahmevorrichtung (nicht gezeigt) die Einführ-Vorsprünge 23 in die Vertiefungen 13 eingeführt, um präzise eine nach vorne gerichtete, eine nach hinten gerichtete, eine linke und eine rechte Position der Linse 20 festzulegen, wodurch die Beweglichkeit beschränkt wird.
  • Es können nämlich optische Charakteristiken gemäß den Positionen der gekoppelten Linse 20 und des Gehäusehauptkörpers 10 geändert werden und in diesem Fall kann, da die Positionen der Linse 20 und des Gehäusehauptkörpers 10 in der x-, y- und z-Achse fixiert sind und durch die Kopplungsstruktur der Einführ-Vorsprünge 23 und der Vertiefungen 13 hergestellt sind, die Linse die Charakteristiken nachdem das Gehäuse 1 für die lichtabgebende Vorrichtung hergestellt ist erhalten, die gegenwärtig waren, als das Gehäuse 1 für die lichtabgebende Vorrichtung ausgebildet wurde.
  • Ein Verfahren zum Herstellen des Gehäuses 1 für die lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welches wie obenstehend konfiguriert ist, wird wie folgt beschrieben werden.
  • Als erstes wird der Gehäusehauptkörper 10 durch Verwenden einer Gussform bereitgestellt. Der Gehäusehauptkörper 10 wird derart bereitgestellt, dass die Seitenwand 15 gebildet wird, um es dem Aussparungsabschnitt 14, welcher den Chip-Anbringbereich 16 darin aufweist, an einer Innenseite des Gehäusehauptkörpers 10 gebildet zu werden, und der Linsen-Abstützeinheit 11, höher gebildet zu werden als der Draht 50 und benachbart zu dem Chip-Anbringbereich 16 des Aussparungsabschnitts 14.
  • Hier wird in dem Fall des Gehäuses 1 für die lichtabgebende Vorrichtung, welches eine Flachtyp-Linse verwendet, diese weitgehend als Beleuchtungsquelle eines Kamerablitzes oder dergleichen verwendet, und die LED-Vorrichtung, welche für einen solchen Zweck verwendet wird, gibt Licht nur von einer oberen Oberfläche davon ab, und demnach stört die Bildung der Linsen-Abstützeinheit 11 die Luminanzeffizienz nicht.
  • Ebenso werden bei dem Vorgang des Bereitstellens des Gehäusehauptkörpers 10 ein erster und ein zweiter Leitungsrahmen 31 und 32 zusammen installiert derart, dass sie voneinander beabstandet sind, und wenigstens Abschnitte davon sind zu dem Chip-Anbringbereich 16 freiliegend sind.
  • Die LED-Vorrichtung 100 ist auf dem Bereich des ersten Leitungsrahmens, welcher zu dem Chip-Anbringbereich 16 freiliegend ist, angebracht, und der zweite Leitungsrahmen 32 und die LED-Vorrichtung 100 sind elektrisch durch den Draht 50 verbunden.
  • Danach wird die Linse 20 über der LED-Vorrichtung 100 unter Verwendung einer Aufnahmevorrichtung (nicht gezeigt) installiert. Zu dieser Zeit wird der horizontalen Vorsprung 22 der Linse 20 durch die äußere Umfangsoberfläche des Abstütz-Überstandes 12 der Seitenwand 14 abgestützt, und der untere Endabschnitt der Linse 20 wird durch die Linsen-Abstützeinheit 11 abgestützt, wodurch verhindert wird, dass der Draht 50 durch den unteren Endabschnitt der Linse 20 durch den Druck der Aufnahmevorrichtung gedrückt wird.
  • Indes wird bei dem Vorgang des Bereitstellens des Gehäuses der Gehäuse-hauptkörper 10 unter Verwendung einer Mehrzahl von Kavitäten in einer Gussform hergestellt und in diesem Fall kann ein Ausstoßpin zum Drücken des Leitungsrahmens 30 des Gehäusehauptkörpers 10 verwendet werden, um es dem Gehäusehauptkörper 10 zu ermöglichen, leicht von der Gussform getrennt zu werden.
  • Die Verwendung des Ausstoßpins erleichtert nämlich die Trennung des Gehäusehauptkörpers 10 von der Gussform und indem die Größe des Ausstoßpins vergrößert wird, kann der Gehäusehauptkörper 10 leichter von der Gussform getrennt werden. Zu diesem Zweck wird demnach ein Raum für den Ausstoßpin in dem Gehäuse-hauptkörper 10 benötigt, es wurde jedoch in jüngerer Zeit, als die Gehäuse in der Größe verringert wurden, ein Sicherungsraum für solch einen Ausstoßpin problematisch, was es schwierig gestaltet, den Ausstoßpin anzuwenden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform jedoch kann die Linsen-Abstützeinheit 11 als ein Raum für den Ausstoßpin verwendet werden, was einen Effekt erreicht, in welchem der Gehäusehauptkörper 10 stabil von der Gussform getrennt werden kann, auch in dem Fall, in dem die Größe des Gehäuses verringert ist. Ebenso kann durch solch einen Vorgang ein Ausschussverhältnis während des Trennvorgangs von der Gussform weiterhin verringert werden.
  • Ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer anderen zumindest hinsichtlich der Linsenform nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf die 7 bis 10 beschrieben werden.
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch ein Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß einer anderen zumindest hinsichtlich der Linsenform nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform veranschaulicht. 8 ist eine Schnittansicht der 7. Die 9A und 9B sind eine vergrößerte perspektivische Ansicht und eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Linsen-Abstützeinheit in 7. 10 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch ein anderes Beispiel einer Linsen-Abstützeinheit in dem Gehäuse für die lichtabgebende Vorrichtung der 7 veranschaulicht.
  • Unter Bezugnahme auf die 7 und 8 kann ein Gehäuse 1' für eine lichtabgebende Vorrichtung gemäß der vorliegenden zumindest hinsichtlich der Linsenform nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform einen Gehäusehauptkörper 10', welcher einen Aussparungsabschnitt 14', welcher einen Chip-Anbringbereich 16' darin aufweist, hat, einen Leitungsrahmen 30', welcher einen Abschnitt freiliegend zu dem Chip-Anbringbereich 16' hat, eine Lichtdioden (LED)-Vorrichtung 100, welche an bzw. auf dem Chip-Anbringbereich 16' angebracht ist, einen Draht 50', welcher den Leitungsrahmen 30' und die LED-Vorrichtung 100 elektrisch verbindet, eine Linse 20', welche in dem Aussparungsabschnitt 14' oberhalb der LED-Vorrichtung 100 angeordnet ist, und eine Linsen-Abstützeinheit 11' aufweisen, welche die Linse 20' derart abstützt, dass der Draht 50' und die Linse 20' nicht in Kontakt miteinander gelangen.
  • Die LED-Vorrichtung 100 ist eine Diode, welche eine Übergangsstruktur wie beispielsweise p-n, n-p-n oder dergleichen aufweist, und Licht abgibt bzw. emittiert, wenn injizierte Elektronen oder Löcher rekombiniert werden. In der vorliegenden Ausführungsform kann eine aus einem Bereich bzw. Umfang von LED-Vorrichtungen, wie beispielsweise eine rote LED-Vorrichtung, eine grüne LED-Vorrichtung, eine blaue LED-Vorrichtung, eine weiße LED-Vorrichtung, eine gelbe LED-Vorrichtung oder eine UV-LED-Vorrichtung als die LED-Vorrichtung 100 eingesetzt werden. Die LED-Vorrichtung wird im Detail später beschrieben werden.
  • Der Gehäusehauptkörper 10' kann aus einem isolierenden Material wie beispielsweise Plastik, Silizium, einem keramischen Harz bzw. Kunstharz oder dergleichen gefertigt sein, welches eine hervorragende Wärmeverteil- bzw. Wärmeableitleistungsfähigkeit und Lichtreflektivität sowie isolierende Charakteristiken hat, um einen elektrischen Kurzschluss zu verhindern. Vorzugsweise kann der Gehäusehauptkörper 10' eine Struktur haben, welche ein transparentes Harz bzw. Kunstharz und lichtreflektierende Partikel (beispielsweise TiO2) aufweist, welche in dem transparenten Harz bzw. Kunstharz verteilt sind. Das Material jedoch, welches zum Herstellen des Gehäusehauptkörpers 10' verwendet wird, ist nicht besonders hierauf beschränkt.
  • Der Gehäusehauptkörper 10' kann eine vertikale Seitenwand 15' haben, welche an dem Umfang davon vorgesehen ist, um einen Abstütz-Überstand 12' zu bilden, welcher die Linse 20' abstützt. Der Abstütz-Überstand 12' kann eine Struktur haben, welche eine Stufe hat, welche gebildet ist, so dass sie eine bestimmte Tiefe nach unten gerichtet von einer oberen Oberfläche der Seitenwand 15' in einer inneren Seite der Seitenwand 15' hat. Der Abstütz-Überstand 12' kann den Aussparungsabschnitt 14' haben, welcher gebildet ist, so dass er vertieft bzw. niedergedrückt ist, so dass er eine gewisse Tiefe von der Oberfläche von dem Abstütz-Überstand 12' an einer inneren Seite des Abstütz-Überstandes 12' hat.
  • Der Aussparungsabschnitt 14' kann einen Raum haben, welcher eine Größe hat, welche ausreichend zur Aufnahme der LED-Vorrichtung 100 darin ist, und eine solche Tiefe haben, dass er verhindert, dass der Draht 50', welcher die LED-Vorrichtung 100 mit dem Leitungsrahmen 30' verbindet, nach oben hervorsteht. Demnach kann eine obere Oberfläche des Abstütz-Überstandes 12', welcher den Aussparungsabschnitt 14' hat, positioniert sein, so dass er höher ist als der Draht 50. Der Aussparungsabschnitt 14' kann eine Struktur haben, in welcher eine innere laterale Oberfläche davon geneigt ist, um Licht zu reflektieren, eine Ausgabe von der LED-Vorrichtung 100, in Richtung der Linse 20', um damit einen Lichtverlust zu minimieren. Eine reflektierende Schicht (nicht gezeigt), welche ein hervorragendes Lichtreflexionsvermögen hat, kann weiterhin an bzw. auf der inneren Oberfläche gebildet sein.
  • Die reflektierende Schicht kann gebildet werden durch ein Beschichten wenigstens eines bzw. mit wenigstens einem von hochreflektierenden Metallen wie beispielsweise Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au oder einer Mischung davon auf einer Innenoberfläche des Aussparungsabschnitts 14' oder durch ein Anbringen einer reflektierenden Folie bzw. eines reflektierenden Bleches, welche bzw. welches aus einem der Metalle oder einer Mischung von zweien oder mehreren der Metalle gefertigt ist, auf der Innenoberfläche des Aussparungsabschnitts 14'. Der Aussparungsabschnitt 14' kann den Chip-Anbringbereich 16' an der Mitte davon haben, an welcher die LED-Vorrichtung 100 angebracht ist.
  • Der Leitungsrahmen 30' kann eine Mehrzahl von Leitungsrahmen aufweisen; einen ersten und einen zweiten Leitungsrahmen 31' und 32'. Der erste und der zweite Leitungsrahmen 31' und 32' können zu der Linken und der Rechten an dem Gehäusehauptkörper 10' angeordnet sein derart, dass sie voneinander beabstandet sind. Der Leitungsrahmen 30' kann aus einem Metall, beispielsweise Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) oder dergleichen gefertigt sein, welche hervorragende elektrische Leitfähigkeits- und thermische Leitfähigkeits-Eigenschaften haben, das Material des Leitungsrahmens 30' ist aber nicht hierauf beschränkt.
  • Abschnitte des ersten und des zweiten Leitungsrahmens 31' und 32' können zu dem Chip-Anbringbereich 16' freiliegend sein, um Leiter zu werden, welche elektrisch mit der LED-Vorrichtung 100 verbunden sind, und Abschnitte gegenüberliegender Seiten des ersten und des zweiten Leitungsrahmens 31' und 32' stehen zu der Außenseite des Gehäusehauptkörpers 10' hervor, so dass sie in Kontakt mit beispielsweise einem Schaltungsmuster (nicht gezeigt) oder dergleichen eines Aufnahmesubstrats (nicht gezeigt) sind und elektrisch damit verbunden sind, so dass sie eine Basiseinheit in einem Bonding-Bereich werden, welcher ein externes elektrisches Signal anlegt. In diesem Fall können der erste und der zweite Leitungsrahmen 31' und 32' von einem unteren Abschnitt des Gehäusehauptkörpers 10' freiliegend sein, so dass sie als ein Bonding-Bereich des Oberflächenaufnahmebereichs vorgesehen sind.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist veranschaulicht, dass der erste und der zweite Leitungsrahmen 31' und 32' als ein Paar, welches zu beabstanden ist, angeordnet sind, und einander nicht berühren, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Es können nämlich wie in der Ausführungsform der 1 ein einzelner erster Leitungsrahmen 31' und ein einzelner zweiter Leitungsrahmen 32' vorgesehen sein, und zu der Linken und zu der Rechten mit einem bestimmten Abstand dazwischen an dem Gehäusehauptkörper 10' angeordnet sein. In diesem Fall stehen beide Endabschnitte des ersten Leitungsrahmens 31' und beide Endabschnittes des zweiten Leitungsrahmens 32' zu der Außenseite des Gehäusehauptkörpers 10' hervor und Abschnitte der Mittelbereiche des ersten und des zweiten Leitungsrahmens 31' und 32' sind zu dem Chip-Anbringbereich 16' freiliegend.
  • Wie in den 7 und 8 gezeigt ist, kann wenigstens eine der LED-Vorrichtungen 100 auf dem Chip-Anbringbereich 16 innerhalb des Aussparungsbereichs 14' angebracht sein. Im Detail sind die LED-Vorrichtungen 100 angeordnet, so dass sie voneinander zwischen dem ersten und dem zweiten Leitungsrahmen 31' und 32' beabstandet sind, und sie können fest an einer Wärmeableiteinheit 60, welche zu dem Chip-Aufnahmebereich 16' freiliegend ist, angebracht sein. Die Wärmeableiteinheit 60 ist aus einem Material gefertigt, welches eine hervorragende thermische Leitfähigkeit hat, und eine Wärmesenke aufweist. Wie der Leitungsrahmen 30' kann die Wärmeableiteinheit 60 zu einem unteren Abschnitt des Gehäusehauptkörpers 10' freiliegend sein, und demzufolge kann eine Wärmeableiteffizienz erhöht bzw. verbessert sein. Die LED-Vorrichtung 100 kann elektrisch mit dem ersten und dem zweiten Leitungsrahmen 31' und 32' mittels eines leitfähigen Drahtes 50' verbunden sein.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist veranschaulicht, dass eine Mehrzahl von LED-Vorrichtungen 100 an bzw. auf dem Chip-Aufnahmebereich 16' installiert und angeordnet sind, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und nur eine einzelne LED-Vorrichtung kann, wenn es notwendig ist, installiert sein.
  • Ebenso sind in der vorliegenden Ausführungsform die Wärmeableiteinheit 60 und die Leitungsrahmen 30' voneinander beabstandet und nicht in Kontakt miteinander. Die Wärmeableiteinheit 60 kann jedoch integral mit irgendeinem des ersten Leitungsrahmens 31' und des zweiten Leitungsrahmens 32' verbunden sein. Beispielsweise kann, wenn die Wärmeableiteinheit 60 integral mit dem ersten Leitungsrahmen 31' gebildet ist, die LED-Vorrichtung 100 physikalisch und elektrisch mit der Wärmeableiteinheit 60 mittels einer leitfähigen Klebstoffschicht verbunden sein, und sie kann mit dem zweiten Leitungsrahmen 32' durch den Draht 50' verbunden sein.
  • Wenigstens eine Linsen-Abstützeinheit 11' erstreckt sich von der Seitenwand 15' in Richtung der LED-Vorrichtung 100. Die Linsen-Abstützeinheiten 11' sind gebildet, so dass sie an dem Chip-Aufnahmebereich 16' höher sind als der Draht 50'. Die Linsen-Abstützeinheiten 11' unterstützen die Linse 20' derart, dass die Linse 20' nicht in Kontakt mit dem Draht 50' gelangt, wenn sie mit dem Gehäusehauptkörper 10' gekoppelt wird.
  • Wie in 9 veranschaulicht ist, sind Abschnitte der Linsen-Abstützeinheiten 11' fest an bzw. auf dem Abstütz-Überstand 12' angebracht, und die anderen verbleibenden Abschnitte davon sind auf dem Aussparungsabschnitt 14' platziert und in einem oberen Raum des Chip-Aufnahmebereichs 16' angeordnet. Die Linsen-Abstützeinheiten 11' sind nämlich auf dem Abstütz-Überstand 12' platziert und abgestützt, und demnach sind untere Oberflächen der Linsen-Abstützeinheiten 11' positioniert, so dass sie höher sind als der Draht 50, um damit zu verhindern, dass die Linse 20', welche durch die Linsen-Abstützeinheiten 11' abgestützt ist, in Kontakt mit dem Draht 50' gelangt. In diesem Fall können die unteren Oberflächen der Linsen-Abstützeinheiten 11' koplanar zu einer oberen Oberfläche des Abstütz-Überstands 12' sein.
  • Die Linsen-Abstützeinheiten 11' sind über dem Aussparungsabschnitt 14' angeordnet, in welchem Licht, welches von der LED-Vorrichtung erzeugt wird, abgegeben wird, so dass, um eine Verschlechterung der Luminanzeffizienz zu verhindern, vorzugsweise die Linsen-Abstützeinheiten 11' aus einem Material wie beispielsweise transparentem Plastik (transparentes PC) oder dergleichen gefertigt sind. Insbesondere können die Linsen-Abstützeinheiten 11' ein Öffnungsloch (h) haben, welches dadurch in einem Abschnitt davon hindurchtritt, welcher über dem Aussparungsabschnitt 14' platziert ist. Demnach kann, obwohl Abschnitte der Linsen-Abstützeinheiten 121' von dem Abstütz-Überstand 12' zu dem oberen Raum des Chip-Aufnahmebereichs 16' hervorstehen der Aussparungsabschnitt 14' durch das Öffnungsloch (h) freigelegt sein, wodurch ein Bereich, welcher durch die Linsen-Abstützeinheiten 11' bedeckt ist, minimiert werden kann, und demnach kann eine Verschlechterung der Lichtextraktionseffizienz verhindert werden.
  • Indes können, wie in 10 veranschaulicht ist, die Linsen-Abstützeinheiten 11' eine Struktur haben, in welcher sich wenigstens eine Linsen-Abstützeinheit 11' von einer Seite von irgendeiner der Seitenwände 15' erstreckt, den Chip-Anbringbereich 16' quert, und mit der anderen Seite verbunden ist. Im Detail sind beide Enden der Linsen-Abstützeinheiten 11' fest an bzw. auf beiden gegenüberliegenden Abstütz-Überständen 12' über den Aussparungsabschnitt 14' hinweg platziert, die Struktur habend, in welcher die Linsen-Abschnittseinheiten 11' über den oberen Raum des Chip-Aufnahmebereichs 16' gelegt sind. Eine Mehrzahl von Linsen-Abstützeinheiten 11' kann angeordnet sein, um einander über dem Chip-Aufnahmebereich 16' zu schneiden. Demzufolge wird die Linse 20', welche durch die Linsen-Abstützeinheiten 11' abgestützt ist, nicht in Kontakt mit dem Draht 50' gebracht.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist veranschaulicht, dass ein Paar von Linsen-Abstützeinheiten 11' angeordnet ist, so dass es einander zugewandt ist, oder angeordnet ist, einander zu schneiden, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und verschiedene Anzahlen von Linsen-Abstützeinheiten 11' können vorgesehen sein und die Linsen-Abstützeinheiten 11' können angeordnet sein, so dass sie verschiedene Strukturen haben.
  • Der Aussparungsabschnitt 14' ist mit einem transparenten Epoxy-Bereich oder dergleichen gefüllt, um eine Kapselungs- bzw. Einkapselungseinheit 70 zu bilden, welche die LED-Vorrichtung 100 und den Draht 50' einkapselt. Die Kapselungseinheit 70, welche den Aussparungsabschnitt 14' füllt, kann derart gebildet sein, dass eine obere Oberfläche davon parallel zu der oberen Oberfläche des Abstütz-Überstandes 12' ist.
  • Die Kapselungseinheit 70 kann wenigstens einen Typ von Phosphor aufweisen. In diesem Fall kann der Phosphor, welcher in der Kapselungseinheit 70 beinhaltet ist, unterschiedlich zu demjenigen eines Phosphors sein, welcher in einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit enthalten ist, welche in der LED-Vorrichtung 100 gebildet ist (später zu beschreiben). Der Phosphor (beispielsweise ein grüner Phosphor oder ein blauer Phosphor), welcher in der Kapselungseinheit 70 beinhaltet ist, kann ein Phosphor sein, welcher ein Licht abgibt, welches eine kürzere Wellenlänge hat. Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit nämlich, welche einen Phosphor, welcher Licht abgibt, welches eine relativ lange Wellenlänge hat, beinhaltet, ist positioniert, so dass sie am nächsten zu der LED-Vorrichtung 100 ist, während der Phosphor, welcher Licht abgibt, welches eine relativ kurze Wellenlänge hat, auf der Wellenlängen-Umwandlungseinheit gebildet ist, so dass er relativ fern von der LED-Vorrichtung 100 ist, wodurch die Gesamtwellenlängen-Umwandlungseffizienz der LED-Vorrichtung 100 verbessert wird.
  • Die Linse 20', welche in der vorliegenden Ausführungsform eingesetzt wird, kann aus einem transparenten oder lichtdurchlässigen Material gefertigt sein, vorzugsweise einem Harz oder Kunstharz, wie beispielsweise Silizium, Epoxidharz oder dergleichen, um es Licht zu ermöglichen, von der LED-Vorrichtung 100 nach oben abgegeben zu werden, und sie kann als eine halbsphärische Linse mit einer konvexen oberen Oberfläche konfiguriert sein.
  • Die Linse 20' kann an einer oberen Oberfläche der Kapselungseinheit 70, welche den Aussparungsabschnitt 14' füllt, und dem Abstütz-Vorsprung 12' angebracht sein, welcher an der innere Seite der Seitenwände 15' des Gehäusehauptkörpers 10' gebildet ist, und durch einen Klebstoff oder dergleichen befestigt sein. Das Verfahren des Koppelns der Linse 20' und des Gehäusehauptkörpers 10' ist jedoch nicht auf solch ein Bonding-Verfahren beschränkt, und die Linse 20' kann direkt an bzw. auf dem Gehäusehauptkörper 10' durch ein Spritzgießen unter Verwendung einer Gussform (nicht gezeigt) gebildet werden.
  • Indes ist ein Einfluss eines Zusammenziehens und einer Ausdehnung, welche durch eine Änderung in der externen Temperatur in dem Gehäusehauptkörper 10', welcher die Linse 20' aufweist, der größte in einer Kopplungsschnittstelle zwischen der Linse 20' und dem Gehäusehauptkörper 10'. Spannungen nämlich, gemäß einem Unterschied in der Belastung zwischen der Linse 20' und dem Gehäusehauptkörper 10', welche in der Kopplungsschnittstelle erzeugt werden, trennt die Linse 20' von dem Gehäusehauptkörper 10' und sie betreffen auch den Draht 50' innerhalb der Kapselungseinheit 70, was den Draht 50' veranlasst, von der LED-Vorrichtung 100 aufgrund der angesammelten plastischen Beanspruchung getrennt zu werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform jedoch wird demnach, da die Linsen-Abstützeinheiten 11' gebildet sind, so dass sie höher sind als der Draht 50', um die Linse 20' in der Kopplungsschnittstelle zwischen der Linse 20' und dem Gehäusehauptkörper 10' abzustützen, ein Einfluss, welcher durch die Differenz in der Belastung verursacht wird, minimiert, um eine Trennung der Linse 20' zu verhindern und um die angesammelte plastische Belastung, welcher auf den Draht 50' wirkt zu minimieren, um eine Trennung des Drahtes 50' zu verhindern. Ebenso kann beim Bonden der Linse 20' auch in dem Fall, dass die Linse 20' durch eine Aufnahmevorrichtung gedrückt bzw. gepresst wird, die Produktzuverlässigkeit erhöht werden, da verhindert wird, dass die Linse 20' den Draht 50' aufgrund der Linsen-Abstützeinheiten 11' drückt.
  • Die 11 bis 14 sind Ansichten, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen des Gehäuses für die lichtabgebende Vorrichtung der 7 veranschaulichen.
  • Als erstes wird der Gehäusehauptkörper 10' unter Verwendung einer Gussform bereitgestellt. Der Gehäusehauptkörper 10' wird derart bereitgestellt, dass die Seitenwand 15' gebildet wird, so dass sie den Abstütz-Überstand 12' an einer inneren Seite davon hat, und der Aussparungsabschnitt 14' wird gebildet, so dass er den Chip-Aufnahmebereich 16' an einer inneren Seite des Abstütz-Überstands 12' hat. Ebenso werden in dem Gehäusehauptkörper 10' der erste und der zweite Leitungsrahmen 31' und 32' gebildet, so dass sie voneinander beabstandet sind derart, dass wenigstens ein Abschnitt davon freiliegend ist, und die Wärmeableiteinheit 60 wird auch installiert, so dass sie zwischen dem ersten und dem zweiten Leitungsrahmen 31' und 32' angeordnet ist.
  • Der Abstütz-Überstand 12', welcher als ein Abschnitt dient, welcher die Linse 20' abstützt, wie hierin nachstehend beschrieben ist, wird gebildet, so dass er eine Struktur hat, welche eine Stufe macht, welche eine bestimmte Tiefe nach unten von einer oberen Oberfläche der Seitenwand 15' an bzw. auf einer inneren Seite der Seitenwand 15' hat. Der Aussparungsabschnitt 14', welcher einen Raum bildet, welcher eine gewisse Größe hat und die LED-Vorrichtung 100 darin aufnimmt, wird in einer inneren Seite des Abstütz-Überstands 12' gebildet. Der Aussparungsabschnitt 14' kann gebildet werden, so dass er eine ausreichende Tiefe hat, um zu verhindern, dass der Draht 50', welcher die LED-Vorrichtung 100 mit den Leitungsrahmen 31' und 32' verbindet, nach oben hervorsteht, wie hierin nachstehend beschrieben wird. Demnach kann die obere Oberfläche des Abstütz-Überstandes 12', welche den Aussparungsabschnitt 14' hat, positioniert werden, so dass sie höher ist als der Draht 50'.
  • Der Aussparungsabschnitt 14' kann eine Struktur haben, in welcher innere laterale Oberflächen geneigt sind, um eine Lichtabgabe von der LED-Vorrichtung 100 in Richtung der Linse 20', welche steigend bzw. oberhalb davon positioniert ist, zu reflektieren, um dadurch Lichtverluste zu minimieren. Eine reflektierende Schicht (nicht gezeigt), welche ein hervorragendes Lichtreflexionsvermögen hat, kann auf den inneren lateralen Oberflächen gebildet sein.
  • Danach wird die LED-Vorrichtung 100 an bzw. auf der Wärmeableitungseinheit 60, welche zu dem Chip-Anbringbereich 16' freiliegend ist, angebracht, und die LED-Vorrichtung 100 wird elektrisch mit dem ersten und zweiten Leitungsrahmen 31' und 32' durch den Draht 50' verbunden. In diesem Fall steht der Draht 50' nicht von einer oberen Seite des Abstütz-Überstands 12' von dem Aussparungsabschnitt 14' hervor. Eine einzelne LED-Vorrichtung 100 oder eine Mehrzahl davon können angebracht sein.
  • Dann wird, wie in 12 gezeigt ist, zum Kapseln der LED-Vorrichtung 100 und des Drahtes 50' ein Pressharz bzw. Gussharz bzw. -Kunstharz in den Aussparungsabschnitt 14' gespritzt, um die Kapselungseinheit 70 zu bilden. Als das Pressharz kann ein transparentes Epoxy-Harz bzw. Epoxy-Kunstharz, ein Siliziumharz bzw. - Kunstharz oder dergleichen verwendet werden und das Pressharz kann einen Phosphor aufweisen. Die Kapselungseinheit 70, welche innerhalb des Aussparungsabschnitts 14' gebildet ist, kann eine obere Oberfläche parallel zu derjenigen des Abstütz-Überstands 12' haben.
  • Danach werden, wie in 13 gezeigt ist, die Linsen-Abstützeinheiten 11' an dem Gehäusehauptkörper 10' angebracht. Abschnitte der Linsen-Abstützeinheiten 11' werden auf bzw. an dem Abstütz-Überstand 12' platziert, so dass sie dadurch unterstützt sind und die anderen verbleibenden Abschnitte werden über dem Aussparungsabschnitt 14' platziert und überhalb des Chip-Aufnahmebereichs 16' angebracht. Im Detail werden die Linsen-Abstützeinheiten 11' an bzw. auf dem Abstütz-Überstand 12' und der Kapselungseinheit 70', welche den Aussparungsabschnitt 14' füllt, angebracht und befestigt. Da die Linsen-Abstützeinheiten 11' angebracht sind und durch den Abstütz-Überstand 12' abgestützt sind, sind die Linsen-Abschnittseinheiten 11' angeordnet, so dass sie höher sind als der Draht 50'.
  • Danach wird, wie in 14 gezeigt ist, die Linse 20' auf bzw. an dem Abstütz-Überstand 12' und den Linsen-Abstützeinheiten 11' unter Verwendung einer Aufnahmevorrichtung bzw. Abheb-Vorrichtung (nicht gezeigt) installiert. Die Linse 20' kann an bzw. auf dem Abstütz-Überstand 12' angebracht werden, welcher an der inneren Seite der Seitenwand 15' gebildet ist, und an einer oberen Oberfläche der Kapselungseinheit 70, welche den Aussparungsabschnitt 14' füllt und durch einen Klebstoff oder dergleichen befestigt werden. Das Verfahren zum Bonden der Linse 20' an dem Gehäusehauptkörper 10' ist jedoch nicht darauf beschränkt und die Linse 20' kann direkt an bzw. auf dem Gehäusehauptkörper 10' durch ein Spritzgießen unter Verwendung einer Gussform (nicht gezeigt) gebildet werden.
  • Hierin nachstehend werden LED-Vorrichtungen gemäß verschiedenen Ausführungsformen, welche in einem Gehäuse für einen lichtabgebende Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden können, unter Bezugnahme auf die 15-31 beschrieben werden.
  • 15 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch ein Leuchtdioden (LED)-Element gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 15 kann die LED-Vorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen LED-Chip 101 und eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit bzw. Wellenlängen-Wandlereinheit 102 aufweisen, welche an einer oberen Oberfläche der Vorrichtung gebildet ist. Hier bezieht sich die obere Oberfläche der Vorrichtung auf eine Oberfläche, welche durch den LED-Chip 101 gebildet wird, wenn der LED-Chip 101 von oben angeblickt wird. Besonders kann die obere Oberfläche der Vorrichtung als eine Oberfläche definiert sein, welche durch den LED-Chip 101 gebildet wird, wenn eine lichtabgebende Struktur (d.h. eine Struktur, welche Halbleiterschichten von einem ersten und einem zweiten Leitfähigkeitstyp und eine aktive Schicht aufweist (beispielsweise „S“ in 16), welche in dem LED-Chip 101 vorgesehen ist, von oben angeblickt wird und dies wird im Detail in einer Ausführungsform wie hierin nachstehend beschrieben ist, beschrieben werden. Hinsichtlich des Aspekts, dass die obere Oberfläche der Vorrichtung gebildet wird, wenn sie von oben angesehen wird, kann die obere Oberfläche der Vorrichtung eine Oberfläche sein, welche durch Bereiche gebildet wird, welche verschiedene Höhen haben oder aus verschiedenen Materialien gefertigt sind. Beispielsweise kann in dem Fall, der in 16 veranschaulicht ist, eine obere Oberfläche der Vorrichtung durch die lichtabgebende Struktur S, eine Kontaktschicht 208 von p-Typ, eine Elektrode 20 vom p-Typ und dergleichen gebildet sein. Hier werden Wortlaute, wie beispielsweise eine „obere Oberfläche“, eine „untere Oberfläche“, „laterale Oberfläche“ und dergleichen basierend auf den Zeichnungen bestimmt, und können gemäß Richtungen, in welchen die Vorrichtung tatsächlich angeordnet ist, variiert werden.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 dient dazu, eine Wellenlänge von Licht, welches von dem LED-Chip 101 abgegeben wird, umzuwandeln, und zu diesem Zweck kann eine Struktur, in welcher Phosphore in einem transparenten Harz bzw. Kunstharz verteilt sind, verwendet werden. Licht, welches durch die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 umgewandelt wird, und Licht, welches von dem LED-Chip 101 abgegeben wird, können gemischt werden, um eine Abgabe von weißem Licht von der LED-Vorrichtung 100 zu ermöglichen. Beispielsweise können, wenn blaues Licht von dem LED-Chip 101 abgegeben wird, gelbe Phosphore verwendet werden, und wenn ultraviolettes Licht von dem LED-Chip 101 abgegeben wird, gemischte rote, grüne und blaue Phosphore verwendet werden. Außerdem können die Farben der Phosphore und der LED-Chip 101 variabel kombiniert werden, um weißes Licht abzugeben. Ebenso können nur Wellenlängen-Umwandlungsmaterialien wie beispielsweise Grün, Rot und andere angewandt werden, um eine Lichtquelle zum Abgeben relevanter Farben, nicht notwendigerweise weißen Lichts, zu implementieren.
  • Im Detail kann, wenn blaues Licht von dem LED-Chip 101 abgegeben wird, der rote Phosphor, welcher damit verwendet wird, einen MAlSiNx:Re (1 ≤ x ≤ 5) Nitridphosphor, einen MD:Re-Sulfidphosphor und dergleichen aufweisen. Hier ist M wenigstens eines ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Ba, Sr, Ca und Mg und D ist wenigstens eines ausgewählt aus der Gruppe von S, Se und Te, während Re wenigstens eines ist ausgewählt aus der Gruppe von Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br und I. Ebenso kann der grüne Phosphor, welcher damit verwendet wird, einen M2SiO4:Re-Silikatphosphor, einen MA2D4:Re-Sulfidphosphor, einen β-SiAlON:Re-Phosphor und einen MA'2O4:Re'-oxidbasierten Phosphor und dergleichen aufweisen. Hier kann M wenigstens eines ausgewählt aus der Gruppe von Ba, Sr, Ca und Mg sein, A kann wenigstens eines sein ausgewählt aus der Gruppe von Ga, Al und In, D kann wenigstens eines sein ausgewählt aus der Gruppe von S, Se und Te, A' kann wenigstens eines sein ausgewählt aus der Gruppe von Sc, Y, Gd, La, Lu, Al und In, Re kann wenigstens eines sein ausgewählt aus der Gruppe von Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br und I und Re' kann wenigstens eines sein ausgewählt aus der Gruppe von Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br und I.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 102 kann Quantendots an Stelle der Phosphore aufweisen oder sie können zusammen mit den Phosphoren vorgesehen sein. Ein Quantendot ist ein nanokristallines Partikel, welches einen Kern und eine Schale aufweist, und die Kerngröße davon bewegt sich von 2 nm bis 100 nm. Der Quantendot kann verwendet werden als Phosphor, welcher verschiedene Farben abgibt, wie beispielsweise Blau (B), Gelb (Y), Grün (G) und Rot (R) und wenigstens zwei Typen eines Halbleiters ausgewählt aus einer Gruppe II-VI-Halbleiterverbindung (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe, etc.) eine Gruppe III-V-Halbleiterverbindung (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, AlSb, AlS etc.) oder eine Gruppe IV-Halbleiter (Ge, Si, Pb, etc.) können einen Übergang bildend verbunden werden, um einen Kern und eine Schalenstruktur zu bilden, welche einen Quantendot konstituieren. In diesem Fall kann, um eine Molekularbindung auf einer Oberfläche der Schale des Quantendots an einem äußeren Rand der Schale zu beenden, um die Kohäsion des Quantendots zu beschränken, und um die Dispersionscharakteristiken bzw. Verteilungscharakteristiken eines Harzes bzw. Kunstharzes wie beispielsweise eines Siliziumharzes, eines Epoxyharzes oder dergleichen zu verbessern, oder um die Phosphorfunktion zu verbessern, ein organischer Ligand unter Verwendung eines Materials wie beispielsweise Ölsäure gebildet werden. Der Quantendot ist verletzlich hinsichtlich Feuchtigkeit oder Luft, und insbesondere, wenn er in Kontakt mit einem platierten Muster des Substrats oder dem Leitungsrahmen des Gehäuses ist, kann eine chemische Reaktion stattfinden. Demnach kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 140 nur auf die obere Oberfläche des LED-Chips 120 angewandt werden, was die Möglichkeit des Kontakts mit dem platierten Muster oder dem Leitungsrahmen beseitigt, um so die Zuverlässigkeit davon zu verbessern. Demnach können, obwohl die Phosphore als ein Beispiel für das Wellenlängen-Umwandlungsmaterial genommen sind, die Phosphore durch Quantendots ersetzt werden, oder Quantendots können zu den Phosphoren hinzugefügt werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 in der Form einer dünnen Schicht bzw. eines dünnen Films auf einer oberen Oberfläche der Vorrichtung des LED-Chips 101 beschichtet und im Vergleich zu dem Verfahren des Standes der Technik, in welchem Phosphore oder dergleichen in den Behälter bzw. die Schale des Gehäusehauptkörpers eingespritzt bzw. injiziert werden, kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 120 ein insgesamt gleichmäßiges Licht erhalten. Ebenso wird die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 direkt auf die Oberfläche des LED-Chips 101 angewandt, und wenn der Gehäusehauptkörper nicht vorgesehen ist, kann die Größe der Vorrichtung verringert werden. Wenn der LED-Chip 101 von oben betrachtet wird, ist die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 innerhalb eines Bereiches gebildet, welcher die obere Oberfläche der Vorrichtung nicht überschreitet und, wie in 3 veranschaulicht ist, ist ein Bereich benachbart zu der Ecke der oberen Oberfläche der Vorrichtung gebildet, so dass er gekrümmt ist. In diesem Fall hat der andere Bereich, ausschließlich des Bereiches, welcher als eine gekrümmte Oberfläche gebildet ist, nämlich der Bereich benachbart zu der Mitte auf der oberen Oberfläche der Vorrichtung eine flache Oberfläche, welche im Wesentlichen parallel zu der oberen Oberfläche der Vorrichtung ist. Demnach hat die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 eine Struktur, in welcher die flache Oberfläche mit der Ecke der oberen Oberfläche der Vorrichtung durch die gekrümmte Oberfläche verbunden ist. Hier kann die flache Oberfläche ein Konzept haben, welches auch die Anwesenheit einer Abweichung in der Höhe aufweist, welche unvermeidlich bei dem Verfahren auftritt, eher als einfach Bezug auf einen Zustand zu nehmen, in welchem die Gesamhöhe der oberen Oberfläche physikalisch einheitlich ist. Beispielsweise kann die Höhe der flachen Oberfläche innerhalb eines Bereiches von ungefähr -10% bis +10% basierend auf einem Durchschnittswert variieren. Ebenso kann der Bereich benachbart zu der Mitte, in welchem die flache Oberfläche gebildet ist, definiert werden, so dass er ein Bereich gleich zu ungefähr 70% ist, beginnend von der Mitte auf der oberen Oberfläche der Vorrichtung in Richtung der Ecke. In diesem Fall kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 120 unter Verwendung eines kontinuierlichen Verteilungsvorganges (welcher später zu beschreiben ist) gebildet sein, so dass sie eine Dicke hat, welche sich von ungefähr 25 µm bis 150 µm bewegt.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist, da die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 beschränkt auf nur der oberen Oberfläche der Vorrichtung gebildet ist, der wesentliche Bereich einer Lichtquelle nahezu gleich zu dem Bereich einer oberen Oberfläche der Vorrichtung, und demnach wird die Quantität von Licht pro Gebiet der Lichtquelle erhöht. Demnach kann die LED-Vorrichtung 100, welche die erhöhte Quantität von Licht pro Gebiet der Lichtquelle hat, welche in der vorliegenden Ausführungsform vorgesehen ist, angemessen in einem Beleuchtungssystem, beispielsweise einem Kamerablitz, einem Fahrzeugvorderlicht bzw. -frontlicht bzw. -abblendlicht, einer Filmprojektor-Lichtquelle oder dergleichen verwendet werden, welche eine Lichtquelle benötigen, welche eine niedrige Ausdehnung (etendue) hat. Indes hat, wie obenstehend beschrieben ist, die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 eine Struktur, in welcher ein Harz bzw. Kunstharz und Phosphore gemischt sind, und insbesondere sind die Phosphore in dem Verhältnis von einem Zweifachen oder einem Mehrfachen des Harzes basierend auf einem Gewichtsverhältnis beinhaltet. Dies entspricht einem Verhältnis, in welchem die Menge von Phosphor signifikant größer ist im Vergleich zu dem allgemeinen Mischungsverhältnis (d.h. 10:1 bis 1:1) des Harzes bzw. Kunstharzes und Phosphors in der reflektierenden Behältnisstruktur bzw. Becherstruktur des Standes der Technik. Solch eine Form der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 und das Mischungsverhältnis des Harzes bzw. Kunstharzes und des Phosphors werden als einmalige Struktur angesehen, welche durch einen Wellenlängen-Umwandlungsschicht-Bildungsvorgang (später zu beschreiben) erhalten wird. Zusätzlich kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 weiterhin transparente feine Partikel aufweisen. Die transparenten feinen Partikel sind mit den Phosphoren und dem Harz bzw. Kunstharz gemischt und können Materialien aufweisen wie beispielsweise SiO2, TiO2, Al2O3 und dergleichen. Durch ein angemessenes Anpassen des Verhältnisses der transparenten feinen Partikel zu den Phosphoren, welche in der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 102 vorgesehen sind, kann eine Farbtemperatur von Licht, welches zu der Außenseite abgeleitet wird, gewählt werden, so dass es ein erwünschtes Niveau hat, und beispielsweise können die Phosphore gemischt werden, so dass sie basierend auf dem Gewichtsverhältnis in einer Menge doppelt (zweifach) oder mehr als die Menge von transparenten feinen Partikeln gegenwärtig sind.
  • Indes ist der LED-Chip 101 ein Typ einer lichtabgebenden Halbleitervorrichtung, welche Licht gemäß einer externen Leistung, welche darauf angewandt wird, abgibt, und er kann, wenn es notwendig ist, verschiedene Strukturen haben. Eine Struktur eines Beispiels wird unter Bezugnahme auf 16 beschrieben werden. 16 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch ein Beispiel eines LED-Chips veranschaulicht, welcher in der LED-Vorrichtung der 15 eingesetzt werden kann. Im Detail hat der LED-Chip, welcher in 16 veranschaulicht ist, eine Struktur, in welcher ein Bonding-Pad an bzw. auf einem Abschnitt einer oberen Oberfläche einer Vorrichtung gebildet ist.
  • Unter Bezugnahme auf 16 weist eine LED-Vorrichtung 200 einen LED-Chip 201 und eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 auf, welche auf einer lichtabgebenden Oberfläche des LED-Chips 201 gebildet ist. Ähnlich zu derjenigen der vorherigen Ausführungsform ist die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 gebildet, um die obere Oberfläche der Vorrichtung zu bedecken derart, dass ein Mittelbereich der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 auf der oberen Oberfläche eine flache Oberfläche hat, und ein Eckbereich davon eine gekrümmte Oberfläche hat. Der LED-Chip 201 weist die lichtabgebende Struktur (S), welche eine n-Typ Halbleiterschicht 204 aufweist, eine aktive Schicht 205 und eine p-Typ Halbleiterschicht 206 auf und außerdem die lichtabgebende Struktur (S), wobei der LED-Chip 201 weiterhin eine p-Typ Kontaktschicht 208 aufweist, welche mit der p-Typ Halbleiterschicht 206 verbunden ist. Ebenso ist eine p-Typ Elektrode 203 gebildet, so dass sie mit der p-Typ Kontaktschicht 208 verbunden ist. In diesem Fall kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 gebildet sein, so dass sie die lateralen Oberflächen der lichtabgebenden Struktur (S) bedeckt, sie mag jedoch das Substrat 207 oder die p-Typ Kontaktschicht 208 nicht bedecken. Auch in diesem Fall kann, wie in 4 gezeigt ist, die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 die Bedingungen erfüllen, in welchen die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 202 gebildet ist, so dass sie auf die obere Oberfläche der Vorrichtung beschränkt ist und eine flache Oberfläche und eine gekrümmte Oberfläche hat.
  • Das Substrat 207 ist mit der n-Typ Halbleiterschicht 204 durch einen leitfähigen Via (v) verbunden, und kann elektrisch von der aktiven Schicht 205, der p-Typ Halbleiterschicht 206 und der p-Typ Kontaktschicht 208 durch einen Isolator 209 getrennt sein. In der vorliegenden Ausführungsform kann die n-Typ Halbleiterschicht 204 ein elektrisches Signal durch das Substrat 207 empfangen, und dazu ist das Substrat 207 aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt. Mit solch einer Struktur ist eine Elektrode nicht auf einer oberen Oberfläche der n-Typ Halbleiterschicht 204 gebildet, welche als eine lichtabgebende Oberfläche vorgesehen ist, wobei eine herausragende Leuchteffizienz erreicht wird, und da die Mehrzahl von leitfähigen Vias bzw. Durchkontaktierungen (v) und der n-Typ Halbleiterschicht 204 in Kontakt stehen, kann ein Stromverteilungseffekt verbessert werden. Indes kann ein leitfähiger Draht 50 gebildet sein, so dass er mit der p-Typ Elektrode 203 verbunden ist. In 16 ist eine Stufe zwischen der oberen Oberfläche der n-Typ Halbleiterschicht 204 und der freiliegenden Oberfläche der p-Typ Kontaktschicht 208 überhöht abgebildet, und in Wirklichkeit kann die Stufe sehr klein im Vergleich zu der Dicke des leitfähigen Substrats 207 sein.
  • 17 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 17 weist eine LED-Vorrichtung 300 gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen LED-Chip 301 und ein Bonding-Pad 303, welches auf einer Oberfläche des LED-Chips 301 gebildet ist, auf. Eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 ist auf der Oberfläche des LED-Chips, auf welchem das Bonding-Pad 303 gebildet ist, gebildet. Das Bonding-Pad 303 ist mit einem leitfähigen Draht 50 verbunden und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 ist gebildet, so dass sie wenigstens die Oberfläche des LED-Chips 301 und das Bonding-Pad 303 bedeckt. Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 ist nämlich, ähnlich zu derjenigen der vorhergehenden Ausführungsform gebildet, so dass sie die obere Oberfläche der Vorrichtung des LED-Chips 301 bedeckt. Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 ist gebildet, so dass sie auch wenigstens einen Abschnitt eines Bonding-Bereichs des leitfähigen Drahtes 50, welcher mit dem Bonding-Pad 303 verbunden ist, bedeckt, so wie das Bonding-Pad 303 bedeckend. Hier bezieht sich der Bonding-Bereich auf einen Bereich, in welchem der leitfähige Draht 50 direkt in Kontakt mit dem Bonding-Pad 303 steht und eine Breite hat, welche größer ist als der Durchmesser des anderen verbleibenden Abschnitts des leitfähigen Drahtes 50.
  • In diesem Fall ist es in 17 veranschaulicht, dass die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 die Gesamtheit des Bonding-Bereichs des leitfähigen Drahtes 50 bedeckt, falls jedoch die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 in einem Zustand des Bedeckens des Bonding-Pads 303 vorgesehen ist, kann es auch möglich sein, dass die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 nur mit einem äußerst teilweisen Abschnitt des leitfähigen Drahtes 50 in Kontakt steht. Die Struktur, in welcher die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302, welche das Bonding-Pad 303 bedeckt, in Kontakt mit dem leitfähigen Draht 50 steht, kann durch ein Beschichten (oder ein Bilden) einer Wellenlängen-Umwandlungsschicht bzw. eines Wellenlängen-Umwandlungsfilms erhalten werden, nachdem der leitfähige Draht 50 gebildet ist, und dies wird später beschrieben werden. Außer solch einem Unterschied kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 dieselbe Form, dasselbe konstituierende Material und dergleichen wie diejenigen der Wellenlängen-Umwandlungseinheit der vorangehenden Ausführungsform haben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform kann der LED-Chip 301, welcher die Struktur hat, in welcher das Bonding-Pad 303 auf einer Oberfläche davon gebildet ist, und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 das Bonding-Pad 303 bedeckt, variabel anwendbar sein. 18 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch ein Beispiel eines LED-Chips veranschaulicht, welcher in der LED-Vorrichtung der 17 eingesetzt werden kann. Ebenso ist 19 eine Querschnittsansicht, welche die LED-Vorrichtung veranschaulicht, welche den LED-Chip der 18 einsetzt. Unter Bezugnahme auf die 18 und 19 hat der LED-Chip 301 eine Struktur, in welcher eine lichtabgebende Struktur (S) auf dem leitfähigen Substrat 307 angeordnet ist, und in der lichtabgebenden Struktur (S) können eine p-Typ Halbleiterschicht 306, eine aktive Schicht 305 und eine n-Typ Halbleiterschicht 304 nacheinanderfolgend angeordnet sein. Das leitfähige Substrat 307 dient als eine p-Typ Elektrode, so wie es dazu dient, die lichtabgebende Struktur (S) abzustützen bzw. zu unterstützen und kann aus einem Material einschließlich irgendeines von Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se und GaAs gefertigt sein. Beispielsweise kann das leitfähige Substrat 307 aus einem Material gefertigt sein, welches durch ein Dotieren von Aluminium (Al) in Silizium (Si) oder dergleichen erhalten wird. In der vorliegenden Ausführungsform kann eine obere Oberfläche der Vorrichtung gebildet sein, so dass sie eine obere Oberfläche der lichtabgebenden Struktur (S) und einen Abschnitt der oberen Oberfläche des Substrats 307, nämlich einen Bereich, welcher nicht durch die lichtabgebende Struktur (S) besetzt ist, aufweist.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 ist gebildet, so dass sie die obere Oberfläche der Vorrichtung bedeckt, und wie diejenige der vorherigen Ausführungsform hat die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 eine flache Oberfläche an einem Mittelbereich davon an der oberen Oberfläche der Vorrichtung und eine gekrümmte Oberfläche an dem Eckbereich. Ebenso kann die lichtabgebende Struktur (S) gebildet sein, so dass sie nur einen Abschnitt der oberen Oberfläche des leitfähigen Substrats 307 besetzt. Im Detail kann die lichtabgebende Struktur (S) auf einem Bereich gebildet sein, der wenigstens einen Abschnitt des Randbereichs ausschließt. Dies kann erreicht werden durch einen Ätzvorgang zum Trennen der lichtabgebenden Struktur (S) in Einheiten von Vorrichtungen. In diesem Fall kann, unter dem Aspekt, dass Licht auch von der lateralen Oberfläche der lichtabgebenden Struktur (S) abgegeben wird, die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 gebildet sein, so dass sie auch die laterale Oberfläche der lichtabgebenden Struktur (S) bedeckt. Indes hat der LED-Chip 301, welcher obenstehend unter Bezugnahme auf 17 beschrieben ist, eine vertikale Struktur und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 kann auch auf eine horizontale Struktur in einer ähnlichen Art und Weise angewandt werden.
  • Wie in 21 veranschaulicht ist, ist die LED-Vorrichtung 300 an bzw. auf einem der Leitungsrahmen 31 und 32 angebracht, beispielsweise an dem ersten Leitungsrahmen 31, und das leitfähige Substrat 307 kann mittels einer leitfähigen Klebstoffschicht 40 physikalisch angefügt und elektrisch mit dem ersten Leitungsrahmen 31 verbunden sein. Der leitfähige Draht 50, welcher mit dem Bonding-Pad 303 verbunden ist und einen Abschnitt hat, beispielsweise einen Bonding-Bereich, welcher in der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 302 verdeckt ist, kann mit dem zweiten Leitungsrahmen 32 verbunden sein.
  • 20 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 20 weist eine LED-Vorrichtung 400 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 407, eine n-Typ Halbleiterschicht 404, eine aktive Schicht 405 und eine p-Typ Halbleiterschicht 406 auf. Eine n-Typ Elektrode 403a und eine p-Typ Elektrode 403b sind jeweils an bzw. auf einer freiliegenden Oberfläche der n-Typ Halbleiterschicht 404 und an bzw. auf einer Oberfläche der p-Typ Halbleiterschicht 406 gebildet. Der LED-Chip 401 hat eine horizontale Struktur. Eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit 402 ist auf der Oberfläche der n-Typ und p-Typ Halbleiterschichten 404 und 406 gebildet. Demnach bedeckt die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 402 die n-Typ und p-Typ Elektroden 403a und 403b, welche Bonding-Pads entsprechen, und gebildet sind, so dass sie in Kontakt mit einem Abschnitt des leitfähigen Drahtes 50 stehen. Die LED-Vorrichtung 400 ist auf dem Substrat 407 angeordnet und eine externe Leistung kann durch den leitfähigen Draht 50 daran angelegt sein. In der vorliegenden Ausführungsform konstituieren, wenn sie von oben betrachtet werden, die obere Oberfläche der n-Typ Halbleiterschicht 40 und diejenige der p-Typ Halbleiterschicht 406 eine obere Oberfläche der Vorrichtung, und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 402 kann auf der oberen Oberfläche der Vorrichtung gebildet sein. In diesem Fall ist in 20 eine Stufe zwischen der oberen Oberfläche der n-Typ Halbleiterschicht 404 und derjenigen der p-Typ Halbleiterschicht 406 überhöht abgebildet, und in der Wirklichkeit kann die Stufe sehr klein sein im Vergleich zu der Dicke des Substrats 407.
  • Die 22 und 23 sind perspektivische Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungsschicht bzw. eines Wellenlängen-Umwandlungsfilms, welches in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann. Besonders veranschaulicht 22 einen Vorgang des Anwendens einer Phosphormischung unter Verwendung eines Dispensers und 23 veranschaulicht einen Zustand, in welchem ein Lösungsmittel verdampft wird, nachdem eine bestimmte Menge von Phosphormischung angewandt ist. Die 22 und 23 veranschaulichen einen Vorgang zum Beschichten eines Wellenlängen-Umwandlungsfilms bzw. einer Wellenlängen-Umwandlungsschicht auf der Struktur, in welcher das Bonding-Pad 303 auf einer Oberfläche davon gebildet worden ist, nämlich einer lichtabgebenden Oberfläche (welche der oberen Oberfläche der Vorrichtung in der vorangehenden Ausführungsform entspricht) des LED-Chips 301, solch ein Phosphor-Anwendungsvorgang kann jedoch auf eine lichtabgebende Oberfläche ohne ein Bonding-Pad angewendet werden, wie in 15 gezeigt ist.
  • Als erstes wird, wie in 22 gezeigt bist, der LED-Chip 301, ein Typ einer lichtabgebenden Vorrichtung, bereitgestellt und eine Phosphormischung wird auf eine lichtabgebende Oberfläche des LED-Chips 301 angewandt. In diesem Fall kann der LED-Chip 301 solch eine Struktur haben, wie sie obenstehend unter Bezugnahme auf 17 beschrieben ist. Vor dem Anwenden bzw. Aufbringen der Phosphormischung kann der LED-Chip 301 in Vorrichtungseinheiten unterteilt worden sein, und danach kann, um als eine Lichtquelle einer lichtabgebenden Vorrichtung verwendet zu werden, der LED-Chip 301 an eine leitfähige Struktur wie beispielsweise einen Leitungsrahmen mittels eined Die-Bond-Verfahrens gebondet werden. In dem Fall des Wellenlängen-Umwandlungsfilm-Bildungsvorgangs, welcher in der vorliegenden Ausführungsform vorgesehen ist, wird das Bonding-Pad 303 auf der lichtabgebenden Oberfläche vor dem Verteilvorgang gebildet, und der leitfähige Draht 50 wird gebildet, so dass er mit dem Bonding-Pad 303 verbunden ist. In diesem Fall kann der leitfähige Draht 50 mit einem anderen Leistungsquellenanschluss, beispielsweise einem Leitungsrahmen verbunden sein. Dann wird in einem Zustand, in welchem der leitfähige Draht 50 mit dem LED-Chip 301 verbunden ist, ein Dispenser bzw. Verteiler zum Anwenden (oder Verteilen) der Phosphormischung über dem LED-Chip 301 positioniert.
  • Die Phosphormischung weist weiterhin ein Lösungsmittel zusätzlich zu einem Harz bzw. Kunstharz und Phosphoren auf. Im Allgemeinen kann als ein Verfahren zum Bilden der Wellenlängen-Umwandlungsschicht ein Vorgang zum Anwenden der Mischung des Harzes bzw. Kunstharzes und der Phosphore, und dann ein Brennen oder Härten des Harzes bzw. Kunstharzes durchgeführt werden. Wenn dieses Verfahren verwendet wird, wird die Wellenlängen-Umwandlungsschicht gebildet, so dass er überall aufgrund der Oberflächenspannung des Harzes bevor das Harz gehärtet wird eine gekrümmte Oberfläche zu hat, wobei eine Schwierigkeit beim Bilden der Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welche eine einheitliche Dicke hat, besteht. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Menge der Phosphore über das Harz bzw. gegenüber dem Harz vor dem Aushärten relativ erhöht, wodurch die Viskosität der Mischung, welche auf den LED-Chip 301 angewandt wird, verringert wird. Im Detail wird eine Mischung, in welcher die Phosphore in einer Menge doppelt oder mehr als diejenige des Harzes bzw. Kunstharzes, basierend auf dem Gewichtsverhältnis, gemischt sind, vorzugsweise verwendet, und ein benötigtes Viskositätsniveau kann unter der Mischungsverhältnisbedingung garantiert werden. Zusätzlich kann, wie obenstehend beschrieben ist, die Mischung weiterhin feine Partikel, welche aus einem Material wie beispielsweise SiO2, TiO2, Al2O3 oder dergleichen gefertigt sind, aufweisen, um die Farbtemperatur anzupassen, und im Fall eines Mischungsverhältnisses sind die Phosphore vorzugsweise in einer Menge doppelt (zweifach) oder mehr als derjenigen der transparenten feinen Partikel basierend auf einem Gewichtsverhältnis vorgesehen.
  • Hier kann jedoch eine Zunahme in der Viskosität gemäß einer Zunahme in der Menge der Phosphore eine Schwierigkeit bei dem Verteilungsvorgang und ein Problem verursachen, bei welchem die Mischung auf der Oberfläche der lichtabgebenden Oberfläche verteilt wird, so dass es schwierig gemacht wird, einen Film bzw. eine Schicht zu bilden. Demnach kann, um dieses Problem zu lösen, eine bestimmte Menge von Lösungsmittel zu der Phosphormischung hinzugefügt werden. Das Lösungsmittel wird zusammen mit einem Harz bzw. Kunstharz und Phosphoren oder einem Harz bzw. Kunstharz, Phosphoren und transparenten feinen Partikeln gemischt und sieht eine Viskosität für die Phosphormischung vor, um es zu ermöglichen, dass der Verteilungsvorgang ruhig durchgeführt wird. Ebenso kann die Phosphormischung, welche die Viskosität durch das Lösungsmittel hat, einfach von der Position, an welcher sie von dem Verteiler bzw. Dispenser angewandt wurde, verteilt werden, und demnach kann eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit, welche eine erwünschte Dünnschichtstruktur hat, leicht gebildet werden. Auf diese Art und Weise führt das Lösungsmittel nur die Funktion des Hinzufügens von Viskosität aus, und so wird keine große Menge des Lösungsmittels benötigt und das Lösungsmittel kann mit den Phosphoren in einer Menge gleich zu ungefähr einem Zehntel von derjenigen der Phosphore, basierend auf dem Gewicht, gemischt werden.
  • Wie obenstehend beschrieben ist, wird die Phosphormischung auf die Oberfläche des LED-Chips 301 durch den Verteiler bzw. Dispenser angewandt, und in diesem Fall kann, wie in 22 gezeigt ist, die Phosphormischung durch ein Bewegen des Dispensers beispielsweise in einer Spirale oder Zickzack-Art angewandt werden, so dass die Phosphormischung einheitlich auf die Oberfläche des LED-Chips 301 angewandt werden kann. In diesem Fall wird ein Verteilen durchgeführt, bis das Bonding-Pad 303 sowie die Oberfläche des LED-Chips 301 bedeckt sind, und durch diesen Vorgang kann auch ein Abschnitt des leitfähigen Drahtes 15 durch die Wellenlängen-Umwandlungsschicht (oder die Wellenlängen-Umwandlungseinheit) bedeckt werden. Indes bezieht sich in der vorliegenden Ausführungsform ein Verteilen auf ein kontinuierliches Anwenden der Phosphormischung durch eine Nadel durch ein Anwenden von Druck durch eine Pumpe (in den meisten Fällen wird nämlich ein Zustand, in welchem die Phosphormischung fortgesetzt von dem Dispenser der oberen Oberfläche des Chips zur Verfügung gestellt wird, aufrecht erhalten) unterschiedlich von einem Vorgang wie einem Sprühbeschichten, in welchem eine Mischung granuliert und aerosolisiert bzw. versprüht wird oder dergleichen.
  • Ein Vorgang zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungsschicht nach der Verteilungsoperation wird unter Bezugnahme auf 23 beschrieben werden. Das Lösungsmittel der Phosphormischung in dem Zustand, in dem sie von dem Dispenser angewendet worden ist, wird verdampft, was die Viskosität der Phosphormischung verringert, und gemäß der Verringerung in der Viskosität werden das Harz bzw. Kunstharz und der Phosphor an der Oberfläche des LED-Chips 301 fixiert, wodurch die Wellenlängen-Umwandlungseinheit in der Form eines dünnen Films bzw. einer dünnen Schicht fertiggestellt wird. Um es dem Lösungsmittel zu ermöglichen, während des Verteilungsvorgangs zu verdampfen, kann ein Material, welches eine Volatilität bzw. Flüchtigkeit, beispielsweise ein organisches Lösungsmittelmaterial wie beispielsweise ein Polymer, ein Monomer, Ethanol, Methanol, Azeton oder dergleichen, welches eine relativ geringe molekulare Masse hat, als ein Lösungsmittel verwendet werden.
  • Indes, gibt es, wenn die Verdampfung bzw. Verdunstung des Lösungsmittels während des Verteilungsvorganges verzögert ist, eine Möglichkeit, in welcher eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit, welche eine erwünschte Form hat, aufgrund einer übermäßigen Viskosität nicht erhalten werden kann. Demnach kann, um die Verdampfung bzw. Verdunstung des Lösungsmittels zu beschleunigen, eine Erwärmungseinheit 600 betrieben werden, um Wärme auf die Phosphormischung während des Verteilungsvorganges anzuwenden. Durch ein Einsetzen der Erwärmungseinheit 600 kann die Viskosität der Phosphormischung verringert werden unmittelbar nachdem die Phosphormischung auf die Oberfläche des LED-Chips 301 aufgebracht bzw. angewandt ist, eine Verformung der Phosphormischung kann weiterhin verringert werden und eine Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welche eine flache Form hat, kann gebildet werden, In diesem Fall wird der LED-Chip 301 vorzugsweise auf eine Temperatur von 50°C bis 170°C erwärmt, was zum Verringern der Viskosität angemessen ist. Wenn jedoch das Verfahren gemäß dieser Ausführungsform eingesetzt wird, ist es schwierig, eine flache Oberfläche, auch in einem Bereich, welcher der Ecke des LED-Chips 301 entspricht, zu erhalten, und die Dicke der Wellenlängen-Umwandlungsschicht wird schrittweise an dem Eckbereich verringert, um eine gekrümmte Oberfläche zu bilden, wodurch die LED-Vorrichtung erhalten wird, welche die vorstehende Struktur hat.
  • Auf diese Art und Weise wird, wenn das Verfahren zum Bilden der Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welches in der vorliegenden Ausführungsform vorgeschlagen ist, verwendet wird, der Phosphorgehalt erhöht, und das Lösungsmittel, welches eine Volatilität hat, wird verwendet, um die Viskosität aufzustocken, wodurch nur die Wellenlängen-Umwandlungsschicht auf der erwünschten bestimmten Oberfläche des LED-Chips gebildet wird, und hier kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht durch ein Minimieren der Verformung der Phosphormischung während des Verteilungsvorgangs erhalten werden, so dass sie eine erwünschte Dicke und Form hat. Ebenso kann, da die Viskosität der Phosphormischung gering ist, eine Verformung der Form der Wellenlängen-Umwandlungsschicht aufgrund der Oberflächenspannung minimiert werden. Zusätzlich wird, nachdem der LED-Chip in Einheiten von Vorrichtungen unterteilt ist, die Wellenlängen-Umwandlungsschicht individuell aufgebracht. Demnach kann in diesem Sinne die Dicke oder der Gehalt der Wellenlängen-Umwandlungsschicht angemessen in einem Zustand angepasst werden, in welchem die Charakteristik von Vorrichtungen im Voraus erkannt wird. In einem LED-Chip oder einer lichtabgebenden Vorrichtung, welche die Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welche derart erhalten wird, verwendet, kann die Dicke der Wellenlängen-Umwandlungsschicht präzise gesteuert werden, was einen Vorteil darin hat, dass die Farbtemperaturabweichungen zwischen den Produkten gering sind. Es kann nämlich bei einem Wafer-Niveau-Wellenlängen-Umwandlungsschicht-Umwandlungsverfahren besonders im Fall eines kollektiven Bildens der Wellenlängen-Umwandlungsschicht vor dem Unterteilen durch Vorrichtungen, da die Wellenlängen-Umwandlungsschicht, welche die identische Dicke hat, willkürlich aufgebracht wird, ohne Leuchtcharakteristiken der jeweiligen Vorrichtungen zu betrachten oder zu reflektieren, die Abweichung der Farbtemperatur im Vergleich zu der vorliegenden Erfindung erhöht werden.
  • Eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 24 bis 26 beschrieben werden. Die 24A und 24B und 25A und 25B veranschaulichen ein Verfahren zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Herstellungsverfahren, wie es hierin nachstehend beschrieben ist, kann an einem Bulk-Substrat durchgeführt werden, auf welchem eine Mehrzahl von LED-Chips angeordnet sind, es ist jedoch zum Zweck der Erklärung in den 24A und 24B und den 25A und 25B nur ein einzelner Chip veranschaulicht.
  • Als erstes wird unter Bezugnahme auf die 24A und 24B eine LED-Chip 501-Struktur, nämlich eine lichtabgebende Struktur (S) auf einem Substrat 510 positioniert. Das Substrat 510 kann ein Siliziumsubstrat sein oder kann aus Aluminiumoxid (Al2O3) gefertigt sein. Eine n-Typ Halbleiterschicht 504 ist auf dem Substrat 510 gebildet und eine aktive Schicht 505 und eine p-Typ Halbleiterschicht 506 sind nacheinanderfolgend darauf gebildet. Hier kann die Schichtungsreihenfolge der n-Typ und p-Typ Halbleiterschichten 504 und 506 austauschbar sein, die aktive Schicht 505 jedoch sollte notwendigerweise zwischen der n-Typ und der p-Typ Halbleiterschicht 504 und 506 positioniert sein. Eine transparente Elektrodenschicht 508 kann auf einer Oberfläche der p-Typ Halbleiterschicht 506 gebildet sein. Ein n-Typ oder p-Typ mehrschichtiger Film bzw. mehrschichtige dünne Schicht 507 kann unter oder über der aktiven Schicht 505 positioniert sein, und kann verschiedene Strukturen wie beispielsweise eine irreguläre Struktur (eine Vertiefungs- oder Vorsprungs-Struktur), eine Streuschicht, welche eine Partikelform hat und dergleichen haben, um die Luminanzeffizienz zu erhöhen. Die lichtabgebende Struktur (S) ist eine Struktur, welche ultraviolettes Licht oder blaues Licht abgibt.
  • Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nicht nur beschränkt auf den LED-Chip 501 angewandt, welcher die Struktur hat, welche in der beigefügten Zeichnung veranschaulicht ist. Der veranschaulichte LED-Chip 501 ist lediglich ein Beispiel. Der LED-Chip 501 nämlich, welcher auf die vorliegende Erfindung anwendbar ist, kann ausreichend sein, wenn er die lichtabgebende Struktur (S), welche eine bestimmte Struktur hat und Bonding-Pads 503a und 503b zum Verbinden der lichtabgebenden Struktur (S) mit dem Äußeren aufweist.
  • Um eine LED-Vorrichtung, welche Licht abgibt, welches mehrere Wellenlängen hat, unter Verwendung des LED-Chips 501 herzustellen, wird zuerst ein Maskenmuster (M) auf einer Oberfläche des LED-Chips 501 gebildet. Das Maskenmuster (M) wird verwendet, um bestimmte Abschnitte, beispielsweise die Bonding-Pads 503a und 503b, auf welchen ein Phosphorfilm bzw. eine Phosphorschicht nicht abgelagert werden sollte, abzudecken. Vorzugsweise kann das Maskenmuster (M) unter Verwendung von Photolack (PR = Photo Resist) gebildet werden, das Maskenmuster (M) kann jedoch als ein Oxidfilm bzw. eine Oxidschicht oder ein Nitridfilm bzw. eine Nitridschicht gebildet werden. Die Bildung des Maskenmusters (M) unter Verwendung von Photolack ist angenehm, da ein allgemeiner Photolithographievorgang, welcher für einen Halbleiter-Herstellungsvorgang verwendet wird, verwendet werden kann.
  • Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die 25A und 25B ein Vorgang des Bildens einer Phosphorschicht 502, d.h. einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit auf dem LED-Chip 501 durchgeführt. Die Phosphorschicht 502 wird nämlich gebildet, so dass sie eine bestimmte Dicke auf der Oberfläche der Abschnitte des LED-Chips 501, ausschließlich der Bonding-Pads 503a und 503b, welche durch das Maskenmuster (M) abgedeckt sind, hat.
  • Wenn die Phosphorschicht 503 auf der Oberfläche des LED-Chips 501 gebildet ist, können Phosphore einheitlich verteilt werden, um auf der Oberfläche des LED-Chips 501 angelagert bzw. abgeschieden zu werden, und die Menge der Phosphore, welche abgelagert werden, kann angemessen gesteuert werden. Demnach kann unter Verwendung dieses Vorgangs die LED-Vorrichtung 500 hergestellt werden, welche eine Wellenlänge, deren Erhalt durch Licht, welches von der LED-Vorrichtung 500 abgegeben wird, erwünscht ist, nämlich eine erwünschte Farbe und einheitliche Charakteristiken von abgegebenem Licht, hat.
  • Die Phosphorschicht 502 kann unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines gepulsten Laser-Abscheide (PLD = Pulsed Laser Deposition)-Verfahrens gebildet werden. In der vorliegenden Ausführungsform wird nämlich die Phosphorschicht 502 direkt auf der Oberfläche des LED-Chips 501 durch ein Aufbringen einer bestimmten Menge von physikalischer oder chemischer Energie auf die Oberfläche des LED-Chips 501 gebildet, an Stelle eines Befestigens bzw. Anlagerns von Phosphoren oder Material einschließlich Phosphoren an der Oberfläche des LED-Chips 501 durch ein Verwenden eines Klebstoffes oder dergleichen. Demnach wird ein Problem, in welchem eine Effizienz von Licht, welches von dem LED-Chip 501 abgegeben wird, aufgrund eines Klebstoffs oder dergleichen verringert wird, beseitigt. Ebenso können die Charakteristiken von Licht, deren Abgabe erwünscht ist, durch ein Anpassen der Menge oder des Typs von Phosphoren, welche beim Herstellen eines Sputter-Targets eingeschlossen werden, angepasst werden, und die LED-Vorrichtung 500, welche eine herausragende Qualität und mehrfache Wellenlängen hat, kann leicht hergestellt werden.
  • Wenn das Sputter-Verfahren verwendet wird, kann eine gepulste DC-Leistung bzw. Gleichstromleistung oder RF-Leistung bzw. Hochfrequenzleistung verwendet werden, um den Vorgang mit Leistung zu versorgen. Beispielsweise kann, wenn die Phosphorschicht 503 unter Verwendung des Sputter-Verfahrens gebildet wird, ein Target eines Sputter-Vorgangs durch ein Verwenden eines Materials erzeugt werden, welches durch ein Mischen eines Phosphors in wenigstens eines von Oxiden einschließlich SiO2, SiO, CIO, ITO, IO, Al2O3 oder ZnO, Nitriden einschließlich SiN, AlN, GaN oder InN, einem Epoxy-Harz und einem Siliziumharz erhalten wird. Dann kann der Sputter-Vorgang unter Verwendung des Targets durchgeführt werden, um die Phosphorschicht 502 direkt auf der Oberfläche des LED-Chips 501 zu bilden. Das Target des Sputter-Vorgangs kann hergestellt werden durch ein Sintern und Bilden des Target-Materials, um eine Tafel bzw. ein Täfelchen zu erhalten, welches eine Größe beispielsweise von ungefähr 2 Inch hat.
  • Jedes Material wie beispielsweise ein YAG-basiertes Material, ein Nicht-YAG-basiertes Material oder dergleichen kann für die Phosphore, welche in dem Target enthalten sind, verwendet werden. Das Nicht-YAG-basierte Material schließt ein Granat-basiertes Material, ein Silikat-basiertes Material oder ein Sulfid-basiertes Material einschließlich TAG ein. TAG ist ein typisches Nicht-YAG-basiertes Material unter den Granat-basierten Materialien und Y von YAG und Tb von TAG können substituiert werden mit Lu, Sc, La, Gd, Sm, Ca oder Si. Das Silikat-basierte Material schließt (Sr, Ba, Ca, Mg, Zn, Cd, Y, Sc, La)xSiyOz: (Eu, F, Mn, Ce, Pb) ein, und hier können die Bestandteile in Klammern variabel kombiniert werden oder sie können alleine verwendet werden (0 ≤ x, y, z ≤ 16). Als ein Nitrid-basiertes oder Sialon-basiertes Phosphor, kann ein Phosphor-Material, welches aus Cax (Si, Al)12(O, N)16 zusammengesetzt ist, verwendet werden. Hier kann Cax durch ein unterschiedliches Metallelement substituiert werden und ein oder mehrere Typen von Eu, Pr, Tb, Yb, Er und Dy sind als ein Aktivator eingeschlossen. Der Sulfid-basierte Phosphor kann wenigstens einen Typ von Materialien einschließlich (Ca, Sr)S, SrGa2S4, (Ca, Sr, Ba) (Al, Ca)2 S4, (Sr, Mg, Ca, Ba) (Ga, Al, In) S4, Y2O2 einschließen und Eu, Ce oder dergleichen können als ein Aktivator verwendet werden. Die Elementbestandteile der vorangehenden chemischen Formeln können gemäß Wellenlängenbereichen variieren.
  • Ein angemessener Typ von Phosphor kann gemäß den Typen des LED-Chips 501 in Verwendung und der Wellenlänge von Licht, welche erwünscht ist, erhalten zu werden, verwendet werden. Beispielsweise können im Falle des Verwendens des LED-Chips 501, welcher ultraviolettes Licht abgibt, Phosphore wahlweise verwendet werden, um ein Licht einer Farbe zu erzeugen, welche unter Verwendung eines eines blauen Lichts, eines grünen Lichts, eines gelben Lichts und eines roten Lichts oder durch ein Kombinieren von zweien oder mehreren davon erhalten werden kann. Ebenso können in einem Fall des Verwendens des LED-Chips 501, welcher blaues Licht abgibt, Phosphore wahlweise verwendet werden, um ein Licht einer Farbe zu erzeugen, welche erhalten werden kann unter Verwendung eines von grünem Licht, gelbem Licht und rotem Licht oder durch ein Kombinieren von zweien oder mehreren davon.
  • Beispielsweise können Phosphore wahlweise verwendet werden, um Licht einer Farbe zu erzeugen, welche erhalten werden kann unter Verwendung wenigstens eines von BaMgAl10O17 : Eu, Sr5 (PO4)3 Cl : Eu und ZnS : Ag als Phosphore, welche blaues Licht abgeben, wenigstens eines eines Sulfid-basierten Materials wie beispielsweise ZnS : Cu, (Ca, Sr) S : Eu, eines Silikat-basierten Materials wie beispielsweise (Sr, Ba, Ca, Mg, Zn, Cd, Y, Sc, La)xSiyOz : (Eu, F, Mn, Ce, Pb) und BaM-gAl10O17 : Eu, Mn als Phosphore, welche grünes Licht abgeben, wenigstens eines eines Granat-basierten Materials und eines Silikat-basierten Materials einschließlich YAGbasierten Materials oder eines TAG-basierten Materials als Phosphore, welche gelbes Licht abgeben, und wenigstens eines Nitrid-basierten Materials, eines Sulfid-basierten Materials wie beispielsweise Y2O2SY2O2S und YVO4 : Eu3+, Y(V, P, B) O4 : Eu3+, YNbO4 : Eu3+, YTaO4 : Eu3+ oder durch ein Kombinieren von zweien oder mehreren von diesen.
  • Nachfolgend wird, wenn das Maskenmuster (M) oder dergleichen, welches an den oberen Abschnitten des Bonding-Pads 503a und 503b gebildet ist, oder dergleichen entfernt wird, die LED-Vorrichtung 500 gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche in 26 veranschaulicht ist, gebildet. Wie veranschaulicht ist, wird die Phosphorschicht 503 verteilt auf dem LED-Chip 501 ausschließlich der Bonding-Pads 503a und 503b gebildet, und solch eine Verteilung hat eine Struktur, welche kleiner ist als die Gesamtdicke der Elektrodenschicht einschließlich der Bonding-Pads 503a und 503b.
  • Eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 27 bis 29 beschrieben werden.
  • Eine LED-Vorrichtung 600 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist einen LED-Chip 601, ein Bonding-Pad 603, eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 und eine Unterbefestigung 610 auf und der LED-Chip 601 ist mit einem Die-Anbringverfahren angebracht, so dass er auf der Unterbefestigung 610 angebracht ist, welche eine Lichtquelle ist, welche Licht erzeugt, wenn Leistung daran angelegt wird.
  • Der LED-Chip 601, eine Lichtquelle, welche ein Nah-UV-Licht oder blaues Licht erzeugt, wenn Leistung daran angelegt wird, kann ein GaN-basierter LED-Chip sein, welcher eine hohe Ausgabe erzeugt, ein blaues Licht hoher Luminanz. Der LED-Chip 601 kann eine horizontale Struktur haben, in welcher eine p-Typ Elektrode und eine n-Typ Elektrode an einer oberen Oberfläche davon gebildet sind, oder eine vertikale Struktur, in welcher die p-Typ Elektrode und die n-Typ Elektrode auf einer oberen und einer unteren Oberfläche davon gebildet sind.
  • Das Bonding-Pad 603, welches elektrisch mit dem leitfähigen Draht 50 verbunden ist, kann auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 gebildet sein, und ein einziges Bonding-Pad 603 oder eine Mehrzahl davon können gemäß der horizontalen oder vertikalen Struktur des LED-Chips 601 vorgesehen sein. Es wird nämlich gemäß der Struktur des LED-Chips 601 die Anzahl von gebildeten Bonding-Pads 603 variiert. Wenn der LED-Chip 601 eine vertikale Struktur hat, in welcher die p-Typ Elektrode und die n-Typ Elektrode auf einer oberen und einer unteren Oberfläche davon gebildet sind, kann ein einzelnes Bonding-Pad 603 vorgesehen sein, so dass es elektrisch mit der p-Typ Elektrode, welche auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 gebildet ist, verbunden ist. Ebenso kann, wenn der LED-Chip 601 eine horizontale Struktur hat, in welcher sowohl die p-Typ Elektrode als auch die n-Typ Elektrode auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 gebildet sind, eine Mehrzahl von Bonding-Pads 603 vorgesehen sein, so dass sie elektrisch mit der p-Typ Elektrode und der n-Typ Elektrode, welche auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 gebildet sind, verbunden sind.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 kann aus einem transparenten Harzmaterial bzw. Kunstharzmaterial wie beispielsweise Epoxid, Silizium, einem Harz bzw. Kunstharz oder dergleichen gefertigt sein, um eine äußere Oberfläche des LED-Chips 601 gleichmäßig zu bedecken. Das Harz bzw. Kunstharz kann ein Phosphor-Material wie beispielsweise ein YAG-basiertes, TAG-basiertes oder Silikat-basiertes Phosphor-Material als ein Wellenlängen-Umwandlungsmittel zum Umwandeln von Licht, welches von dem LED-Chip 601 erzeugt wird, in weißes Licht, aufweisen.
  • Die 27A bis 27F sind Ansichten, welche schematisch einen Vorgang zum Herstellen der LED-Vorrichtung gemäß der vorangehenden Ausführungsform veranschaulichen. Die LED-Vorrichtung 600 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann durch Operationen bzw. Vorgänge A bis F hergestellt werden.
  • Vorgang zum Vorsehen eines Wafers, auf welchem eine Mehrzahl von LED-Chips mit einem Die-Anbring-Verfahren angebracht sind.
  • Wie in 27A veranschaulicht ist, ist die Mehrzahl von LED-Chips 601, welche gemäß einem Halbleiter-Herstellungsvorgang hergestellt sind, angebracht, so dass sie voneinander auf einem Wafer (W) in einer Die-Anbringweise beabstandet sind.
  • Wenigstens ein Bonding-Pad 603 ist auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 vorgesehen und hier können gemäß einer Elektrodenanordnungskonfiguration des LED-Chips 601, welcher eine vertikale Struktur oder eine horizontale Struktur hat, ein einzelnes Bonding-Pad 603 oder eine Mehrzahl davon vorgesehen sein. Das Bonding-Pad 603 kann aus einem Metall gefertigt sein, wie beispielsweise Au, Al, Cu oder dergleichen, welches eine herausragende Leitfähigkeit hat.
  • Der Wafer (W) kann aus einem ausgewählt aus der Gruppe eines nichtleitfähigen Materials und eines leitfähigen Materials gemäß einer Anordnungskonfiguration einer p-Typ Elektrode und einer n-Typ Elektrode, welche auf dem LED-Chip 601 vorgesehen sind, gefertigt sein.
  • Vorgang zum Bedecken wenigstens eines Bonding-Pads, welches auf einer oberen Oberfläche des LED-Chips gebildet ist, mit einer Pad-Schutzeinheit
  • Wie in 27B gezeigt ist, kann eine Pad-Schutzeinheit 620 vorgesehen sein, um wenigstens ein Bonding-Pad 603, welches auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 mit einem Die-Anbringverfahren an dem Wafer (W) angebracht ist, gebildet sein, um es zu schützen. Die Pad-Schutzeinheit 620 kann dieselbe Größe haben wie diejenige des Bonding-Pads 603 derart, dass das Bonding-Pad 603 nicht nach oben freiliegend ist. Die Pad-Schutzeinheit 620 kann aus Photolack gefertigt sein, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Vorgang zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit, welche eine bestimmte Dicke hat, durch ein Anwenden eines Harz-Materials bzw. Kunstharz-Materials auf den LED-Chip und Wafer
  • Wie in 27C gezeigt ist, wird ein transparentes Harz bzw. Kunstharz wie beispielsweise Silizium, Epoxid oder dergleichen aufgedruckt, so dass es eine gewisse Dicke auf dem Wafer (W) hat, derart, dass die Mehrzahl von LED-Chips 601, welche die Pad-Schutzeinheiten 620 aufweisen, welche auf den Bonding-Pads 603 gebildet sind, und der Wafer (W) durch das Harz- bzw. Kunstharz-Material bedeckt werden durch ein Druckverfahren zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602, welche auf den Wafer (W) gedruckt ist, um die Gesamtheit der LED-Chips 601, welche die Bonding-Pads 603 und die Pad-Schutzeinheit 620 aufweist, zu bedecken, wird durch künstlich vorgesehene Wärme oder UV-Licht ausgehärtet. Hier kann das Harz- bzw. Kunstharz-Material, welches zum Bilden der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 verwendet wird, ein Phosphor-Material wie beispielsweise ein Lichtwellenlängen-Umwandlungsmittel zum Umwandeln der Wellenlänge einer Lichtabgabefarbe jedes LED-Chips 601 aufweisen, um eine Lichtabgabefarbe jeder LED 601 in weißes Licht gemäß der Lichtabgabefarbe jeder LED 601 umzuwandeln.
  • Vorgang zum Entfernen der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit, um die Pad-Schutzeinheit freizulegen
  • Wie in 27D gezeigt ist, wird, wenn die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602, welche vorgesehen ist, um den LED-Chip 601 zu bedecken, welcher auf dem Wafer (W) angebracht ist, Licht ausgesetzt ist, welches von oben eingestrahlt wird, die oberste Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 geätzt, so dass sie entfernt wird, wobei die Pad-Schutzeinheit 620 freigelegt wird. Hier sollte die Einstrahlung von Licht auf die obere Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 unmittelbar gestoppt werden, wenn die obere Oberfläche der Pad-Schutzeinheit 620 freiliegend ist.
  • Ebenso kann bei einem anderen Verfahren zum teilweisen Entfernen der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 zum Freilegen der Pad-Schutzeinheit 620 ein Abschnitt der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 unter Verwendung einer Poliereinheit entfernt werden. Das Harz-Material kann nämlich durch ein Polieren der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 durch ein Polierverfahren unter Verwendung einer Schleifmaschine oder ein Schneideverfahren unter Verwendung eines Schlagfräsers bzw. Schlagmessers entfernt werden, wodurch die Pad-Schutzeinheit 620, welche auf dem LED-Chip 601 vorgesehen ist, freigelegt wird.
  • Hier verbleibt nach dem Ätzen zum Entfernen durch Licht oder Polieren zum Entfernen durch die Poliereinheit die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602, so dass sie eine einheitliche Schichtdicke hat derart, dass eine obere Oberfläche davon parallel zu dem Wafer (W) ist.
  • Vorgang zum Entfernen der Pad-Schutzeinheit, welche von der Wellenlängen-Umwandlungseinheit freigelegt ist
  • Wie in 27E gezeigt ist, wird, wenn die Pad-Schutzeinheit 620, welche von der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 freiliegend ist, entfernt wird, um von dem Bonding-Pad 603 und der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 getrennt zu werden, ein Raum gleichwertig zu der entfernten Pad-Schutzeinheit 620 an einem oberen Abschnitt des LED-Chips 601 gebildet, und zu derselben Zeit wird das Bonding-Pad 603 freigelegt.
  • Vorgang zum Unterteilen des Wafers in eine Mehrzahl von LED-Chips
  • Nachfolgend wird, wie in 27F gezeigt ist, der LED-Chip 601 mit dem Bonding-Pad 603, welches zu der Außenseite freigelegt ist, entlang vertikaler und horizontaler Schnittlinien geschnitten, welche zwischen einem benachbarten LED-Chip 601 gebildet sind, wodurch eine individuelle LED-Vorrichtung 600 hergestellt wird.
  • Die LED-Vorrichtung 600 weist den LED-Chip 601, welcher mit einem Die-Anbringverfahren an der Unterbefestigung 610 angebracht ist, nachdem er von dem Wafer (W) getrennt ist, wenigstens ein Bonding-Pad 603, welches auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601 vorgesehen ist und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602 auf, welche einheitlich die äußere Oberfläche des LED-Chips 601 bedeckt, während sie das Bonding-Pad 603 freilegt.
  • Die 28A bis 28F sind Ansichten, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Eine LED-Vorrichtung 600' gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann durch Vorgänge a' bis f' hergestellt werden.
  • a'. Vorgang zum Vorsehen eines Wafers mit einer lichtabgebenden Struktur, welcher einen LED-Chip konstituiert, der eine Mehrzahl von Bonding-Pads, welche auf der oberen Oberfläche davon gebildet sind, aufweist
  • Wie in 28A gezeigt ist, ist ein Wafer (W') mit einer lichtabgebenden Struktur (S), welche darauf gebildet ist und welcher einen LED-Chip 601' konstituiert, durch einen Halbleiter-Herstellungsvorgang vorgesehen, und eine Mehrzahl von Bonding-Pads 603' kann vorgesehen sein, um auf einer oberen Oberfläche der lichtabgebenden Struktur (S) voneinander beabstandet zu sein.
  • Hier kann der Wafer (W') als ein Halbleiter-Einkristall-Wachstumssubstrat vorgesehen sein und kann aus irgendeinem ausgewählt aus der Gruppe eines nichtleitfähigen Materials oder eines leitfähigen Materials gemäß einer Anordnungskonfiguration einer p-Typ Elektrode und einer n-Typ Elektrode, welche in dem LED-Chip 601' vorgesehen sind, gefertigt sein.
  • Die lichtabgebende Struktur (S) weist eine n-Typ und eine p-Typ Halbleiterschicht 604' und 606' und eine aktive Schicht 605' auf, welche zwischen der n-Typ und der p-Typ Halbleiterschicht 604' und 606' gebildet ist. Ein einzigess Bonding-Pad 603' oder eine Mehrzahl davon können gemäß einer Anordnungskonfiguration von Elektroden des LED-Chips 601' vorgesehen sein, welcher eine horizontale Struktur oder eine vertikale Struktur hat, und sie können aus einem leitfähigen Material wie beispielsweise Au, Al, Cu oder dergleichen gefertigt sein.
  • b'. Vorgang zum Bedecken des Bonding-Pads mit der Pad-Schutzeinheit
  • Wie in 28B gezeigt ist, kann eine Pad-Schutzeinheit 620' vorgesehen sein, um das Bonding-Pad 603', welches auf der lichtabgebenden Struktur (S) vorgesehen ist, zu bedecken, um es zu schützen. Die Pad-Schutzeinheit 620' kann dieselbe Größe wie das Bonding-Pad 603' haben derart, dass das Bonding-Pad 603' nicht nach oben freiliegend ist. Hier kann die Pad-Schutzeinheit 620' aus Photolack gefertigt sein, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • c'.Vorgang zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit, welche eine bestimmte Dicke hat, durch ein Anwenden eines Harz- bzw. Kunstharz-Materials auf die lichtabgebende Struktur
  • Wie in 28C gezeigt ist, wird ein transparentes Harz bzw. Kunstharz wie beispielsweise Silizium, Epoxid oder dergleichen aufgedruckt, so dass es eine gewisse Dicke auf der lichtabgebenden Struktur (S) hat, derart, dass die lichtabgebende Struktur (S) mit den Pad-Schutzeinheiten 620', welche auf den Bonding-Pads 603' gebildet sind, durch das Harz- bzw. Kunstharz-Material durch ein Druckverfahren zum Bilden einer Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' bedeckt wird.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602', welche auf die lichtabgebende Struktur (S) gedruckt sind, um die gesamte obere Oberfläche der lichtabgebenden Struktur (S), welche die Bonding-Pads 603' aufweist, zu bedecken, wird durch künstlich vorgesehene Wärme oder UV-Licht ausgehärtet.
  • Hier kann das Harz- bzw. Kunstharz-Material, welches zum Bilden der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' verwendet wird, ein Phosphor-Material wie beispielsweise ein Lichtwellenlängen-Umwandlungsmittel zum Umwandeln der Wellenlänge einer Lichtabgabefarbe jedes LED-Chips 601' aufweisen, um eine Lichtabgabefarbe jeder LED 601' in weißes Licht gemäß der Lichtabgabefarbe jeder LED 601' umzuwandeln, welche durch die lichtabgebende Struktur (S) konfiguriert wird, wenn jeder LED-Chip 601' Licht abgibt.
  • d'. Vorgang zum Entfernen der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit, um die Pad-Schutzeinheit freizulegen
  • Wie in 28D gezeigt ist, wird, wenn die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602', welche vorgesehen ist, um die lichtabgebende Struktur (S) zu bedecken, welche auf dem Wafer (W') angebracht ist, Licht ausgesetzt ist, welches von oben eingestrahlt wird, die oberste Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' geätzt, so dass sie entfernt wird, wobei die Pad-Schutzeinheit 620' freigelegt wird. Hier sollte die Einstrahlung von Licht auf die obere Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' unmittelbar gestoppt werden, wenn die obere Oberfläche der Pad-Schutzeinheit 620' freiliegend ist.
  • Ebenso kann bei einem anderen Verfahren zum teilweisen Entfernen der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' zum Freilegen der Pad-Schutzeinheit 620' ein Abschnitt der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' unter Verwendung einer Poliereinheit entfernt werden. Das Harz-Material kann nämlich durch ein Polieren der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' durch ein Polierverfahren unter Verwendung einer Schleifmaschine oder ein Schneideverfahren unter Verwendung eines Schlagfräsers bzw. Schlagmessers entfernt werden, wodurch die Pad-Schutzeinheit 620', welche auf der lichtabgebenden Struktur (S) vorgesehen ist, freigelegt wird.
  • e'. Vorgang zum Entfernen der Pad-Schutzeinheit, welche von der Wellenlängen-Umwandlungseinheit freigelegt ist
  • Wie in 28E gezeigt ist, wird, wenn die Pad-Schutzeinheit 620', welche von der oberen Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' freiliegend ist, entfernt wird, um von dem Bonding-Pad 603' und der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' getrennt zu werden, ein Raum gleichwertig zu der entfernten Pad-Schutzeinheit 620' an einem oberen Abschnitt der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' gebildet, und zu derselben Zeit wird das Bonding-Pad 603' freigelegt.
  • f'. Vorgang zum Schneiden des Wafers mit der lichtabgebenden Struktur, die darauf gebildet ist
  • Nachfolgend wird, wie in 28F gezeigt ist, die lichtabgebende Struktur (S) mit dem Bonding-Pad 603', welches zu der Außenseite freiliegend ist, zusammen mit dem Wafer (W') entlang vertikaler und horizontaler Schnittlinien geschnitten, welche auf einer oberen Oberfläche davon abgegrenzt sind, wodurch sie als eine bzw. in eine LED-Vorrichtung 600' gefertigt werden, welche Licht erzeugt, wenn Leistung daran angelegt wird.
  • Die LED-Vorrichtung 600' weist einen LED-Chip 601', welcher die lichtabgebende Struktur (S) aufweist, wenigstens ein Bonding-Pad 603', welches auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 601' vorgesehen ist, und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 602' auf, welche einheitlich die obere Oberfläche des LED-Chips 601' bedeckt, während sie das Bonding-Pad 603' freilegt.
  • Wie in den 29A und 29B gezeigt ist, sind die LED-Vorrichtungen 600 und 600', welche eine solche Konfiguration haben, auf einer oberen Oberfläche eines Leitungsrahmens 31 angebracht, welcher eine positive Elektrodenleitung und eine negative Elektrodenleitung hat, und sie können elektrisch mit einem anderen Leitungsrahmen 32 mittels des Drahtes 50, welcher ein Ende hat, welches an die Bonding-Pads 603 und 603' gebondet ist, welche durch die Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602' freiliegend sind, verbunden sein. In diesem Fall kann der Draht 50 mit den Bonding-Pads 603 und 603' verbunden sein, welche durch die Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602' freiliegend sind, eher als dass er in Kontakt mit den Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602' steht.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind die Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602', welche Phosphor-Materialien aufweisen, gebildet, so dass sie eine einheitliche Dicke haben, auch auf den äußeren Oberflächen der LED-Chips 601 und 601', wobei ein Pfad entlang welches Licht, welches von den LED-Chips 601 und 601' erzeugt wird, durch die Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602' hindurchtritt, einheitlich gemäß Strahlungswinkeln ist und demnach kann eine Differenz in der Farbtemperatur gemäß Strahlungswinkeln bzw. Einstrahlungswinkeln verhindert werden.
  • Ebenso wird im Wesentlichen verhindert, dass der Draht 50 in Kontakt mit den Phosphormaterialien, welche aus Schwermetall gefertigt sind, welches eine elektrische Leitfähigkeit hat, in Kontakt stehen, welche in den Wellenlängen-Umwandlungseinheiten 602 und 602' enthalten sind, was eine Erzeugung von Leckströmen verhindert. Demnach kann die Leuchteffizienz der LED-Vorrichtungen 600 und 600' erhöht werden, und es wird verhindert, dass sich Degradations-Charakteristiken verschlechtern, wodurch die Zuverlässigkeit des Produktes erhöht wird.
  • Eine LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 30 und 31 beschrieben werden. Die 30A bis 30E sind Ansichten, welche schematisch nacheinanderfolgende Vorgänge zum Herstellen einer LED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Als erstes werden, wie in 30A gezeigt ist, LED-Chips 701, welche durch einen Halbleiter-Herstellungsvorgang hergestellt werden, angebracht, um voneinander auf dem Wafer (W) in einer Die-Anbring-Art voneinander beabstandet zu sein. Hier kann der Wafer (W) aus einem ausgewählt aus der Gruppe von einem nichtleitfähigen Material und einem leitfähigen Material gemäß einer Anordnungskonfiguration einer p-Typ Elektrode und einer n-Typ Elektrode, welche in den LED-Chips 701 vorgesehen sind, gefertigt sein.
  • Als nächstes werden, wie in 30B gezeigt ist, eine Mehrzahl von Bonding-Pads 703 auf oberen Oberflächen der LED-Chips 701, welche mit einem Die-Anbring-Verfahren an dem Wafer (W) angebracht sind, gebildet. Hier kann ein einzelnes Bonding-Pad 703 oder eine Mehrzahl davon vorgesehen sein gemäß einer Anordnungsart (vertikaler Typ oder horizontaler Typ) der p-Typ Elektrode und der n-Typ Elektrode, welche in den LED-Chips 701 vorgesehen sind.
  • Dann wird, wie in 30C gezeigt ist, ein transparentes Harz bzw. Kunstharz wie beispielsweise Silizium, Epoxid oder dergleichen aufgedruckt, so dass es eine gewisse Dicke auf dem Wafer (W) hat derart, dass die Mehrzahl von LED-Chips 71, welche die Bonding-Pads 703 aufweisen, welche auf der oberen Oberfläche davon gebildet sind, durch das Harz- bzw. Kunstharz-Material durch ein Druckverfahren, um eine Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 zu bilden, bedeckt werden.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702, welche auf den Wafer (W) aufgedruckt, ist, um die LED-Chips 701 zu bedecken, welche die Bonding-Pads 703 aufweisen, wird durch eine künstlich vorgesehene Wärme oder UV-Licht ausgehärtet. Hier kann die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 ein Phosphor-Material aufweisen als ein Lichtwellenlängen-Umwandlungsmittel zum Umwandeln der Wellenlänge einer Lichtabgabefarbe jedes LED-Chips 701, um eine Lichtabgabefarbe jeder LED 701 in weißes Licht gemäß der Lichtabgabefarbe jeder LED 701 umzuwandeln.
  • Danach wird, wie in 30D gezeigt ist, die obere Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702, welche auf dem Wafer (W) vorgesehen ist, durch eine Poliereinheit (nicht gezeigt) poliert, um die Bonding-Pads 703 freizulegen, welche auf den LED-Chip 701 vorgesehen sind. In diesem Fall kann, um die obere Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 zu polieren, ein Polierverfahren unter Verwendung einer Schleifmaschine oder ein Schneidverfahren unter Verwendung eines Schlagmessers bzw. Schlagfräsers oder dergleichen verwendet werden, um eine Einheitlichkeit in der Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 zu erhalten, und hier kann ein Polierverfahren ausgewählt werden unter Betrachtung der Präzision und Produktivität. Hier hat nach dem Polieren durch die Poliereinheit die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 vorzugsweise eine gleichmäßige Schichtdicke derart, dass eine obere Oberfläche davon parallel zu dem Wafer (W) ist.
  • Nachfolgend wird, wie in 30E gezeigt ist, der LED-Chip 701 mit der Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702, welche poliert worden ist, um das Bonding-Pad 703 zu der Außenseite freizulegen, entlang vertikaler und horizontaler Schnittlinien geschnitten, welche zwischen einem benachbarten LED-Chip 601 gebildet sind, wodurch er als eine LED-Vorrichtung 700 hergestellt wird, welche Licht erzeugt, wenn Leistung daran angelegt wird.
  • Die LED-Vorrichtung 700 weist den LED-Chip 701, welcher mit einem Die-Anbringverfahren an der Unterbefestigung 710, nach dem Schneiden von dem Wafer (W) angebracht wird, wenigstens ein Bonding-Pad 703, welches auf der oberen Oberfläche des LED-Chips 701 vorgesehen ist, und die Wellenlängen-Umwandlungseinheit 702 auf, welche einheitlich die äußere Oberfläche des LED-Chips 701 bedeckt, während sie das Bonding-Pad 703 freilegt.
  • Die LED-Vorrichtung 700, welche die vorangehende Konfiguration hat, ist auf einer oberen Oberfläche eines Leitungsrahmens 31 angebracht, welcher eine positive Elektrodenleitung und eine negative Elektrodenleitung hat, und kann elektrisch mit einem anderen Leitungsrahmen 32 mittels des Drahtes 50 verbunden sein, welcher ein Ende hat, welches an das Bonding-Pad 703 gebondet ist.
  • Wie obenstehend erläutert ist, kann, gemäß den Ausführungsformen der Erfindung, da die Linsen-Abstützeinheit gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht des Gehäusehauptkörpers, verhindert werden, dass der Draht beschädigt wird, wodurch die Betriebszuverlässigkeit des Produkts erhöht wird.

Claims (13)

  1. Gehäuse (1) für eine lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700), das Folgendes aufweist: Einen Gehäusehauptkörper (10), welcher einen Chip-Anbringbereich (16) hat, welcher durch Seitenwände (15) umgeben ist; Leiterrahmen (30, 31, 32), welche voneinander beabstandet sind, wobei wenigstens ein Abschnitt davon in dem Chip-Anbringbereich (16) positioniert ist; eine lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700), welche auf dem Chip-Anbringbereich (16) angebracht ist; einen Draht (50, 50'), welcher den Leiterrahmen (30, 31, 32) und die lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) verbindet; eine Linse (20), welche an der lichtabgebenden Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) angebracht ist; und eine Linsen-Abstützeinheit (11), welche gebildet ist, so dass sie höher ist als der Draht (50) in dem Chip-Anbringbereich (16), und die die Linse (20) derart abstützt, dass die Linse (20) nicht in Kontakt mit dem Draht (50) gelangt, dadurch gekennzeichnet, dass die Linsen-Abstützeinheit (11) eine Struktur hat, in welcher wenigstens ein Teil davon sich von der Seitenwand (15) in Richtung der lichtabgebenden Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) erstreckt, die Linse (20) einen reflektierenden Abschnitt mit einer flachen oberen Oberfläche und einem konvexen unteren Abschnitt aufweist, und die Linsen-Abstützeinheit (11) den unteren Abschnitt des reflektierenden Abschnitts darauf angebracht aufweist, und dass zusätzlich zur Linsen-Abstützeinheit (11) die Seitenwand (15) wenigstens einen Abstütz-Überstand (12) hat, und die Linse (20) wenigstens einen horizontalen Vorsprung (22) hat, welcher an einem äußeren Umfang davon gebildet ist, und durch den Abstütz-Überstand (11a, 12) abgestützt wird.
  2. Gehäuse (1) nach Anspruch 1, wobei die Linsen-Abstützeinheit (11) an wenigstens einem Abschnitt unter verbleibenden Abschnitten gebildet ist, nachdem die lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) an dem Chip-Anbringbereich (16) angebracht ist.
  3. Gehäuse (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Linsen-Abstützeinheit (11) einen Stopp-Überstand (11a) hat, welcher es einem unteren Endabschnitt der Linse (20) ermöglicht, dadurch erfasst zu werden.
  4. Gehäuse (1) nach Anspruch 3, wobei der Stopp-Überstand (11a) eine halbkugelförmige Form oder eine rechtwinklige Säulenform hat.
  5. Gehäuse (1) nach Anspruch 1, wobei die Linsen-Abstützeinheit (11) ein Öffnungsloch (h) hat, welches die Linsen-Abstützeinheit (11) in einem Abschnitt davon durchdringt, welcher sich von der Seitenwand (15) erstreckt und in einem oberen Raum des Chip-Anbringbereiches (16) angeordnet ist.
  6. Gehäuse (1) nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine Linsen-Abstützeinheit (11) sich von einer Seite der Seitenwände (15) erstreckt und den Chip-Anbringbereich (16) quert, so dass sie mit der anderen Seite verbunden ist.
  7. Gehäuse (1) nach Anspruch 6, wobei eine Mehrzahl von Linsen-Abstützeinheiten (11) einander in dem Chip-Anbringbereich (16) schneidet.
  8. Gehäuse (1) nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei eine untere Oberfläche der Linsen-Abstützeinheit (11) positioniert ist, so dass sie höher ist als der Draht (50).
  9. Gehäuse (1) nach Anspruch 1, wobei die Seitenwand (15) wenigstens eine Vertiefung (13) hat, welche in einem oberen Rand davon gebildet ist, und die Linse (20) wenigstens einen Einführvorsprung (23) hat, welcher an einem oberen Rand davon gebildet ist derart, dass er zu der Vertiefung (13) in der Seitenwand (15) korrespondiert.
  10. Gehäuse (1) nach Anspruch 1, wobei der Gehäusehauptkörper (10) einen Abstütz-Überstand (11a, 12), welcher an einer inneren Seite der Seitenwand (15) gebildet ist, und einen Aussparungsabschnitt (14) aufweist, welcher den Chip-Anbringbereich (16) an einer inneren Seite des Abstütz-Überstandes (12) hat, wobei der Aussparungsabschnitt (14) gebildet ist, so dass er eine Tiefe hat, von welcher der Draht (50) nicht nach oben hervorsteht, und eine obere Oberfläche des Abstütz-Überstandes (12) positioniert ist, so dass sie höher ist als der Draht (50).
  11. Gehäuse (1) nach Anspruch 10, wobei ein Abschnitt der Linsen-Abstützeinheit (11) fest an dem Abstütz-Überstand platziert ist, und der andere verbleibende Abschnitt über dem Aussparungsabschnitt (14) platziert ist und über dem Chip-Anbringbereich (16) angeordnet ist.
  12. Gehäuse (1) nach Anspruch 11, wobei eine untere Oberfläche der Linsen-Abstützeinheit (11) koplanar zu einer oberen Oberfläche des Abstütz-Überstandes (12) ist.
  13. Gehäuse (1) nach Anspruch 10, weiterhin aufweisend eine Kapselungseinheit (70), welche den Aussparungsabschnitt (14) füllt, um die lichtabgebende Vorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) und den Draht (50) zu kapseln.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
TWI414714B (zh) 2011-04-15 2013-11-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體杯燈
CN102588762A (zh) * 2011-01-06 2012-07-18 隆达电子股份有限公司 发光二极管杯灯
KR101197229B1 (ko) * 2011-01-26 2012-11-02 주식회사 프로텍 Ｌｅｄ 소자 제조 방법 및 ｌｅｄ 소자 제조 장치
US8872296B2 (en) * 2012-11-01 2014-10-28 Lite-On Technology Corporation Chip module structure for particles protection
TW201427103A (zh) * 2012-12-21 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 螢光粉設置方法及發光二極體製造方法
DE102013100121A1 (de) * 2013-01-08 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI479175B (zh) * 2013-01-15 2015-04-01 Architek Material Co Ltd 轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法
KR20140095163A (ko) * 2013-01-23 2014-08-01 삼성전자주식회사 발광소자용 렌즈와 이를 이용한 발광소자 패키지
DE202013100577U1 (de) * 2013-02-08 2014-05-09 Zumtobel Lighting Gmbh Fassadenleuchte
US9748164B2 (en) 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
US20140312371A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd . Hybrid reflector cup
DE102013106573B4 (de) 2013-06-24 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement, Gassensor mit strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelements
DE102013212928A1 (de) * 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
TWI582344B (zh) * 2013-08-05 2017-05-11 鴻海精密工業股份有限公司 透鏡及使用該透鏡的光源裝置
US9920889B2 (en) * 2013-10-11 2018-03-20 Citizen Electronics Co., Ltd. Lighting device including phosphor cover and method of manufacturing the same
US9335023B2 (en) * 2013-12-11 2016-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot lens and manufacturing method thereof
KR102142388B1 (ko) 2014-02-06 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 Led 광원 패키지
DE112016000387T5 (de) * 2015-01-20 2017-10-05 Denka Company Limited Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung
KR102332218B1 (ko) * 2015-03-18 2021-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈
DE102015106658A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015108499A1 (de) 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Strahlungsquelle
WO2017164672A1 (ko) * 2016-03-23 2017-09-28 엘지이노텍 주식회사 광학 모듈
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN106252469A (zh) * 2016-08-29 2016-12-21 广东德力光电有限公司 一种应用复合掩膜的led晶胞制造方法
CN108267914B (zh) 2016-12-30 2022-01-11 中强光电股份有限公司 波长转换装置及其投影机
KR20190000442U (ko) * 2017-08-08 2019-02-18 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 Led 발광 장치
WO2019063084A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT
DE102018107956A1 (de) * 2018-04-04 2019-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102018109542B4 (de) * 2018-04-20 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden bauelements
JP2020043235A (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 豊田合成株式会社 発光装置
CN109509827B (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 鸿利智汇集团股份有限公司 一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法
US11276806B2 (en) * 2020-01-03 2022-03-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method for manufacturing the same
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4702555A (en) * 1984-05-14 1987-10-27 Hitachi, Ltd. Optical system drive for optical recording/reproducing apparatus
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置
US20080023714A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Surface mounting device-type light emitting diode
US20080054288A1 (en) * 2006-07-05 2008-03-06 Tir Technology Lp Lighting Device Package
US20090046456A1 (en) * 2005-12-22 2009-02-19 Matsushita Electric Works., Ltd. Lighting Apparatus With Leds
EP2287928A2 (de) * 2004-06-04 2011-02-23 Cree, Inc. Gehäuse mit lichtemittierender Hochleistungsdiode und Reflexionslinse, sowie zugehöriges Herstellungsverfahren

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147585A (ja) 1984-12-21 1986-07-05 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオ−ド
JP2005038956A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光部品とその製造方法
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
KR100685666B1 (ko) 2004-10-15 2007-02-23 주식회사 메디아나전자 열적 신뢰성이 향상된 고출력 발광 다이오드 소자
KR100632003B1 (ko) * 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 ｌｅｄ 패키지
JP5626754B2 (ja) * 2010-01-10 2014-11-19 シチズン電子株式会社 光学ユニット
JP5427617B2 (ja) 2010-01-13 2014-02-26 日立オムロンターミナルソリューションズ株式会社 紙幣収納庫および紙幣取扱装置
KR101394609B1 (ko) 2010-09-07 2014-05-13 주식회사 케이티 원격지에 위치하는 디바이스가 제공하는 이벤트를 수신하기 위한 컨트롤 포인트 및 홈 게이트웨이

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4702555A (en) * 1984-05-14 1987-10-27 Hitachi, Ltd. Optical system drive for optical recording/reproducing apparatus
EP2287928A2 (de) * 2004-06-04 2011-02-23 Cree, Inc. Gehäuse mit lichtemittierender Hochleistungsdiode und Reflexionslinse, sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US20090046456A1 (en) * 2005-12-22 2009-02-19 Matsushita Electric Works., Ltd. Lighting Apparatus With Leds
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置
US20080054288A1 (en) * 2006-07-05 2008-03-06 Tir Technology Lp Lighting Device Package
US20080023714A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Surface mounting device-type light emitting diode

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Publication number Publication date
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CN103078039A (zh) 2013-05-01
US9012950B2 (en) 2015-04-21

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