WO2010082286A1 - 発光モジュールおよび灯具ユニット - Google Patents

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light emitting
wavelength conversion
refractive index
emitting element
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堤康章
佐々木祥敬
小松隆明
水野正宣
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株式会社小糸製作所
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    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting module and a lamp unit including the light emitting module.
  • a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode)
  • LED Light Emitting Diode
  • it is required to emit light with high luminous intensity to the light emitting module.
  • a light emitting element that mainly emits blue light, a yellow phosphor that emits mainly yellow light when excited by blue light, and blue light is transmitted from the light emitting element.
  • An illuminating device has been proposed that includes blue-transmitting yellow-based reflecting means that reflects light having a wavelength equal to or greater than that of yellow light from a yellow-based phosphor (see, for example, Patent Document 1).
  • an object of the present invention is to provide a light emitting module having high luminance or high luminous intensity.
  • a light emitting module includes a light emitting element, a transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element and emits the light from an emission surface, and a light wavelength conversion member. From the light wavelength conversion member provided so as to be in contact with the light exit surface having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member and in contact with both the light emission surface and the light wavelength conversion member. And an intermediate member having a low refractive index. The intermediate member has a lower refractive index than the output layer.
  • the lower the difference in the refractive index the more the first member changes to the second member.
  • Light is easy to travel.
  • first by providing such an intermediate member between the light emitting element and the light wavelength conversion member, both of the cases where the incident surface of the light wavelength conversion member is directly bonded to the emission surface of the light emitting element.
  • the difference in refractive index between members can be reduced compared to the difference in refractive index between the members. For this reason, the light emitted from the light emitting element can be easily incident on the light wavelength conversion member.
  • the intermediate member has a lower refractive index than that of the emission layer, it is possible to facilitate light from the light wavelength conversion member to the emission layer rather than the intermediate member.
  • the extraction efficiency of light emitted from the light emitting element can be improved by combining the intermediate member and the emission layer.
  • Irregularities may be formed on both the exit surface of the light emitting element and the entrance surface of the intermediate member that are in contact with each other.
  • Irregularities may be formed on both the incident surface of the light wavelength conversion member and the exit surface of the intermediate member that are in contact with each other.
  • the possibility that the light travels toward another inner surface of the convex portion can be increased.
  • the light reflected toward the other inner surface of the convex portion can be emitted to the light wavelength conversion member within the range of the emission possible angle.
  • the emission layer may be further provided on a side end surface between the emission surface and the incident surface of the light wavelength conversion member.
  • the emission layer may be formed by laminating a plurality of layers.
  • the plurality of layers may be laminated so that the refractive index of each layer gradually decreases as it approaches the exit surface.
  • the lamp unit includes a light emitting element, a transparent light wavelength converting member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element and emits the light from the emitting surface, and an optical wavelength converting member that is provided in contact with the emitting surface of the light wavelength converting member.
  • Light emitting module having an emission layer having a lower refractive index than the light emitting element and an intermediate member having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member provided so as to be in contact with both the emission surface of the light emitting element and the light incident surface of the light wavelength conversion member
  • an optical member that collects the light emitted from the light emitting module.
  • the intermediate member has a lower refractive index than the output layer.
  • the lamp unit can be configured by using the light emitting module in which the extraction efficiency of light emitted from the light emitting element is improved by combining the intermediate member and the emission layer. Therefore, it is possible to provide a lamp unit having a high luminous intensity or luminance.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a vehicle headlamp 10 according to the first embodiment.
  • the vehicle headlamp 10 includes a lamp body 12, a front cover 14, and a lamp unit 16.
  • the left side in FIG. 1 will be described as the front of the lamp and the right side will be described as the rear of the lamp.
  • the right side of the lamp in front of the lamp is called the right side of the lamp
  • the left side is called the left side of the lamp.
  • FIG. 1 shows a cross section of the vehicle headlamp 10 cut by a vertical plane including the optical axis of the lamp unit 16 as viewed from the left side of the lamp.
  • the vehicle headlamps 10 formed symmetrically with each other are provided on the vehicle left front and right front, respectively.
  • FIG. 1 shows the configuration of the left or right vehicle headlamp 10.
  • the lamp body 12 is formed in a box shape having an opening.
  • the front cover 14 is formed in a bowl shape with a translucent resin or glass.
  • the front cover 14 has an edge attached to the opening of the lamp body 12. In this way, a lamp chamber is formed in an area covered by the lamp body 12 and the front cover 14.
  • a lamp unit 16 is arranged in the lamp chamber.
  • the lamp unit 16 is fixed to the lamp body 12 by an aiming screw 18.
  • the lower aiming screw 18 is configured to rotate when the leveling actuator 20 is operated. For this reason, it is possible to move the optical axis of the lamp unit 16 in the vertical direction by operating the leveling actuator 20.
  • the lamp unit 16 includes a projection lens 30, a support member 32, a reflector 34, a bracket 36, a light emitting module substrate 38, and a radiation fin 42.
  • the projection lens 30 is a plano-convex aspheric lens having a convex front surface and a flat rear surface, and projects a light source image formed on the rear focal plane as a reverse image to the front of the lamp.
  • the support member 32 supports the projection lens 30.
  • a light emitting module 40 is provided on the light emitting module substrate 38.
  • the reflector 34 reflects light from the light emitting module 40 and forms a light source image on the rear focal plane of the projection lens 30.
  • the reflector 34 and the projection lens 30 function as an optical member that condenses the light emitted from the light emitting module 40 toward the front of the lamp.
  • the radiation fins 42 are attached to the rear surface of the bracket 36 and mainly radiate heat generated by the light emitting module 40.
  • the support member 32 is formed with a shade 32a.
  • the vehicle headlamp 10 is used as a low beam light source, and the shade 32a blocks a part of the light emitted from the light emitting module 40 and reflected by the reflector 34, so that the cut-off line in the low beam light distribution pattern in front of the vehicle. Form. Since the low beam light distribution pattern is known, the description thereof is omitted.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the light emitting module substrate 38 according to the first embodiment.
  • the light emitting module substrate 38 includes a light emitting module 40, a substrate 44, and a transparent cover 46.
  • the substrate 44 is a printed wiring board, and the light emitting module 40 is attached to the upper surface.
  • the light emitting module 40 is covered with a colorless transparent cover 46.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting module 40 according to the first embodiment.
  • the light emitting module 40 includes an element mounting substrate 48, a reflective base 50, a semiconductor light emitting element 52, and a ceramic unit 56.
  • the element mounting substrate 48 is formed in a plate shape from a material having high thermal conductivity such as AIN, SiC, Ai 2 O 3 , and Si.
  • the reflective substrate 50 is formed in a shape in which a through hole 50a is provided at the center of a rectangular parallelepiped member. The inner surface of the through hole 50a is mirror-finished by depositing or sputtering aluminum or silver so that light is reflected.
  • the semiconductor light emitting element 52 is constituted by an LED element.
  • a blue LED that mainly emits light having a blue wavelength is employed as the semiconductor light emitting element 52.
  • the semiconductor light emitting element 52 is configured by a GaN-based LED element formed by crystal growth of a GaN-based semiconductor layer on a sapphire substrate.
  • the semiconductor light emitting element 52 is formed as a 1 mm square chip, for example, and is provided so that the center wavelength of the emitted blue light is 460 nm.
  • the configuration of the semiconductor light emitting element 52 and the wavelength of the emitted light are not limited to those described above.
  • the ceramic unit 56 includes a light wavelength conversion member 58 and a low refractive index layer 60.
  • the light wavelength conversion member 58 is formed by dicing a material composed of a light wavelength conversion member formed in a plate shape with a thickness of 50 ⁇ m or more and less than 1000 ⁇ m so that the size is, for example, 5% or more and 10% or less larger than the semiconductor light emitting element 52. It is formed by.
  • the size of the light wavelength conversion member 58 is not limited to this.
  • the light wavelength conversion member 58 may be diced to the same size as the semiconductor light emitting element 52. Further, the light wavelength conversion member 58 may be diced larger than the semiconductor light emitting element 52 by more than 10%, or diced so that the size is larger than zero and smaller than 5%.
  • the light wavelength conversion member 58 is a so-called luminescent ceramic or fluorescent ceramic, and sinters a ceramic substrate made of YAG (Yttrium Alminium Garnet) powder, which is a phosphor excited by blue light. Can be obtained. Since the manufacturing method of such a light wavelength conversion member is well-known, detailed description is abbreviate
  • the light wavelength conversion member 58 thus obtained has the characteristics that, unlike, for example, a powdered phosphor, light diffusion on the powder surface can be suppressed, and the loss of light emitted from the semiconductor light emitting device 52 is very small.
  • the light wavelength conversion member 58 converts the wavelength of the blue light mainly emitted from the semiconductor light emitting element 52 incident from the incident surface 58a and emits yellow light from the emission surface 58b. For this reason, from the light emitting module 40, the synthetic
  • a transparent material is used for the light wavelength conversion member 58.
  • “transparent” means that the total light transmittance in the converted light wavelength region is 40% or more.
  • the wavelength of light by the light wavelength conversion member 58 can be appropriately converted and the light wavelength conversion can be performed. It has been found that a decrease in the intensity of light passing through the member 58 can be appropriately suppressed. Therefore, the light emitted from the semiconductor light emitting element 52 can be more efficiently converted by making the light wavelength conversion member 58 transparent.
  • the light wavelength conversion member 58 is made of a binderless inorganic material, and durability is improved as compared with a case where an organic material such as a binder is contained. For this reason, for example, it is possible to supply 1 W (watt) or more of power to the light emitting module 40, and it is possible to increase the luminance and luminous intensity of the light emitted from the light emitting module 40.
  • the semiconductor light emitting element 52 may be one that mainly emits light having a wavelength other than blue. Also in this case, as the light wavelength conversion member 58, one that converts the wavelength of the main light emitted from the semiconductor light emitting element 52 is employed. In this case, the wavelength of the light emitted from the semiconductor light emitting element 52 is changed so that the light wavelength conversion member 58 becomes light having a wavelength of white or a color close to white by combining with light having a wavelength mainly emitted from the semiconductor light emitting element 52 in this case. May be converted.
  • the low refractive index layer 60 is formed by coating the surface excluding the incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58, that is, the exit surface 58b and the side end surface.
  • the low refractive index layer 60 is provided so as to be in contact with the emission surface 58 b of the light wavelength conversion member 58 and functions as an emission layer that emits light incident from the light wavelength conversion member 58.
  • the low refractive index layer 60 is formed by coating a plurality of layers having different refractive indexes. Specifically, first, the incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58 is masked, and a transparent material whose refractive index is slightly lower than that of the light wavelength conversion member 58 is coated.
  • the low refractive index layer 60 is formed so that the refractive index of each layer gradually decreases from the entrance surface 60a to the exit surface 60b of the low refractive index layer 60.
  • the light wavelength conversion member 58 with the low refractive index layer 60 composed of a plurality of layers whose refractive index gradually decreases, it is possible to avoid passing light between members having a large difference in refractive index.
  • the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where the low refractive index layer 60 is not provided.
  • the intermediate member 62 is provided between the light emitting surface 52a of the semiconductor light emitting element 52 and the light incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58 so as to be in contact therewith.
  • a portion in contact with the emission surface 52 a of the semiconductor light emitting element 52 becomes the incident surface 62 a
  • a portion in contact with the incident surface 58 a of the light wavelength conversion member 58 becomes the emission surface 62 b.
  • the intermediate member 62 is formed of a material having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member 58 so that light emitted from the semiconductor light emitting element 52 is smoothly incident on the light wavelength conversion member 58.
  • the intermediate member 62 is formed, for example, by solidifying a viscous or flexible material such as an adhesive after being sandwiched between the emission surface 52 a of the semiconductor light emitting element 52 and the incident surface of the light wavelength conversion member 58.
  • a material excellent in light resistance such as silicone, sol-gel silica, fluorine, and inorganic glass may be used.
  • the incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58 is directly bonded to the emission surface 52a of the semiconductor light emitting element 52.
  • the difference in refractive index between members in contact with each other can be reduced. For this reason, the reflection in the middle of the light emitted from the semiconductor light emitting element 52 can be suppressed, and the light can be easily incident on the light wavelength conversion member 58.
  • the intermediate member 62 has a refractive index lower than that of the low refractive index layer 60 that is in direct contact with the light wavelength conversion member 58 (hereinafter referred to as “contact layer”).
  • contact layer the difference in refractive index between the light wavelength conversion member 58 and the intermediate member 62 can be made larger than the difference in refractive index between the light wavelength conversion member 58 and the contact layer of the low refractive index layer 60.
  • the light passing through the inside of the light wavelength conversion member 58 can be more easily advanced to the low refractive index layer 60 than the intermediate member 62, and the light extraction efficiency can be improved.
  • unevenness is formed on both the emission surface 52 a of the semiconductor light emitting element 52 and the incident surface 62 a of the intermediate member 62 that are in contact with each other. This makes it possible to increase the light incident on the intermediate member 62 from the semiconductor light emitting element 52 and improve the extraction efficiency of the light emitted from the semiconductor light emitting element 52, compared to the case where such unevenness is not formed. it can.
  • unevenness may be formed on both the emission surface 52a of the semiconductor light emitting element 52 and the incident surface 62a of the intermediate member 62 so that the repetition period of the unevenness is 100 micrometers or less.
  • the light extraction efficiency can be further improved by forming irregularities having such a repeating period. Therefore, it becomes possible to provide the light emitting module 40 with high luminance or luminous intensity.
  • the reflective base 50 is fixed to the element mounting board 48 by bonding or the like.
  • the semiconductor light emitting element 52 is disposed inside the through hole 50a of the reflecting substrate 50 so that the light emitting surface 52a is on the upper side, and is bonded to the element mounting substrate 48 via the gold bumps 54, thereby flip chip.
  • the semiconductor light emitting element 52 is arranged such that the emission surface 52a as the upper surface is the same height as the upper surface of the reflective base 50 or a slightly lower height.
  • the intermediate member 62 is applied to the incident surface 58 a of the light wavelength conversion member 58 or the emission surface 52 a of the semiconductor light emitting element 52, and the incident surface 58 a of the light wavelength conversion member 58 and the emission surface 52 a of the semiconductor light emitting element 52 are formed.
  • the ceramic unit 56 is attached above the semiconductor light emitting element 52 so as to face each other. Since the plate-like light wavelength conversion member 58 is used in the first embodiment, for example, the light wavelength conversion member 58 is easily handled as compared with a case where a powdery light wavelength conversion member is stacked above the semiconductor light emitting element 52. Thus, the light emitting module 40 can be easily manufactured.
  • the semiconductor light emitting element 52, the intermediate member 62, and the light wavelength conversion member 58 are arranged so that the light emitted from the semiconductor light emitting element 52 enters the incident surface 58 a of the light wavelength conversion member 58 through the intermediate member 62. .
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting module 40 according to the second embodiment.
  • the configuration of the vehicular headlamp is the same as that of the first embodiment except that a light emitting module 80 is provided instead of the light emitting module 40.
  • a light emitting module 80 is provided instead of the light emitting module 40.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the light emitting module 80 is configured in the same manner as the light emitting module 40 according to the first embodiment except that a ceramic unit 82 is provided instead of the ceramic unit 56 and an intermediate member 86 is provided instead of the intermediate member 62.
  • the light emitting module 80 has irregularities formed on both the emission surface 52a of the semiconductor light emitting element 52 and the incident surface 86a of the intermediate member 86 that are in contact with each other.
  • the ceramic unit 82 includes a light wavelength conversion member 84 and a low refractive index layer 60.
  • the low refractive index layer 60 is formed by coating the surface excluding the incident surface 84a of the light wavelength conversion member 84, that is, the exit surface 84b and the side end surface.
  • the material of the light wavelength conversion member 84 is the same as that of the light wavelength conversion member 58 according to the first embodiment
  • the material of the intermediate member 86 is the same as that of the intermediate member 62 according to the first embodiment.
  • irregularities are formed on both the incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58 and the exit surface 86b of the intermediate member 86 that are in contact with each other. Accordingly, it is possible to increase the light incident on the light wavelength conversion member 84 from the intermediate member 86 as compared with the case where such unevenness is not formed, and the emission surface 86b of the intermediate member 86 and the light wavelength conversion member 84 can be increased. Light that cannot enter the light wavelength conversion member 84 due to reflection by the incident surface 84a can be reduced.
  • unevenness may be formed on both the incident surface 58a of the light wavelength conversion member 58 and the exit surface 86b of the intermediate member 86 that are in contact with each other so that the repetition period of the unevenness is 100 micrometers or less.
  • the light extraction efficiency can be further improved by forming irregularities having such a repeating period. Therefore, it becomes possible to provide the light emitting module 40 with high luminance or luminous intensity.

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Abstract

　発光モジュール４０において、光波長変換部材５８は透明に設けられ、半導体発光素子５２が発する光を波長変換して出射面５８ｂから出射する。低屈折率層６０は、光波長変換部材５８よりも屈折率が低い材料によって形成され、光波長変換部材５８の出射面５８ｂに接するよう設けられる。中間部材６２は、光波長変換部材５８よりも屈折率が低い材料によって形成され、半導体発光素子５２の出射面５２ａおよび光波長変換部材５８の入射面５８ａの双方に接するよう設けられる。中間部材６２は、低屈折率層６０よりも屈折率が低くなるよう設けられる。互いに接する半導体発光素子５２の出射面５２ａおよび中間部材６２の入射面６２ａの双方には、凹凸が形成されている。

Description

発光モジュールおよび灯具ユニット
　本発明は、発光モジュール、および発光モジュールを備える灯具ユニットに関する。
　近年、高寿命化や消費電力低減などを目的として、車両前方に光を照射する灯具ユニットなど強い光を照射するための光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子を有する発光モジュールを用いる技術の開発が進められている。しかし、このような用途で用いるためには発光モジュールに高い光度の光を発することが求められることになる。ここで、例えば白色光の取り出し効率を向上させるべく、主として青色光を発光する発光素子と、青色光により励起されて主として黄色光を発光する黄色系蛍光体と、発光素子から青色光を透過させ、黄色系蛍光体からの黄色光以上の波長の光を反射する青色透過黄色系反射手段と、を備える照明装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　しかし、一般的な粉状の蛍光体を用いて光の波長を変換する場合、光が蛍光体の粒子に当たったときにその光の光度が弱められるため、光の高い利用効率を実現することは難しい。このため、例えば発光層によって放出された光の経路内に配置されたセラミック層を備える構造体が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００７－５９８６４号公報 特開２００６－５３６７号公報
　近年、車両に搭載される灯具ユニットの光源としてＬＥＤなどの発光素子を用いるため、このような発光素子の高輝度化、高光度化が重要な課題となっている。このため、発光素子が発した光の利用効率を高めるための新たな技術の開発が強く望まれている。ここで、例えば上述の特許文献２に記載される技術のように蛍光体を含むセラミック層を設けた場合、外部空間との屈折率の違いから出射すべき出射面から出射せずに反射してセラミック層内部を通過し、出射することを望まない面から光が出射する可能性がある。このように、入射する光に対して出射すべき面から出射する光の割合が低くなると、発光素子のさらなる高輝度化または高光度化は困難となる。
　そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高輝度または高光度の発光モジュールを提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射面から出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面に接するよう設けられた、光波長変換部材よりも屈折率が低い出射層と、発光素子の出射面および光波長変換部材の入射面の双方に接するよう設けられた、光波長変換部材よりも屈折率が低い中間部材と、を備える。中間部材は、出射層よりも低い屈折率を有する。
　例えば、ある第１の部材と、第１の部材よりも屈折率の低い第２の部材とが互いに接している場合、その屈折率の差が低いほど第１の部材から第２の部材へと光が進みやすい。この態様によれば、まず、発光素子と光波長変換部材との間にこのような中間部材を設けることにより、発光素子の出射面に光波長変換部材の入射面を直接貼り合わせる場合の両者の間の屈折率の差に比べ、部材間の屈折率の差を低減させることができる。このため、発光素子が発した光を光波長変換部材に入射させやすくすることができる。また、中間部材が出射層よりも低い屈折率を有することにより、中間部材よりも出射層へと光波長変換部材から光を進みやすくすることができる。こうして、中間部材と出射層が相俟って発光素子が発する光の取り出し効率を向上させることができる。
　互いに接する発光素子の出射面および中間部材の入射面の双方には、凹凸が形成されていてもよい。
　ある部材の内部を進む光は、その部材内部からの出射角度がある出射可能角度を超えると、その部材から出射することができず、外部との境界面で反射して再びその部材の内部に進む。この態様によれば、発光素子の出射面の凸部の内面において光が出射できずに反射された場合においても、その光が凸部の別の内面に向けて進む可能性を高めることができる。こうして凸部の別の内面に向けて反射された光は、今度は出射可能角度の範囲内で中間部材に出射し得る。このため、このような凹凸が形成されていない場合に比べ、発光素子から中間部材に入射する光を増やすことが可能となり、発光モジュールの輝度または光度を高めることが可能となる。
　互いに接する光波長変換部材の入射面および中間部材の出射面の双方には、凹凸が形成されていてもよい。
　この態様によれば、中間部材の出射面の凸部の内面において光が出射できずに反射された場合においても、その光が凸部の別の内面に向けて進む可能性を高めることができる。こうして凸部の別の内面に向けて反射された光は、今度は出射可能角度の範囲内で光波長変換部材に出射し得る。このため、このような凹凸が形成されていない場合に比べ、中間部材から光波長変換部材に入射する光を増やすことが可能となり、発光モジュールの輝度または光度を高めることが可能となる。
　出射層は、光波長変換部材の出射面と入射面との間の側端面にさらに設けられてもよい。
　出射層は、複数の層が積層されて形成されてもよい。複数の層は、出射面に近づくしたがって各々の層の屈折率が徐々に低くなるよう積層されてもよい。
　本発明の別の態様は、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射面から出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面に接するよう設けられた、光波長変換部材よりも屈折率が低い出射層と、発光素子の出射面および光波長変換部材の入射面の双方に接するよう設けられた、光波長変換部材よりも屈折率が低い中間部材と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。中間部材は、出射層よりも低い屈折率を有する。
　この態様によれば、中間部材と出射層が相俟って発光素子が発する光の取り出し効率を向上させた発光モジュールを用いて灯具ユニットを構成することができる。このため、照射する光の光度または輝度の高い灯具ユニットを提供することができる。
　本発明によれば、高輝度または高光度の発光モジュールを提供することができる。
第１の実施形態に係る車両用前照灯の構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係る発光モジュール基板の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す図である。 第２の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態（以下、実施形態という）について詳細に説明する。
　図１は、第１の実施形態に係る車両用前照灯１０の構成を示す断面図である。車両用前照灯１０は、灯具ボディ１２、前面カバー１４、および灯具ユニット１６を有する。以下、図１において左側を灯具前方、右側を灯具後方として説明する。また、灯具前方にみて右側を灯具右側、左側を灯具左側という。図１は、灯具ユニット１６の光軸を含む鉛直平面によって切断された車両用前照灯１０を灯具左側から見た断面を示している。なお、車両用前照灯１０が車両に装着される場合、車両には互いに左右対称に形成された車両用前照灯１０が車両左前方および右前方のそれぞれに設けられる。図１は、左右いずれかの車両用前照灯１０の構成を示している。
　灯具ボディ１２は開口を有する箱状に形成される。前面カバー１４は透光性を有する樹脂またはガラスによって椀状に形成される。前面カバー１４は、縁部が灯具ボディ１２の開口部に取り付けられる。こうして、灯具ボディ１２と前面カバー１４とによって覆われる領域に灯室が形成される。
　灯室内には、灯具ユニット１６が配置される。灯具ユニット１６は、エイミングスクリュー１８によって灯具ボディ１２に固定される。下方のエイミングスクリュー１８はレベリングアクチュエータ２０が作動することにより回転するよう構成されている。このため、レベリングアクチュエータ２０を作動させることで、灯具ユニット１６の光軸を上下方向に移動することが可能となっている。
　灯具ユニット１６は、投影レンズ３０、支持部材３２、リフレクタ３４、ブラケット３６、発光モジュール基板３８、および放熱フィン４２を有する。投影レンズ３０は、灯具前方側表面が凸面で後方側表面が平面の平凸非球面レンズからなり、その後方焦点面上に形成される光源像を反転像として灯具前方に投影する。支持部材３２は、投影レンズ３０を支持する。発光モジュール基板３８には発光モジュール４０が設けられている。リフレクタ３４は、発光モジュール４０からの光を反射して、投影レンズ３０の後方焦点面に光源像を形成する。このようにリフレクタ３４および投影レンズ３０は、発光モジュール４０が発した光を灯具前方に向けて集光する光学部材として機能する。放熱フィン４２は、ブラケット３６の後方側の面に取り付けられ、主に発光モジュール４０が発した熱を放熱する。
　支持部材３２には、シェード３２ａが形成されている。車両用前照灯１０はロービーム用光源として用いられ、シェード３２ａは、発光モジュール４０から発せられリフレクタ３４にて反射した光の一部を遮ることで、車両前方においてロービーム用配光パターンにおけるカットオフラインを形成する。ロービーム用配光パターンは公知であることから説明を省略する。
　図２は、第１の実施形態に係る発光モジュール基板３８の構成を示す図である。発光モジュール基板３８は、発光モジュール４０、基板４４、および透明カバー４６を有する。基板４４はプリント配線基板であり、上面に発光モジュール４０が取り付けられている。発光モジュール４０は、無色の透明カバー４６によって覆われている。
　図３は、第１の実施形態に係る発光モジュール４０の構成を示す図である。発光モジュール４０は、素子搭載基板４８、反射基体５０、半導体発光素子５２、およびセラミックユニット５６を有する。
　素子搭載基板４８は、ＡＩＮ、ＳｉＣ、Ａｉ２Ｏ３、Ｓｉなど、熱伝導性の高い材料によって板状に形成される。反射基体５０は、直方体の部材の中央に貫通孔５０ａが設けられた形状に形成される。貫通孔５０ａの内面には、光が反射するようアルミまたは銀などが蒸着またはスパッタリングされることによる鏡面処理が施されている。
　半導体発光素子５２は、ＬＥＤ素子によって構成される。第１の実施形態では、半導体発光素子５２として、青色の波長の光を主として発する青色ＬＥＤが採用されている。具体的には、半導体発光素子５２は、サファイヤ基板上にＧａＮ系半導体層を結晶成長させることにより形成されるＧａＮ系ＬＥＤ素子によって構成されている。半導体発光素子５２は、例えば１ｍｍ角のチップとして形成され、発する青色光の中心波長は４６０ｎｍとなるよう設けられている。なお、半導体発光素子５２の構成や発する光の波長が上述したものに限られないことは勿論である。
　セラミックユニット５６は、光波長変換部材５８および低屈折率層６０から構成されている。光波長変換部材５８は、５０μｍ以上１０００μｍ未満の厚さの板状に形成された光波長変換部材からなる資材を、半導体発光素子５２よりサイズが例えば５％以上１０％以下大きくなるようダイシングすることにより形成される。なお、光波長変換部材５８の大きさがこれに限られないことは勿論であり、例えば光波長変換部材５８は、半導体発光素子５２と同じサイズにダイシングされてもよい。また、光波長変換部材５８は、半導体発光素子５２より１０％を超えて大きくダイシングされてもよく、ゼロより大きく５％未満だけサイズが大きくなるようダイシングされてもよい。
　光波長変換部材５８は、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、青色光によって励起される蛍光体であるＹＡＧ（Yttrium Alminium Garnet）粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。このような光波長変換部材の製造方法は公知であることから詳細な説明は省略する。こうして得られた光波長変換部材５８は、例えば粉末状の蛍光体と異なり、粉末表面での光拡散を抑制でき、半導体発光素子５２が発する光の損失が非常に少ないという特性を有する。
　光波長変換部材５８は、入射面５８ａから入射した半導体発光素子５２が主として発する青色光を波長変換して出射面５８ｂから黄色光を出射する。このため、発光モジュール４０からは、光波長変換部材５８をそのまま透過した青色光と、光波長変換部材５８によって波長が変換された黄色光との合成光が出射面５８ｂから出射する。こうして白色の光を発光モジュール４０から発することが可能となる。
　また、光波長変換部材５８には、透明なものが採用されている。第１の実施形態において「透明」とは、変換光波長域の全光線透過率が４０％以上のことを意味するものとする。発明者の鋭意なる研究開発の結果、変換光波長域の全光線透過率が４０％以上の透明な状態であれば、光波長変換部材５８による光の波長を適切に変換できると共に、光波長変換部材５８を通過する光の光度の減少も適切に抑制できることが判明した。したがって、光波長変換部材５８をこのように透明な状態にすることによって、半導体発光素子５２が発する光をより効率的に変換することができる。
　また、光波長変換部材５８はバインダーレスの無機物で構成され、バインダーなどの有機物を含有する場合に比べて耐久性の向上が図られている。このため、例えば発光モジュール４０に１Ｗ（ワット）以上の電力を投入することが可能となっており、発光モジュール４０が発する光の輝度および光度を高めることが可能となっている。
　なお、半導体発光素子５２は青以外の波長の光を主として発するものが採用されてもよい。この場合も、光波長変換部材５８には、半導体発光素子５２が発する主とする光の波長を変換するものが採用される。なお、光波長変換部材５８は、この場合においても半導体発光素子５２が主として発する波長の光と組み合わせることにより白色または白色に近い色の波長の光となるよう、半導体発光素子５２が発する光の波長を変換してもよい。
　低屈折率層６０は、光波長変換部材５８の入射面５８ａを除く面、すなわち出射面５８ｂおよび側端面にコーティングされて形成される。低屈折率層６０は、光波長変換部材５８の出射面５８ｂに接するよう設けられ、光波長変換部材５８から入射した光を出射する出射層として機能する。低屈折率層６０は、互いに異なる屈折率の層が複数層コーティングされて形成されている。具体的には、まず光波長変換部材５８の入射面５８ａをマスキングし、光波長変換部材５８よりも屈折率が少しだけ低い透明材料をコーティングする。次に、直前にコーティングした透明材料よりも、屈折率がさらに少しだけ低い別の透明材料をその上にコーティングする。こうして低屈折率層６０の入射面６０ａから出射面６０ｂにかけて、各々の層の屈折率が徐々に低くなるよう低屈折率層６０が形成されている。すべての層のコーティングの終了後、光波長変換部材５８のマスキングを除去してセラミックユニット５６が設けられる。
　例えば、ある第１の部材と、第１の部材よりも屈折率の低い第２の部材とが互いに接している場合、その屈折率の差が低いほど第１の部材と第２の部材との間における光の反射が抑制されて第１の部材から第２の部材へと光が進みやすいことが知られている。このように徐々に屈折率が低くなる複数の層からなる低屈折率層６０を光波長変換部材５８にコーティングすることによって、屈折率の差が大きい部材の間で光を通過させることを回避することができ、低屈折率層６０がない場合に比べて光の取り出し効率を向上させることができる。
　中間部材６２は、半導体発光素子５２の出射面５２ａと光波長変換部材５８の入射面５８ａの双方に接するよう両者の間に設けられる。中間部材６２において、半導体発光素子５２の出射面５２ａと接する部分が入射面６２ａとなり、光波長変換部材５８の入射面５８ａに接する部分が出射面６２ｂとなる。
　中間部材６２は、半導体発光素子５２が発した光が光波長変換部材５８に円滑に入射するよう、光波長変換部材５８よりも低い屈折率を有する材料によって形成される。中間部材６２は、例えば接着剤など、粘性または柔軟性のある材料が半導体発光素子５２の出射面５２ａと光波長変換部材５８の入射面との間に挟まれた後に固化することによって形成される。なお、中間部材６２として、シリコーン系、ゾルゲルシリカ系、フッ素系、無機ガラス系などの耐光性に優れた材料が用いられてもよい。このように半導体発光素子５２と光波長変換部材５８との間に中間部材６２を設けることで、半導体発光素子５２の出射面５２ａに光波長変換部材５８の入射面５８ａを直接貼り合わせた場合の両者の間の屈折率の差に比べ、互いに接する部材間の屈折率の差を低減させることができる。このため、半導体発光素子５２が発した光の途中の反射を抑制し、光波長変換部材５８に光を入射しやすくすることができる。
　さらに第１の実施形態では、中間部材６２は、低屈折率層６０のうち、光波長変換部材５８に直接接する層（以下、「接触層」という）よりも低い屈折率を有する。これにより、光波長変換部材５８と中間部材６２との屈折率の差を、光波長変換部材５８と低屈折率層６０の接触層との屈折率の差よりも大きくすることができる。このため、光波長変換部材５８の内部を通過する光が中間部材６２よりも低屈折率層６０に進みやすい状態とすることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
　また、第１の実施形態では、図３に示すように、互いに接する半導体発光素子５２の出射面５２ａおよび中間部材６２の入射面６２ａの双方には、凹凸が形成されている。これにより、このような凹凸が形成されていない場合に比べ、半導体発光素子５２から中間部材６２に入射する光を増やすことが可能となり、半導体発光素子５２が発する光の取り出し効率を向上させることができる。
　なお、この凹凸の繰り返し周期が１００マイクロメートル以下となるよう、互いに接する半導体発光素子５２の出射面５２ａおよび中間部材６２の入射面６２ａの双方に凹凸が形成されていてもよい。発明者による鋭意なる研究開発の結果、このような繰り返し周期の凹凸を形成することにより、光の取り出し効率をより向上させることが判明した。したがって、これにより輝度または光度の高い発光モジュール４０を提供することが可能となる。
　発光モジュール４０を製造するときは、まず接着などによって反射基体５０を素子搭載基板４８に固定する。次に、反射基体５０の貫通孔５０ａの内部に発光面である出射面５２ａが上方となるよう半導体発光素子５２を配置し、金バンプ５４を介して素子搭載基板４８にボンディングすることによりフリップチップ実装を行う。このとき、半導体発光素子５２は上面となる出射面５２ａが反射基体５０の上面と同じ高さまたは微小に低い高さとなるよう配置される。
　次に、光波長変換部材５８の入射面５８ａ、または半導体発光素子５２の出射面５２ａに中間部材６２を塗布し、光波長変換部材５８の入射面５８ａと半導体発光素子５２の出射面５２ａとが互いに対向するようにセラミックユニット５６を半導体発光素子５２の上方に取り付ける。第１の実施形態では板状の光波長変換部材５８を用いるため、例えば粉状の光波長変換部材を半導体発光素子５２の上方に積載する場合に比べて光波長変換部材５８を容易に取り扱うことができ、発光モジュール４０を簡易に製造することができる。こうして、半導体発光素子５２が発した光が中間部材６２を介して光波長変換部材５８の入射面５８ａに入射するよう、半導体発光素子５２、中間部材６２、および光波長変換部材５８が配置される。
（第２の実施形態）
　図４は、第２の実施形態に係る発光モジュール４０の構成を示す図である。なお、発光モジュール４０に代えて発光モジュール８０が設けられる以外は、車両用前照灯の構成は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
　発光モジュール８０は、セラミックユニット５６に代えてセラミックユニット８２が設けられ、中間部材６２に代えて中間部材８６が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光モジュール４０と同様に構成される。発光モジュール８０は、第１の実施形態と同様に、互いに接する半導体発光素子５２の出射面５２ａおよび中間部材８６の入射面８６ａの双方には、凹凸が形成されている。また、セラミックユニット８２は、光波長変換部材８４および低屈折率層６０から構成されている。低屈折率層６０は、光波長変換部材８４の入射面８４ａを除く面、すなわち出射面８４ｂおよび側端面にコーティングされて形成される。光波長変換部材８４の材質は第１の実施形態に係る光波長変換部材５８と同様であり、また、中間部材８６の材質は、第１の実施形態に係る中間部材６２と同様である。
　第２の実施形態では、図４に示すように、互いに接する光波長変換部材５８の入射面５８ａおよび中間部材８６の出射面８６ｂの双方に凹凸が形成されている。これにより、このような凹凸が形成されていない場合に比べ、中間部材８６から光波長変換部材８４に入射する光を増やすことが可能となり、中間部材８６の出射面８６ｂと光波長変換部材８４の入射面８４ａとによる反射によって光波長変換部材８４に入射できない光を減らすことができる。
　なお、この凹凸の繰り返し周期が１００マイクロメートル以下となるよう、互いに接する光波長変換部材５８の入射面５８ａおよび中間部材８６の出射面８６ｂの双方に凹凸が形成されていてもよい。発明者による鋭意なる研究開発の結果、このような繰り返し周期の凹凸を形成することにより、光の取り出し効率をより向上させることが判明した。したがって、これにより輝度または光度の高い発光モジュール４０を提供することが可能となる。
　本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を各実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。
　１０　車両用前照灯、　１６　灯具ユニット、　４０　発光モジュール、　５２　半導体発光素子、　５２ａ　出射面、　５６　セラミックユニット、　５８　光波長変換部材、　５８ａ　入射面、　５８ｂ　出射面、　６０　低屈折率層、　６０ａ　入射面、　６０ｂ　出射面、　６２　中間部材、　６２ａ　入射面、　６２ｂ　出射面、　８０　発光モジュール、　８２　セラミックユニット、　８４　光波長変換部材、　８４ａ　入射面、　８４ｂ　出射面、　８６　中間部材、　８６ａ　入射面、　８６ｂ　出射面。
　本発明によれば、高輝度または高光度の発光モジュールを提供することができる。

Claims (6)

  1. 　発光素子と、
    　前記発光素子が発する光を波長変換して出射面から出射する透明な光波長変換部材と、
    　前記光波長変換部材の出射面に接するよう設けられた、前記光波長変換部材よりも屈折率が低い出射層と、
    　前記発光素子の出射面および前記光波長変換部材の入射面の双方に接するよう設けられた、前記光波長変換部材よりも屈折率が低い中間部材と、
    を備え、
    　前記中間部材は、前記出射層よりも低い屈折率を有することを特徴とする発光モジュール。
  2. 　互いに接する前記発光素子の出射面および前記中間部材の入射面の双方には、凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 　互いに接する前記光波長変換部材の入射面および前記中間部材の出射面の双方には、凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光モジュール。
  4. 　前記出射層は、前記光波長変換部材の出射面と入射面との間の側端面にさらに設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の発光モジュール。
  5. 　前記出射層は、複数の層が積層されて形成され、
    　前記複数の層は、出射面に近づくしたがって各々の層の屈折率が徐々に低くなるよう積層されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光モジュール。
  6. 　発光素子と、前記発光素子が発する光を波長変換して出射面から出射する透明な光波長変換部材と、前記光波長変換部材の出射面に接するよう設けられた、前記光波長変換部材よりも屈折率が低い出射層と、前記発光素子の出射面および前記光波長変換部材の入射面の双方に接するよう設けられた、前記光波長変換部材よりも屈折率が低い中間部材と、を有する発光モジュールと、
    　前記発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、
    を備え、
    　前記中間部材は、前記出射層よりも低い屈折率を有することを特徴とする灯具ユニット。
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