JP2011134785A

JP2011134785A - 発光装置

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Publication number: JP2011134785A
Application number: JP2009290914A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Nakasuji; 威中筋; Kazunari Kuzuhara; 一功葛原
Original assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2009-12-22
Filing date: 2009-12-22
Publication date: 2011-07-07
Anticipated expiration: 2029-12-22
Also published as: JP5433398B2

Abstract

【課題】銀を成分とするリフレクタとを有した発光装置において、大気中の硫黄ガスによるリフレクタの反射率の劣化を抑制する。
【解決手段】発光装置１は、ＬＥＤ２と、ＬＥＤ２からの光を反射する銀を成分とするリフレクタ３と、ＬＥＤ２とリフレクタ３に臨まない面に配置された気密部材からなる基板４と、ＬＥＤ２とリフレクタ３とを覆う気密部材からなるキャップ５と、を備える。基板４はＬＥＤ２とリフレクタ３を収容する凹部４０を有する。基板４とキャップ５との隙間１２に硫黄と反応して硫化物を生成するＡｇナノ粒子ペーストから成る硫黄トラップ９が配置される。これにより、大気ガスが基板４とキャップ５との隙間１２を透過する際、硫黄トラップ９により、硫黄ガス成分が硫化物となるので、凹部４０内のリフレクタ３の銀成分が硫化されて黒色化されることがなく、銀による高い反射率を維持することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、銀を成分とするリフレクタを有した発光装置に関する。

従来の、この種の発光装置の例を図９（ａ）、（ｂ）に示す。発光装置１は、導電性の基板４に形成され凹部４０内に配置されたＬＥＤ２と、凹部壁面に絶縁層７を介して形成された反射率の高い銀反射膜からなるリフレクタ３と、凹部４０の開口を覆うレンズ５とを備える。レンズ５は該開口に接着材１０で接合されることにより、ＬＥＤ２とリフレクタ３は凹部４０内に封止される。

レンズ５及び接着材１０にはシリコーン樹脂材料が用いられ、絶縁層７には、ＦＲＰ（繊維強化プラスチック）又はエポキシ樹脂やポリエチレン等の絶縁材料が用いられている。しかしながら、これらの各材料は大気ガスを透過するため、大気ガスが矢印ａ、ｂ、ｃで示す通気ルートにより、凹部４０内に進入する。このため、大気中の硫黄成分により、リフレクタ３はその銀成分が硫化銀となり黒色化され、反射率が低下する。また、凹部４０内で形成される回路配線が腐食し易い。

図１０は、他の例を示す。この発光装置１においては、基板４はエポキシ基板やガラスエポキシ系基板などの絶縁性部材からなり、凹部４０内にはリフレクタ３と共に、ＬＥＤ２への電源供給用の銀メッキされたリードフレーム２０が設けられている。この発光装置１においては、大気ガスが矢印ａ、ｂで示す通気ルートの他に、ガラス基板が低い気密性のためピンホールを有する場合や、リードフレーム２０と基板４間で密着性が弱く隙間が生じる場合には、それぞれ矢印ｄ、ｅで示す通気ルートにより、凹部４０内へ進入する。このため、上記と同様の問題が発生する。

図１１は、さらに他の例を示す。この発光装置１においては、エポキシ樹脂製の基板４上に平面的に銀層のリフレクタ３が形成され、その上にＬＥＤ２が実装されると共に、ＬＥＤ２とリフレクタ３が半球形状のシリコーン樹脂製のレンズ５で覆われ、レンズ５と基板４とが接着材１０で接合されている。この場合も、大気ガスがレンズ５や接着材１０、及び基板４を透過して凹部４０内へ進入し、上記と同様の問題が発生する。

ところで、発光素子の封止剤としてシリコーン樹脂を用いた発光装置において、発光素子を搭載する銀めっきが施されたリードフレームの変色を抑制する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この技術は特殊なシリコーン樹脂を必要とすると共に、銀成分を有するリフレクタへの対処ではない。

特開２００９−８１４３０号公報

本発明は、上記の問題を解決するものであり、発光部と、発光部からの光を反射する銀を成分とするリフレクタとを有し、それらが樹脂等で封止される発光装置において、大気中の硫黄ガスによるリフレクタの反射率の劣化を抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１の発明は、発光部と、前記発光部からの光を反射する銀を成分とするリフレクタと、を有する発光装置であって、前記リフレクタの発光部に臨まない面に配置された基板を含むリフレクタ側気密層と、前記発光部とリフレクタとを覆う光透過部材を含む発光部側気密層と、を有し、前記リフレクタ側気密層と発光部側気密層との隙間に、硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したものである。

請求項２の発明は、請求項１に記載の発光装置において、前記リフレクタ側気密層に設けた孔部を貫通して該孔部を埋めると共に、該気密層の発光部と反対側の面側から該発光部に給電する孔部気密電極層を有し、前記孔部気密電極層の孔部周囲に硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したものである。

請求項３の発明は、請求項２に記載の発光装置において、前記硫黄トラップは、前記リフレクタ側気密層の発光部と反対側に配置されるものである。

請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置において、前記リフレクタ側気密層及び発光部側気密層は、接触する部位が重なり合っており、重なり合った領域に硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したものである。

請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置において、前記リフレクタ側気密層と発光部側気密層によって内包される部分が、硫黄トラップにより気密性が保持されるものである。

請求項１の発明によれば、リフレクタ側気密層と発光部側気密層とで囲まれる領域の外側に、硫黄ガスと反応して硫化物を生成する硫黄トラップが配置されるので、リフレクタの銀成分が硫黄ガスにより硫化され黒色化されることを防止でき、高い反射率を維持することができる。

請求項２の発明によれば、孔部気密電極層とリフレクタ側気密層との間の密着性が悪く通気することがあっても、硫黄トラップにより硫黄ガスの流れを阻止することができるので、リフレクタを黒色化することなく、孔部気密電極層を介して外部から発光部に給電することができる。

請求項３の発明によれば、リフレクタ側気密層と発光部側気密層間に配置される硫黄トラップと、リフレクタ側気密層と孔部気密電極層間の硫黄トラップとを同時に形成できるので、硫黄トラップの形成作業が簡単になる。

請求項４の発明によれば、発光部側気密層とリフレクタ側気密層が互いに重なり合った大気の通気路となる領域に硫黄トラップが配置されるので、この領域内を透過する大気中の硫黄ガスを確実に阻止することができる。

請求項５の発明によれば、リフレクタ側気密層と発光部側気密層とによって囲まれた空間内への大気ガスの進入を阻止でき、大気ガス中の硫黄、酸素等による該空間内のリフレクタ、電気配線等の硫化や酸化、及びエレクトロマイグレーションを防止でき、リフレクタの反射率の劣化や電気配線の断線及び短絡などを防ぐことができる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る発光装置の断面図、（ｂ）は同発光装置のガラスキャップを透視した平面図。本発明の第２の実施形態に係る発光装置の断面図。本発明の第３の実施形態に係る発光装置の断面図。上記実施形態の変形例の断面図。本発明の第４の実施形態に係る発光装置の断面図。上記実施形態の変形例の断面図。本発明の第５の実施形態に係る発光装置の断面図。上記実施形態の変形例の断面図。（ａ）は従来の発光装置の断面図、（ｂ）は同発光装置のレンズを透視した平面図。従来の他の発光装置の断面図。従来のさらに他の発光装置の断面図。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る発光装置について図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。本実施形態の発光装置１はＬＥＤ（発光部）２と、ＬＥＤ２からの光を反射する銀を成分とするリフレクタ３と、ＬＥＤ２とリフレクタ３に臨まない面に配置された気密部材からなる基板（リフレクタ側気密層）４と、ＬＥＤ２とリフレクタ３とを覆う気密部材からなるガラスキャップ（光透過部材、発光部側気密層）５と、基板４に貫通して挿入される気密部材からなる導電部材（孔部気密電極層）６と、を有している。基板４は、ＬＥＤ２、リフレクタ３及びガラスキャップ（以下、キャップという）５を支持するための凹部４０を有し、キャップ５はＬＥＤ２とリフレクタ３に対面して配置されている。導電部材６は、ＬＥＤ２の給電端子２１と外部電源（不図示）とを接続する。

基板４とキャップ５との隙間１２に、硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップ９が配置されている。ここでは、ＬＥＤ２及びリフレクタ３は、導電部材６が装着された凹部４０を気密性のキャップ５で覆った気密空間内に収容される。また、ＬＥＤ２は導電部材６に支持され、この導電部材６が基板４に固定されることにより基板４に支持される。

ＬＥＤ２は、サファイア基板上にバッファ層、ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層が順に積層されて形成される。また、ＬＥＤ２は、ｎ型半導体層の表面にｎ型電極が形成され、ｐ型半導体層の表面に電流拡散膜とｐ型電極とが形成され、ｐ型電極とｎ型電極とを電源に接続することにより電流が流れ発光する。電流拡散膜は導電性を成し、かつ、光の反射率の高い金属で形成されている。ＬＥＤ２のサイズは１ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍである。

ＬＥＤ２は、発光面を表面とする表裏両面にｐ型電極とｎ型電極とに接続され正、負電極となる給電端子２１をそれぞれ有し、基板４を貫通して凹部４０内に突出された導電部材６上にマウントされる。ＬＥＤ２は、表面側の給電端子２１がボンディングワイヤ２２でリフレクタ３と電気接続され、裏面側の給電端子２１が接合用の導電バンプ６４により導電部材６と直接接続され、リフレクタ３と導電部材６が外部電源に接続されることにより、電力が供給される。なお、ＬＥＤ２の基板はサファイアに限らず、ＧａＮ基板など他の材料を用いてもよい。

基板４は、例えば、銅やアルミニウム等の導電部材からなり、凹部４０の傾斜壁面に形成された反射率の高い銀からなるリフレクタ３と、導電部材６を埋め込むための貫通孔（孔部）４１と、凹部４０の開口周縁にキャップ５の周縁部を保持するための階段状の保持台４２とを有する。リフレクタ３は、蒸着等により銀層が形成された反射膜からなり、この反射膜の最下層には、基板４と銀層とを絶縁するための絶縁層７が形成されている。また、凹部４０は、シリコーン樹脂等による充填材１１により充填されている。なお、リフレクタ３は、基板４と独立した別体構造であってもよい。

基板４は、凹部４０以外の上面４３に絶縁層７を介し形成された銀層からなる回路パターン（不図示）と、この回路パターン上に形成された絶縁性の保護膜８とを有する。なお、回路パターンの部分は、銀以外に、別途、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ロジウム、パラジウム、白金などを用いて形成してもよい。ここでは、基板４は、例えば、気密性を有する金属基板に凹部４０が設けられた金属筐体となり、ＬＥＤ２を収納するための金属パッケージとなる。

絶縁層７は、気密性に優れた絶縁部材からなり、例えば、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）、カーボン含有ＳｉＯ２膜（ＳｉＯＣ）などによる無機薄膜により無機絶縁層として形成される。これにより、大気ガスが絶縁層７を透過して凹部４０内へ進入することは阻止される。

キャップ５は、平面板状を成し、ＬＥＤ２からの光を透過する気密性の高い珪ホウ酸系ガラスから成る。キャップ５は、充填材１１で充填された状態の凹部４０を覆い、封止する。このとき、キャップ５の周縁部と凹部４０の開口周縁との隙間１２に、硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップ９が配置される。なお、キャップ５は、珪ホウ酸系に限らず石英など透光性、気密性を有するガラスであればよく、また、レンズ形状であってもよい。

導電部材６は、ここでは、銅部材が使用され、基板４に密着される平板部６１と、平板部６１から突出しＬＥＤ２を支持するための台部６２とを有する。導電部材６は、基板４との絶縁のために基板４と接触する面に窒化珪素などの無機薄膜よる絶縁膜６５を有する。なお、導電部材６は、タングステン、アルミニウム、銀、ロジウム、金なども使用でき、ＬＥＤ２を実装する材料として放熱性、電気特性に優れたものであればよい。

導電部材６は、台部６２が基板４の貫通孔４１に貫通して埋め込まれ、平板部６１がＬＥＤ２と反対側の基板４に密着されて固定される。台部６２はその天面上に金属層６３が形成され、この金属層６３上にＬＥＤ２の裏面側の給電端子２１が導電バンプ６４によりバンプ接合される。これにより、ＬＥＤ２の電極の一つが導電部材６と電気的に接続される。なお、ＬＥＤ２と導電部材６とを接続する材料には、Ａｕバンプ、ＡｕＳｎ、Ａｇペースト、及び鉛フリー半田等の導電性部材が使用される。

硫黄トラップ９は、例えば、密着性が良く、また硬化後にＡｇのバルクとなるＡｇナノ粒子ペーストが使用される。硫黄トラップ９は、Ａｇナノ粒子ペーストがキャップ５と凹部４０との隙間１２の境界を塞いで埋めるように塗布された後、加熱されて固まり、キャップ５の周辺に亘って隙間１２の境界上に盛り上がり、Ａｇバルクによる封止部分が形成される。また、硫黄トラップ９は、バルク状になることにより気密性が良くなる。また、硫黄トラップ９が完全なバルク状にならず気密性が悪い状態であっても、その中を通過する硫黄ガスはＡｇナノ粒子と反応して硫化銀となり、硫黄トラップ９内で吸収されるので、凹部４０内への進入が阻止される。

発光装置１の製造に際しては、例えば、ＬＥＤ２と導電部材６との接合はＡｕバンプを介して超音波接合により行い、そのバンプのサイズは、径９０μｍ×３０μｍｔであり、超音波接合条件は１５０℃、５０ｇ、５秒である。また、Ａｇナノ粒子ペーストはキャップ５と基板４との界面に塗布して加熱され、その加熱条件は２５０℃、１５分である。なお、凹部４０への充填材１１の充填は、例えば、キャップ５で凹部４０を蓋し、硫黄トラップ９でキャップ５と凹部４０との隙間１２を密封した状態で、予めキャップ５に設けた注入孔から行い、その後、注入孔を別途硫黄トラップで埋めてもよい。

本実施形態によれば、基板４とキャップ５との隙間１２を通る大気中の硫黄ガスが硫黄トラップ９と反応して硫化物となって吸収され、その透過が阻止されるので、凹部４０内のリフレクタ３はその銀成分の硫黄ガスによる硫化が阻止され、黒色化が防止されることにより、反射率の劣化が抑制され、銀による高い反射率を維持することができる。また、導電部材６によりＬＥＤ２の正、負電極の一端の給電端子２１を基板４の下方より取り出し、他端を基板４の表面側から取り出せるので、正、負電極が短絡することを避け易くなる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る発光装置について図２を参照して説明する。本実施形態の発光装置１においては、基板４は、気密材料よりなる絶縁性基板からなり、基板４とリフレクタ３間の絶縁層及び導電部材６の基板４との絶縁用の絶縁膜を不要とした点が、前記実施形態と異なる。

本実施形態においては、基板４は、気密性を有するセラミック部材からなり、このセラミック部材で形成された凹部４０がＬＥＤ２を収納するためのセラミックパッケージと成っている。基板４は、その表面上に直接蒸着等により銀層が形成され、凹部４０内の傾斜側面や底面上に直接形成された銀層によるリフレクタ３が構成され、基板４の上面４３上に銀層の回路パターンが形成される。導電部材６は基板４と絶縁される必要はなく、そのまま凹部４０の貫通孔４１に埋め込まれて固定される。なお、基板４は、セラミック以外に、気密性の優れたプラスチックや、ピンホールのない絶縁基板などが使用される。

本実施形態によれば、基板４が絶縁部材なので、前記実施形態に比べ、リフレクタ３と基板４とを絶縁するための絶縁層７（図１参照）、及び導電部材６の表面を絶縁するために覆う絶縁膜６５が不要となり、構成が簡単となる。なお、基板４の凹部４０は、例えばセラミックの焼成等により形成される。また、基板４に、エポキシ基板のような吸水性、通気性を有する基板部材を使用する場合は、その表面を金属薄膜などの気密性を保つことができる材料で覆うことにより適用することができる。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る発光装置について図３を参照して説明する。本実施形態の発光装置１は、硫黄トラップ９に加え、基板４の貫通孔４１に埋め込まれ基板４と接触する導電部材６の周囲に、硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップ９ａがさらに配置された点で前記実施形態と異なる。

硫黄トラップ９ａは、導電部材６と基板４間の隙間６６における界面のＬＥＤ２側に設けられたＡｇナノ粒子ペーストで成る。硫黄トラップ９ａは、凹部４０内の底面と導電部材６の台部６２上とに跨り、台部６２の回りに沿って隙間６６を埋め、大気中の硫黄ガスが導電部材６と基板４との隙間６６を通って凹部４０内に出る前に、硫黄ガスを硫化銀としてトラップし、その透過を阻止する。

この構成により、リフレクタ３に硫黄ガスによる影響を与えることなく、導電部材６を介して外部からＬＥＤ２に給電することができる。なお、導電部材６と基板４との隙間６６に、それらを接着するためのシリコーン樹脂等の接着部材を設けた場合は、硫黄トラップ９ａを隙間６６の入口側を塞ぐようにシリコーン樹脂の上から配置することにより、シリコーン樹脂を透過する硫黄ガスを阻止することができる。

上記実施形態の変形例について図４を参照して説明する。本変形例においては、導電部材６と基板４との隙間６６に設けられる硫黄トラップ９ｂが、基板４のＬＥＤ２と反対側に配置されるものである。

硫黄トラップ９ｂは、基板４と凹部４０を覆うキャップ５とが形成するＬＥＤ２用のパッケージの外側面に位置される。このため、硫黄トラップ９ｂの基板４への取付作業は、凹部４０内でなく外側から行えるので、取付作業が簡単になり、取付作業中に、取付治具の接触や熱などによりＬＥＤ２が破損や劣化の影響を受けないようにできる。また、この硫黄トラップ９ｂは、凹部４０外側に配置されるので、基板４とキャップ５間の硫黄トラップ９と同時に凹部４０の外から形成でき、製造時の硫黄トラップの基板への形成工程が簡単になり、また、トラップの補修や追加作業も容易となる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る発光装置について図５を参照して説明する。本実施形態の発光装置１においては、基板４及びキャップ５は、接触する部位が重なり合っており、重なり合った領域に硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップトラップ９ｃを配置したものである。

本実施形態においては、キャップ５は、その周縁部が基板４の凹部４０の開口周縁の保持台４２上に重なるように保持される。キャップ５は保持台４２上に塗られた硫黄トラップ９ｃとなるＡｇナノ粒子ペースト上に支持され、加熱接合により固定される。Ａｇナノ粒子ペーストは、隙間１２内部に位置されるので、隙間１２内を透過する硫黄ガスが確実に硫黄トラップ９ｃで阻止されるため、硫黄ガスをトラップする効率が良くなる。また、Ａｇナノ粒子ペーストは、硫黄阻止作用と共に接着作用を持つので、硫黄ガスを阻止できると共にキャップ５を基板４に堅固に保持できる。

上記実施形態の変形例について図６を参照して説明する。本変形例においては、導電部材６と基板４との隙間６６の界面を埋めるための硫黄トラップ９ｄが、導電部材６と基板４とを外部電源から電力が供給される回路基板１３に固定するための接着用材料を兼ねるものである。

硫黄トラップ９ｄは、Ａｇナノ粒子ペーストで成り、基板４に密着された導電部材６が回路基板１３に装着された状態で、導電部材６と基板４との隙間６６を覆い、かつ、基板４の側面に沿って導電部材６と回路基板１３との接触する周辺に塗られる。基板４と一体の導電部材６は、Ａｇナノ粒子ペーストによる加熱接合により、回路基板１３と密着固定される。これにより、硫黄トラップ９ｄは、導電部材６と基板４との隙間６６を透過する硫黄ガスを阻止すると共に、導電部材６と基板４とを回路基板１３に固定することができる。したがって、基板４とキャップ５が成すパッケージを回路基板１３に固定するための部材を別途と必要としないので、低コスト化できる。

（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態に係る発光装置について図７を参照して説明する。本実施形態の発光装置１においては、基板４は凹部４０の開口周縁に掘り込まれた溝部４４を有し、キャップ５はその周縁部が溝部４４に向けてＬ字状に折り曲げられたＬ型端部を有する。キャップ５は、そのＬ型端部が溝部４４内に挿入され固定される。硫黄トラップ９ｅは、基板４とキャップ５との隙間に溝部４４を含んで配置され、硫黄阻止作用と接着作用とを兼ねる。

硫黄トラップ９ｅは、キャップ５のＬ型端部が基板４の溝部４４内に挿入された状態で、Ａｇナノ粒子ペーストにより該Ｌ型端部の先端をＵ字状に覆うように、基板４とキャップ５の隙間に密着して配置される。硫黄トラップ９ｅにより、キャップ５と基板４は互いに接合される。ここでは、溝部４４を設けたことにより、基板４とキャップ５との隙間が基板４の上面４３から凹部４０内に架けて長くなるので、硫黄トラップ９ｅを長くできる。このため、大気ガスが硫黄トラップ９ｅを透過して硫化される硫化経路が長くなり、硫黄ガスの透過を阻止し易くなる。また、硫黄トラップ９ｅが長い分、基板４とキャップ５との接着が強くなる。

上記実施形態の変形例について図８を参照して説明する。本変形例は、硫黄トラップ９ｅの基板４からの露出部に、硫黄トラップ９ｅの変色を見え難くするためのカバー１４を設けたものである。これにより、硫黄トラップ９ｅが硫黄ガスによる硫化の変色で黒くなった場合にも、その変色が分かり難くなる。硫黄トラップ９ｅの露出部を平面状にし、カバー１４に基板４（例えばセラミック基板）と同色の部材を用いれば、基板４とカバー１４とが一体化されて見えるようになる。

なお、本発明は上記各種実施形態の構成に限定されるものではなく、発明の趣旨を変更しない範囲で適宜に種々の変形が可能である。例えば、基板４の凹部４０及び導電部材６を矩形や角柱形状ではなく、円形や円柱形状等にしてもよい。また、キャップ５の代わりに、青色ＬＥＤの光を黄色光に部分変換する気密性を有する波長変換素子部材を設け、白色ＬＥＤを形成してもよい。また、凹部４０内にシリコーン樹脂を充填せず、凹部４０の開口周縁とキャップ５の周縁部とを硫黄トラップ９で接合してもよい。また、ＬＥＤ２の導電部材６へのマウントは、正、負電極面を共に、光照射方向に向けるフェイスアップタイプとしてもよい。また、ＬＥＤ２を導電部材６に装着する構成としたが、導電部材６を使用せず、基板４の凹部４０内の底面にＬＥＤマウント用パターンを設け直接装着してもよい。

１発光装置
２ＬＥＤ（発光部）
３リフレクタ
４基板（リフレクタ側気密層）
４０凹部
４１貫通孔（孔部）
５キャップ（ガラスキャップ、光透過部材、発光部側気密層）
６導電部材（孔部気密電極層）
９、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ硫黄トラップ
１２隙間

Claims

発光部と、前記発光部からの光を反射する銀を成分とするリフレクタと、を有する発光装置であって、
前記リフレクタの発光部に臨まない面に配置された基板を含むリフレクタ側気密層と、
前記発光部とリフレクタとを覆う光透過部材を含む発光部側気密層と、を有し、
前記リフレクタ側気密層と発光部側気密層との隙間に、硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したことを特徴とする発光装置。
前記リフレクタ側気密層に設けた孔部を貫通して該孔部を埋めると共に、該気密層の発光部と反対側の面側から該発光部に給電する孔部気密電極層を有し、
前記孔部気密電極層の孔部周囲に硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記硫黄トラップは、前記リフレクタ側気密層の発光部と反対側に配置されることを特徴とした請求項２に記載の発光装置。
前記リフレクタ側気密層及び発光部側気密層は、接触する部位が重なり合っており、重なり合った領域に硫黄と反応して硫化物を生成する硫黄トラップを配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
前記リフレクタ側気密層と発光部側気密層によって内包される部分が、硫黄トラップにより気密性が保持されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。