CN102891231B - 发光元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

该发光元件的制造方法具备：将聚光点（P1）对准在表面（2a）上形成有III‑V族化合物半导体层（17）的蓝宝石基板（2）的内部，以基板（2）的背面（2b）作为激光入射面，沿着切断预定线（5a、5b）照射激光（L1），由此沿着切断预定线（5a、5b）在基板（2）的内部形成改质区域（7a、7b）的工序；其后，在基板（2）的背面（2b）形成光反射层的工序；其后，通过使以改质区域（7a、7b）为起点而产生的龟裂在基板（2）的厚度方向上伸展，从而沿着切断预定线（5a、5b）切断基板（2）、半导体层（17）和光反射层，制造发光元件的工序。

Description

发光元件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光元件的制造方法（METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE）。
背景技术
作为切断蓝宝石（sapphire）基板的表面上形成有III-V族化合物半导体层的晶片（wafer）而制造发光元件的方法，已知有如下那样的方法。即，为通过将聚光点对准蓝宝石基板的内部而照射激光，从而沿着切断预定线在蓝宝石基板的内部形成改质区域，并以该改质区域作为起点切断蓝宝石基板和III-V族化合物半导体层的方法（例如，参照日本特开2005-166728号公报）。
发明内容
然而，在上述那样的发光元件中，有时为了提高发光效率而在蓝宝石基板的背面形成光反射层。
因此，本发明的目的在于，提供一种能够高成品率地制造蓝宝石基板的背面上形成有光反射层的发光元件的发光元件的制造方法。
本发明的一个角度的发光元件的制造方法，具备：将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着切断预定线在蓝宝石基板的内部形成改质区域的第2工序；在第2工序之后，在蓝宝石基板的背面形成光反射层的第3工序；在第3工序之后，通过使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层，制造发光元件的第4工序。
在该发光元件的制造方法中，在蓝宝石基板的背面形成光反射层之前，通过以蓝宝石基板的背面作为激光入射面来照射第1激光，在蓝宝石基板的内部形成改质区域。由此，第1激光的聚光不会被光反射层阻碍，因此，可以在蓝宝石基板的内部形成期望的改质区域。而且，由于蓝宝石基板的背面成为激光入射面，因此可以抑制由于第1激光的照射而对III-V族化合物半导体层产生损伤。此外，由于在蓝宝石基板的内部形成改质区域，因此可以在蓝宝石基板的背面形成期望的光反射层。如上所述，根据该发光元件的制造方法，由于可以以期望的改质区域为起点来切断形成有期望的III-V族化合物半导体层和光反射层的蓝宝石基板，因此，可以高成品率地制造在蓝宝石基板的背面形成有光反射层的发光元件。再有，所谓蓝宝石基板的内部，是也包含形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的表面上的意思。另外，发光元件的制造方法也可以还具备在第2工序之前在蓝宝石基板的表面上形成III-V族化合物半导体层的第1工序。
另外，在第2工序中，也可以沿着切断预定线在蓝宝石基板的内部形成改质区域，以使第4工序中在蓝宝石基板的厚度方向上伸展的龟裂至少预先到达蓝宝石基板的表面。在该情况下，在第4工序中，容易沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层，特别地，可以提高III-V族化合物半导体层的切断精度。
或者，在第2工序中，也可以沿着切断预定线在蓝宝石基板的内部形成改质区域，以使第4工序中在蓝宝石基板的厚度方向上伸展的龟裂预先到达蓝宝石基板的背面。在该情况下，在第4工序中，容易沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层，特别地，可以提高光反射层的切断精度。
另外，在第4工序中，也可以通过从光反射层的一侧沿着切断预定线压接刀口，从而使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。在该情况下，可以抑制由于刀口的压接而对III-V族化合物半导体层产生损伤，并可以容易地沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层。
另外，发光元件的制造方法还具备：在第3工序之后且第4工序之前，通过从光反射层的一侧沿着切断预定线照射相对于光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，在第4工序中，也可以通过使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层。或者，在第4工序中，也可以通过从光反射层的一侧沿着切断预定线照射相对于光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。在这些情况下，可以抑制由于第2激光的照射而对III-V族化合物半导体层产生损伤，并可以使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
另外，发光元件的制造方法还具备：在第3工序之后且第4工序之前，通过将聚光点对准蓝宝石基板的内部，并从III-V族化合物半导体层的一侧沿着切断预定线照射相对于III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，在第4工序中，也可以通过使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着切断预定线切断蓝宝石基板、III-V族化合物半导体层和光反射层。或者，在第4工序中，也可以通过将聚光点对准蓝宝石基板的内部，并从III-V族化合物半导体层的一侧沿着切断预定线照射相对于III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。在这些情况下，由于第3激光相对于III-V族化合物半导体层具有透过性，因此，可以抑制由于第3激光的照射而对III-V族化合物半导体层产生损伤，并可以使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
此时，可以仅在切断预定线的交叉部分，从III-V族化合物半导体层的一侧沿着切断预定线照射第3激光。在该情况下，可以进一步抑制由于第3激光的照射而对III-V族化合物半导体层产生损伤，并在要求切断精度的切断预定线的交叉部分中，使以改质区域为起点而产生的龟裂在蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
附图说明
图1是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。
图2是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。
图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的截面图。
图4是激光加工后的加工对象物的平面图。
图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。
图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的截面图。
图7是本发明的第1实施方式的发光元件的制造方法中成为加工对象的蓝宝石基板的立体图。
图8是图7的蓝宝石基板的平面图。
图9是在图8的蓝宝石基板形成有III-V族化合物半导体层的状态下的晶片的部分截面图。
图10是在图9的蓝宝石基板上贴上保护胶带的状态下的晶片的部分截面图。
图11是在图10的III-V族化合物半导体层上形成有凹部的状态下的晶片的部分截面图。
图12是在图11的III-V族化合物半导体层上形成有电极的状态下的晶片的部分平面图。
图13是在图12的蓝宝石基板上形成有改质区域的状态下的晶片的部分截面图。
图14是在图13的蓝宝石基板上形成有光反射层的状态下的晶片的部分截面图。
图15是在图14的晶片被切断的状态下的晶片的部分截面图。
图16是在图15的晶片被切断成发光元件的状态下的发光元件的截面图。
图17是在本发明的第2实施方式的发光元件的制造方法中在蓝宝石基板上形成有改质区域的状态下的晶片的部分截面图。
图18是在本发明的第3实施方式的发光元件的制造方法中在蓝宝石基板上形成有改质区域的状态下的晶片的部分截面图。
图19是在本发明的第4实施方式的发光元件的制造方法中龟裂伸展的状态下的晶片的部分截面图。
图20是在本发明的第5实施方式的发光元件的制造方法中龟裂伸展的状态下的晶片的部分截面图。
图21是图20的晶片的部分平面图。
图22是用于说明发光元件的制造方法的变形例的晶片的部分截面图。
图23是用于说明发光元件的制造方法的其他变形例的晶片的部分截面图。
图24是表示研磨基板的背面的方法的一个例子的晶片的部分截面图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的优选的实施方式。另外，各图中相同或相当的部分使用相同符号，省略重复的说明。
本实施方式的发光元件的制造方法，具备：通过将聚光点对准蓝宝石基板的内部而照射激光，从而沿着切断预定线在蓝宝石基板的内部形成改质区域的工序。因此，首先，不限定于蓝宝石基板，参照图1~图6对相对于板状的加工对象物的改质区域的形成进行说明。
如图1所示，激光加工装置100具备：激光光源1 01，其对激光L进行脉冲振荡；分色镜（dichroic mirror）103，其以将激光L的光轴（光路）的方向改变90度的方式配置；以及聚光用透镜105，其用于对激光L进行聚光。另外，激光加工装置100具备：支撑台107，其用于支撑照射有经聚光用透镜105所聚光的激光L的加工对象物1；平台（stage）111，其用于使支撑台107移动；激光光源控制部102，其为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光光源101；以及平台控制部11 5，其控制平台111的驱动。
在该激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L，通过分色镜103使其光轴的方向改变90度，且通过聚光用透镜105聚光至被载置于支撑台107上的加工对象物1的内部。与此同时，平台111进行移动，加工对象物1相对于激光L沿着切断预定线5进行相对移动。由此，沿着切断预定线5的改质区域被形成于加工对象物1。
作为加工对象物1，可以使用由各种材料（例如玻璃、半导体材料、压电材料等）构成的板状的构件（例如基板、晶片等）。如图2所示，在加工对象物1上设定有用于切断加工对象物1的切断预定线5。切断预定线5为以直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点P对准加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着切断预定线5（即，图2的箭头A方向）相对地移动。由此，如图4~图6所示，改质区域7沿着切断预定线5而形成在加工对象物1的内部，且沿着切断预定线5而形成的改质区域7成为切断起点区域8。
另外，所谓聚光点P，是指激光L聚光之处。另外，切断预定线5并不限于直线状，也可以为曲线状，且不限于假想线，也可以是实际上画在加工对象物1的表面3上的线。另外，改质区域7有连续形成的情况，也有断断续续地形成的情况。另外，改质区域7可以是列状,也可以是点状，改质区域7只要是至少形成于加工对象物1的内部即可。另外，有将改质区域7当作起点而形成龟裂的情况，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物1的外表面（表面、背面、或者外周面）。
顺便提及，这里的激光L透过加工对象物1并且在加工对象物1的内部的聚光点附近被特别地吸收，由此，在加工对象物1形成改质区域7（即，内部吸收型激光加工）。因而，由于激光L在加工对象物1的表面3几乎不被吸收，因此加工对象物1的表面3不会熔融。一般而言，在从表面3开始被熔融且被去除而形成孔或沟槽等的去除部（表面吸收型激光加工）时，加工区域从表面3侧慢慢地朝背面侧行进。
然而，改质区域是指成为密度、折射率、机械强度或其他的物理特性与周围不同的状态的区域。作为改质区域，例如有熔融处理区域、裂纹（crack）区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在而成的区域。另外，作为改质区域，有加工对象物的材料中改质区域的密度与非改质区域的密度相比较发生变化的区域、或者形成有晶格缺陷的区域（这些概括起来也称为高密度转移区域）。
另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域的密度与非改质区域的密度相比较发生变化的区域、形成有晶格缺陷的区域，还存在在这些区域的内部或在改质区域与非改质区域的界面包含（内包）龟裂（割裂、微裂纹等）的情况。存在所包含的龟裂遍及改质区域的整个面的情况、或者仅形成在一部分或形成在多个部分的情况。作为加工对象物1，可以举出例如由硅、玻璃、LiTaO3或蓝宝石（Al2O3）构成的基板或晶片、或者含有这样的基板或晶片的加工对象物。
另外，改质区域7是沿着切断预定线5形成有多个改质点（加工痕）的区域。改质点是由脉冲激光的1个脉冲的射击（shot）（即1个脉冲的激光照射：激光射击）所形成的改质部分，通过汇集改质点而形成改质区域7。作为改质点，可以举出裂纹点、熔融处理点或折射率变化点、或者这些中的至少一个混合存在而成的改质点等。
优选对于该改质点，考虑所要求的切断精度、所要求的切断面的平坦性、加工对象物的厚度、种类、结晶方位等，来适当控制其大小或所产生的龟裂的长度。
[第1实施方式]
在第1实施方式中，如以下所示，制造作为发光元件的发光二级管。首先，如图7和图8所示，准备蓝宝石基板2。蓝宝石基板2是将C面作为表面2a和背面2b的圆板状的单晶体蓝宝石基板。蓝宝石基板2的M面大致垂直于定向平面（以下称为“OF”）19，蓝宝石基板2的A面大致平行于OF19。
接着，如图9所示，在蓝宝石基板2的表面2a形成III-V族化合物半导体层（以下，只称为“半导体层”）17。半导体层17具有层叠在蓝宝石基板2的表面2a上的第1导电类型半导体层即n型半导体层17a、以及层叠在n型半导体层17a上的第2导电类型半导体层即p型半导体层17b。n型半导体层17a和p型半导体层17b由例如GaN等的氮化物半导体（III-V族化合物半导体）构成，彼此pn接合。
再有，为了高效率地使n型半导体层17a和p型半导体层17b中产生的热散热，使蓝宝石基板2的厚度为50μm~200μm，优选为50μm~150μm。另外，n型半导体层17a的厚度例如是6μm，p型半导体层17b的厚度例如是1μm。
接着，如图10所示，在蓝宝石基板2的背面2b上贴上保护胶带23。然后，如图11所示，通过在由切断预定线5a、5b（参照图8）所划定的每个区域蚀刻半导体层17以使p型半导体层17b以岛状残留，从而形成凹部25。此时，使凹部25的底面位于n型半导体层17a的中途。
再有，对于蚀刻方法而言，有湿法蚀刻和干法蚀刻，但形成凹部25时可以使用其中的任一种。作为湿法蚀刻，例如有利用磷酸和硫酸的混合酸的蚀刻。另外，作为干法蚀刻，例如有反应性离子蚀刻（RIE）、反应性离子束蚀刻（RIB）、离子铣（iron milling）等。另外，也可以用蚀刻以外的方法形成凹部25。
另外，如图8所示，对于蓝宝石基板2，切断预定线5a、5b被设定为例如2mm间隔的格子状。切断预定线5a沿着蓝宝石基板2的M面设定有多条，切断预定线5b沿着蓝宝石基板2的A面设定有多条。这里，所谓沿着M面所设定的切断预定线5a，不仅包含切断预定线5a平行于M面的情况，而且也包含相对于M面在±10°的范围内倾斜的情况。同样地，所谓沿着A面所设定的切断预定线5b，不仅包含切断预定线5b平行于A面的情况，而且也包含相对于A面在±10°的范围内倾斜的情况。
接着，如图12所示，在凹部25的底面（即通过蚀刻而露出的n型半导体层17a的表面）形成电极18a，并在以岛状残留的p型半导体层17b的表面形成电极18b。由此，将n型半导体层17a与电极18a电连接，将p型半导体层17b与电极18b电连接。
接着，如图13所示，以覆盖半导体层17的方式在半导体层17上贴上保护胶带24，并从蓝宝石基板2的背面2b除去保护胶带23。在该状态下，使用上述的激光加工装置100，如下所述，在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b。
即，如图13（a）所示，将聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5b照射作为脉冲激光的激光（第1激光）L1。这里，通过支撑台107的移动，使激光L1的聚光点P1以比后面所述的第1相对速度慢的第2相对速度沿着切断预定线5b相对地移动。
通过该激光L1的照射，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b，在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7b。作为改质区域7b，形成了熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等、或者这些区域混合存在而成的区域。
再有，通过1个脉冲的激光L1的照射形成改质部分，但通过以比后面所述的第1形成间距（pitch）狭窄的第2形成间距沿着切断预定线5b排列多个改质部分，从而形成改质区域7b。第2形成间距为用激光L1的重复频率除第2相对速度的值。例如，若使第2相对速度为600mm/秒，激光L1的重复频率为100kHz，则第2形成间距为6μm（=600mm/秒÷100kHz）。
接着，如图13（b）所示，将聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5a照射激光L1。这里，通过支撑台107的移动，使激光L1的聚光点P1以第1相对速度沿着切断预定线5a相对地移动。
通过该激光L1的照射，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a，在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a。作为改质区域7b，形成了熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等、或者这些混合存在而成的区域。
再有，通过1个脉冲的激光L1的照射形成改质部分，但通过以第1形成间距沿着切断预定线5a排列多个改质部分，从而形成改质区域7a。第1形成间距为用激光L1的重复频率除第1相对速度的值。例如，若使第1相对速度为1000mm/秒，激光L1的重复频率为100kHz，则第1形成间距为10μm（=1000mm/秒÷100kHz）。
接着，如图14所示，在保护胶带24被贴于半导体层17的状态下在反射膜形成装置上搬送蓝宝石基板2，在内部形成有改质区域7a、7b的蓝宝石基板2的背面2b上，形成光反射层21。光反射层21包含DBR（Distributed Bragg Reflector，分布布拉格反射器）膜、以及该DBR膜的外侧所形成的金属膜，使激光L1几乎不透过（或反射）。该光反射层21用于提高所制造的发光二极管的发光效率。还有，也可以将保护胶带24重新贴于其它的保护胶带（或保护构件），在其它的保护胶带（或保护构件）被贴于半导体层17的状态下在反射膜形成装置上搬送蓝宝石基板2。在该情况下，其它的保护胶带（或保护构件）优选具有耐热性。
接着，如图15所示，以覆盖光反射层21的方式在光反射层21上贴上扩展（expand）胶带29，并从半导体层17除去保护胶带24。在该状态下，如下所述，切断蓝宝石基板2、半导体层17和光反射层21（以下称为“蓝宝石基板2等”）。
即，如图15（a）所示，通过从光反射层21的一侧经由扩展胶带29而沿着切断预定线5b压接刀口28，从而使以改质区域7b为起点而产生的龟裂26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b，将蓝宝石基板2等切断成条（stripe）状。
接着，如图15（b）所示，通过从光反射层21的一侧经由扩展胶带29而沿着切断预定线5a压接刀口28，从而使以改质区域7a为起点而产生的龟裂26a在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a，将蓝宝石基板2等切断成芯片（chip）状。
再有，在第1实施方式中，直到即将通过刀口28的压接来切断蓝宝石基板2等之前为止，龟裂26a、26b不到达蓝宝石基板2的表面2a和背面2b。但是，直到即将通过刀口28的压接来切断蓝宝石基板2等之前为止，龟裂26a、26b有可能以改质区域7a、7b为起点而产生在蓝宝石基板2的内部，也有可能不产生。
接着，如图16所示，通过使扩展胶带29扩张，从而使通过将蓝宝石基板2等切断成芯片状而形成的多个发光二极管31相互分离。各发光二极管31具有：蓝宝石基板2、pn接合了的n型半导体层17a和p型半导体层17b、与n型半导体层17a电连接的电极18a、与p型半导体层17b电连接的电极18b、以及光反射层21。
如以上说明的那样，在第1实施方式的发光元件的制造方法中，通过在蓝宝石基板2的背面2b形成光反射层21之前，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面而照射激光L1，从而在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b。由此，激光L1的聚光不会被光反射层21阻碍，因而可以在蓝宝石基板2的内部形成所期望的改质区域7a、7b。而且，由于蓝宝石基板2的背面2b成为激光入射面，因此可以抑制由于激光L1的照射而对半导体层17产生损伤。此外，由于在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b，因此可以在蓝宝石基板2的背面2b形成期望的光反射层21。这样，根据第1实施方式的发光元件的制造方法，由于可以以期望的改质区域7a、7b为起点来切断形成有期望的半导体层17和光反射层21的蓝宝石基板2，因此，可以高成品率地制造在蓝宝石基板2的背面2b形成有光反射层21的发光二极管31。
另外，在切断蓝宝石基板2等时，通过从光反射层21的一侧沿着切断预定线5a、5b压接刀口28，从而使以改质区域7a、7b为起点产生的龟裂26a、26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。由此，可以抑制由于刀口28的压接而对半导体层17产生损伤，并可以沿着切断预定线5a、5b容易地切断蓝宝石基板2等。
另外，对于沿着蓝宝石基板2的M面所设定的切断预定线5a，以第1形成间距形成多个改质部分，对于沿着蓝宝石基板2的A面所设定的切断预定线5b，以比第1形成间距小的第2形成间距形成多个改质部分。通过如上所述形成改质部分，从而对于从沿着切断预定线5a所形成的改质区域7a产生的龟裂26a、以及从沿着切断预定线5b所形成的改质区域7b产生的龟裂26b的两者，可以抑制它们的蜿蜒（蛇行）。
这是基于如下见解：对于切断预定线5b而言，若与切断预定线5a相同以第1形成间距形成多个改质部分，则有从沿着切断预定线5b所形成的改质区域7b产生的龟裂26b的蜿蜒变大的趋势。作为其理由，可以认为原因在于，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b，比沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a更难裂开（即，需要更大的切断力）。
另外，形成改质区域7a、7b时，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b形成改质区域7b之后，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a形成改质区域7a。如上述那样，优选对于沿着A面所设定的切断预定线5b，以比第1形成间距狭窄的第2形成间距，更高精度地形成多个改质部分。因此，通过在形成改质区域7a之前形成改质区域7b，从而在改质区域7b的形成时，在切断预定线5b与切断预定线5a交叉的部分中，可以防止用于形成改质区域7b的激光L1的照射被改质区域7a阻碍。由此，可以更有效地抑制从沿着切断预定线5b所形成的改质区域7b产生的龟裂26b的蜿蜒。
另外，在照射激光L1时，使激光L1的聚光点P1以第1相对速度沿着切断预定线5a相对地移动，使激光L1的聚光点P1以比第1相对速度慢的第2相对速度沿着切断预定线5b相对地移动。由此，可以容易而且正确地进行第1形成间距和比第1形成间距狭窄的第2形成间距的调节。
另外，在切断蓝宝石基板2等时，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b将蓝宝石基板2等切断成条状之后，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a将蓝宝石基板2等切断成芯片状。由此，可以减少沿着切断预定线5b切断蓝宝石基板2等所需要的力，并可以提高沿着切断预定线5b的蓝宝石基板2等的切断精度。这是基于这样的见解：与将沿着M面所形成的改质区域7a作为切断的起点的情况相比，将沿着A面所形成的改质区域7b作为切断的起点的情况需要更大的切断力（切断所需要的力变大）。另外，其原因在于，与在沿着切断预定线5a不切断蓝宝石基板2等的状态下沿着切断预定线5b切断蓝宝石基板2等的情况相比，在沿着切断预定线5a切断蓝宝石基板2等的状态下沿着切断预定线5b切断蓝宝石基板2等的情况需要更大的切断力。
再有，有时优选沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a将蓝宝石基板2等切断成条状之后，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b将蓝宝石基板2等切断成芯片状。由于对于切断预定线5a，以比第2形成间距宽的第1形成间距形成多个改质部分，因此，若在沿着切断预定线5b切断蓝宝石基板2等的状态下沿着切断预定线5a切断蓝宝石基板2等，则有时会降低沿着切断预定线5a的蓝宝石基板2等的切断精度。相对于此，由于对于切断预定线5b，以比第1形成间距窄的第2形成间距形成多个改质部分，因此，即使在沿着切断预定线5a切断蓝宝石基板2等的状态下沿着切断预定线5b切断蓝宝石基板2等，也可以抑制沿着切断预定线5b的蓝宝石基板2等的切断精度的降低。因此，在以改质区域7b为起点切断蓝宝石基板2等之前，通过以改质区域7a为起点切断蓝宝石基板2等，可以抑制沿着切断预定线5b的蓝宝石基板2等的切断精度的降低，并提高沿着切断预定线5a的蓝宝石基板2等的切断精度。
[第2实施方式]
第2实施方式的发光元件的制造方法与第1实施方式的发光元件的制造方法的不同点主要在于，通过激光L1的照射形成改质区域7a、7b并且使龟裂26a、26b至少预先到达蓝宝石基板2的表面2a。
即，如图17（a）所示，在蓝宝石基板2的表面2a上形成半导体层17之后，使聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5b照射激光L1。此时，通过调节激光L1的照射条件（从蓝宝石基板2的表面2a至聚光点P1的距离等），沿着切断预定线5b在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7b，以使龟裂26b至少预先到达蓝宝石基板2的表面2a。
接着，如图17（b）所示，使聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5a照射激光L1。此时，通过调节激光L1的照射条件，沿着切断预定线5a在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a，以使龟裂26a至少预先到达蓝宝石基板2的表面2a。
再有，在对于沿着蓝宝石基板2的M面所设定的切断预定线5a，以第1形成间距形成多个改质部分，对于沿着蓝宝石基板2的A面所设定的切断预定线5b，以比第1形成间距狭窄的第2形成间距形成多个改质部分等方面，与第1实施方式相同。另外，改质区域7a、7b的形成时所产生的龟裂26a、26b，如第1实施方式所述的那样，在切断蓝宝石基板2等时，在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。该龟裂26a、26b在改质区域7a、7b的形成时，可以至少到达蓝宝石基板2的表面2a，因而在改质区域7a、7b的形成时，可以到达半导体层17的内部，也可以到达半导体层17的外表面。
如以上说明的那样，根据第2实施方式的发光元件的制造方法，除了与第1实施方式的发光元件的制造方法相同的效果以外，还起到如下的效果。即，在第2实施方式的发光元件的制造方法中，沿着切断预定线5a、5b在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b，以使在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展的龟裂26a、26b至少预先到达蓝宝石基板2的表面2a。由此，例如在从光反射层21的一侧沿着切断预定线5a、5b压接刀口28时，龟裂26a、26b会开裂而容易向蓝宝石基板2的背面2b的一侧伸展，因而可以沿着切断预定线5a、5b容易地（用比较小的力）切断蓝宝石基板2等。此外，通过使龟裂26a、26b至少预先到达蓝宝石基板2的表面2a，从而可以提高半导体层17的切断精度。
另外，由于在形成光反射层21时，在用于真空蒸镀等的加热炉内配置蓝宝石基板2，因此，由于蓝宝石基板2与半导体层17的热膨胀率的差而以蓝宝石基板2的背面2b的一侧伸长且蓝宝石基板2的表面2a的一侧收缩的方式使蓝宝石基板2容易翘曲。此时，由于龟裂26a、26b到达蓝宝石基板2的表面2a，因此，蓝宝石基板2以龟裂26a、26b闭合的方式翘曲。因此，在蓝宝石基板2的背面2b形成光反射层21时，龟裂26a、26b难以到达蓝宝石基板2的背面2b。
再有，在蓝宝石基板2的背面2b形成光反射层21时，从使龟裂26a、26b难以到达蓝宝石基板2的背面2b的观点出发，优选使改质区域7a、7b的形成时所产生的龟裂26a、26b不到达半导体层17的外表面，而使其停止在蓝宝石基板2的表面2a或半导体层17的内部。
[第3实施方式]
第3实施方式的发光元件的制造方法与第1实施方式的发光元件的制造方法的不同点主要在于，通过激光L1的照射形成改质区域7a、7b并且使龟裂26a、26b预先到达蓝宝石基板2的背面2b。
即，如图18（a）所示，在蓝宝石基板2的表面2a形成半导体层17之后，使聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5b照射激光L1。此时，通过调节激光L1的照射条件（从蓝宝石基板2的表面2a至聚光点P1的距离等），沿着切断预定线5b在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7b，以使龟裂26b预先到达蓝宝石基板2的背面2b。
接着，如图18（b）所示，使聚光点P1对准蓝宝石基板2的内部，以蓝宝石基板2的背面2b作为激光入射面，沿着切断预定线5a照射激光L1。此时，通过调节激光L1的照射条件，沿着切断预定线5a在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a，以使龟裂26a预先到达蓝宝石基板2的背面2b。
再有，在对于沿着蓝宝石基板2的M面所设定的切断预定线5a，以第1形成间距形成多个改质部分，对于沿着蓝宝石基板2的A面所设定的切断预定线5b，以比第1形成间距狭窄的第2形成间距形成多个改质部分等方面，与第1实施方式相同。另外，改质区域7a、7b的形成时所产生的龟裂26a、26b，如第1实施方式所述的那样，在切断蓝宝石基板2等时，在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。
如以上说明的那样，根据第3实施方式的发光元件的制造方法，除了与第1实施方式的发光元件的制造方法相同的效果以外，还起到如下的效果。即，在第3实施方式的发光元件的制造方法中，沿着切断预定线5a、5b在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b，以使在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展的龟裂26a、26b预先到达蓝宝石基板2的背面2b。由此，例如在从半导体层17的一侧沿着切断预定线5a、5b压接刀口28、或者使贴在蓝宝石基板2的背面2b的扩展胶带29扩张时，龟裂26a、26b会开裂而容易向半导体层17的一侧伸展，因而可以沿着切断预定线5a、5b容易地（用比较小的力）切断蓝宝石基板2等。此外，通过使龟裂26a、26b预先到达蓝宝石基板2的背面2b，可以提高光反射层21的切断精度。
另外，在形成改质区域7a、7b时，由于可以使激光L1的聚光点P1远离半导体层17，因此，可以进一步地抑制因激光L1的照射而对半导体层17产生损伤。
再有，在形成光反射层21时，龟裂26a、26b会到达蓝宝石基板2的背面2b，但由于该龟裂26a、26b大致闭合，因此不会阻碍向蓝宝石基板2的背面2b的光反射层21的形成。
[第4实施方式]
第4实施方式的发光元件的制造方法与第1实施方式的发光元件的制造方法的不同点主要在于，通过激光L2的照射来切断蓝宝石基板2等。
即，如图19（a）所示，在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b之后，通过使聚光点P2对准光反射层21，并从光反射层21的一侧沿着切断预定线5b照射相对于光反射层21具有吸收性的激光（第2激光）L2，使以改质区域7b为起点产生的龟裂26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。该龟裂26b的伸展是由于激光L2在光反射层21被吸收的结果所产生的加热诱发而引起的。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b，将蓝宝石基板2等切断成条状。
接着，如图19（b）所示，通过使聚光点P2对准光反射层21，并从光反射层21的一侧沿着切断预定线5a照射激光L2，从而使以改质区域7a为起点产生的龟裂26a在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。该龟裂26a的伸展是由于激光L2在光反射层21被吸收的结果所产生的加热诱发而引起的。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a，将蓝宝石基板2等切断成芯片状。
再有，通过激光L2的照射，也可以使龟裂26a、26b仅在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展，而不到达半导体层17的外表面和光反射层21的外表面中的至少一方。在该情况下，可以通过刀口28的压接或扩展胶带29的扩张等而沿着切断预定线5a、5b作用外力，使龟裂26a、26b进一步在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展，由此沿着切断预定线5a、5b切断蓝宝石基板2等。
如以上说明的那样，根据第4实施方式的发光元件的制造方法，除了与第1实施方式的发光元件的制造方法相同的效果以外，还起到如下的效果。即，在第4实施方式的发光元件的制造方法中，由于使激光L2被光反射层21吸收并使龟裂26a、26b伸展，因此，可以抑制由于激光L2的照射而对半导体层17产生损伤，并使以改质区域7a、7b为起点产生的龟裂26a、26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。
[第5实施方式]
第5实施方式的发光元件的制造方法与第1实施方式的发光元件的制造方法的不同点主要在于，通过激光L3的照射来切断蓝宝石基板2等。
即，如图20（a）所示，在蓝宝石基板2的内部形成改质区域7a、7b之后，通过使聚光点P3对准蓝宝石基板2的内部，并从半导体层17的一侧沿着切断预定线5b照射相对于半导体层17具有透过性的激光（第3激光）L3，从而使以改质区域7b为起点产生的龟裂26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。该龟裂26b的伸展是由于在已经形成的改质区域7b或其周边部分、透过了半导体层17的激光L3被吸收的结果所产生的加热诱发、或者新的改质区域的形成而引起的。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的A面的方式设定的切断预定线5b，将蓝宝石基板2等切断成条状。再有，在半导体层17由GaN构成的情况下，相对于该半导体层17具有透过性的激光L3的波长为例如1340nm（使用Nd：YVO4激光的波长）。
接着，如图20（b）所示，通过使聚光点P3对准蓝宝石基板2的内部，并从半导体层17的一侧沿着切断预定线5a照射激光L3，从而使以改质区域7a为起点产生的龟裂26a在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。该龟裂26a的伸展是由于在已经形成的改质区域7a或其周边部分、透过了半导体层17的激光L3被吸收的结果所产生的加热诱发、或者新的改质区域的形成而引起的。由此，沿着以沿着蓝宝石基板2的M面的方式设定的切断预定线5a，将蓝宝石基板2等切断成芯片状。
再有，通过激光L3的照射，可以使龟裂26a、26b仅在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展，而不到达半导体层17的外表面和光反射层21的外表面中的至少一方。在该情况下，可以通过刀口28的压接或扩展胶带29的扩张等而沿着切断预定线5a、5b作用外力，使龟裂26a、26b进一步在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展，由此沿着切断预定线5a、5b切断蓝宝石基板2等。
如以上说明的那样，根据第5实施方式的发光元件的制造方法，除了与第1实施方式的发光元件的制造方法相同的效果以外，还起到如下的效果。即，在第5实施方式的发光元件的制造方法中，由于使激光L3透过半导体层17而被蓝宝石基板2的内部中的规定部分吸收而使龟裂26a、26b伸展，因此，可以抑制由于激光L3的照射而对半导体层17产生损伤，并可以使以改质区域7a、7b为起点产生的龟裂26a、26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。
另外，如图21所示，可以对激光L3的照射进行ON/OFF控制，仅在切断预定线5a与切断预定线5b的交叉部分进行激光L3的照射。在该情况下，可以进一步抑制由于激光L3的照射而对半导体层17产生的损伤，并可以在要求切断精度的切断预定线5a、5b的交叉部分，使以改质区域7a、7b为起点产生的龟裂26a、26b在蓝宝石基板2的厚度方向上伸展。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述各实施方式。例如，如图22所示，在形成改质区域7a（7b）时，也可以对于1条切断预定线5a（5b），以在蓝宝石基板2的厚度方向上排列的方式形成多列改质区域7a（7b）。据此，即使在蓝宝石基板2比较厚的情况下，也可以用更小的力进行切割而切断蓝宝石基板2等。
另外，可以制造作为发光元件的半导体激光。在该情况下，如图23所示，准备蓝宝石基板2，将第1导电类型半导体层即n型半导体层33a、活性层33b、以及第2导电类型半导体层即p型半导体层33c依次形成在蓝宝石基板2的表面2a。n型半导体层33a、活性层33b和p型半导体层33c例如由GaN等的III-V族化合物半导体构成，构成量子阱构造。接着，以底面位于n型半导体层33a的中途的方式沿着切断预定线5a（5b）形成凹部25，由此，形成夹着活性层33而相对的共振面35。其后，与上述的发光二极管31的制造方法相同，形成光反射层，沿着切断预定线5a（5b）切断n型半导体层33a、活性层33b和p型半导体层33c、蓝宝石基板2以及光反射层。
另外，也可以在形成改质区域7a（7b）之前研磨蓝宝石基板2的背面2b而使蓝宝石基板2薄型化。在该情况下，如图24（a）所示，以覆盖半导体层17的方式将保护胶带24贴在半导体层17。然后，如图24（b）所示，研磨蓝宝石基板2的背面2b，将蓝宝石基板2薄型化至规定厚度。
另外，作为半导体层17的材料，除了GaN等的氮化物半导体以外，还可以使用GaAlAs、GaAlAsP、GaAlInP等III-V族化合物半导体。再者，半导体层17有时直接形成在蓝宝石基板2的表面2a、或者有时经由任一膜或层而间接形成在蓝宝石基板2的表面2a。此外，在蓝宝石基板2的表面2a，也可以形成用于电连接的接触层或光反射层等。另外，在上述实施方式中，第1导电类型为n型，第2导电类型为p型，但也可以使第1导电类型为p型，第2导电类型为n型。
另外，改质区域不限于仅因多光子吸收而形成的情况，也有因相当于多光子吸收的光吸收等其他光吸收或热影响而形成的情况。即，多光子吸收是能够形成改质区域的现象的一个例子。
另外，为了使激光L1的聚光点P1沿着切断预定线5a、5b相对地移动，可以使激光光源101侧（激光光源101、分色镜103和聚光用透镜105等）移动，也可以使支撑台107和激光光源101侧的两者移动。
另外，在使用保护胶带23的上述实施方式的各个中，只要是在蚀刻时能够固定蓝宝石基板2，也可以使用保护胶带23以外的构件。例如，除了保护胶带23以外，也可以利用半导体工艺中通常使用的晶片（蓝宝石基板）的固定方法。
另外，在使用保护胶带24的上述实施方式的各个中，保护胶带24由于在后面的光反射层21的形成时因基板加热等而被置于150℃~300℃的环境下，因此，优选在光反射层21的形成时的温度下具有耐热性。另外，作为保护胶带24，为了保护半导体层17而使用弹性的树脂胶带，但只要是具有保护半导体层17的功能即可，因此，除了保护胶带24以外，也可以使用各种的保持构件。例如，可以利用作为保持构件的在表面具备粘结层的基板（由玻璃或陶瓷、金属等的刚体构成的基板），该粘结层具有与半导体层17接触并固定的功能。在这样的保持构件中，也优选在光反射层21的形成时的温度下具有耐热性。还有，保护胶带24在形成光反射层21之前，也可以重新贴在在光反射层21的形成时的温度下具有耐热性的其他的保护胶带或保护构件上。
根据本发明，可以高成品率地制造在蓝宝石基板的背面上形成有光反射层的发光元件。

Claims (56)

1.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
在所述第2工序中，沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成所述改质区域，以使所述第4工序中在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的所述龟裂至少预先到达所述蓝宝石基板的所述表面。
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线压接刀口，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
3.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
4.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
5.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
6.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
7.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
8.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
9.根据权利要求6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
10.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
11.根据权利要求8所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
12.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
13.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
14.根据权利要求3所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
15.根据权利要求4所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
16.根据权利要求5所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
17.根据权利要求6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
18.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
19.根据权利要求8所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
20.根据权利要求9所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
21.根据权利要求10所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
22.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
23.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
在所述第2工序中，沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成所述改质区域，以使所述第4工序中在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的所述龟裂预先到达所述蓝宝石基板的所述背面。
24.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线压接刀口，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
25.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
26.根据权利要求24所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
27.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
28.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
29.根据权利要求24所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
30.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第4工序中，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
31.根据权利要求28所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
32.根据权利要求29所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
33.根据权利要求30所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
34.根据权利要求23所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
35.根据权利要求24所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
36.根据权利要求25所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
37.根据权利要求26所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
38.根据权利要求27所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
39.根据权利要求28所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
40.根据权利要求29所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
41.根据权利要求30所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
42.根据权利要求31所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
43.根据权利要求32所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
44.根据权利要求33所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
45.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
46.根据权利要求45所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
47.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
在所述第4工序中，通过从所述光反射层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述光反射层具有吸收性的第2激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
48.根据权利要求47所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
49.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
还具备：在所述第3工序之后且所述第4工序之前，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展的工序，
在所述第4工序中，通过使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上进一步伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层。
50.根据权利要求49所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
51.根据权利要求49所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
52.根据权利要求50所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
53.一种发光元件的制造方法，其特征在于，
具备：
第2工序，将聚光点对准在表面上形成有III-V族化合物半导体层的蓝宝石基板的内部，以所述蓝宝石基板的背面作为激光入射面，沿着规定的切断预定线照射第1激光，由此沿着所述切断预定线在所述蓝宝石基板的内部形成改质区域；
第3工序，在所述第2工序之后，在所述蓝宝石基板的所述背面形成光反射层；
第4工序，在所述第3工序之后，通过使以所述改质区域为起点而产生的龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展，从而沿着所述切断预定线切断所述蓝宝石基板、所述III-V族化合物半导体层和所述光反射层，制造发光元件，
在所述第4工序中，通过将聚光点对准所述蓝宝石基板的内部，并从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射相对于所述III-V族化合物半导体层具有透过性的第3激光，从而使以所述改质区域为起点而产生的所述龟裂在所述蓝宝石基板的厚度方向上伸展。
54.根据权利要求53所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
仅在所述切断预定线的交叉部分，从所述III-V族化合物半导体层的一侧沿着所述切断预定线照射所述第3激光。
55.根据权利要求53所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
56.根据权利要求54所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还具备：在所述第2工序之前，在所述蓝宝石基板的所述表面上形成所述III-V族化合物半导体层的第1工序。
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