JP2017174909A - 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 - Google Patents

発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017174909A
JP2017174909A JP2016057610A JP2016057610A JP2017174909A JP 2017174909 A JP2017174909 A JP 2017174909A JP 2016057610 A JP2016057610 A JP 2016057610A JP 2016057610 A JP2016057610 A JP 2016057610A JP 2017174909 A JP2017174909 A JP 2017174909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
manufacturing
phosphor
emitting element
resin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016057610A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6593237B2 (ja
Inventor
志幸 田中
Yukisachi Tanaka
志幸 田中
陽祐 土屋
Yosuke Tsuchiya
陽祐 土屋
あや 川岡
Aya Kawaoka
あや 川岡
石田　真
Makoto Ishida
真 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2016057610A priority Critical patent/JP6593237B2/ja
Priority to US15/446,968 priority patent/US10096585B2/en
Publication of JP2017174909A publication Critical patent/JP2017174909A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6593237B2 publication Critical patent/JP6593237B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】複数の発光素子間の発光色のばらつきが小さく、製造コストの低い発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明基板１１とその上に形成された複数の発光部１２からなるウエハ１０の透明基板１１側の表面に、蛍光体含有層２１を含む樹脂膜２０を形成する工程と、樹脂膜２０を形成する前又は後に、スクライビングにより透明基板１１の表面に分離予定面に沿ってスクライビングラインを形成する工程と、スクライビングラインを形成する前又は後に、分離予定面に沿って樹脂膜２０を切断する工程と、スクライビングラインを形成し、かつ樹脂膜２０を切断した後、ブレイキングにより分離予定面に沿って透明基板１１を分離する工程と、を含む、発光素子１の製造方法。【選択図】図２

Description

本発明は、発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法に関する。
従来、個々のＬＥＤチップの上に直接又は封止樹脂を介して蛍光体を含む樹脂シートを設ける発光装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
また、従来、複数のＬＥＤチップを１枚の蛍光体シートで封止する発光装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献４参照）。
また、従来、支持シート上の複数のＬＥＤチップを１枚の蛍光体シートで封止した後、蛍光体シートを切断して分割し、蛍光体シートに覆われた個々のＬＥＤチップを支持シートから剥離して、基板上に設置する発光装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献５参照）。
また、従来、１枚の基板上の複数のＬＥＤチップの各々の上に蛍光体層を設けた後、基板を分割して個片化する発光装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献６参照）。
また、従来、複数のＬＥＤチップとなる領域を有するウエハの底面上に蛍光体を含む樹脂層を形成した後、ウエハ及び樹脂層を切断して、複数のＬＥＤチップに分割する発光装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献７参照）。
特開２０１３−２５８２０９号公報 特開２０１４−２２７０４号公報 特開２０１４−１１２７２４号公報 特開２０１４−１９２３２６号公報 特開２０１４−１６８０３６号公報 特開２０１０−２４５５１５号公報 特開２００２−２６１３２５号公報
特許文献７に記載の発光装置の製造方法によれば、スクライバーを用いてウエハ及び樹脂層を切断するとされているが、実際には、スクライバーにより樹脂層を切断することは困難である。
本発明の目的の一つは、複数の発光素子間の発光色のばらつきが小さく、製造コストの低い発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［４］の発光素子の製造方法、及び下記［５］の発光装置の製造方法を提供する。
［１］透明基板とその上に形成された複数の発光部からなるウエハの前記透明基板側の表面に、蛍光体含有層を含む樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を形成する前又は後に、スクライビングにより前記透明基板の表面に分離予定面に沿ってスクライビングラインを形成する工程と、前記スクライビングラインを形成する前又は後に、前記分離予定面に沿って前記樹脂膜を切断する工程と、前記スクライビングラインを形成し、かつ前記樹脂膜を切断した後、ブレイキングにより前記分離予定面に沿って前記透明基板を分離する工程と、を含む、発光素子の製造方法。
［２］前記樹脂膜が、前記蛍光体含有層上のクリア層を有する、上記［１］に記載の発光素子の製造方法。
［３］前記クリア層が、前記蛍光体含有層の上面及び側面を覆うように形成される、上記［２］に記載の発光素子の製造方法。
［４］前記クリア層の屈折率が前記蛍光体含有層の屈折率よりも低い、上記［２］又は［３］に記載の発光素子の製造方法。
［５］上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法により製造された発光素子を基板上にフリップチップ実装する工程と、フリップチップ実装された前記発光素子の側面を覆うように白色の側壁を形成する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
本発明によれば、複数の発光素子間の発光色のばらつきが小さく、製造コストの低い発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法を提供することができる。
図１（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程を概略的に表す斜視図である。 図２（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程を表す垂直断面図である。 図３（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施の形態に係る発光素子の製造工程を表す垂直断面図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、第３の実施の形態に係る発光装置の製造工程を表す垂直断面図である。
〔第１の実施の形態〕
図１（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係る発光素子１の製造工程を概略的に表す斜視図である。
まず、図１（ａ）に示されるように、複数の発光素子構造を含むウエハ１０を準備する。
次に、図１（ｂ）に示されるように、ウエハ１０の表面上に樹脂膜２０を形成する。樹脂膜２０は、例えば、スキージを用いた塗布、スプレーコート、又はスピンコートにより形成される。
スキージを用いた塗布により樹脂膜２０を形成する場合は、厚さの均一性を高くすることができる。スピンコートにより樹脂膜２０を形成する場合は、コストを低く抑えることができる。また、スプレーコートにより樹脂膜２０を形成する場合は、ウエハ１０の反りの影響を受けにくく、樹脂膜２０を薄く形成することができるため、材料の無駄が少ない。
次に、図１（ｃ）に示されるように、ウエハ１０と樹脂膜２０を切断して、複数の発光素子１に分割する。
次に、部分的に拡大された断面図を用いて、より具体的に発光素子１の製造工程を説明する。
図２（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施の形態に係る発光素子１の製造工程を表す垂直断面図である。
図２（ａ）に示されるように、ウエハ１０は１枚の透明基板１１と、その表面に形成された複数の発光部１２とを含む。
透明基板１１は、例えば、サファイア基板である。発光部１２は、典型的には、発光層１３と、発光層１３を挟むｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層１５、ｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層１５にそれぞれ接続されたｎ側電極１６とｐ側電極１７から構成される。
図２（ｂ）に示されるように、樹脂膜２０は、ウエハ１０の透明基板１１側の面（透明基板１１の発光部１２が形成された面の反対側の面）上に形成される。樹脂膜２０は蛍光体含有層２１を含み、また、クリア層２２を含んでもよい。蛍光体含有層２１とクリア層２２厚さは、例えば、それぞれ１５０μｍ、５０μｍである。図２（ｂ）の直線３０は、分離予定面の位置を示す。
蛍光体含有層２１は、粒子状の蛍光体を含む透明な膜状の樹脂からなる。蛍光体含有層２１を構成する樹脂としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の透明樹脂を用いることができる。蛍光体の蛍光色は特に限定されず、例えば、黄色系の蛍光体粒子としては、ＢＯＳ（バリウム・オルソシリケート）系蛍光体や、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体が用いられる。例えば、発光部１２の発光色が青色であり、蛍光体の蛍光色が黄色である場合は、後述する発光装置１の発光色は白色になる。また、複数の種類の蛍光体を混合して用いてもよい。
クリア層２２は、蛍光体を含まない透明な膜状の樹脂からなり、蛍光体含有層２１の保護膜として機能する。クリア層２２を構成する樹脂としては、蛍光体含有層２１を構成する樹脂と同じものを用いることができるが、蛍光体含有層２１からクリア層２２への光の透過率を向上させるため、蛍光体含有層２１を構成する樹脂よりも屈折率が小さいことが好ましい。また、クリア層２２には、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の拡散剤又はシリカ（ＳｉＯ２）等の分散剤を添加してもよい。
次に、図２（ｃ）に示されるように、レーザースクライビングにより透明基板１１の表面に分離予定面に沿ってスクライビングラインを形成する。スクライビングラインは、線状に並んだ窪み１８の集合であり、窪み１８の開口部は透明基板１１の表面にドットラインを形成する。
なお、スクライビングラインの形成は、樹脂膜２０をウエハ１０の表面上に形成する前に実施してもよい。
次に、図２（ｄ）に示されるように、分離予定面に沿って樹脂膜２０を切断する。樹脂膜２０の切断には、超音波カッター等を用いることができる。
このとき、樹脂膜２０を完全に切断するため、透明基板１１を僅かに削る程度の位置まで刃を入れることが好ましい。
なお、樹脂膜２０の切断は、スクライビングラインの形成よりも前に実施してもよい。
次に、図２（ｅ）に示されるように、ブレイキングにより分離予定面に沿って透明基板１１を分離し、複数の発光素子１を得る。ブレイキングとは、基板に外力を加え、曲げ応力や水平応力等の応力を発生させて、スクライビングラインを起点に基板を分断することをいう。
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、クリア層が蛍光体含有層の側面を覆うように形成される点において、第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
図３（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施の形態に係る発光素子２の製造工程を表す垂直断面図である。
まず、図３（ａ）に示されるように、ウエハ１０の透明基板１１側の面上に蛍光体含有層２１を形成した後、分離予定面に沿って蛍光体含有層２１を切断する。蛍光体含有層２１の切断には、超音波カッター等を用いることができる。このとき、蛍光体含有層２１を完全に切断するため、透明基板１１を僅かに削る程度の位置まで刃を入れることが好ましい。
次に、図３（ｂ）に示されるように、蛍光体含有層２１上にクリア層２２を形成する。クリア層２２を形成する前に蛍光体含有層２１が切断されているため、蛍光体含有層２１の上面のみならず側面もクリア層２２に覆われる。
次に、図３（ｃ）に示されるように、分離予定面に沿ってクリア層２２を切断する。クリア層２２の切断には、超音波カッター等を用いることができる。このとき、クリア層２２を完全に切断するため、透明基板１１を僅かに削る程度の位置まで刃を入れることが好ましい。また、蛍光体含有層２１の側面を覆うクリア層２２を残すため、図３（ａ）に示される蛍光体含有層２１の切断幅よりもクリア層２２の切断幅を狭くする。
次に、図３（ｄ）に示されるように、レーザースクライビングにより透明基板１１の表面に分離予定面に沿ってスクライビングラインを形成する。なお、スクライビングラインの形成は、蛍光体含有層２１を形成する前からクリア層２２を切断する後までの間の任意のタイミングで行うことができる。
次に、図３（ｅ）に示されるように、ブレイキングにより分離予定面に沿って透明基板１１を分離し、複数の発光素子２を得る。
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態は、第１、２の実施の形態に係る発光素子を有する発光装置についての形態である。なお、第１、２の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
図４（ａ）、（ｂ）は、第３の実施の形態に係る発光装置３の製造工程を表す垂直断面図である。
まず、図４（ａ）に示されるように、発光素子１を基板３１上にフリップチップ実装する。基板３１は、例えば、その表面に配線３２を有する配線基板であり、発光素子１のｎ側電極１６、ｐ側電極１７と配線３２がはんだボール３３により電気的に接続される。なお、基板３１はリードフレームインサート基板であってもよい。
次に、図４（ｂ）に示されるように、発光素子１の側面を覆うように白色の側壁３４を形成する。白色の側壁３４は、例えば、酸化チタン等の白色染料を含むシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂からなる。側壁３４の上面の高さは、図４（ｂ）に示されるようにクリア層２２の上面の高さより高くてもよいし、クリア層２２の上面の高さと等しくてもよい。
発光装置３は、光を反射する側壁３４にその側面を覆われているため、高い指向性を有する。また、発光素子１の透明基板１１は、その製法上、蛍光体含有層２１との界面に近い位置に露出した段差１９を有する。この段差１９によりアンカー効果が働き、発光素子１と側壁３４の密着性が向上する。
なお、図４（ａ）、（ｂ）に示される例では第１の実施の形態に係る発光素子１が用いられているが、代わりに第２の実施の形態に係る発光素子２を用いてもよい。
（実施の形態の効果）
上記実施の形態に係る発光装置によれば、複数の発光素子に含まれる蛍光体含有層を一括して形成するため、発光素子間の発光色のばらつきが小さい。また、個片化された発光素子の各々に蛍光体含有層を貼り付ける場合のように接着剤を使用する必要がないため、製造コストを低減することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、切削加工によりスクライビングラインを形成してもよい。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１、２ 発光素子
３ 発光装置
１０ ウエハ
１１ 透明基板
１２ 発光部
２０ 樹脂膜
２１ 蛍光体含有層
２２ クリア層
３１ 基板
３４ 側壁

Claims (5)

  1. 透明基板とその上に形成された複数の発光部からなるウエハの前記透明基板側の表面に、蛍光体含有層を含む樹脂膜を形成する工程と、
    前記樹脂膜を形成する前又は後に、スクライビングにより前記透明基板の表面に分離予定面に沿ってスクライビングラインを形成する工程と、
    前記スクライビングラインを形成する前又は後に、前記分離予定面に沿って前記樹脂膜を切断する工程と、
    前記スクライビングラインを形成し、かつ前記樹脂膜を切断した後、ブレイキングにより前記分離予定面に沿って前記透明基板を分離する工程と、
    を含む、発光素子の製造方法。
  2. 前記樹脂膜が、前記蛍光体含有層上のクリア層を有する、
    請求項１に記載の発光素子の製造方法。
  3. 前記クリア層が、前記蛍光体含有層の上面及び側面を覆うように形成される、
    請求項２に記載の発光素子の製造方法。
  4. 前記クリア層の屈折率が前記蛍光体含有層の屈折率よりも低い、
    請求項２又は３に記載の発光素子の製造方法。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法により製造された発光素子を基板上にフリップチップ実装する工程と、
    フリップチップ実装された前記発光素子の側面を覆うように白色の側壁を形成する工程と、
    を含む、発光装置の製造方法。
JP2016057610A 2016-03-22 2016-03-22 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 Active JP6593237B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016057610A JP6593237B2 (ja) 2016-03-22 2016-03-22 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法
US15/446,968 US10096585B2 (en) 2016-03-22 2017-03-01 Method of manufacturing light emitting element and light emitting device including forming resin film including phosphor containing layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016057610A JP6593237B2 (ja) 2016-03-22 2016-03-22 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017174909A true JP2017174909A (ja) 2017-09-28
JP6593237B2 JP6593237B2 (ja) 2019-10-23

Family

ID=59898235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016057610A Active JP6593237B2 (ja) 2016-03-22 2016-03-22 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10096585B2 (ja)
JP (1) JP6593237B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021100046A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP2021197542A (ja) * 2020-06-09 2021-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11538852B2 (en) * 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11646392B2 (en) * 2020-06-09 2023-05-09 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device
CN113097367A (zh) * 2021-03-24 2021-07-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 QD-miniLED显示面板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163403A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP2003046124A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2012164902A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2014053609A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Iljin Led Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2014165320A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4081985B2 (ja) 2001-03-02 2008-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US7994531B2 (en) 2009-04-02 2011-08-09 Visera Technologies Company Limited White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof
US20100327733A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Bridgelux, Inc. Multiple layer phosphor bearing film
US8329482B2 (en) * 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
JP5840377B2 (ja) * 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP2013211399A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2013258209A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Nitto Denko Corp 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
US9082940B2 (en) 2012-06-29 2015-07-14 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
JP2014022704A (ja) 2012-07-24 2014-02-03 Toray Ind Inc 蛍光体含有樹脂シートと発光装置及びその製造方法
JP2014192326A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
JP6387780B2 (ja) * 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5702481B2 (ja) 2014-03-03 2015-04-15 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
KR102145208B1 (ko) * 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
TW201717334A (zh) * 2015-11-05 2017-05-16 凌北卿 封裝結構及其製法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163403A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP2003046124A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2012164902A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2014053609A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Iljin Led Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2014165320A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021100046A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP7169513B2 (ja) 2019-12-23 2022-11-11 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
US11735686B2 (en) 2019-12-23 2023-08-22 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting element
JP2021197542A (ja) * 2020-06-09 2021-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7089204B2 (ja) 2020-06-09 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6593237B2 (ja) 2019-10-23
US20170278834A1 (en) 2017-09-28
US10096585B2 (en) 2018-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6593237B2 (ja) 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法
US10193036B2 (en) Light emitting device and method for producing the same
US10461065B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP6288009B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6164038B2 (ja) 発光装置
JP6176171B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5736203B2 (ja) 発光装置
CN106058006A (zh) 发光装置及其制造方法
JPWO2005106978A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
EP2745320B1 (en) Led mixing chamber with reflective walls formed in slots
JP6421952B2 (ja) 発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法
JP2017041579A (ja) 発光装置の製造方法
JP2017157610A (ja) 発光装置
JP2010538450A (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
JP6511809B2 (ja) 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法
TW201349571A (zh) 半導體發光裝置及發光模組
JP2016072475A (ja) セラミックスパッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP2015079917A (ja) 半導体発光装置
JP2018056360A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2017076673A (ja) 発光装置の製造方法
JP4846505B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6194514B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5278175B2 (ja) 発光装置
JP2022008965A (ja) 発光装置の製造方法
JP2017005247A (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190510

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190909

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6593237

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150