JP4800729B2 - 基板加工方法及び発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板加工方法、特に、ガリウム酸化物の基板加工方法及び発光素子の製造方法に関し、特に、レーザを用いた基板加工方法に関する。

従来の発光素子として、ＳｉＣからなる基板上にＧａＮからなるｎ型層およびｐ型層を積層したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このＳｉＣを用いた発光素子は、ＳｉＣの単結晶ウエハを用い、この基板上にＧａＮからなるｎ型層およびｐ型層を形成して、劈開を利用したダイシング加工によりこれらを切り出すことによって、複数の発光素子にすることによって製造されている。

しかし、基板を紫外領域の光を透過するものとして、可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直電極構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子として、ガリウム酸化物の基板を使用して発光素子を形成したものが開発されている(例えば、特許文献２参照)。

また、ニオブ酸リチウム単結晶等の酸化物単結晶からなる母材を、劈開を利用してダイシング加工する方法や、短パルスレーザを照射して熱応力により劈開面で割断する方法等が知られている(例えば、特許文献３、４参照)。
特開２００２−２５５６９２号公報 特開２００４−５６０９８号公報 特開平１０−３０５４２０号公報 特開平１１−２２４８６５号公報

しかし、特許文献２に開示された発光素子は、ガリウム酸化物の基板を使用したものである。このガリウム酸化物の基板は、面方位により劈開性が強く、基板上に形成された複数の発光素子を切り出す方向には適した劈開性がなく、従来から使用されていたダイシング加工方法では歩留まりのよい素子製造が困難である。特に、ガリウム酸化物の基板は、発光素子が形成される基板表面に平行に強い劈開性を有し、従来のダイシング加工方法で切り出そうとすると、切り出し端面の近傍で、剥がれやクラック等が発生し易い。

また、特許文献３、４に開示された方法は、劈開を利用してダイシング加工あるいは割断する方法であるので、ガリウム酸化物の基板及びこの基板上に形成した発光素子の切り出しには適用できないという問題があった。

従って、本発明の目的は、ガリウム酸化物の基板及びこの基板上に形成した発光素子を、加工部近傍で剥がれやクラック等を発生させずに、また、劈開を利用せずに割断又は切断することができる、基板加工方法及び発光素子の製造方法を提供することにある。

本発明は上記の目的を達成するため、以下の［１］の基板加工方法を提供する。
［１］所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板に、３００ｎｍより短い波長のレーザ光を照射して前記基板の表面に前記基板の劈開面と一致しない方向に加工溝を形成する工程と、前記基板を前記形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。

また、本発明は上記の目的を達成するための、以下の［２］の基板の加工方法を提供する。
［２］所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板に、ＹＡＧレーザ光の第４高調波を照射して前記基板の表面に前記基板の劈開面と一致しない方向に加工溝を形成する第１の加工工程と、前記ＹＡＧレーザ光の第４高調波により加工された前記加工溝の位置に、エキシマレーザ光を照射して加工溝を追加して形成する第２の加工工程と、前記基板を前記形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。

また、本発明は上記の目的を達成するための、以下の［３］の発光素子の製造方法を提供する。
［３］化合物半導体薄膜を成長させて複数の発光素子が形成される所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板を、請求項１又は３に記載の基板加工方法により、前記β−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板上に形成された前記複数の発光素子を分割して取り出すことを特徴とする発光素子の製造方法。

本発明の基板加工方法及び発光素子の製造方法によれば、ガリウム酸化物の基板及びこの基板上に形成した発光素子を、切り出し端面の近傍で剥がれやクラック等を発生させずに、また、劈開を利用せずに切り出すことが可能となる。

（第１の実施の形態）
（加工装置）
図１は、本発明に係る基板加工方法を実施するための装置の一例を示す図である。この加工装置１は、レーザビーム２を発光させる光源３、光源３から出射されるレーザビーム２から高調波を生成する波長変換部４、波長変換されたレーザビーム２を平行光にするコリメータレンズ５、レーザビーム２を反射させて加工を施す基板へ向かって反射させる反射ミラー６、反射ミラー６で反射され基板へ向かうレーザビーム２を集光させる集光レンズ７とを有して構成される部分と、集光されたレーザビーム２により加工を施されるガリウム酸化物基板８が載置されるＸＹテーブル９とから構成される。

光源３として、ＹＡＧレーザを使用する。ＹＡＧレーザは、ＹＡＧ結晶（イットリウム・アルミニュウム・ガーネット）をオプティカルポンピング（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｕｍｐｉｎｇ）する事により得られるレーザ光であり、基本波の波長は１０６４ｎｍの近赤外線で、極めて高いエネルギー密度が得られる。非線形光学結晶により基本波を高調波に変換することで短波長のレーザビームを発生させることができ、本発明の第１の実施の形態では波長変換部４により波長２６６ｎｍの第４高調波であるレーザビーム２を発生させて使用した。

波長変換部４とガリウム酸化物基板８の間には、波長変換部４から出射したレーザビーム２を平行光にするコリメータレンズ５、レーザビーム２を反射させてガリウム酸化物基板８の方向へ導く反射ミラー６、及び、レーザビーム２を集光させてガリウム酸化物基板８の表面に照射させるためＺ方向（光軸方向）に移動可能な集光レンズ７が配置されている。

光源３から出射した波長１０６４ｎｍのビームは、コリメータレンズ５で平行光にされ、反射ミラー６で折り返された後、ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）０．０８の集光レンズ７でガリウム酸化物基板８の表面に、スポット径約２μｍで結像される。

一方、ガリウム酸化物基板８が載置されるＸＹテーブル９は、レーザビーム２の光軸に垂直なＸ及びＹ方向に移動可能とされている。

ガリウム酸化物基板８は、所定の面方位を有してウエハー状に加工された基板である。ガリウム酸化物基板８がβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶の場合には、基板表面は、（１００）、（０１０）、（００１）面、又は、（８０１）面とされ、（１００）面に強い劈開性を有している。また、上記のように、基板表面を（１００）、（０１０）、（００１）面又は（８０１）面とした場合は、（００１）面にも劈開性が認められる。ガリウム酸化物基板８は、（１００）面又は、（８０１）面を上にして、ＸＹテーブル９の所定の位置、及び、所定の向きに載置される。所定の位置は、ＸＹテーブル９に載置されたガリウム酸化物基板８がＸ及びＹ方向に移動可能な範囲で、レーザビーム２が割断又は切断に必要な範囲に照射できる位置である。また、所定の向きは、ガリウム酸化物基板８の面方位とＸＹテーブル９のＸ及びＹ方向とを所定の向きに合わせてガリウム酸化物基板８をＸＹテーブル９上に載置することで設定される。ガリウム酸化物基板８の面方位を識別するものとして、ノッチ、溝、又はオリエンテーションフラット等の識別部８ａが形成されているのが好ましい。

尚、上記の説明では、ガリウム酸化物基板として、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板を挙げたが、これに限らず、劈開性が強いために割断あるいは切断が困難なウエハー状基板に本発明に係る加工方法は適用できる。すなわち、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板以外のガリウム酸化物基板、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなる群から選ばれる１種以上を添加したＧａを主成分としたＧａ_２Ｏ_３系化合物基板であってもよい。

図２は、ガリウム酸化物、特に、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶の光吸収特性である光吸収スペクトル図を示すものである。横軸は波長ｎｍ、縦軸は吸収率％を示す。吸収率は、２００〜３００ｎｍの範囲で大きく変化する。この図から、横軸を光エネルギー、縦軸を［α（ｈν）］^２として描き直して接線のＸ切片（横軸切片）からβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶のバンドギャップエネルギーを求めると、吸収端は、アズデポ、あるいは、アニール条件等で若干の幅を有するが、４．８〜５．０ｅＶとなる。ここで、αは吸収係数、ｈはプランク定数、νは光の周波数である。波長に換算すると、２４８〜２５８ｎｍとなる。

（加工方法）
ガリウム酸化物基板８をＸＹテーブル９の所定の位置に載置する。ガリウム酸化物基板８の劈開の方向を識別する識別部８ａを基にしてガリウム酸化物基板８の面方位とＸＹテーブル９のＸ及びＹ方向とを所定の向きに合わせる。ここでは、ガリウム酸化物基板８の劈開の方向、例えば、（００１）面をＸＹテーブル９のＸ及びＹ方向と一致させないようにする。

光源３、すなわち、ＹＡＧレーザを所定の条件で駆動し、レーザビーム２を出射させる。駆動は、連続Ｑスイッチによる発振駆動による。波長２６６ｎｍの第４高調波に変換されたレーザビーム２を集光レンズ７を光軸方向に移動させて、ガリウム酸化物基板８の表面又は表面から所定の前後位置に焦点を結ぶようにフォーカス調整を行う。

レーザ出力、発振周波数、Ｘ方向及びＹ方向への加工速度、走査回数を所定の値に設定して、加工を行う。まず、ＸあるいはＹ方向へ、ＸＹテーブル９を移動させ、設定した走査回数だけレーザビーム２をガリウム酸化物基板８の表面に照射して、加工溝８ｂを形成することにより基板加工を行う。割断又は切断するために必要な所定の溝数を加工し終わったら、上記と直角なＹあるいはＸ方向へ、ＸＹテーブル９を移動させ、設定した走査回数だけレーザビーム２をガリウム酸化物基板８の表面に照射して加工を行う。

ＹＡＧレーザの第４高調波は波長２６６ｎｍであり、図２の光透過スペクトルから、約３０％はガリウム酸化物基板８に吸収される。また、波長２６６ｎｍは、ガリウム酸化物基板８の吸収端２４８〜２５８ｎｍに近接した波長である。この結果、ガリウム酸化物基板８の表面に照射されたレーザビーム２は、加工部を加熱溶融する熱加工だけではなく、ガリウム酸化物の分子間結合の少なくとも一部を断ち切り、ガス化あるいは極微粒子化させて飛散させて加工部を除去する、いわゆる、レーザアブレーション加工が行われる。

尚、光源３によるレーザビーム２の加工波長は、上記の波長２６６ｎｍに限られず、ガリウム酸化物基板８の吸収端２４８〜２５８ｎｍより長波長側であっても、光吸収が行われる３００ｎｍ以下の波長範囲であれば、上記の基板加工が可能である。

このようなレーザ加工により、ガリウム酸化物基板８の表面には、割断又は切断のための加工溝８ｂが格子状に形成される。加工溝８ｂに沿って、所定の力を加えることにより、ガリウム酸化物基板８は必要なチップ形状に割断される。あるいは、加工溝８ｂがガリウム酸化物基板８を貫通すれば、所定の力を加えることなく、ガリウム酸化物基板８は必要なチップ形状に切断される。

（実施例１）ＹＡＧ第４高調波による加工
ガリウム酸化物基板８として、基板表面の面方位が（１００）面で、厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板を、（００１）面がＸＹテーブル９のＸ又はＹ方向と一致しないようにＸＹテーブル９に載置し、Ｘ又はＹ方向へ走査して加工した。レーザビーム２として、ＹＡＧレーザの第４高調波である波長２６６ｎｍのレーザビームを、基板にスポット径約２μｍで照射した。加工条件は、ＹＡＧレーザ出力１．３Ｗ、発振周波数５０ｋＨ、加工速度１０〜１００ｍｍ／ｓ、焦点位置０〜−０．２ｍｍ、走査回数１〜５０回として、割断又は切断のための加工溝をサンプルＮｏ．１〜１１として加工した。焦点位置は、基板表面をゼロとし、基板内部側をマイナスとした。評価は、各サンプルＮｏ．の加工溝に沿って力を加えて割断し、割断部及びその周辺領域での劈開による表面の剥がれ又はクラック等の加工不良が発生したかどうかにより行った。以上の結果を、表１にサンプルＮｏ．１〜１１としてまとめて示す。

また、図３は、ＹＡＧ第４高調波により加工した厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板の顕微鏡写真で、（ａ）は基板上面から見たもの、（ｂ）は基板側面から見たものである。表１によれば、ＹＡＧ第４高調波により、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板をレーザ加工して加工溝を形成し、割断することで、図３に示すように、劈開による表面の剥がれ又はクラック等の加工不良が発生しない加工が可能となる。これは、加工速度、焦点位置、走査回数等の加工条件によらず、レーザによる加工溝の形成に必要なレーザ出力で基板を照射することにより達成される。

（比較例１）ＹＡＧ第３高調波による加工
上記の実施例１において、レーザビーム２をＹＡＧ第４高調波からＹＡＧ第３高調波に変更し、加工波長３５５ｎｍのレーザビームで加工を行った。ガリウム酸化物基板８として、基板表面の面方位が（１００）面で、厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板を、（００１）面がＸＹテーブル９のＸ又はＹ方向と一致しないようにＸＹテーブル９に載置し、Ｘ又はＹ方向へ走査して加工した。レーザビーム２として、ＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍのレーザビームを、基板にスポット径約２．８μｍで照射した。加工条件は、ＹＡＧレーザ出力４．０Ｗ、発振周波数５０ｋＨ、加工速度１〜１００ｍｍ／ｓ、焦点位置は基板表面、走査回数１〜１００回として、割断又は切断のための加工溝をサンプルＮｏ．１〜９として加工した。評価は、各サンプルＮｏ．の加工溝に沿って力を加えて割断し、割断部及びその周辺領域での劈開による表面の剥がれ又はクラック等の加工不良が発生したかどうかにより行った。以上の結果を、表２にサンプルＮｏ．１〜９としてまとめて示す。

また、図４は、ＹＡＧ第３高調波により加工した厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板の顕微鏡写真で、（ａ）は基板上面から見たもの、（ｂ）は基板側面から見たものである。表２によれば、いずれのサンプルも劈開による表面の剥がれ８ｂ又はクラック等の加工不良が認められ、これは、加工速度、焦点位置、走査回数等の加工条件によらず、レーザによる加工溝の形成が不十分であることを示している。すなわち、波長３５５ｎｍのレーザビームでは、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板の加工においてはレーザアブレーションが生じず、加工時に、表面の剥がれ又はクラック等の要因となるひずみ、ダメージ等が加工溝８ｂ近傍に蓄積され、図４に示すように、加工溝形成時に劈開による表面の剥がれ８ｃが発生する。又、割断時に劈開による表面の剥がれ８ｃ又はクラック等が発生し、加工不良が発生することになる。

（第１の実施の形態の効果）
本発明の実施の形態によれば、以下の効果を有する。
（１）ガリウム酸化物基板を、加工部近傍で基板表面の剥がれやクラック等を発生させずに割断又は切断することができるので、歩留まり向上に大きな効果を有する。
（２）劈開を利用せずに割断又は切断が可能となるので、特に基板表面に平行に強い劈開性を有するガリウム酸化物基板の加工に効果を有する。
（３）主に、レーザアブレーション加工によるので、ガリウム酸化物基板が熱的ダメージや機械的ダメージを受けることの少ない基板加工が可能となる。

（第２の実施の形態）
第１の実施の形態で使用したＹＡＧレーザに替えて、エキシマレーザを使用することができる。エキシマレーザとは、基底状態では安定な分子を作らない希ガスなどの閉核原子 (分子) が、放電励起などで励起（excitation）されて、他の基底状態の原子 (分子) と強い結合力を示して二原子分子化した状態であるエキシマ状態と基底状態の間の遷移をレーザ発振に応用した気体レーザである。具体的には、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが使用できる。その他、高出力レーザを、非線形光学素子で３００ｎｍ以下の波長に変換したレーザビームも利用可能である。これらのレーザを使用しても第１の実施の形態と同様の加工方法が可能であり、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。尚、エキシマレーザを使用する場合は、波長が短く、光学系によりガリウム酸化物基板上に集光させることが困難であるので、加工溝の幅を決めるための所定のマスクサイズを有するアパーチャを通してガリウム酸化物基板上に集光させる。

（第３の実施の形態）
第１の実施の形態で使用したＹＡＧレーザを第１のレーザ光及び第２の実施の形態で使用したエキシマレーザを第２のレーザ光として使用することにより、ガリウム酸化物基板を割断又は切断することができる。

（実施例２）
ガリウム酸化物基板８として、基板表面の面方位が（１００）面で、厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板を、（００１）面がＸＹテーブル９のＸ又はＹ方向と一致しないようにＸＹテーブル９に載置し、Ｘ又はＹ方向へ走査して加工した。まず、第１のレーザ光として、ＹＡＧレーザの第４高調波である波長２６６ｎｍのレーザビームを、基板にスポット径約２μｍで照射した。加工条件は、ＹＡＧレーザ出力１．３Ｗ、発振周波数５０ｋＨ、加工速度１０ｍｍ／ｓ、焦点位置は基板表面、走査回数５０回として、加工溝を形成した。ガリウム酸化物基板８に形成された加工溝の深さは、基板厚さ４００μｍの半分の２００μｍであった。次に、第２のレーザ光として、波長２４８ｎｍのエキシマレーザを、０．３ｍｍ×８．５ｍｍのマスクサイズを通して、第１のレーザ光により加工された加工溝上に集光させた。第２のレーザ光を、加工速度２．６ｍｍ／ｓで上記加工溝に追従スキャニングさせて、走査回数１回で加工を施した。

上記に示した加工により、厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板は、数１０μｍの未加工厚さを残して溝形成され、チップブレーカにより、容易に割断できた。

上記の例では、他に、スキャニング速度として、１．３、１．７、２．１、３．５、４．０ｍｍ／ｓで実験を行ったが、１．３、１．７、２．１の遅いスキャニング速度では基板が完全に切断され分離した。また、２．６、３．５、４．０ｍｍ／ｓのスキャニング速度では基板の未加工厚さを残して溝形成され、基板が切断されることはなかった。従って、第２のレーザ光のスキャニング速度等の設定を変更することで、基板を完全に切断する加工方法とすることもでき、また、基板の未加工厚さを残して溝形成して割断する加工方法とすることもできる。また、第１のレーザ光の出力を変更する等により、第１のレーザ光による加工溝の深さを変更させることもでき、これにより、割断又は切断による加工方法とすることもできる。

第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果に加えて、加工時間を短縮できるという効果を有する。

（第４の実施の形態）
ガリウム酸化物基板上に、発光素子を複数形成し、この各発光素子をレーザ光を照射して個々の発光素子チップとして取り出すための発光素子の製造方法に関する。図５は、第４の実施の形態に係る発光素子を示す図である。この発光素子４０は、β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるガリウム酸化物基板８と、ガリウム酸化物基板８の上に形成されたＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮからなるバッファ層（ただし０≦ｙ≦１）４２と、バッファ層４２の上に形成されたＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮからなるｎ−Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮクラッド層（ただし０≦ｚ＜１）５５と、ｎ−Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮクラッド層５５の上に形成されたＩｎ_ｍＧａ_１−ｍＮからなるＩｎ_ｍＧａ_１−ｍＮ発光層（ただし０≦ｍ＜１）５６と、Ｉｎ_ｍＧａ_１−ｍＮ発光層５６の上に形成されたＡｌ_ｐＧａ_１−ｐＮからなるｐ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮクラッド層（ただし０≦ｐ＜１、ｐ＞ｚ）５７と、ｐ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮクラッド層５７の上に形成された透明電極４５と、透明電極４５の一部に形成されたＡｕ等からなるボンディング電極４７と、ガリウム酸化物基板８の下面に形成されたｎ電極４６からなる。

ｎ−Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮクラッド層５５のバンドギャップエネルギーは、Ｉｎ_ｍＧａ_１−ｍＮ発光層５６のバンドギャップエネルギーより大きく、ｐ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮクラッド層５７のバンドギャップエネルギーは、Ｉｎ_ｍＧａ_１−ｍＮ発光層５６のバンドギャップエネルギーより大きくなるように形成される。

図６は、発光素子４０が形成されたガリウム酸化物基板８を示す図である。この発光素子４０は、ガリウム酸化物基板８上に、同じ仕様で所定の個数だけ形成され、各発光素子間には、本発明の加工方法による割断又は切断のための、所定幅のダイシング領域８ｄが形成されている。このダイシング領域８ｄは、ガリウム酸化物基板８の劈開面と一致させないよう形成されている。ダイシング領域８ｄに沿って、第１の実施の形態で説明したレーザビームによる基板加工方法を適用することで、ウエハー上に形成された発光素子を歩留まりよく割断又は切断して、ベアチップとして取り出すことが可能となる。

本発明に係る基板加工方法を実施するための装置の一例を示す図である。 ガリウム酸化物、特に、β―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶の光透過吸収特性である光透過スペクトル図を示すものである。 ＹＡＧ第４高調波により加工した厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板の顕微鏡写真で、（ａ）は基板上面から見たもの、（ｂ）は基板側面から見たものである。 ＹＡＧ第３高調波により加工した厚さ４００μｍのβ―Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板の顕微鏡写真で、（ａ）は基板上面から見たもの、（ｂ）は基板側面から見たものである。 第４の実施の形態に係る発光素子を示す図である。 発光素子４０が形成されたガリウム酸化物基板８を示す図である。

符号の説明

１ 加工装置
２ レーザビーム
３ 光源
４ 波長変換部
５ コリメータレンズ
６ 反射ミラー
７ 集光レンズ
８ ガリウム酸化物基板
９ ＸＹテーブル
４０ 発光素子

Claims (5)

1. 所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板に、３００ｎｍより短い波長のレーザ光を照射して前記基板の表面に前記基板の劈開面と一致しない方向に加工溝を形成する工程と、
   前記基板を前記形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。
2. 前記３００ｎｍより短い波長は、ＹＡＧレーザ光の第４高調波又はエキシマレーザ光の波長であることを特徴とする請求項１に記載のβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。
3. 所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板に、ＹＡＧレーザ光の第４高調波を照射して前記基板の表面に前記基板の劈開面と一致しない方向に加工溝を形成する第１の加工工程と、
   前記ＹＡＧレーザ光の第４高調波により加工された前記加工溝の位置に、エキシマレーザ光を照射して加工溝を追加して形成する第２の加工工程と、
   前記基板を前記形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。
4. 前記基板の表面は（１００）、（００１）、（０１０）、又は（８０１）の面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板加工方法。
5. 化合物半導体薄膜を成長させて複数の発光素子が形成される所定の面方位と光吸収特性を有するβ−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板を、請求項１又は３に記載の基板加工方法により、前記β−Ｇａ _２ Ｏ _３ 基板上に形成された前記複数の発光素子を分割して取り出すことを特徴とする発光素子の製造方法。