JP7361810B2 - 反射層を伴うマウント上の発光デバイス - Google Patents
反射層を伴うマウント上の発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7361810B2 JP7361810B2 JP2022001541A JP2022001541A JP7361810B2 JP 7361810 B2 JP7361810 B2 JP 7361810B2 JP 2022001541 A JP2022001541 A JP 2022001541A JP 2022001541 A JP2022001541 A JP 2022001541A JP 7361810 B2 JP7361810 B2 JP 7361810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- layer
- reflector
- mount
- low refractive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Description
Claims (15)
- 上面を有するマウントと、
前記マウントの上面の部分に取り付けられた半導体発光ダイオード(LED)と、
前記LEDに隣接する前記マウントの前記上面に配置された、分布ブラッグリフレクタとしてのマルチ層リフレクタであり、屈折率が少なくとも1.2である低屈折率材料と屈折率が少なくとも2である高屈折率材料が交互に重なった少なくとも2つ以上の層を含み、全体の厚さが2μm以下である、前記マルチ層リフレクタと、
前記LEDと前記マルチ層リフレクタの上に配置された、第1屈折率を有するレンズと、
前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された低屈折率層であり、前記第1屈折率より低い第2屈折率を有し、屈折率の差異によりインターフェイスにおいて全内部反射を生じる、前記低屈折率層と、を含み、
前記マルチ層リフレクタは、少なくとも一つのポリマー層を含む、
デバイス。 - 前記マウントの上面の、前記マルチ層リフレクタと直接的に接触している部分は、金属である、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記マウントの上面の、前記マルチ層リフレクタと直接的に接触している部分は、セラミック、プラスチック、および、リードフレームのうちの一つである、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された前記低屈折率層は、1.3以下の屈折率を有する、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された前記低屈折率層は、ガラス、フッ化物ガラス、フッ化マグネシウム、多孔性材料、および、多孔性二酸化ケイ素からなるグループから選択される、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記デバイスは、さらに、
前記レンズの中に配分された波長変換材料、を含む、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された前記低屈折率層は、空気を含む、
請求項1に記載のデバイス。 - マウントの上の第1領域に対して半導体発光ダイオード(LED)を取り付けるステップと、
前記マウントの上の第2領域と直接的に接触している、分布ブラッグリフレクタとしてのマルチ層リフレクタを形成するステップであり、前記マルチ層リフレクタは、屈折率が少なくとも1.2である低屈折率材料と屈折率が少なくとも2である高屈折率材料が交互に重なった少なくとも2つ以上の層を含み、全体の厚さが2μm以下である、ステップと、
前記マルチ層リフレクタの上に低屈折率層を形成するステップであり、前記低屈折率層は、第2屈折率を有する、ステップと、
前記LED、前記低屈折率層、および前記マルチ層リフレクタにわたりレンズを配置するステップであり、前記レンズは、前記第2屈折率より高い第1屈折率を有し、屈折率の差異によりインターフェイスにおいて全内部反射を生じる、ステップと、
を含み、
前記マルチ層リフレクタは、少なくとも一つのポリマー層を含む、
方法。 - 前記マウントの前記第2領域は、金属を含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記マウントの前記第2領域は、セラミック、プラスチック、および、リードフレームのうちの一つを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記マルチ層リフレクタの上に前記低屈折率層を形成するステップは、ゾルゲル法によって、多孔性層を形成するステップ、を含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記LED、前記低屈折率層、および前記マルチ層リフレクタにわたり前記レンズを配置するステップは、別個に形成されたレンズを接着するステップ、ラミネートするステップ、および、モールドするステップのうち一つを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記レンズは、波長変換材料を含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記低屈折率層は、空気を含む、
請求項8に記載の方法。 - 上面を有するマウントと、
前記マウントの上面の部分に取り付けられた半導体発光ダイオード(LED)と、
前記LEDに隣接する前記マウントの前記上面に配置された、分布ブラッグリフレクタとしてのマルチ層リフレクタであり、屈折率が少なくとも1.2である低屈折率材料と屈折率が少なくとも2である高屈折率材料が交互に重なった少なくとも2つ以上の層を含み、全体の厚さが2μm以下である、前記マルチ層リフレクタと、
前記LEDと前記マルチ層リフレクタの上に配置された、第1屈折率を有するレンズと、
前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された低屈折率層であり、前記第1屈折率より低い第2屈折率を有し、屈折率の差異によりインターフェイスにおいて全内部反射を生じる、前記低屈折率層と、を含み、
前記マルチ層リフレクタと前記レンズとの間に配置された前記低屈折率層は、ガラス、フッ化物ガラス、フッ化マグネシウム、多孔性材料、および、多孔性二酸化ケイ素からなるグループから選択される、
デバイス。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462050481P | 2014-09-15 | 2014-09-15 | |
US62/050,481 | 2014-09-15 | ||
JP2017533739A JP2017528007A (ja) | 2014-09-15 | 2015-09-15 | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス |
PCT/US2015/050206 WO2016044284A1 (en) | 2014-09-15 | 2015-09-15 | Light emitting device on a mount with a reflective layer |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017533739A Division JP2017528007A (ja) | 2014-09-15 | 2015-09-15 | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022033347A JP2022033347A (ja) | 2022-02-28 |
JP7361810B2 true JP7361810B2 (ja) | 2023-10-16 |
Family
ID=54197128
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017533739A Pending JP2017528007A (ja) | 2014-09-15 | 2015-09-15 | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス |
JP2022001541A Active JP7361810B2 (ja) | 2014-09-15 | 2022-01-07 | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017533739A Pending JP2017528007A (ja) | 2014-09-15 | 2015-09-15 | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9508907B2 (ja) |
EP (1) | EP3195374B1 (ja) |
JP (2) | JP2017528007A (ja) |
KR (1) | KR20170060053A (ja) |
CN (1) | CN107078195B (ja) |
WO (1) | WO2016044284A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403792B2 (en) | 2016-03-07 | 2019-09-03 | Rayvio Corporation | Package for ultraviolet emitting devices |
US20180006203A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Rayvio Corporation | Ultraviolet emitting device |
KR20180033352A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캡핑층을 포함하는 유기발광 표시장치 |
WO2023164890A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | Jade Bird Display (Shanghai) Company | Micro led, micro led pannel and micro led chip |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176200A (ja) | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2003515769A (ja) | 1999-11-26 | 2003-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 分布型ブラッグ反射器,有機エレクトロルミネセント発光素子,ならびにマルチカラー発光装置 |
JP2009004659A (ja) | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010028049A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2010040761A (ja) | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2011138815A (ja) | 2009-12-25 | 2011-07-14 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011151339A (ja) | 2009-12-22 | 2011-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2012028501A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US20130056776A1 (en) | 2011-09-06 | 2013-03-07 | Genesis Photonics Inc. | Plate |
JP2013077798A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | ガラス封止ledランプ及びその製造方法 |
JP2013545288A (ja) | 2010-10-12 | 2013-12-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ledサブマウント上の高反射性コーティング |
JP2014033168A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6686676B2 (en) * | 2001-04-30 | 2004-02-03 | General Electric Company | UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same |
JP2007311707A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ushio Inc | 紫外線発光素子パッケージ |
KR20100047219A (ko) * | 2007-06-15 | 2010-05-07 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 |
JP5014182B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-08-29 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP5006242B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザ素子 |
JP5550886B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-07-16 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
CN102376843A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 陈文彬 | Led封装透镜 |
JP5582048B2 (ja) | 2011-01-28 | 2014-09-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US8680556B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
US8969894B2 (en) * | 2011-04-15 | 2015-03-03 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Light emitting diode with a micro-structure lens having a ridged surface |
TW201304199A (zh) * | 2011-07-12 | 2013-01-16 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片封裝體 |
CN105140375A (zh) * | 2011-09-29 | 2015-12-09 | 新世纪光电股份有限公司 | 基板以及发光二极管装置 |
US8907319B2 (en) * | 2011-12-12 | 2014-12-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
CN103000785A (zh) * | 2012-11-05 | 2013-03-27 | 何忠亮 | 一种led发光结构及其制作方法 |
US9536924B2 (en) * | 2012-12-06 | 2017-01-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode and application therefor |
KR101428774B1 (ko) | 2013-04-30 | 2014-08-12 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
WO2014184757A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device with an optical element and a reflector |
JP2015041709A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
EP3066698B1 (en) * | 2013-11-07 | 2022-05-11 | Lumileds LLC | Substrate for led with total-internal reflection layer surrounding led |
-
2015
- 2015-09-14 US US14/853,102 patent/US9508907B2/en active Active
- 2015-09-15 CN CN201580049783.5A patent/CN107078195B/zh active Active
- 2015-09-15 WO PCT/US2015/050206 patent/WO2016044284A1/en active Application Filing
- 2015-09-15 JP JP2017533739A patent/JP2017528007A/ja active Pending
- 2015-09-15 EP EP15770764.7A patent/EP3195374B1/en active Active
- 2015-09-15 KR KR1020177010034A patent/KR20170060053A/ko active Application Filing
-
2016
- 2016-10-31 US US15/339,637 patent/US9941454B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-07 JP JP2022001541A patent/JP7361810B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515769A (ja) | 1999-11-26 | 2003-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 分布型ブラッグ反射器,有機エレクトロルミネセント発光素子,ならびにマルチカラー発光装置 |
JP2002176200A (ja) | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2009004659A (ja) | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010028049A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2010040761A (ja) | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2011151339A (ja) | 2009-12-22 | 2011-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2011138815A (ja) | 2009-12-25 | 2011-07-14 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012028501A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2013545288A (ja) | 2010-10-12 | 2013-12-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ledサブマウント上の高反射性コーティング |
US20130056776A1 (en) | 2011-09-06 | 2013-03-07 | Genesis Photonics Inc. | Plate |
JP2013077798A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | ガラス封止ledランプ及びその製造方法 |
JP2014033168A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160079498A1 (en) | 2016-03-17 |
KR20170060053A (ko) | 2017-05-31 |
EP3195374B1 (en) | 2019-03-13 |
CN107078195B (zh) | 2020-03-03 |
WO2016044284A1 (en) | 2016-03-24 |
KR20230049771A (ko) | 2023-04-13 |
US9508907B2 (en) | 2016-11-29 |
JP2017528007A (ja) | 2017-09-21 |
US20170047493A1 (en) | 2017-02-16 |
JP2022033347A (ja) | 2022-02-28 |
US9941454B2 (en) | 2018-04-10 |
EP3195374A1 (en) | 2017-07-26 |
CN107078195A (zh) | 2017-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6933691B2 (ja) | トップエミッション型半導体発光デバイス | |
JP7361810B2 (ja) | 反射層を伴うマウント上の発光デバイス | |
TWI734110B (zh) | 照明結構及製造發光裝置之方法 | |
US8680556B2 (en) | Composite high reflectivity layer | |
JP5797640B2 (ja) | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | |
JP7089499B2 (ja) | 波長変換式半導体発光デバイス | |
JP6419077B2 (ja) | 波長変換発光デバイス | |
JP6852066B2 (ja) | テクスチャ基板を有する波長変換式発光デバイス | |
JP6749240B2 (ja) | 反射側壁を有する発光デバイス | |
US9941444B2 (en) | Light emitting diode with structured substrate | |
WO2013038304A1 (en) | Reflective coating for a light emitting device mount | |
US20170170369A1 (en) | Surface mountable light emitting diode devices | |
KR102662481B1 (ko) | 반사층을 갖는 장착부 상의 발광 디바이스 | |
JP6832282B2 (ja) | 複数の積み重ねられた発光デバイスを有するデバイス | |
KR101637583B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7361810 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |