JP2019520753A - 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造 - Google Patents
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Abstract
Description
・ ナノキャビティの領域は、50nmから3μmの機能的厚さを有し、
・ ナノキャビティの領域は、有効層の第1の面より第2の面に近い、
・ ナノキャビティの領域は、有効層の第2の面から50nmを超える距離に位置し、
・ ナノキャビティは、少なくとも部分的に1nmから500nmの最大サイズを有し、
・ ナノキャビティは、ナノキャビティの領域における容積の10%から20%を占め、
・ ナノキャビティは、ほぼ球形または多面体形であり、
・ ナノキャビティの領域は、有効層の第2の面に平行な平面内に延在し、
・ ナノキャビティの領域は、有効層の第2の面に平行な平面において連続しており、
・ ナノキャビティの領域は、有効層の第2の面に平行な平面において不連続であり、
・ 支持基板は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム、および炭化ケイ素の中から選択された材料を含み、
・ 有効層は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択された圧電材料を含み、
・ ハイブリッド構造は、有効層の第2の面と支持基板との間に配置された中間層を含む。
・ 本発明はまた、上記のハイブリッド構造を備える表面弾性波デバイスにも関する。音波の周波数は、有益には700MHzと3GHzの間にある。
・ 本発明は最後に、表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造を製造する方法であって、
a)第1の面と第2の面とを有する有効圧電層を設けるステップと、
b)有効層の熱膨張係数よりも低い熱膨張係数を有する支持基板を準備するステップと、
c)支持基板上に有効層の第2面を結合するステップとを含む。
・ ステップa)で提供される有効層は、圧電ドナー基板内に含まれ、
・ 製造方法は、結合ステップの後で、ドナー基板を有効層を形成するため有効な厚さまで薄くするステップd)を含み、
・ ガス種導入ステップは、水素、ヘリウム、アルゴン、および他の希ガスの中から選択されたイオンの少なくとも1回の注入を含み、
・ 製造方法は、ガス種導入ステップの後に熱処理ステップを含み、
・ 有効層へのガス種の導入は、結合ステップの前に有効層の第2の面上で行われ、
・ 有効層へのガス種の導入は、結合ステップの後で有効層の第1の面上で行われ、
・ 有効層へのガス種の導入は、マスクを適用することによって局所的に行われる。
図7(c)は、得られたハイブリッド構造100を示し、Smart Cut法中に形成された断片化埋込み層の残留物は、この実施形態では、有効層10の第2面2の近くにナノキャビティ31の領域30を作製することを可能にする。
LiNbO3からなるドナー基板11の第2の面2に、180keVのエネルギーと3.5×1016He/cm2の線量を有するヘリウムイオンが注入される。注入ステップ中のドナー基板11の汚染を制限するために、注入前に、例えばSiO2からなる保護層を第2の面2上に有益に堆積させる。
LiTaO3からなるドナー基板11の第2の面2上にマスキング層が形成され、その結果、マスキング領域および露出領域が得られる。露出領域は、例えば、図2(c)で上方から見たように図示される通り、マスキング領域によって互いに分離された円形ブロックを形成する。露光領域は5μmの直径を有し、2つの隣接する露光領域間の間隔も5μmである。
Claims (13)
- 有効圧電層(10)であり、当該有効層(10)の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する支持基板(20)上に配置された第1の自由面(1)および第2の面(2)を有する有効圧電層(10)を含む、表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)であって、前記ハイブリッド構造(100)は、有効層(10)がナノキャビティ(31)の領域(30)を含むことを特徴とする、ハイブリッド構造(100)。
- 前記ナノキャビティ(31)の前記領域(30)は、50nmから3μmの機能的厚さを有する、請求項1に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- ナノキャビティ(31)の前記領域(30)は、前記有効層(10)の前記第2の面(2)から50nmを超える距離に位置する、請求項1又は2に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- 前記ナノキャビティ(31)は、少なくとも部分的に1nmから500nmの最大サイズを有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- ナノキャビティ(31)の前記領域(30)は、前記有効層(2)の前記第2の面(2)に平行な平面内に延在する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- 前記支持基板(20)は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム、および炭化ケイ素の中から選択された材料を含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- 前記有効層(10)は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択された圧電材料を含む、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- 前記有効層(10)の前記第2の面(2)と前記支持基板との間に配置された中間層(40)を含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載のハイブリッド構造(100)を備える表面弾性波デバイス(200)。
- 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造(100)を製造する方法であって、
a)第1の面(1)と第2の面(2)とを有する有効圧電層(10)を設けるステップと、
b)前記有効層(10)の熱膨張係数よりも低い熱膨張係数を有する支持基板(20)を準備するステップと、
c)前記支持基板(20)上に前記有効層(10)の前記第2の面(2)を結合するステップとを含み、
ガス種を前記有効層(10)に導入してナノキャビティ(31)の領域(30)を形成するステップを含むことを特徴とする方法。 - ガス種を導入する前記ステップは、水素、ヘリウム、アルゴン、および他の希ガスの中から選択されたイオンの少なくとも1回の注入を含む、請求項10に記載のハイブリッド構造(100)を製造する方法。
- ガス種を導入する前記ステップの後に熱処理ステップを含む、請求項10又は11に記載のハイブリッド構造(100)を製造する方法。
- 前記有効層へのガス種の導入は、マスクを適用することによって局所的に行われる、請求項10乃至12のいずれか一項に記載のハイブリッド構造(100)を製造する方法。
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