JP2016207924A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016207924A JP2016207924A JP2015090419A JP2015090419A JP2016207924A JP 2016207924 A JP2016207924 A JP 2016207924A JP 2015090419 A JP2015090419 A JP 2015090419A JP 2015090419 A JP2015090419 A JP 2015090419A JP 2016207924 A JP2016207924 A JP 2016207924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- resin layer
- optical member
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 131
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 127
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 239000010408 film Substances 0.000 description 85
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 9
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る発光装置100の製造方法は、光取出面が粗面である半導体発光素子10を準備する工程と、半導体発光素子10の光取出面上に樹脂を塗布し、硬化して樹脂層20を形成する工程と、第1金属膜41が下面に形成された光学部材30を準備する工程と、樹脂層20の上面に第2金属膜42を形成する工程と、第1金属膜41と記第2金属膜42とを向かい合わせて荷重することにより原子拡散接合する工程と、を含む。
【選択図】 図1
Description
図1に、本実施形態に係る発光装置100を示す。発光装置100は、光取出面が粗面である半導体発光素子10と、半導体発光素子10の光取出面上に設けられた樹脂層20と、樹脂層20の上面側に設けられた光学部材30と、を備える。特に、樹脂層20は、光学部材30近傍に金属元素21を含んで構成され、半導体発光素子10の側面は樹脂層20から露出している。
半導体発光素子10は、半導体層12と、n側電極13a及びp側電極13bと、を備えている。図1に示されている半導体発光素子10は、光取出面側から、n型半導体層12a、活性層12b、及びp型半導体層12cがこの順に積層されて構成されている。これらの層はいずれも、好ましくはGaN、GaAs、InGaN、AlGaN、AlN、AlInGaP、GaP、SiC、及びZnOなどから成る群より選択される一種又は二種以上から成る。特に、これらの層としては、一般式がInXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y<1)で表わされるGaN系化合物を用いるのが好ましい。n型半導体層12aはn側電極13aと接続され、p型半導体層12cはp側電極13bと接続される。なお、半導体発光素子10は、サファイアなどの成長基板11を備えていてもよい。好ましくは後述するように半導体層12を光取り出し面とすることが好ましい。これにより、成長基板11での光の吸収を抑制することができ、光の取出し効率を向上させることができる。
樹脂層20は、半導体発光素子10の光取出面上に設けられる。樹脂層20は、光取出面の粗面を覆い、当該粗面が樹脂層20の上面に現れない厚さで形成するのが好ましい。樹脂層20の厚さは、例えば、好ましくは0.1μm以上10μm以下、より好ましくは0.1μm以上5μm以下とする。前述の下限値以上にすることで光取出面の全域を確実に覆うことができ、前述の上限値以下にすることで平坦化が容易となり、光の横抜けを防止することができる。ここでいう厚さとは、半導体発光素子10の光取出面における最上端から樹脂層20の上面までの最短距離をさす。なお、樹脂層20の上面は少なくとも粗面よりも平坦な面とする。
光学部材30は、前記したように、樹脂層20の上面側に設けられる。光学部材30は、樹脂層20の光出射面から出射された光に所定の作用を及ぼす機能を有する。そのような光学部材30として、例えば、蛍光体含有板、サファイア基板、GaN基板、ガラス及び樹脂板が挙げられるがこれに限定されるものではない。光学部材30の材料は、半導体発光素子10からの光に対して透光性を有する限り、特に限定されない。また、光学部材30は、レンズとすることもできる。
次に、図1及び図6〜図16を参照して本実施形態に係る発光装置100の製造方法(以下、単に「製造方法」ということもある。)について説明する。本実施形態に係る製造方法は、光取出面が粗面である半導体発光素子10を準備する工程と、半導体発光素子10の光取出面上に樹脂を塗布し、硬化して樹脂層20を形成する工程と、第1金属膜41が下面に形成された光学部材30を準備する工程と、樹脂層20の上面に第2金属膜42を形成する工程と、第1金属膜41と第2金属膜42とを向かい合わせて荷重することにより原子拡散接合する工程と、を含む。
まず、光取出面が粗面である半導体発光素子10を準備する。詳細には、図6に示すように、成長基板11上にn型半導体層12a、活性層12b、p型半導体層12cをこの順で積層し、これに所定の電極を形成する。このとき、図6を参照して具体的に説明すると、成長基板11上にn型半導体層12a、活性層12b及びp型半導体層12cが順次積層される。これに続けて、フォトリソグラフィとエッチングとを行い、p型半導体層12c、活性層12b、及びn型半導体層12aの一部を除去し、n側電極13aを形成する位置でn型半導体層12aを露出させるとともに、分離溝を形成する。そして、露出したn型半導体層12aの底面にn側電極13aを形成する。p側電極13bは、p型半導体層12c上の所定の位置に形成する。なお、保護層14もこの工程で設けるのが好ましい。成長基板11としては、サファイア基板などを好適に用いることができる。また、この時点で半導体発光素子10の諸特性を測定しておくのが好ましい。こうすることで、光学部材30として蛍光体板を用いる際に、半導体発光素子10からの光の波長に合わせた蛍光体板を選択することができる。
次に、図11に示すように、半導体発光素子10の光取出面上に樹脂を塗布し、硬化して樹脂層20を形成する。樹脂は、公知の方法により塗布することができる。例えば、スピンコート法やスプレー塗布法等を用いることができるが、好ましくはスピンコート法により形成する。これにより、樹脂の上面を平坦に形成しやすくなり、生産性を向上させることができる。
次に、図12に示すように、第1金属膜41が下面に形成された光学部材30を準備する。なお、図12においては、便宜的に第1金属膜41を一定の膜厚で図示している。光学部材30の樹脂層20と接合される表面が平坦面でない場合は、第1金属膜41を形成する前に平坦化しておくのが好ましい。ここでいう、光学部材30の樹脂層20と接合される表面とは光学部材30の下面をさす。光学部材30の下面が十分に平坦である場合は、下面を平坦化する処理は必要ない。なお、光学部材30の下面の算術平均粗さRaは1nm以下であるのが好ましく、したがって平坦化処理を実施する場合にはRaが1nm以下となるように実施するのが好ましい。光学部材30の上面は粗面化処理又は平坦化処理に付されていてよく、あるいはそれらの処理に付されていなくてもよい。光学部材30の上面が粗面化されていれば光の全反射等を抑制することができるため、光の取り出し効率を向上させることが可能である。なお、第1金属膜41を形成する前の光学部材30は、いつ準備してもよい。例えば、半導体発光素子10を準備する工程の前に準備しておくこともできる。第1金属膜41は半導体発光素子10を準備する工程の前に形成することもできるが、超高真空を維持する必要があることから第2金属膜42を形成する際にまとめて成膜装置内に搬入して形成するのが好ましい。
次に、図13に示すように樹脂層20の上面に第2金属膜42を形成する。図13においては、便宜的に第2金属膜42を一定の膜厚で図示している。第2金属膜42は第1金属膜41と同様の方法により形成することができる。なお、第2金属膜42の膜厚は第1金属膜41と同じ膜厚にすることもできるが、異なる膜厚にすることもできる。なお、光学部材30への第1金属膜41の形成と樹脂層20への第2金属膜42の形成は、光学部材30と樹脂層20が設けられた半導体発光素子10とをともに成膜装置内に搬入し、第1金属膜41と第2金属膜42とを形成するのが好ましい。このとき第1金属膜41と第2金属膜42とを順に形成してもよいし、同時に形成してもよい。これにより、不純物の混入や化学反応が起こるのを抑制することができる。
次に、図14に示すように、第1金属膜41と第2金属膜42とを向かい合わせて荷重することにより原子拡散接合する。具体的には、光学部材30の下面に設けられた第1金属膜41と樹脂層20の上面に設けられた第2金属膜42とを原子拡散接合法により接合する。このプロセスにより、半導体発光素子10/樹脂層20/光学部材30という構成を有する発光装置100を得ることができる。なお、本実施形態においては接合する部材の一方に樹脂を用いているため硬化後も柔らかい。このため、樹脂層20の原子拡散接合のために通常必要であると考えられているほどの平坦性がなくとも、第1金属膜41と第2金属膜42とを荷重することで接合できる。
次に、図15に示すように、光学部材30が接合された半導体発光素子10から、接着樹脂50とともに支持基板60を剥離する。支持基板60の剥離は、用いた接着樹脂50に応じて適切な方法により行うことができる。なお、支持基板60剥離工程は製造プロセスにおいて他のタイミングで行うこともできるが、製造途中の半導体発光素子10の強度及びハンドリング性を考慮すると、原子拡散接合工程の後であって個片化工程の前に行うのが好ましい。
次に、図16に示すように、ウエハを複数の発光装置100に個片化する。個片化はスクライブやダイシングによって行うことができる。半導体発光素子10のチップ化が例えば光学部材30を接合する工程の前に実施されている場合は、発光装置に個片化する工程においては、光学部材30のみが分離されることとなる。
なお、原子拡散接合する工程の後に、発光装置100を加熱する工程を含んでいてもよい。これにより、金属元素21の拡散及び酸化を促進することができる。このとき、加熱温度は、好ましくは50℃以上450℃以下、より好ましくは50℃以上200℃以下、さらに好ましくは100℃以上170℃以下とすることができる。前述の下限値以上とすることで拡散及び酸化を促進しやすくなり、前述の上限値以下とすることで樹脂20等の劣化を抑制することができる。
図3に本実施形態に係る発光装置200の概略断面図を示す。発光装置200は、樹脂層20の上面側に、2つの光学部材30を積層している。発光装置200は、樹脂層20の上面に樹脂板(以下、「第1光学部材31」ともいう。)を接合し、さらにその上に平板状の蛍光体板(以下、「第2光学部材32」ともいう。)を接合している。この発光装置200によれば、樹脂層20に接合する対象物が平坦面を形成しにくい材料であっても接合することができる。例えば、ガラス等の無機材料中に蛍光体を含む蛍光体板のように、均質でない材料を用いて形成されている場合は、CMP法などによっても表面の算術平均粗さRaを1nm以下とするのは困難な場合がある。これは、材料中の成分によって研磨レートが異なるためである。本実施形態によれば、蛍光体板である第2光学部材32の下面に第1光学部材31を形成しているため、平坦面を形成することができ、接合が可能となる。
図4に、本実施形態に係る発光装置300の概略断面図を示す。発光装置300は、樹脂層20の上面側に、光学部材30としてレンズを接合している。この発光装置300によれば、半導体発光素子10からの光をレンズによって集束又は拡散させることができる。
図5に、本実施形態に係る発光装置の概略断面図を示す。本実施形態に係る発光装置は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト、フルカラー表示の屋外ディスプレイ、玩具、一般照明、及び光通信用の光源などとして用いられる発光装置の一態様である。以下の説明では、説明の便宜のため本実施形態に係る発光装置を「光源装置1000」という。
10…半導体発光素子
11…成長基板
12…半導体層
12a…n型半導体層
12b…活性層
12c…p型半導体層
13a…n側電極
13b…p側電極
13c…全面電極
13d…カバー電極
14…保護層
20…樹脂層
21…金属元素
30…光学部材
31…第1光学部材
32…第2光学部材
41…第1金属膜
42…第2金属膜
50…接着樹脂
60…支持基板
70…バンプ
80…実装基板
81…配線
90…封止部材
1000…光源装置(発光装置)
Claims (12)
- 光取出面が粗面である半導体発光素子を準備する工程と、
前記半導体発光素子の光取出面上に樹脂を塗布し、硬化して樹脂層を形成する工程と、
第1金属膜が下面に形成された光学部材を準備する工程と、
前記樹脂層の上面に第2金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜と前記第2金属膜とを向かい合わせて荷重することにより原子拡散接合する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記半導体発光素子を準備する工程において、
支持基板上に複数の前記半導体発光素子が設けられたウエハを準備し、
前記原子拡散接合する工程よりも後に、
前記ウエハを複数の発光装置に個片化する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記原子拡散接合する工程の後に、前記発光装置を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光装置を加熱する工程において、加熱温度は50℃以上450℃以下で行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記光学部材が、蛍光体含有板、サファイア基板、GaN基板、ガラス又は樹脂板であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記光学部材が、レンズであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1金属膜及び第2金属膜を形成する工程において、前記第1金属膜及び第2金属膜の膜厚をそれぞれ成膜速度換算で0.05nm以上5nm以下で形成することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 光取出面が粗面である半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の光取出面上に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の上面側に設けられた光学部材と、を備え、
前記樹脂層は、前記光学部材近傍に金属元素を含んで構成され、
前記半導体発光素子の側面は前記樹脂層から露出していることを特徴とする発光装置。 - 前記樹脂層において、前記金属元素の濃度は前記半導体発光素子側よりも前記光学部材側が高いことを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 前記金属元素は、Al、Ti、Ni、Ta又はCrを含むことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の発光装置。
- 前記樹脂層は、前記光学部材近傍に前記金属元素が酸化された金属酸化物を含むことを特徴とする請求項8から請求項10のいずれかに記載の発光装置。
- 前記樹脂層は、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015090419A JP6668608B2 (ja) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015090419A JP6668608B2 (ja) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020031496A Division JP7011195B2 (ja) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016207924A true JP2016207924A (ja) | 2016-12-08 |
JP6668608B2 JP6668608B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=57487320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015090419A Active JP6668608B2 (ja) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6668608B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018116350A1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
CN108511575A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 日亚化学工业株式会社 | 光学部件的制造方法 |
JP2018186257A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
CN110611021A (zh) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP2020188212A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2021504752A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
JP2021197542A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR20220011807A (ko) * | 2017-05-25 | 2022-01-28 | 가부시키가이샤 신가와 | 구조체의 제조 방법 및 구조체 |
US20220130898A1 (en) | 2017-11-27 | 2022-04-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected led sub-units |
JP2022093403A (ja) * | 2017-11-24 | 2022-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2023067723A (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7011195B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
JP2002176200A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2005057266A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
JP2006210916A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 発光装置 |
JP2007051053A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-03-01 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007204354A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-08-16 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007281203A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 2つの被接合物を接合する接合方法および接合装置 |
JP2007302501A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007302799A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Sony Corp | ナノ粒子−樹脂複合材料及びその製造方法、並びに、発光素子組立体、発光素子組立体用の充填材料、及び、光学材料 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
JP2009111102A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 集積型発光源およびその製造方法 |
JP2009193975A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-08-27 | Alps Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2010510671A (ja) * | 2006-11-17 | 2010-04-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Led光源用の光学接着組成物 |
WO2010082286A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
JP2011009305A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012223792A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Musashino Eng:Kk | 原子拡散接合方法及び前記方法で封止されたパッケージ型電子部品 |
US20120305942A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Aceplux Optotech Inc. | Epitaxial substrate, light-emitting diode, and methods for making the epitaxial substrate and the light-emitting diode |
JP2013106048A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及びこれを備えた発光装置 |
JP2013536987A (ja) * | 2010-09-02 | 2013-09-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップ |
JP2013197309A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US20140191243A1 (en) * | 2013-01-08 | 2014-07-10 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Patterned articles and light emitting devices therefrom |
JP2015029079A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6387780B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-04-27 JP JP2015090419A patent/JP6668608B2/ja active Active
Patent Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176200A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
JP2005057266A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
JP2006210916A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 発光装置 |
JP2007051053A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-03-01 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007204354A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-08-16 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007281203A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 2つの被接合物を接合する接合方法および接合装置 |
JP2007302501A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sony Corp | 金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料 |
JP2007302799A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Sony Corp | ナノ粒子−樹脂複合材料及びその製造方法、並びに、発光素子組立体、発光素子組立体用の充填材料、及び、光学材料 |
JP2009193975A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-08-27 | Alps Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
JP2010510671A (ja) * | 2006-11-17 | 2010-04-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Led光源用の光学接着組成物 |
JP2009111102A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 集積型発光源およびその製造方法 |
WO2010082286A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
JP2011009305A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
JP2013536987A (ja) * | 2010-09-02 | 2013-09-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップ |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012223792A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Musashino Eng:Kk | 原子拡散接合方法及び前記方法で封止されたパッケージ型電子部品 |
US20120305942A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Aceplux Optotech Inc. | Epitaxial substrate, light-emitting diode, and methods for making the epitaxial substrate and the light-emitting diode |
JP2013106048A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及びこれを備えた発光装置 |
JP2013197309A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US20140191243A1 (en) * | 2013-01-08 | 2014-07-10 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Patterned articles and light emitting devices therefrom |
JP2015029079A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6387780B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6414334B1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-10-31 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
WO2018116350A1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
CN108511575A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 日亚化学工业株式会社 | 光学部件的制造方法 |
JP2018186257A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
CN108511575B (zh) * | 2017-02-28 | 2023-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光学部件的制造方法 |
JP6993563B2 (ja) | 2017-02-28 | 2022-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
KR102404406B1 (ko) | 2017-05-25 | 2022-06-03 | 가부시키가이샤 신가와 | 구조체의 제조 방법 및 구조체 |
US11569192B2 (en) | 2017-05-25 | 2023-01-31 | Shinkawa Ltd. | Method for producing structure, and structure |
KR20220011807A (ko) * | 2017-05-25 | 2022-01-28 | 가부시키가이샤 신가와 | 구조체의 제조 방법 및 구조체 |
JP7266178B2 (ja) | 2017-11-24 | 2023-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2022093403A (ja) * | 2017-11-24 | 2022-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2021504752A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US20220130898A1 (en) | 2017-11-27 | 2022-04-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected led sub-units |
US12021111B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-06-25 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode stack including hydrophilic material layer |
US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
US12009384B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-06-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
CN110611021A (zh) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP7071648B2 (ja) | 2019-05-16 | 2022-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US11482643B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-10-25 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
JP2020188212A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2021197542A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7089204B2 (ja) | 2020-06-09 | 2022-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7432846B2 (ja) | 2021-10-29 | 2024-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2023067723A (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6668608B2 (ja) | 2020-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6668608B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US12002902B2 (en) | Light emitting device, and method for manufacturing thereof | |
JP6205897B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US9929324B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6699634B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5251038B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6008940B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2016072304A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2011243977A (ja) | 波長変換層を有する発光ダイオードチップとその製造方法、及びそれを含むパッケージ及びその製造方法 | |
TW201933632A (zh) | 照明結構及製造發光裝置之方法 | |
JP6566016B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2013251417A (ja) | 発光装置 | |
JP6512201B2 (ja) | 線状発光装置の製造方法及び線状発光装置 | |
JP6171749B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6447018B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP6460189B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2016219794A (ja) | 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置 | |
JP2012015437A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR100613273B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
TWI241728B (en) | Semiconductor light-emitting device and production method thereof | |
JP7227458B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7011195B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2019054277A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2019134187A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2018029163A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6668608 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |