JP2004055816A - 窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子の側面に反射膜を設け、素子単品で側面方向に発光する光を反射膜により積極的に上面に取り出すようにしたものである。
【解決手段】基板2の表面側に窒化物系化合物半導体層4、5を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハ1を用いた発光素子において、発光層6の外周に形成される側面に発光波長を反射させる反射膜12を設け、素子の指向特性が変化し、製品での反射枠を形成しなくても側面方向の光を上面に取出すことが可能としたものである。
【選択図】 図1
【解決手段】基板2の表面側に窒化物系化合物半導体層4、5を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハ1を用いた発光素子において、発光層6の外周に形成される側面に発光波長を反射させる反射膜12を設け、素子の指向特性が変化し、製品での反射枠を形成しなくても側面方向の光を上面に取出すことが可能としたものである。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系化合物半導体とその製造方法に関し、特に、窒化物系化合物半導体素子の側面に反射膜を形成し、素子側面への漏れ光を効率的に上面に取出す構造の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、化合物半導体は、PN接合で生じた発光を効率的に外部に取出す事を目的に、基板も発光光に対して透明な材料が選択される。しかし、この発光光は素子全面に放射されるため、製品化に当っては反射枠を形成して側面方向の光をこの反射枠に当てて上面に取出す工夫がなされている。(特開平5−145186号公報)
また、近年、窒化物化合物半導体を用いた紫外〜緑色発光素子が量産化されているが、高硬度のサファイア基板などを用いるために微細加工が困難で、ダイヤモンドポイントで罫書き線を形成して分割するスクライブ法が用いられている程度にとどまっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
化合物半導体素子は発光光が素子全方向に放射されるため、前述のように、製品化に当っては反射枠を形成して側面方向の光を上面に取出す工夫が必要となり、部品点数の増加、反射枠の取付作業製品寸法に制約を生じさせる要因となっている。
【0004】
そこで、本発明は、発光素子の側面自体に反射膜を設け、素子単品で側面方向の発光光を積極的に上面に取出すことを課題の1つとする。
【0005】
また、前記反射膜の形成に当り、機械加工が困難であったサファイア基板等を用いた窒化物系化合物半導体の加工方法を提供することを課題の1つとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1に、発光波長に対して透光性を有する基板の表面側に、少なくとも2層以上の窒化物系半導体層を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハを用いた発光素子において、発光層の外周に形成された側面に発光波長を反射する反射膜を設けたものである。
【0007】
第2に、前記反射膜の形成に際して、前記半導体層及び基板にレーザ光を用いて窒化物系化合物半導体ウエハに溝を形成する工程と、前記溝の加工面の反応層を除去する工程と、前記溝の表面又は/及び全面に前記発光光を反射させる層を形成する工程と、前記溝の中央部及び/又は溝の外周部分でウエハ分割を行い、チップ化するものである。
【0008】
第3に、前記溝の加工面を塩素又は/及びフッ素を含むプラズマガスでドライエッチングするものである。
【0009】
第4に、前記溝の形成に際して、光取出し面の反対側よりレーザ光を照射するものである。
【0010】
第5に、ガウシアン分布形状のビームプロファイルを用いることにより、レーザ光で溝の先端をV字型にするものである。
【0011】
第6に、前記基板側よりレーザ光を照射して前記溝を形成した時のドライエッチングに際して、少なくとも形成した前記溝の周辺は基板を露出させて溝の開口部を広げるものである。
【0012】
第7に、前記反射膜を透光性の絶縁膜と金属膜の2層構造とするものである。
【0013】
第8に、前記基板が窒化ガリウム、炭化珪素、スピネル、またはサファイアで、半導体層が窒化物系化合物半導体であり、レーザ光波長が500nm以下としたものである。
【0014】
第9に、第2から第8に記載された製造方法により製造された窒化物系化合物半導体発光素子を提供するものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【0016】
図2に示すように、半導体ウエハ1を準備する。この半導体ウエハ1は、基板2の表面側に少なくとも2層以上の半導体層3を有する。基板2は、厚さが250μmのサファイア基板としているが、発光光に対して透光性を有していればそれ以外の材料、厚さのものを使用することもできる。基板2の大きさは、直径が2インチである。基板2の表面側に、n型とp型の窒化物系化合物半導体層4、5を順次積層して形成されている。n型とp型の半導体層4、5の間に発光層6が形成される。
【0017】
半導体ウエハ1は、一方の面にn型の電極7とp型の電極8を備える。n型の半導体層4にはn型用の前記電極7を接続し、p型の半導体層5にはp型用の前記電極8を接続している。p型、n型の電極を上下に形成することができる窒化ガリウム、炭化珪素などの導電性基板を用いる際にも、以下の記述内容で同様の効果が得られる。
【0018】
図3に示すように、上記半導体ウエハ1の表面の全面には、除去可能な下側の保護層(図示せず)と上側の保護層(図示せず)の2層構造とした保護膜9を形成する。下側の保護層は、フォトレジスト、ポリイミド、酸化珪素、窒化珪素などを用いてもかまわない。上側の保護層は、ニッケル、チタン及び/またはそれらを含む金属でもかまわない。その後、半導体側からレーザー光10の照射が行われる。このレーザー光10は、半導体ウエハ1、基板2にて大きな光吸収が生じる短波長領域の波長を有するものを選択した。レーザー光10の波長は、500nm以下とすることが好ましい。この例では、レーザー光10は、固体レーザーであるYAGレーザー(波長が1.06μm)の第3高調波(波長が355nm)の高出力パルスレーザーを利用したが、1.06μmなどの他の波長を用いることもできる。
【0019】
このレーザー光10を、半導体ウエハ1のX方向、あるいはY方向に走査することによって、半導体ウエハ1の表面に溝11を形成する。レーザー光10は自在に走査できるため、短形以外、丸型、多角形など、発光層を独立化できる形状であれば自由に形成できる。レーザー光のビームプロファイルはガウシアン分布の波形のものを用いた。ガウシアン分布、すなわち中心に出力のピーク分布を持つレーザー波形を用いることにより、溝11の底の断面形状をV字形状とすることができた。レーザー光10の焦点は半導体層3表面近傍に設定した。レーザー光10のパルス周波数は10KHzとした。走査のスピードは、0.75mm/secとした。レーザー光10による走査は、半導体層3と電極7、8の形成パターンに従ったピッチで行った。この例では、レーザー光10による走査を350μmのピッチでX方向とY方向に行った。
【0020】
この時、基板2に形成される溝11の深さは150μmであった。溝11は、最上部の幅が30μm、最下部の幅が5μm以下であった。基板2の厚さが250μmであるので、溝11は基板2の裏面に達しない。
【0021】
溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの20%以上とすることが、後に形成する反射膜の効果、分割時の歩留まりを高める上で好ましい。溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの90%以下とすることが、後の工程でのウエハ割れを少なくする上で好ましい。溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの50%以上80%以下とするのが、反射膜の効果、後工程での割れの抑制、分割時の歩留まりを高める上で好ましい。
【0022】
結局、溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの52%以上で80%以下が最適となる。
【0023】
レーザー光10で加工した面は、反応生成物の堆積、熱的なダメージ層が形成されるため、X(横)方向とY(縦)方向に複数の溝11が形成された半導体ウエハは、真空度1Pa、高周波電力300W、BCl3ガスを10ミリリットル/分の割合で供給し、溝のドライエッチングを行った。
【0024】
この時、窒化物系半導体層、基板がエッチングできれば他の塩素系ガス、またはフッ素系ガスを用いてもかまわない。また、保護膜の開口部をレーザー加工幅より大きく設定してプラズマを開口部に集中させることによりV字型の幅を広く形成し、チップとしてのテーパーを大きく形成することもできる。このダメージ層は金属製のブラシ等によって機械的に除去することもできる。
【0025】
その後、図1、図4に示すように、溝11の表面にAlを蒸着して反射膜12を形成した。前記反射膜の形成に際し、スパッタ、メッキ法を用いても良く、反射膜12はAgなど、他の金属、または白色等に着色された樹脂を用いても効果は得られ、溝全面を前記材料、方法によって埋めても同様の効果は得られる。また、導電性の反射膜の形成に際して電極との接触が懸念される場合、あらかじめ透光性の絶縁膜13を形成した後に前記反射膜12を形成しても同様の効果が得られる。
【0026】
下側の保護層と上側の保護層を除去して保護膜を除去した後、溝に沿って先端を鋭角としたブレイク歯を当て、図5、図6に示すように加圧分割して切断部14により半導体チップを形成した。また、反射膜12の外周に再度レーザー光を照射して溝を形成し、その位置で分割する事もできる。
【0027】
窒化物系化合物半導体素子は、素子上下の電極遮光率の小さい面を光取出し面とするほうが望ましく、本実施例においては図7に示すように、基板面を光取出し面とし、窒化物系半導体側よりレーザー光を照射して溝を形成する構造が最も効果的で、図8のように発光層の側面まで反射膜を形成すればさらに効果は大きい。しかし、これ以外の構造でも効果は得られる。
【0028】
本実施例では、基板の表側に溝を形成し、それに反射膜を形成したが、この反射膜は光源に近い位置となって光を効果的に反射できる。
【0029】
図9は、基板の裏側から溝11を形成し、それに反射膜12を形成した他の実施例を示したもので、基板の裏面から溝を形成することは基板の表面にある保護膜や半導体層に与える機械的な影響が少なくなる利点がある。
【0030】
反射膜を基板の表側に形成するか、裏側に形成するかは素子の出力や波長等の要素に応じて選択すればよい。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、図10に示すように素子の指向特性が変化し、製品での反射枠を形成しなくても側面方向の光を上面に取出すことが可能となった。また、素子の分割に際してもチッピングやクラックの発生を抑制することができる。
【0032】
特にチップ型発光装置にこのチップを用いることにより側面の反射枠が不要となり、従来はチップの幅に対して0.5mm以上必要であった製品幅が0.2mm以下に設計することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の窒化物化合物半導体発光素子の断面図である。
【図2】同じく加工前の断面図を示すものである。
【図3】同じく製造工程を示すものである。
【図4】同じく製造工程を示すものである。
【図5】同じく製造工程を示すものである。
【図6】同じく製造工程を示すものである。
【図7】同じく製造工程を示すものである。
【図8】同じく製造工程を示すものである。
【図9】同じく他の実施例を示すものである。
【図10】同じくレーザ波形のピーク分布図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ
2 基板
3 半導体層
4 n型半導体層
5 P型半導体層
6 発光層
9 保護膜
10 レーザ光
11 溝
12 反射膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系化合物半導体とその製造方法に関し、特に、窒化物系化合物半導体素子の側面に反射膜を形成し、素子側面への漏れ光を効率的に上面に取出す構造の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、化合物半導体は、PN接合で生じた発光を効率的に外部に取出す事を目的に、基板も発光光に対して透明な材料が選択される。しかし、この発光光は素子全面に放射されるため、製品化に当っては反射枠を形成して側面方向の光をこの反射枠に当てて上面に取出す工夫がなされている。(特開平5−145186号公報)
また、近年、窒化物化合物半導体を用いた紫外〜緑色発光素子が量産化されているが、高硬度のサファイア基板などを用いるために微細加工が困難で、ダイヤモンドポイントで罫書き線を形成して分割するスクライブ法が用いられている程度にとどまっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
化合物半導体素子は発光光が素子全方向に放射されるため、前述のように、製品化に当っては反射枠を形成して側面方向の光を上面に取出す工夫が必要となり、部品点数の増加、反射枠の取付作業製品寸法に制約を生じさせる要因となっている。
【0004】
そこで、本発明は、発光素子の側面自体に反射膜を設け、素子単品で側面方向の発光光を積極的に上面に取出すことを課題の1つとする。
【0005】
また、前記反射膜の形成に当り、機械加工が困難であったサファイア基板等を用いた窒化物系化合物半導体の加工方法を提供することを課題の1つとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1に、発光波長に対して透光性を有する基板の表面側に、少なくとも2層以上の窒化物系半導体層を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハを用いた発光素子において、発光層の外周に形成された側面に発光波長を反射する反射膜を設けたものである。
【0007】
第2に、前記反射膜の形成に際して、前記半導体層及び基板にレーザ光を用いて窒化物系化合物半導体ウエハに溝を形成する工程と、前記溝の加工面の反応層を除去する工程と、前記溝の表面又は/及び全面に前記発光光を反射させる層を形成する工程と、前記溝の中央部及び/又は溝の外周部分でウエハ分割を行い、チップ化するものである。
【0008】
第3に、前記溝の加工面を塩素又は/及びフッ素を含むプラズマガスでドライエッチングするものである。
【0009】
第4に、前記溝の形成に際して、光取出し面の反対側よりレーザ光を照射するものである。
【0010】
第5に、ガウシアン分布形状のビームプロファイルを用いることにより、レーザ光で溝の先端をV字型にするものである。
【0011】
第6に、前記基板側よりレーザ光を照射して前記溝を形成した時のドライエッチングに際して、少なくとも形成した前記溝の周辺は基板を露出させて溝の開口部を広げるものである。
【0012】
第7に、前記反射膜を透光性の絶縁膜と金属膜の2層構造とするものである。
【0013】
第8に、前記基板が窒化ガリウム、炭化珪素、スピネル、またはサファイアで、半導体層が窒化物系化合物半導体であり、レーザ光波長が500nm以下としたものである。
【0014】
第9に、第2から第8に記載された製造方法により製造された窒化物系化合物半導体発光素子を提供するものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【0016】
図2に示すように、半導体ウエハ1を準備する。この半導体ウエハ1は、基板2の表面側に少なくとも2層以上の半導体層3を有する。基板2は、厚さが250μmのサファイア基板としているが、発光光に対して透光性を有していればそれ以外の材料、厚さのものを使用することもできる。基板2の大きさは、直径が2インチである。基板2の表面側に、n型とp型の窒化物系化合物半導体層4、5を順次積層して形成されている。n型とp型の半導体層4、5の間に発光層6が形成される。
【0017】
半導体ウエハ1は、一方の面にn型の電極7とp型の電極8を備える。n型の半導体層4にはn型用の前記電極7を接続し、p型の半導体層5にはp型用の前記電極8を接続している。p型、n型の電極を上下に形成することができる窒化ガリウム、炭化珪素などの導電性基板を用いる際にも、以下の記述内容で同様の効果が得られる。
【0018】
図3に示すように、上記半導体ウエハ1の表面の全面には、除去可能な下側の保護層(図示せず)と上側の保護層(図示せず)の2層構造とした保護膜9を形成する。下側の保護層は、フォトレジスト、ポリイミド、酸化珪素、窒化珪素などを用いてもかまわない。上側の保護層は、ニッケル、チタン及び/またはそれらを含む金属でもかまわない。その後、半導体側からレーザー光10の照射が行われる。このレーザー光10は、半導体ウエハ1、基板2にて大きな光吸収が生じる短波長領域の波長を有するものを選択した。レーザー光10の波長は、500nm以下とすることが好ましい。この例では、レーザー光10は、固体レーザーであるYAGレーザー(波長が1.06μm)の第3高調波(波長が355nm)の高出力パルスレーザーを利用したが、1.06μmなどの他の波長を用いることもできる。
【0019】
このレーザー光10を、半導体ウエハ1のX方向、あるいはY方向に走査することによって、半導体ウエハ1の表面に溝11を形成する。レーザー光10は自在に走査できるため、短形以外、丸型、多角形など、発光層を独立化できる形状であれば自由に形成できる。レーザー光のビームプロファイルはガウシアン分布の波形のものを用いた。ガウシアン分布、すなわち中心に出力のピーク分布を持つレーザー波形を用いることにより、溝11の底の断面形状をV字形状とすることができた。レーザー光10の焦点は半導体層3表面近傍に設定した。レーザー光10のパルス周波数は10KHzとした。走査のスピードは、0.75mm/secとした。レーザー光10による走査は、半導体層3と電極7、8の形成パターンに従ったピッチで行った。この例では、レーザー光10による走査を350μmのピッチでX方向とY方向に行った。
【0020】
この時、基板2に形成される溝11の深さは150μmであった。溝11は、最上部の幅が30μm、最下部の幅が5μm以下であった。基板2の厚さが250μmであるので、溝11は基板2の裏面に達しない。
【0021】
溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの20%以上とすることが、後に形成する反射膜の効果、分割時の歩留まりを高める上で好ましい。溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの90%以下とすることが、後の工程でのウエハ割れを少なくする上で好ましい。溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの50%以上80%以下とするのが、反射膜の効果、後工程での割れの抑制、分割時の歩留まりを高める上で好ましい。
【0022】
結局、溝11の深さは、半導体ウエハ1の厚さの52%以上で80%以下が最適となる。
【0023】
レーザー光10で加工した面は、反応生成物の堆積、熱的なダメージ層が形成されるため、X(横)方向とY(縦)方向に複数の溝11が形成された半導体ウエハは、真空度1Pa、高周波電力300W、BCl3ガスを10ミリリットル/分の割合で供給し、溝のドライエッチングを行った。
【0024】
この時、窒化物系半導体層、基板がエッチングできれば他の塩素系ガス、またはフッ素系ガスを用いてもかまわない。また、保護膜の開口部をレーザー加工幅より大きく設定してプラズマを開口部に集中させることによりV字型の幅を広く形成し、チップとしてのテーパーを大きく形成することもできる。このダメージ層は金属製のブラシ等によって機械的に除去することもできる。
【0025】
その後、図1、図4に示すように、溝11の表面にAlを蒸着して反射膜12を形成した。前記反射膜の形成に際し、スパッタ、メッキ法を用いても良く、反射膜12はAgなど、他の金属、または白色等に着色された樹脂を用いても効果は得られ、溝全面を前記材料、方法によって埋めても同様の効果は得られる。また、導電性の反射膜の形成に際して電極との接触が懸念される場合、あらかじめ透光性の絶縁膜13を形成した後に前記反射膜12を形成しても同様の効果が得られる。
【0026】
下側の保護層と上側の保護層を除去して保護膜を除去した後、溝に沿って先端を鋭角としたブレイク歯を当て、図5、図6に示すように加圧分割して切断部14により半導体チップを形成した。また、反射膜12の外周に再度レーザー光を照射して溝を形成し、その位置で分割する事もできる。
【0027】
窒化物系化合物半導体素子は、素子上下の電極遮光率の小さい面を光取出し面とするほうが望ましく、本実施例においては図7に示すように、基板面を光取出し面とし、窒化物系半導体側よりレーザー光を照射して溝を形成する構造が最も効果的で、図8のように発光層の側面まで反射膜を形成すればさらに効果は大きい。しかし、これ以外の構造でも効果は得られる。
【0028】
本実施例では、基板の表側に溝を形成し、それに反射膜を形成したが、この反射膜は光源に近い位置となって光を効果的に反射できる。
【0029】
図9は、基板の裏側から溝11を形成し、それに反射膜12を形成した他の実施例を示したもので、基板の裏面から溝を形成することは基板の表面にある保護膜や半導体層に与える機械的な影響が少なくなる利点がある。
【0030】
反射膜を基板の表側に形成するか、裏側に形成するかは素子の出力や波長等の要素に応じて選択すればよい。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、図10に示すように素子の指向特性が変化し、製品での反射枠を形成しなくても側面方向の光を上面に取出すことが可能となった。また、素子の分割に際してもチッピングやクラックの発生を抑制することができる。
【0032】
特にチップ型発光装置にこのチップを用いることにより側面の反射枠が不要となり、従来はチップの幅に対して0.5mm以上必要であった製品幅が0.2mm以下に設計することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の窒化物化合物半導体発光素子の断面図である。
【図2】同じく加工前の断面図を示すものである。
【図3】同じく製造工程を示すものである。
【図4】同じく製造工程を示すものである。
【図5】同じく製造工程を示すものである。
【図6】同じく製造工程を示すものである。
【図7】同じく製造工程を示すものである。
【図8】同じく製造工程を示すものである。
【図9】同じく他の実施例を示すものである。
【図10】同じくレーザ波形のピーク分布図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ
2 基板
3 半導体層
4 n型半導体層
5 P型半導体層
6 発光層
9 保護膜
10 レーザ光
11 溝
12 反射膜
Claims (9)
- 発光波長に対して透光性を有する基板の表面側に、少なくとも2層以上の窒化物系半導体層を形成させた窒化物系化合物半導体ウエハを用いた発光素子において、発光層の外周に形成された側面に発光波長を反射する反射膜を設けたことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記反射膜の形成に際して、前記半導体層及び基板にレーザ光を用いて窒化物系化合物半導体ウエハに溝を形成する工程と、前記溝の加工面の反応層を除去する工程と、前記溝の表面又は/及び全面に前記発光光を反射させる層を形成する工程と、前記溝の中央部及び/又は溝の外周部分でウエハ分割を行い、チップ化することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝の加工面を塩素又は/及びフッ素を含むプラズマガスでドライエッチングすることを特徴とする請求項2に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝の形成に際して、光取出し面の反対側よりレーザ光を照射することを特徴とする請求項2、3に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- ガウシアン分布形状のビームプロファイルを用いることにより、レーザ光で溝の先端をV字型にすることを特徴とする請求項2から4に記載の窒化物系化合物半導体の製造方法。
- 前記基板側よりレーザ光を照射して前記溝を形成した時のドライエッチングに際して、少なくとも形成した前記溝の周辺は基板を露出させて溝の開口部を広げることを特徴とする請求項2から5に記載の窒化物系化合物半導体の製造方法。
- 前記反射膜を透光性の絶縁膜と金属膜の2層構造とすることを特徴とする請求項2から6に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板が窒化ガリウム、炭化珪素、スピネル、またはサファイアで、半導体層が窒化物系化合物半導体であり、レーザ光波長が500nm以下である請求項1から7のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体の製造方法。
- 前記請求項2から8のいずれかに記載の製造方法で製造されたことを特徴とする窒化物系化合物半導体。
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