KR102588040B1 - 칩의 제조 방법 - Google Patents

칩의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102588040B1
KR102588040B1 KR1020180123117A KR20180123117A KR102588040B1 KR 102588040 B1 KR102588040 B1 KR 102588040B1 KR 1020180123117 A KR1020180123117 A KR 1020180123117A KR 20180123117 A KR20180123117 A KR 20180123117A KR 102588040 B1 KR102588040 B1 KR 102588040B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
modified layer
laser processing
laser beam
division
Prior art date
Application number
KR1020180123117A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190045840A (ko
Inventor
요시아키 요도
진얀 자오
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190045840A publication Critical patent/KR20190045840A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102588040B1 publication Critical patent/KR102588040B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(과제) 익스팬드 시트를 사용하지 않고 판 형상의 피가공물을 분할하여 복수의 칩을 제조할 수 있는 칩의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 제 1 깊이의 위치에 위치시키도록 분할 예정 라인을 따라 칩 영역에만 레이저 빔을 조사하여, 칩 영역의 분할 예정 라인을 따라 제 1 개질층을 형성하는 제 1 레이저 가공 스텝과, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 제 2 깊이의 위치에 위치시키도록 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔을 조사하여, 외주 잉여 영역에 단부가 겹치는 제 2 개질층을 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝과, 피가공물에 힘을 부여하여 피가공물을 개개의 칩으로 분할하는 분할 스텝을 포함하고, 분할 스텝에서는, 초음파 진동을 부여하여 피가공물을 개개의 칩으로 분할한다.

Description

칩의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING CHIP}
본 발명은, 판 형상의 피가공물을 분할하여 복수의 칩을 제조하는 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
웨이퍼로 대표되는 판 형상의 피가공물 (워크) 을 복수의 칩으로 분할하기 위해서, 투과성이 있는 레이저 빔을 피가공물의 내부에 집광시켜, 다광자 흡수에 의해 개질된 개질층 (개질 영역) 을 형성하는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 개질층은, 다른 영역에 비해서 무르기 때문에, 분할 예정 라인 (스트리트) 을 따라 개질층을 형성하고 나서 피가공물에 힘을 가함으로써, 이 개질층을 기점으로 피가공물을 복수의 칩으로 분할할 수 있다.
개질층이 형성된 피가공물에 힘을 가할 때에는, 예를 들어, 신장성이 있는 익스팬드 시트 (익스팬드 테이프) 를 피가공물에 붙여 확장시키는 방법이 채용된다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 통상적으로 레이저 빔을 조사하여 피가공물에 개질층을 형성하기 전에, 익스팬드 시트를 피가공물에 붙이고, 그 후, 개질층을 형성하고 나서 익스팬드 시트를 확장시켜 피가공물을 복수의 칩으로 분할한다.
일본 공개특허공보 2002-192370호 일본 공개특허공보 2010-206136호
그런데, 상기 서술한 바와 같은 익스팬드 시트를 확장시키는 방법에서는, 사용 후의 익스팬드 시트를 다시 사용할 수 없으므로, 칩 제조에 소요되는 비용도 비싸지기 쉽다. 특히, 점착재가 칩에 잘 잔류하지 않는 고성능의 익스팬드 시트는 가격도 비싸므로, 그러한 익스팬드 시트를 사용하면, 칩 제조에 소요되는 비용도 비싸진다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 익스팬드 시트를 사용하지 않고 판 형상의 피가공물을 분할하여 복수의 칩을 제조할 수 있는 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 칩이 되는 복수의 영역으로 구획된 칩 영역과, 그 칩 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 갖는 피가공물로부터 복수의 그 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서, 피가공물을 유지 테이블에서 직접 유지하는 유지 스텝과, 그 유지 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 내부의 제 1 깊이의 위치에 위치시키도록 그 분할 예정 라인을 따라 피가공물의 그 칩 영역에만 그 레이저 빔을 조사하여, 그 칩 영역의 그 분할 예정 라인을 따라 제 1 개질층을 형성함과 함께, 그 외주 잉여 영역을 그 제 1 개질층이 형성되어 있지 않은 보강부로 하는 제 1 레이저 가공 스텝과, 그 유지 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 내부의 그 제 1 깊이와는 상이한 제 2 깊이의 위치에 위치시키도록 그 분할 예정 라인을 따라 그 레이저 빔을 조사하여, 그 제 1 개질층보다 길고 그 외주 잉여 영역에 단부 (端部) 가 겹치는 제 2 개질층을 그 분할 예정 라인을 따라 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝과, 그 제 1 레이저 가공 스텝 및 그 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한 후에, 그 유지 테이블로부터 피가공물을 반출하는 반출 스텝과, 그 반출 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 힘을 부여하여 피가공물을 개개의 그 칩으로 분할하는 분할 스텝을 구비하고, 그 분할 스텝에서는, 초음파 진동을 부여하여 피가공물을 개개의 그 칩으로 분할하는 칩의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 있어서, 그 제 1 레이저 가공 스텝 및 그 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한 후, 그 분할 스텝을 실시하기 전에, 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 스텝을 추가로 구비해도 된다. 또한, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 유지 테이블의 상면은, 유연한 재료에 의해 구성되어 있고, 그 유지 스텝에서는, 그 유연한 재료로 피가공물의 표면측을 유지해도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 칩의 제조 방법에서는, 피가공물을 유지 테이블에서 직접 유지한 상태에서, 집광점을 제 1 깊이의 위치에 위치시키도록 피가공물의 칩 영역에만 레이저 빔을 조사하여, 칩 영역의 분할 예정 라인을 따라 제 1 개질층을 형성하고, 또한, 집광점을 제 2 깊이의 위치에 위치시키도록 레이저 빔을 조사하여, 제 1 개질층보다 길고 외주 잉여 영역에 단부가 겹치는 제 2 개질층을 분할 예정 라인을 따라 형성한 후, 초음파 진동을 부여하여 피가공물을 개개의 칩으로 분할하므로, 피가공물에 힘을 가하여 개개의 칩으로 분할하기 위해서 익스팬드 시트를 사용할 필요가 없다. 이와 같이 본 발명의 일 양태에 관련된 칩의 제조 방법에 따르면, 익스팬드 시트를 사용하지 않고 판 형상의 피가공물을 분할하여 복수의 칩을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 칩의 제조 방법에서는, 피가공물의 칩 영역에만 레이저 빔을 조사하여 분할 예정 라인을 따른 제 1 개질층을 형성함과 함께, 외주 잉여 영역을 제 1 개질층이 형성되어 있지 않은 보강부로 하므로, 이 보강부에 의해 칩 영역은 보강된다. 따라서, 반송시 등에 가해지는 힘에 의해 피가공물이 개개의 칩으로 분할되어 버려, 피가공물을 적절히 반송할 수 없게 되는 경우도 없다.
도 1 은, 피가공물의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 레이저 가공 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3(A) 는, 유지 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이고, 도 3(B) 는, 제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다.
도 4(A) 는, 모든 분할 예정 라인을 따라 개질층이 형성된 후의 피가공물의 상태를 모식적으로 나타내는 평면도이고, 도 4(B) 는, 각 분할 예정 라인을 따라 형성된 개질층의 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5(A) 및 도 5(B) 는, 보강부 제거 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다.
도 6(A) 및 도 6(B) 는, 분할 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다.
도 7 은, 변형예에 관련된 유지 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다.
도 8(A) 는, 변형예에 관련된 분할 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이고, 도 8(B) 는, 변형예에 관련된 분할 스텝 후의 피가공물의 상태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법은, 유지 스텝 (도 3(A) 참조), 제 1 레이저 가공 스텝 (도 3(B), 도 4(A) 및 도 4(B) 참조), 제 2 레이저 가공 스텝 (도 3(B), 도 4(A) 및 도 4(B) 참조), 반출 스텝, 보강부 제거 스텝 (도 5(A) 및 도 5(B) 참조), 및 분할 스텝 (도 6(A) 및 도 6(B) 참조) 을 포함한다.
유지 스텝에서는, 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획된 칩 영역과, 칩 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 갖는 피가공물 (워크) 을 척 테이블 (유지 테이블) 에서 직접 유지한다. 제 1 레이저 가공 스텝에서는, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 칩 영역의 분할 예정 라인을 따라 제 1 개질층을 형성함과 함께, 외주 잉여 영역을 제 1 개질층이 형성되어 있지 않은 보강부로 한다.
제 2 레이저 가공 스텝에서는, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 제 1 개질층보다 길고 외주 잉여 영역에 단부가 겹치는 제 2 개질층을 분할 예정 라인을 따라 형성한다. 반출 스텝에서는, 척 테이블로부터 피가공물을 반출한다. 보강부 제거 스텝에서는, 피가공물로부터 보강부를 제거한다. 분할 스텝에서는, 초음파 진동을 부여하여 피가공물을 복수의 칩으로 분할한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법에 대해서 상세하게 서술한다.
도 1 은, 본 실시형태에서 사용되는 피가공물 (워크) (11) 의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 은, 예를 들어 실리콘 (Si), 비화갈륨 (GaAs), 인화인듐 (InP), 질화갈륨 (GaN), 실리콘 카바이드 (SiC) 등의 반도체, 사파이어 (Al2O3), 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 유전체 (절연체), 또는 탄탈산리튬 (LiTaO3), 니오브산리튬 (LiNbO3) 등의 강유전체 (강유전체 결정) 로 이루어지는 원반 형상의 웨이퍼 (기판) 이다.
피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) (13) 으로 칩이 되는 복수의 영역 (15) 으로 구획되어 있다. 또, 이하에서는, 칩이 되는 복수의 영역 (15) 전부를 포함하는 대략 원형인 영역을 칩 영역 (11c) 이라고 하고, 칩 영역 (11c) 을 둘러싸는 고리 형상의 영역을 외주 잉여 영역 (11d) 이라고 한다.
칩 영역 (11c) 내의 각 영역 (15) 에는, 필요에 따라, IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), LED (Light Emitting Diode), LD (Laser Diode), 포토다이오드 (Photodiode), SAW (Surface Acoustic Wave) 필터, BAW (Bulk Acoustic Wave) 필터 등의 디바이스가 형성되어 있다.
이 피가공물 (11) 을 분할 예정 라인 (13) 을 따라 분할함으로써, 복수의 칩이 얻어진다. 구체적으로는, 피가공물 (11) 이 실리콘 웨이퍼인 경우에는, 예를 들어 메모리나 센서 등으로서 기능하는 칩이 얻어진다. 피가공물 (11) 이 비화갈륨 기판이나 인화인듐 기판, 질화갈륨 기판인 경우에는, 예를 들어 발광 소자나 수광 소자 등으로서 기능하는 칩이 얻어진다.
피가공물 (11) 이 실리콘 카바이드 기판인 경우에는, 예를 들어 파워 디바이스 등으로서 기능하는 칩이 얻어진다. 피가공물 (11) 이 사파이어 기판인 경우에는, 예를 들어 발광 소자 등으로서 기능하는 칩이 얻어진다. 피가공물 (11) 이 소다 유리나 붕규산 유리, 석영 유리 등으로 이루어지는 유리 기판인 경우에는, 예를 들어, 광학 부품이나 커버 부재 (커버 유리) 로서 기능하는 칩이 얻어진다.
피가공물 (11) 이 탄탈산리튬이나 니오브산리튬 등의 강유전체로 이루어지는 강유전체 기판 (강유전체 결정 기판) 인 경우에는, 예를 들어 필터나 액추에이터 등으로서 기능하는 칩이 얻어진다. 또, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기, 두께 등에 제한은 없다. 마찬가지로, 칩이 되는 영역 (15) 에 형성되는 디바이스의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다. 칩이 되는 영역 (15) 에는, 디바이스가 형성되어 있지 않아도 된다.
본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법에서는, 피가공물 (11) 로서 원반 형상의 실리콘 웨이퍼를 사용하여 복수의 칩을 제조한다. 구체적으로는, 먼저, 이 피가공물 (11) 을 척 테이블에서 직접 유지하는 유지 스텝을 실시한다. 도 2 는, 본 실시형태에서 사용되는 레이저 가공 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치 (2) 는, 각 구성 요소가 탑재되는 기대 (基臺) (4) 를 구비하고 있다. 기대 (4) 의 상면에는, 피가공물 (11) 을 흡인, 유지하기 위한 척 테이블 (유지 테이블) (6) 을 X 축 방향 (가공 이송 방향) 및 Y 축 방향 (산출 이송 방향) 으로 이동시키는 수평 이동 기구 (8) 가 형성되어 있다. 수평 이동 기구 (8) 는, 기대 (4) 의 상면에 고정되고 X 축 방향에 대략 평행한 1 쌍의 X 축 가이드 레일 (10) 을 구비하고 있다.
X 축 가이드 레일 (10) 에는, X 축 이동 테이블 (12) 이 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. X 축 이동 테이블 (12) 의 이면측 (하면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, X 축 가이드 레일 (10) 에 대략 평행한 X 축 볼 나사 (14) 가 나사 결합되어 있다.
X 축 볼 나사 (14) 의 일단부에는, X 축 펄스 모터 (16) 가 연결되어 있다. X 축 펄스 모터 (16) 로 X 축 볼 나사 (14) 를 회전시킴으로써, X 축 이동 테이블 (12) 은 X 축 가이드 레일 (10) 을 따라 X 축 방향으로 이동한다. X 축 가이드 레일 (10) 에 인접하는 위치에는, X 축 방향에 있어서 X 축 이동 테이블 (12) 의 위치를 검출하기 위한 X 축 스케일 (18) 이 설치되어 있다.
X 축 이동 테이블 (12) 의 표면 (상면) 에는, Y 축 방향에 대략 평행한 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (20) 이 고정되어 있다. Y 축 가이드 레일 (20) 에는, Y 축 이동 테이블 (22) 이 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. Y 축 이동 테이블 (22) 의 이면측 (하면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, Y 축 가이드 레일 (20) 에 대략 평행한 Y 축 볼 나사 (24) 가 나사 결합되어 있다.
Y 축 볼 나사 (24) 의 일단부에는, Y 축 펄스 모터 (26) 가 연결되어 있다. Y 축 펄스 모터 (26) 로 Y 축 볼 나사 (24) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 테이블 (22) 은 Y 축 가이드 레일 (20) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. Y 축 가이드 레일 (20) 에 인접하는 위치에는, Y 축 방향에 있어서 Y 축 이동 테이블 (22) 의 위치를 검출하기 위한 Y 축 스케일 (28) 이 설치되어 있다.
Y 축 이동 테이블 (22) 의 표면측 (상면측) 에는, 지지대 (30) 가 형성되어 있고, 이 지지대 (30) 의 상부에는, 척 테이블 (6) 이 배치되어 있다. 척 테이블 (6) 의 표면 (상면) 은, 상기 서술한 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측 (또는 표면 (11a) 측) 을 흡인, 유지하는 유지면 (6a) 으로 되어 있다. 유지면 (6a) 은, 예를 들어 산화알루미늄 등의 경도가 높은 다공질재로 구성되어 있다. 단, 유지면 (6a) 은, 폴리에틸렌이나 에폭시 등의 수지로 대표되는 유연한 재료로 구성되어 있어도 된다.
이 유지면 (6a) 은, 척 테이블 (6) 의 내부에 형성된 흡인로 (6b) (도 3(A) 등 참조) 나 밸브 (32) (도 3(A) 등 참조) 등을 통하여 흡인원 (34) (도 3(A) 등 참조) 에 접속되어 있다. 척 테이블 (6) 의 하방에는, 회전 구동원 (도시 생략) 이 형성되어 있고, 척 테이블 (6) 은, 이 회전 구동원에 의해 Z 축 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레로 회전한다.
수평 이동 기구 (8) 의 후방에는, 기둥 형상의 지지 구조 (36) 가 형성되어 있다. 지지 구조 (36) 의 상부에는, Y 축 방향으로 연장되는 지지 아암 (38) 이 고정되어 있고, 이 지지 아암 (38) 의 선단부에는, 피가공물 (11) 에 대하여 투과성을 갖는 파장 (잘 흡수되지 않는 파장) 의 레이저 빔 (17) (도 3(B) 참조) 을 펄스 발진하고, 척 테이블 (6) 상의 피가공물 (11) 에 조사하는 레이저 조사 유닛 (40) 이 형성되어 있다.
레이저 조사 유닛 (40) 에 인접하는 위치에는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 또는 이면 (11b) 측을 촬상하는 카메라 (42) 가 형성되어 있다. 카메라 (42) 로 피가공물 (11) 등을 촬상하여 형성된 화상은, 예를 들어, 피가공물 (11) 과 레이저 조사 유닛 (40) 의 위치 등을 조정할 때에 사용된다.
척 테이블 (6), 수평 이동 기구 (8), 레이저 조사 유닛 (40), 카메라 (42) 등의 구성 요소는, 제어 유닛 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 제어 유닛은, 피가공물 (11) 이 적절히 가공되도록 각 구성 요소를 제어한다.
도 3(A) 는, 유지 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다. 또, 도 3(A) 에서는, 일부 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다. 유지 스텝에서는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 을 척 테이블 (6) 의 유지면 (6a) 에 접촉시킨다. 그리고, 밸브 (32) 를 열어 흡인원 (34) 의 부압을 유지면 (6a) 에 작용시킨다.
이로써, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측이 상방에 노출된 상태에서 척 테이블 (6) 에 흡인, 유지된다. 또, 본 실시형태에서는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 척 테이블 (6) 에서 직접 유지한다. 요컨대, 본 실시형태에서는, 피가공물 (11) 에 대하여 익스팬드 시트를 붙일 필요가 없다.
유지 스텝 이후에는, 피가공물 (11) 에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (17) 을 조사하여, 분할 예정 라인 (13) 을 따른 개질층을 형성하는 제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한다. 또, 본 실시형태에서는, 제 1 레이저 가공 스텝 이후에 제 2 레이저 가공 스텝을 실시하는 경우에 대해서 설명한다.
도 3(B) 는, 제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이고, 도 4(A) 는, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따라 개질층이 형성된 후의 피가공물 (11) 의 상태를 모식적으로 나타내는 평면도이고, 도 4(B) 는, 각 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성된 개질층을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또, 도 3(B) 에서는, 일부 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다.
제 1 레이저 가공 스텝에서는, 먼저, 척 테이블 (6) 을 회전시켜, 예를 들어 대상이 되는 분할 예정 라인 (13) 의 연장되는 방향을 X 축 방향에 대하여 평행하게 한다. 다음으로, 척 테이블 (6) 을 이동시켜, 대상이 되는 분할 예정 라인 (13) 의 연장선 상에 레이저 조사 유닛 (40) 의 위치를 맞춘다. 그리고, 도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, X 축 방향 (즉, 대상의 분할 예정 라인 (13) 의 연장되는 방향) 으로 척 테이블 (6) 을 이동시킨다.
그 후, 대상이 되는 분할 예정 라인 (13) 상의 2 군데에 존재하는 칩 영역 (11c) 과 외주 잉여 영역 (11d) 의 경계의 일방의 바로 위에 레이저 조사 유닛 (40) 이 도달한 타이밍에서, 이 레이저 조사 유닛 (40) 으로부터 레이저 빔 (17) 의 조사를 개시한다. 본 실시형태에서는, 도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 의 상방에 배치된 레이저 조사 유닛 (40) 으로부터 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 을 향하여 레이저 빔 (17) 이 조사된다.
이 레이저 빔 (17) 의 조사는, 레이저 조사 유닛 (40) 이, 대상이 되는 분할 예정 라인 (13) 상의 2 군데에 존재하는 칩 영역 (11c) 과 외주 잉여 영역 (11d) 의 경계의 타방의 바로 위에 도달할 때까지 계속된다. 요컨대, 여기서는, 대상의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 칩 영역 (11c) 내에만 레이저 빔 (17) 을 조사한다.
또한, 이 레이저 빔 (17) 은, 피가공물 (11) 의 내부의 표면 (11a) (또는 이면 (11b)) 으로부터 제 1 깊이의 위치에 집광점을 위치시키도록 조사된다. 이와 같이 피가공물 (11) 에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (17) 을, 피가공물 (11) 의 내부에 집광시킴으로써, 집광점 및 그 근방에서 피가공물 (11) 의 일부를 다광자 흡수에 의해 개질하여, 분할의 기점이 되는 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성할 수 있다 (제 1 개질층 형성 스텝).
본 실시형태의 제 1 레이저 가공 스텝에서는, 대상의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 칩 영역 (11c) 내에만 레이저 빔 (17) 을 조사하므로, 대상의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 칩 영역 (11c) 내에만 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 이 형성된다. 즉, 도 4(B) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 레이저 가공 스텝에서는, 외주 잉여 영역 (11d) 에 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 이 형성되지 않는다.
상기 서술한 제 1 레이저 가공 스텝 이후에는, 동일한 분할 예정 라인 (13) 을 따라 제 1 깊이와는 상이한 깊이의 위치에 개질층 (19) 을 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한다. 또, 제 1 레이저 가공 스텝이 종료된 단계에서는, 대상이 되는 분할 예정 라인 (13) 의 연장선 상에 레이저 조사 유닛 (40) 이 존재하므로, 이 레이저 조사 유닛 (40) 의 위치를 분할 예정 라인 (13) 에 맞춰 조정할 필요는 없다.
제 2 레이저 가공 스텝에서는, 먼저, 척 테이블 (6) 을 X 축 방향 (대상의 분할 예정 라인 (13) 의 연장되는 방향) 으로 이동시킨다. 다음으로, 피가공물 (11) 의 외주 잉여 영역 (11d) 에 설정된 조사 개시점의 바로 위에 레이저 조사 유닛 (40) 이 도달한 타이밍에서, 이 레이저 조사 유닛 (40) 으로부터 레이저 빔 (17) 의 조사를 개시한다.
본 실시형태에서는, 제 1 레이저 가공 스텝과 마찬가지로, 피가공물 (11) 의 상방에 배치된 레이저 조사 유닛 (40) 으로부터 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 을 향하여 레이저 빔 (17) 이 조사된다. 이 레이저 빔 (17) 의 조사는, 레이저 조사 유닛 (40) 이, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 상을 통과하여 외주 잉여 영역 (11d) 에 설정된 조사 종료점의 바로 위에 도달할 때까지 계속된다.
요컨대, 여기서는 대상의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 외주 잉여 영역 (11d) 의 일부 및 칩 영역 (11c) 에 레이저 빔 (17) 을 조사한다. 또한, 이 레이저 빔 (17) 은, 피가공물 (11) 의 내부의 표면 (11a) (또는 이면 (11b)) 으로부터 제 2 깊이 (제 1 깊이와는 상이한 깊이) 의 위치에 집광점을 위치시키도록 조사된다.
이로써, 제 1 레이저 가공 스텝에서 형성되는 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 보다 길고 외주 잉여 영역 (11d) 에 단부가 겹치는 개질층 (19) (제 2 개질층 (19b)) 을, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 제 2 깊이의 위치에 형성할 수 있다 (제 2 개질층 형성 스텝). 제 2 깊이의 위치에 개질층 (19) (제 2 개질층 (19b)) 을 형성한 후에는, 동일한 순서로 제 1 깊이 및 제 2 깊이와는 상이한 제 3 깊이의 위치에 개질층 (19) (제 3 개질층 (19c)) 을 형성한다 (제 3 개질층 형성 스텝). 제 3 깊이의 위치에 개질층 (19) 을 형성할 때에는, 조사 개시점 및 조사 종료점의 위치를 변경해도 된다.
또, 본 실시형태에서는, 제 1 레이저 가공 스텝에서 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 1 개의 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성하고, 제 2 레이저 가공 스텝에서 동일한 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 2 개의 개질층 (19) (제 2 개질층 (19b) 및 제 3 개질층 (19c)) 을 형성하고 있지만, 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성되는 개질층 (19) 의 수나 위치 등에 특별한 제한은 없다.
예를 들어, 제 1 레이저 가공 스텝에서 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성되는 개질층 (19) 의 수는 2 개 이상이어도 된다. 또한, 제 2 레이저 가공 스텝에서 동일한 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성되는 개질층 (19) 의 수는 1 개 또는 3 개 이상이어도 된다. 즉, 적어도 제 1 레이저 가공 스텝에서 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 1 개 이상의 개질층 (19) 을 형성할 수 있고, 제 2 레이저 가공 스텝에서 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 1 개 이상의 개질층 (19) 을 형성할 수 있으면 된다.
또한, 개질층 (19) 은, 표면 (11a) (또는 이면 (11b)) 에 크랙이 도달하는 조건에서 형성되는 것이 바람직하다. 물론, 표면 (11a) 및 이면 (11b) 의 양방에 크랙이 도달하는 조건에서 개질층 (19) 을 형성해도 된다. 이로써, 피가공물 (11) 을 보다 적절히 분할할 수 있게 된다.
피가공물 (11) 이 실리콘 웨이퍼인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 실리콘 웨이퍼
레이저 빔의 파장 : 1340 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 90 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.1 W ∼ 2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 180 mm/s ∼ 1000 mm/s, 대표적으로는 500 mm/s
피가공물 (11) 이 비화갈륨 기판이나 인화인듐 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 비화갈륨 기판, 인화인듐 기판
레이저 빔의 파장 : 1064 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 20 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.1 W ∼ 2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 100 mm/s ∼ 400 mm/s, 대표적으로는 200 mm/s
피가공물 (11) 이 사파이어 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 사파이어 기판
레이저 빔의 파장 : 1045 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 100 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.1 W ∼ 2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 400 mm/s ∼ 800 mm/s, 대표적으로는 500 mm/s
피가공물 (11) 이 탄탈산리튬이나 니오브산리튬 등의 강유전체로 이루어지는 강유전체 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 탄탈산리튬 기판, 니오브산리튬 기판
레이저 빔의 파장 : 532 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 15 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.02 W ∼ 0.2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 270 mm/s ∼ 420 mm/s, 대표적으로는 300 mm/s
피가공물 (11) 이 소다 유리나 붕규산 유리, 석영 유리 등으로 이루어지는 유리 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 소다 유리 기판, 붕규산 유리 기판, 석영 유리 기판
레이저 빔의 파장 : 532 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 50 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.1 W ∼ 2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 300 mm/s ∼ 600 mm/s, 대표적으로는 400 mm/s
피가공물 (11) 이 질화갈륨 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 질화갈륨 기판
레이저 빔의 파장 : 532 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 25 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.02 W ∼ 0.2 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 90 mm/s ∼ 600 mm/s, 대표적으로는 150 mm/s
피가공물 (11) 이 실리콘 카바이드 기판인 경우에는, 예를 들어 다음과 같은 조건에서 개질층 (19) 이 형성된다.
피가공물 : 실리콘 카바이드 기판
레이저 빔의 파장 : 532 nm
레이저 빔의 반복 주파수 : 25 kHz
레이저 빔의 출력 : 0.02 W ∼ 0.2 W, 대표적으로는 0.1 W
척 테이블의 이동 속도 (가공 이송 속도) : 90 mm/s ∼ 600 mm/s, 대표적으로는 실리콘 카바이드 기판의 벽개 방향에서 90 mm/s, 비벽개 방향에서 400 mm/s
대상의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 개질층 (19) 을 형성한 후에는, 나머지 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 상기 서술한 제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝을 반복한다. 이로써, 도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따라 개질층 (19) 을 형성할 수 있다.
본 실시형태의 제 1 레이저 가공 스텝에서는, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 칩 영역 (11c) 내에만 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성하고, 외주 잉여 영역 (11d) 에는 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성하지 않으므로, 이 외주 잉여 영역 (11d) 에 의해 피가공물 (11) 의 강도가 유지된다. 이로써, 반송시 등에 가해지는 힘에 의해 피가공물 (11) 이 개개의 칩으로 분할되어 버리는 경우는 없다. 이와 같이, 제 1 레이저 가공 스텝 이후의 외주 잉여 영역 (11d) 은, 칩 영역 (11c) 을 보강하기 위한 보강부로서 기능한다.
또한, 본 실시형태의 제 1 레이저 가공 스텝에서는, 외주 잉여 영역 (11d) 에 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성하지 않으므로, 예를 들어 개질층 (19) 으로부터 신장되는 크랙이 표면 (11a) 및 이면 (11b) 의 양방에 도달하여, 피가공물 (11) 이 완전히 분할된 상황에서도, 각 칩이 탈락, 이산 (離散) 되는 경우는 없다. 일반적으로, 피가공물 (11) 에 개질층 (19) 이 형성되면, 이 개질층 (19) 의 근방에서 피가공물 (11) 은 팽창된다. 본 실시형태에서는, 개질층 (19) 의 형성에 의해 발생하는 팽창의 힘을, 보강부로서 기능하는 링 형상의 외주 잉여 영역 (11d) 에서 내방향으로 작용시킴으로써, 각 칩을 가압하여 탈락, 이산을 방지하고 있다.
제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝 이후에는, 척 테이블 (6) 로부터 피가공물 (11) 을 반출하는 반출 스텝을 실시한다. 구체적으로는, 예를 들어 피가공물 (11) 의 표면 (11a) (또는 이면 (11b)) 의 전체를 흡착, 유지할 수 있는 반송 유닛 (도시 생략) 으로 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 의 전체를 흡착하고 나서, 밸브 (32) 를 닫아 흡인원 (34) 의 부압을 차단시키고, 피가공물 (11) 을 반출한다. 또, 본 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이, 외주 잉여 영역 (11d) 이 보강부로서 기능하므로, 반송시 등에 가해지는 힘에 의해 피가공물 (11) 이 개개의 칩으로 분할되어 버려, 피가공물 (11) 을 적절히 반송할 수 없게 되는 경우는 없다.
반출 스텝 이후에는, 피가공물 (11) 로부터 보강부를 제거하는 보강부 제거 스텝을 실시한다. 도 5(A) 및 도 5(B) 는, 보강부 제거 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다. 또, 도 5(A) 및 도 5(B) 에서는, 일부 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다. 보강부 제거 스텝은, 예를 들어 도 5(A) 및 도 5(B) 에 나타내는 절삭 장치 (52) 를 사용하여 실시된다.
절삭 장치 (52) 는, 피가공물 (11) 을 흡인, 유지하기 위한 척 테이블 (유지 테이블) (54) 을 구비하고 있다. 이 척 테이블 (54) 의 상면의 일부는, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 을 흡인, 유지하는 유지면 (54a) 으로 되어 있다. 유지면 (54a) 은, 척 테이블 (54) 의 내부에 형성된 흡인로 (54b) 나 밸브 (56) 등을 통하여 흡인원 (58) 에 접속되어 있다.
척 테이블 (54) 의 상면의 다른 일부에는, 피가공물 (11) 의 외주 잉여 영역 (11d) (즉, 보강부) 을 흡인, 유지하기 위한 흡인로 (54c) 의 일단이 개구되어 있다. 흡인로 (54c) 의 타단측은, 밸브 (60) 등을 통하여 흡인원 (58) 에 접속되어 있다. 이 척 테이블 (54) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레로 회전한다.
척 테이블 (54) 의 상방에는, 절삭 유닛 (62) 이 배치되어 있다. 절삭 유닛 (62) 은, 유지면 (54a) 에 대하여 대략 평행한 회전축이 되는 스핀들 (64) 을 구비하고 있다. 스핀들 (64) 의 일단측에는, 결합재에 지립이 분산되어 이루어지는 고리 형상의 절삭 블레이드 (66) 가 장착되어 있다.
스핀들 (64) 의 타단측에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있고, 스핀들 (64) 의 일단측에 장착된 절삭 블레이드 (66) 는, 이 회전 구동원으로부터 전해지는 힘에 의해 회전한다. 절삭 유닛 (62) 은, 예를 들어 승강기구 (도시 생략) 에 지지되어 있고, 절삭 블레이드 (66) 는, 이 승강 기구에 의해 연직 방향으로 이동한다.
또, 척 테이블 (54) 의 상면에는, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 과 외주 잉여 영역 (11d) 의 경계에 대응하는 위치에, 절삭 블레이드 (66) 와의 접촉을 방지하기 위한 절삭 블레이드용 도피 홈 (도시 생략) 이 형성되어 있다.
보강부 제거 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 을 척 테이블 (54) 의 유지면 (54a) 에 접촉시킨다. 그리고, 밸브 (56, 60) 를 열어, 흡인원 (58) 의 부압을 유지면 (54a) 등에 작용시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측이 상방으로 노출된 상태에서 척 테이블 (54) 에 흡인, 유지된다. 또, 본 실시형태에서는, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 척 테이블 (54) 에서 직접 유지한다. 요컨대, 여기서도 피가공물 (11) 에 대하여 익스팬드 시트를 붙일 필요가 없다.
다음으로, 절삭 블레이드 (66) 를 회전시켜, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 과 외주 잉여 영역 (11d) 의 경계에 절입시킨다. 아울러, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (54) 을, 연직 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레로 회전시킨다. 이로써, 칩 영역 (11c) 과 외주 잉여 영역 (11d) 의 경계를 따라 피가공물 (11) 을 절단할 수 있다.
그 후, 밸브 (60) 를 닫아, 피가공물 (11) 의 외주 잉여 영역 (11d) 에 대한 흡인원 (58) 의 부압을 차단시킨다. 그리고, 도 5(B) 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (54) 로부터 외주 잉여 영역 (11d) 을 제거한다. 이로써, 척 테이블 (54) 상에는, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 만이 남는다.
보강부 제거 스텝 이후에는, 피가공물 (11) 을 개개의 칩으로 분할하는 분할 스텝을 실시한다. 구체적으로는, 초음파 진동을 부여하여 피가공물 (11) 을 분할한다. 도 6(A) 및 도 6(B) 는, 분할 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다. 또, 도 6(A) 및 도 6(B) 에서는, 일부 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다.
분할 스텝은, 예를 들어 도 6(A) 및 도 6(B) 에 나타내는 분할 장치 (72) 를 사용하여 실시된다. 분할 장치 (72) 는, 순수 등의 액체 (21) 가 저류되는 조 (槽) (74) 를 구비하고 있다. 이 조 (74) 는, 피가공물 (11) (칩 영역 (11c)) 의 전체를 수용할 수 있을 정도의 크기로 형성되어 있고, 그 바닥에는, 초음파 진동을 발생시키기 위한 초음파 진동자 (76) 가 장착되어 있다.
초음파 진동자 (76) 는, 예를 들어 티탄산바륨, 티탄산지르콘산납, 탄탈산리튬, 니오브산리튬 등의 압전 재료로 이루어지는 압전 재료층과, 압전 재료층을 사이에 두는 1 쌍의 전극층을 포함한다. 전극층에는, 소정 주파수의 교류 전력을 공급하기 위한 교류 전원 (78) 이 접속되어 있고, 초음파 진동자 (76) 는, 교류 전원 (78) 으로부터 공급되는 교류 전력의 주파수에 따른 주파수에 의해 진동한다.
조 (74) 의 상방에는, 피가공물 (11) 을 유지하기 위한 유지 유닛 (80) 이 배치되어 있다. 유지 유닛 (80) 의 하면측의 일부는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (또는 이면 (11b) 측) 에 접하는 접촉면 (80a) 으로 되어 있다. 접촉면 (80a) 은, 예를 들어 폴리에틸렌이나 에폭시 등의 수지로 대표되는 유연한 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이로써, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 형성되어 있는 디바이스 등의 파손을 방지하기 쉬워진다. 단, 접촉면 (80a) 의 재질 등에 특별한 제한은 없다. 또한, 접촉면 (80a) 을 둘러싸는 위치에는, 하방향으로 돌출되는 고리 형상의 돌기 (80b) 가 형성되어 있다. 이 돌기 (80b) 에 의해, 후술하는 바와 같이, 개개의 칩으로 분할된 후의 피가공물 (11) 의 비산을 방지할 수 있다.
유지 유닛 (80) 의 내부에는, 접촉면 (80a) 에 접하는 피가공물 (11) 에 대하여 부압을 전달하기 위한 흡인로 (80c) 가 형성되어 있다. 흡인로 (80c) 의 일단측은, 밸브 (82) 등을 통하여 흡인원 (84) 에 접속되어 있다. 흡인로 (80c) 의 타단측은, 접촉면 (80a) 에 접하는 피가공물 (11) 의 각 영역 (15) 을 흡인할 수 있도록 접촉면 (80a) 에 개구되어 있다. 즉, 접촉면 (80a) 에는, 각 영역 (15) 에 대응하는 복수의 개구부가 형성되어 있다.
따라서, 피가공물 (11) 을 접촉면 (80a) 에 접촉시킨 후에, 밸브 (82), 흡인로 (80c) 등을 통하여 흡인원 (84) 의 부압을 복수의 개구부에 작용시킴으로써, 피가공물 (11) 을 적절하게 흡인, 유지할 수 있다. 상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 각 영역 (15) 에 대응하는 위치에 복수의 개구부를 형성하고 있으므로, 개개의 칩으로 분할된 후의 피가공물 (11) 이라도 적절하게 흡인, 유지할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 분할 스텝에서는, 먼저, 유지 유닛 (80) 의 접촉면 (80a) 을 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 접촉시킨다. 다음으로, 밸브 (82) 를 열어, 흡인원 (84) 의 부압을 복수의 개구부에 작용시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 은, 유지 유닛 (80) 에 의해 흡인, 유지된다. 그 후, 도 6(A) 에 나타내는 바와 같이, 유지 유닛 (80) 을 조 (74) 의 상방에 위치시킨다.
그리고, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 유지 유닛 (80) 을 하강시켜, 조 (74) 에 저류되어 있는 액체 (21) 에 피가공물 (11) 을 침지시킨다. 유지 유닛 (80) 을 충분히 하강시킨 후에는, 밸브 (82) 를 닫아 흡인원 (84) 의 부압을 차단시킨다. 그 결과, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 은 유지 유닛 (80) 으로부터 분리된다.
또, 유지 유닛 (80) 의 하강량은, 조 (74) 의 바닥과 돌기 (80b) 의 하단의 간극이, 피가공물 (11) 의 두께보다 작아지는 범위에서 조정되는 것이 바람직하다. 이로써, 피가공물 (11) 의 위치가 돌기 (80b) 에 의해 규제되어, 개개의 칩으로 분할된 후의 피가공물 (11) 의 비산을 방지할 수 있게 된다.
다음으로, 교류 전원 (78) 으로부터 초음파 진동자 (76) 에 교류 전력을 공급하여, 초음파 진동자 (76) 를 진동시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 에는, 초음파 진동자 (76) 로부터 발생한 초음파 진동이, 조 (74) 및 액체 (21) 을 통해서 부여된다. 그리고, 이 초음파 진동의 힘에 의해 피가공물 (11) 의 개질층 (19) 으로부터 크랙 (23) 이 신장되고, 피가공물 (11) 은 분할 예정 라인 (13) 을 따라 복수의 칩 (25) 으로 분할된다.
피가공물 (11) 에 부여되는 초음파 진동의 조건은, 예를 들어 다음과 같다.
출력 : 200 W
주파수 : 20 kHz, 28 kHz
부여 시간 : 30 초 ∼ 90 초
단, 초음파 진동의 조건은, 피가공물 (11) 을 적절하게 분할할 수 있는 범위에서 임의로 설정할 수 있다. 피가공물 (11) 이 복수의 칩 (25) 으로 분할된 후에는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측과 접촉면 (80a) 을 다시 접촉시키고, 밸브 (82) 를 열어, 흡인원 (84) 의 부압을 작용시킨다. 이로써, 복수의 칩 (25) 으로 분할된 후의 피가공물 (11) 을 유지 유닛 (80) 으로 흡인, 유지하여 조 (74) 의 외부로 반출할 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법에서는, 피가공물 (워크) (11) 을 척 테이블 (유지 테이블) (6) 에서 직접 유지한 상태에서, 집광점을 제 1 깊이의 위치에 위치시키도록 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 에만 레이저 빔 (17) 을 조사하여, 칩 영역 (11c) 의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성하고, 또, 집광점을 제 2 깊이의 위치 및 제 3 깊이의 위치에 위치시키도록 레이저 빔 (17) 을 조사하여, 제 1 깊이의 위치에 형성되는 개질층 (19) 보다 길고 외주 잉여 영역 (11d) 에 단부가 겹치는 개질층 (19) (제 2 개질층 (19b) 및 제 3 개질층 (19c)) 을 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성한 후, 초음파 진동을 부여하여 피가공물 (11) 을 개개의 칩 (25) 으로 분할하므로, 피가공물 (11) 에 힘을 가하여 개개의 칩 (25) 으로 분할하기 위해서 익스팬드 시트를 사용할 필요가 없다. 이와 같이 본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법에 따르면, 익스팬드 시트를 사용하지 않고 판 형상의 피가공물 (11) 인 실리콘 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩 (25) 을 제조할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 칩의 제조 방법에서는, 피가공물 (11) 의 칩 영역 (11c) 에만 레이저 빔 (17) 을 조사하여 분할 예정 라인 (13) 을 따른 개질층 (19) (제 1 개질층 (19a)) 을 형성함과 함께, 외주 잉여 영역 (11d) 을 개질층 (19) 이 형성되어 있지 않은 보강부로 하므로, 이 보강부에 의해 칩 영역 (11c) 은 보강된다. 따라서, 반송시 등에 가해지는 힘에 의해 피가공물 (11) 이 개개의 칩 (25) 으로 분할되어 버려, 피가공물 (11) 을 적절히 반송할 수 없게 되는 경우도 없다.
또, 본 발명은, 상기 실시형태 등의 기재에 제한되지 않고 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 제 1 레이저 가공 스텝 이후에 제 2 레이저 가공 스텝을 실시하고 있지만, 제 2 레이저 가공 스텝 이후에 제 1 레이저 가공 스텝을 실시하도록 해도 된다. 또한, 제 2 개질층 (19b) 을 형성하는 제 2 개질층 형성 스텝과, 제 3 개질층 (19c) 을 형성하는 제 3 개질층 형성 스텝의 순서를 바꿔도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 대상의 1 개의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 1 레이저 가공 스텝을 실시한 후에, 동일한 1 개의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 2 레이저 가공 스텝을 실시하고 있지만, 본 발명은 이 양태에 제한되지 않는다. 예를 들어, 복수의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 1 개질층 (19a) 을 형성하는 제 1 레이저 가공 스텝 (제 1 개질층 형성 스텝) 을 실시한 후에, 복수의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 2 레이저 가공 스텝을 실시할 수도 있다.
또, 이 경우에는, 복수의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 2 개질층 (19b) 을 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝 (제 2 개질층 형성 스텝) 을 실시하고 나서, 복수의 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 3 개질층 (19c) 을 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝 (제 3 개질층 형성 스텝) 을 실시하면 된다.
보다 구체적으로는, 예를 들어 먼저, 제 1 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 1 개질층 (19a) 을 형성하는 제 1 개질층 형성 스텝을 실시한다. 다음으로, 제 1 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 2 개질층 (19b) 을 형성하는 제 2 개질층 형성 스텝을 실시한다. 그리고, 제 1 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 3 개질층 (19c) 을 형성하는 제 3 개질층 형성 스텝을 실시한다.
그 후, 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 1 개질층 (19a) 을 형성하는 제 1 개질층 형성 스텝을 실시한다. 다음으로, 제 2 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 2 개질층 (19b) 을 형성하는 제 2 개질층 형성 스텝을 실시한다. 그리고, 제 2 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인 (13) 에 대하여 제 3 개질층 (19c) 을 형성하는 제 3 개질층 형성 스텝을 실시한다.
또, 이 경우에도, 제 2 레이저 가공 스텝 (제 2 개질층 형성 스텝 및 제 3 개질층 형성 스텝) 이후에 제 1 레이저 가공 스텝 (제 1 개질층 형성 스텝) 을 실시할 수 있다. 마찬가지로, 제 2 개질층 (19b) 을 형성하는 제 2 개질층 형성 스텝과, 제 3 개질층 (19c) 을 형성하는 제 3 개질층 형성 스텝의 순서를 바꿔도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 척 테이블 (6) 에서 직접 유지하며, 표면 (11a) 측부터 레이저 빔 (17) 을 조사하고 있지만, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 척 테이블 (6) 에서 직접 유지하며, 이면 (11b) 측부터 레이저 빔 (17) 을 조사해도 된다.
도 7 은, 변형예에 관련된 유지 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이다. 이 변형예에 관련된 유지 스텝에서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 폴리에틸렌이나 에폭시 등의 수지로 대표되는 유연한 재료로 이루어지는 다공질 형상의 시트 (포러스 시트) (44) 에 의해 상면이 구성된 척 테이블 (유지 테이블) (6) 을 사용하면 된다.
이 척 테이블 (6) 에서는, 시트 (44) 의 상면 (44a) 에서 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 흡인, 유지하게 된다. 이로써, 표면 (11a) 측에 형성되어 있는 디바이스 등의 파손을 방지할 수 있다. 이 시트 (44) 는 척 테이블 (6) 의 일부이며, 척 테이블 (6) 의 본체 등과 함께 반복 사용된다.
단, 척 테이블 (6) 의 상면은, 상기 서술한 다공질 형상의 시트 (44) 에 의해 구성되어 있을 필요는 없고, 적어도 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 형성되어 있는 디바이스 등을 손상시키지 않을 정도로 유연한 재료로 구성되어 있으면 된다. 또한, 시트 (44) 는, 척 테이블 (6) 의 본체에 대하여 착탈할 수 있게 구성되어, 파손된 경우 등에 교환할 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시형태에서는, 반출 스텝 이후, 분할 스텝 이전에 보강부 제거 스텝을 실시하고 있지만, 예를 들어, 제 1 레이저 가공 스텝 및 제 2 레이저 가공 스텝 이후, 반출 스텝 이전에 보강부 제거 스텝을 실시해도 된다.
또, 보강부 제거 스텝을 생략할 수도 있다. 상기 실시형태의 제 2 레이저 가공 스텝에서는, 외주 잉여 영역 (11d) 에 단부가 겹치는 개질층 (19) (제 2 개질층 (19b) 및 제 3 개질층 (19c)) 을, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성하고 있다. 그래서, 개질층 (19) 과 외주 잉여 영역 (11d) 이 겹치지 않는 경우에 비해서, 외주 잉여 영역 (11d) 은 분할되기 쉽다. 따라서, 보강부 제거 스텝을 실시하지 않아도, 분할 스텝에서 칩 영역 (11c) 을 외주 잉여 영역 (11d) 과 함께 분할할 수 있게 된다.
또, 이 경우에는, 예를 들어 피가공물 (11) 의 외주 가장자리부터 개질층 (19) 의 끝까지의 거리가 2 mm ∼ 3 mm 정도가 되도록 제 2 레이저 가공 스텝에서 개질층 (19) 을 형성하는 범위를 조정하면 된다. 또한, 예를 들어 분할 스텝에서 칩 영역 (11c) 을 분할하기 전에, 보강부에 분할의 기점이 되는 홈을 형성해도 된다. 도 8(A) 는, 변형예에 관련된 분할 스텝에 대해서 설명하기 위한 단면도이고, 도 8(B) 는, 변형예에 관련된 분할 스텝 이후의 피가공물 (11) 의 상태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
변형예에 관련된 분할 스텝에서는, 분할 장치 (72) 로 피가공물 (11) 에 초음파 진동을 부여하기 전에, 상기 서술한 절삭 장치 (52) 를 사용하여 분할의 기점이 되는 홈을 형성한다. 구체적으로는, 도 8(A) 및 도 8(B) 에 나타내는 바와 같이, 외주 잉여 영역 (11d) (즉, 보강부) 에 절삭 블레이드 (66) 를 절입시켜, 분할의 기점이 되는 홈 (11e) 을 형성한다. 이 홈 (11e) 은, 예를 들어 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같은 홈 (11e) 을 형성함으로써, 초음파 진동으로 피가공물 (11) 을 외주 잉여 영역 (11d) 과 함께 분할할 수 있게 된다. 또, 변형예에 관련된 분할 스텝에서는, 절삭 장치 (52) 가 구비하는 척 테이블 (54) 의 흡인로 (54c) 나 밸브 (60) 등을 생략할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 분할 스텝에서는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 유지 유닛 (80) 으로 흡인, 유지하고 있지만, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 유지 유닛 (80) 으로 흡인, 유지해도 된다.
그 밖에 상기 실시형태 및 변형예에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적 범위를 일탈하지 않는 한에서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 피가공물 (워크)
11a : 표면
11b : 이면
11c : 칩 영역
11d : 외주 잉여 영역
13 : 분할 예정 라인 (스트리트)
15 : 영역
17 : 레이저 빔
19 : 개질층
19a : 제 1 개질층
19b : 제 2 개질층
19c : 제 3 개질층
21 : 액체
23 : 크랙
25 : 칩
2 : 레이저 가공 장치
4 : 기대
6 : 척 테이블 (유지 테이블)
6a : 유지면
6b : 흡인로
8 : 수평 이동 기구
10 : X 축 가이드 레일
12 : X 축 이동 테이블
14 : X 축 볼 나사
16 : X 축 펄스 모터
18 : X 축 스케일
20 : Y 축 가이드 레일
22 : Y 축 이동 테이블
24 : Y 축 볼 나사
26 : Y 축 펄스 모터
28 : Y 축 스케일
30 : 지지대
32 : 밸브
34 : 흡인원
36 : 지지 구조
38 : 지지 아암
40 : 레이저 조사 유닛
42 : 카메라
44 : 시트 (포러스 시트)
44a : 상면
52 : 절삭 장치
54 : 척 테이블 (유지 테이블)
54a : 유지면
54b : 흡인로
54c : 흡인로
56 : 밸브
58 : 흡인원
60 : 밸브
62 : 절삭 유닛
64 : 스핀들
66 : 절삭 블레이드
72 : 분할 장치
74 : 조
76 : 초음파 진동자
78 : 교류 전원
80 : 유지 유닛
80a : 접촉면
80b : 돌기
80c : 흡인로
82 : 밸브
84 : 흡인원

Claims (3)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 칩이 되는 복수의 영역으로 구획된 칩 영역과, 그 칩 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 갖는 피가공물로부터 복수의 그 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서,
    피가공물을 유지 테이블에 직접 접촉시켜 유지하는 유지 스텝과,
    그 유지 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 내부의 제 1 깊이의 위치에 위치시키도록 그 분할 예정 라인을 따라 피가공물의 그 칩 영역에만 그 레이저 빔을 조사하여, 그 칩 영역의 그 분할 예정 라인을 따라 제 1 개질층을 형성함과 함께, 그 외주 잉여 영역을 그 제 1 개질층이 형성되어 있지 않은 보강부로 하는 제 1 레이저 가공 스텝과,
    그 유지 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 내부의 그 제 1 깊이와는 상이한 제 2 깊이의 위치에 위치시키도록 그 분할 예정 라인을 따라 그 레이저 빔을 조사하여, 그 제 1 개질층보다 길고 그 외주 잉여 영역측으로 그 제 1 개질층의 단부를 넘어 연장되는 제 2 개질층을 그 분할 예정 라인을 따라 형성하는 제 2 레이저 가공 스텝과,
    그 제 1 레이저 가공 스텝 및 그 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한 후에, 그 유지 테이블로부터 피가공물을 반출하는 반출 스텝과,
    그 반출 스텝을 실시한 후에, 피가공물에 힘을 부여하여 피가공물을 개개의 그 칩으로 분할하는 분할 스텝과,
    그 제 1 레이저 가공 스텝 및 그 제 2 레이저 가공 스텝을 실시한 후, 그 분할 스텝을 실시하기 전에, 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 스텝을 구비하고,
    그 분할 스텝에서는, 초음파 진동을 부여하여 피가공물을 개개의 그 칩으로 분할하는 것을 특징으로 하는 칩의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 유지 테이블의 상면은, 유연한 재료에 의해 구성되어 있고,
    그 유지 스텝에서는, 그 유연한 재료로 피가공물의 표면측을 유지하는 것을 특징으로 하는 칩의 제조 방법.
KR1020180123117A 2017-10-24 2018-10-16 칩의 제조 방법 KR102588040B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-205349 2017-10-24
JP2017205349A JP6991656B2 (ja) 2017-10-24 2017-10-24 チップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190045840A KR20190045840A (ko) 2019-05-03
KR102588040B1 true KR102588040B1 (ko) 2023-10-11

Family

ID=66229725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180123117A KR102588040B1 (ko) 2017-10-24 2018-10-16 칩의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6991656B2 (ko)
KR (1) KR102588040B1 (ko)
CN (1) CN109698118B (ko)
TW (1) TWI774865B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110271103A (zh) * 2019-06-20 2019-09-24 深圳市圆梦精密技术研究院 激光辅助旋转超声波加工机床及加工方法
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135964A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2012130952A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2014199834A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ディスコ 保持手段及び加工方法
JP2015115350A (ja) 2013-12-09 2015-06-22 株式会社ディスコ ウェーハ加工装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2003151918A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sony Corp ダイシングテーブルおよびこれを用いたダイシング装置
JP2004273899A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Sony Corp ウェーハ保持用治具、同治具を用いた半導体製造装置
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4769560B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2010003817A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置
JP5791866B2 (ja) 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ ワーク分割装置
JP5964580B2 (ja) * 2011-12-26 2016-08-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6013859B2 (ja) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014236034A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9812361B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-07 Nxp B.V. Combination grinding after laser (GAL) and laser on-off function to increase die strength
JP2016129202A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135964A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2012130952A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2014199834A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ディスコ 保持手段及び加工方法
JP2015115350A (ja) 2013-12-09 2015-06-22 株式会社ディスコ ウェーハ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019079917A (ja) 2019-05-23
JP6991656B2 (ja) 2022-01-12
KR20190045840A (ko) 2019-05-03
CN109698118A (zh) 2019-04-30
CN109698118B (zh) 2024-02-20
TWI774865B (zh) 2022-08-21
TW201917784A (zh) 2019-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102588040B1 (ko) 칩의 제조 방법
CN110690172B (zh) 芯片的制造方法
JP6858455B2 (ja) チップの製造方法
JP2019218235A (ja) チップの製造方法
KR102575795B1 (ko) 칩의 제조 방법
KR102578958B1 (ko) 칩의 제조 방법
JP6991657B2 (ja) チップの製造方法
JP6932452B2 (ja) チップの製造方法
JP6932451B2 (ja) チップの製造方法
JP6976654B2 (ja) チップの製造方法
JP7051198B2 (ja) チップの製造方法
JP6973927B2 (ja) チップの製造方法
JP6961299B2 (ja) チップの製造方法
JP6961298B2 (ja) チップの製造方法
JP6961300B2 (ja) チップの製造方法
JP6961301B2 (ja) チップの製造方法
JP2019220583A (ja) チップの製造方法
JP2019220586A (ja) チップの製造方法
JP2019220584A (ja) チップの製造方法
JP2019220585A (ja) チップの製造方法
JP2019220582A (ja) チップの製造方法
JP2019022901A (ja) チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant