JP2019054277A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光取り出しの高い発光装置を容易に作製する。【解決手段】第１主面及び第２主面を有する基板と、前記第１主面上に設けられた半導体層と、前記半導体層と電気的に接続される電極と、を有する発光素子を準備する第１の工程と、前記第１主面側よりも前記第２主面側の外側面が外側に位置するように、前記基板の側面側に被覆部材を形成する第２の工程と、前記被覆部材の前記外側面を光反射部材で被覆する第３の工程と、前記半導体層から前記基板を除去する第４の工程と、を有する発光装置の製造方法。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、各種照明やバックライト用光源など様々な用途で広く利用されている。

特許文献１には、ＣＳＰ（Chip Size Package）タイプの半導体発光装置が開示されている。特許文献１の半導体発光装置は、透明絶縁基板と半導体層とを有する半導体発光素子の側面が、白色反射部材で覆われ、蛍光体シートが、接着部材により透明絶縁基板及び白色反射部材上に設けられている。このような構成とすることで、小型で、容易に製造可能な半導体発光装置を作製することができる。

特開２０１２−２２７４７０号公報

しかしながら、特許文献１に開示される半導体発光装置は、半導体発光素子が透明絶縁基板を有しているため、半導体層からの出射光の一部が吸収されてしまい、光の取り出しが低下する恐れがある。

そこで、本発明の実施形態は、光取り出しの高い発光装置を提供することを目的とする。また、光取り出しの高い発光装置を容易に作製できる製造方法を提供することを目的とする。

実施形態に係る発光装置の実装方法は、第１主面及び第２主面を有する基板と、前記第１主面上に設けられた半導体層と、前記半導体層と電気的に接続される電極と、を有する発光素子を準備する第１の工程と、前記第１主面側よりも前記第２主面側の外側面が外側に位置するように、前記基板の側面側に被覆部材を形成する第２の工程と、前記被覆部材の前記外側面を光反射部材で被覆する第３の工程と、前記半導体層から前記基板を除去する第４の工程と、を有する。

本発明の実施形態によれば、光取り出しの高い発光装置を提供することができる。また、光取り出しの高い発光装置を容易に作製できる製造方法を提供することができる。

実施形態１に係る発光装置の断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第１の工程について示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す平面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第３の工程について示す側面透過図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第３の工程について示す側面透過図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第４の工程について示す側面透過図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の第４の工程について示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の透光部材形成工程について示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の封止部材形成工程について示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の反射層形成工程について示す断面図である。 実施形態２に係る発光装置の断面図である。 実施形態２に係る発光装置の平面図である。 実施形態２に係る発光装置の製造方法の第２の工程について示す側面図である。 実施形態２に係る発光装置の製造方法の第３の工程について示す側面透過図である。 実施形態２に係る発光装置の製造方法の第４の工程について示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、実施形態の技術的思想を具現化するためのものであって、以下に限定するものではない。特に、構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、実施形態の技術的範囲を限定するものではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。以下に記載される実施形態は、各構成等を適宜組み合わせて適用できる。

＜実施形態１＞
（発光装置）
図１は、本実施形態に係る発光装置１０００の断面図である。
本実施形態の発光装置１０００は、発光素子１０のｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐが露出する面を実装面とし、実装面の反対側の面を光出射面とする上面発光型（トップビュー型）の発光装置である。なお、これに限らず、側面発光型（サイドビュー型）の発光装置としてもかまわない。また、発光装置１０００が、例えば他の配線基板等に実装された形態でもかまわない。

発光装置１０００は、半導体層２と、半導体層２と電気的に接続される正負一対の電極３ｎ，３ｐとを有する発光素子１０を備える。また、半導体層２の光出射面側を露出するように、電極３ｎ，３ｐと半導体層２の電極を有する側の面及び側面とを被覆する光反射部材５を有する。光反射部材５は、半導体層２を囲むように形成され、半導体層２よりも高い側壁５ａを有する。光反射部材５の側壁５ａと半導体層２の露出面とによって、発光装置１０００の凹部５ｃが形成される。光反射部材５の側壁５ａの内側面５ｂは、半導体層２側よりも発光装置１０００の光出射面側が外側に位置するように形成される。
本実施形態では、光反射部材５の側壁５ａの内側面５ｂは、半導体層２側から発光装置１０００の光出射面側に向かって外側に傾斜する傾斜面を有する。光反射部材５の外側面は、実装面に対して略垂直に形成することができる。すなわち、光反射部材５の側壁５ａは、半導体層２側から発光装置１０００の光出射面側へ厚みが薄くなるテーパー形状である。なお、光反射部材５の側壁５ａの内側面５ｂは、略平面の傾斜面であると、半導体層２からの光を効率的に光出射面側へ反射できるため好ましいが、傾斜面は平面でなくてもよい。例えば、傾斜面は、曲面、凹面、凸面、凹凸面（段差面）であってもよい。また、本実施形態では、凹部５ｃに透光部材６が設けられる。

以上のような構成とすると、小型の発光装置１０００を形成することができる。また、発光素子１０が半導体層２の成長用基板等を有さないので、半導体層２からの出射光の無駄な吸収を防ぐことができる。さらに、光反射部材５の側壁５ａの内側面５ｂが、半導体層２側よりも発光装置１０００の光出射面側において外側に位置するように形成されるので、半導体層２からの光を効率的に発光装置１０００から出射させることができる。
以下、発光装置１０００の製造方法について詳述する。

（発光装置の製造方法）
・第１の工程
図２Ａは、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法の第１の工程について示す概略図である。第１の工程では、まず発光素子１０を準備する。

準備する発光素子１０は、基板１と、半導体層２と、半導体層２と電気的に接続する正負一対の電極３ｎ，３ｐとを有する。本実施形態では、ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐが同一面上に設けられた発光素子１０を用いることができる。これにより、実装面に電極３ｎ，３ｐが露出する発光装置１０００を容易に形成することができる。

本実施形態の基板１は、半導体層２を成長させるための成長用基板を用いることができる。例えば、半導体層２をＧａＮ（窒化ガリウム）等の窒化物半導体を用いて形成する場合、基板１としては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４等の絶縁性基板、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、窒化物半導体と格子整合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板等が挙げられる。なお、基板１は、後述する第４の工程において除去される。

基板１は、第１主面１ａと第１主面の反対側（すなわち、第１主面と対向する裏面側）の第２主面１ｂとを有する。半導体層２は、基板１の第１主面１ａ上に設けられる。半導体層２は、ｎ型半導体層２ｎ、発光層２ａ、ｐ型半導体層２ｐを含む積層体である。本実施形態では、例えば、基板１の第１主面１ａからｎ型半導体層２ｎ、発光層２ａ、ｐ型半導体層２ｐが順次積層され、ｐ型半導体層２ｐ及び発光層２ａの一部が除去されることにより、ｎ型半導体層２ｎの一部を露出させる段差を有する半導体層２を形成することができる。また、ｎ型半導体層２ｎ上にはｎ型半導体層２ｎと電気的に接続するｎ側電極３ｎ、ｐ型半導体層２ｐ上にはｐ型半導体層２ｐと電気的に接続されるｐ側電極３ｐを設けることができる。ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐとしては、金属材料を用いることができ、金属材料としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等、又はこれらの合金等を好適に用いることができる。ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを用いることができる。

また、段差以外のｐ型半導体層２ｐの表面の略全面に、導電性及び反射性を有する全面電極３ａが設けられ、その上面にｐ側電極３ｐが設けられると好ましい。そうすることで、ｐ側電極３ｐから供給される電流をｐ型半導体層２ｐに均一に拡散させることができる。さらに、発光層２ａからの光を、発光装置１０００の光出射面側へ効率的に反射させることができる。全面電極３ａとしては、可視光領域で良好な反射性を有する金属材料であるＡｇ、Ａｌ、又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。全面電極３ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを用いることができる。

また、全面電極３ａの上面及び側面を被覆するカバー電極３ｂが設けられていてもよい。そうすることで、全面電極３ａのマイグレーションを防止することができる。カバー電極３ｂは、導電性及びバリア性を有する金属材料を用いることができ、材料としては、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ等を用いることができる。カバー電極３ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを用いることができる。

さらに、絶縁性及び透光性を有し、基板１と、ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐの外部との接続部を除き、発光素子１０の表面全体を被覆する保護層Ｈが設けられていると好ましい。これにより、発光素子１０を保護することができ、さらに帯電を防止することができる。保護層Ｈとしては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、金属酸化物や金属窒化物の材料としては、例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を用いてもよい。

ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐは、発光素子１０を安定的に配置するために、高さが同じであると好ましい。ｎ側電極３ｎ及びｐ側電極３ｐ上には金属バンプ等を設けてもかまわない。なお、発光素子１０の構成は前述のものに限られず、適宜所望の構成を有する発光素子を用いることができる。

次に、準備した発光素子１０を、基体２００上に配置する。発光素子１０は、基板１の第２主面１ｂ、すなわち、基板１において半導体層２及び電極３ｎ，３ｐが設けられる面と反対側の面が基体２００と接するように、基体２００上に配置する。なお、基体２００は、第４の工程の前に除去される。

基体２００は、後述する第２の工程で、被覆部材４の硬化の際に加熱されるので、耐熱性を有する材料からなると好ましい。基体２００は、例えばアクリル、シリコーン、ゴム系の材料で形成されると好ましく、特にアクリル系の樹脂で形成されると好ましい。基体２００は、厚み約２５〜１００μｍ程度のシート状であると、後に光反射部材５で被覆された発光素子１０から剥離しやすいため好ましい。
発光素子１０を基体２００上に配置する際には、接着剤を用いてもかまわない。接着剤の材料としては、アクリル系の樹脂等を好適に用いることができる。発光素子１０と基体２００との密着強度は、第３の工程において、例えば圧縮成形等で光反射部材５を形成する際に、発光素子１０が基体２００から剥離しない程度であることが好ましい。例えば、基体２００の粘着力は、２〜５Ｎ／２５ｍｍ程度とすることができる。

（第２の工程）
図２Ｂ〜図２Ｇは、発光装置１０００の製造方法の第２の工程について示す概略図である。第２の工程では、発光素子１０の基板１の側面１ｃの外側に被覆部材４を形成する。基板１の側面１ｃは、基板１の第１主面１ａと第２主面１ｂとを接続する面である。被覆部材４（詳述すると、被覆部材４の外側面）は、後述の光反射部材５の側壁５ａの内側面５ｂを形成するために設けられる。
本実施形態において、被覆部材４は、発光素子１０の基板１の第２主面１ｂ側の外側面が、基板１の第１主面１ａ側の外側面よりも外側に位置するように形成する。より詳細には、被覆部材４は、内側面が発光素子１０の基板１の側面１ｃを被覆するように形成され、外側面は基板１の第１主面１ａ側から第２主面１ｂ側へ外側に傾斜する傾斜面４ａとなるように形成される。

なお、被覆部材４の外側面は略平面の傾斜面であると、半導体層２からの光をより効率的に発光装置１０００の光出射面側へ反射可能な光反射部材５の内側面５ｂを形成することができるが、被覆部材４の外側面の傾斜面は平面でなくてもよい。例えば、傾斜面は、曲面、凹面、凸面、凹凸面（段差面）であってもよい。

また、本実施形態では、被覆部材４は、発光素子１０の基板１の側面１ｃの略全面を被覆するように形成されるが、少なくとも側面１ｃの一部を被覆していればよい。例えば、図２Ｅに示されるように、基板１の側面１ｃの一部に、第１主面側から第２主面側に外側に傾斜する傾斜面を有するような場合、被覆部材４はその傾斜面を被覆しないように形成してもかまわない。これにより、被覆部材４の量を少なくすることができる。したがって、コスト及びタクトを削減しつつ、半導体層２からの光をより効率的に発光装置１０００の光出射面側へ反射可能な光反射部材５を形成することができる。

被覆部材４の被覆領域によって、後述する光反射部材５の被覆領域が確定される。例えば、被覆部材４が基体２００の上面及び発光素子１０の基板１の側面１ｃのみを被覆する場合、後述する光反射部材５は半導体層２及び電極３ｎ,３ｐの側面を被覆するように形成される。これにより、半導体層２からの光が、光出射面以外から漏れ出すことを抑制可能な発光装置１０００を形成することができる。しかし、被覆部材４は、半導体層２や電極３ｎ，３ｐを被覆してもよい。また、本実施形態の被覆部材４は、発光素子１０の基板１の側面１ｃに接するように形成されるが、基板１の側面１ｃから離間して、又は他の部材を介して形成されていてもかまわない。被覆部材が、他の部材を介して基板の側面の外側に形成される形態については、実施形態２で詳述する。

以下、第２の工程における被覆部材４の形成方法について、いくつか例示する。まず、発光素子１０を基体２００へ配置後に、被覆部材４を配置する形態について説明する。

本実施形態では、例えば、基体２００上に配置された発光素子１０の周囲を囲むように、ディスペンスＤ等で樹脂等からなる被覆部材４を配置することで、所望の形状の被覆部材４を形成することができる。具体的には、図２Ｂ及び図２Ｃに示されるように、略矩形の発光素子１０を用いる場合、基体２００上に配置された各々の発光素子１０の周囲を、被覆部材４で略矩形環状に囲む。なお、被覆部材４は、矩形環状の他、円環状等に設けてもよい。平面視で約１．０×１．０ｍｍ、厚み約０．１５ｍｍ程度の基板１を有する発光素子１０を用いる場合、ディスペンスＤの吐出口の径は、例えば、約０．１ｍｍ程度のものを用いることができる。被覆部材４は、発光素子１０から約１０〜１００μｍ程度離間して配置してもよい。これにより、発光素子１０とディスペンスＤとが接触することを防ぐことができる。ディスペンスＤから吐出された被覆部材４は、この時点では上下において略一定の幅である。

発光素子１０の周囲を囲むように基体２００上に配置された矩形環状の被覆部材４は、未硬化の樹脂等である場合、時間の経過とともに形状が変化する。具体的には、被覆部材４は徐々に濡れ広がり、被覆部材４の内側面は、発光素子１０の側面（詳述すると、基板１の側面１ｃ）を被覆するように変形する。さらに、図２Ｄに示されるように、被覆部材４の外側面の少なくとも一部は、基板１の第１主面側から第２主面側へ外側に傾斜する傾斜面４ａへと変形する。すなわち、被覆部材４は、矩形の孔を有する矩形環状に形成することができ、基板１の第１主面側（基体２００の上面側）から第２主面１ｂ側へ厚みが薄くなるテーパー形状に形成することができる。ここで、被覆部材４を硬化することが好ましい。例えば、約１５０°で約４時間加熱することにより、被覆部材４を硬化することができる。これにより、基板１の第２主面側の外側面が、基板１の第１主面側の外側面よりも外側に位置する被覆部材４を形成することができる。被覆部材４は、発光素子１０と基体２００とを接着する機能も有する。なお、被覆部材４は、基板１の第１主面側の角部付近の一部を被覆していなくてもよい。

基板１の第２主面側の被覆部材４の外縁の形状、すなわち平面視における被覆部材４の外縁の形状は、例えば略円形や略楕円形とすることができるが、これに限らない。基板１の第２主面側の被覆部材４の外縁の形状は、発光装置１０００の発光部の形状となる。したがって、この被覆部材４の外縁の形状を適宜調整することで、発光装置１０００の発光部の大きさや形状を調整することが可能である。本実施形態では、平面視で、基板１の第２主面の外縁から被覆部材４の外縁までの幅は、約１００〜５００μｍ程度とすることができる。

断面視で、被覆部材４の外側面（傾斜面４ａ）と基板１の側面１ｃとがなす角度が大きいほど、半導体層２からの光を発光装置１０００の光出射面側へ効率的に反射可能な光反射部材５の内側面５ｂを形成することができる。例えば、断面視で、被覆部材４の傾斜面４ａと基板１の側面１ｃとがなす角度が約２５°〜６５°、より好ましくは約４０°〜５０°程度となるように、被覆部材４の傾斜面４ａを形成することが好ましい。

被覆部材４の材料としては、樹脂等であると好ましい。これにより、発光素子１０の基板１の第２主面側の外側面が、基板１の第１主面側の外側面よりも外側に位置する被覆部材４（すなわち、被覆部材４の傾斜面４ａ）を容易に形成することができる。本実施形態では、後述する第４の工程において、被覆部材４も除去する。したがって、被覆部材４の材料は透光性であっても、不透光性であっても、どちらでもかまわない。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。特に、透光性、耐熱性、耐光性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。前述の樹脂には、フィラー、反射材、拡散材、波長変換部材、着色材等が含有されていてもかまわない。

樹脂の粘度は、約１〜３０Ｐａ・ｓ程度であることが好ましい。そうすることで、発光素子１０の周囲を囲むように基体２００上に配置した被覆部材４を、所望の形状に濡れ広がらせることができる。すなわち、被覆部材４の内側面を、容易に発光素子１０の基板１の側面１ｃを被覆するように変形させやすい。さらに、被覆部材４の外側面を、基板１の第１主面側よりも第２主面側において外側に位置するように容易に変形させやすい。
例えば、吐出口の径が約０．１ｍｍ程度のディスペンスＤを用い、粘度約１〜５Ｐａ・ｓ程度のシリコーン樹脂を含有する被覆部材４を、アクリル系の材料からなる基体２００上に配置する場合、被覆部材４を配置してから、約１０〜１００秒程度放置することで、被覆部材４を所望の形状へと変形させることができる。

以上のように被覆部材４を形成すると、基体２００上に配置された各発光素子１０に対してそれぞれ被覆部材４を配置するので、発光素子１の配置に高い精度を必要としない。また、被覆部材４の被覆領域を調整しやすい。具体的には、各発光素子１０の半導体層２や電極３ｎ,３ｐを被覆することなく、基板１の側面１ｃを被覆することができる。さらに、被覆部材４の形状は、樹脂等の濡れ広がりによって形成することができるので、容易に所望の被覆部材４を形成することができる。

次に、発光素子１０を基体２００へ配置する前に、被覆部材４を配置する形態について説明する。この形態では、被覆部材４を、発光素子１０の基板１の第２主面上及び／又は基体２００の上面上に予め配置しておき、発光素子１０を基体２００に配置することで、被覆部材４を形成する。

図２Ｆ及び図２Ｇは、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法の第２の工程について示す概略図である。この方法では、発光素子１０を基体２００に配置する前に、予め被覆部材４を発光素子１０の基板１の第２主面上及び／又は基体２００の上面上に配置しておき、発光素子１０を配置する際の応力によって、被覆部材４を発光素子１０の側面（詳述すると、発光素子１０の基板１の側面）に這い上がらせて形成する。

まず、図２Ｆに示されるように、基体２００上において、発光素子１０を配置する各々の領域に、被覆部材４を配置する。被覆部材４は、滴下法、印刷、スプレー等で配置することができる。発光素子１０を配置する際の速度は、約１〜３ｍｍ／ｓ程度、より好ましくは約２ｍｍ／ｓ程度が好ましい。そうすることで、発光素子１０が基体２００上に配置される際の圧力によって、被覆部材４を発光素子１０の側面に這い上がらせることができ、基板１の上面側の外側面よりも基板１の下面側の外側面が外側に位置する被覆部材４を形成することができる。

なお、発光素子１０を配置する前に予め基体２００上に被覆部材４を配置する場合、前述のように、配置される発光素子１０の基板１の外縁よりも大きい径の孔を有する環状の被覆部材４を形成してもよい。この場合、被覆部材４が濡れ広がる前に、発光素子１０を孔内の基体２００上に配置することが好ましい。これにより、配置した発光素子１０の側面を被覆するように被覆部材４が濡れ広がることで、所望の被覆部材４を形成することができる。

また、予め発光素子１０の基板１の第２主面１ｂ上に被覆部材４を配置し、被覆部材４側を基体２００上に対向させるように発光素子１０を基体２００上に配置することで、被覆部材４を形成することができる。例えば、基体２００とは別に支持体３００を準備し、支持体３００上に複数の発光素子１０をフリップチップ実装で保持させ、各発光素子１０の基板１の第２主面１ｂ上に被覆部材４を配置する。支持体３００の材料は、基体２００と同じでもよいし、異なる材料を用いてもかまわない。例えば、支持体３００の材料は、耐熱性を有し、熱により伸縮しにくい材料であると好ましく、アクリル等が好適に用いられる。被覆部材４は基板１の第２主面１ｂ上に滴下法等で配置することができる。そして、図２Ｇに示されるように、被覆部材４側を基体２００上に対向させるように支持体３００を反転させ、発光素子１０を基体２００上に配置する。これにより、発光素子１０が基体２００上に配置される際の圧力によって、被覆部材４を発光素子１０の側面に這い上がらせることができ、基板１の第１主面側の外側面よりも第２主面側の外側面が外側に位置する被覆部材４を形成することができる。なお、被覆部材４は、反転させても基板１上に保持される程度の粘度であることが好ましい。
支持体３００は、発光素子１０と基体２００とが被覆部材４で接着された後、発光素子１０から剥離される。したがって、発光素子１０と支持体３００との密着強度は、発光素子１０の基板１上に配置された被覆部材４と基体２００との密着強度よりも弱いことが好ましい。なお、支持体３００を剥離せずに、発光装置の一部として用いてもかまわない。

これにより、複数の発光素子１０を一括で基体２００上に配置でき、さらに複数の被覆部材４を一括で形成することができるので、量産性を向上させることができる。なお、被覆部材４は、基体２００上及び発光素子１０の基板１の第２主面上の両方に設けてもよい。

以上のように、発光素子１０を基体２００上に配置する前に、基体２００上及び／又は発光素子１０の基板１の第２主面上に被覆部材４を配置する場合、前述の接着剤を被覆部材４として用いることができるため効率的である。
なお、発光素子１０の基板１の第２主面上、すなわち発光素子１０の基板１と基体２００との間に被覆部材４が形成される場合は、第４の工程の前に、基板１の第２主面上の被覆部材４を除去することが好ましい。

配置する被覆部材４の量は、例えば平面視で約１．０×１．０ｍｍ、厚み約０．１５ｍｍ程度の基板１を有する発光素子１０を用いる場合、それぞれ約０．０５ｍｇ程度とすることができる。

その他、被覆部材４は、金型を使った圧縮成形やトランスファー成形で形成することができる。これにより、被覆部材４の形状のばらつきを防ぐことができる。また、被覆部材４の材料の選択性が向上する。さらに、基体２００上に配置された発光素子１０毎に被覆部材４を形成する場合に比べて、量産性を向上させることができる。

（第３の工程）
図２Ｈ及び図２Ｉは、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法の第３の工程について示す概略図である。第３の工程では、被覆部材４の傾斜面４ａを光反射部材５で被覆する。具体的には、印刷、金型を用いた圧縮成形やトランスファー成形等によって、半導体層２の電極３ｎ，３ｐを有する側の面及び側面と、被覆部材４の外側面を被覆するように、一体に又はそれぞれに光反射部材５を形成することができる。複数の発光素子１０及び被覆部材４に対して、一体に光反射部材５を形成すると、光反射部材５の形状のばらつきを防ぐことができる。また、量産性を向上させることができるため好ましい。
本実施形態では、光反射部材５は、被覆部材４で被覆された複数の発光素子１０毎にそれぞれ形成される。光反射部材５は、形成後、図２Ｉに示されるように発光素子１０の電極３ｎ，３ｐの一部が露出するように一部除去してもかまわない。除去は、研磨や切削等で行うことができる。これにより、発光装置１０００の実装面に外部端子や配線等と接続する接続部を形成することができる。なお、光反射部材５は一部除去しなくてもよい。

光反射部材５の材料としては、樹脂等の母材に光反射性材料が含有されたものが好ましい。例えば、樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。特に、耐光性及び柔軟性の観点から、シリコーン樹脂が特に好ましい。
光反射性材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。
前述の母材には、フィラー、反射材、拡散材、波長変換部材、着色材等が含有されていてもかまわない。

（第４の工程）
図２Ｊ及び図２Ｋは、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法の第４の工程について示す概略図である。第４の工程では、発光素子１０の基板１を半導体層２から除去する。本実施形態では、基板１と、第２の工程で形成した被覆部材４も除去する。具体的には、図２Ｊに示されるように、耐熱性を有し、熱により伸縮しにくいアクリル系の材料からなる厚み約２０〜５０μｍ程度、より好ましくは厚み約３５μｍ程度のシート状の支持体４００を準備し、光反射部材５から露出された電極３ｎ，３ｐが支持体４００上に対向するように、基体２００ごと反転させ、光反射部材５で被覆された発光素子１０を支持体４００に配置（転写）する。配置する際に、接着剤等を用いてもよい。そして、光反射部材５で被覆された発光素子１０から基体２００を剥離する。したがって、光反射部材５で被覆された発光素子１０と支持体４００との密着強度は、光反射部材５で被覆された発光素子１０と基体２００との密着強度よりも大きいことが好ましい。支持体４００の材料としては、耐熱性の観点から、アクリル等が好ましい。支持体４００上に配置（転写）された光反射部材５で被覆された発光素子１０は、光反射部材５から基板１の第２主面及び被覆部材４が露出する。ここで、基板１の第２主面及び被覆部材４が露出していない場合、例えば前述の接着剤（被覆部材４）が基板１上を覆っているような場合は、基板１が露出するように適宜接着剤（被覆部材４）を除去する等の処理を行う。

そして、図２Ｋに示されるように、発光素子１０の基板１を除去する。基板１の除去は、例えば、レーザ照射によるレーザリフトオフ（ＬＬＯ）により実施することができる。具体的には、エキシマレーザ等の高出力のレーザ光を基板１側から半導体層２へ照射することで、基板１と半導体層２の境界近傍で半導体物質を分解させ、基板１と半導体層２とを分離して基板１を剥離させる。レーザ光は、基板１を透過し、半導体層２に吸収される波長のものを用いる。例えば、基板１がサファイア基板であり、半導体層２がＧａＮである場合は、レーザ光として前述のエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）や、ＹＡＧレーザ（波長約２６６ｎｍ）を用いることができる。なお、基板１の一部が除去されずに残っていてもかまわない。

基板１を除去する際、被覆部材４を同時に剥離させることができる。ここで、被覆部材４及び光反射部材５の母材に異なる材料を用いると、同じ材料を用いる場合に比べ、被覆部材４と光反射部材５とが剥離しやすく、被覆部材４を基板１とともに除去しやすい。その他、第２の工程後、第３の工程の前に、被覆部材４の外表面に後述する離型剤を設けることで、基板１とともに被覆部材４を除去しやすくなる。なお、被覆部材４が完全に除去されず、その一部が光反射部材５上に残ってもかまわない。また、基板１と被覆部材４を同時に除去すると効率的であるが、被覆部材４は基板１と別々に除去してもかまわない。

基板１及び被覆部材４を除去することで、光反射部材５及び半導体層２からなる凹部５ｃを形成することができる。なお、被覆部材４が完全に除去されず、その一部が光反射部材５上に残る場合、凹部５ｃは、光反射部材５、被覆部材４、半導体層２によって構成される。
以上の製造方法により発光装置１０００を形成することで、半導体層２からの光を光出射面側へ効率的に反射可能な光反射部材５の内側面５ｂの形状を容易に形成することができる。

なお、第４の工程で基板１及び被覆部材４を除去した後、露出した半導体層２の表面を粗面化すると好ましい。粗面化は、物理的・化学的な方法で行うことができるが、ダメージを低減するため、エッチングで行うことできる。例えば、発光素子１０を支持体４００ごと、リン酸などの酸性の液や、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、トリメチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液等のアルカリ性の液につけ、半導体層２の表面をエッチングすることで粗面化できる。これにより、半導体層２からの光を効率的に取り出すことができる。

（透光部材形成工程）
図２Ｌは、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法の透光部材形成工程について示す概略図である。第４の工程で形成された凹部５ｃには、透光部材６を設けることができる。そうすることで、半導体層２の表面を保護することができる。なお、波長変換部材を含有させた透光部材６を形成することで、発光装置１０００の光を所望の発光色とすることができる。透光部材６は、波長変換部材のみで構成されてもよいが、透光性の母材に波長変換部材を含有するものが好ましい。

母材の材料としては、樹脂や、ガラス等の無機物等を用いることができる。特に、前述の樹脂材料」を用いると、凹部５ｃに容易に設けることができるため好ましい。特に、透光性及び耐熱性及び耐光性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
波長変換部材としては、例えば当該分野で公知の蛍光体を用いることができる。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。波長変換部材は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料を用いることができ、半導体材料としては、例えばＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ｘＳｅ_１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。透光部材には、さらに、フィラー、反射材、拡散材、着色材等を含有させてもよい。

本実施形態では、母材である樹脂に波長変換部材が含有された透光部材６を、滴下、スプレー（噴霧）、印刷、圧縮成形、トランスファー成形等で凹部５ｃに形成することができる。また、樹脂等に波長変換部材が含有された波長変換シートや、ガラス等に波長変換部材が含有された波長変換板等を、露出した半導体層２の表面に接着してもよい。その他、電着等、種々の方法を用いて形成することができる。なお、透光部材６は、波長変換部材を含んでいなくてもよい。
以上のような方法で形成された透光部材６の表面は、略平面であってもよいし、凹凸、段差、傾斜面、曲面を有していてもかまわない。

（封止部材形成工程）
その他、図３に示されるように、透光部材６や光反射部材５の上面をさらに被覆する封止部材７を形成してもかまわない。これにより、透光部材６及び光反射部材５の表面を保護することができる。さらに、所望の配光特性を有する発光装置１０００を形成することができる。封止部材７としては、前述の透光部材６の母材と同様の材料を用いることができ、透光性及び耐熱性の観点から、特にシリコーン系樹脂が好ましい。形状は、略半球状、略平板状等、特に限定されない。特に、平板状の薄い封止部材（例えば、約１０〜３０μｍ程度）であると、小型の発光装置１０００とできるため好ましい。封止部材７の形成方法としては、スプレー、スパッタ、印刷、塗布等、圧縮成形、トランスファー成形等が挙げられる。封止部材７には、フィラー、反射材、拡散材、波長変換部材、着色材等を含有させてもよい。また、封止部材７は複数層形成してもかまわない。

（反射層形成工程）
また、図４に示されるように、透光部材６を形成する前に、光反射部材５よりも高反射率の反射層８を光反射部材５の内側面５ｂに設けてもよい。これにより、光をより効率的に反射させることができる。
具体的には、例えば、半導体層２の表面にマスクを形成した後、光反射部材５の内側面５ｂの傾斜面にスプレー、スパッタ、印刷、塗布等の方法で反射層８を形成することができる。反射層８としては、光反射率の高い金属材料又は絶縁性材料等で形成することができる。金属材料としては、例えばＡｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｕ等が挙げられる。特に、光反射率が高く、耐酸化性に優れたＡｇ合金が好ましい。絶縁性材料としては、樹脂に光反射性材料を添加したもの等を用いることができる。反射層８の厚さは、特に限定されるものではなく、半導体層２からの出射光を効果的に反射することができる厚さ（例えば、約２０ｎｍ〜約１μｍ）とすることができる。反射層８は、半導体層２からの光に対する反射率が６０％以上、より好ましくは７０％、８０％又は９０％以上であると好ましい。

第４の工程後、適宜、反射層形成工程、透光部材形成工程、封止部材形成工程等を行い、発光装置１０００を形成する。本実施形態では、光反射部材５が、被覆部材４で被覆された発光素子１０毎にそれぞれ離間して形成されるため、支持体４００を除去することで、図１に示される発光装置１０００を形成することができる。なお、第３の工程において、光反射部材５が一体に形成される場合は、支持体４００を除去し、光反射部材５を切断して各々の発光装置１０００に個片化することで、図１に示される発光装置１０００を形成することができる。個片化は、ダイシング等によって行うことができる。

＜実施形態２＞
図５Ａは、実施形態２に係る発光装置２０００の概略断面図である。図５Ｂは、実施形態２に係る発光装置２０００の概略平面図である。実施形態２では、第４の工程において被覆部材２４を除去しない。したがって、発光装置２０００は、光反射部材２５の内側面２５ｂの内側に被覆部材２４を有する。具体的には、被覆部材２４の外側面は、図５Ａに示されるように、光反射部材２５の内側面２５ｂを被覆しており、半導体層２側よりも発光装置１０００の光出射面側が外側に位置するように形成される。被覆部材２４の内側面は、除去された基板１の側面の形状に対応しており、半導体層２２に対して略垂直に形成される。図５Ｂに示されるように、平面視で、被覆部材２４の上面（発光装置２０００の光出射面側の面）は、略円形の外縁を有する略矩形環状である。すなわち、被覆部材２４は、発光装置２０００の光出射面側から半導体層２２側へ厚みが薄くなるテーパー形状である。また、被覆部材２４及び半導体層２２からなる凹部２５ｃ（すなわち、被覆部材２４の内側）には、透光部材２６を設けることができる。それ以外は、実施形態１の発光装置１０００と略同様に構成されており、適宜説明を省略する。

以下、実施形態２の発光装置２０００の製造方法において、実施形態１の発光装置１０００の製造方法と異なる部分について主に説明する。

本実施形態では、実施形態１と同様に、発光素子２０を準備し、基体２００上に配置する。ここで、図６に示されるように、発光素子２０の基板２１の側面２１ｃに、離型剤９を形成する。離型剤９は、被覆部材２４と基板２１とを剥離しやすくするものであり、これにより、第４の工程において、基板２１のみを除去することができる。離型剤９は、発光素子２０を基体２００上に配置する前又は配置した後に、塗布等で適宜設けることができる。離型剤９は、発光素子２０の基板２１の全側面を被覆するように設けられると好ましいが、側面の一部が被覆されなくてもかまわない。また、離型剤９は基体２００上に配置してもかまわない。

離型剤９としては、例えば揮発剤等を用いることができる。揮発剤は、所定の熱を加えることで揮発するため、容易に被覆部材２４と基板２１とを剥離させることができる。揮発剤としては、例えば、種々の溶剤及び樹脂等の有機物質等を利用することができる。
具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（沸点：１５０℃以下）、ホロン（沸点：１９８℃）、シクロヘキサノン（沸点：１５５℃）、メチルシクロヘキサノン（沸点：１７０℃）等のケトン系溶剤、 テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル）、酢酸エチル、メチルプロピルジグリコール、ヘキシルカルビトール、ブチルプロピレンジグルコール、ベンジルアルコール、ブチルカルビトール、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサノン（沸点：１５０℃以下）、メチルフェニルエーテル（沸点：１５３℃）、エチルフェニルエーテル（１７２℃）、メトキシトルエン（沸点：１７２℃）、ベンジルエチルエーテル（沸点：１８９℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（沸点：１６０℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（沸点：１８８℃）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１９４℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（沸点：２３１℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（沸点：２４７℃）、エチレングリコールモノブチルエーテル（沸点：１７１℃）、エチレングリコールモノイソアミルエーテル（沸点：１８１℃）、ブチルカルビトール（沸点：２３１℃）等のエーテル系溶剤等が挙げられる。

さらに、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール（沸点：１５０℃以下）、１−ヘキサノール（沸点：１５７℃）、１−ヘプタノール（沸点：１７６℃）、２−ヘプタノール（沸点：１６０℃）、３−ヘプタノール（沸点：１５６℃）、１−オクタノール（沸点：１９５℃）、２−オクタノール（沸点：１７９℃）、２−エチル−１−ヘキサノール（沸点：１８４℃）、シクロヘキサノール（沸点：１６１℃）、１−メチルシクロヘキサノール（沸点：１５５℃）、２−メチルシクロヘキサノール（沸点：１６５℃）、３−メチルシクロヘキサノール（沸点：１７３℃）、４−メチルシクロヘキサノール（沸点：１７４℃）、フルフリルアルコール（沸点：１７０℃）、ベンジルアルコール（（沸点：２０５℃）、１,２−オクタンジオール（沸点：１３１℃）、１,８−オクタンジオール（沸点：１７２℃）、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール（沸点：２４３℃）、エチレングリコール（沸点：１９８℃）、プロピレングリコール（沸点：１８７℃）、１，２−ブチレングリコール（沸点：１９１℃）、ヘキシレングリコール（沸点：１９７℃）、３−メチル−３−メトキシブタノール（沸点：１７４℃）、ブチルプロピレンジグルコール（沸点：２３１℃）等のアルコール系溶剤等が挙げられる。

また、ベンゼン、トルエン、キシレン（沸点：１５０℃以下）等の芳香族系有機溶剤、
３−メトキシ−３−メチル−１−ブチルアセテート（沸点：１８８℃）、エチレングリコールモノアセテート（沸点：１８２℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（沸点：２４７℃）等のアセテート系溶剤、
プロピレンカーボネート（沸点：２４１℃）等の環状カーボネート系溶剤、 γ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）等のラクトン系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（沸点：２０２℃）等のピロリドン系溶剤、α−ピネン（沸点：１５６℃）、β−ピネン（沸点：１６１℃）、リモネン（沸点：１７７℃）、ターピネオール（沸点：２１７℃）、ジヒドロターピネオール（沸点：２０７℃）、ジヒドロターピニルアセテート（沸点：２２０℃）等のテルペン系溶剤等が挙げられる。
その他、ジメチルホルムアミド（沸点：１５３℃）、ジメチルスルホキシド（沸点：１８９℃）等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの揮発剤には、適宜有機バインダ、粘度調整剤等を添加して用いてもかまわない。

上記のような有機溶剤等の揮発剤を離型剤９とすると、後の第３の工程で、光反射部材２５を形成する際にかかる熱によって離型剤９を除去することができる。これにより、第４の工程において基板２１が除去される際、基板２１とともに被覆部材２４が除去されることを防ぐことができ、光反射部材２５側に保持させておくことができる。

次に、第２の工程において、実施形態１と同様の方法で、内側面が発光素子２０の側面に設けられた離型剤９を被覆し、外側面が基板２１の第１主面側よりも第２主面側において外側に位置する被覆部材２４を形成する。そして、第３の工程において、被覆部材２４の外側面を被覆するように、光反射部材２５を形成する。続いて、発光素子２０の電極２３ｎ、２３ｐが露出されるように、光反射部材２５の一部を適宜除去する。そして、光反射部材２５が形成された発光素子２０を、基体２００から支持体４００へ配置（転写）する。図７に示されるように、支持体４００に配置（転写）された光反射部材２５で被覆された発光素子２０は、光反射部材２５から基板２１の第２主面２１ｂ及び被覆部材２４が露出する。

そして、図８に示されるように、第４の工程において、ＬＬＯ等で基板２１のみを除去する。なお、基板２１の一部が除去されずに残ってもかまわない。また、被覆部材２４の一部が除去されてもかまわない。第４の工程の後、適宜、反射層形成工程、透光部材形成工程、封止部材形成工程、個片化を行うことで、発光装置２０００を形成する。これにより、実施形態１の発光装置１０００に、さらに被覆部材２４を有する発光装置２０００を形成することができる。

実施形態２では、被覆部材２４を除去しないので、被覆部材２４の材料は透光性を有していることが好ましい。好ましくは、半導体層２からの光の透過率が６０％以上、より好ましくは７０％、８０％又は９０％以上であると好ましい。

被覆部材２４には、フィラー、反射材、拡散材、波長変換部材、着色材等が含有されていてもかまわない。例えば、透光部材２６と被覆部材２４とに異なる波長変換部材を含有させることで、演色性の高い発光装置２０００を形成することができる。なお、被覆部材２４及び／又は透光部材２６は、波長変換部材を含有していなくてもよい。また、被覆部材２４及び透光部材２６の母材を同じ樹脂等の材料とすることで、両部材の密着性を向上させることができる。さらに、被覆部材２４及び光反射部材２５の母材を同じ樹脂等の材料とすることで、両部材の密着性を向上させることができ、第４の工程において被覆部材２４を光反射部材２５側に保持させやすい。

以上、いくつかの実施形態について例示したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。

１０００，２０００…発光装置
１０，２０…発光素子
１，２１…基板
１ａ…第１主面
１ｂ，２１ｂ…第２主面
１ｃ，２１ｃ…側面
２，２２…半導体層
２ｎ…ｎ型半導体層
２ａ…発光層
２ｐ…ｐ型半導体層
３ｎ，２３ｎ…ｎ側電極
３ｐ，２３ｐ…ｐ側電極
３ａ…全面電極
３ｂ…カバー電極
Ｈ…保護膜
４，２４…被覆部材
４ａ…傾斜面
５，２５…光反射部材
５ａ，２５ａ…側壁
５ｂ，２５ｂ…内側面
５ｃ，２５ｃ…凹部
６，２６…透光部材
７…封止部材
８…反射層
９…離型剤
２００…基体
３００，４００…支持体
Ｄ…ディスペンス

Claims (13)

1. 第１主面及び第２主面を有する基板と、前記第１主面上に設けられた半導体層と、前記半導体層と電気的に接続される電極と、を有する発光素子を準備する第１の工程と、
   前記第１主面側よりも前記第２主面側の外側面が外側に位置するように、前記基板の側面側に被覆部材を形成する第２の工程と、
   前記被覆部材の前記外側面を光反射部材で被覆する第３の工程と、
   前記半導体層から前記基板を除去する第４の工程と、を有する発光装置の製造方法。
2. 第２の工程において、前記被覆部材の前記外側面が傾斜面となるように、前記被覆部材を形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記第３の工程おいて、前記光反射部材は、前記半導体層の前記電極を有する側の面及び側面を被覆する請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
4. 第２の工程の前に、前記基板の第２主面側が接するように、前記発光素子を基体上に配置し、
   前記第４の工程の前に、前記基体を除去する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記発光素子を前記基体上に配置した後に、前記被覆部材を形成する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記第４の工程において、さらに前記被覆部材を除去する請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記第２の工程の前に、前記基板の前記側面を離型剤で被覆する請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記第３の工程において、透光性を有する材料で前記被覆部材を形成する請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記第４の工程において、レーザリフトオフによって前記基板を除去する請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記第４の工程の後、前記基板が除去された部分に透光部材を形成する請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記透光部材は、波長変換部材を含有する請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 半導体層と、前記半導体層と電気的に接続される電極とを有する発光素子と、
    前記半導体層の上面に設けられる透光部材と、
    透光性を有しており、前記透光部材の側面を被覆し、前記半導体層側よりも前記透光部材の上面側の外側面が外側にある被覆部材と、
    前記被覆部材の前記外側面を被覆する光反射部材と、を有することを特徴とする発光装置。
13. 前記被覆部材の前記外側面は、傾斜面であることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。

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