JP2013258233A - 光デバイスの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域に電極を含む光デバイスが形成された光デバイスウエーハから光デバイスを加工する光デバイスの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面側に非導電性の反射膜を被覆して少なくとも該溝の側面に反射膜を形成する反射膜形成ステップと、該反射膜形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面の該電極上に形成された該反射膜を除去して該電極を露出させる電極露出ステップと、該電極露出ステップを実施する前又は後に、光デバイスウエーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに該溝を光デバイスウエーハの裏面に露出させて光デバイスウエーハを個々の光デバイスチップへと分割する研削ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図10
Description
12 バイト切削ユニット
13 サファイア基板
15 エピタキシャル層(発光層)
17 分割予定ライン
18 バイトホイール
19 光デバイス
20 バイト切削刃
21,23 電極
27 溝
29 非導電性反射膜
31 表面保護テープ
32 研削ホイール
33 光デバイスチップ
35 微小凹凸
38 研削砥石
37 封止材
Claims (3)
- 交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域に電極を含む光デバイスが形成された光デバイスウエーハから光デバイスを加工する光デバイスの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面側に非導電性の反射膜を被覆して少なくとも該溝の側面に反射膜を形成する反射膜形成ステップと、
該反射膜形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面の該電極上に形成された該反射膜を除去して該電極を露出させる電極露出ステップと、
該電極露出ステップを実施する前又は後に、光デバイスウエーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに該溝を光デバイスウエーハの裏面に露出させて光デバイスウエーハを個々の光デバイスチップへと分割する研削ステップと、
を備えたことを特徴とする光デバイスの加工方法。 - 前記反射膜形成ステップでは、光デバイスウエーハの表面全面に前記反射膜を被覆し、
前記電極露出ステップでは、バイト切削手段によって光デバイスウエーハの表面に被覆された該反射膜を旋削することで前記電極を露出させる請求項1記載の光デバイスの加工方法。 - 前記研削ステップを実施した後、個々の光デバイスチップを基板上にフリップチップ実装する実装ステップと、
該基板上に実装された該光デバイスチップを封止材で封止する封止ステップと、
を更に備えた請求項1又は2記載の光デバイスの加工方法。
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