JP2014053609A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子及びその製造方法を提供できるようにする。
【解決手段】発光素子は、複数の半導体層を備え、所定の波長の光を放出する複数の発光セルが一方の面に形成された基板と、前記基板の他方の面に所定の深さで形成された複数の切欠部と、前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層とを備える。
【選択図】図2
【解決手段】発光素子は、複数の半導体層を備え、所定の波長の光を放出する複数の発光セルが一方の面に形成された基板と、前記基板の他方の面に所定の深さで形成された複数の切欠部と、前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層とを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、発光素子に関し、特に、光取出効率を向上させて輝度を向上させることのできる発光素子及びその製造方法に関する。
一般に、GaN、AlN、InGaNなどの窒化物は、熱的安定性に優れており、しかも、直接遷移型のエネルギーバンドを有していることから、最近、光電素子用物質として脚光を浴びている。特に、エネルギーバンドギャップは、常温下で、GaNが3.4eVであり、且つ、InGaNがIn、Gaの組成に応じて1.9eV〜2.8eVと大きいことから、高温高出力素子に使用可能である。
GaN、InGaNなどの窒化物半導体を用いた発光素子は、一般に、基板の上部にN型半導体層、活性層及びP型半導体層が積層形成され、N型半導体層とP型半導体層にそれぞれ接続されたN型電極及びP型電極から構成される。発光素子は、N型電極及びP型電極に所定の電流が印加されれば、N型半導体層から提供される電子とP型半導体層から提供される正孔が活性層において再結合されてエネルギーギャップに相当する波長の光が放出される。この種の発光素子が、例えば、下記の特許文献1に開示されている。
ところが、通常の白色発光素子の場合に、サファイアなどの基板の上に活性層をはじめとする半導体層が形成され、半導体層の上に蛍光層が形成される。この場合、半導体層から発生する熱によって蛍光層は変成または破損されて輝度の低下を招いてしまうという問題が生じる。
また、活性層から放出される光は、出射面以外の様々な方向に放出される。すなわち、活性層から放出される光は、例えば、P型電極側の出射面に放出されるだけではなく、それとは逆方向である基板方向にも放出される。このため、活性層から放出される光は、N型半導体層及びP型半導体層を数回通過した後に出射面方向に放出され、出射面方向の上側に形成された蛍光体を介して波長が変換された後に放出される。
ところが、光は、自分よりも低いバンドギャップを有する物質に吸収されるため、例えば、2.8eVのバンドギャップを有するInGaNを用いた半導体層を通過する光がこれよりも高いバンドギャップを有する場合に半導体層に吸収される。すなわち、活性層から放出される約2.9eVのバンドギャップを有する青色光がN型半導体層及びP型半導体層などを数回通過するため、これらよりもバンドギャップが高い光はこれらに吸収され、これにより、光取出効率が低下し、しかも、輝度が低下するという問題が生じる。
本発明の目的は、光取出効率を向上させることができ、これにより、輝度を向上させることのできる発光素子及びその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、半導体層から離れた個所に波長変換層を形成することにより、光取出効率を向上させることのできる発光素子及びその製造方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、所望の出射面以外の方向に放出される光の波長を変換して半導体層よりも低いバンドギャップを持たせることにより、光取出効率を向上させることのできる発光素子及びその製造方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、所望の出射面以外の面に波長変換層を設けて所望の出射面以外の方向に放出される光の波長を変換することのできる発光素子及びその製造方法を提供することである。
本発明の一態様による発光素子は、複数の半導体層を備え、所定の波長の光を放出する複数の発光セルが一方の面に形成された基板と、前記基板の他方の面に所定の深さで形成された複数の切欠部と、前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層と、を備える。
本発明の他の態様による発光素子は、基板の一方の面の上に形成され、複数の半導体層を備えて所定の波長の光を放出する発光セルと、前記基板の他方の面及び側面の一部の高さまで形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層と、を備える。
本発明のさらに他の態様による発光素子は、基板の一方の面の上に形成され、複数の半導体層を備えて所定の波長の光を放出する発光セルと、前記基板の他方の面の上に形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層と、前記波長変換層の上に形成されて前記波長変換層によって波長が変換された光を反射する反射層と、を備える。
本発明の諸態様による発光素子において、前記基板が透光性基板であってもよい。
本発明の一態様による発光素子において、前記切欠部が少なくとも一つの発光セルを分離するためのスクライブラインと重なって形成されていてもよい。
本発明の諸態様による発光素子において、前記波長変換層が蛍光体層及び量子点層のうちの少なくともいずれか一方を備えていてもよい。
本発明のさらに他の態様による発光素子において、前記波長変換層は、前記発光セルから放出される光を低いバンドギャップを有する光に変換するものであってもよい。
本発明のさらに他の態様による発光素子は、前記反射層の上に形成された支持層をさらに備えていてもよく、前記支持層は、金属から形成されてもよく、前記支持層は、ヒートシンクを備えていてもよい。
本発明のさらに他の態様による発光素子は、前記発光セルの上に形成された第2波長変換層をさらに備えていてもよく、前記第2波長変換層は、前記発光セルから離れた個所に均一な厚さに形成されていてもよい。
また、本発明の一態様による発光素子の製造方法は、前記基板の他方の面に所定の深さで複数の切欠部を形成するステップと、前記複数の切欠部を有する前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に波長変換層を形成するステップと、を含む。
前記発光素子の製造方法は、前記波長変換層の上に反射層を形成するステップをさらに含んでいてもよく、前記反射層の上に支持層を形成するステップをさらに含んでいてもよい。
本発明の態様は、発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層が発光セルの半導体層から離れて基板の背面及び側面に形成される。なお、波長変換層をウェーハレベルで形成することができるが、複数の発光セルが形成された基板の背面に切欠部を形成した後、切欠部を有する基板の背面に波長変換層を形成すればよい。
このため、波長変換層が発光セルから離れて形成されることにより、蛍光体が発光セルの半導体層と接触して形成される場合に、半導体層から発生する熱による蛍光体の変成または破損を防ぐことができ、これにより、発光素子の輝度低下を防ぐことができる。なお、波長変換層がウェーハレベルで形成されるので、工程効率を向上させることができる。
さらに、本発明の他の態様は、発光セルの所望の出射面方向以外の領域に波長変換層を形成して、発光セルから発光して出射面以外の方向に放出される光の波長を変換した後、出射面方向に放出されるようにする。すなわち、波長変換層は、発光セルから発光する光よりも高い波長を有するように変換し、これにより、バンドギャップが低くなるようにする。
このように、所望の出射面以外の方向に放出される光のバンドギャップが発光セルの半導体層のバンドギャップよりも低いように変換して所望の出射面方向に反射することにより、光が発光セルの半導体層に吸収されずに出射面に放出される。従って、光取出効率を向上させることができ、これにより、輝度を向上させることができる。
さらに、波長変換層が発光セルの側面に半導体層の高さに等しいかそれよりも低く形成されることにより、波長変換領域を増大させることができ、これにより、光取出効率をさらに向上させることができる。
以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態を詳述する。しかしながら、本発明は、後述する実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる種々の形態で実現される。単に、これらの実施形態は、本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範囲によってのみ定義されるものである。図中、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示し、同じ符号は同じ構成要素を示す。
図1及び図2は、本発明の一実施形態に係る発光素子の平面図及び断面図である。
図1及び図2を参照すると、本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板110と、基板110の一方の面の上に形成された複数の半導体層をそれぞれ備え、所定の波長の光を放出し、互いに離れている複数の発光セル100と、発光セル100が形成されていない基板110の背面の所定の領域に所定の深さで形成された切欠部170と、基板100の背面と切欠部170を介して基板110の側面に形成されて発光セル100から放出された光の波長を変換する波長変換層200と、を備える。また、複数の発光セル100のそれぞれは、基板110の上に順次に形成された第1半導体層120と、活性層130及び第2半導体層140と、活性層130及び第2半導体層140が一部エッチングされて露出された第1半導体層120及び第2半導体層140の上にそれぞれ形成された第1及び第2電極150、160と、を備える。ここで、複数の発光セル100は、直列、並列または直並列に接続されてもよい。すなわち、一方の発光セル100の第1電極150から他方の発光セルの第1または第2電極150、160が、例えば、配線(図示せず)により接続されて直列、並列または直並列に接続されてもよい。
基板110とは、発光素子を製作するための通常のウェーハのことをいい、好ましくは、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した材質が使用可能である。例えば、基板110の材質としては、Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl2O3、BN、AlN及びGaNのうちのいずれか一種が挙げられる。また、光の出射方向に応じて透明基板を用いてもよく、不透明基板を用いてもよい。すなわち、基板110側に光が出射されて基板110を通過して光が放出される場合には透明基板を用い、基板110とは反対側に光が出射される場合には不透明基板を用いる。
第1半導体層120は、N型不純物がドープされたN型半導体であってもよく、これにより、活性層130に電子を供給することができる。例えば、第1半導体層120としては、SiがドープされたInGaN層が使用可能である。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な半導体物質が採用可能である。すなわち、GaN、InN、AlN(III−V族)などの窒化物や、これらの窒化物を所定の割合にて混合した化合物が使用可能である。一方、発光セル200には、基板110の上に第1半導体層120を形成する前に、基板110との格子不整合を緩和するためにAlNまたはGaNを含むバッファ層(図示せず)を形成してもよい。なお、バッファ層の上にアンドープト層(図示せず)を形成してもよいが、アンドープト層は、不純物がドープされていない層、例えば、アンドープトGaN層から形成してもよい。
活性層130は、所定のバンドギャップを有し、量子井戸が作られて電子及び正孔が再結合される領域である。活性層130は、量子井戸層とバリア層が複数反復的に積層された多重量子井戸構造(MQW)に形成してもよい。例えば、多重量子井戸構造の活性層130は、InGaNとGaNが反復的に積層されて形成されてもよく、AlGaNとGaNが反復的に積層されて形成されてもよい。ここで、活性層130を構成する物質の種類に応じて、電子及び正孔が結合して発生する発光波長が変化されるため、目標とする波長に応じて活性層130に含まれる半導体材料を調節することが好ましい。すなわち、活性層130において生成される光の波長は、量子井戸層においてInの量を調節することにより、種々に調節可能である。例えば、InGaN量子井戸層のうちInの含量を増大させることにより、バンドギャップが小さくなって発光波長が長くなるという現象を用いて、紫外線領域から青色、緑色、赤色など全ての可視光領域までの光を放出することができる。また、発光波長は、量子井戸層の厚さを調節することにより変化させることができるが、例えば、InGaN量子井戸層の厚さを増大させると、バンドギャップが小さくなって赤色側の光を放出することができる。だけではなく、量子井戸層の多層構造を用いて白色光を得ることもできる。すなわち、多層InGaN量子井戸層の少なくとも一つの層ごとにInの含量を異ならせて、青色発光、緑色発光及び赤色発光を構成すると、全体として白色光を得ることができる。しかしながら、本実施形態においては、活性層130が青色光を放出する場合を例示している。一方、活性層130は、第1電極150が形成される領域が除去されて形成される。
第2半導体層140は、P型不純物がドープされた半導体層であってもよく、これにより、活性層130に正孔を供給することができる。例えば、第2半導体層140としては、MgがドープされたInGaN層が使用可能である。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、種々の半導体物質が採用可能である。すなわち、GaN、InN、AlN(III−V族)などの窒化物や、これらの窒化物を所定の割合にて混合した化合物が使用可能である。なお、第2半導体層140は、単一層に形成してもよく、多層に形成してもよい。一方、第2半導体層140は、第1電極150が形成される領域が除去されて形成される。
第1及び第2電極150、160は、導電性物質を用いて形成してもよいが、例えば、Ti、Cr、Au、Al、Ni、Agなどの金属物質またはこれらの合金を用いて単一層または多層に形成してもよい。ここで、第2電極160は、電流の拡散のための電極パターンに応じて複数形成されてもよい。一方、第2半導体層140の上部に第2電極160を介して印加される電源を第2半導体層140に均一に供給し、且つ、第2電極160側に放出される光を反射するために、反射電極(図示せず)が形成されてもよい。すなわち、第2半導体層140は、例えば、数Ω〜数十Ωの抵抗を有し、水平に、例えば、数kΩ〜数MΩの抵抗を有するため、水平方向には電流が流れず、垂直方向にのみ電流が流れることになる。このため、第2半導体層140に局部的に電源を印加すると、第2半導体層140に全体的に電流が流れないため、第2半導体層140に全体的に電流が流れるように第2半導体層140の上に導電層を形成してもよい。このとき、導電層は、活性層130から発光して第2電極160側に放出される光を反射するために、高反射率の物質から形成してもよい。すなわち、第2半導体層140の上に高い導電率及び反射率を有する反射電極を形成してもよい。反射電極は、例えば、Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びその合金から形成してもよく、90%以上の反射率を有することが好ましい。
波長変換層200は、発光セル100から発光して基板110方向に放出される光の波長を変換するために設けられる。すなわち、本発明に係る発光素子は、波長変換層200が発光セル100の半導体層から離れて形成される。従来には、発光セル100の半導体層と接触して蛍光体が形成される場合に、半導体層から発生する熱によって蛍光体が変成または破損されて輝度の低下を招いていたが、本発明は、波長変換層200が発光セル100の半導体層から離れて形成されるので、波長変換層200の変成または破損を防ぐことができ、これにより、輝度の低下が防がれる。また、波長変換層200は、基板110の側面にも形成されることにより、波長変換領域が広くなる。そして、波長変換層200が基板110の側面の一部の高さまで形成され、第1半導体層120の側面には形成されないので、波長変換層200の熱的変成または破損を防ぐことができる。このような波長変換層200は、例えば、発光セル100から発光する420nm〜480nmの波長を有する青色光をそれよりも高い波長、すなわち、490nm〜550nmの波長を有する緑色光、560nm〜580nmの波長を有する黄色光、590nm〜630nmの波長を有する赤色光またはその混色光に変換する。このとき、複数の波長の光を混合して白色光を放出することができる。このような波長変換層200は、基板110の背面及び側面に形成されうるが、このために、ウェーハレベルで波長変換層200を形成してもよい。例えば、図1及び図2に示すように、互いに離れている複数の発光セル100が形成された基板110の背面に切欠部170を形成した後、切欠部170を有する基板110の背面に波長変換層200を形成してもよい。ここで、切欠部170は、複数の発光セル100を分割するために基板110を割断するスクライブラインであってもよい。また、波長変換層200は、入射する光の波長を変換する種々の物質から形成してもよいが、例えば、蛍光体層、量子点層などを用いて形成してもよい。すなわち、波長変換層200に蛍光体が含有されたペーストを塗布して蛍光体層を形成してもよく、量子点が含有されたペーストを塗布して量子点層を形成してもよい。蛍光体ペーストを用いて蛍光体層を形成する場合に、蛍光体層を均一に形成し、且つ、工程中における蛍光体粉末の不均一な分布を防ぐために、蛍光体ペーストは、例えば、蛍光体粉末と透明な硬化性ポリマー樹脂を混合して500〜10000cpsの粘度を持たせてもよい。ここで、硬化性ポリマー樹脂は、シリコン系ポリマー樹脂であってもよく、エポキシ系ポリマー樹脂であってもよい。また、硬化性ポリマー樹脂に対する蛍光体粉末の重量比が0.5〜10の範囲である蛍光体ペーストを製造して用いてもよい。蛍光体層を用いた波長変換層200は、発光セル100から、例えば、青色光が放出される場合に、これよりも長波長の緑色光、黄色光、赤色光及びこれらの混色光の少なくともいずれかに変換することができる。青色光を緑色光に変換する緑色蛍光体として、YBO3:Ce、Tb;BaMgAl10O17:Eu、Mn;(SrCaBa)(Al,Ga)2S4:Euなどの物質が使用可能である。また、青色光を黄色光に変換する黄色蛍光体としては、Y、Lu、Sc、La、Gd、Smのうちの一種以上の元素とAl、Ga、Inのうちの一種以上の元素を含み、Ceで活性化されたガーネット系蛍光体を含む物質が使用可能である。さらに、青色光を赤色光に変換する赤色蛍光体としては、Y2O2S:Eu、Bi;YVO4:Eu、Bi;Srs:Eu、SrY2S4:Eu、CaLa2S4:Ce.(Ca,Sr)S:Euなどが使用可能である。しかしながら、前記物質に加えて、青色光を黄色光、赤色光及び緑色光の少なくともいずれかに変換するいかなる蛍光体も使用可能である。もちろん、このような蛍光体を混合して混色光、特に、白色光を放出することができる。また、量子点層は、量子点と有機バインダを備えてなる。量子点層もまた、青色光をそれよりも長波長の黄色光、赤色光、緑色光及びこれらの混色光のうちのいずれかに変換することができる。このような量子点物質として、例えば、赤色量子点物質としては、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTeなどのII−IV族化合物半導体ナノ結晶、GaN、GaP、GaAs、InP、InAsなどのIII−V族化合物半導体ナノ結晶または前記物質の混合物が使用可能である。
上述したように、本発明の一実施形態に係る発光素子は、発光セル100から放出される光の波長を変換する波長変換層200が発光セル100の半導体層から離れて基板110の背面及び側面に形成される。また、波長変換層200をウェーハレベルで形成するために、複数の発光セル100が形成された基板110の背面に切欠部170を形成した後、切欠部170を有する基板110の背面に波長変換層200を形成してもよい。このため、発光セル100の半導体層から離れて波長変換層200が形成されて半導体層から発生する熱による蛍光体の変成または破損を防ぐことができ、これにより、発光素子の輝度の低下が防がれる。
また、本発明の実施形態に係る発光素子は、発光セル100単位で製作してもよい。すなわち、本発明の一実施形態に係る発光素子は、上面に複数の発光セル100が形成された基板110の背面及び側面に波長変換層200が形成されていたが、図3に示すように、一つの発光セル100が形成された基板110の背面及び側面に波長変換層200が形成されてもよい。このような一つの発光セル100単位の発光素子は、図1及び図2に基づいて説明された複数の発光セル100が形成された発光素子を発光セル100単位でスクライビングすることにより製造可能である。なお、このような発光素子は、所定のパッドが形成されたサブマウント基板にバンプを用いて接合可能である。
一方、発光素子から放出される光は、所望の出射面以外の様々な方向に放出される。すなわち、活性層130から放出される光は、例えば、第2電極160側の出射面に放出されるだけではなく、それと逆方向の基板110方向に放出される。このため、活性層から放出される光は、半導体層を数回通過した後、出射面方向に放出される。このとき、光は、半導体層に吸収されるため、光取出効率が低下し、輝度が低下するという問題が生じる。このような問題点を解消するための本発明のさらに他の実施形態に係る発光素子を図4乃至図6を用いて説明すれば、下記の通りである。
図4及び図5は、本発明のさらに他の実施形態に係る発光素子の平面図及び断面図であり、図6は、本発明のさらに他の実施形態に係る発光素子の光路を説明するための概略図である。以下の説明では、上述した内容と重なる内容についての説明は省略する。
図4及び図5を参照すると、本発明のさらに他の実施形態に係る発光素子は、基板110の上に複数の半導体層が形成されて所定の波長の光を放出する発光セル100と、基板100の背面及び側面に形成されて発光セル100から放出された光のバンドギャップを変換するために光の波長を変換する波長変換層200と、波長変換層200の上に形成されて発光セル100から放出された光を反射する反射層300と、を備える。また、発光セル100は、基板110の上に順次に形成された第1半導体層120と、活性層130及び第2半導体層140と、活性層130及び第2半導体層140が一部エッチングされて露出された第1半導体層120及び第2半導体層140の上にそれぞれ形成された第1及び第2電極150、160を備える。さらに、第2半導体層140の上には、第2電極160を介して印加される電源を第2半導体層140に均一に供給し、且つ、活性層130から発光した光が透過可能に透明電極(図示せず)が形成されてもよい。透明電極は、透明導電性物質から形成されてもよいが、例えば、ITO、IZO、ZnO、RuOx、TiOx、IrOxなどを用いて形成してもよい。
波長変換層200は、発光セル100から発光して反射層300方向に放出される光の波長を変換し、これにより、バンドギャップを変化させるために設けられる。発光セル100の活性層130から発光した光は、第2半導体層140を通過して上側に放出されてもよく、第1半導体層120を通過して下側に放出されてもよい。このとき、発光セル100の下側に放出される光は、例えば、金属物質からなる反射層200によって反射されて再び発光セル100を通過して上側に放出されうる。ところが、光は、発光セル100の複数の半導体層、すなわち、第1半導体層120と、活性層130及び第2半導体層140を通過しながらこれらの半導体層に吸収されるため、光取出効率が低下してしまう。すなわち、光は、それよりも低いバンドギャップを有する物質に吸収されるが、光のバンドギャップが半導体層のバンドギャップよりも低ければ、半導体層に吸収される。例えば、発光セル100から420nm〜480nmの範囲の波長を有する青色光が放出されると、青色光は、約2.9eVのバンドギャップを有し、半導体層の構成物質がInGaNである場合、InGaNは、約2.8eVのバンドギャップを有するため、青色光は、半導体層を通過しながら半導体層に吸収される。このため、上側に放出される光に比べて、下側から反射されて上側に放出される光は、半導体層を多数通過しながら光損失が発生する。しかしながら、本発明は、所望の出射面とは逆方向の基板110の背面及び側面に波長変換層200を形成し、波長変換層200を通過する光の波長を変換して半導体層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを持たせることにより、上側に放出される光Aだけではなく、下側から反射されて上側に放出される光Bが損失されず、光取出効率を向上させることができる。例えば、波長変換層200は、発光セル100から発光する420nm〜480nmの波長を有する青色光をそれよりも高い波長、すなわち、490nm〜550nmの波長を有する緑色光、560nm〜580nmの波長を有する黄色光、590nm〜630nmの波長を有する赤色光またはその混色光に変換する。このように青色光がそれよりも長波長の色の光に変換されると、バンドギャップは低くなる。これは、波長が長いほど、バンドギャップが低くなるためである。例えば、緑色光は、約2.17eV〜2.5eVのバンドギャップを有し、黄色光は、約2.11eV〜2.17eVのバンドギャップを有し、赤色光は、約1.65eV〜2.01eVのバンドギャップを有する。また、波長変換層200は、入射する光の波長を変換する種々の物質から形成可能であるが、例えば、蛍光体層、量子点層などを用いて形成可能である。すなわち、波長変換層200に蛍光体が含有されたペーストを塗布して蛍光体層を形成してもよく、量子点が含有されたペーストを塗布して量子点層を形成してもよく、2枚の透明板の間に量子点が含有された有機物質が形成された量子点層を形成してもよい。
反射層300は、発光セル100から発光して下側に放出され、波長変換層200によって波長が変換された光を上部に反射するために高い反射率を有する物質から形成されてもよい。このような反射層300は、例えば、Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びその合金から形成されてもよく、90%以上の反射率を有することが好ましい。反射層300は、ウェーハレベルで波長変換層200の上に蒸着して形成してもよく、発光セル100が載置されるパッケージのカップ底面であってもよい。このとき、パッケージのカップ底面は、高反射率の金属からなる。
さらに、図7に示すように、反射層300の上に支持層400を形成してもよい。すなわち、支持層400の上部に反射層300と、波長変換層200及び発光セル100が形成されてもよいが、支持層400の上にエポキシなどの接着剤を用いて反射層300を貼り付けることができる。このような支持層400は、発光セル100を支持しうる種々の形状及び材料を用いて実現可能であるが、例えば、金属物質から製作可能である。支持層400が金属物質から製作されれば、発光セル100から発生した熱が放出されやすい。なお、熱の放出を一層容易に行うために、支持層400の背面には、突起構造などのヒートシンクが形成されてもよい。ヒートシンクが形成されることにより、支持層400の表面積が広くなり、これにより、大気との接触面積が広くなるので、一層効率よく放熱可能である。
図8は、本発明の一実施形態に係る発光素子を用いた発光素子パッケージの断面図である。
図8を参照すると、本発明に係る発光素子パッケージは、パッケージ本体500と、パッケージ本体500の内側において露出され、外側に突設されたリードフレーム600と、リードフレーム600上の所定の領域に形成された波長変換層200と、波長変換層200の上に設けられて光を放出するための発光セル100と、発光セル100をリードフレーム600と電気的に接続するためのワイヤ700と、発光セル100を封止するモールディング部800と、モールディング部800内に設けられた蛍光体900と、を備える。ここで、発光セル100が取り付けられるパッケージ本体500に加えて、スラグ、基板及びモールドカップを有する胴体を用いることができるが、以下では、パッケージ本体500を例にとって説明する。
パッケージ本体500は、リードフレーム600を支持し、発光セル100が載置されるハウジング510と、ハウジング510の上に形成され、発光セル100から発光した光が出射される開口部を形成するリフレクター520と、を備える。このようなパッケージ本体500は、熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂に白色顔料が添加されたEMC(エポキシモールドコンパウンド)を用いてトランスファ成形法により製作してもよく、これにより、ハウジング510とリフレクター520とは一体に製作される。すなわち、本発明に係る発光素子の支持層400がパッケージ本体500のハウジング510になりうる。換言すれば、ハウジング510が支持層400として機能しうる。もちろん、ハウジング510と支持層400が別々に製作されて支持層300を有する発光素子がハウジング510の上に載置されてもよい。一方、リフレクター520は、ハウジング510の上面から上向きに突き出た反射面を有する。反射面には、反射物質が塗布されうる。このとき、リフレクター520の少なくとも一領域の反射面の高さを調節することができるが、この場合、発光セル500から発光する光の出射範囲を調節することもできる。なお、反射面は、内側に所定の角度だけ傾くように形成されてもよい。一方、リフレクター520の形状は、円形であってもよく、四角形であってもよいが、これに限定されるものではなく、発光装置の用途に応じて発光セル100から放出される光の出射範囲を調節可能なように種々に変更可能である。
リードフレーム600は、発光セル100に外部電源を印加するためのものであり、一方の側及び他方の側にそれぞれ形成された第1及び第2リードフレーム610及び620を備える。リードフレーム600は、ハウジング510上において支持され、ハウジング510とリフレクター520との間に隔設されてもよい。すなわち、第1及び第2リードフレーム610及び620が互いに離れてハウジング510の上からパッケージ本体500の一方の側及び他方の側に延設される。ここで、発光セル100が載置される、例えば、第1リードフレーム610は、発光素子の反射層400として働く。すなわち、支持層400と、反射層300と、波長変換層200及び発光セル100が積層された発光素子において、支持層400及び反射層300を別途に形成することなく、ハウジング510及び第1リードフレーム610をそれぞれ支持層400及び反射層300として用いることができる。しかしながら、リードフレーム600と反射層300が別々に製作されて反射層300を有する発光素子がリードフレーム600の上に載置されてもよい。
ワイヤ(710、720)700は、発光セル100をリードフレーム600と電気的に接続する。ワイヤ700は、金(Au)またはアルミニウム(Al)から形成されてもよい。第1ワイヤ710は、発光セル100の第2電極160と第1リードフレーム610を電気的に接続し、第2ワイヤ720は、発光セル100の第1電極150と第2リードフレーム620を電気的に接続する。
モールディング部800は、発光セル100を封止し、発光セル100と接続されたワイヤ700を固定する役割を果たす。また、モールディング部800は、発光セル100から発光する光を集めるレンズの役割を果たす。このようなモールディング部800は、発光セル100から発光した光を外部に透過しなければならないため、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂などの透明樹脂から形成される。また、モールディング部800には、屈折率調節剤(図示せず)がさらに含まれていてもよい。屈折率調節剤としては、サファイア粉末が使用可能である。一方、屈折率調節剤に加えて、発光セル100から放出された光を散乱によってさらに拡散させることにより均一に発光するために、拡散剤(図示せず)をさらに添加してもよい。拡散剤としては、BaTiO3、TiO2、Al2O3、SiO2などが使用可能である。なお、モールディング部800内には、蛍光体900が添加される。
モールディング部800は、発光セル100を封止し、発光セル100と接続されたワイヤ700を固定する役割を果たす。また、モールディング部800は、発光セル100から発光する光を集めるレンズの役割を果たす。このようなモールディング部800は、発光セル100から発光した光を外部に透過しなければならないため、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂などの透明樹脂から形成される。また、モールディング部800には、屈折率調節剤(図示せず)がさらに含まれていてもよい。屈折率調節剤としては、サファイア粉末が使用可能である。一方、屈折率調節剤に加えて、発光セル100から放出された光を散乱によってさらに拡散させることにより均一に発光するために、拡散剤(図示せず)をさらに添加してもよい。拡散剤としては、BaTiO3、TiO2、Al2O3、SiO2などが使用可能である。なお、モールディング部800内には、蛍光体900が添加される。
蛍光体900は、発光セル100から発光した光の少なくとも一部を吸収して吸収された光と異なる波長の光を放出する。このとき、蛍光体900は、発光セル100から出射面に放出される光の波長を変換して放出し、発光セル100の出射面と向かい合う方向、すなわち、発光セル100の下部に設けられた波長変換層200によって波長が変換されて発光セル100を介して放出される光は、選択的に波長を変換して放出する。本発明の実施形態においては、蛍光体900が発光セル100から発光した青色光を白色光に変換する。このために、例えば、黄色蛍光体と赤色蛍光体を用いることができる。このとき、波長変換層200を介して放出される光は、波長変換層200によって既に波長が変換されたため、これを白色光に変換する蛍光体900がさらに備えられていてもよい。また、蛍光体900としては、波長変換層200として用いられる蛍光体を用いてもよく、これとは異なる黄色蛍光体及び赤色蛍光体を用いてもよい。なお、モールディング部800内の蛍光濃度と波長変換層200の蛍光濃度を適切に異ならせて演色指数(CRT)を向上させることもできる。
図9は、本発明の他の実施形態に係る発光素子パッケージの断面図であって、第2波長変換層1000がモールディング部800の上部に形成される。すなわち、第1波長変換層200が発光セル100の下部に形成され、第2波長変換層1000は発光セル100を覆うように形成されたモールディング部800の上部に形成される。このとき、第2波長変換層1000も、第1波長変換層200と同様に、蛍光体ペーストを用いて形成してもよく、量子点を用いて形成してもよい。なお、モールディング部800内の蛍光濃度と波長変換層200の蛍光濃度を適切に異ならせて演色指数(CRT)を向上させることもできる。
本発明の技術的思想は、前記実施形態によって具体的に記述されたが、前記実施形態は、その説明のためのものであり、その制限のためのものではないということはいうまでもない。なお、本発明の技術分野における当業者は、本発明の技術思想の範囲内において種々の実施形態が採用可能であるということが理解できるであろう。
100:発光セル
200:波長変換層
300:反射層
400:支持層
110:基板
120:第1半導体層
130:活性層
140:第2半導体層
150:第1電極
160:第2電極
170:切欠部
200:波長変換層
300:反射層
400:支持層
110:基板
120:第1半導体層
130:活性層
140:第2半導体層
150:第1電極
160:第2電極
170:切欠部
Claims (17)
- 複数の半導体層を備え、所定の波長の光を放出する複数の発光セルが一方の面に形成された基板と、
前記基板の他方の面に所定の深さで形成された複数の切欠部と、
前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層と、
を備える発光素子。 - 前記基板は、透光性基板を備える請求項1に記載の発光素子。
- 前記切欠部は、少なくとも一つの発光セルを分離するためのスクライブラインと重なって形成される請求項1に記載の発光素子。
- 前記波長変換層は、蛍光体層及び量子点層のうちの少なくともいずれか一方を備える請求項3に記載の発光素子。
- 基板の一方の面の上に形成され、複数の半導体層を備えて所定の波長の光を放出する発光セルと、
前記基板の他方の面及び側面の一部の高さまで形成されて前記発光セルから放出される光の波長を変換する波長変換層と、
を備える発光素子。 - 前記基板は、透光性基板を備える請求項5に記載の発光素子。
- 前記波長変換層は、蛍光体層及び量子点層のうちの少なくともいずれか一方を備える請求項5に記載の発光素子。
- 前記波長変換層の上に形成されて、前記波長変換層によって波長が変換された光を反射する反射層をさらに備える請求項7に記載の発光素子。
- 前記波長変換層は、前記発光セルから放出される光を低いバンドギャップを有する光に変換する請求項8に記載の発光素子。
- 前記反射層の上に形成された支持層をさらに備える請求項8に記載の発光素子。
- 前記支持層は、金属から形成された請求項10に記載の発光素子。
- 前記支持層は、ヒートシンクを備える請求項10に記載の発光素子。
- 前記発光セルの上に形成された第2波長変換層をさらに備える請求項8に記載の発光素子。
- 前記発光セルから離れた個所に形成された第2波長変換層をさらに備える請求項8に記載の発光素子。
- 基板の一方の面の上にそれぞれ複数の半導体層を積層して複数の発光セルを形成するステップと、
前記基板の他方の面に所定の深さで複数の切欠部を形成するステップと、
前記複数の切欠部を有する前記基板の他方の面及び複数の切欠部の上に波長変換層を形成するステップと、
を含む発光素子の製造方法。 - 前記波長変換層の上に反射層を形成するステップをさらに含む請求項15に記載の発光素子の製造方法。
- 前記反射層の上に支持層を形成するステップをさらに含む請求項16に記載の発光素子の製造方法。
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