CN108511575A - 光学部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明简便地制造减少了来自发光元件等的光的吸收的光学部件。一个方式所涉及的光半导体用的光学部件的制造方法包括如下工序：通过将形成于具有氧、氟和氮中的至少任一个的透光性的第1构件的第1金属膜与形成于第2构件的第2金属膜直接贴合来准备上述第1构件与上述第2构件介由金属构成的接合构件接合而成的接合体的工序；以及通过对上述接合构件照射激光或微波，使上述接合构件对于规定波长的光的透射率提高的工序。

Description

光学部件的制造方法
技术领域
本发明涉及光半导体用的光学部件的制造方法。
背景技术
存在如专利文献1所记载的LED元件那样将透光性的构件和发光元件接合的情况(例如，参照图11)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－233939
发明内容
专利文献1中，透光性的构件和发光元件通过热压接而接合。另外，作为将透光性的构件和发光元件接合的方法，例如，考虑了介由树脂接合两者的方法或通过表面活化接合法直接接合两者的方法。然而，在通过热压接接合两者时，由于对各构件也施加比较高的温度，因此有可能各构件会损伤。此外，在介由树脂接合两者时，有可能发生树脂中的光吸收、因长时间的使用所致的树脂的劣化，因而作为光学部件的特性降低。另外，在通过表面活化接合法接合两者时，有时根据各构件的表面状态、各构件的材质而难以接合。
本发明的一个方式所涉及的光半导体用的光学部件的制造方法包括如下工序：通过将形成于具有氧、氟和氮中的至少任一个的透光性的第1构件的第1金属膜与形成于第2构件的第2金属膜直接贴合来准备上述第1构件与上述第2构件介由由金属构成的接合构件接合而成的接合体的工序；以及通过对上述接合构件照射激光或对上述接合构件照射微波，使上述接合构件对于规定波长的光的透射率提高的工序。
由此，可以简便地制造减少了来自发光元件等的光被接合构件吸收的光学部件。
附图说明
图1A是用于说明第1实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图1B是用于说明第1实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图1C是用于说明第1实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图2A是通过第1实施方式的光学部件的制造方法得到的光学部件的截面图。
图2B是第1实施方式的光学部件所含的接合构件的俯视图。
图3A是用于说明第2实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图3B是用于说明第2实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图3C是用于说明第2实施方式所涉及的光学部件的制造方法的图。
图4A是通过第2实施方式的光学部件的制造方法得到的光学部件的截面图。
图4B是第2实施方式的光学部件所含的接合构件的俯视图。
图5是将第2实施方式所涉及的光学部件和发光元件组合而成的发光装置的图。
图6A是通过第3实施方式所涉及的光学部件的制造方法得到的光学部件的截面图。
图6B是第3实施方式的光学部件所含的接合构件的俯视图。
图7是将第3实施方式所涉及的光学部件和发光元件组合而成的发光装置的图。
图8A是用于说明实施例所涉及的光学部件的制造方法的图。
图8B是用于说明实施例所涉及的光学部件的制造方法的图。
图8C是用于说明实施例所涉及的光学部件的制造方法的图。
图9A是通过实施例所涉及的光学部件的制造方法得到的光学部件的截面图。
图9B是实施例所涉及的光学部件所含的接合构件的俯视图。
图10是从上表面侧观察通过实施例所涉及的光学部件的制造方法得到的光学部件的照片。
图11是实施例所涉及的接合体的分析结果。
图12是实施例所涉及的光学部件的分析结果。
图13是实施例所涉及的接合体的分析结果。
图14是实施例所涉及的光学部件的分析结果。
图15A是其它例子所涉及的接合体的接合构件附近的扫描型透射电子显微镜图。
图15B是其它例子中的接合构件附近的分析结果。
图16A是其它例子中的接合构件的损失光谱图。
图16B是表示TiO的损失光谱的图。
图16C是表示金红石型的TiO2的损失光谱的图。
符号说明
1…第1构件
1a…荧光部
1b…光反射部
2…第2构件
3…接合构件
3a…第1金属膜
3b…第2金属膜
4…发光结构
4a…n侧半导体层
4b…活性层
4c…p侧半导体层
5…电极
5a…n电极
5b…p电极
6…发光元件
7…第3构件
8…第2接合构件
8a…第3金属膜
8b…第4金属膜
9…发光元件
10、20、40、60…光学部件
30、50…发光装置
X、Y…透射率高的区域
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明用于实施本发明的方式。但是，以下所示的方式是用于使本发明的技术思想具体化，并不限定本发明。应予说明，各附图所显示的构件的大小、位置关系等有时为了明确地说明而进行夸张。
＜第1实施方式＞
将第1实施方式所涉及的光学部件10的制造方法示于图1A～图1C。图2A是通过本实施方式得到的光学部件10的截面图，图2B是光学部件10所含的接合构件3的俯视图。图2B中，画阴影线的区域X是对规定波长的光的透射率高的区域。
光学部件10的制造方法包括如下工序：通过将形成于具有氧的透光性的第1构件1的第1金属膜3a与形成于透光性的第2构件2的第2金属膜3b直接贴合从而准备第1构件1与第2构件2介由由金属构成的接合构件3接合而成的接合体的工序；以及通过对接合构件3照射激光，使接合构件3对于规定波长的光的透射率高于原始状态的透射率的工序。
根据光学部件10的制造方法，可以简便地制造减少了从发光元件等射出的规定波长的光被接合构件3吸收的光学部件10。
在第1构件和第2构件介由由金属构成的接合构件接合而成的接合体中，由于来自发光元件等的光被接合构件吸收，因此光的取出效率降低。因此，本实施方式中，在准备接合体后，对接合体所含的由金属构成的接合构件3照射激光。由此，与照射激光之前的接合构件3对于规定波长的光的透射率相比，使照射激光后的接合构件3对于规定波长的光的透射率变高。认为这是由以下说明的理由引起的。通过对接合构件3照射激光而加热接合构件3。此时，第1构件1所含的氧与接合构件3的金属结合。由此，认为在照射激光的区域中，接合构件3由金属变化为包含氧的化合物，因此对于规定的波长的光的透射率变高。
本说明书中，“接合构件3的透射率”是指透射来自发光元件等的光的比例。例如，在光学部件的一部分包含半导体发光元件(即，将第1构件和发光元件所含的透光性的第2构件接合)时，“接合构件3的透射率”是指透射包含第2构件2的发光元件的峰波长的光的比例。此外，在光学部件的一部分不含发光元件的情况下(即，将光学部件和发光元件组合而制成发光装置的情况下)，“接合构件3的透射率”是指透射与光学部件组合的发光元件的峰波长的光的比例。
以下，详述光学部件10的制造方法。
(准备接合体的工序)
首先，如图1A所示，在具有氧的透光性的第1构件1形成第1金属膜3a，在透光性的第2构件2形成第2金属膜3b。然后，如图1B所示，通过将第1金属膜3a与第2金属膜3b直接贴合，准备将第1构件1和第2构件2介由由金属构成的接合构件3接合而成的接合体。具体而言，本实施方式中，使用蓝宝石基板作为第1构件1，使用发光元件6所含的蓝宝石基板作为第2构件2。
本实施方式中，使用原子扩散接合法准备接合体。具体而言，在超高真空中，进行第1金属膜3a的形成、第2金属膜3b的形成、以及第1金属膜3a与第2金属膜3b的接合。由此，在第1金属膜3a和第2金属膜3b的接合时无需过度地加热第1构件1和第2构件2，因此可以防止因接合时的热所致的第1构件1和第2构件2的劣化。此外，可以抑制在第1金属膜3a的下表面和第2金属膜3b的上表面附着大气中所含的物质。即，可以抑制在第1金属膜3a与第2金属膜3b之间进入除第1金属膜3a和第2金属膜3b以外的物质。由此，可以提高第1金属膜3a与第2金属膜3b之间的接合力。此外，由于在第1金属膜3a与第2金属膜3b之间没有进入多余的材料，因此可以容易地抑制光吸收。应于说明，通过溅射法等公知的方法形成第1金属膜3a和第2金属膜3b后，可以通过使用表面活化接合法使各金属膜的表面活化来贴合第1金属膜3a和第2金属膜3b。在使用表面活化接合法时，也可以在不过度地加热第1构件1和第2构件2的情况下将金属膜彼此接合，因此可以防止因接合时的热所致的第1构件1和第2构件2的劣化。
这里，作为第1构件1，使用含有氧的第1构件1进行了说明，但作为第1构件1，可使用具有氧、氟和氮(以下也称为“氧等”)中的至少1个的构件。在使用这些构件时，与使用含有氧的构件的情况同样地，也可以通过照射激光来提高对于规定的光的波长的透射率。
作为第1构件1，可使用不吸收作为加热源的激光、微波的材料。除了蓝宝石基板以外，例如，可使用玻璃板、包含荧光体的含荧光体板、透镜。作为含荧光体板，可使用整体包含荧光体的板，也可以如图4A等所示，使用含有包含荧光体的荧光部1a以及以包围荧光部1a的方式设置于荧光部1a的侧面的光反射部1b的板。如此，即使在第1构件1的一部分包含非透光性的区域(在图4A中，光反射部1b)，如果在第1构件的一部分包含透光性的区域(在图4A中，荧光部1a)，则也包含于本说明书的第1构件1。可使用包含YAG荧光体、LAG荧光体等公知的荧光体的材料作为含荧光体板所含的荧光体。此外，作为光反射部1b，例如，可使用包含氧化铝的陶瓷。
作为第2构件2，优选使用在第2构件2的形成有第2金属膜3b的区域包含具有氧、氟和氮中的至少任一个的材料的构件。
由此，可以不仅使第1构件1而且使第2构件2所含的氧等与接合构件3的金属结合，因此可以容易地提高接合构件3的透射率。
本实施方式中，作为发光元件6，使用包含基板和发光结构4的发光二极管(Lightemitting diode，LED)。然后，将位于LED的发光面侧的蓝宝石基板设为第2构件2，在蓝宝石基板的与设置有发光结构4的主面不同的主面形成第2金属膜3b。由此，可以使蓝宝石基板所含的氧与接合构件3结合。此外，可减少电极5中的光的吸收，因此可以期待作为光学部件10的光取出效率的提高。以下，对该方面进行详述。在使半导体晶片单片化而制成LED时，若增大位于LED的发光面侧的基板的厚度，则难以单片化。然而，若减小基板的厚度，则来自活性层的光中的被发光元件的上表面反射的光容易照射到电极，因此有可能光被电极吸收而衰减。与此相对，通过将第1构件1与位于LED6的发光面侧的基板接合，可以增大光反复反射的部分(发光结构4、作为第2构件2的基板、和第1构件1组合而成的部分)的厚度。由此，认为可以减少来自活性层4b的光照射到n电极5a和p电极5b的次数，可以减少在电极5的光的吸收。
应于说明，本实施方式中，将位于LED6的光取出面侧的基板作为第2构件2、将发光结构4作为光半导体，但在LED的光取出面侧不具有基板(即，使用发光结构4的一部分作为第2构件)时，可以将位于光取出面侧的发光结构4的一部分作为第2构件。例如，在图1A中，基板2没有位于发光元件6的发光面侧时，n侧半导体层4a的一部分作为第2构件2发挥功能，n侧半导体层4a的另一部分作为发光结构4的一部分发挥功能。作为透光性的第2构件2，除了发光元件6所含的基板以外，还可以使用与第1构件1中举出的构件同样的构件。
本实施方式中，使用了透光性的第2构件作为第2构件2，但也可以使用非透光性的第2构件作为第2构件。作为非透光性的第2构件，例如，可使用金属板、树脂、Si等能量带隙小的半导体晶片。
作为第1金属膜3a和第2金属膜3b，可使用通过与第1构件1所含的氧等结合而对于规定波长的光的透射率变高的材料。在第1构件1中包含氧时，例如，可使用Al、Ti、Ta等标准生成自由能大的金属。此外，在第1构件1中包含氟时，例如，可使用Mg、Li、Ca。进而，在第1构件1中包含氮时，例如，可使用Si、Al、Zn。第1金属膜3a和第2金属膜3b优选由相同材料构成。由此，可以抑制在第1金属膜3a与第2金属膜3b之间产生折射率差，因此可以减少光取出效率的降低。
接合构件3的膜厚根据材料而不同，优选设为0.2nm～5nm，更优选设为0.4nm～2nm。通过以0.2nm以上的膜厚形成，可以提高接合构件3与第1构件1和第2构件2的接合强度。此外，通过设为5nm以下的膜厚，在对接合构件3照射激光或对接合构件3照射微波的工序中，可以容易地提高接合构件3的透射率。
使用蓝宝石或玻璃作为第1构件1和第2构件2且使用Al或Ti作为第1金属膜3a和第2金属膜3b时，在形成第1金属膜3a和第2金属膜3b之前，优选对形成第1金属膜3a的面和形成第2金属膜3b的面进行亲水化处理而制成亲水性表面。例如，将第1构件1中的形成第1金属膜3a的面和第2构件2中的形成第2金属膜3b的面用水清洗，从而可以使各个面为亲水性表面。由此，可以增多能混入接合构件3的氧的量，因此可以提高在准备接合体的工序中的接合构件3的透射率。因此，可以进一步提高后述的照射激光或照射微波之后的接合构件3的透射率。
在照射激光或微波之前，通过制成亲水性表面可以增多混入接合构件3的氧的量，可以由图15A和B所示的其它例子所涉及的接合体的分析结果得到确认。将利用扫描型透射电子显微镜(Scanning Transmission Electron Microscope，STEM)观察接合构件3附近的暗视场图像示于图15A。这里，使用石英玻璃作为第1构件1和第2构件2，用酸和水清洗各个表面而制成亲水性表面后，形成分别由1nm的Ti构成的第1金属膜3a和第2金属膜3b，准备将第1金属膜3a和第2金属膜3b接合而成的接合体。此外，图15B示出利用电子能量损失分光法(Electron Energy Loss Spectroscopy，EELS)将图15A的闭合线内中的硅、钛和氧进行标绘测定的结果。图15B的左图中的白色区域是强烈检测到硅的区域，黑色区域是接合构件3所在的区域。图15B的中央图中，在与左图的黑色区域对应的白色区域检测到钛，图15B的右图中，在与左图的黑色区域对应的区域检测到氧，因此可知接合构件3包含钛和氧。该情况由示于图16A的接合构件3(图15B的中央图中的虚线框内)的能量损失光谱(以下称为“EELS光谱”)也可明确。图16B为TiO的EELS光谱，图16C为金红石型的TiO2的EELS光谱。此外，图16A～图16C中，460eV附近的光谱表示Ti的L层，530eV附近的光谱表示O的K层。图16A所示的EELS光谱中的Ti的L层和O的K层的光谱形状与TiO的Ti的L层和O的K层的光谱形状类似，图16A所示的EELS光谱中的Ti的L层的峰波长与金红石型的TiO2的峰波长相近。认为从该情况也可知接合构件3包含钛和氧。
应于说明，在形成第1金属膜3a和第2金属膜3b之前，在将第1构件1和第2构件2的表面制成亲水性表面时，有时接合构件3中包含金属原子和氧原子。即使是这种情况，主成分为金属时也包含于本说明书中的“由金属构成的接合构件3”。
此外，在将第1构件1和第2构件2的表面制成亲水性表面时，例如，在第1金属膜3a和第2金属膜3b的各自的膜厚较薄的情况下，有时在接合体中氧原子以某程度的比例含于接合构件3。在这种情况下，接合体中的接合构件3包含金属原子这方面，也与接合构件的主成分为金属的情况相同。无论怎样，根据本实施方式，通过照射激光，可以使接合构件3对于规定波长的光的透射率高于原始状态的透射率。
(对接合构件3照射激光或对接合构件3照射微波的工序)
接着，如图1C和图2A所示，通过对接合构件3照射激光，可以使接合构件3对于规定波长的光的透射率高于原始的透射率。由此，可以减少来自发光元件6的光被接合构件3吸收，因此可以制成对于规定波长的光的透射率高的光学部件10。例如，在第1构件1和第2构件2由石英玻璃构成、接合构件3由0.8nm的Al构成的接合体中，对于400nm的光的透射率约为87％。与此相对，在对相同条件下得到的接合体按照一边每次20μm地移动一边多行形成130μm的宽度的照射区域的方式照射激光而得的光学部件中，确认了对于400nm的光的透射率约为98％。通过如本实施方式那样照射激光，可以仅加热接合构件3及其附近。因此，可以减少第1构件1和第2构件2的劣化。例如，如本实施方式那样接合第1构件1与发光元件6时，若加热发光元件6整体，则有可能发光元件6所含的电极5被加热而无法实现作为电极的功能，但可以避免这种情况。应于说明，在使用不含因照射微波而劣化的材料的光学部件作为光学部件时，也可以照射微波来代替照射激光。
作为激光，例如，可使用YAG激光等固体激光、KrF准分子激光、CO2激光等气体激光、半导体激光等。本实施方式中，为了使激光容易聚光，从第1构件1一侧照射激光。不限于此，第1构件1和第2构件2两者由透光性的材料构成时，也可以从第2构件2侧照射激光。这是因为例如使用含荧光体板作为第1构件1、使用蓝宝石基板作为第2构件2时，优选从第2构件2侧照射激光。由此，激光不散射地照射至接合构件3，因此可以使高密度的能量集中照射于接合构件3。
通过照射激光而提高对于规定波长的光的透射率时，优选使接合构件3中的仅一部分区域的透射率高于原始状态的透射率。即，优选在接合构件3中部分残留金属的区域。假设即使通过使第1构件1所含的氧等与接合构件3结合而降低第1构件1与接合构件3的密合力，也可以在未照射激光的区域(金属的区域)维持密合力。本实施方式中，如图2B所示，从上方来看以竖条纹状照射激光，但不限定于此。应于说明，由1次激光照射而形成的照射区域的宽度可以通过改变从接合构件3的上表面至激光的焦点的距离来进行控制。
作为微波，例如，可使用微波退火装置。推测在照射微波时，也与照射激光的情况同样地加热接合构件3，通过第1构件1所含的氧等与接合构件3结合而透射率变高。
＜第2实施方式＞
将第2实施方式所涉及的光学部件20的制造方法示于图3A～图3C。图4A是通过本实施方式得到的光学部件20的截面图，图4B是光学部件20所含的接合构件3的俯视图。图4B中，画阴影线的区域X是对于规定波长的光的透射率变高的区域。此外，图5是将光学部件20与用作光半导体的发光元件9组合而成的发光装置30的图。对于光学部件20，除了接下来说明的事项以外，与光学部件10中说明的事项实质上相同。
本实施方式中，在准备接合体的工序中，准备从下开始依次具有第2构件2、接合构件3、第1构件1、第2接合构件8和第3构件7的接合体。具体而言，首先，如图3A所示，在第1构件1的下表面形成第1金属膜3a，在第1构件1的上表面形成第3金属膜8a，在第2构件2的上表面形成第2金属膜3b，且在第3构件7的下表面形成第4金属膜8b。然后，将第1金属膜3a的下表面与第2金属膜3b的上表面、第3金属膜8a的上表面与第4金属膜8b的下表面分别直接贴合，从而准备如图3B所示的接合体。本实施方式中，使用含荧光体板作为第1构件1，使用蓝宝石基板作为第2构件2，使用蓝宝石基板作为第3构件7。然后，在对接合构件3照射激光或对接合构件3照射微波的工序中，照射微波。此时，如图3C所示，不仅对接合构件3，而且对第2接合构件8也照射微波，因此如图4A的区域Y所示那样第2接合构件8中透光率也变高。
光学部件20的制造方法也可以简便地制造减少了接合构件3中的光吸收的光学部件20。此外，通过对接合构件3照射微波，可以用较短的时间在大范围内提高接合构件3的透射率。进而，由于将第3构件7与第1构件1的上表面侧接合，因此可以容易地放出由含荧光体板所含的荧光体产生的热。
本实施方式中，作为属于第1构件1的含荧光体板，包含荧光部1a和以包围荧光部1a的方式设置于荧光部1a的侧面的光反射部1b。
本实施方式中，提高接合构件3和第2接合构件8的全部区域的透射率。然而，如第1实施方式那样照射激光而提高对于规定波长的光的透射率时，在接合构件3和第2接合构件8中，位于光反射部1b的上方和下方的区域的光透射率优选设为原始的透射率。即，优选仅对位于荧光部1a的上方和下方的区域照射激光。由此，在接合构件3和第2接合构件8中，可以使对光的取出没有影响的区域保持为金属的性质，因此可以使从荧光体向光反射部1b的热容易地排热至第2构件2和第3构件7。
发光装置30中，如图5所示，作为发光元件9，使用激光二极管(Laser Diode，LD)。使用LD作为发光元件9时，提高荧光体的放热性的必要性较大，接合第2构件2的必要性增加。可以不限于此而使用LED作为发光元件9。
＜第3实施方式＞
图6A是通过第3实施方式所涉及的光学部件40的制造方法得到的光学部件40的截面图。此外，图6B是光学部件40所含的接合构件3的俯视图。图6B中画阴影线的区域X是对于规定波长的光的透射率变高的区域。进而，图7是将光学部件40和用作光半导体的发光元件9组合而成的发光装置50的示意图。对于光学部件40，除了接下来说明的事项以外，与光学部件10中说明的事项实质上相同。
本实施方式中，使用非透光性的构件作为第2构件2。具体而言，使用含荧光体板作为第1构件1，使用金属板作为第2构件2。此外，在对接合构件3照射激光或对接合构件3照射微波的工序中，从上方来看，对中央附近的区域照射激光，其周围的区域保持为原始的透射率。
本实施方式中，也可以简便地制造减少了来自发光元件等的光被接合构件3吸收的光学部件40。此外，第2构件2由金属板构成时，在第2构件2的上表面容易吸收来自发光元件9的光，但通过如本实施方式那样在第1构件1与第2构件2之间夹杂提高了透射率的接合构件3，可以减少被第2构件2吸收的光。这是因为，可以使从第1构件1侧入射的光中的以浅角度入射的光被提高了透射率的接合构件3进行全反射而取出。
图6A中，作为含荧光体板，使用整体包含荧光体的板，也可以使用包含荧光部和光反射部的板。
如图7所示，光学部件40例如可以与作为发光元件9的LD组合而制成发光装置50。图7中，将来自发光元件9的光照射于第1构件1的上表面，从同一面(上表面)侧取出荧光等光。
＜实施例＞
通过以下制造方法制造光学部件60。首先，将2个蓝宝石基板的各自的两面进行研磨，准备由厚度为100μm的蓝宝石基板构成的第1构件1和由厚度为550μm的蓝宝石基板构成的第2构件2。然后，使用原子扩散接合法准备将第1构件1和第2构件2介由接合构件3贴合而成的接合体。具体而言，首先，如图8A所示，将由Al构成的第1金属膜3a以0.5nm的膜厚形成于第1构件1的下表面，将由Al构成的第2金属膜3b以0.5nm的膜厚形成于第2构件2的上表面。然后，如图8B所示，将第1金属膜3a的下表面与第2金属膜3b的上表面直接接合。此时，第1金属膜3a的形成、第2金属膜3b的形成、以及第1金属膜3a和第2金属膜3b的接合在超高真空中进行。
接着，如图8C所示，从第1构件1的上表面侧照射激光，使接合构件3的透射率高于原始的透射率。作为激光，使用波长355nm的脉冲YAG激光。此时，脉冲激光的重复频率为60kHz，脉冲宽度约为25纳秒。此外，激光的输出功率恒定在400mW，接合体的输送速度设为1mm/sec。进而，激光的焦点位置设为距接合体的上表面约100μm的位置。然后，从上方观察以纵向扫描激光。一边在与扫描方向垂直的方向每次20μm地移动一边进行该扫描。
将由此得到的光学部件60的截面图示于图9A，将光学部件60所含的接合构件3的俯视图示于图9B。此外，将一边从光学部件60的下表面侧照射白色光一边从上表面侧观察的照片示于图10。图10中，亮色的区域为照射了激光的区域，暗色的区域为未照射激光(接合构件3的原始的透射率的)的区域。由该结果可确认，照射激光的部分的接合构件3的透射率与未照射激光的部分的接合构件3的透射率相比变高。
此外，图11和图12示出利用能量分散型X射线分析将接合构件3附近的氧和铝进行标绘测定的结果。图11是照射激光之前的图，图12是照射激光后的图。此外，图11和图12中，接合构件3位于中央附近。图11中，与第1构件1和第2构件2相比，接合构件3中的铝的量较多，氧的量较少。这是因为，第1构件1和第2构件2分别由蓝宝石构成，与此相对，接合构件3由金属铝构成。另一方面，图12中，可知铝和氧的分布在第1构件1、接合构件3和第2构件2中整体地均匀。即，由图12可以合理地理解，通过激光的照射，金属铝成为氧化铝，因此透光性增加。
进而，图13和图14中分别示出接合构件3附近的TEM图像(左图)、左图A部分的电子衍射图像(中央图)和左图B部分的电子衍射图像(右图)。图13是照射激光之前的图，图14是照射激光之后的图。由图13和图14可确认，与激光的照射前后无关，接合构件3及其附近为单晶的状态。由该结果可知，即使照射激光，接合构件3也不会变为无定形状态而保持结晶性。
产业上的可利用性
各实施方式所记载的光学部件可用于照明、车载等。

Claims (8)

1.一种光半导体用的光学部件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
通过将形成于透光性的第1构件的第1金属膜与形成于第2构件的第2金属膜直接贴合来准备所述第1构件与所述第2构件介由由金属构成的接合构件接合而成的接合体的工序，所述透光性的第1构件具有氧、氟和氮中的至少任一个；以及
通过对所述接合构件照射激光或对所述接合构件照射微波，使所述接合构件对于规定波长的光的透射率提高的工序。
2.根据权利要求1所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在对所述接合构件照射激光或对所述接合构件照射微波的工序中，对所述接合构件照射激光。
3.根据权利要求2所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在对所述接合构件照射激光或对所述接合构件照射微波的工序中，使所述接合构件中的仅一部分区域的透射率高于原始状态的透射率。
4.根据权利要求2或3所述的光学部件的制造方法，其特征在于，进一步包括如下工序：
准备半导体发光元件的工序，所述半导体发光元件包含透光性的所述第2构件以及在所述透光性的第2构件的一个主面作为所述光半导体而设置的发光结构；
在准备所述接合体的工序中，
在所述第1构件形成所述第1金属膜，在所述第2构件的另一个主面形成所述第2金属膜，
将所述第1金属膜和所述第2金属膜直接贴合。
5.根据权利要求1所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在准备所述接合体的工序中，使用透光性的第2构件作为所述第2构件。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在准备所述接合体的工序中，使用具有氧、氟和氮中的至少任一个的第2构件作为所述第2构件。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在准备所述接合体的工序中，使用包含荧光体的第1构件作为所述第1构件。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于，在准备所述接合体的工序中，使用原子扩散接合法准备接合体。
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