KR102283169B1 - Led 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 활성 조성물을 함유하는 비-기밀성 밀봉된 LED 시스템으로서, 상기 활성 조성물의 양이 시스템 광학 창 면적 ㎠ 당 0.06 내지 2.5 mg에 포함되고, 상기 활성 조성물은 분말 형태의 활성 물질을 함유하고, 상기 활성 물질의 적어도 75 wt%가 활성 탄소, 은, 구리, 아연, 산화구리, 산화아연, 산화칼슘, 산화은 중 하나 이상으로부터 선택되는 것인 LED 시스템에 관한 것이다.

Description

LED 시스템
본원 발명은 활성 조성물을 함유하는 LED 시스템에 관한 것이다. 활성 조성물의 목적은 유해 물질, 예컨대 황 또는 할로겐 (특히 염소), 황-기재의 및 할로겐-기재의 휘발성 화합물을 제거하는 것이다.
LED가 전자-정공 재결합을 통해 광자를 발생시키는 일부 반도체 물질의 광학 성질을 활용하는 광전자 소자라는 것은 알려져 있다. 전자 및 정공은 소위 p-n 접합을 달성하기 위해 전자를 위한 n형 도판트를 함유하는 영역과 정공을 위한 p형 도판트를 함유하는 영역인 두 개의 영역을 통해 재결합 대역에 주입된다.
LED 광 방출은 각각 가시 스펙트럼의 명확하게 한정된 영역에서 방출하는 반도체 물질 및/또는 하나 이상의 발광 물질 (형광체)에 의해 결정되고 한정되며, 다양한 색이 상기 발광 물질의 적절한 조합에 의해 달성된다. 예를 들어, 백색 광은 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED를 조합함으로써 수득될 수 있고, 또는 단일 방출 청색/UV LED가 더 긴 파장에서 광을 재방출하는 인접한 형광체를 여기시켜, 형광체를 갖는 단일 LED가 LED로부터 유래된 청색 방출과 조합되어 백색 광을 제공하는 황색 또는 황색 및 적색과 같은 적절한 색 스펙트럼을 가질 수 있고 나타낼 수 있도록 하는 데 사용될 수 있다.
본질적으로 LED는 형광체가 분포되어 있는 반도체 물질의 얇은 시트 (종종 "다이"라고 불리고 지칭됨)이고, 상기 얇은 시트는 전력 공급 및 열 소산을 위한 적당한 구조물에 연결된다. 그 밖에 다이는 중합체성 봉지재에 의해 보호되고, 이러한 시스템은 통상적으로 LED 패키지라고 알려져 있다.
본원 발명의 목적을 위해, 용어 LED 시스템은 전통적인 기판 상에 적재되고 표준 실리콘 또는 에폭시 수지로 봉지된 단순 LED 패키지, 및 또한 LED 패키지 및 추가의 성분, 예컨대 방열판, 반사판, 산광기, 전구 또는 외장으로 이루어진 조명 소자 둘 다를 포괄한다.
LED 시스템은 전통적인 광원에 비해 향상된 광 방출 및 더 긴 작동 수명을 나타내지만, 외부 환경으로부터 침투할 수 있거나 (예를 들어 골판지 또는 유기 고무 패키지로부터 유래된 황), 납땜 페이스트, 인쇄 회로 기판 (PCB) 및 가스켓 물질과 같은 LED 물질로부터 방출될 수 있는 황 또는 할로겐, 예컨대 염소의 존재로 인해 성능 저하를 겪고 신뢰성 문제를 나타낼 수 있다. 더 특히 LED 시스템의 높은 작동 온도는 다량의 염소의 방출을 초래할 수 있는데, 염소는 황과 함께 전체 시스템에 확산되어 반사성의 은-코팅된 표면과 반응하여 그것을 어둡게 만들거나 은 접점과 반응하여 Ag2S 및 AgCl의 형성을 초래하여 그의 광학적 및/또는 전기적 성질을 변화시킬 수 있다.
이들 문제를 극복하기 위해, LED 제조업자는 황 및/또는 할로겐 방출 물질의 사용을 최대한 회피하려고 하지만, 이는 예를 들어 특정한 유형의 PCB를 사용함으로써 제조에 비용이 매우 많이 들 수 있는 LED 시스템 디자인 및 제조 상 제약을 초래한다. 더욱이 LED의 작동 수명에 걸쳐 이들 물질의 침투 및 방출을 완전히 회피하는 것은 불가능하고, 그러므로 LED는 심지어 실제로 사용되기 전에 진열대에 저장되고 있는 동안에도 점진적인 저하에 직면할 것이다.
이미 요약된 바와 같이, LED 시스템에 있어서 주요 열화 원인 중 하나는 대기 중에 존재하고 심지어 낮은 농도에서도 상기에 언급된 광학적 및 전기적 성질의 저하를 유도할 수 있는 황 또는 할로겐, 특히 염소, 및 그의 화합물의 침투와 관련이 있다. 특히 일부 오염된 구역에서 공기 중 S-화합물 또는 Cl-화합물의 수준은 평균 값보다 훨씬 더 높을 수 있고 (예를 들어 고속도로에 인접하거나 터널 내에 있는 일부 구역에서는 H2S 농도가 10 ppb보다 더 높을 수 있음), 비-기밀성 밀봉된 LED 시스템을 통한 확산은 가속된 열화 문제를 초래할 수 있다. 황화수소 (H2S)는 LED 시스템의 성능에 영향을 미칠 수 있는 가장 해로운 오염물 중 하나이고, 그러므로 이제부터 본원 발명의 설명은 주로 오염물 H2S에 적용되는 것이지만, 물론 다른 S-화합물 또는 할로겐-화합물과 관련이 있는 모든 효과에 관한 것이기도 하다.
본원 발명의 목표는 이들 문제를 극복할 수 있는 LED 시스템을 제공하는 것이며, 본원 발명의 첫 번째 측면에서 본원 발명은 LED 시스템이며, 상기 시스템은 광학 창 및 비-기밀성 밀봉된 내부 용적부(internal volume)를, H2S 외부 용적부 농도가 10 ppb인 경우 상기 내부 용적부로의 H2S의 유입이 5.5*10-4 내지 1.9*10-1 마이크로그램/일에 포함되되록 가지며, 활성 조성물을 상기 내부 용적부 내에 시스템 광학 창 면적 ㎠ 당 0.06 내지 2.5 mg에 포함되는 양으로 함유하고, 상기 활성 조성물이 분말 형태의 활성 물질을 함유하고, 상기 활성 물질의 적어도 75 wt%가 활성 탄소, 은, 구리, 아연, 산화구리, 산화아연, 산화칼슘, 산화은 중 하나 이상으로부터 선택되는 것인 LED 시스템이다.
바람직하게는 활성 물질 분말 또는 (활성 물질의 혼합물이 사용되는 경우에) 분말들의 평균 크기는 0.1 내지 20 ㎛에 포함된다. 비-구형 분말의 경우에, 크기는 가장 큰 입자 치수를 지칭한다.
바람직하게는 광학 창 면적 ㎠ 당 상기 활성 조성물의 양은 0.1 내지 1 mg에 포함된다.
옥외 용도를 위한 LED 시스템은 기밀성 밀봉, 개방, 또는 비-기밀성 밀봉될 수 있다.
기밀성 밀봉된 시스템은 LED 시스템 내의 광학 성분 상의 수증기 응축 문제에 직면할 수 있는데, 시스템 밀봉에도 불구하고, 수분이 시스템 부품을 통해 서서히 침투할 수 있고, 따라서 H2O 축적 및 광학 불투명화와 관련있는 문제가 생길 수 있다고 알려져 있고, 그러므로 기밀성 밀봉된 시스템은 수분 투과를 고려해야 하고 수증기의 응축을 회피하기 위해 복잡성 및 비용을 증가시키는 특수한 디자인을 필요로 한다.
개방된 시스템은 소위 4플로우 필라멘트(4Flow Filament) 냉각 대류 기술에 기반하여 CREE 인더스트리즈(CREE Industries)에 의해 최근에 개발된 것과 같은, 공기와 외부 환경의 교환에 의한 용이한 LED 열 관리를 목표로 하는데, 상기 수준의 기체 교환은 또한 유해 화학종의 램프 내에서의 체류 시간을 최소화하지만, 그럼에도 불구하고 그것은 LED 작동에 영향을 미칠 수 있다.
끝으로, 본원 발명자들은 비-기밀성 시스템, 즉 폐쇄되어 있으면서도 기체와 외부 환경의 제한된 기체 교환이 이루어지는 시스템을 보유하는데, 선행 기술에서, 예컨대 미국 특허 출원 2013/092969에서 기체 교환은 기밀성 밀봉의 제공이라는 난관에 관한 타협안인 것으로 여겨지며, 게터(getter)가 비-기밀성 밀봉으로 인한 기체와 외부 환경의 제한된 기체 교환과 연관된 수분 및/또는 산소를 관리하기 위한 수단으로서 기술되어 있다.
본원 발명자들은 외부 환경으로의 수증기의 증발 및 이동 및 활성 화합물의 최대 효율을 보장하는 기체와 외부 환경의 교환을 허용하는, 제어된 기체 침투 범위를 갖는 비-기밀성 밀봉된 시스템에서의 투과와 황/할로겐 유해 화합물 제거를 위한 활성 조성물의 양 사이의 알맞는 균형을 결정하였다. 기체 교환은, 그것이 개방 시스템 구성에서보다 훨씬 덜 하기 때문에 열 관리 면에서 임의의 이점을 제공하기에는 충분하지 않긴 하지만, 정상적 LED 시스템 작동 동안의 가열에 의해 지원된다.
그러므로 본원 발명은 유용하게 LED 시스템에 삽입되는 활성 조성물 양에 대해 훨씬 더 넓은 범위를 기술하는 미국 특허 출원 2014/168526에 개시된 것에 비해 개선된 것이다.
기체 교환은 또한 시스템 성분에 의해 배출될 수 있는 휘발성 유기 화합물 (VOC)의 응축을 회피하여 후속적인 불투명화를 회피한다.
본원 발명자들은 수분 응축 문제와 황-함유 오염물 (즉 H2S 및 더 일반적으로 황 휘발성 화합물)의 존재를 동시에 고려하기 위한 올바른 균형을 결정하였는데, 왜냐하면 본원 발명에 따른 LED 시스템은 비-기밀성 밀봉 유형의 소자, 즉 기체와 외부 환경의 제한된 교환을 허용하고 상기 오염물과 관련 있는 해로운 효과를 회피할 수 있으면서도 적절한 수분 교환을 보장하고 수증기 응축 문제를 극복하는 소자이기 때문이다.
그러므로 본원 발명에 따른 LED 시스템은 반드시 수분 게터의 존재를 필요로 하는 것은 아니다. 그러므로 이러한 해결책은 매우 낮은 산소 및 수분 투과율을 갖는 밀봉된 LED 소자에 중점을 두어, 불완전한 기밀성 밀봉의 단점을 고치기 위해 산소 및/또는 수분 게터에 대해 기술하는 미국 특허 출원 2013/092969에 개시된 것과는 다르다. 특히 본원 발명에 따른 시스템은, 제한되지만 유효한 기체 교환을 가져서 수증기의 충분한 유입 및 유출을 보장하는 방식으로 설계되어 있고, 미국 특허 출원 2013/092969와는 다르게, 이러한 기체 교환 (그러므로 원하는 효과로서의 수분 교환을 포함하고 해로운 현상은 포함하지 않음)은 시스템의 올바른 작동을 위해 필요하다. 본원 발명에 따른 비-기밀성 수준에서는, 일반적인 수분 게터는 농축기로서 작용하여, LED 스위치가 켜져 있는 동안에 대량의 기체의 방출 및 결과적으로 포깅(fogging)으로 인한 후속적인 광 방출의 열화를 초래할 것이다. 실제로 일반적인 수분/산소 게터는 환경과의 평형 압력에 도달할 것이지만, LED 작동 및 후속적인 가열의 효과로서 온도가 상승함으로써 고유의 기체 방출과 함께 더 높은 새로운 평형 압력이 유도될 것이다. 예를 들어 70℃에서 내부 시스템 자유 용적부 각 ㎤ 당 약 0.2 ㎎에 상응하는 소량의 물이 게터로부터 방출되는 것이 포화된 수증기를 발생시키고 물 응축을 개시하는 데에 충분할 것이다.
LED 시스템의 내부 용적부로의 H2S의 유입은 외부 H2S 농도에 비례한다는 것을 유념하는 것이 중요한데, 예를 들어 가속 시험의 경우에, 외부 환경은 10 ppm, 즉 주어진 기준물보다 1000배 더 높은 농도에서 컨디셔닝될 수 있고, 그러므로 H2S의 투과량은 5.5*10-1 내지 1.9*102 마이크로그램/일의 범위로 상응하게 증가할 것이다. LED 시스템의 내부 분위기와 외부 환경 사이의 이러한 상호작용 수준은 다양한 수단에 의해, 예컨대 외부 투과성 용기 또는 투과성 벽의 사용에 의해, 또는 거의 불투과성이지만 일부 작은 개구/핀홀을 갖는 용기에 의해, 또는 투과성 가스켓, 예컨대 실리콘 기재의 가스켓의 사용에 의해 달성될 수 있다.
본원 발명에 따른 LED 시스템의 주요 이점은, 시스템에 침투하여 그것의 성능에 영향을 미칠 수 있는 기체상 유해 화학종의 효과적인 제거를 보장하여, 반사성 표면의 색 변화 및 열화 및 은 접점이 존재한다면/하는 경우에 그것의 전기적 특성의 변경으로 인한 조광 성능 저하를 방지하는 것이다.
본원 발명에 따른 LED 시스템의 또 다른 관련 이점은, 황 및 할로겐 (주로 염소이지만 염소로 한정되는 것은 아님)의 가능한 발생을 고려할 필요 없는, 채택되는 물질의 선택의 자유에 의해 주어지며, 그래서 시스템은 더 신뢰성 있고 더 용이하며, 이와 동시에 제조에 비용이 덜 든다.
본원 발명에 따른 LED 시스템 내에 존재하는 활성 조성물에 함유된 활성 물질은 바람직하게는 70 ㎡/g 초과의 높은 비표면적을 갖는 분말 형태로 사용된다.
더욱이, 본원 발명자들은 활성 탄소, 은, 구리, 아연, 산화구리, 산화아연, 산화칼슘, 산화은을 LED 시스템 내의 활성 조성물에 함유된 활성 물질의 주요 구성성분으로서 사용하면, 실온 내지 100℃에서의 황 및 할로겐의 제거가 보장될뿐만 아니라 그것이 심지어 최대 LED 작동 온도인 130℃에서도 이러한 오염물을 방출하지 않을 것이라는 것을 밝혀냈다.
이는, 1993년 도쿄 대학 엠 스즈키(M. Suzuki)에 의해 저술된 문헌("Fundamentals of adsorption", 294 페이지)에 입증되어 있는 바와 같이, 더 낮은 온도에서도 우수한 수착 능력을 보장하고 이미 100℃ 미만에서 가역적으로 방출하는, 통상적으로 널리 사용되는 실리카겔과 같은 황 수착제와 관련된 추가의 성질이다. 게다가, 더 적은 양의 산화세륨, 산화철, 산화망가니즈, 산화팔라듐, 산화주석 또는 그의 조합을 주요 활성 물질에 활성 물질 총량의 1 wt% 내지 25 wt%의 누적 백분율로 첨가하면, 상기에 기술된 오염물에 대한 제거 작용이 개선된다는 것이 밝혀졌다.
활성 물질은 통상적으로 LED 시스템 내에 다이 또는 다이 어레이로부터 2 ㎝ 이하만큼 떨어져서 배치되고, 이는 LED 시스템의 더 민감한 성분, 즉 은 반사성 코팅 및 은 접점 (존재한다면/존재하는 경우에 후자)에 대한 보호 작용을 보장하고 최대화한다.
분말 형태 그 자체로의 활성 물질을 위해 적합한 구성은 용기이다. 이러한 구성의 예는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 널리 알려져 있고, 이를, 예를 들어 그의 교시가 본원에 참조로 포함된, 본원 출원인 명의의 유럽 특허 1851783 및 2408942 둘 다에서 찾을 수 있다.
또 다르게는, 활성 조성물은 압축 분말 형태로 사용될 수 있다. 이러한 경우에 바람직한 형상은 환 및 정제이고, 또한 이러한 경우에 추가의 상세한 설명을 유럽 특허 2408942에서 찾을 수 있다.
활성 조성물을 위한 또 다른 바람직한 구성은, 이러한 경우에도 바람직하게는 그 자체로 LED 다이 (또는 LED 다이 어레이)에 바로 인접하게 배치된, 분말, 바람직하게는 적합한 중합체성 매트릭스에 분산된 높은 비표면적 (70 ㎡/g 이상)의 분말의 형태이다. 바람직한 매트릭스는 실리콘-기재의 수지 또는 실리콘-에폭시- 또는 실리콘-아크릴-기재의 수지로부터 선택된다. 또 다르게는 활성 조성물은 적합한 지지체 또는 스트립, 바람직하게는 금속성 스트립 상에 도포될 수 있다. 바람직한 실시양태에서 활성 조성물은, 본원 출원인 명의의 유럽 특허 1595930에 기술된 바와 같이, 중합체성 매트릭스, 예를 들어 바람직하게는 실리콘-기재의 수지에 분산되고, 지지체 상에 침착되고 접착된다.
또 다른 바람직한 구성에서, 활성 물질은 다이 상에 배치된 봉지 중합체성 수지에 수지 투명성이 현저하게 변경되지 않도록 선택된 분말 치수 및 농도로 분산된 높은 비표면적의 활성 분말 형태이다. 예를 들어, 높은 비표면적의 활성 분말은 0.1 wt% 내지 12 wt%, 바람직하게는 1.5 wt% 내지 8 wt%에 포함되는 농도로 수지에 분산될 수 있다. 이러한 특수한 실시양태에서, 바람직한 수지는 실리콘이다.
일반적으로 말하자면, 본원 발명은 분말이 그 자체만으로 사용되지만 또한 유리하게는 적합하게 분산되고 적합한 화학 작용제 (결합제) 또는 적합한 압밀화 처리, 예를 들어 열처리, 예컨대 소결에 의해 결합될 수 있다는 사실을 포괄한다.
본원 발명은 하기 비제한적인 실시예를 통해 상세히 예시될 것이다.
실시예 1a: 샘플 제조
은 층 또는 은 코팅을 각각 12.5 ㎠의 표면을 갖는 스테인레스 강 기판 상에 도포함으로써 여러 개의 샘플을 제조한다. 도포된 은 층 또는 코팅의 평균 두께는 5 ㎛이고 피복물은 일층이다. 측정된 기록값을 여러 개의 샘플에 대해 평균낸다. 침착된 은의 중량을 침착 및 압밀화 전후의 기판 사이의 중량차로서 계산하고 매트릭스 잔류물에 대해 수정한다.
비교 샘플 C1은 스테인레스 강의 기판 상에 점착된 은 호일로 이루어지며, 샘플 상의 은의 특정 로드는 5.2 ㎎/㎠이고, 이는 상기에 참조된 미국 특허 출원 2014/168526에 기술된 해결책을 상징하는데, 왜냐하면 이러한 양은 기판 표면의 절반에 걸쳐 10 마이크로미터 두께를 갖는 은 층에 상응하기 때문이다.
작은 Ag 입자와 접착제와 분산제의 조합으로 이루어진 은 페이스트를 독터 블레이딩을 통해 약 5 ㎛의 두께로 침착시키고 공기 중에 250℃에서 90분 동안 압밀화함으로써 다른 샘플을 제조하는데, 이들 성분의 상대적인 양을 다양하게 함으로써 은의 최종 평균 특정 로드를 갖는 다양한 샘플, 더 구체적으로는, 2.9 ㎎/㎠를 갖는 비교 샘플 C2 및 2.0 ㎎/㎠를 갖는 샘플 S1을 제조한다.
기체 투과성 실리콘-기재의 수지 및 휘발성 용매와 혼합된 은 분말의 페이스트를 독터 블레이딩을 통해 침착시키고 공기 중에 250℃에서 90분 동안 압밀화함으로써, 더 낮은 은 함량을 갖는 추가의 샘플을 제조하는데, 이들 성분의 상대적인 양을 다양하게 함으로써 은의 최종 평균 특정 로드를 갖는 다양한 샘플, 더 구체적으로는, 0.8 ㎎/㎠를 갖는 샘플 S2, 0.5 ㎎/㎠를 갖는 샘플 S3, 0.08 ㎎/㎠를 갖는 샘플 S4 및 끝으로 0.005 ㎎/㎠를 갖는 샘플 C3을 제조한다.
실시예 1b: 샘플 특성화
제조된 샘플을 특정 Ag 로드의 함수로서 황에 대한 수착능에 관한 상대 성능의 측면에서 평가하였다. 황은 모든 샘플을 함유하는 약 1리터의 챔버에서 H2S의 유동에 의해 질소 캐리어 중 4 ppm의 농도에서 220 cc/min 유량으로 전달된다. 모든 샘플을 동일한 조건에서 15시간의 동일한 시간 동안 노출시켰다.
수득된 결과는 표 1에 제시되어 있는데, 여기에는 샘플 ID, 평균 은 로드, 및 다양한 샘플 효율을 보여주는, 보정된 에너지-분산 X-선 (EDX) 프로브에 의해 샘플에 대해 측정된 Ag 원자에 대한 S 원자의 상대량이 기록되어 있다.
<표 1>
Figure 112017110591177-pct00001
본원 발명에 따른 샘플만을 사용하는 경우에만, 가장 우수한 샘플 (S2)의 경우에 미국 특허 출원 2014/168526에 따라 제조된 샘플 C1을 사용하여 달성된 것보다 거의 100배 더 높은, 1%보다 더 높은 효율이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 하한은 효율의 측면에서 확인된다: 1% S/Ag 원자 비는, 또한 광학 창 면적에 대해 명시된 제약의 관점에서, 15시간의 실험 기간 후에 달성되고 측정된 S 로드에 의해 입증되는 바와 같이, 채택된 해결책이 특정량의 S를 제거할 수 있을 뿐만 아니라 허용 가능한 동역학을 갖는 것을 보장하기에 적합한 값으로서 간주된다.
실시예 2a: 샘플 제조
이러한 실시예는 본원 발명에 따른 두 가지 실시양태를 비교하는 것이며, 특히 샘플 S5를, S2의 제조 방법과 동일한 제조 방법을 사용하되, Ag 분말 대신에 산화칼슘 (90% wt)과 산화철 (10% wt)의 분말 혼합물을 함유하는 페이스트를 사용하여 제조한다. 샘플 S5는 0.3 ㎎/㎠의 활성 조성물 로드 및 5 ㎛의 코팅 두께를 갖는다.
실시예 2b: 샘플 특성화
실시예 1b와 유사하게, 제조된 샘플을, 활성 조성물의 원자 (S2의 경우에 Ag 원자, S5의 경우에 Ca + Fe 원자)에 대해 S 원자의 상대량으로서 표현된 황에 대한 수착능에 관한 상대 성능의 측면에서 평가하였다. 결과는 표 2에 기록되어 있다.
<표 2>
Figure 112017110591177-pct00002
표 2에 제시된 바와 같이, 샘플 S2 및 S5 둘 다는 1% (S 원자)/(활성 조성물 원자) 비보다 훨씬 높은 능력을 갖는데, 비록 S5가 더 낮은 활성 조성물 로드를 가짐에도 불구하고 이러한 샘플은 심지어 더 높은 효율을 달성할 수 있고, 따라서 이러한 특수한 해결책 (산화칼슘과 산화철의 조합)은 본원 발명에 따른 바람직한 실시양태이다.

Claims (11)

  1. 광학 창 및
    비-기밀성 밀봉된 내부 용적부
    를 가지며, 여기서
    H2S 외부 용적부 농도가 10 ppb인 경우 상기 내부 용적부로의 H2S의 유입이 5.5*10-4 내지 1.9*10-1 마이크로그램/일에 포함되고,
    활성 조성물을 상기 내부 용적부 내에 시스템 광학 창 면적 ㎠ 당 0.06 내지 2.5 mg에 포함되는 양으로 함유하고,
    상기 활성 조성물은 분말 형태의 활성 물질을 함유하고, 상기 활성 물질의 적어도 75 wt%가 활성 탄소, 은, 구리, 아연, 산화구리, 산화아연, 산화칼슘, 산화은 중 하나 이상으로부터 선택되는 것인
    LED 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성 물질 분말이 0.1 내지 20 ㎛에 포함되는 평균 크기를 갖는 것인 LED 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 활성 조성물이 산화세륨, 산화팔라듐, 산화주석, 산화철, 산화망가니즈로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 활성 물질을 1 내지 25 wt%에 포함되는 양으로 함유하는 것인 LED 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 광학 창 면적 ㎠ 당 상기 활성 조성물의 양이 0.1 내지 1 ㎎에 포함되는 것인 LED 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 활성 물질이 70 ㎡/g 이상의 비표면적을 갖는 분말 형태인 LED 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 활성 물질 분말이 용기에 담긴 것인 LED 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 활성 물질 분말이 독립형(stand-alone) 환제 또는 정제의 형태로 압축된 것인 LED 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 활성 물질 분말이 중합체성 매트릭스에 분산되어 있고, 상기 매트릭스는 실리콘- 또는 실리콘-에폭시- 또는 실리콘-아크릴-기재의 수지를 기반으로 하는 것인 LED 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 활성 물질 분말을 함유하는 상기 중합체성 매트릭스가 지지 스트립 상에 침착된 것인 LED 시스템.
  10. 제8항에 있어서, 활성 조성물 중 상기 활성 물질 분말의 농도가 0.1 wt% 내지 12 wt%에 포함되는 것인 LED 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 활성 조성물이 LED 다이 상에 그의 봉지를 위해 배치된 것인 LED 시스템.
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