JP2017504206A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板と、発光層を有する半導体構造と、を有する発光デバイスと、
   前記発光デバイスを横方向で取り囲むように、前記基板及び前記半導体構造の側面に接触し且つ従う第１の反射層と、
   前記発光デバイスの上に配設された波長変換素子であり、頂面及び側壁を有する波長変換素子と、
   前記波長変換素子の第１の側壁に隣接して配設されるが、前記波長変換素子の前記頂面又は第２の側壁を覆って配設されない第２の反射層であり、光の大部分が前記波長変換素子の前記頂面を出て行き、且つ当該第２の反射層に突き当たる光の大部分が前記波長変換素子へと反射され返すようにされている、第２の反射層と、
   を有するデバイス。
2. 前記第１の反射層の頂面は前記基板の頂面よりも高くない、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記波長変換素子は、前記発光デバイスとは別個に形成されて、接着剤によって前記発光デバイスに取り付けられている、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記第２の反射層は、前記第１の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子内に反射され、且つ前記波長変換素子の第２の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子から取り出されるように配設されている、請求項１に記載のデバイス。
5. 前記第１の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
6. 前記第１の反射層は、透明な成形コンパウンド内に配された反射粒子を有し、且つ
   前記第１の反射層は、前記発光デバイスを覆って成形される、
   請求項１に記載のデバイス。
7. 前記第２の反射層は、前記波長変換素子の単一の側壁のみに隣接して配設されている、請求項１に記載のデバイス。
8. 前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
9. 発光デバイスをマウントに取り付け、
   前記発光デバイスを横方向で取り囲むように、前記発光デバイスの側面に接触し且つ従って第１の反射層を形成し、
   前記発光デバイスの上に波長変換素子を配設し、当該波長変換素子は頂面及び側壁を有し、且つ
   前記波長変換素子の第１の側壁に隣接させるが、前記波長変換素子の前記頂面及び第２の側壁は覆わずに、第２の反射層を形成し、光の大部分が前記波長変換素子の前記頂面を出て行き、且つ当該第２の反射層に突き当たる光の大部分が前記波長変換素子へと反射され返すようにする、
   ことを有する方法。
10. 前記第２の反射層を形成することは、前記第１の反射層を形成することの後に行われる、請求項９に記載の方法。
11. 前記第１の反射層を形成することは成形することを有し、前記第２の反射層を形成することは噴き付けることを有する、請求項９に記載の方法。
12. 前記第１の反射層を形成することは、前記第２の反射層を形成することとは異なる技術によって前記第１の反射層を形成することを有する、請求項９に記載の方法。
13. 前記発光デバイスの上に前記波長変換素子を配設することは、プリフォームされた波長変換素子を前記発光デバイスの頂面に接着することを有する、請求項９に記載の方法。
14. 前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射するものである、請求項９に記載の方法。