CN106487346A - 体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法 - Google Patents

体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106487346A
CN106487346A CN201610739087.3A CN201610739087A CN106487346A CN 106487346 A CN106487346 A CN 106487346A CN 201610739087 A CN201610739087 A CN 201610739087A CN 106487346 A CN106487346 A CN 106487346A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
elastic wave
body elasticity
diffusion zone
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610739087.3A
Other languages
English (en)
Inventor
阿畠润
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN106487346A publication Critical patent/CN106487346A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02047—Treatment of substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H03H9/0014—Impedance-matching networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0095—Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/0211—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/09—Elastic or damping supports
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

提供体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法，将制造时对环境的负荷抑制为较低。BAW器件(11)具有基板(13)以及形成在基板的正面(13a)上的压电元件(23)，在基板的内部设置有对弹性波进行扩散的弹性波扩散区域(31)，该弹性波扩散区域是利用激光光线(L1)对基板进行改质而形成的。

Description

体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法
技术领域
本发明涉及体弹性波器件及其制造方法，该体弹性波器件利用了在物质的内部传播的体弹性波(BAW：Bulk Acoustic Wave)。
背景技术
在以移动电话为首的无线通信设备中，仅使希望的频段的电信号通过的带通滤波器占有重要的位置。作为该带通滤波器中的一种，公知利用了表面弹性波(SAW：SurfaceAcoustic Wave)的SAW器件(SAW滤波器)。
SAW器件例如具有由水晶(SiO2)等压电材料构成的结晶基板和形成于结晶基板的正面的梳齿状的电极(IDT：Inter Digital Transducer，互连数字转换器)，该SAW器件仅使根据压电材料的种类或电极的间隔等而确定的频段的电信号通过。
但是，在该SAW器件中，产生在输入侧的电极附近的弹性波的一部分有时在结晶基板的内部传播而在背面侧被反射。当所反射的弹性波到达输出侧的电极时，SAW器件的频率特性会退化。因此，在结晶基板的背面上形成微细的凹凸构造以使弹性波变得容易漫射，来防止反射的弹性波到达电极(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2003-8396号公报
近年来，作为SAW器件的改进型，利用了在物质的内部传播的体弹性波(BAW：BulkAcoustic Wave)的BAW器件(BAW滤波器)备受瞩目。BAW器件例如具有共振器(压电元件)，在该共振器中，在由钼(Mo)等构成的电极之间夹入了由氮化铝(AlN)等压电材料构成的压电膜。
该共振器例如形成在由硅(Si)等半导体材料构成的基板上。由于BAW器件不具有SAW器件那样的梳齿状的电极构造，所以有利于实现低损失化、高承受功率化。并且，由于不需要使用由压电材料构成的结晶基板，所以还能够与其他的有源器件一体地形成。
在制造BAW器件时，例如，对在正面侧形成有多个共振器的基板的背面进行磨削而将其薄化至规定的厚度，之后通过划片来分割成与各共振器对应的多个BAW器件。由于该BAW器件的频率特性也会因在基板的背面侧发生反射的弹性波而退化，所以在上述的工序中，实施粗磨削以便形成微细的凹凸构造，并通过蚀刻来去除所产生的机械畸变。
发明内容
但是，当为了去除因磨削产生的机械畸变而采用蚀刻时，存在对环境的负荷变大的问题。本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供BAW器件和BAW器件的制造方法，将制造时对环境的负荷抑制为较低。
根据本发明，提供一种体弹性波器件，其具有基板以及形成在该基板的正面上的压电元件，其特征在于，在该基板的内部设置有对弹性波进行扩散的弹性波扩散区域，该弹性波扩散区域是利用激光光线对该基板进行改质而形成的。
并且，根据本发明，提供一种体弹性波器件的制造方法，制造出上述的体弹性波器件，其特征在于，该体弹性波器件的制造方法包含如下的弹性波扩散区域形成工序：在从该基板的背面侧将对于该基板具有透过性的波长的该激光光线的聚光点定位在该基板的内部的状态下照射该激光光线，形成以规定的间隔对该基板的内部进行了改质的弹性波扩散区域。
关于本发明的BAW器件，由于在基板的内部具有利用激光光线对基板进行了改质而形成的、对从压电元件传播的弹性波等进行扩散的弹性波扩散区域，所以不需要如以往的BAW器件那样对基板的背面进行粗磨削而形成微细的凹凸构造。因此，不需要为了去除因磨削产生的机械畸变而采用蚀刻，能够将制造时对环境的负荷抑制为较低。
附图说明
图1的(A)是示意性地示出BAW器件的上表面侧外观的立体图，图1的(B)是示意性地示出BAW器件的下表面侧外观的立体图，图1的(C)是示意性地示出BAW器件的层叠构造的剖视图。
图2的(A)是示意性地示出形成有多个共振单元的基板的结构例的立体图，图2的(B)是示意性地示出形成有多个共振单元的基板的结构例的剖视图。
图3是示意性地示出激光加工装置的结构例的立体图。
图4的(A)是示意性地示出弹性波扩散区域形成工序的局部剖视侧视图，图4的(B)是示意性地示出改质层形成工序的局部剖视侧视图。
图5的(A)和图5的(B)是示意性地示出分割工序的局部剖视侧视图。
标号说明
11：BAW器件；13：基板；13a：第1面(正面)；13b：第2面(背面)；15：共振单元；17：音响多层膜；19：第1膜；21：第2膜；23：共振器(压电元件)；25：下部电极；27：压电膜；29：上部电极；31：弹性波扩散区域；33：基板；33a：第1面(正面)；33b：第2面(背面)；35：分割预定线(间隔道)；37：保护带；39：改质层；41：划片带；43：框架；L1、L2：激光光线；2：激光加工装置；4：基台；6：卡盘工作台；6a：保持面；8：水平移动机构；10：X轴导轨；12：X轴移动工作台；14：X轴滚柱丝杠；16：X轴脉冲电动机；18：X轴标尺；20：Y轴导轨；22：Y轴移动工作台；24：Y轴滚柱丝杠；26：Y轴脉冲电动机；28：Y轴标尺；30：支承台；32：支承构造；34：支承臂；36：激光照射单元；38：照相机；62：扩张装置；64：支承构造；66：扩张鼓；68：框架支承工作台；70：夹具；72：升降机构；74：缸筒；76：活塞杆。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1的(A)是示意性地示出BAW器件的上表面侧外观的立体图，图1的(B)是示意性地示出BAW器件的下表面侧外观的立体图，图1的(C)是示意性地示出BAW器件的层叠构造的剖视图。
如图1的(A)、图1的(B)和图1的(C)所示，本实施方式的BAW器件(BAW器件芯片)11具有由硅(Si)等半导体材料构成的矩形的基板13。在基板13的第1面(正面)13a上设置有共振单元15，在共振单元15中层叠了具有各种功能的膜。
共振单元15包含形成在下方侧(基板13侧)的音响多层膜17。音响多层膜17是通过交替地重叠第1膜19和第2膜21而形成的，其中，第1膜19由音响阻抗较低的氧化硅(SiO2)等材料构成，第2膜21由音响阻抗较高的钨(W)等材料构成。
在音响多层膜17的上方(基板13的相反侧)设置有共振器(压电元件)23。共振器23包含：下部电极25，其由钼(Mo)等导电材料构成；压电膜27，其形成在下部电极25的上表面上，并由氮化铝(AlN)等压电材料构成；以及上部电极29，其形成在压电膜27的上表面上，并由钼等导电材料构成。
该共振器23使由压电膜27产生的体弹性波以中心频率共振，该中心频率根据下部电极25、压电膜27、上部电极29的材质、厚度等来确定。构成音响多层膜17的第1膜19和第2膜21的厚度形成为以上述中心频率共振的体弹性波在各膜中的波长的1/4，对利用共振器23共振的体弹性波在互相加强的条件下进行反射。由此，能够抑制由共振器23产生的体弹性波向基板13传播。
但是，即使是这样构成的BAW器件11，从压电膜27产生的体弹性波有时也会少量地漏出至基板13侧。当该体弹性波经基板13的第2面(背面)13b反射而再次入射至共振器23时，BAW器件11的频率特性会退化。
因此，在本实施方式的BAW器件11中，在基板13的内部排列使体弹性波扩散(漫射)的多个弹性波扩散区域31。该弹性波扩散区域31是利用激光光线对基板13的内部进行改质而使体弹性波的传播特性发生了变化的区域。
弹性波扩散区域31的大小、间距等条件可以在能够适当地扩散体弹性波的范围内进行任意地调整。另外，在本实施方式中，以11μm×15μm的间距形成大小(宽度、直径)为7μm～8μm的弹性波扩散区域31。能够通过在基板13的内部形成这样的弹性波扩散区域31，使在基板13的内部传播的体弹性波扩散而抑制其向共振器23入射。
因此，在本实施方式中，无需为了使体弹性波扩散而对基板的背面进行粗磨削来形成微细的凹凸构造。即，由于也不需要为了去除因磨削产生的机械畸变而对基板13进行蚀刻，所以能够将制造时对环境的负荷抑制为较低。
另外，该弹性波扩散区域31不仅能够使从压电膜27漏出的体弹性波扩散，还能够使因其他原因产生的体弹性波等噪声成分扩散。因此，凭借本实施方式的BAW器件11，与以往的BAW器件相比能够实现良好的频率特性。
接着，对制造上述的BAW器件11的BAW器件的制造方法进行说明。首先，准备好形成有多个共振单元15的基板。图2的(A)是示意性地示出形成有多个共振单元15的基板的结构例的立体图，图2的(B)是示意性地示出形成有多个共振单元15的基板的结构例的剖视图。
基板33例如是由硅等半导体材料形成的圆形的晶片。该基板33的第1面(正面)33a被呈格子状排列的分割预定线(间隔道)35划分成多个区域，在各区域内设置有上述的共振单元15。
能够通过沿着分割预定线35对基板33进行分割，而制造出包含矩形的基板13的BAW器件11。另外，基板33的材质、厚度等条件能够在适合于弹性波扩散区域31的形成的范围内进行任意地变更。例如也可以使用由氧化铝(Al2O3)等陶瓷构成的基板33。
在准备了上述的基板33之后，实施弹性波扩散区域形成工序，在基板33的内部形成弹性波扩散区域31。图3是示意性地示出弹性波扩散区域形成工序等中使用的激光加工装置的结构例的立体图，图4的(A)是示意性地示出弹性波扩散区域形成工序的局部剖视侧视图。如图3所示，激光加工装置2具有搭载有各构造的基台4。
在基台4的上表面上设置有水平移动机构8，该水平移动机构8使对基板33进行吸引、保持的卡盘工作台6在X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度进给方向)上移动。水平移动机构8具有一对X轴导轨10，该一对X轴导轨10固定在基台4的上表面上并与X轴方向平行。
在X轴导轨10上以能够滑动的方式安装有X轴移动工作台12。在X轴移动工作台12的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示)，该螺母部与平行于X轴导轨10的X轴滚柱丝杠14螺合。
X轴脉冲电动机16与X轴滚柱丝杠14的一端部连结。利用X轴脉冲电动机16来使X轴滚柱丝杠14旋转，由此，X轴移动工作台12沿着X轴导轨10在X轴方向上移动。在与X轴导轨10相邻的位置上设置有X轴标尺18，其用于对X轴移动工作台12的X轴方向的位置进行检测。
在X轴移动工作台12的正面(上表面)上固定有与Y轴方向平行的一对Y轴导轨20。Y轴移动工作台22以能够滑动的方式安装在Y轴导轨20上。在Y轴移动工作台22的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示)，该螺母部与平行于Y轴导轨20的Y轴滚柱丝杠24螺合。
Y轴脉冲电动机26与Y轴滚柱丝杠24的一端部连结。利用Y轴脉冲电动机26来使Y轴滚柱丝杠24旋转，由此，Y轴移动工作台22沿着Y轴导轨20在Y轴方向上移动。在与Y轴导轨20相邻的位置上设置有Y轴标尺28，其用于对Y轴移动工作台22的Y轴方向的位置进行检测。
在Y轴移动工作台22的正面侧(上表面侧)设置有支承台30，在该支承台30的上部配置有卡盘工作台6。卡盘工作台6的正面(上表面)成为对上述的基板33的第2面(背面)33b侧进行吸引、保持的保持面6a。
该保持面6a通过形成于卡盘工作台6的内部的吸引路(未图示)等与吸引源(未图示)连接。在卡盘工作台6的下方设置有旋转驱动源(未图示)，通过该旋转驱动源使卡盘工作台6绕与Z轴方向平行的旋转轴旋转。
在水平移动机构8的后方设置有柱状的支承构造32。在支承构造32的上部固定有沿Y轴方向延伸的支承臂34，在该支承臂34的前端部设置有激光照射单元36，该激光照射单元36对卡盘工作台6上的基板33照射脉冲振荡出的激光光线。
在与激光照射单元36相邻的位置上设置有照相机38，该照相机38对基板33的第1面33a侧进行拍摄。例如在对基板33与激光照射单元36的位置等进行调整时，使用利用照相机38对基板33等进行拍摄而形成的图像。
卡盘工作台6、水平移动机构8、激光照射单元36、照相机38等各结构要素与控制单元(未图示)连接。控制单元对各结构要素的动作进行控制以便适当地对基板33进行加工。
在弹性波扩散区域形成工序中，如图4的(A)所示，首先，在基板33的第1面33a侧(共振单元15侧)粘贴保护带37。接着，以使该保护带37与保持面6a相对的方式将基板33载置到卡盘工作台6上，并使吸引源的负压作用于保持面6a。由此，基板33以第2面33b侧朝向上方露出的状态被吸引、保持在卡盘工作台6上。
接着，使卡盘工作台6移动、旋转而使激光加工单元36对准弹性波扩散区域31的形成开始位置。并且，如图4的(A)所示，一边从激光加工单元36朝向基板33照射难以被基板33吸收的波长(具有透过性的波长)的激光光线L1，一边使卡盘工作台6在水平方向上移动。
这里，将激光光线L1的聚光点定位在基板33的内部。这样，在从基板33的第2面33b侧将难以被基板33吸收的波长的激光光线L1会聚到基板33的内部的状态下进行照射，由此，能够对基板33的内部进行改质而形成弹性波扩散区域31。
例如，在对由硅构成的基板33以11μm×15μm的间距形成7μm～8μm大小(宽度、直径)的弹性波扩散区域31的情况下的条件按照如下方式设定。
波长：1064nm(YVO4脉冲激光)
重复频率：50kHz～120kHz
输出：0.1W～0.3W
当在这样的条件下对除了分割预定线35的附近之外的基板33的整体形成弹性波扩散区域31时，弹性波扩散区域形成工序结束。另外，加工的条件并不限定于此，能够与弹性波扩散区域31的大小和间距等相符地任意地变更。
在弹性波扩散区域形成工序之后实施改质层形成工序，沿着基板33的分割预定线35形成作为分割的起点的改质层。图4的(B)是示意性地示出改质层形成工序的局部剖视侧视图。改质层形成工序继续由上述的激光加工装置2实施。
具体地说，首先，使卡盘工作台移动、旋转而使激光加工单元36对准作为加工对象的分割预定线35的端部。并且，如图4的(B)所示，一边从激光加工单元36朝向基板33照射难以被基板33吸收的波长的激光光线L2，一边使卡盘工作台6在与加工对象的分割预定线35平行的方向上移动。
即，从基板33的背面13b侧沿着分割预定线35照射难以被基板33吸收的波长的激光光线L2。这里，将激光光线L2的聚光点的位置预先对准基板33的内部。由此，能够沿着加工对象的分割预定线35对基板33的内部进行改质而形成改质层39。
例如，在对由硅构成的基板33形成改质层39的情况下的条件按照以下方式设定。
波长：1064nm(YVO4脉冲激光)
重复频率：100kHz
输出：1W～1.5W
移动速度(加工进给速度)：100mm/s
另外，激光光线L2的功率密度等条件在能够在基板33的内部形成合适的改质层39的范围中进行调整。当重复该步骤、沿着所有的分割预定线35形成改质层39时，改质层形成工序结束。
在改质层形成工序之后实施分割工序，对基板33施加外力而沿着分割预定线15将基板33分割成多个基板13(BAW器件11)。图5的(A)和图5的(B)是示意性地示出分割工序的局部剖视侧视图。
在分割工序中，首先，在基板33的第2面33b上粘贴扩张带41，并将环状的框架43固定在该扩张带41的外周部分。并且，将粘贴在基板33的第1面33a上的保护带剥离、去除。
如图5的(A)和图5的(B)所示，扩张装置62具有：支承构造64，其对基板33进行支承；以及圆筒状的扩张鼓66，其对粘贴于基板33的扩张带41进行扩张。扩张鼓66的内径比基板33的直径大，扩张鼓66的外径比框架43的内径小。
支承构造64包含对框架43进行支承的框架支承工作台68。该框架支承工作台68的上表面成为对框架43进行支承的支承面。在框架支承工作台68的外周部分设置有用于对框架43进行固定的多个夹具70。
在支承构造64的下方设置有升降机构72。升降机构72具有：缸筒74，其固定于下方的基台(未图示)；以及活塞杆76，其插入到缸筒74中。在活塞杆76的上端部固定有框架支承工作台68。
该升降机构72使支承构造64升降，以使得框架支承工作台68的上表面(支承面)在与扩张鼓66的上端为相等的高度的基准位置与比扩张鼓66的上端靠下方的扩张位置之间移动。
在分割工序中，如图5的(A)所示，将框架43载置在移动到基准位置的框架支承工作台68的上表面上，并通过夹具70固定。由此，扩张鼓66的上端与位于基板33与框架43之间的扩张带41接触。
接着，利用升降机构72使支承构造64下降，如图5的(B)所示，使框架支承工作台68的上表面移动至比扩张鼓66的上端靠下方的扩张位置。其结果是，扩张鼓66相对于框架支承工作台68上升，扩张带41以被扩张鼓66顶起的方式扩张。
当扩张带41扩张时，对基板33施加有使扩张带41扩张的方向的外力。由此，基板33以改质层39为起点被分割成多个基板13，完成BAW器件11。
另外，本发明并不限定于上述实施方式的记载，能够实施各种变更。例如，在上述实施方式中，在弹性波扩散区域形成工序之后实施改质层形成工序，但也可以在改质层形成工序之后实施弹性波扩散区域形成工序。
并且，虽然在上述实施方式的分割工序中，使用扩张装置62来对基板33进行分割，但例如也可以采用通过按压刃对基板33沿着分割预定线15进行按压的方法等来对基板33进行分割。
另外，上述实施方式的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行适当地变更。

Claims (2)

1.一种体弹性波器件，其具有基板以及形成在该基板的正面上的压电元件，其特征在于，
在该基板的内部设置有对弹性波进行扩散的弹性波扩散区域，该弹性波扩散区域是利用激光光线对该基板进行改质而形成的。
2.一种体弹性波器件的制造方法，制造出权利要求1所述的体弹性波器件，其特征在于，
该体弹性波器件的制造方法包含如下的弹性波扩散区域形成工序：在从该基板的背面侧将对于该基板具有透过性的波长的该激光光线的聚光点定位在该基板的内部的状态下照射该激光光线，形成以规定的间隔对该基板的内部进行了改质的弹性波扩散区域。
CN201610739087.3A 2015-08-27 2016-08-26 体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法 Pending CN106487346A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015168073A JP2017046225A (ja) 2015-08-27 2015-08-27 Ｂａｗデバイス及びｂａｗデバイスの製造方法
JP2015-168073 2015-08-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106487346A true CN106487346A (zh) 2017-03-08

Family

ID=58011483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610739087.3A Pending CN106487346A (zh) 2015-08-27 2016-08-26 体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10050599B2 (zh)
JP (1) JP2017046225A (zh)
KR (1) KR20170026132A (zh)
CN (1) CN106487346A (zh)
DE (1) DE102016215780A1 (zh)
TW (1) TWI681626B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109391241A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 株式会社迪思科 弹性波器件用基板的制造方法
CN110391793A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 株式会社迪思科 声表面波器件的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020182035A (ja) * 2019-04-23 2020-11-05 株式会社ディスコ Ｓａｗフィルタの製造方法及びｓａｗフィルタ
JPWO2021024865A1 (zh) * 2019-08-06 2021-02-11

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1258988A2 (en) * 2001-04-27 2002-11-20 Nokia Corporation Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters
CN1561574A (zh) * 2001-09-28 2005-01-05 埃普科斯股份有限公司 封装电构件的方法和由此封装的表面波构件
CN1595799A (zh) * 2003-09-12 2005-03-16 松下电器产业株式会社 薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器，复合电子元器件和通信器件的方法
CN1717784A (zh) * 2003-03-12 2006-01-04 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN1938826A (zh) * 2004-03-30 2007-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法及加工对象物
JP2008160630A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Kyocera Corp バルク音響波共振子及びフィルタ並びに通信装置
JP2008236556A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Tdk Corp 薄膜バルク波共振器
JP2010212832A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Panasonic Corp 弾性表面波デバイスの製造方法
CN102347746A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 周雄 体声波薄膜共振器及其制造方法
CN103025473A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 基板加工方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6068710A (ja) * 1983-09-26 1985-04-19 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JP2003008396A (ja) 2001-06-22 2003-01-10 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
WO2003041273A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-15 Infineon Technologies Ag Filter device and method of fabricating a filter device
JP4851060B2 (ja) * 2002-03-12 2012-01-11 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP4657660B2 (ja) * 2003-09-12 2011-03-23 パナソニック株式会社 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器
JP4693397B2 (ja) * 2004-11-26 2011-06-01 京セラ株式会社 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
JP2006246451A (ja) * 2005-02-07 2006-09-14 Kyocera Corp 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
WO2008062639A1 (fr) * 2006-11-24 2008-05-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde limite élastique et dispositif à onde limite élastique
US7889025B1 (en) * 2008-06-10 2011-02-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Anti-reflective acoustic diffuser for SAW and BAW devices
US9503047B2 (en) * 2014-05-01 2016-11-22 Texas Instruments Incorporated Bulk acoustic wave (BAW) device having roughened bottom side
US10090820B2 (en) * 2015-07-31 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Stealth-dicing compatible devices and methods to prevent acoustic backside reflections on acoustic wave devices

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1258988A2 (en) * 2001-04-27 2002-11-20 Nokia Corporation Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters
CN1561574A (zh) * 2001-09-28 2005-01-05 埃普科斯股份有限公司 封装电构件的方法和由此封装的表面波构件
CN1717784A (zh) * 2003-03-12 2006-01-04 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN1595799A (zh) * 2003-09-12 2005-03-16 松下电器产业株式会社 薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器，复合电子元器件和通信器件的方法
CN101340181A (zh) * 2003-09-12 2009-01-07 松下电器产业株式会社 薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器,复合电子元器件和通信器件的方法
CN1938826A (zh) * 2004-03-30 2007-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法及加工对象物
JP2008160630A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Kyocera Corp バルク音響波共振子及びフィルタ並びに通信装置
JP2008236556A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Tdk Corp 薄膜バルク波共振器
JP2010212832A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Panasonic Corp 弾性表面波デバイスの製造方法
CN103025473A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 基板加工方法
CN102347746A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 周雄 体声波薄膜共振器及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109391241A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 株式会社迪思科 弹性波器件用基板的制造方法
CN110391793A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 株式会社迪思科 声表面波器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017046225A (ja) 2017-03-02
US10050599B2 (en) 2018-08-14
DE102016215780A1 (de) 2017-03-02
TW201720054A (zh) 2017-06-01
US20170063334A1 (en) 2017-03-02
TWI681626B (zh) 2020-01-01
KR20170026132A (ko) 2017-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106487346A (zh) 体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法
US7439825B2 (en) Integrated filter including FBAR and saw resonator and fabrication method therefor
CN1551495A (zh) 表面声波器件及其制造方法
JP2004096677A (ja) 弾性表面波素子、フィルタ装置及びその製造方法
CN107154456A (zh) 体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法
JP2019520753A (ja) 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造
JP4334864B2 (ja) 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
KR102588040B1 (ko) 칩의 제조 방법
KR20170000771A (ko) Saw 디바이스의 제조 방법
KR20200124156A (ko) Saw 필터의 제조 방법 및 saw 필터
JP2019023151A (ja) チップの製造方法
TWI757482B (zh) 被加工物的加工方法
JP6961297B2 (ja) チップの製造方法
JP6973927B2 (ja) チップの製造方法
JP6991657B2 (ja) チップの製造方法
JP6932451B2 (ja) チップの製造方法
JP6961300B2 (ja) チップの製造方法
JP6932452B2 (ja) チップの製造方法
JP6961301B2 (ja) チップの製造方法
JP2019024050A (ja) チップの製造方法
JP2007060414A (ja) 薄膜バルク音響共振器及びその製造方法
JP2002299977A (ja) 圧電振動子の製造方法
JP2019022901A (ja) チップの製造方法
JPH04102319U (ja) 弾性表面波フイルタ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170308