CN102201518B - 发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：导电层；电极；发光结构层，该发光结构层被布置在电极和导电层之间并且包括第一半导体层、第二半导体层、以及在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及在第一半导体层和电极之间的导光层。

Description

发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统
技术领域
本发明涉及发光器件、电极结构、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
由于它们的物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被视为用于诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。III-V族氮化物半导体中的每一个由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。
LED是下述半导体器件，其被用作光源或者使用化合物半导体的特性以将电转换为红外线或者光，从而在其间接收或者发送信号。
这些半导体基LED或者LD被广泛地用在发光器件中，并且被应用为用于诸如蜂窝电话的键区发光单元、电气光面板、以及照明装置的各种产品的光源。
发明内容
实施例提供新的电极结构和具有新的电极结构的发光器件。
实施例提供具有提高的光提取效率的电极结构和具有电极结构的发光器件。
实施例提供具有包括半导体层和电极之间的导光层的电极结构的发光器件。
实施例提供包括具有新的电极结构的发光器件的发光器件封装和照明系统。
实施例提供一种发光器件，包括：导电层；电极；发光结构层，该发光结构层被布置在电极和导电层之间并且包括第一半导体层、第二半导体层、以及在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及在第一半导体层和电极之间的导光层。
实施例提供一种发光器件，包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；电极，该电极接触第一半导体层的顶表面；在所述电极和第一半导体层之间的导光层；以及在第二半导体层下面的多个导电层，其中导光层的外表面不接触电极，并且外表面的至少一部分被布置在电极的区域下面。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图2是图1的平面图。
图3是根据第二实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图4是根据第三实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图5是根据第四实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图6是根据第五实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图7是根据第六实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图8至图10是根据第七实施例的化合物半导体层的电极结构的侧截面图。
图11是根据第八实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图。
图12至图21是根据第九实施例的化合物半导体层上的电极结构的平面图。
图22是根据第十实施例的发光器件的侧截面图。
图23是根据第十一实施例的发光器件的侧截面图。
图24是根据第十二实施例的发光器件的侧截面图。
图25是根据第十三实施例的发光器件的侧截面图。
图26是根据第十四实施例的发光器件的侧截面图。
图27是根据第十五实施例的发光器件封装的侧截面图。
图28是示出根据实施例的显示装置的图。
图29是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及
图30是示出根据实施例的照明装置的图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为处于衬底、层(或膜)、区域、垫或图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于每层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了便于描述和清楚，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述实施例。
图1是根据第一实施例的化合物半导体层上的电极结构的侧截面图，并且图2是图1的平面图。
参考图1，电极20和导光层30被布置在化合物半导体层10上。化合物半导体层10包括化合物半导体，例如，III-V族化合物半导体，并且可以形成为具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，化合物半导体层10可以由从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个形成。
化合物半导体层10可以是被掺杂有N型掺杂物的N型半导体层。N型掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se、以及Te的N型掺杂物。化合物半导体层10可以是被掺杂有P型掺杂物的P型半导体层。P型掺杂物可以包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的P型掺杂物。化合物半导体层10可以是未掺杂的半导体层。未掺杂的半导体层可以是n型半导体的低导电层。
化合物半导体层10可以具有单或者多层结构。而且，化合物半导体层10可以包括发光结构层。例如，化合物半导体层10可以具有其中从上层开始按顺序堆叠N型半导体层、有源层、以及P型半导体层的结构，或者其中从上层开始按顺序堆叠N型半导体层、有源层、P型半导体层、以及N型半导体层的结构。
电极20可以是焊盘或者具有臂或者分支形状并且被连接到焊盘的电极。电极20可以具有单或者多层结构并且由Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、以及Au或者其组合中的一个形成。电极20可以考虑相对于化合物半导体层20的欧姆接触、粘附、反射特性、以及导电特性由前述材料中的一个形成。
当电极20是焊盘时，可以提供一个或者多个焊盘。多个焊盘可以相互电气连接。当从顶侧看时，电极20可以具有条形、折线形状、具有至少一个弯曲的表面的形状、多边形形状、弯曲的表面和多边形形状的混合形状、矩阵形状、以及具有臂的形状中的一种形状或者混合形状。
具有臂或者分支形状的电极20可以具有圆形、多边形、以及弯曲的表面和非球面表面的混合形状中的一种，但是不限于此。
电极20包括下部21和上部22。下部21接触化合物半导体层10的顶表面，并且上部22可以在下部21上具有其面积大于下部21的下表面的面积的顶表面。在这样的情况下，上部22覆盖导光层30的顶表面。
电极20的上部22具有大于下部21上的下表面的宽度D1的宽度D2。即，电极20具有大于下表面宽度(或者面积)的顶表面宽度(或者面积)。在这里，宽度D1、D2、以及D3可以是同一方向上的宽度或者长度。
在导光层30中，接触电极20的内表面S1和S3的面积可以比不接触电极20的敞开的外表面S2的面积(或者大小)大30％或者更多。
导光层30被布置在化合物半导体层10和电极20的一部分之间。导光层30被布置在电极20的区域内并且重叠电极20。参考图2，被布置在电极20的区域下面的导光层30被表示为斜线。电极20具有不接触电极20的至少三个外侧表面。
参考图1和图2，导光层30的至少一个内表面接触电极20的下部21的至少一个部分并且外侧表面的一部分可以被暴露到外部。
导光层30具有与电极20的下部21的至少一部分接触的第一表面S1、是导光层30的外侧表面的不与电极20的下部21接触的第二表面S2、与电极20的上部的下表面接触的第三表面S3以及接触化合物半导体层10的顶表面的第四表面S4。
导光层30的第二表面S2可以是与第一表面S1相反的表面或者被暴露在外部的非接触敞开表面。因此，可以从第二表面S2发射光。导光层30的第二表面S2可以被布置在电极20的至少一个表面，例如第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面、或者所有的侧表面上。因此，导光层30的第二表面S2可以是如图2中所示的一个侧表面或者更多或者三个侧表面。
导光层30的第三表面S3可以接触电极20的上部22的下表面。导光层30的第三表面S3可以形成为平行于电极20的顶表面。
导光层30的第二表面S2的至少一个侧表面可以从电极20的侧表面突出并且具有大约1μm至大约10μm的距离。导光层30的第二表面S2可以具有倾斜表面、弯曲的表面、以及平坦表面中的至少一个。导光层30的第二表面S2可以具有大于或者小于第一表面S1的面积的面积。
在这里，接触导光层30的外围的电极20的内表面S1和S3可以具有小于或者大于不接触电极20的外表面S2的面积的面积。
导光层30的下表面S4可以具有平坦的或者不均匀的表面。
导光层30可以由包含Ag的反射金属或者诸如氮化物或者氧化物的透射材料形成。氧化物可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、ZnO、SiO2、SiOx、Al2O3、以及TiOx中的一个，并且氮化物可以包括IZO氮化物(IZON)、SiOxNy、以及Si3N4中的一个。因为通过透射氧化物和氮化物透射光，所以可以折射或者透射通过化合物半导体层10入射的光的一部分。而且，包含Ag的反射金属可以在不同方向上反射入射到与化合物半导体层10的界面的光以吸收光或者改变光的临界角。在当前实施例中，将光导向内部或者引导光反射的结构可以被定义为导光层30。
导光层30可以被布置在电极20的上部和化合物半导体层10之间以减少电极20和化合物半导体层10之间的接触面积，从而通过导光层30提取入射到化合物半导体层10的光。
在这里，电极20的电流注入效率没有与电极20和化合物半导体层10之间的接触面积成比例地增加。例如，随着在特定区域中增加接触面积，电流注入效率或者内量子效率没有与接触面积成比例地增加。而且，当不必要地增加电极20的接触面积时，会减少光提取效率。电极20的电流注入效率进一步受到分布电极图案的状态的影响。
电极20接触化合物半导体层10的表面，例如N面。电极20的下部21可以具有以小于大约1μm至大约3μm的宽度D1接触化合物半导体层10的至少一侧。宽度D1可以是电极20的下表面的宽度或者接触半导体层的宽度。电极20的下表面的宽度D1可以是顶表面的一侧的宽度D2的大约10％至大约90％。电极20可以具有小于大约数μm的厚度，例如小于5μm的厚度，但是不限于此。尽管描述接触电极20的化合物半导体层10的顶表面作为N面，但是化合物半导体层10的顶表面可以是Ga面。在这里，电极20接触Ga面。
电极20的下表面的宽度D1与导光层30的宽度D3的比率(D1∶D3)可以为大约1∶9至大约9∶1。随着导光层30的宽度D3增加，下部21的光吸收可以减少以提高光提取效率。在这里，当电极20的图案宽度被简单地变窄时，工作电压可以增加。在这里，可以考虑到工作电压和电流注入效率来设置电极20的下表面的宽度D1。
而且，电极20的下表面的宽度D1可以是导光层30的一侧的宽度D3的大约1/9至大约9/9。或者，导光层30的宽度D3可以是电极20的下表面的宽度D1的大约1/9至大约9/9。
参考图1和图2，当从芯片的顶侧看时，电极20的宽度D2，即，电极20的线宽D2可以小于大约数十μm。导光层30可以以导光层30没有突出到电极20的外部的形状平行于电极20的下部。导光层30可以具有小于电极20的厚度的厚度。导光层30的外表面与电极20的至少一个侧表面齐平。
因为电极20的一侧的下部重叠导光层30，因此从化合物半导体层10的内部行进到化合物半导体层10的表面的光的一部分可以通过导光层30提取到外部或者被反射到化合物半导体层10中。导光层30防止光被电极20吸收或者引导光以将光提取到外部。
根据实施例的电极结构包括接触化合物半导体层10的顶表面的导光层30和电极20。导光层30的下表面S4或者顶表面S3可以具有是电极20的顶表面的面积的大约10％至大约90％的面积。
而且，导光层30可以缓冲由于被施加到电极20的一部分的结合导致的外部冲击。
图3是根据第二实施例的半导体层上的电极结构的侧截面图。在第二实施例的描述中，将会参考第一实施例描述与第一实施例相同的部分，并且将会省略它们的重复描述。
参考图3，电极20被布置在化合物半导体层10上。导光层31被布置在化合物半导体层10和电极20之间。导光层31具有大于顶表面S3的宽度D5(或者面积)的下表面S4的宽度D6(或者面积)。例如，导光层31可以具有诸如梯形的多边形形状。
因为导光层31的下表面的宽度D6被进一步扩宽，所以入射的面积可以增加。因此，可以增加通过导光层31的光提取效率。
因为导光层30的外侧表面S3具有大于图1的面积的面积，所以可以提高光提取效率。而且，导光层31的外侧表面S2的一部分可以从电极20的侧表面突出。
图4是根据第三实施例的半导体层上的电极结构的侧截面图。将会参考第一实施例描述第三实施例。
参考图4，导光层30A具有凸透镜形状或者半球形状。导光层30A可以由诸如氧化物或者氮化物的透射材料形成。这里参考第一实施例。
导光层30A接触化合物半导体层10的顶表面。导光层30A和化合物半导体层10的接触比例参考第一实施例。而且，导光层30A的外球形表面S21可以具有宽的表面面积和凸透镜形状以提高光提取面积。
导光层30A的内部重叠在电极20下面，并且外部从电极20突出。因此，通过具有透镜形状的球形表面S21可以发射通过化合物半导体层10入射的光。导光层30A可以具有半球形以进一步缓冲由于结合导致的外部冲击。
多个导光层30A可以被布置在电极20下面。多个导光层30A可以被布置在电极30的两个下侧上，但是不限于此。
图5示出第四实施例。
参考图5，粗糙12被布置在化合物半导体层10的顶表面处。化合物半导体层10可以由氮化物基材料形成，并且化合物半导体层10的顶表面可以是N面。粗糙12可以形成为具有三角形的不均匀的图案。粗糙12可以提高光提取效率。
化合物半导体层10的顶表面的一部分可以具有平坦表面14。导光层30或/和电极20可以被布置在平坦表面14上。
化合物半导体层10和电极20之间的界面可以具有粗糙表面以防止光被吸收。例如，当导光层30由透射材料形成时，化合物半导体层10的顶表面可以是平坦或者粗糙的，以用于入射光。或者，当导光层30由反射材料形成时，化合物半导体层10的顶表面可以是粗糙的，以用于发射光。在这样的情况下，可以改变光的临界角。
即，为了光透射或者反射，导光层20和化合物半导体层10之间的界面可以是平坦或者粗糙的。
图6示出第五实施例。
参考图6，化合物半导体层20的电极20包括下部21和上部22之间的弯曲部分23。电极20的弯曲部分23被布置在与导光层30相反一侧处。弯曲部分23从电极20的下表面弯曲以延伸直到电极20的顶表面。弯曲部分23可以具有其中电极20的顶表面和下表面之间的侧表面形成为台阶的结构。
图7示出第六实施例。
参考图7，具有多层结构的导光层30B被布置在电极20和化合物半导体层10之间。电极20的一部分重叠在导光层30B上方。电极20可以是具有焊盘或者臂形状的电极。导光层30B可以由透射材料或/和反射材料形成以通过光透射或/和反射提高光提取效率。
导光层30B具有多层结构。第一层32可以被布置在化合物半导体层10上以引导入射光，并且第二层34可以被布置在第一层32上以透射或者反射通过第一层32入射的光。第一和第二层32和34可以具有彼此相同的宽度和厚度或者彼此不同的宽度和厚度。
第一层32可以由透射氧化物形成，例如，可以由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、以及GZO中的一个形成。第二层34可以由绝缘材料，例如，ZnO、SiO2、SiOx、以及Al2O3中的一个形成。
或者，第一层32可以是具有低于氮化物半导体层的折射率的第一折射率n1的材料层，并且第二层34可以是具有低于第一折射率n1的第二折射率n2的材料层。例如，第一层32可以由ITO形成，并且第二层34可以由SiO2形成。因此，通过化合物半导体层10发射的光可以通过第一层32和第二层34被提取到外部。或者，导光层30B的第二层34可以由反射材料形成。反射材料可以是包含Al或者Ag以反射通过第一层32入射的光的金属。
图8至图10示出第七实施例。
参考图8至图10，电极可以被布置在化合物半导体层10上，并且导光层30C可以被布置在电极20A的下部21周围。
电极20A的下部21可以通过导光层30C的内部接触化合物半导体层10。电极20A的上部22被布置在导光层30C上。导光层30C可以被布置在电极20A的下部21的两个侧表面或者所有的侧表面上。当导光层30C被布置在电极20A的下部21周围时，可以实现图9的结构。当导光层30C被布置在电极20A的下部21的两侧时，可以实现图10的结构。
在这里，接触导光层30C的外围的电极20A的内表面面积可以小于不接触电极20A的外表面面积。
电极20A的下部21通过导光层30C接触化合物半导体层10，并且上部22被布置在导光层30C上。即，电极20A的可以具有“T”的截面形状。而且，导光层30C的外侧可以具有圆形或者多边形形状。
图11示出第八实施例。
参考图11，电极层40被布置在化合物半导体层10上。电极层40可以包括透射导电层。电极层40可以具有数百或者更大的厚度。电极层40可以由ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、以及GZO中的一个形成。
导光层30被布置在电极层40上。导光层30可以由ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、ZnO、SiO2、SiOx、Al2O3、TiOx、SiOxNy、Si3N4、以及包含Ag的反射金属中的一个形成。导光层30可以由与电极层40相同的材料或者与电极层40的材料不同的材料形成。
电极20的一部分被布置在导光层30上。电极20的下部21通过电极层40的内部表面接触化合物半导体层10的顶表面。而且，电极20的下部21可以接触电极层40的内侧表面。而且，电极20的一部分可以进一步延伸直到电极层40的顶表面。电极层40将电流扩散到整个区域。
电极20的上部22被布置在下部21和导光层30C上。
电极层40可以覆盖化合物半导体层10的顶表面的大约60％至大约95％，但是不限于此。
通过电极层40和导光层30可以提取从化合物半导体层10发射的光。
图12至图21示出第九实施例以及电极的修改示例。
参考图12，包括多个臂部分25、26、以及27的电极20D和重叠在臂部分25、26、以及27的一部分下面的导光层30被布置在化合物半导体层10上。
焊盘部分24被布置在电极20D上。多个臂部分25、26、以及27在中心和侧方向上从焊盘部分24分支。
导光层30(斜线区域)被布置在电极20D的焊盘部分24和多个臂部分25、26、以及27下面。导光层30可以被布置在电极20D和化合物半导体层10之间以减少电极20D和化合物半导体层10之间的接触面积。
当从器件的顶侧看时，导光层30可以是电极20D的顶表面的面积的大约10％至大约90％。或者，导光层30和电极20D之间的接触面积可以是电极20D和化合物半导体层10之间接触面积的大约10％至大约90％。因此，导光层30可以防止光被电极吸收以提高光提取效率。
因为导光层30减少化合物半导体层10和电极20D之间的接触面积，所以可以提高通过化合物半导体层10的表面的光提取效率。
参考图13，电极50被布置在化合物半导体层10的边缘的一部分上。电极50包括焊盘部分54。电极50可以具有从边缘区域向内弯曲的侧表面。
导光层55被布置在电极50下面。导光层55被布置在电极50的内部或/和外部。导光层55有效地引导从化合物半导体层10发射的光。
参考图14，电极60包括从焊盘部分64径向地分支的多个臂部分62。导光层65具有在电极60的一侧和另一侧下面的开口表面并且将入射到电极60的光的一部分提取到外部。
参考图15，电极70具有半球形状并且具有相对于焊盘部分74的预定的曲率。电极70延伸直到化合物半导体层10的边缘部分。导光层75被布置在电极70下面。导光层75的顶表面的面积可以是电极70的顶表面的大约10％至大约90％。因此，导光层75可以防止电极70吸收光以提高光提取效率。
电极70可以以大约10％至大约90％的接触面积均匀地接触化合物半导体层10。
参考图16，当从顶侧看时，电极80具有诸如梯形的多边形形状。具有宽面积的电极80的一侧可以被布置在边缘区域中并且被用作焊盘部分84，并且另一侧可以被用作臂部分82。导光层85可以被布置在电极80的两侧下面。导光层85的顶表面可以是电极80的表面的大约10％至大约80％。电极80的下部可以被布置在导光层85之间或者沿着导光层85的一侧。
参考图17，当从顶侧看时，电极90具有与化合物半导体层10的一侧相对应的长度和预定的宽度。导光层95部分地重叠在电极90的下面。导光层95的顶表面可以是电极90的大约10％至大约90％。
电极90具有从一侧到另一侧逐渐变窄的宽度。导光层95可以被布置在电极90的两个外侧上并且具有朝着另一侧逐渐变窄的宽度。在这里，导光层95可以不管导光层95的宽度的变化如何而以恒定的宽度接触化合物半导体层10。这可以根据实施例而改变。
参考图18，当从顶侧看时，电极100具有三角形形状。导光层105部分地重叠在电极100的一侧下面。电极100的下部以恒定的宽度接触化合物半导体层10的顶表面。
参考图19，电极110包括沿着化合物半导体层10的顶表面的外围的具有封闭或者打开的回路形状的臂部分114和被布置在至少一角的焊盘部分112。导光层115被布置在电极110的一侧下面。导光层115可以部分地重叠臂部分114的一部分。
参考图20，电极120包括沿着化合物半导体层10的顶表面的外围的具有封闭或者打开的回路形状的侧臂部分123、在向内方向上从侧臂部分123分支的内臂部分124、以及被布置在至少一角的焊盘部分122。
导光层125被布置在电极120的外部。导光层125可以沿着内臂125和侧臂123的一部分部分地重叠。重叠在导光层125和电极120之间的区域根据光提取效率而改变。
参考图21，电极130被布置在至少两个角上。电极130包括臂部分132和焊盘131。导光层135重叠在电极130的外部的一部分下面。
图22是根据第十实施例的发光器件的侧截面图。在第十实施例的描述中，可以选择性地应用根据上述实施例的导光层和电极的结构。
参考图22，发光器件包括发光结构层235、电极220、导光层225、第一导电层240、钝化层250、第二导电层260、以及支撑构件270。
发光结构层可以由II至VI族化合物半导体，例如III-V族化合物半导体形成。例如，发光结构层235可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，发光结构层235可以由从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个形成。
发光结构层235包括第一导电类型半导体层210、有源层220、以及第二导电类型半导体层230。有源层220被布置在第一导电类型半导体层210和第二导电类型半导体层230之间。发光结构层235可以包括第二导电类型半导体层230下面的具有与第二导电类型的极性相反的极性的第三半导体层。可以如第一至第九实施例中所公开的那样定义发光结构层235。
通过被掺杂有第一导电类型掺杂物的至少一个半导体层可以实现第一导电类型半导体层210。例如，半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第一导电类型半导体层210可以由从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个形成。
当第一导电类型半导体层210是N型半导体层时，第一导电类型掺杂物是N型掺杂物。N型掺杂物可以包括Si、Ge、Sn、Se、以及Te。
电极220被布置在第一导电类型半导体层210的顶表面上。粗糙212可以被布置在第一导电类型半导体层210的整个表面或者顶表面的一部分上。另一半导体层，例如，未掺杂的半导体层或者具有小于第一导电类型半导体层210的掺杂物浓度的掺杂物浓度的低导电半导体层可以被布置在电极220和第一导电类型半导体层210之间。
第一导电类型半导体层210的顶表面可以是N面表面。电极220接触第一导电类型半导体层210的顶表面。电极220欧姆接触并且电极220的一部分可以被用作结合焊盘。电极220可以具有单或者多层结构。具有线宽的臂电极可以电气地连接到电极220。
电极220和第一导电类型半导体层210之间的接触面积可以是电极220的顶表面的面积的大约10％至大约90％。
电极220可以具有单或者多层结构并且可以由Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、以及Au或者其组合中的一个形成。电极220可以考虑相对于第一导电类型半导体层210的欧姆接触、粘附、反射特性、以及导电特性由前述材料中的一种形成。
当电极220是焊盘时，可以提供一个或者多个焊盘。多个焊盘可以相互电气连接。当从顶侧看时，例如，电极220的臂结构包括直线臂结构、曲线臂结构、直线臂结构和曲线臂结构的混合结构、从一个臂结构分支的臂结构、多边形臂结构、格子臂结构、点臂结构、菱形臂结构、平行四边形臂结构、网点臂结构、条纹臂结构、交叉臂结构、径向臂结构、圆形臂结构、以及其混合的臂结构，但是不限于此。具有这样的臂结构的电极220可以将电力平滑地提供到半导体层以防止电流集中在一点。
电极220包括下部221和上部222。下部221接触第一导电类型半导体层210的顶表面。上部222被布置在下部221和导光层225上。
上部222可以在下部221上具有比下部221的宽度宽的宽度。即，电极220具有比其下表面大至少1.5倍的顶表面。
导光层225被布置在电极220和第一导电类型半导体层210之间。导光层225可以由诸如氮化物或者氧化物的透射材料或者包含Ag的反射金属形成。氧化物可以包括ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、ZnO、SiO2、SiOx、Al2O3、以及TiOx中的一个或者氮化物可以包括SiOxNy和Si3N4中的一个。因为氧化物和氮化物可以被定义为透射结构，所以氧化物和氮化物可以将入射光导向内部以提取光。而且，反射材料在不同方向上反射来自与第一导电类型半导体层的界面的光以防止光被吸收。
第一导电类型半导体层210接触导光层225的下表面。导光层225的侧表面的一部分接触电极220的内侧表面，并且侧表面的一部分被暴露在外部。
导光层225被布置在电极220和第一导电类型半导体层210之间以减少电极220和第一导电类型半导体层210之间的接触面积。
在这里，电极220和第一导电类型半导体层210之间的接触面积确定电流注入效率。因为电流注入效率没有与电极220和第一导电类型半导体层210之间的接触面积成比例地增加，所以接触面积的增加用作阻碍电流提取效率的因素。因此，在其中电流注入效率对电极220和第一导电类型半导体层210之间的接触面积没有影响的范围内，电极220接触第一导电类型半导体层210。导光层225可以被布置在除了接触区域之外的区域中。在这里，可以考虑电极220的粘附和电流注入效率来布置导光层225。电极220和导光层225的结构可以选择地应用于公开的实施例。
当电极220包括N型半导体层时，电极220接触第一导电类型半导体层210的表面，例如，N面。是电极220的至少一侧的下部221可以以小于大约3μm的宽度接触第一导电类型半导体层210。而且，电极220的下部221的宽度可以是上部222的宽度的大约10％至大约90％。
电极220可以具有小于大约数μm、例如，小于5μm的厚度。导光层225可以具有小于电极220的厚度的厚度。
电极220的下部221与导光层225的比率可以是大约1∶9。导光层225的接触面积可以小于电极220的顶表面。例如，导光层225的接触面积可以是电极220的顶表面的大约10％至大约90％。因此，电极220的下部的宽度可以是导光层225的宽度的大约1/9至大约9/9。或者，导光层225的宽度可以是电极220的下部的宽度的大约1/9至大约9/9。
在这里，当从芯片的顶侧看时，电极可以具有宽度，即，小于数十μm的一个线宽。
当从芯片的顶侧看时，导光层225的外侧表面包括具有与电极220的下部221一侧相反侧的至少一个侧表面并且突出到外部。
因为导光层225部分地重叠在电极220下面，所以从第一导电类型半导体层的内部行进到表面的光的一部分可以通过导光层225被提取到外部。导光层225可以防止光被电极220吸收以将光提取到外部。
有源层220被布置在第一导电类型半导体层210下面。有源层220可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的至少一个。可以以使用III-V族化合物半导体材料的阱层/势垒层的周期形成有源层220。
有源层220的阱层/势垒层对可以包括InGaN阱层/GaN势垒层、GaN阱层/AlGaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层、以及InGaN阱层/InGaN势垒层中的一个。有源层可以具有大约3个周期至大约30个周期。至少一个势垒层可以被掺杂有诸如铟或者硅的掺杂物或者未被掺杂，但是不限于此。势垒层可以具有大于阱层的带隙的带隙。
导电类型包覆层可以被布置在有源层220上/下面。导电类型包覆层可以由GaN基材料形成或/和具有大于阱层的带隙的带隙。
第二导电类型半导体层230可以被布置在有源层220下面。第二导电类型半导体层230可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物的至少一个半导体层。半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第二导电类型半导体层230可以由从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个形成。
第二导电类型半导体层230可以包括P型半导体层。第二导电类型掺杂物可以包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型掺杂物。
第一导电类型半导体层，例如，N型半导体层可以进一步被布置在第二导电类型半导体层230上。发光结构层235可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的一个。在下文中，为了便于描述，将会描述其中第二导电类型半导体层230被布置在发光结构层235的最下层处的结构作为示例。
发光结构层235可以具有相对于第二导电类型半导体层230的下表面垂直或者倾斜的侧表面A1。
钝化层250和第一导电层240被布置在第二导电类型半导体层230下面。
钝化层250被布置在器件周围。而且，在制造工艺中，钝化层250可以被布置在通过隔离蚀刻工艺暴露的区域、沟道区域、或者芯片边界部分中。
钝化层250的内部被布置在第二导电类型半导体层230和第一导电层240之间，并且外部被暴露到发光结构层235的侧表面的外部。钝化层250的外部的下表面可以接触第一导电层240的顶表面。
钝化层250可以被布置在第二导电类型半导体层230的下表面周围。钝化层250可以由导电材料或者非导电材料形成。当钝化层250由导电材料形成时，工作电压可以减少。在这里，钝化层250可以由ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、以及GZO中的一个形成。
钝化层250可以由具有小于第一导电层240或者第二导电层260的导电性的导电性的材料形成。钝化层250可以由肖特基接触第二导电类型半导体层230的材料形成，例如，可以由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、以及W组成的组中选择的至少一个形成。钝化层250可以由绝缘材料或者导电氧化物材料形成，例如，ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2中的一个形成。
可以以诸如多边形、圆形、或者任意形状的预定的形状沿着第二导电类型半导体层230的下部的外围布置钝化层250。而且，钝化层250可以具有框架形状、环形、以及回路形状中的一个。
例如，当钝化层250由诸如ITO的光透射材料形成时，在隔离蚀刻工艺中透射激光。因此，发光结构层235的外部对电场效应没有影响以提高电气特性，从而提高发光效率。
钝化层250可以将第二导电层260与发光结构层235隔开。而且，钝化层250可以提高第二导电类型半导体层230的粘附性。
第一导电层240可以包括欧姆层或/和反射层。欧姆层欧姆接触第二导电类型半导体层230的下部。欧姆层可以由ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、以及诸如Ni或者Ag的金属中的一个形成。反射层可以包括由具有大约50％或者以上的反射率的金属中的一个，例如，由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的一个形成的至少一层。
第一导电层240可以通过反射金属反射入射到发光结构层235的光以提高光提取效率。
第一导电层240和第二导电层260中的至少一个可以延伸在钝化层250下面。
第二导电层260可以形成为势垒层或者结合层并且位于第一导电层240下面。第二导电层260可以由从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta组成的组中选择的至少一个形成。
支撑构件270可以被布置在第二导电层260下面。支撑构件270可以由导电材料，例如，由铜、金、或者诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、以及SiGe的载具晶圆形成。可以不提供支撑构件270或者支撑构件270可以根据其厚度或者强度而具有单或者两层结构。或者，通过导电片或者绝缘材料可以实现支撑构件270。
在制造发光器件20的工艺中，第一导电类型半导体层210、有源层220、以及第二导电半导体层230生长在生长衬底(未示出)上。然后，钝化层250、第一导电层240、第二导电层260、以及导电支撑构件270形成在第二导电类型半导体层230上。其后，通过物理方法(例如，激光剥离)或/和化学方法(湿法蚀刻)可以移除生长衬底。在执行隔离蚀刻工艺以将基板分成单位芯片之前或者之后形成导光层225和电极220。工艺不限于实施例。
图23是根据第十一实施例的发光器件的侧截面图。在第十一实施例的描述中，将会参考第十实施例描述与第十实施例相同的部分，并且将会省略它们的重复描述。
参考图23，发光器件202在第一导电类型半导体层210的顶表面的一部分上具有粗糙212。粗糙212可以延伸直到电极220的下表面。平坦表面，不是粗糙212，可以被布置在接触导光层225的表面S5上。因此，光可以入射到导光层225的平坦表面S5以提高光提取效率。而且，被布置在电极220下面的粗糙212可以防止光被吸收。
图24是根据第十二实施例的发光器件的侧截面图。在第十二实施例的描述中，将会参考第十实施例描述与第十实施例相同的部分，并且将会省略它们的重复描述。
参考图24，发光器件203可以在与电极220的位置相对应的位置处包括电流阻挡层245。电流阻挡层245可以被布置在第一导电层240和第二导电类型半导体层230之间。
电流阻挡层245可以由具有小于第一导电层240或者第二导电层260的导电性的导电性的材料形成，例如，可以由从由ITO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、Ti、Al、以及Cr组成的组中选择的至少一个形成。
在这里，当第一导电层240由ITO形成时，电流阻挡层245可以由诸如ZnO或者SiO2的绝缘材料形成。
电流阻挡层245可以重叠与电极220的图案的位置相对应的位置，即，与电极220的下部221相对应的位置。或者，电流阻挡层245可以被布置在第一导电类型半导体层210内部。电流阻挡层可以被布置在与电极220的下部221相对应的区域中。
图25是根据第十三实施例的发光器件的侧截面图。在第十三实施例的描述中，将会参考第十实施例描述与第十实施例相同的部分，并且将会省略它们的重复描述。
参考图25，发光器件204包括N-P-N或者P-N-P型发光结构层235A。发光结构层235A包括第一导电类型半导体层210、在第一导电类型半导体层210下面的有源层220、在有源层230下面的第二导电类型半导体层230、以及在第二导电类型半导体层230下面的第三导电类型半导体层232。
当第一导电类型半导体层210和第三导电类型半导体层230包括N型半导体层时，第二导电类型半导体层230可以包括P型半导体层，反之亦然。
第一导电层240A被布置在第三导电类型半导体层232的内部下面，并且钝化层250被布置在第三导电类型半导体层232的下部周围。
第二导电层260被布置在钝化层250和第一导电层240A下面。导电支撑构件270被布置在第二导电层260下面。因为第一导电层240A仅接触第三导电类型半导体层232，所以可以防止第一导电层240A被分层。
图26是根据第十四实施例的发光器件的侧截面图。在第十四实施例的描述中，将会参考第十实施例描述与第十实施例相同的部分，并且将会省略它们的重复描述。
参考图26，发光器件205具有其中绝缘层280被布置在发光层235周围的结构。
绝缘层280可以由从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择的至少一个形成。因为绝缘层280的上端覆盖第一导电类型半导体层210的顶表面的外围，所以绝缘层280的下端被布置在钝化层250上。因此，绝缘层280可以防止在发光结构层235的外围上出现层间短路。在这里，绝缘层280可以由与导光层225相同的材料形成并且使用与导光层225的工艺相同的工艺。
根据第一至第十四实施例的发光器件可以被封装在由树脂材料或者硅形成的半导体层、绝缘基板、或者陶瓷基板上。而且，发光器件可以用作用于指示装置、照明装置、以及显示装置的光源。
图27是根据第十五实施例的发光器件封装的侧截面图。
参考图27，发光器件封装500包括：主体511；第一和第二引线电极512和513，该第一和第二引线电极512和513被布置在主体511上；根据实施例的发光器件200，该发光器件200被布置在主体511上并且电气地连接到第一和第二引线电极512和513；以及成型构件517，该成型构件517围绕发光器件200。
主体511可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。主体511具有向上开口的空腔结构，并且倾斜表面可以布置在发光器件200周围。
第一引线电极512和第二引线电极513相互电气地分离。第一和第二引线电极512和513将电力提供到发光器件200。而且，第一和第二引线电极512和513可以反射从发光器件200发射的光以提高光效率并且将在发光器件200产生的热释放到外部。第一和第二引线电极512和513中的每一个可以包括引线框架结构、通孔结构、以及镀层中的至少一个。
发光器件200可以被布置在主体511或者第一或者第二引线电极512或者513上。
发光器件200可以通过布线电气地连接到第一引线电极512并且通过贴片电气地连接到第二引线电极513。
成型构件517可以围绕发光器件200以保护发光器件200。而且，荧光体可以被包含在成型构件517中以改变从发光器件200发射的光的波长。
<照明系统>
可以提供多个根据实施例的半导体发光器件或者发光器件封装。多个发光器件或者发光器件封装可以被排列在基板上。诸如导光板、棱镜片、以及扩散片的光学构件可以被布置在从发光器件发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作照明单元。照明单元可以被制造为顶视型或者侧视型。因此，照明单元可以被设置为用于便携式终端、笔记本计算机等等的显示装置，或者被不同于地应用于照明装置、指示装置等等。而且，在另一实施例中，照明单元可以被实现为包括根据上述实施例的发光器件或者发光器件封装的照明系统。照明系统可以包括图28和图29中所示的显示装置、图30中所示的照明装置、照明灯、信号灯、汽车头灯、电子显示器等等。
图28是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图28，根据实施例的显示装置1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031将光提供给导光板1041；在导光板1041的下面的反射构件1022；在导光板1041上的光学片1051；在光学片1051上的显示面板1061；以及底盖1011，该底盖1011存储导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022；然而，不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041、以及光学片1051可以被定义为灯单元1050。
导光板1041用于扩散光，以变为表面光源。利用透明材料形成导光板1041，并且导光板1041，例如可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚合物(COC)以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个。
发光模块1031将光提供给导光板1041的至少一侧，并且最终用作显示装置的光源。
包括至少一个发光模块1031，并且发光模块1031可以直接或者间接地在导光板1041的一侧处提供光。发光模块1031包括根据上述实施例的发光器件封装500和基板1033。发光器件封装500可以以预定的间隔布置在基板1033上。
基板1033可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。然而，基板1033不仅可以包括典型的PCB，而且可以包括金属核PCB(MCPCB)以及柔性PCB(FPCB)，并且不限于此。在发光器件封装500被安装在底盖1011的侧面上或者散热板上的情况下，基板1033可以被除去。在此，散热板的一部分可以接触到底盖1011的上表面。
多个发光器件封装500可以被安装在基板1033上，使得发光表面与导光板1041分离预定的距离，但是对此不存在限制。发光器件封装500可以直接地或者间接地将光提供给光进入部分，即导光板1041的一侧，并且对此不存在限制。
反射构件1022可以被布置在导光板1041的下方。反射构件1022在向上方向上反射入射到导光板1041的下表面的光，从而可以提高灯单元1050的亮度。可以利用例如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC或者PVC(聚氯乙烯)树脂来形成反射构件1022；然而，不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的上表面；然而，对此不存在限制。
底盖1011可以存储导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。为此，底盖1011可以设置有存储单元1012，其具有其上表面开口的盒状形状，并且对此不存在限制。底盖1011可以与顶盖组合，并且对此不存在限制。
可以利用金属材料或者树脂材料来形成底盖1011，并且可以使用按压或者挤压成型工艺来制造底盖1011。底盖1011还可以包括具优异的导热性的金属或者非金属材料，并且对此不存在限制。
显示面板1061是例如LCD面板，并且包括透明的第一和第二基板，以及在第一和第二基板之间的液晶层。在显示面板1061的至少一侧上，可以附着偏振板；然而，附着结构不限于此。显示面板1061通过穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以被应用于各种蜂窝电话、笔记本计算机的监视器、膝上计算机的监视器、以及电视。
光学片1051被布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个半透明片。光学片1051可以包括例如扩散片、水平和垂直棱镜片、亮度增强片中的至少一个。扩散片扩散入射光。水平或/和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域。亮度增强片重新使用丢失的光以增强亮度。保护片可以被布置在显示面板1061上，并且对此不存在限制。
在此，在发光模块1031的光路径上，可以包括导光板1041和光学片1051作为光学构件；然而，对此不存在限制。
图29是示出根据实施例的显示装置的图。
参考图29，显示装置1100包括：底盖1152、基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。在此，上述发光器件封装500被排列在基板1120上。
基板1120和发光器件封装500可以被定义为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以被定义为灯单元。
底盖1152可以设置有存储单元1153，并且对此不存在限制。
在此，光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。可以利用PC材料或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料来形成导光板，并且可以省略导光板。扩散片扩散入射光。水平或/和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域上。亮度增强片重新使用丢失的光以增强亮度。
光学构件1154被布置在发光模块1060上。光学构件1154将从发光模块1060发射的光转换为表面光源，或者对光执行扩散或者集中。
图30是示出根据实施例的照明装置的透视图。
参考图30，照明装置1500可以包括：壳体1510；发光模块1530，该发光模块1530被安装到壳体1510；以及连接端子1520，该连接端子1520被安装到壳体1510，并且被提供有来自于外部电源的电力。
优选地，利用具有优异的散热特性的材料来形成壳体1510。例如，可以利用金属材料或者树脂材料来形成壳体1510。
发光模块1530可以包括基板1532，和被安装在基板1532上的根据实施例的发光器件封装500。多个发光器件封装500可以以矩阵的形式排列，或者以预定的间隔相互分离地排列。
基板1532可以是其中印有电路图案的绝缘体。例如，基板1532可以包括PCB、金属核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、以及FR-4基板。
基板1532还可以利用有效地反射光的材料形成，或者它的表面可以被涂覆有有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装500可以被安装在基板1532上。每个发光器件封装500可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括诸如红、绿、蓝或者白色的可见光的发光二极管，或者发射紫外线(UV)的UV发光二极管。
各种发光器件封装500的组合可以被布置在发光模块1530中，以获得色调和亮度。例如，为了确保高显色指数(CRI)，可以组合并且布置白色发光二极管、红色发光二极管、以及绿色发光二极管。
连接端子1520可以被电气地连接到发光模块1530以提供电力。连接端子1520以插座的方法螺纹连接到外部电源；然而，对此不存在限制。例如，连接端子1520可以形成为插脚的形状以插入到外部电源中，或者可以通过布线连接到外部电源。
根据实施例的发光器件可以被封装在由树脂材料或者硅形成的半导体基板、绝缘基板、或者陶瓷基板上并且用作用于指示装置、照明装置、以及显示装置的光源。而且，前述实施例中的每一个不限于实施例中的每一个并且被应用于前述其它实施例，但是不限于此。
根据实施例的发光器件或者发光器件封装可以被应用于照明系统。照明系统可以包括其中排列多个发光器件或者多个发光器件封装的结构。
根据实施例，在发光器件中可以提高光提取效率。而且，在半导体层的表面上可以减少电极的接触区域以提高半导体层的表面上的光提取效率。
在本说明书中，任何对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也在本领域技术人员的理解范围内。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计出许多将落入本公开内容的原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开内容、附图、和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (8)

1.一种发光器件，包括：
导电层；
电极；
发光结构层，所述发光结构层被布置在所述电极和所述导电层之间并且包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；
导光层，所述导光层在所述第一半导体层和所述电极之间；以及
透射电极层，所述透射电极层从所述电极的区域延伸到外部并且被布置在所述导光层和所述第一半导体层之间，
其中，所述电极包括下部和上部，所述下部接触所述导光层的内侧表面，所述上部位于所述导光层和所述下部上，并且接触所述导光层的顶表面，
其中，所述下部进一步通过所述透射电极层的内部接触所述第一半导体层的顶表面，
其中所述导光层进一步包括外表面，所述外表面不接触设置在所述导光层的外围上的电极，
其中所述导光层具有多层结构，并且其中所述导光层具有：第一层和第二层，所述第一层在所述第一半导体层和所述电极之间且具有第一折射率，所述第二层在所述第一层和所述电极之间且具有小于所述第一折射率的第二折射率，以透射通过所述第一层入射的光，
其中，所述第一层由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、以及GZO中的一个形成，以及
其中所述第二层由ZnO、SiO2、以及Al2O3中的一个形成。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层具有大于所述内侧表面的面积的所述外表面的面积。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层的外表面与所述电极的至少一个侧表面齐平。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层的下表面的大小大于其顶表面的大小。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层的下表面的大小是所述电极的顶表面的大小的10％至90％。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层具有小于所述电极的厚度的厚度和小于所述电极的第一方向的宽度的第一方向的宽度。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极的下表面接触所述第一半导体层的N面的顶表面，并且所述电极的下表面的一侧具有1μm至3μm的宽度。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导光层的外表面从接近所述导光层的外表面的所述电极的侧表面突出1μm至10μm。
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