CN1717784A - 激光加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护带(25)安装在晶片(1a)的表面(3)上，将晶片(1a)的背面(21)作为激光入射面，将聚光点P调整在基板(15)的内部，通过照射激光L，形成由多光子吸收产生的熔融处理区(13)，利用该熔融处理区(13)，沿着晶片(1a)的切断预定线(5)从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区(8)，将扩展带(23)安装在晶片(1a)的背面(21)上，通过使扩展带(23)伸展，使以切断起点区(8)为起点切断晶片(1a)而产生的多个芯片状部分(24)互相分离。

Description

激光加工方法
技术领域
本发明涉及加工方法，特别是涉及使用激光的加工方法。
背景技术
近年来，要求一种能高精度地切断具有各种层叠结构的加工对象物的技术，上述层叠结构有例如作为半导体器件用、在Al2O3基板上使GaN等半导体动作层进行晶体生长的层叠结构，或者作为液晶显示装置用、在玻璃基板上粘贴了另一玻璃基板的层叠结构等。
迄今，切断这些具有层叠结构的加工对象物时，一般是使用刀片切割法或金刚石划片法。
所谓刀片切割法是利用金刚石刀片等切削并切断加工对象物的方法。另一方面所谓金刚石划片法，是利用金刚石刀头工具在加工对象物的表面上设定划线，将刀刃沿着该划线押接在加工对象物的背面上，使割开加工对象物而切断的方法。
可是，在采用刀片切割法时，例如，在加工对象物是上述的液晶显示装置用的加工对象物的情况下，由于在玻璃基板和另一玻璃基板之间设有间隙，所以切削屑或润滑洗净水有可能进入该间隙。
另外，在采用金刚石划线法时，在加工对象物具有Al2O3基板等硬度高的基板的情况下，或者，在加工对象物是将玻璃基板之间彼此粘贴起来的加工对象物等情况下，不仅在加工对象物的表面上，而且还必须在背面上设定划线，由于在该表面上和背面上设定的划线的位置偏移，有可能造成切断不良。
发明内容
因此，本发明就是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供一种解决上述的问题，在加工对象物具有各种层叠结构的情况下，也能高精度地切断加工对象物的激光加工方法。
为了达到上述目的，本发明的激光加工方法是一种切断包含基板、以及设置在基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过使伸展性的膜伸展，使以切断起点区为起点切断加工对象物而产生的多个部分互相分离。
另外，本发明的激光加工方法是一种切断包含半导体基板、以及设置在半导体基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在半导体基板的内部，通过照射激光，形成熔融处理区，利用该熔融处理区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过使伸展性的膜伸展，使以切断起点区为起点切断加工对象物而产生的多个部分互相分离。
如果采用这些激光加工方法，则通过将保护膜安装在加工对象物的表面上，能使背面朝上地将加工对象物放置在台上，所以能使激光从加工对象物的背面良好地照射到(半导体)基板的内部。而且，在利用多光子吸收现象形成的改质区(熔融处理区)中，在基板的内部形成沿着应切断加工对象物的所希望的切断预定线的切断起点区，能以该切断起点区为起点切断加工对象物。而且，由于将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上使其伸展，能容易地使被切断了的加工对象物的多个部分分离。即，如果采用本激光加工方法，则不使激光直接照射在位于加工对象物表面上的层叠部上，就能形成切断起点区，同时将切断起点区作为起点，用比较小的力、精度良好地切割而将基板切断，能容易地分离被切断了的加工对象物。因此，如果采用该激光加工方法，即使在加工对象物具有各种层叠结构的情况下，也能高精度地切断该加工对象物。
这里，所谓基板上的层叠部，是指堆积在基板表面上的层叠部、粘贴在基板表面上的层叠部、或安装在基板表面上的层叠部等而言，不管与基板的材料相同还是不同都可以。而且，对于层叠部，具有紧密地设置在基板上的层叠部、或设置得与基板之间具有间隙的层叠部等。作为例子，具有在基板上通过晶体生长形成的半导体动作层、或粘贴在玻璃基板上的另一玻璃基板等，层叠部包括形成了多层不同材料的层叠部。另外，所谓基板的内部，意味着也包含设置了层叠部的基板的表面。另外，所谓聚光点，是激光会聚的地方。而且，切断起点区具有连续地形成改质区而形成的情况，也具有断续地形成改质区而形成的情况。
另外，本发明的激光加工方法是一种切断包含基板、以及设置在基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过对加工对象物施加外力，以切断起点区为起点将加工对象物切断成多个部分，通过使伸展性的膜伸展，使加工对象物的多个部分分离。
另外，本发明的激光加工方法是一种切断包含基板、以及设置在基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过对加工对象物施加外力，以切断起点区为起点将加工对象物切断成多个部分，通过使伸展性的膜伸展，使加工对象物的多个部分分离。
如果采用这些激光加工方法，则由于与上述的激光加工方法同样的理由，即使在加工对象物具有各种层叠结构的情况下，也能高精度地切断该加工对象物。另外，将加工对象物切断成多个部分时，通过将外力加在加工对象物上，能以切断起点区为起点容易地切断加工对象物。
另外，本发明的激光加工方法是一种切断包含基板、以及设置在基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过使伸展性的膜伸展，以切断起点区为起点将加工对象物切断成多个部分，同时使加工对象物的多个部分分离。
另外，本发明的激光加工方法是一种切断包含半导体基板、以及设置在半导体基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜安装在加工对象物的层叠部一侧的表面上，将加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在半导体基板的内部，通过照射激光，形成熔融处理区，利用该熔融处理区，沿着加工对象物的切断预定线从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上，通过使伸展性的膜伸展，以切断起点区为起点将加工对象物切断成多个部分，同时使加工对象物的多个部分分离。
如果采用这些激光加工方法，则由于与上述的激光加工方法同样的理由，即使在加工对象物具有各种层叠结构的情况下，也能高精度地切断该加工对象物。另外，由于通过使伸展性的膜伸展，拉伸应力加在加工对象物的切断起点区上，所以能同时进行切断加工对象物的工序和将多个部分分离的工序，能减少制造工序。
另外，在上述的本发明的激光加工方法中，在加工对象物上形成切断起点区之前，为了使加工对象物的基板变薄，优选对加工对象物的背面进行磨削。因此，以切断起点区为起点，用较小的力或者不需要特别的力，就能精度良好地切断加工对象物。
另外，在上述的本发明的激光加工方法中，优选在将伸展性的膜安装在加工对象物上后，将保护膜除去。因此，能不离散地保持形成了切断起点区的加工对象物。或者，优选通过使伸展性的膜伸展，使加工对象物的多个部分分离后，将保护膜除去。因此，在从切断加工对象物到取出多个部分的期间，能保护该多个部分。
附图说明
图1是用本实施方式的激光加工方法进行的激光加工中的加工对象物的平面图。
图2是沿着图1所示的加工对象物的II-II线的剖面图。
图3是用本实施方式的激光加工方法进行的激光加工后的加工对象物的平面图。
图4是沿着图3所示的加工对象物的IV-IV线的剖面图。
图5是沿着图3所示的加工对象物的V-V线的剖面图。
图6是用本实施方式的激光加工方法切断了的加工对象物的平面图。
图7是表示本实施方式的激光加工方法中的电场强度和裂纹点的大小的关系曲线图。
图8是本实施方式的激光加工方法的第一工序中的加工对象物的剖面图。
图9是本实施方式的激光加工方法的第二工序中的加工对象物的剖面图。
图10是本实施方式的激光加工方法的第三工序中的加工对象物的剖面图。
图11是本实施方式的激光加工方法的第四工序中的加工对象物的剖面图。
图12是表示用本实施方式的激光加工方法切断了的硅晶片的一部分的剖面的照片的图。
图13是表示本实施方式的激光加工方法中的激光的波长和硅基板内部的透射率的关系曲线图。
图14是本实施方式的激光加工装置的简略结构图。
图15是表示本实施方式的激光加工方法中用的晶片的立体图。
图16是图15所示的晶片的平面图。
图17是表示图16所示的晶片的VI-VI剖面及VII-VII剖面的放大图。
图18是说明本实施方式的激光加工方法的第一实施例用的流程图。
图19是表示用图14所示的激光加工装置在晶片上形成切断起点区的方法的流程图。
图20A-20C是说明第一实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图21A-21C是说明第一实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图22是说明第一实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图23是说明第一实施例的激光加工方法的变形例用的剖面图。
图24是说明本实施方式的激光加工方法的第二实施例用的流程图。
图25A-25C是说明第二实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图26A-26C是说明第二实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图27是说明第二实施例的激光加工方法用的晶片的剖面图。
图28是说明本实施方式的激光加工方法的第三实施例用的流程图。
图29是说明本实施方式的激光加工方法的第四实施例用的流程图。
具体实施方式
以下，与附图一起详细说明本发明的优选实施方式。在本实施方式的激光加工方法中，在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区。这里，最初说明该激光加工方法、特别是关于多光子吸收。
光子的能量hv如果比材料的吸收带隙EG小，则该材料在光学上透明。因此，材料中产生吸收的条件是hv＞EG。可是，即使光学上透明，但如果使激光的强度非常大，则在nhv＞EG的条件(n＝2、3、4、…)下材料中产生吸收。将该现象称为多光子吸收。在脉冲波的情况下，激光的强度由激光的聚光点的峰值功率密度(W/cm2)决定，例如在峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上的条件下产生多光子吸收。峰值功率密度可由(聚光点的激光的每一脉冲的能量)÷(激光光束点剖面积×脉冲宽度)求得。另外，在连续波的情况下，激光的强度由激光的聚光点的电场强度(W/cm2)决定。
参照图1～图6说明利用这样的多光子吸收的本实施方式的激光加工的原理。图1是激光加工中的加工对象物1的平面图，图2是沿图1所示的加工对象物1的II-II线的剖面图，图3是激光加工后的加工对象物1的平面图，图4是沿图3所示的加工对象物1的IV-IV线的剖面图，图5是沿图3所示的加工对象物1的V-V线的剖面图，图6是切断后的加工对象物1的平面图。
如图1及图2所示，在加工对象物1的面10上具有应切断加工对象物1的所希望的切断预定线5。切断预定线5是呈直线状延伸的假想线(也可以在加工对象物1上实际上引一条线作为切断预定线5)。本实施方式的激光加工是在产生多光子吸收的条件下，将聚光点调整在加工对象物1的内部，使激光L照射加工对象物1，形成改质区7。另外，所谓聚光点，是激光L聚光的地方。另外，加工对象物1的面10成为入射激光的激光入射面，为了防止激光L在该面10上散射，优选呈平坦且光滑的面。
通过使激光L沿切断预定线5(即沿着箭头A的方向)相对移动，使聚光点P沿切断预定线5移动。由此，如图3～图5所示，仅在加工对象物1的内部沿切断预定线5形成改质区7，在该改质区7中形成切断起点区8。本实施方式的激光加工方法不是加工对象物1通过吸收激光L，使加工对象物1发热，形成改质区7。而是使激光L透过加工对象物1，在加工对象物1的内部发生多光子吸收，形成改质区7。因此，由于在加工对象物1的面10上几乎不吸收激光L，所以加工对象物1的面10不会熔融。
切断加工对象物1时，如果切断的地方存在起点，则从该起点切割加工对象物1，所以如图6所示，能用比较小的力切断加工对象物1。因此，在加工对象物1的面10上不会发生不必要的裂纹，能将加工对象物1切断。
其次，在本实施方式中作为由多光子吸收形成的改质区，具有以下的(1)～(3)的情况。
(1)改质区包含一个或多个裂纹的裂纹区的情况
将聚光点调整在基板(例如由蓝宝石、玻璃、或LiTaO3构成的压电材料)的内部，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光。该脉冲宽度的大小是能产生多光子吸收而在基板的面上不产生无用的损伤，只在基板内部形成裂纹区的条件。由此，在基板内部发生由多光子吸收引起的光学性损伤的现象。由该光学性损伤在基板内部引起热应变，由此在基板内部形成裂纹区。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度例如优选为1ns～200ns。
本发明者通过实验求出了电场强度和裂纹大小的关系。实验条件如下。
(A)基板：パイレツクス(注册商标)玻璃(厚700微米)
(B)激光
光源：半导体激光激励Nd:YAG激光器
波长：1064nm
激光点剖面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出功率：输出功率＜1mJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏振光特性：直线偏振光
(C)聚光用透镜
激光波长的透射率：60％
(D)放置基板的载物台的移动速度：100mm/秒
另外，激光品质为TEM00，意味着直至聚光性高的激光的波长都能聚光。
图7是表示上述实验结果的曲线图。横轴表示峰值功率密度，由于激光是脉冲激光，所以电场强度用峰值功率密度表示。纵轴表示由一个脉冲的激光在基板内部形成的裂纹部分(裂纹点)的大小。裂纹点集合构成裂纹区。裂纹点的大小是裂纹点的形状中成为最大长度部分的大小。裂纹中用黑圆表示的数据是聚光用透镜(C)的放大率为100倍、数值孔径(NA)为0.80的情况。另一方面，裂纹中用白圆表示的数据是聚光用透镜(C)的放大率为50倍、数值孔径(NA)为0.55的情况。可知峰值功率密度从1011(W/cm2)左右开始在基板内部发生裂纹点，随着峰值功率密度的增大，裂纹点也增大。
其次，用图8～图11说明在本实施方式的激光加工中，通过形成裂纹区进行的加工对象物的切断机理。如图8所示，在发生多光子吸收的条件下，将聚光点P调整在加工对象物1的内部，使激光L照射在加工对象物1上，沿着切断预定线在内部形成裂纹区9。裂纹区9是包含一个或多个裂纹的区域。在该裂纹区9中也形成切断起点区。如图9所示，通过将人为的力(例如拉伸应力)加在加工对象物1上，以裂纹区9为起点(即，以切断起点区为起点)使裂纹进一步生长，如图10所示，裂纹到达加工对象物1的两面，如图11所示，通过使加工对象物1裂开而切断加工对象物1。
(2)改质区是熔融处理区的情况
将聚光点调整在基板(例如硅之类的半导体材料)的内部，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光。由此基板内部由于多光子吸收，局部被加热。由于该加热而在基板内部形成熔融处理区。所谓熔融处理区，是暂时熔融后再凝固的区域、熔融状态的区域、从熔融状态再凝固的区域，也可以是相变区域或晶体结构变化了的区域。另外，所谓熔融处理区，还可以是单晶结构、非晶结构、多晶结构中某一结构变成另一种结构的区域。就是说，例如意味着从单晶结构变成了非晶结构的区域、从单晶结构变成了多晶结构的区域、从单晶结构变成了包括非晶结构及多晶结构的区域。在基板是硅单晶结构的情况下，熔融处理区例如是非晶硅结构。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度例如优选为1ns～200ns。
本发明者通过实验确认了在硅晶片内部形成了熔融处理区。实验条件如下。
(A)基板：硅晶片(厚350微米，外径4英寸)
(B)激光
光源：半导体激光激励Nd:YAG激光器
波长：1064nm
激光点剖面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出功率：20μJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏振光特性：直线偏振光
(C)聚光用透镜
放大率：50倍
N.A.：0.55
激光波长的透射率：60％
(D)放置基板的载物台的移动速度：100mm/秒
图12是表示在上述条件下用激光加工方法切断了的硅晶片的一部分的剖面的照片的图。在硅晶片11的内部形成了熔融处理区13。另外，由上述条件形成的熔融处理区13沿厚度方向的大小为100微米左右。
说明由多光子吸收形成熔融处理区13。图13是表示激光波长和硅基板内部的透射率的关系的曲线图。但是，将硅基板的表面侧和背面侧各自的反射分量除去，只表示内部的透射率。给出了硅基板的厚度t分别为50微米、100微米、200微米、500微米、1000微米时的上述关系。
例如，可知在Nd:YAG激光的波长为1064nm、硅基板的厚度为500微米以下的情况下，在硅基板内部激光的80％以上透过。图12所示的硅晶片11的厚度为350微米，一旦在硅晶片11的中心附近形成由多光子吸收产生的熔融处理区13，则能在从硅晶片11的表面开始至175微米的部分形成。如果以厚度为200微米的硅晶片为参考，则这时的透射率为90％以上，所以在硅晶片11的内部激光被吸收得很少，大部分透过。这意味着不是在硅晶片11的内部吸收激光，才在硅晶片11的内部形成熔融处理区13(就是说用激光进行的通常的加热形成熔融处理区)，而是通过多光子吸收形成了熔融处理区13。
另外，硅晶片以在熔融处理区中形成的切断起点区为起点，沿剖面方向发生裂纹，通过使该裂纹到达硅晶片的两面，结果被切断。根据发明者们的考察，之所以产生以熔融处理区为起点的龟裂，可以认为由于熔融处理区和该区以外的区域的物性不同，所以在硅晶片内部容易发生应变。另外，根据图12所示的照片判断，在熔融处理区13的上下存在尖头状的熔融痕迹。根据该熔融痕迹，可以认为以熔融处理区为起点的龟裂精度良好地到达了硅晶片的两面。另外，只在硅晶片的内部形成熔融处理区，在切断后的切断面上，如图12所示只在内部形成熔融处理区。如果在基板内部在熔融处理区中形成切断起点区，则切断时不容易产生切断起点区线以外的不必要的裂纹，所以容易进行切断控制。
(3)改质区是折射率变化区的情况
将聚光点调整在基板(例如玻璃)的内部，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1ns以下的条件下，照射激光。使脉冲宽度极窄，如果在基板内部引起多光子吸收，则由多光子吸收产生的能量不转化为热能，而是在基板内部引起离子价数变化、晶体化或极化取向等永久性的结构变化，形成折射率变化区。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度例如优选为1ns以下，若为1ps以下就更好。
以上，作为由多光子吸收形成的改质区，虽然说明了(1)～(3)的情况，但如果考虑加工对象物的晶体结构或其劈开性等，如下形成切断起点区，则以该切断起点区为起点，能用较小的力而且精度良好地切断加工对象物。
即，在由硅等金刚石结构的单晶半导体构成的基板的情况下，优选沿(111)面(第一劈开面)或(110)面(第二劈开面)的方向形成切断起点区。另外，在由GaAs等闪锌矿型结构的III-V族化合物半导体构成的基板的情况下，优选沿(110)面的方向形成切断起点区。另外，在蓝宝石(Al2O3)等具有六方晶系晶体结构的基板的情况下，优选将(0001)面(C面)作为主面，沿(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向形成切断起点区。
另外，在作为基板例如切断成圆盘状的晶片的情况下，如果沿着应形成上述的切断起点区的方向(例如，沿着单晶硅基板的(111)面的方向)、或沿着与应形成切断起点区的方向正交的方向，在晶片上形成取向平面，则以该取向平面为基准，能在晶片上容易且准确地形成沿着应形成切断起点区的方向的切断起点区。
其次，参照图14说明上述的激光加工方法中使用的激光加工装置。图14是激光加工装置100的简略结构图。
激光加工装置100具有：发生激光L的激光光源101；为了调节激光L的输出功率和脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102；具有反射激光L的功能，而且配置得能使激光L的光轴方向改变90°的分色镜103；使由分色镜103反射的激光L聚光的聚光用透镜105；放置由聚光用透镜105聚光的激光L照射的加工对象物1的载物台107；使载物台107沿X轴方向移动用的X轴平台109；使载物台107沿着与X轴方向正交的Y轴方向移动用的Y轴平台111；使载物台107沿着与X轴及Y轴方向正交的Z轴方向移动用的Z轴平台113；以及控制这三个平台109、111、113的移动的平台控制部115。
通过用X(Y)轴平台109(111)使加工对象物1沿X(Y)轴方向移动，进行该聚光点P沿X(Y)轴方向的移动。Z轴方向是与加工对象物1的面10正交的方向，成为入射到加工对象物1上的激光L的焦点深度的方向。因此，通过使Z轴平台113沿Z轴方向移动，能将激光L的聚光点P调整在加工对象物1的内部。
激光光源101是发生脉冲激光的Nd:YAG激光器。除此以外，作为能用作激光光源101激光器具有：Nd:YVO4激光器、Nd:YLF激光器或钛蓝宝石激光器。在本实施方式中，虽然将脉冲激光用于加工对象物1的加工，但如果能引起多光子吸收，则连续波激光也可以。
激光加工装置100还具有：为了用可见光照亮放置在载物台107上的加工对象物1，产生可见光的观察用光源117；以及与分色镜103及聚光用透镜105配置在同一光轴上的可见光用的分光器119。分色镜103配置在分光器119和聚光用透镜105之间。分光器119具有使可见光的一半反射、使其余的一半透射的功能，而且配置得能使可见光的光轴的方向改变90°。从观察用光源117发生的可见光线在分光器119上被反射一半，该被反射的可见光线透过分色镜103及聚光用透镜105，照亮加工对象物1的包含切断预定线5等的面10。
激光加工装置100还具有：与分光器119、分色镜103及聚光用透镜105配置在同一光轴上的摄像元件121及成像透镜123。作为摄像元件121例如具有CCD摄像机。将包含切断预定线5等的面10照亮了的可见光线的反射光透过聚光用透镜105、分色镜103、分光器119，用成像透镜123成像，用摄像元件121摄像，获得摄像数据。
激光加工装置100还具有：输入从摄像元件121输出的摄像数据的摄像数据处理部125；控制激光加工装置100总体的总体控制部127；以及监视器129。摄像数据处理部125根据摄像数据，计算将由观察用光源117发生的可见光的焦点调整在加工对象物1的面10上用的焦点数据。平台控制部115根据该焦点数据，对Z轴平台113进行移动控制，将可见光的焦点调整在加工对象物1的面10上。因此，摄像数据处理部125具有作为自动聚光单元的功能。另外，摄像数据处理部125根据摄像数据，计算面10上的放大图像等的图像数据。该图像数据被发送给总体控制部127，在总体控制部中进行各种处理，并发送给监视器129。由此，在监视器129中显示放大图像等。
来自平台控制部115的数据、来自摄像数据处理部125的图像数据等输入总体控制部127中，根据这些数据控制激光光源控制部102、观察用光源117及平台控制部115，从而控制激光加工装置100总体。因此，总体控制部127具有作为计算机单元的功能。
其次，说明使用上述的激光加工装置100的本实施方式的激光加工方法。图15是表示本实施方式的激光加工方法中的作为加工对象物的晶片1a的立体图。另外，图16是图15所示的晶片1a的仰视图。另外，图17是表示图16所示的晶片1a的VI-VI剖面及VII-VII剖面的放大图。
参照图15～图17，晶片1a呈平板状且大致呈圆盘状。参照图16，在晶片1a的背面21上纵横交错地设定了多条切断预定线5。切断预定线5是为了将晶片1a切断成多个芯片状部分而设想的假想线。该切断预定线5例如也可以沿晶片1a的劈开面设想。
另外，晶片1a具有取向平面(以下称“OF”)19。在本实施方式中，OF19将与纵横交错的切断预定线5中的一个方向平行的方向作为纵向而形成。设定OF19的目的，在于沿切断预定线5切断晶片1a时，容易判断切断方向。
另外，参照图17，晶片1a具有由半导体(Si)构成的基板15、以及在基板15的表面6上层叠的层叠部4。层叠部4具有由绝缘性材料(SiO2)构成的层间绝缘层17a及17b、以及由金属(W)构成的第一布线层19a及第二布线层19b。层间绝缘层17a层叠在基板15的表面6上，第一布线层19a层叠在表面6上互相分割成多个设定的元件形成区上。第一布线层19a及基板15利用贯通层间绝缘层17a设置的插头20a互相电连接。层间绝缘层17b层叠在层间绝缘层17a及第一布线层19a上，第二布线层19b层叠在层间绝缘层17b上对应于第一布线层19a的区域上。第二布线层19b及第一布线层19a利用贯通层间绝缘层17b设置的插头20b互相电连接。
在层间绝缘层17b上的、第二布线层19b彼此之间具有间隙的区域中设想切断预定线5。在该切断预定线5中，层间绝缘层17b的表面(即，晶片1a的表面3)呈平坦且光滑的面。
(第一实施例)
图18及图19是说明本实施方式的激光加工方法的第一实施例用的流程图。另外，图20～图22是说明本实施例的激光加工方法用的晶片1a的剖面图。
参照图18，首先，将保护带25安装在晶片1a的表面3上，作为保护层叠部4用的保护膜(S1，图20A)。作为保护带25的材料，如果具有保护层叠部4的缓冲效果且对层叠部4的工作特性没有影响，则能使用各种各样的材料。在本实施方式中，作为保护带25的材料，选择能吸收冲击、同时通过照射紫外线能被除去的材料。
接着，在晶片1a的基板15的内部，沿切断预定线5形成切断起点区8(S3，图20B)。这里，图20B所示的晶片1a，如图的下方所示描绘出表面3。即，将晶片1a的背面21上的对应于切断预定线5的区域作为激光入射面，通过使激光L照射到基板15的内部的聚光点P上，在基板15的内部形成熔融处理区13作为改质区。该熔融处理区13成为切断晶片1a时的切断起点区8。
这里，图19是表示用图14所示的激光加工装置100在晶片1a上形成切断起点区8的方法流程图。另外，在本实施方式中，晶片1a被配置在激光加工装置100的载物台107上，且使背面21与聚光用透镜105相对。即，激光L从晶片1a的背面21入射。
参照图14及图19，首先，用图中未示出的分光光度计等测定基板15的光吸收特性。根据该测定结果，选择发生对基板15透明的波长或吸收少的波长的激光L的激光光源101(S101)。
接着，考虑基板15的厚度、材质、以及折射率等，确定晶片1a沿Z轴方向的移动量(S103)。这是为了从晶片1a的背面21将激光L的聚光点P调整在规定距离内侧的所希望的位置，而以位于晶片1a的背面21上的激光L的聚光点P为基准的晶片1a沿Z轴方向的移动量。该移动量被输入总体控制部127。
将晶片1a放置在激光加工装置100的载物台107上，且使晶片1a的背面21与聚光用透镜105侧相对。这时，由于在设有层叠部4的晶片1a的表面3上装有保护带25，所以将晶片1a的表面3一侧朝下放置在载物台107上没有任何问题。然后，从观察用光源117发生可见光，照亮晶片1a的背面21(S105)。用摄像元件121对被照亮了的晶片1a的背面21进行摄像。由摄像元件121拍摄的摄像数据被发送给摄像数据处理部125。摄像数据处理部125根据该摄像数据，计算观察用光源117的可见光焦点位于晶片1a的背面21上的焦点数据(S107)。
该焦点数据被发送给平台控制部115。平台控制部115根据该焦点数据，使Z轴平台113进行Z轴方向的移动(S109)。由此，观察用光源117的可见光焦点位于晶片1a的背面21上。另外，摄像数据处理部125根据摄像数据，计算包含切断预定线5的背面21的放大图像数据。该放大图像数据通过总体控制部127被发送给监视器129，由此在监视器129上显示切断预定线5附近的放大图像。
预先在步骤S103中确定的移动量被输入总体控制部127，该移动量数据被发送给平台控制部115。平台控制部115根据该移动量数据，由Z轴平台113使晶片1a沿Z轴方向移动，以便激光L的聚光点P的位置变成距离晶片1a的背面21为规定距离的内侧(S111)。
接着，从激光光源101发生激光L，使激光L照射在晶片1a的背面21上。由于激光L的聚光点P位于基板15的内部，所以只在基板15的内部形成作为改质区的熔融处理区13。然后，使X轴平台109或Y轴平台111沿着切断预定线5移动，形成多个熔融处理区13，或者沿着切断预定线5连续地形成熔融处理区13，从而在基板15的内部形成沿切断预定线5的切断起点区8(S113)。
再参照图18，将作为伸展性的膜的扩展带23安装在晶片1a的背面21上(S5，图20C)。扩展带23由例如通过沿伸展方向加力而延伸的材料构成，在后面的工序中，用来使晶片1a分离成芯片。作为扩展带23，除了可以是通过沿伸展方向加力而延伸的材料以外，也可以是例如通过加热而延伸的材料。
接着，沿切断起点区8将晶片1a切断成多个芯片状部分24(S7，图21A)。即，从安装在晶片1a的背面21上的扩展带23上将刀刃33接触在切断起点区8上，通过对晶片1a施加弯曲应力，以切断起点区8为起点将晶片1a割断(切断)。这时，在晶片1a的内部产生从切断起点区8至表面3及背面21的龟裂18，与切断基板15的同时，层间也切断绝缘层17a及17b。作为将应力加在晶片1a上的方法，除了刀刃33以外，还具有例如切断装置、滚筒装置等。另外，也可以将对晶片1a来说具有吸收性的激光照射在晶片1a的表面3或背面21上，而激光的能量大小不会使该面熔融，发生以切断起点区8为起点产生龟裂的热应力予以切断。另外，也可以从晶片1a的表面3上安装的保护带25之上接触刀刃33等来施加弯曲应力。
接着，将紫外线V照射在晶片1a的表面3上安装的保护带25上(S9，图21B)。通过将紫外线V照射在保护带25上，使保护带25呈可被除去的状态。然后，从晶片1a的表面3上将保护带25剥离(S11，图21C)。另外，也可以在切断晶片1a的工序(S7)之前进行保护带25的剥离。
接着，将晶片1a分离成一个个的芯片状部分24(S13，图22)，即通过使扩展带23伸展，在多个芯片状部分24之间形成间隔26。通过这样处理，容易拾取多个芯片状部分24中的每一个。
如上所述，在本实施例的激光加工方法中，通过将保护带25安装在晶片1a的表面3上，能使背面21朝上地将晶片1a放置在载物台107上，所以能适宜地将激光L从晶片1a的背面21照射在基板15的内部。
然后，利用由多光子吸收现象形成的改质区，在基板15的内部沿着应切断晶片1a的所希望的切断预定线5形成切断起点区8，能以该切断起点区8为起点将晶片1a切断。然后，将扩展带23安装在晶片1a的背面21上，通过使其伸展，能容易地将切断了的晶片1a的多个芯片状部分24分离。
即，如果采用本实施例的激光加工方法，则由于不将激光L直接照射在位于晶片1a的表面3上的层叠部4上，就能形成切断起点区8，所以能防止由激光L引起的层叠部4的损伤。另外，由于在基板15内部形成切断起点区8，所以能以切断起点区8为起点，用比较小的力精度良好地切割而将晶片1a切断，能容易地将切断了的晶片1a分离。因此，如果采用该激光加工方法，则即使在晶片1a具有层叠部4的情况下，也能高精度地切断晶片1a。
另外，如果采用本实施例的激光加工方法，则与现有的刀片切割法相比，能使芯片状部分24之间的切割宽度格外小。而且，在这样减小了切割宽度的情况下，减小了各个芯片状部分24之间的间隔，能取出更多的芯片状部分24。
另外，根据层叠部4的构成材料和激光L的照射条件，有时需要考虑不使激光L照射层叠部4的元件形成区。特别是在本方法中，为了利用多光子吸收现象而使激光L急剧收敛，所以为了不使激光L照射层叠部4的元件形成区，有时难以从表面3照射激光L。另外，一般说来，在晶片的元件形成区之间多存在层叠在元件上的半导体层。或者，在存储器或集成电路元件等中，有时在元件形成区之间形成TEG(Test Element Group)等功能元件。在这样的情况下，如果采用本实施例的激光加工方法，则能从不设置层叠部4的背面21照射激光L，能在基板15的内部适宜地形成切断起点区8。
另外，在本实施例的激光加工方法中，通过将由刀刃33等产生的外力加在晶片1a上，以切断起点区8为起点将晶片1a切断成多个芯片状部分24。因此，能以切断起点区8为起点容易地切断晶片1a。
另外，在本实施例的激光加工方法中，将扩展带23安装在晶片1a上后，将保护带25除去。因此，能保持形成了切断起点区8的晶片1a不致分散成一个个的芯片状部分24。
图23是说明本实施例的激光加工方法的变形例用的剖面图。在本变形例中，在基板15的内部，沿基板15的厚度方向形成多个熔融处理区13。这样形成熔融处理区13时，也可以交替地多次进行图19所示的流程中的步骤S111(使晶片沿Z轴方向移动)和步骤S113(形成改质区)。另外，由于同时进行使晶片1a沿Z轴方向移动和改质区的形成，所以也可以沿基板15的厚度方向连续地形成熔融处理区13。
如本变形例所示，由于形成熔融处理区13，所以能形成沿基板15的厚度方向延伸的切断起点区8。因此，能用较小的力切割而将晶片1a切断。另外，如果沿基板15的厚度方向使熔融处理区13引起的龟裂生长，则不需要来自外部的力就能将晶片1a分离。
(第二实施例)
图24是说明本实施方式的激光加工方法的第二实施例用的流程图。另外，图25～图27是说明本实施例用的晶片1a的剖面图。本实施例和上述的第一实施例不同的地方具有以下三点：(1)使基板15变薄而进行研磨；(2)不进行使用刀刃33等的切断；(3)将晶片1a分离成了多个芯片状部分24后，将保护带25剥离。
参照图24，首先，将保护带25安装在晶片1a的表面3上(S21，图25A)。该工序与第一实施例的步骤S1相同，省略详细说明。
接着，磨削晶片1a的背面21(S23，图25B)。这时，对基板15进行磨削(研磨)，以便使其厚度例如减薄到30微米～50微米。另外，为了在下一个工序中适宜地从背面21入射激光L，可以这样磨削背面21，以便磨削后的背面21呈平坦且光滑的面。
接着，在晶片1a的基板15的内部，沿切断预定线5形成切断起点区8(S25，图25C)。接着，将扩展带23安装在晶片1a的磨削后的背面21上(S27，图26A)。这些工序分别与上述的第一实施例的步骤S3及S5相同，省略详细说明。
接着，通过使扩展带23伸展，以切断起点区8为起点将晶片1a切断成多个芯片状部分24，同时使各个芯片状部分24互相分离(S29，图26B)。这时，在上述的步骤S23中基板15被磨削得充分地变薄，所以只利用使扩展带23伸展产生的拉伸应力，就能以切断起点区8为起点切断晶片1a。然后，通过使扩展带23直接延伸，在多个芯片状部分24之间形成间隔26。
接着，将紫外线照射在保护带25上(S31，图26C)。从晶片1a的表面3上将保护带25剥离(S33，图27)。这些工序分别与上述的第一实施例的步骤S9及S11相同，省略详细说明。另外，也可以在使扩展带23伸展、切断晶片1a的工序(S29)之前进行保护带25的剥离。
在本实施例的激光加工方法中，与上述的第一实施例相同，由于不使激光L直接照射位于晶片1a的表面3上的层叠部4上就能形成切断起点区8，所以能防止由激光L引起的层叠部4的损伤。另外，由于在基板15内部形成切断起点区8，所以能以切断起点区8为起点，用比较小的力精度良好地切割而切断晶片1a，能容易地分离被切断了的晶片1a。因此，如果采用该激光加工方法，则即使在晶片1a具有层叠部4的情况下，也能高精度地切断晶片1a。
另外，在本实施例的激光加工方法中，将晶片1a的背面21磨削，使晶片1a的基板15变薄。因此，以切断起点区8为起点用较小的力、或者不需要特别的力就能切断晶片1a。另外，与基板15比较厚的情况相比，能精度更好地切断晶片1a。
另外，在本实施例的激光加工方法中，通过使安装在晶片1a的背面21上的扩展带23伸展，以切断起点区8为起点，将晶片1a切断成多个芯片状部分24，同时使多个芯片状部分24互相分离。在使扩展带23伸展时，由于拉伸应力加在晶片1a的切断起点区8上，所以能以切断起点区8为起点适宜地切断晶片1a。因此，如果采用本实施方式，则能同时进行切断晶片1a的工序、以及使多个芯片状部分24互相分离的工序，所以能减少制造工序。
另外，在本实施例的激光加工方法中，将晶片1a的背面21作为激光入射面照射激光L。根据本发明者的实验，具有在基板15内部偏向激光入射面一侧形成熔融处理区13等改质区的倾向。因此，在本激光加工方法中，具有偏向安装了扩展带25的背面21一侧形成切断起点区13的倾向。另一方面，如果使扩展带23伸展，则与表面6附近相比，基板15的背面21附近能施加更大的拉伸应力。因此，在基板15内部如果切断起点区8偏向背面21一侧，则能使扩展带25伸展产生的拉伸应力更有效地作用在切断起点区8上。根据以上所述，如果采用本实施例的激光加工方法，则能使拉伸应力更有效地作用在切断起点区8上，能用较小的力切断晶片1a。
另外，在本实施例的激光加工方法中，通过使扩展带23伸展，将晶片1a的多个芯片状部分24分离后，将保护带25除去。因此，在从切断晶片1a至取出多个芯片状部分24为止的期间，能保护该多个芯片状部分24。
(第三实施例)
图28是表示本实施方式的激光加工方法的第三实施例的流程图。本实施例与上述的第一实施例不同的地方在于以下一点：(1)不进行使用刀刃33等的切断。在本变形例中，参照第一实施例中所示的图20～图22进行说明。
参照图28，首先，将保护带25安装在晶片1a的表面3上(S41，图20A)。接着，在晶片1a的基板15的内部沿着切断预定线5形成切断起点区8(S43，图20B)。接着，将扩展带23安装在晶片1a的背面21上(S45，图20C)。这些工序分别与上述的第一实施例中的步骤S1～S5相同，省略详细说明。
接着，将紫外线照射在保护带25上(S47，图21B)，从晶片1a的表面3上将保护带25剥离(S49，图21C)。这些工序分别与上述的第一实施例的步骤S9及S11相同，省略详细说明。但是，在本变形例中，由于不施加由刀刃33产生的应力，所以不发生图21B及图21C所示的龟裂18。
接着，通过使扩展带23伸展，以切断起点区8为起点，将晶片1a切断成多个芯片状部分24，同时使各个芯片状部分24互相分离(S51，图22)。这时，在本实施例中由于不像第二实施例那样将基板15磨薄，所以使得由扩展带23伸展产生的拉伸应力比第二实施例大，以切断起点区8为起点将晶片1a切断。而且，通过直接使扩展带23伸展，在多个芯片状部分24之间形成间隔26。
在本实施例的激光加工方法中，根据与上述的第一实施例同样的理由，即使在晶片1a具有层叠部4的情况下，也能高精度地将晶片1a切断。
另外，在本实施例的激光加工方法中，与上述的第二实施例同样，通过使扩展带23伸展，以切断起点区8为起点，将晶片1a切断成多个芯片状部分24，同时使多个芯片状部分24互相分离。因此，能同时进行切断晶片1a的工序、以及使多个芯片状部分24互相分离的工序，所以能减少制造工序。
(第四实施例)
图29是表示本实施方式的激光加工方法的第四实施例的流程图。本实施例与上述的第一实施例不同的地方在于以下一点：(1)将基板15磨薄。在本变形例中，参照第一实施例中所示的图20～图22、以及第二实施例中所示的图25进行说明。
参照图29，首先，将保护带25安装在晶片1a的表面3上(S61，图20A)。该工序与上述的第一实施例中的步骤S1相同，省略详细说明。接着，对晶片1a的背面21进行磨削(S63，图25B)。该工序与第二实施例中的步骤S23相同，省略详细说明。接着，在晶片1a的基板15的内部沿着切断预定线5形成切断起点区8(S65，图25C)。该工序与上述的第一实施例中的步骤S3相同，省略详细说明。
接着，将扩展带23安装在晶片1a的背面21上(S67，图20C)，通过将外力加在晶片1a上，沿切断起点区8将晶片1a切断成多个芯片状部分24(S69，图21A)，将紫外线照射在保护带25上(S71，图21B)，将保护带25从晶片1a的表面3上剥离(S73，图21C)。通过使扩展带23伸展，使晶片1a的各个芯片状部分24互相分离(S75，图22)。这些工序分别与上述的第一实施例的步骤S5～S13相同，省略详细说明。但是，在本实施例中，在步骤S63中磨削晶片1a的背面21，所以基板15的厚度比图20C、图21A～21C、以及图22所示的基板15薄。另外，也可以在切断晶片1a的工序(S69)之前进行保护带25的剥离。
在本发明的激光加工方法中，根据与上述的第一实施例同样的理由，即使在晶片1a具有层叠部4的情况下，也能高精度地将晶片1a切断。
另外，在本实施例的激光加工方法中，与上述的第二实施例同样，为了使晶片1a的基板15变薄而磨削晶片1a的背面21。因此，以切断起点区8为起点用较小的力、或者不需要特别的力就能精度更高地切断晶片1a。
另外，在本实施例的激光加工方法中，与第一实施例相同，通过将外力加在晶片1a上，以切断起点区8为起点将晶片1a切断成多个芯片状部分24。因此，能以切断起点区8为起点容易地切断晶片1a。
以上，虽然详细地说明了本发明的实施方式及实施例，但本发明不限定于上述实施方式及实施例。
例如，在上述的实施方式及实施例中，作为基板使用了半导体基板，但本发明不限于半导体基板，也能很好地适用于具有导电性基板或绝缘性基板的晶片。
工业上利用的可能性
如上所述，如果采用本发明的激光加工方法，则通过将保护膜安装在加工对象物的表面上，能使背面朝上地将加工对象物放置在台上，所以能适合于从加工对象物的背面将激光照射在基板的内部。而且，利用由多光子吸收现象所形成的改质区，在基板的内部形成沿着应切断加工对象物的所希望的切断预定线的切断起点区，能以该切断起点区为起点切断加工对象物。而且，由于将伸展性的膜安装在加工对象物的背面上使其伸展，能容易地使被切断了的加工对象物的多个部分分离。即，如果采用本激光加工方法，则不使激光直接照射在位于加工对象物表面上的层叠部上，就能形成切断起点区，同时将切断起点区作为起点，用比较小的力、精度良好地切割而将基板切断，能容易地分离被切断了的加工对象物。因此，如果采用该激光加工方法，即使在加工对象物具有各种层叠结构的情况下也能高精度地切断该加工对象物。

Claims (9)

1、一种激光加工方法，该方法是切断包含基板、以及设置在所述基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过使所述伸展性的膜伸展，使以所述切断起点区为起点切断所述加工对象物而产生的多个部分互相分离。
2、一种激光加工方法，该方法是切断包含基板、以及设置在所述基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过将外力加在所述加工对象物上，以所述切断起点区为起点将所述加工对象物切断成多个部分，通过使所述伸展性的膜伸展，使所述加工对象物的所述多个部分分离。
3、一种激光加工方法，该方法是切断包含基板、以及设置在所述基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的所述背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述基板的内部，通过照射激光，形成由多光子吸收产生的改质区，利用该改质区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过使所述伸展性的膜伸展，以所述切断起点区为起点将所述加工对象物切断成多个部分，同时使所述加工对象物的所述多个部分分离。
4、一种激光加工方法，该方法是切断包含半导体基板、以及设置在所述半导体基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述半导体基板的内部，通过照射激光，形成熔融处理区，利用该熔融处理区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过使所述伸展性的膜伸展，使以所述切断起点区为起点切断所述加工对象物而产生的多个部分互相分离。
5、一种激光加工方法，该方法是切断包含半导体基板、以及设置在所述半导体基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述半导体基板的内部，通过照射激光，形成熔融处理区，利用该熔融处理区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过将外力加在所述加工对象物上，以所述切断起点区为起点将所述加工对象物切断成多个部分，通过使所述伸展性的膜伸展，使所述加工对象物的所述多个部分分离。
6、一种激光加工方法，该方法是切断包含半导体基板、以及设置在所述半导体基板上的层叠部的平板状的加工对象物的激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：
将保护膜安装在所述加工对象物的所述层叠部一侧的表面上，将所述加工对象物的所述背面作为激光入射面，将聚光点调整在所述半导体基板的内部，通过照射激光，形成熔融处理区，利用该熔融处理区，沿着所述加工对象物的切断预定线从所述激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区，将伸展性的膜安装在所述加工对象物的背面上，通过使所述伸展性的膜伸展，以所述切断起点区为起点将所述加工对象物切断成多个部分，同时使所述加工对象物的所述多个部分分离。
7、根据权利要求1～6中的任意一项所述的激光加工方法，其特征在于，在所述加工对象物上形成所述切断起点区之前，为了使所述加工对象物的所述基板变薄，对所述加工对象物的所述背面进行磨削。
8、根据权利要求1～7中的任意一项所述的激光加工方法，其特征在于，将所述伸展性的膜安装在所述加工对象物上后，将所述保护膜除去。
9、根据权利要求1～7中的任意一项所述的激光加工方法，其特征在于，通过使所述伸展性的膜伸展，使所述加工对象物的所述多个部分分离后，将所述保护膜除去。
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