JP7089204B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
特許文献１には、単結晶サファイアからなる成長基板と、成長基板上に形成された半導体積層体と、波長変換層とを備える発光装置を、ソーイング工程により個片化する方法が開示されている。このようなソーイング工程による個片化においては、成長基板の欠けが発生することがあり、歩留まりの向上が求められている。
本発明の一実施形態は、歩留まりが向上できる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第１面に発光層を含む半導体構造を形成する工程と、前記基板内に前記基板の前記第１面に達する亀裂を形成する工程と、前記基板の前記第２面側に波長変換層を配置する工程と、前記波長変換層から前記半導体構造に向かう方向から見て、前記亀裂と重なる前記波長変換層の第１部分を除去して前記波長変換層に第１凹部を形成するとともに、前記第１凹部と前記半導体構造の間にある前記波長変換層の第２部分を残存させる工程と、前記第２部分を前記亀裂に沿って割断する工程と、を備える。
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第１面に発光層を含む半導体構造を形成する工程と、前記基板内に前記基板の前記第１面に達する亀裂を形成する工程と、前記亀裂を形成する工程の後、前記基板の一部を前記第２面側から除去し、前記基板に第３面を形成する工程と、前記基板の前記第３面に波長変換層を配置する工程と、前記波長変換層から前記半導体構造に向かう方向から見て、前記亀裂と重なる前記波長変換層の第１部分を除去して前記波長変換層に第１凹部を形成するとともに、前記第１凹部と前記半導体構造の間にある前記波長変換層の第２部分を残存させる工程と、前記第２部分を前記亀裂に沿って割断する工程と、を備える。
本発明の一実施形態によれば、歩留まりが向上できる発光装置の製造方法を提供できる。
＜第１の実施形態＞
以下に、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。
図１は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図２Ａ～図４Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図１は、切削と割断の位置を示す図であり、基板２０の上面に配置される波長変換層３０は省略されている。
図２Ａは、図１に示すIIＡ－IIＡ線における断面図である。図２Ｂ～図４Ｂも同様に、図１に示すIIＡ－IIＡ線における断面図である。
以下に、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。
図１は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図２Ａ～図４Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図１は、切削と割断の位置を示す図であり、基板２０の上面に配置される波長変換層３０は省略されている。
図２Ａは、図１に示すIIＡ－IIＡ線における断面図である。図２Ｂ～図４Ｂも同様に、図１に示すIIＡ－IIＡ線における断面図である。
（基板２０を準備する工程）
先ず、基板２０を準備する。図１に示すように、基板２０はウエハであり、後の工程において複数の発光装置１００の基板２０Ａに個片化される。図２Ａに示すように、基板２０は、第１面２０ａと、第１面２０ａの反対側に位置する第２面２０ｄを有する。第１面２０ａは下面として、第２面２０ｄは上面として、以後加工される。基板２０の厚さｔｓは、例えば５００μｍ以上１０００μｍ以下である。基板２０は、例えば単結晶のサファイアからなる。なお、基板２０は、窒化ガリウムからなる基板でもよい。
先ず、基板２０を準備する。図１に示すように、基板２０はウエハであり、後の工程において複数の発光装置１００の基板２０Ａに個片化される。図２Ａに示すように、基板２０は、第１面２０ａと、第１面２０ａの反対側に位置する第２面２０ｄを有する。第１面２０ａは下面として、第２面２０ｄは上面として、以後加工される。基板２０の厚さｔｓは、例えば５００μｍ以上１０００μｍ以下である。基板２０は、例えば単結晶のサファイアからなる。なお、基板２０は、窒化ガリウムからなる基板でもよい。
（半導体構造１０を形成する工程）
次に、基板２０の第１面２０ａに半導体構造１０を形成する。
本明細書において、「上」とは、半導体構造１０から基板２０に向かう方向をいい、「下」とは、「上」の逆方向をいうが、この表現は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
図６Ｂに示すように、半導体構造１０は、発光層１１、ｎ側半導体層１２、ｐ側半導体層１３を含む。発光層１１、ｎ側半導体層１２、及び、ｐ側半導体層１３は、例えば窒化物半導体からなる。窒化物半導体としては、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）の化学式において組成比ｘ及びｙを変化させた組成の半導体を用いる。半導体構造１０は、基板２０を用いたエピタキシャル成長によって形成される。
次に、基板２０の第１面２０ａに半導体構造１０を形成する。
本明細書において、「上」とは、半導体構造１０から基板２０に向かう方向をいい、「下」とは、「上」の逆方向をいうが、この表現は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
図６Ｂに示すように、半導体構造１０は、発光層１１、ｎ側半導体層１２、ｐ側半導体層１３を含む。発光層１１、ｎ側半導体層１２、及び、ｐ側半導体層１３は、例えば窒化物半導体からなる。窒化物半導体としては、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）の化学式において組成比ｘ及びｙを変化させた組成の半導体を用いる。半導体構造１０は、基板２０を用いたエピタキシャル成長によって形成される。
次に、半導体構造１０の下に配線構造１８を形成する。
まず、半導体構造１０の下面側の一部を除去する。次に、半導体構造１０の下に配線構造１８を形成する。配線構造１８は、第１導電層１４と、第２導電層１５と、ｐ側電極１６と、絶縁層１７と、を含む。ｐ側電極１６は、ｐ側半導体層１３上に設けられている。第１導電層１４は、ｎ側半導体層１２に接続され、第２導電層１５は、ｐ側電極１６を介してｐ側半導体層１３に接続されている。絶縁層１７は、半導体構造１０の表面及びｐ側電極１６の表面に設けられている。絶縁層１７の一部は、第１導電層１４とｐ側電極１６との間に設けられている。
まず、半導体構造１０の下面側の一部を除去する。次に、半導体構造１０の下に配線構造１８を形成する。配線構造１８は、第１導電層１４と、第２導電層１５と、ｐ側電極１６と、絶縁層１７と、を含む。ｐ側電極１６は、ｐ側半導体層１３上に設けられている。第１導電層１４は、ｎ側半導体層１２に接続され、第２導電層１５は、ｐ側電極１６を介してｐ側半導体層１３に接続されている。絶縁層１７は、半導体構造１０の表面及びｐ側電極１６の表面に設けられている。絶縁層１７の一部は、第１導電層１４とｐ側電極１６との間に設けられている。
（支持基板ＳＢを接合する工程）
半導体構造１０を形成した後、支持基板ＳＢを接合する。図２Ａに示すように、支持基板ＳＢは、半導体構造１０の基板２０側とは反対側に接合する。具体的には、支持基板ＳＢは、配線構造１８の下面１８ａに接合する。支持基板ＳＢは、例えばサファイア基板である。支持基板ＳＢの接合は、例えばポリイミドなどを含む接合部材ＢＤによって行う。
半導体構造１０を形成した後、支持基板ＳＢを接合する。図２Ａに示すように、支持基板ＳＢは、半導体構造１０の基板２０側とは反対側に接合する。具体的には、支持基板ＳＢは、配線構造１８の下面１８ａに接合する。支持基板ＳＢは、例えばサファイア基板である。支持基板ＳＢの接合は、例えばポリイミドなどを含む接合部材ＢＤによって行う。
（基板２０内に亀裂Ｃを形成する工程）
次に、基板２０内に亀裂Ｃを形成する。図２Ａに示すように、亀裂Ｃは、基板２０にレーザ光Ｌを照射して形成する。レーザ光Ｌは、平面視において図１に示す複数の個片化予定線ＤＴに沿って連続的または一定間隔を空けて照射する。個片化予定線ＤＴとは、基板２０を割断し複数の発光装置１００に個片化するために設定された仮想的な線である。図１に示すように、交差する二つの方向に沿って設定された複数の個片化予定線ＤＴに沿ってレーザ光Ｌを照射する。
次に、基板２０内に亀裂Ｃを形成する。図２Ａに示すように、亀裂Ｃは、基板２０にレーザ光Ｌを照射して形成する。レーザ光Ｌは、平面視において図１に示す複数の個片化予定線ＤＴに沿って連続的または一定間隔を空けて照射する。個片化予定線ＤＴとは、基板２０を割断し複数の発光装置１００に個片化するために設定された仮想的な線である。図１に示すように、交差する二つの方向に沿って設定された複数の個片化予定線ＤＴに沿ってレーザ光Ｌを照射する。
図２Ａに示すように、レーザ光Ｌを、基板２０の第２面２０ｄ側から基板２０に照射する。レーザ光Ｌを、個片化予定線ＤＴに沿って走査しながら基板２０の内部に集光させることで、基板２０の内部に改質領域Ｍを形成する。これにより、個片化予定線ＤＴに沿って、基板２０の内部に複数の改質領域Ｍが形成される。半導体構造１０への熱の影響を軽減するため、第１面２０ａから基板２０の厚さｔｓの半分以上離れた位置にレーザ光Ｌを集光させることが好ましい。レーザ光Ｌは、例えば第１面２０ａから３０μｍ以上１００μｍ以下離れた位置に集光させることが好ましい。
レーザ光Ｌには、例えば、パルスレーザを発生するレーザ、多光子吸収を起こさせることができる連続波レーザを用いることができる。レーザ光Ｌのパルス幅は、例えば、１００ｆｓｅｃ～８００ｐｓｅｃである。レーザ光Ｌのピーク波長は、例えば基板２０を透過可能なピーク波長とする。レーザ光Ｌのピーク波長は、例えば、３５０ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲である。レーザ光Ｌのスポット径は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。
改質領域Ｍは、基板２０の第１面２０ａから離れた領域に形成される。亀裂Ｃは、改質領域Ｍから第１面２０ａに向かって伸展し、基板２０の第１面２０ａに達する。また、亀裂Ｃは改質領域Ｍから第２面２０ｄに向かって伸展し、基板２０の第２面２０ｄに達していてもよい。改質領域Ｍを基板２０の厚さ方向において第２面２０ｄ側に形成することにより、レーザ光Ｌによる半導体構造１０の損傷を抑制しながら、基板２０内の所定箇所に亀裂Ｃを形成することができる。また、支持基板ＳＢを接合した状態で基板２０に亀裂Ｃを形成しているので、亀裂Ｃを形成したことによる基板２０の欠けを抑制することができる。
本実施形態においては、レーザ光Ｌによって基板２０の内部に亀裂Ｃを形成しているが、これに限らず、他の方法によって基板２０に内的応力を発生させて亀裂Ｃを生成してもよい。例えば、基板２０に外力を与えることで基板２０の内部に亀裂Ｃを形成してもよい。
（基板２０に第３面２０ｂを形成する工程）
図２Ｂに示すように、基板２０に第３面２０ｂを形成する。第３面２０ｂの形成は、基板２０の一部を第２面２０ｄ側から除去することによって行う。これにより、第３面２０ｂは、加工前の基板２０の上面であった第２面２０ｄに替わって上面となる。第３面２０ｂの形成により、基板２０の厚さを、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とする。このように基板２０を薄くすることで、後述する発光装置１００において、基板２０Ａの側面２０Ａｃから出射される光が低減し波長変換層３０側に向かう光を増加させることができるため、光取り出し効率を向上させることができる。基板２０の一部を除去する工程において、改質領域Ｍは基板２０から除去され、亀裂Ｃは基板２０内に残存する。例えば、基板２０の一部を第２面２０ｄ側から基板２０の厚み方向に除去することで、基板２０が薄くなるとともに改質領域Ｍが除去される。これにより、後述する波長変換層３０を割断する工程において、基板２０に改質領域Ｍがある場合よりも割断を容易に行うことできる。半導体構造１０に支持基板ＳＢを接合した状態で基板２０を除去することで、薄化された基板２０の反りを抑制することができる。基板２０の除去は、例えば研削や研磨によって行う。基板２０の研磨には、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）を用いることができる。
図２Ｂに示すように、基板２０に第３面２０ｂを形成する。第３面２０ｂの形成は、基板２０の一部を第２面２０ｄ側から除去することによって行う。これにより、第３面２０ｂは、加工前の基板２０の上面であった第２面２０ｄに替わって上面となる。第３面２０ｂの形成により、基板２０の厚さを、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とする。このように基板２０を薄くすることで、後述する発光装置１００において、基板２０Ａの側面２０Ａｃから出射される光が低減し波長変換層３０側に向かう光を増加させることができるため、光取り出し効率を向上させることができる。基板２０の一部を除去する工程において、改質領域Ｍは基板２０から除去され、亀裂Ｃは基板２０内に残存する。例えば、基板２０の一部を第２面２０ｄ側から基板２０の厚み方向に除去することで、基板２０が薄くなるとともに改質領域Ｍが除去される。これにより、後述する波長変換層３０を割断する工程において、基板２０に改質領域Ｍがある場合よりも割断を容易に行うことできる。半導体構造１０に支持基板ＳＢを接合した状態で基板２０を除去することで、薄化された基板２０の反りを抑制することができる。基板２０の除去は、例えば研削や研磨によって行う。基板２０の研磨には、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）を用いることができる。
なお、基板２０に第３面２０ｂを形成する工程後の基板２０内に、改質領域Ｍが残存していてもよい。また、基板２０に第３面２０ｂを形成する工程は、行わなくてもよい。この場合も、改質領域Ｍは基板２０内に残存する。
（波長変換層３０を配置する工程）
次に、基板２０において除去された第２面２０ｄ側に波長変換層３０を配置する。
本実施形態では、図３Ａに示すように、基板２０における第３面２０ｂに波長変換層３０を配置する。波長変換層３０の下面３０ａは、基板２０の第３面２０ｂに接合されている。波長変換層３０の下面３０ａと基板２０の第３面２０ｂとの接合は、例えば表面活性化接合によって行う。波長変換層３０の厚さは、薄化された基板２０よりも厚い。波長変換層３０の厚さは、例えば１００μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。波長変換層３０は、蛍光体を含むことができる。波長変換層３０には、例えば、蛍光体を焼結させた焼結体や、樹脂やガラスなどに蛍光体を含有させたものを用いる。蛍光体には、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）を用いることができる。
次に、基板２０において除去された第２面２０ｄ側に波長変換層３０を配置する。
本実施形態では、図３Ａに示すように、基板２０における第３面２０ｂに波長変換層３０を配置する。波長変換層３０の下面３０ａは、基板２０の第３面２０ｂに接合されている。波長変換層３０の下面３０ａと基板２０の第３面２０ｂとの接合は、例えば表面活性化接合によって行う。波長変換層３０の厚さは、薄化された基板２０よりも厚い。波長変換層３０の厚さは、例えば１００μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。波長変換層３０は、蛍光体を含むことができる。波長変換層３０には、例えば、蛍光体を焼結させた焼結体や、樹脂やガラスなどに蛍光体を含有させたものを用いる。蛍光体には、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）を用いることができる。
（支持基板ＳＢを除去する工程）
波長変換層３０を配置した後、支持基板ＳＢを除去する。そして、配線構造１８の下面１８ａに、テープ材Ｔを貼り付ける。テープ材Ｔを配置することで、後述する割断工程において割断が容易に行える。
波長変換層３０を配置した後、支持基板ＳＢを除去する。そして、配線構造１８の下面１８ａに、テープ材Ｔを貼り付ける。テープ材Ｔを配置することで、後述する割断工程において割断が容易に行える。
（第１凹部Ｒ１を形成するとともに第２部分Ｐ２を残存させる工程）
図３Ｂ及び図４Ａに示すように、波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去する。これにより波長変換層３０に第１凹部Ｒ１を形成するとともに、第２部分Ｐ２を残存させる。第１部分Ｐ１は、波長変換層３０から半導体構造１０に向かう方向から見て、亀裂Ｃと重なる部分である。図３Ｂに示すように、断面視において、第１部分Ｐ１の略中央に亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。また、第１部分Ｐ１は、波長変換層３０のうち基板２０から離れた部分である。第２部分Ｐ２は、第１凹部Ｒ１と半導体構造１０の間に位置する。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１の直下において第１部分Ｐ１に隣接している。第２部分Ｐ２の厚さは、例えば、第１部分Ｐ１の厚さよりも薄い。第２部分Ｐ２は、断面視において亀裂Ｃの直上に位置している。第２部分Ｐ２の略中心には、亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。
平面視において、図１に示す加工領域ＲＴ内における第１部分Ｐ１を除去することで、第１凹部Ｒ１を形成するとともに第２部分Ｐ２を残存させる。加工領域ＲＴとは、波長変換層３０が除去される領域である。平面視において、加工領域ＲＴは、個片化予定線ＤＴを含む領域であり、第１部分Ｐ１の除去は、個片化予定線ＤＴに沿って行う。
図３Ｂ及び図４Ａに示すように、波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去する。これにより波長変換層３０に第１凹部Ｒ１を形成するとともに、第２部分Ｐ２を残存させる。第１部分Ｐ１は、波長変換層３０から半導体構造１０に向かう方向から見て、亀裂Ｃと重なる部分である。図３Ｂに示すように、断面視において、第１部分Ｐ１の略中央に亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。また、第１部分Ｐ１は、波長変換層３０のうち基板２０から離れた部分である。第２部分Ｐ２は、第１凹部Ｒ１と半導体構造１０の間に位置する。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１の直下において第１部分Ｐ１に隣接している。第２部分Ｐ２の厚さは、例えば、第１部分Ｐ１の厚さよりも薄い。第２部分Ｐ２は、断面視において亀裂Ｃの直上に位置している。第２部分Ｐ２の略中心には、亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。
平面視において、図１に示す加工領域ＲＴ内における第１部分Ｐ１を除去することで、第１凹部Ｒ１を形成するとともに第２部分Ｐ２を残存させる。加工領域ＲＴとは、波長変換層３０が除去される領域である。平面視において、加工領域ＲＴは、個片化予定線ＤＴを含む領域であり、第１部分Ｐ１の除去は、個片化予定線ＤＴに沿って行う。
第１部分Ｐ１の除去は、例えばブレードＢ１による切削で行われる。ブレードＢ１の幅ｂ１は、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下である。第１部分Ｐ１の除去によって形成される第１凹部Ｒ１の幅ｒ１は、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下である。なお、第１部分Ｐ１の除去によって形成される第１凹部Ｒ１の幅ｒ１は、ブレードＢ１の幅ｂ１より僅かに大きくなってもよい。第１凹部Ｒ１を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さは、波長変換層３０の厚さに対して、例えば、５０％以上９０％以下の厚さであることが好ましく、７０％以上９０％以下の厚さであることがさらに好ましい。また、ブレードＢ１による切削は、第１部分Ｐ１と基板２０との間に第２部分Ｐ２を残存させるために、ブレードＢ１が基板２０に到達しないように行う。このように、波長変換層３０の第１部分Ｐ１をブレードＢ１により切削する際に基板２０を切削しないため、基板２０の欠けの発生を抑制できる。これにより、後述する発光装置１００の側面１００ｃの形状を所望の形状にできるため、歩留まりが向上する。例えば、波長変換層３０と基板２０とをブレードＢ１を用いて切削して行う場合、基板２０に欠けが生じるおそれがある。そのため、発光装置１００における側面１００ｃの形状を所望の形状にすることが難しく、歩留まりを低下させる要因になる。また、ブレードＢ１で波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去し、第２部分Ｐ２を残存させている。これにより、後述する割断後に得られる発光装置１００において、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積が、下面３０Ａａの面積よりも小さくなり、発光装置１００の輝度が向上する。また、波長変換層３０の上面３０ｂの面積は、ブレードＢ１の幅ｂ１を適宜変更することにより調整できる。
本実施形態においては、ブレードＢ１によって波長変換層３０の一部を除去しているが、これに限られず、ブレード以外の手段で除去してもよい。例えば、波長変換層３０の一部にレーザ光を照射することによって除去してもよい。
（割断する工程）
次に、波長変換層３０の第２部分Ｐ２を、亀裂Ｃに沿って割断する。
図４Ｂに示すように、例えば、基板２０において、第１凹部Ｒ１の直下に位置する部分をテープ材Ｔ側から押圧する。これにより、基板２０が亀裂Ｃにより割断されるとともに、波長変換層３０の第２部分Ｐ２が割断され、それぞれが半導体構造１０、配線構造１８、基板２０、および波長変換層３０を備える複数の発光装置１００に個片化される。第２部分Ｐ２の割断は、個片化予定線ＤＴに沿って形成された亀裂Ｃに沿って行われる。この割断工程において、半導体構造１０と配線構造１８も、亀裂Ｃに沿って割断される。波長変換層３０を基板２０に配置する前に基板２０の内部に亀裂Ｃを形成することで、第２部分Ｐ２及び基板２０の割断が容易に行うことができ、割断工程における歩留まりを向上させることができる。また、割断工程の前に亀裂Ｃが基板２０の第１面２０ａに達していることで、割断時に亀裂Ｃが意図しない方向に伸びることが抑制されるため、基板２０の欠けの発生が抑制できる。
次に、波長変換層３０の第２部分Ｐ２を、亀裂Ｃに沿って割断する。
図４Ｂに示すように、例えば、基板２０において、第１凹部Ｒ１の直下に位置する部分をテープ材Ｔ側から押圧する。これにより、基板２０が亀裂Ｃにより割断されるとともに、波長変換層３０の第２部分Ｐ２が割断され、それぞれが半導体構造１０、配線構造１８、基板２０、および波長変換層３０を備える複数の発光装置１００に個片化される。第２部分Ｐ２の割断は、個片化予定線ＤＴに沿って形成された亀裂Ｃに沿って行われる。この割断工程において、半導体構造１０と配線構造１８も、亀裂Ｃに沿って割断される。波長変換層３０を基板２０に配置する前に基板２０の内部に亀裂Ｃを形成することで、第２部分Ｐ２及び基板２０の割断が容易に行うことができ、割断工程における歩留まりを向上させることができる。また、割断工程の前に亀裂Ｃが基板２０の第１面２０ａに達していることで、割断時に亀裂Ｃが意図しない方向に伸びることが抑制されるため、基板２０の欠けの発生が抑制できる。
以上の工程によって、複数の発光装置１００が製造される。各発光装置１００は、半導体構造１０の一部である半導体構造１０Ａと、配線構造１８の一部である配線構造１８Ａと、基板２０の一部である基板２０Ａと、波長変換層３０の一部である波長変換層３０Ａを有する。図５Ｂに示すように、発光装置１００の側面１００ｃは、基板２０における亀裂Ｃの痕跡、波長変換層３０における第１凹部Ｒ１の内面と第２部分Ｐ２の割断面、半導体構造１０と配線構造１８における割断面、及び、基板２０の割断面を含む。
以下に、本実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置１００について説明する。
図５Ａは、本実施形態における発光装置を示す平面図である。
図５Ｂは、本実施形態における発光装置を示す正面図である。
図５Ｂに示すように、発光装置１００は、半導体構造１０Ａと、配線構造１８Ａと、基板２０Ａと、波長変換層３０Ａを含んでいる。基板２０Ａは、半導体構造１０Ａ上に設けられている。基板２０Ａは、例えば単結晶のサファイアである。基板２０Ａは、第１面２０Ａａと、第１面２０Ａａに対向する第３面２０Ａｂと、第１面２０Ａａと第３面２０Ａｂの間に位置する側面２０Ａｃを有する。基板２０Ａの厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。また、側面２０Ａｃは、改質領域Ｍの一部を含んでいてもよい。この場合、改質領域Ｍは、前記基板２０Ａの下面である第１面２０Ａａから離れた領域に形成されてもよい。
図５Ａは、本実施形態における発光装置を示す平面図である。
図５Ｂは、本実施形態における発光装置を示す正面図である。
図５Ｂに示すように、発光装置１００は、半導体構造１０Ａと、配線構造１８Ａと、基板２０Ａと、波長変換層３０Ａを含んでいる。基板２０Ａは、半導体構造１０Ａ上に設けられている。基板２０Ａは、例えば単結晶のサファイアである。基板２０Ａは、第１面２０Ａａと、第１面２０Ａａに対向する第３面２０Ａｂと、第１面２０Ａａと第３面２０Ａｂの間に位置する側面２０Ａｃを有する。基板２０Ａの厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。また、側面２０Ａｃは、改質領域Ｍの一部を含んでいてもよい。この場合、改質領域Ｍは、前記基板２０Ａの下面である第１面２０Ａａから離れた領域に形成されてもよい。
波長変換層３０Ａは、基板２０Ａ上に設けられている。波長変換層３０Ａの表面は、下面３０Ａａと、下面３０Ａａに対向する上面３０Ａｂと、下面３０Ａａと上面３０Ａｂの間に位置する４つの側面３０Ａｃを有する。図５Ａに示すように、上面視において、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、波長変換層３０Ａの下面３０Ａａの面積よりも小さい。波長変換層３０Ａの厚さは、例えば基板２０Ａの厚さよりも大きい。波長変換層３０Ａの厚さは、例えば１００μｍ以上３００μｍ以下である。
波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃのそれぞれは、第１面Ｓ１と、第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１は、下面３０Ａａ側に設けられた面であり、基板２０Ａの側面２０Ａｃと隣り合っている。第１面Ｓ１は、割断によって形成された割断面である。第１面Ｓ１と、基板２０Ａの側面２０Ａｃとは、略同一平面上に位置する。第２面Ｓ２は、第１面Ｓ１よりも上面３０Ａｂ側に設けられ、上面３０Ａｂと第１面Ｓ１を繋ぐ面である。第２面Ｓ２は、ブレードＢ１による切削で形成された切断面である。第２面Ｓ２は、曲面を含む。
発光装置１００の表面は、下面１００ａと、下面１００ａに対向する上面１００ｂと、下面１００ａと上面１００ｂとを繋ぐ４つの側面１００ｃを含んでいる。発光装置１００において、下面１００ａは、配線構造１８Ａの下面１８Ａａを含んでおり、上面１００ｂは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂを含んでいる。発光装置１００の側面１００ｃは、基板２０Ａの側面２０Ａｃと波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃを含んでいる。
以下に、本実施形態における発光装置１００が実装された発光モジュール２００について説明する。
図６Ａは、本実施形態における発光モジュールを示す平面図であり、図６Ｂは、本実施形態における発光モジュールを示す断面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すVIＢ－VIＢ線による断面図である。
図６Ａは、本実施形態における発光モジュールを示す平面図であり、図６Ｂは、本実施形態における発光モジュールを示す断面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すVIＢ－VIＢ線による断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、発光モジュール２００は、発光装置１００、光反射性部材５０、支持部材４０、及び、複数の導電部材６０を備える。支持部材４０上には、複数の金属部材７０が設けられている。発光装置１００は、複数の導電部材６０により、支持部材４０の金属部材７０と電気的に導通するように実装されている。導電部材６０は、発光装置１００の第１導電層１４Ａ、第２導電層１５Ａと電気的に接続されている。光反射性部材５０は、発光装置１００、支持部材４０、及び、複数の導電部材６０を覆っている。光反射性部材５０は、発光モジュール２００の主な光取り出し面となる波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂを露出させるように設けられる。光反射性部材５０は、例えば、母材に光拡散材を含有したものである。母材には、例えば、樹脂やガラスを用いる。光拡散材には、例えば、酸化チタンや酸化アルミニウムを用いる。
本実施形態に係る発光装置１００の製造方法によれば、波長変換層３０を配置する前に半導体構造１０を形成した基板２０に亀裂Ｃを形成する。その後、基板２０に配置された波長変換層３０において亀裂Ｃと重なる第１部分Ｐ１を除去して第１凹部Ｒ１を形成するとともに、第１凹部Ｒ１と半導体構造１０の間にある波長変換層３０の第２部分Ｐ２を残存させている。そして、亀裂Ｃと重なった第２部分Ｐ２を、亀裂Ｃを起点に割断して、複数の発光装置１００に個片化している。これにより、例えば、基板２０と波長変換層３０とをブレードＢ１を用いて切削する場合に発生しやすい基板２０の欠けを抑制し、歩留まりを向上できる。また、レーザ光Ｌによって亀裂Ｃを形成し、亀裂Ｃを起点に割断しているので、発光装置１００の側面１００ｃの状態が良好となり、割断工程における歩留まりが向上する。
また、本実施形態によれば、ブレードＢ１で波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去し、第２部分Ｐ２を残存させている。これにより、発光装置１００における波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、下面３０Ａａの面積より小さくなり、発光装置１００における輝度を向上させることができる。例えば、波長変換層３０と基板２０とをブレードＢ１を用いて切削して行う場合、発光装置１００の側面１００ｃは曲面を含まない平坦な面になり、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂと下面３０Ａａの面積は略同一となるため、輝度を向上させることは難しい場合がある。
＜第１の実施形態の第１の変形例＞
本変形例における発光装置１０１の製造方法では、亀裂Ｃを形成する工程の前に、半導体構造１０の亀裂Ｃが形成される領域の直下及びその周辺を除去する。これにより、基板２０の第１面２０ａにおいて、亀裂Ｃが形成される領域とその周辺の領域を露出させている。
図７は、本変形例における発光装置の製造方法を示す断面図であり、具体的には、基板２０内に亀裂Ｃを形成する工程を示す断面図である。
図８は、本変形例における発光モジュールを示す断面図である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
本変形例における発光装置１０１の製造方法では、亀裂Ｃを形成する工程の前に、半導体構造１０の亀裂Ｃが形成される領域の直下及びその周辺を除去する。これにより、基板２０の第１面２０ａにおいて、亀裂Ｃが形成される領域とその周辺の領域を露出させている。
図７は、本変形例における発光装置の製造方法を示す断面図であり、具体的には、基板２０内に亀裂Ｃを形成する工程を示す断面図である。
図８は、本変形例における発光モジュールを示す断面図である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
図７に示すように、配線構造１８を形成する工程において、先ず半導体構造１０の下面側の一部を除去する際に、亀裂Ｃが形成される領域の直下及びその周辺の半導体構造１０を除去する。これにより、基板２０の第１面２０ａにおいて亀裂Ｃが形成される領域とその周辺に露出面２０ａａを設けている。露出面２０ａａの幅は、例えば、２０μｍ以上１２０μｍ以下である。
半導体構造１０の除去によって、半導体構造１０の側面１０ｃを、上方に向かって亀裂Ｃが形成される領域に近接する傾斜面にする。半導体構造１０の側面１０ｃを傾斜面とすることで、発光層１１からの光が、波長変換層３０側に向かって反射されやすくなる。
半導体構造１０の除去によって、半導体構造１０の側面１０ｃを、上方に向かって亀裂Ｃが形成される領域に近接する傾斜面にする。半導体構造１０の側面１０ｃを傾斜面とすることで、発光層１１からの光が、波長変換層３０側に向かって反射されやすくなる。
次に、半導体構造１０の下に配線構造１８を形成する。
配線構造１８の側面１８ｃは、半導体構造１０の側面１０ｃ上に位置する。図８に示すように、側面１８ｃの一部を構成する第１導電層１４を、半導体構造１０の側面１０ｃに対して平行に形成し、発光層１１の側面を覆う。
また、配線構造１８は、露出面２０ａａに設けられていない。なお、配線構造１８の一部が、露出面２０ａａの一部に配置されていてもよい。
配線構造１８の側面１８ｃは、半導体構造１０の側面１０ｃ上に位置する。図８に示すように、側面１８ｃの一部を構成する第１導電層１４を、半導体構造１０の側面１０ｃに対して平行に形成し、発光層１１の側面を覆う。
また、配線構造１８は、露出面２０ａａに設けられていない。なお、配線構造１８の一部が、露出面２０ａａの一部に配置されていてもよい。
支持基板ＳＢを接合する工程において、露出面２０ａａには、接合部材ＢＤが付着してもよい。露出面２０ａａは、接合部材ＢＤを介して支持基板ＳＢの上面に対向する。
亀裂Ｃを形成する工程において、基板２０の内部に形成される亀裂Ｃは露出面２０ａａに達する。露出面２０ａａの略中央には、亀裂Ｃが位置している。
亀裂Ｃを形成する工程において、基板２０の内部に形成される亀裂Ｃは露出面２０ａａに達する。露出面２０ａａの略中央には、亀裂Ｃが位置している。
波長変換層３０の第２部分Ｐ２を、亀裂Ｃに沿って割断する工程においては、基板２０の第１面２０ａに露出面２０ａａを設けたことにより、半導体構造１０と配線構造１８は亀裂Ｃに沿って割断されず、基板２０と波長変換層３０の第２部分Ｐ２のみが亀裂Ｃに沿って割断される。
以下、本変形例における製造方法による発光装置１０１と発光モジュール２０１について説明する。
図８に示すように、発光装置１０１の側面１０１ｃは、基板２０における亀裂Ｃの痕跡、波長変換層３０における第１凹部Ｒ１の内面と第２部分Ｐ２の割断面、配線構造１８の割断面ではない側面１８ｃ、および、基板２０の割断面を含む。
半導体構造１０Ａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの直下に位置している。基板２０Ａの露出面２０Ａａａは、波長変換層３０Ａの第２面Ｓ２の直下に位置している。
図８に示すように、発光装置１０１の側面１０１ｃは、基板２０における亀裂Ｃの痕跡、波長変換層３０における第１凹部Ｒ１の内面と第２部分Ｐ２の割断面、配線構造１８の割断面ではない側面１８ｃ、および、基板２０の割断面を含む。
半導体構造１０Ａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの直下に位置している。基板２０Ａの露出面２０Ａａａは、波長変換層３０Ａの第２面Ｓ２の直下に位置している。
図８に示すように、本変形例における発光装置１０１を用いた発光モジュール２０１において、基板２０Ａの露出面２０Ａａａは、光反射性部材５０に接することが好ましい。半導体構造１０Ａの側面１０Ａｃは、光反射性部材５０に覆われている。また基板２０Ａの側面２０Ａｃと、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃは、光反射性部材５０に覆われている。
本変形例における発光装置１０１の製造方法によれば、亀裂Ｃを形成する前に、亀裂Ｃが形成される領域の直下及びその周辺の半導体構造１０を除去し、基板２０の第１面２０ａにおいて亀裂Ｃが形成される領域とその周辺を露出させた露出面２０ａａを設けている。半導体構造１０の側面１０ｃを傾斜面とし、発光モジュール２０１において側面１０Ａｃを覆う光反射性部材５０を設けている。これにより、本変形例における発光装置１０１を用いた発光モジュール２０１において、発光モジュール２０１の光取り出し効率を向上することができる。
＜第２の実施形態＞
以下、第２の実施形態に係る発光装置１０２の製造方法を説明する。
本実施形態に係る発光装置１０２の製造方法においては、第２部分Ｐ２を残存させる工程と、第２部分Ｐ２を割断する工程の間に、第２部分Ｐ２の第３部分Ｐ３を除去して第２凹部Ｒ２を形成し、第４部分Ｐ４を残存させる工程をさらに有する。
図９Ａ～図９Ｃは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
図９Ａに示すように、本実施形態においては、半導体構造１０及び配線構造１８が、亀裂Ｃの直下を避けて形成されている。
以下、第２の実施形態に係る発光装置１０２の製造方法を説明する。
本実施形態に係る発光装置１０２の製造方法においては、第２部分Ｐ２を残存させる工程と、第２部分Ｐ２を割断する工程の間に、第２部分Ｐ２の第３部分Ｐ３を除去して第２凹部Ｒ２を形成し、第４部分Ｐ４を残存させる工程をさらに有する。
図９Ａ～図９Ｃは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
図９Ａに示すように、本実施形態においては、半導体構造１０及び配線構造１８が、亀裂Ｃの直下を避けて形成されている。
（第１凹部Ｒ１を形成するとともに第２部分Ｐ２を残存させる工程）
図９Ａに示すように、波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去する。これにより、波長変換層３０に第１凹部Ｒ１を形成するとともに、第２部分Ｐ２を残存させる。本実施形態においては、ブレードＢ１の幅ｂ１は、例えば３００μｍ以上５００μｍ以下であり、第１凹部Ｒ１の幅ｒ１は、例えば３００μｍ以上５００μｍ以下である。これにより、第１の実施形態よりも発光装置１０２の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積をさらに小さくでき、発光装置１００の輝度を更に向上させることが可能である。第１凹部Ｒ１を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さは、波長変換層３０の厚さに対して、例えば、５０％以上９０％以下の厚さであることが好ましく、７０％以上９０％以下の厚さであることがさらに好ましい。第２部分Ｐ２の厚さは、例えば、波長変換層３０の厚さに対して、例えば、１０％以上５０％以下の厚さであることが好ましく、１０％以上３０％以下の厚さであることがさらに好ましい。
図９Ａに示すように、波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去する。これにより、波長変換層３０に第１凹部Ｒ１を形成するとともに、第２部分Ｐ２を残存させる。本実施形態においては、ブレードＢ１の幅ｂ１は、例えば３００μｍ以上５００μｍ以下であり、第１凹部Ｒ１の幅ｒ１は、例えば３００μｍ以上５００μｍ以下である。これにより、第１の実施形態よりも発光装置１０２の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積をさらに小さくでき、発光装置１００の輝度を更に向上させることが可能である。第１凹部Ｒ１を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さは、波長変換層３０の厚さに対して、例えば、５０％以上９０％以下の厚さであることが好ましく、７０％以上９０％以下の厚さであることがさらに好ましい。第２部分Ｐ２の厚さは、例えば、波長変換層３０の厚さに対して、例えば、１０％以上５０％以下の厚さであることが好ましく、１０％以上３０％以下の厚さであることがさらに好ましい。
（第２凹部Ｒ２を形成するとともに第４部分Ｐ４を残存させる工程）
図９Ｂに示すように、第２部分Ｐ２の第３部分Ｐ３を除去する。これにより、第２部分Ｐ２に第２凹部Ｒ２を形成するとともに第４部分Ｐ４を残存させる。第３部分Ｐ３は、波長変換層３０から半導体構造１０に向かう方向から見て、第２部分Ｐ２において亀裂Ｃと重なる部分である。図９Ｂに示すように、断面視において、第３部分Ｐ３の略中心に亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。第３部分Ｐ３は、上面視において第２部分Ｐ２の略中央に位置している。また、第３部分Ｐ３は、第２部分Ｐ２のうち基板２０から離れた部分である。
図９Ｂに示すように、第２部分Ｐ２の第３部分Ｐ３を除去する。これにより、第２部分Ｐ２に第２凹部Ｒ２を形成するとともに第４部分Ｐ４を残存させる。第３部分Ｐ３は、波長変換層３０から半導体構造１０に向かう方向から見て、第２部分Ｐ２において亀裂Ｃと重なる部分である。図９Ｂに示すように、断面視において、第３部分Ｐ３の略中心に亀裂Ｃを延長させた仮想線が位置している。第３部分Ｐ３は、上面視において第２部分Ｐ２の略中央に位置している。また、第３部分Ｐ３は、第２部分Ｐ２のうち基板２０から離れた部分である。
第４部分Ｐ４は、第２凹部Ｒ２と半導体構造１０の間にある。第４部分Ｐ４は、第３部分Ｐ３の直下において第３部分Ｐ３に隣接している。第４部分Ｐ４も、上面視において亀裂Ｃの直上に位置し、略中心に亀裂Ｃが位置している。第４部分Ｐ４は、上面視において第２部分Ｐ２の略中央に位置している。第３部分Ｐ３と第４部分Ｐ４は、第２部分Ｐ２よりも薄い。第３部分Ｐ３の厚さは、第２部分Ｐ２の厚さに対して、例えば１０％以上５０％以下の厚さである。第３部分Ｐ３の厚さを、第２部分Ｐ２の厚さに対して１０％以上とすることで、割断工程において波長変換層３０が第２凹部Ｒ２で割断されやすくなるため、割断工程の歩留まりが向上する。第３部分Ｐ３の厚さを、第２部分Ｐ２の厚さに対して５％以下とすることで、ブレードＢ２が基板２０に到達することを抑制できる。
平面視において、図１に示す加工領域ＲＴ内における第３部分Ｐ３を除去することで、第２凹部Ｒ２を形成するとともに第４部分Ｐ４を残存させる。平面視において、第３部分Ｐ３の除去は、個片化予定線ＤＴに沿って行う。
第３部分Ｐ３の除去は、例えばブレードＢ１よりも幅が狭いブレードＢ２による切削で行われる。ブレードＢ２の幅ｂ２は、例えば約３０μｍである。第３部分Ｐ３の除去によって形成される第２凹部Ｒ２の幅ｒ２は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、第３部分Ｐ３の除去によって形成される第２凹部Ｒ２の幅ｒ２は、ブレードＢ２の幅ｂ２より僅かに大きくなってもよい。第２凹部Ｒ２を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さは、第１凹部Ｒ１を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さよりも薄い。また、ブレードＢ２による切削は、第３部分Ｐ３と基板２０との間に第４部分Ｐ４を残存させるために、ブレードＢ２が基板２０に到達しないように行う。
第３部分Ｐ３の除去は、例えばブレードＢ１よりも幅が狭いブレードＢ２による切削で行われる。ブレードＢ２の幅ｂ２は、例えば約３０μｍである。第３部分Ｐ３の除去によって形成される第２凹部Ｒ２の幅ｒ２は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、第３部分Ｐ３の除去によって形成される第２凹部Ｒ２の幅ｒ２は、ブレードＢ２の幅ｂ２より僅かに大きくなってもよい。第２凹部Ｒ２を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さは、第１凹部Ｒ１を形成する際に除去する波長変換層３０の厚さよりも薄い。また、ブレードＢ２による切削は、第３部分Ｐ３と基板２０との間に第４部分Ｐ４を残存させるために、ブレードＢ２が基板２０に到達しないように行う。
また、ブレードＢ１で波長変換層３０の第１部分Ｐ１を除去して第２部分Ｐ２を残存させ、ブレードＢ１よりも幅の狭いブレードＢ２で第２部分Ｐ２の第３部分Ｐ３を除去し、第４部分Ｐ４を残存させている。これにより、後述する割断後に得られる発光装置１００において、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積が、下面３０Ａａの面積よりもさらに小さくでき、発光装置１００の輝度をさらに向上させることが可能である。例えば、比較的幅の広いブレードで第１凹部Ｒ１を形成し、第２凹部Ｒ２を形成せずに割断する場合、割断される位置の制御が難しく歩留まりを低下させるおそれがある。本実施形態では、第４部分Ｐ４を、第２部分Ｐ２の略中央に設け、第２部分Ｐ２よりも薄くしている。これにより、第４部分Ｐ４において割断されやすくなり割断位置の制御が容易になるため、割断工程の歩留まりが向上する。
本実施形態においては、ブレードＢ１と幅が異なるブレードＢ２によって、波長変換層３０の一部を除去しているが、これに限られない。波長変換層３０を除去する幅が異なればよいため、例えばブレード以外の手段で第３部分Ｐ３を除去してもよい。例えば、第３部分Ｐ３にレーザ光を照射することによって除去してもよい。
（割断する工程）
次に、波長変換層３０の第４部分Ｐ４を、亀裂Ｃに沿って割断する。
図９Ｃに示すように、例えば、基板２０において、第２凹部Ｒ２の直下に位置する部分を下側から押圧する。これにより、基板２０が亀裂Ｃにより割断されるとともに、波長変換層３０の第４部分Ｐ４も割断される。第４部分Ｐ４は、第２部分Ｐ２よりも薄く、上面視において亀裂Ｃと重なるため、亀裂Ｃに沿って容易に割断される。また、第４部分Ｐ４は、第２部分Ｐ２の略中央に設けられ、第４部分Ｐ４の略中央が亀裂Ｃを延長させた仮想線上に位置するため、亀裂Ｃに沿って容易に割断される。また、割断工程における歩留まりを向上させることができる。
次に、波長変換層３０の第４部分Ｐ４を、亀裂Ｃに沿って割断する。
図９Ｃに示すように、例えば、基板２０において、第２凹部Ｒ２の直下に位置する部分を下側から押圧する。これにより、基板２０が亀裂Ｃにより割断されるとともに、波長変換層３０の第４部分Ｐ４も割断される。第４部分Ｐ４は、第２部分Ｐ２よりも薄く、上面視において亀裂Ｃと重なるため、亀裂Ｃに沿って容易に割断される。また、第４部分Ｐ４は、第２部分Ｐ２の略中央に設けられ、第４部分Ｐ４の略中央が亀裂Ｃを延長させた仮想線上に位置するため、亀裂Ｃに沿って容易に割断される。また、割断工程における歩留まりを向上させることができる。
図１０に示すように、以上により製造された発光装置１０２の側面１０２ｃは、基板２０における亀裂Ｃの痕跡、波長変換層３０における第１凹部Ｒ１と第２凹部Ｒ２の内面と第４部分Ｐ４の割断面、半導体構造１０と配線構造１８における割断面、及び、基板２０の割断面を含む。
以下に、本実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置１０２について説明する。
図１０は、本実施形態における発光装置を示す断面図である。
図１０に示すように、発光装置１０２に含まれた波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、波長変換層３０Ａの下面３０Ａａの面積よりも小さい。本実施形態の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、第１の実施形態の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積よりも小さくできる。また、波長変換層３０の側面３０Ａｃのそれぞれは、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２と第３面Ｓ３を有する。第３面Ｓ３は、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２の間に設けられ、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを繋ぐ面である。第３面Ｓ３は、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃにおいて第２面Ｓ２の下面３０Ａａ側に設けられている。第３面Ｓ３は、ブレードＢ２による切削で形成された切断面である。第３面Ｓ３は、曲面を含む。第２面Ｓ２と第３面Ｓ３の境界には、突部ＳＰが形成されている。
図１０は、本実施形態における発光装置を示す断面図である。
図１０に示すように、発光装置１０２に含まれた波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、波長変換層３０Ａの下面３０Ａａの面積よりも小さい。本実施形態の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積は、第１の実施形態の波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積よりも小さくできる。また、波長変換層３０の側面３０Ａｃのそれぞれは、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２と第３面Ｓ３を有する。第３面Ｓ３は、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２の間に設けられ、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを繋ぐ面である。第３面Ｓ３は、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃにおいて第２面Ｓ２の下面３０Ａａ側に設けられている。第３面Ｓ３は、ブレードＢ２による切削で形成された切断面である。第３面Ｓ３は、曲面を含む。第２面Ｓ２と第３面Ｓ３の境界には、突部ＳＰが形成されている。
本実施形態に係る発光装置１０２の製造方法によれば、波長変換層３０の第２部分Ｐ２において亀裂Ｃと重なる第３部分Ｐ３を除去して第２凹部Ｒ２を形成するとともに、第２凹部Ｒ２と半導体構造１０の間にある波長変換層３０の第４部分Ｐ４を残存させている。そして、亀裂Ｃと重なった第４部分Ｐ４を、亀裂Ｃを起点に割断して、複数の発光装置１０２に個片化している。これにより、割断位置の精度を向上させ、発光装置１０２の側面１０２ｃの形状を良好にすることができるので、割断工程における歩留まりが向上する。
また、本実施形態によれば、波長変換層３０の除去幅を変えた２つの工程で波長変換層３０を加工している。まず、第１部分Ｐ１に比較的広い幅の第１凹部Ｒ１を形成し、その後、第２部分Ｐ２における亀裂Ｃ上の第４部分Ｐ４に第１凹部Ｒ１よりも狭い幅の第２凹部Ｒ２を形成している。これにより、発光装置１０２において発光面となる波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂの面積をより小さくして発光装置１０２の輝度を更に向上させながら、割断工程における歩留まりも向上することができる。
以下、第３の実施形態に係る発光装置１０３の製造方法を説明する。
本実施形態においては、割断後も工程があるため、割断によって形成されるものは、発光装置１０３ではなく中間構造体１０３Ｍとする。
本実施形態に係る発光装置１０３の製造方法においては、割断する工程の後に、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離を拡げる工程と、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する工程と、透光層８０の一部を除去する工程をさらに有する。
本実施形態においては、割断後も工程があるため、割断によって形成されるものは、発光装置１０３ではなく中間構造体１０３Ｍとする。
本実施形態に係る発光装置１０３の製造方法においては、割断する工程の後に、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離を拡げる工程と、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する工程と、透光層８０の一部を除去する工程をさらに有する。
図１１Ａ～図１２Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
以下の説明においては、原則として、第１の実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様である。
（割断する工程）
図４Ａに示すように、波長変換層３０の第２部分Ｐ２を亀裂に沿って割断する。図１１Ａに示すように、割断によって、複数の中間構造体１０３Ｍは、下面１０３Ｍａがテープ材Ｔに固定された状態で形成される。隣接する中間構造体１０３Ｍの下側面１０３Ｍｃは、互いに接し、または、僅かに離隔して対向している。
図１１Ａに示すように、各中間構造体１０３Ｍは、半導体構造１０の一部である半導体構造１０Ｍと、配線構造１８の一部である配線構造１８Ｍと、基板２０の一部である基板２０Ｍと、波長変換層３０の一部である波長変換層３０Ｍを有する。尚、図１１Ａ～図１２Ｂにおいては、簡略化のため、基板２０Ｍと半導体構造１０Ｍと配線構造１８Ｍを一体で示している。
図４Ａに示すように、波長変換層３０の第２部分Ｐ２を亀裂に沿って割断する。図１１Ａに示すように、割断によって、複数の中間構造体１０３Ｍは、下面１０３Ｍａがテープ材Ｔに固定された状態で形成される。隣接する中間構造体１０３Ｍの下側面１０３Ｍｃは、互いに接し、または、僅かに離隔して対向している。
図１１Ａに示すように、各中間構造体１０３Ｍは、半導体構造１０の一部である半導体構造１０Ｍと、配線構造１８の一部である配線構造１８Ｍと、基板２０の一部である基板２０Ｍと、波長変換層３０の一部である波長変換層３０Ｍを有する。尚、図１１Ａ～図１２Ｂにおいては、簡略化のため、基板２０Ｍと半導体構造１０Ｍと配線構造１８Ｍを一体で示している。
（隣接する中間構造体間の距離を拡げる工程）
次に、テープ材Ｔを引き伸ばすことで、図１１Ｂに示すように、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離を拡げる。
隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離は、例えば対向する下側面１０３Ｍｃ間の距離である。隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。これにより、テープ材Ｔに配置された状態でも下側面１０３Ｍｃを加工でき、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離が拡がるため表面を加工し易い。
また、本実施形態においては、テープ材Ｔは、引き伸ばしたときに中間構造体１０３Ｍの下面１０３Ｍａから剥離しない程度の粘着力があるものが好ましい。
次に、テープ材Ｔを引き伸ばすことで、図１１Ｂに示すように、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離を拡げる。
隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離は、例えば対向する下側面１０３Ｍｃ間の距離である。隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。これにより、テープ材Ｔに配置された状態でも下側面１０３Ｍｃを加工でき、隣接する中間構造体１０３Ｍ間の距離が拡がるため表面を加工し易い。
また、本実施形態においては、テープ材Ｔは、引き伸ばしたときに中間構造体１０３Ｍの下面１０３Ｍａから剥離しない程度の粘着力があるものが好ましい。
次に、中間構造体１０３Ｍの表面を加工する。
中間構造体１０３Ｍの表面を加工する工程は、例えば、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する工程と、透光層８０の一部を除去する工程とを含む。
中間構造体１０３Ｍの表面を加工する工程は、例えば、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する工程と、透光層８０の一部を除去する工程とを含む。
（中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する工程）
図１２Ａに示すように、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する。
透光層８０には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いることができる。透光層８０は、例えばスパッタリング法により形成される。
透光層８０は、例えば、中間構造体１０３Ｍの下側面１０３Ｍｃと上側面１０３Ｍｄと上面１０３Ｍｂに設けられる。詳細には、透光層８０は、例えば、波長変換層３０Ｍの表面と、基板２０Ｍの側面２０Ｍｃと、半導体構造１０Ｍの側面１０Ｍｃとに設けられる。
透光層８０は、波長変換層３０Ｍの上面３０Ｍｂに設けられた第１層８０ａと、波長変換層３０Ｍの側面３０Ｍｃ及び基板２０Ｍの側面２０Ｍｃとに設けられた第２層８０ｂと、を含む。
図１２Ａに示すように、中間構造体１０３Ｍの表面に透光層８０を形成する。
透光層８０には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いることができる。透光層８０は、例えばスパッタリング法により形成される。
透光層８０は、例えば、中間構造体１０３Ｍの下側面１０３Ｍｃと上側面１０３Ｍｄと上面１０３Ｍｂに設けられる。詳細には、透光層８０は、例えば、波長変換層３０Ｍの表面と、基板２０Ｍの側面２０Ｍｃと、半導体構造１０Ｍの側面１０Ｍｃとに設けられる。
透光層８０は、波長変換層３０Ｍの上面３０Ｍｂに設けられた第１層８０ａと、波長変換層３０Ｍの側面３０Ｍｃ及び基板２０Ｍの側面２０Ｍｃとに設けられた第２層８０ｂと、を含む。
第１層８０ａは、第２層８０ｂより厚く形成される。第１層８０ａの厚さは、例えば１μｍ以上２μｍ以下とすることができる。第２層８０ｂの厚さは、例えば２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができる。
スパッタリング法で形成された第１層８０ａは、上面に形成されるため、膜質が、側面に形成される第２層８０ｂの膜質よりも緻密に形成される傾向にある。よって、第１層８０ａは、エッチング精度が良好となり、例えばマスクを用いたパターニングにより所望の形状にエッチングしやすい。
スパッタリング法で形成された第１層８０ａは、上面に形成されるため、膜質が、側面に形成される第２層８０ｂの膜質よりも緻密に形成される傾向にある。よって、第１層８０ａは、エッチング精度が良好となり、例えばマスクを用いたパターニングにより所望の形状にエッチングしやすい。
（透光層８０の一部を除去する工程）
図１２Ｂに示すように、透光層８０の一部を除去する。
例えば、第２層８０ｂを覆い、第１層８０ａを部分的に覆うマスクを形成し、そのマスクを介して第１層８０ａを除去することで第１層８０ａを部分的に除去する。透光層８０の除去は、例えばウェットエッチングやドライエッチングにより行う。マスクをパターニングすることで、例えば、波長変換層３０Ｍの上面３０Ｍｂに規則的に配列された複数の第１層部分８０ａ１を配置する。
図１２Ｂに示すように、第１層部分８０ａ１の断面視形状は、例えば台形状であるが、三角形状でもよい。第１層部分８０ａ１の上面視形状は、例えば円形状または四角形状である。以上の工程によって、複数の発光装置１０３が製造される。
図１２Ｂに示すように、透光層８０の一部を除去する。
例えば、第２層８０ｂを覆い、第１層８０ａを部分的に覆うマスクを形成し、そのマスクを介して第１層８０ａを除去することで第１層８０ａを部分的に除去する。透光層８０の除去は、例えばウェットエッチングやドライエッチングにより行う。マスクをパターニングすることで、例えば、波長変換層３０Ｍの上面３０Ｍｂに規則的に配列された複数の第１層部分８０ａ１を配置する。
図１２Ｂに示すように、第１層部分８０ａ１の断面視形状は、例えば台形状であるが、三角形状でもよい。第１層部分８０ａ１の上面視形状は、例えば円形状または四角形状である。以上の工程によって、複数の発光装置１０３が製造される。
以下に、本実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置１０３について説明する。
図１３は、本実施形態における発光装置を示す断面図である。
発光装置１０３は、半導体構造１０の一部である半導体構造１０Ａと、配線構造１８の一部である配線構造１８Ａと、基板２０の一部である基板２０Ａと、波長変換層３０の一部である波長変換層３０Ａと、透光層８０Ａを有する。
図１３は、本実施形態における発光装置を示す断面図である。
発光装置１０３は、半導体構造１０の一部である半導体構造１０Ａと、配線構造１８の一部である配線構造１８Ａと、基板２０の一部である基板２０Ａと、波長変換層３０の一部である波長変換層３０Ａと、透光層８０Ａを有する。
透光層８０Ａは、発光装置１０３の上面１０３ｂと側面１０３ｃに露出している。
透光層８０Ａは、第１層８０Ａａと第２層８０Ａｂを有する。第１層８０Ａａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂに設けられている。第２層８０Ａｂは、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃと、基板２０Ａの側面２０Ａｃと、半導体構造１０Ａの側面１０Ａｃに設けられている。第１層８０Ａａは、第２層８０Ａｂよりも厚い。第１層８０Ａａの膜質は、第２層８０Ａｂの膜質より緻密である。第２層８０Ａｂの膜質は、第１層８０Ａａの膜質より粗い。第２層８０Ａｂの屈折率は、第１層８０Ａａの屈折率より低い。
第１層８０Ａａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂにおいて規則的に配列された複数の第１層部分８０Ａａ１を含む。図１３に示すように、第１層部分８０ａ１の断面視形状は、例えば台形状であるが、三角形状でもよい。第１層部分８０ａ１の上面視形状は、例えば円形状または四角形状である。
透光層８０Ａは、第１層８０Ａａと第２層８０Ａｂを有する。第１層８０Ａａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂに設けられている。第２層８０Ａｂは、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃと、基板２０Ａの側面２０Ａｃと、半導体構造１０Ａの側面１０Ａｃに設けられている。第１層８０Ａａは、第２層８０Ａｂよりも厚い。第１層８０Ａａの膜質は、第２層８０Ａｂの膜質より緻密である。第２層８０Ａｂの膜質は、第１層８０Ａａの膜質より粗い。第２層８０Ａｂの屈折率は、第１層８０Ａａの屈折率より低い。
第１層８０Ａａは、波長変換層３０Ａの上面３０Ａｂにおいて規則的に配列された複数の第１層部分８０Ａａ１を含む。図１３に示すように、第１層部分８０ａ１の断面視形状は、例えば台形状であるが、三角形状でもよい。第１層部分８０ａ１の上面視形状は、例えば円形状または四角形状である。
本実施形態に係る発光装置１０３の製造方法によれば、一枚の基板２０から多くの中間構造体１０３Ｍを製造しつつ、中間構造体１０３Ｍの表面を効率的に加工できる。
本実施形態における発光装置１０３によれば、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃに透光層８０Ａの第２層８０Ａｂを設けることにより、発光装置１０３の側方への光を波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃと第２層８０Ａｂとの界面で反射させ、発光装置１０３の上面１０３ｂからの光取り出し効率を向上できる。また、発光装置１０３によれば、波長変換層３０の上面３０Ａｂに複数の第１層部分８０Ａａ１を形成することにより、発光装置１０３の上面１０３ｂからの光取り出し効率を向上できる。
本実施形態における発光装置１０３によれば、波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃに透光層８０Ａの第２層８０Ａｂを設けることにより、発光装置１０３の側方への光を波長変換層３０Ａの側面３０Ａｃと第２層８０Ａｂとの界面で反射させ、発光装置１０３の上面１０３ｂからの光取り出し効率を向上できる。また、発光装置１０３によれば、波長変換層３０の上面３０Ａｂに複数の第１層部分８０Ａａ１を形成することにより、発光装置１０３の上面１０３ｂからの光取り出し効率を向上できる。
１０、１０Ａ、１０Ｍ：半導体構造
１０ｃ、１０Ｍｃ：側面
１１、１１Ａ：発光層
１２、１２Ａ：ｎ側半導体層
１３、１３Ａ：ｐ側半導体層
１４、１４Ａ：第１導電層
１５、１５Ａ：第２導電層
１６、１６Ａ：ｐ側電極
１７、１７Ａ：絶縁層
１８、１８Ａ、１８Ｍ：配線構造
１８ａ、１８Ａａ：下面
１８ｃ、１８Ｍｃ：側面
２０、２０Ａ、２０Ｍ：基板
２０ａ、２０Ａａ：第１面
２０ａａ、２０Ａａａ：露出面
２０ｂ、２０Ａｂ：第３面
２０Ａｃ、２０Ｍｃ：側面
２０ｄ：第２面
３０、３０Ａ、３０Ｍ：波長変換層
３０ａ、３０Ａａ：下面
３０ｂ、３０Ａｂ、３０Ｍｂ：上面
３０Ａｃ、３０Ｍｃ：側面
４０：支持部材
５０：光反射性部材
６０：導電部材
７０：金属部材
８０、８０Ａ：透光層
８０ａ、８０Ａａ：第１層
８０ａ１、８０Ａａ１：第１層部分
８０ｂ、８０Ａｂ：第２層
１００、１０１、１０２、１０３：発光装置
１００ａ、１０３ａ：下面
１００ｂ、１０３ｂ：上面
１００ｃ、１０１ｃ、１０２ｃ、１０３ｃ：側面
１０３Ｍ：中間構造体
１０３Ｍａ：下面
１０３Ｍｂ：上面
１０３Ｍｃ：下側面
１０３Ｍｄ：上側面
２００、２０１：発光モジュール
Ｂ１、Ｂ２：ブレード
ＢＤ：接合部材
Ｃ：亀裂
ＤＴ：個片化予定線
Ｌ：レーザ光
Ｍ：改質領域
Ｐ１～Ｐ４：第１部分～第４部分
Ｒ１、Ｒ２：凹部
ＲＴ：加工領域
Ｓ１～Ｓ３：第１面～第３面
ＳＢ：支持基板
ＳＰ：突部
Ｔ：テープ材
ｂ１、ｂ２：ブレード幅
ｒ１、ｒ２、ｔ１：幅
ｔｓ：厚さ
１０ｃ、１０Ｍｃ：側面
１１、１１Ａ：発光層
１２、１２Ａ：ｎ側半導体層
１３、１３Ａ：ｐ側半導体層
１４、１４Ａ：第１導電層
１５、１５Ａ：第２導電層
１６、１６Ａ：ｐ側電極
１７、１７Ａ：絶縁層
１８、１８Ａ、１８Ｍ：配線構造
１８ａ、１８Ａａ：下面
１８ｃ、１８Ｍｃ：側面
２０、２０Ａ、２０Ｍ：基板
２０ａ、２０Ａａ：第１面
２０ａａ、２０Ａａａ：露出面
２０ｂ、２０Ａｂ：第３面
２０Ａｃ、２０Ｍｃ：側面
２０ｄ：第２面
３０、３０Ａ、３０Ｍ：波長変換層
３０ａ、３０Ａａ：下面
３０ｂ、３０Ａｂ、３０Ｍｂ：上面
３０Ａｃ、３０Ｍｃ：側面
４０：支持部材
５０：光反射性部材
６０：導電部材
７０：金属部材
８０、８０Ａ：透光層
８０ａ、８０Ａａ：第１層
８０ａ１、８０Ａａ１：第１層部分
８０ｂ、８０Ａｂ：第２層
１００、１０１、１０２、１０３：発光装置
１００ａ、１０３ａ：下面
１００ｂ、１０３ｂ：上面
１００ｃ、１０１ｃ、１０２ｃ、１０３ｃ：側面
１０３Ｍ：中間構造体
１０３Ｍａ：下面
１０３Ｍｂ：上面
１０３Ｍｃ：下側面
１０３Ｍｄ：上側面
２００、２０１：発光モジュール
Ｂ１、Ｂ２：ブレード
ＢＤ：接合部材
Ｃ：亀裂
ＤＴ：個片化予定線
Ｌ：レーザ光
Ｍ：改質領域
Ｐ１～Ｐ４：第１部分～第４部分
Ｒ１、Ｒ２：凹部
ＲＴ：加工領域
Ｓ１～Ｓ３：第１面～第３面
ＳＢ：支持基板
ＳＰ：突部
Ｔ：テープ材
ｂ１、ｂ２：ブレード幅
ｒ１、ｒ２、ｔ１：幅
ｔｓ：厚さ
Claims (17)
- 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１面に発光層を含む半導体構造を形成する工程と、
前記基板内に前記基板の前記第１面に達する亀裂を形成する工程と、
前記基板の前記第２面側に波長変換層を配置する工程と、
前記波長変換層から前記半導体構造に向かう方向から見て、前記亀裂と重なる前記波長変換層の第１部分を除去して前記波長変換層に第１凹部を形成するとともに、前記第１凹部と前記半導体構造の間にある前記波長変換層の第２部分を残存させる工程と、
前記第２部分を前記亀裂に沿って割断する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。 - 前記亀裂を形成する工程において、前記基板の前記第２面側から前記基板にレーザ光を照射することにより前記基板内に改質領域を形成し、前記亀裂は前記改質領域から前記第１面に向かって伸展する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
- 前記亀裂を形成する工程において、前記レーザ光を前記第１面から前記基板の厚さの半分以上離れた位置に集光させて前記改質領域を形成する請求項２に記載の発光装置の製造方法。
- 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１面に発光層を含む半導体構造を形成する工程と、
前記基板内に前記基板の前記第１面に達する亀裂を形成する工程と、
前記亀裂を形成する工程の後、前記基板の一部を前記第２面側から除去し、前記基板に第３面を形成する工程と、
前記基板の前記第３面に波長変換層を配置する工程と、
前記波長変換層から前記半導体構造に向かう方向から見て、前記亀裂と重なる前記波長変換層の第１部分を除去して前記波長変換層に第１凹部を形成するとともに、前記第１凹部と前記半導体構造の間にある前記波長変換層の第２部分を残存させる工程と、
前記第２部分を前記亀裂に沿って割断する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。 - 前記亀裂を形成する工程において、前記基板の前記第２面側から前記基板にレーザ光を照射することにより前記基板内に改質領域を形成し、前記亀裂は前記改質領域から伸展する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
- 前記亀裂を形成する工程において、前記改質領域から前記第１面に向かって前記亀裂が延びる請求項５に記載の発光装置の製造方法。
- 前記亀裂を形成する工程において、前記レーザ光を前記第１面から前記基板の厚さの半分以上離れた位置に集光させて前記改質領域を形成する請求項５または６に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第３面を形成する工程において、前記改質領域は前記基板から除去され、前記亀裂は前記基板内に残存する請求項５～７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第３面を形成する工程において、前記基板の厚さを前記波長変換層の厚さよりも薄くする請求項４～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２部分を残存させる工程において、ブレードで切削することにより、前記第１部分を除去する請求項１～９のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２部分を残存させる工程と前記第２部分を割断する工程の間に、前記波長変換層から前記半導体構造に向かう方向から見て、前記第２部分のうち前記亀裂と重なる第３部分を除去して前記波長変換層に第２凹部を形成するとともに、前記第２凹部と前記半導体構造の間にある第４部分を残存させる工程をさらに備え、
前記割断する工程において、前記第４部分を前記亀裂に沿って割断する請求項１～１０のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。 - 前記半導体構造を形成する工程の後に、前記半導体構造の前記基板側とは反対側に支持基板を接合する工程と、
前記波長変換層を配置する工程の後に、前記支持基板を除去する工程と、
をさらに備えた請求項１～１１のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。 - 前記半導体構造の前記基板側とは反対側にテープ材を固定する工程をさらに備えた請求項１～１２のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記割断する工程において、前記半導体構造の一部と、前記基板の一部と、前記波長変換層の一部を含む中間構造体が前記テープ材に固定された状態で複数形成され、
前記割断する工程の後に、
前記テープ材を引き伸ばすことで、隣接する前記中間構造体間の距離を拡げる工程と、
前記中間構造体の表面に透光層を形成する工程と、
をさらに備えた請求項１３に記載の発光装置の製造方法。 - 前記透光層は、前記中間構造体の上面に形成された第１層と、前記中間構造体の側面に形成された第２層とを含み、
前記第１層を、前記第２層よりも厚くする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。 - 前記透光層を形成する工程の後に、前記透光層の一部を除去する工程をさらに備えた請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光層は、前記中間構造体の上面に形成された第１層と、前記中間構造体の側面に形成された第２層とを含み、
前記透光層の一部を除去する工程は、前記第１層の一部を除去し、複数の第１層部分を規則的に配列させる請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
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