WO2017167981A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

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WO2017167981A1
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optoelectronic semiconductor
carrier
composite body
optoelectronic
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David Racz
Matthias Sperl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to a method for herstel ⁇ len an optoelectronic component and a optoelekt ⁇ ronisches component.
  • This patent application claims the priority of German patent application DE 10 2016 105 868.8, which is dependent Offenbarungsge ⁇ hereby incorporated by reference.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. Another object of the present invention is to provide an optoelectronic component slimzu ⁇ . These objects are achieved by a method for producing an optoelectronic component and by an optoelectronic component having the features of the independent claims. In the dependent claims various developments are given.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a carrier with an upper side, for arranging a portion of a first material over the upper side of the carrier, for impressing an optoelectronic semiconductor chip in the portion of the first material such that a front side of the optoelectronic component see semiconductor chips facing the top of the carrier, for arranging a second material over the top of the carrier such that the portion of the first material and the optoelectronic semiconductor chip are at least partially embedded in the second material, whereby a composite ⁇ body with one of the top of the Carrier facing front is formed, and for detachment of the composite body from the carrier.
  • the composite body of the optoelectronic component produced by this method has two different materials, in which the optoelectronic semiconductor chip is embedded.
  • the two materials can have different reflective properties, whereby the optoelectronic Bauele ⁇ element produced by this method may advantageously comprise an optimized extraction efficiency.
  • optoelectronic component emitted light is substantially coupled into the immediately adjoining the optoelectronic semiconductor chip
  • first material is a by the opto-electro ⁇ African semiconductor chip in a lateral direction and can be reflected at an interface between the first material and the second material, to be decoupled from the composite ⁇ body of the optoelectronic device.
  • a particular advantage of this production method is that the opto ⁇ electronic component obtainable by the method can have very compact external dimensions, which are substantially of the same order of magnitude as the dimensions of the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
  • the method advantageously can be carried out inexpensively and is suitable for mass production.
  • the optoelectronic semiconductor chip is designed as a sapphire flip chip.
  • the optoelectronic component obtainable by the method, it is also possible for light emitted by the sapphire flip chip to be emitted in the lateral direction is coupled out with high efficiency from the optoelectronic device and thus can be made available for use.
  • the front side of the optoelectronic semiconductor chip and oriented perpendicular to the front side of the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip by the first material will be ⁇ networked.
  • One of the front side of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip opposite rear side of the optoelectronic semiconductor chip ⁇ rule is, however, not wetted by the first material.
  • the wetting of the front and side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip by the first material is advantageously achieved that, by the optoelectronic semiconductor chip is emitted light substantially completely Schemekop ⁇ pelt in the first material.
  • the first material is transparent to light that can be emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic component obtainable by the method, a particularly effective coupling of light emitted by the optoelectronic semiconductor chip into the first material is made possible.
  • the light coupled into the first mate rial ⁇ light is often absorbed into the first material only to a minor extent.
  • the first mate ⁇ rial silicone In one embodiment of the method, the first mate ⁇ rial silicone.
  • the first material can be a high or have a low refractive index.
  • the first material is inexpensive in this case it ⁇ biblich.
  • the second mate rial ⁇ is formed to reflect by the optoelectronic semiconductor chip emittierbares light.
  • the second material may comprise, for example, a filler, for example T1O 2 , filled silicone or a molding material, for example a molding material based on silicone or epoxide or a hybrid material.
  • the second mate ⁇ rial is positioned over the top of the carrier, that a back-side of the optoelectronic semiconductor chips opposite to a front of the optoelectronic semiconductor chip back side of the opto-electro ⁇ African semiconductor chip is disposed, uncovered by the second material remains ,
  • the second mate rial is ⁇ by casting on the upper side of the carrier angeord- net.
  • the second mate rial ⁇ is so disposed over the top of the carrier, that one of the front side of the optoelectronic semiconductor chip is covered against ⁇ opposite rear side of the optoelectronic semiconductor chip by the second material.
  • this allows a particularly simple, fast and cost- effective arrangement of the second material over the top of the carrier.
  • the second mate rial is positioned ⁇ by a molding process over the upper surface of the support.
  • the method thereby enables a production of a composite body with particularly robust mechanical properties.
  • a further step is performed to remove a portion of the second material to expose a angeord ⁇ designated at the rear of the optoelectronic semiconductor chip back-side of the optoelectronic semiconductor chip after the placing of the second material.
  • this electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip obtainable by the process of the optoelectronic component on the back side of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip becomes possible.
  • the removal of the part of the second material is carried out by grinding.
  • the method is therefore particularly easy, fast and inexpensive to carry out.
  • a further step is performed for applying electrical backside contacts electrically connected to the backside metallization.
  • the voltage applied by this procedural ⁇ ren backside contacts provide electrical PLEASE CONTACT ⁇ tion of the component obtainable by the process, examples
  • an electrical contacting according to a method for surface mounting in particular, for example, an electrical contacting by reflow soldering (reflow soldering).
  • a further step is performed for disposing a wavelength-converting material at the front of the composite.
  • the side of the advantages of the composite body arranged wellenhavenkonver ⁇ animal material can be used in the avai ⁇ chen by the process of the optoelectronic component to at least to convert a part of light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component light into light of another wavelength.
  • the optoelectronic component obtainable by the method can, for example, enable a generation of white light.
  • the method of arranging the wavelength converting material is carried out by laminating a film having a wavelength-material by spraying a wavelength converting material, or by applying a welleninkonvertie ⁇ leaders material by a molding process.
  • the method enables a simple and characterized kos ⁇ -effective arrangement of the wavelength converting material at the front of the composite body.
  • the carrier is provided with a layer of wavelength-converting material disposed over its top.
  • the portion of the first material is arranged on the position of the wavelength-converting material.
  • the position of the wave ⁇ length-converting material remains after the detachment of the composite body of the carrier at the front of the Ver ⁇ composite body.
  • the composite body of the optoelectronic component is already formed on the position of the wavelength-converting element. builds, whereby the optoelectronic component obtainable by methods has a wavelength-converting element ⁇ .
  • This wavelength-converting element may ment in which obtainable by the process optoelectronic Bauele- serve to convert at least a portion of light emitted by the opto-electronic ⁇ semiconductor chip of the optoelectronic component light into light of another wavelength.
  • the carrier is provided with a releasable adhesive film arranged on its upper side. To detach the composite body from the carrier, the adhesive film is detached from the carrier.
  • the adhesive film may be, for example, a thermally releasable adhesive film or an adhesive film which can be released by irradiation with UV light.
  • several portioning are ones of the first material over the top of the carrier to ⁇ sorted.
  • an optoelectronic semiconductor chip in each portion of the first material is formed so that it comprises the plurality of opto ⁇ electronic semiconductor chips.
  • a further step is performed for dividing the composite body such that each part comprises an optoelectronic semiconductor chip.
  • the method made possible by a pa ⁇ rallele producing a plurality of optoelectronic Bauimplantation in common processing steps. As a result, the processing time required for producing an optoelectronic component and the costs for producing an optoelectronic component decrease.
  • An optoelectronic component has a composite body which comprises an optoelectronic semiconductor chip, a first material and a second material.
  • An oriented to a pre ⁇ the side of the composite front of the opto electronic semiconductor chips and oriented perpendicular to the front side of the optoelectronic semiconductor chip soflä ⁇ Chen of the optoelectronic semiconductor chip are at least partially covered by the first material.
  • the optoelectronic semiconductor chip and the first material are at least partially embedded in the second material. In this case, the second material is not disposed over the front of the optoelectronic ⁇ 's semiconductor chip.
  • a rear side of the composite facing the front of the composite has electrical backside contacts.
  • the interface between the first material and the second material of the composite body of this optoelectronic component forms a reflector for light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of this optoelectronic component.
  • Light emitted by the optoelectronic semiconductor chip is at least partially coupled into the first material of the composite body and reflected at the interface between the first material and the second material, whereby it is discharged from the composite body of the optoelectronic component.
  • a high coupling-out efficiency for light emitted by the optoelectronic semiconductor chip is achieved.
  • ⁇ adhesive is at least partially radiated also in the case that by the optoelectronic semiconductor chip see light emitted by the optoelectronic semiconductor chip in lateral Rich ⁇ processing.
  • electrical backside contacts allow electrical contacting of the optoelectronic component.
  • the optoelectronic component can thereby be suitable, for example, as an SMD component for surface mounting, for example, for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
  • the optoelectronic component is a wavelength ⁇ converting material is arranged at the front of the composite body.
  • the wavelength conversion The material that is emitted is intended to convert light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of this optoelectronic component at least partially into light of another wavelength.
  • the optoelectronic component can, for example, enable a generation of white light.
  • FIG. 1 is a sectional side view of a use ⁇ th in a first embodiment of a manufacturing method wearer;
  • FIG. 2 shows the carrier with a layer of a wavelength-converting material arranged above it;
  • FIG. 3 shows the carrier with droplets of a first material arranged above it
  • FIG. 4 shows the carrier with optoelectronic semiconductor chips pressed into the drops
  • FIG. 5 shows a first wetting behavior of the first material
  • FIG. 6 shows a second wetting behavior of the first material
  • 7 shows the support with a formed by placing a second material over the top of the carrier composite ⁇ body
  • FIG. 8 shows the composite body after detachment from the carrier
  • FIG. 9 shows the carrier after being placed on a sawing foil
  • Figure 10 is a formed by cutting the carrier ⁇ opto-electronic device as a first embodiment
  • Figure 11 is a sectional side view of a carrier used in a method according to a second embodiment
  • FIG. 12 shows the carrier with droplets of a first material arranged above it;
  • FIG. 13 shows the carrier with optoelectronic semiconductor chips pressed into the first material;
  • Figure 14 illustrates the carrier with a composite formed by placing a second material over the carrier
  • Figure 15 shows the composite body after detachment from the carrier
  • FIG. 16 shows the composite body attached to another carrier with wavelength-converting material arranged above its front side
  • FIG. 17 shows the composite body after cutting
  • Figure 18 is a formed from a part of the composite body optoelectronic component according to a second exporting ⁇ approximate shape
  • Figure 19 is a sectional side view of a carrier used in a method according to a third embodiment.
  • FIG. 20 shows the carrier with droplets of a first material arranged above it;
  • FIG. 21 shows the carrier with optoelectronic semiconductor chips pressed into the drops;
  • Figure 22 shows the carrier with a composite formed by placing a second material over the carrier;
  • Figure 23 shows the carrier with the composite after removal of a portion of the second material
  • FIG. 24 shows the carrier and the composite body having disposed on a rear surface of the composite body outer metallization ⁇ tion;
  • Figure 25 to which is arranged on a further carrier composite body with integrally arrange ⁇ system on a front side of the composite wavelength-converting material;
  • FIG. 26 shows the composite body after a cutting
  • Figure 27 is a polymer formed from a portion of the composite body optoelectronic component according to a third exporting ⁇ approximate shape.
  • 1 shows a schematic representation of a sectional side view of a carrier 100, which can be used in a first variant of a method for producing an optoelectronic component.
  • the carrier 100 has a flat upper side 101.
  • a releasable adhesive ⁇ foil 200 is arranged at the top 101 of the carrier 100 at the top 101 of the carrier 100.
  • the adhesive bond between the adhesive ⁇ foil 200 and the top 101 of the carrier 100 can be released, for example by a thermal process or by irradiation with UV light.
  • Figure 2 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the releasable adhesive film 200 in one of Representation of Figure 1 temporally subsequent processing status.
  • the wavelength converting sheet 300 has a wavelength-material which is adapted to convert light with a Wel ⁇ lenmother from a first spectral region at least partly into light having a wavelength from a second spectral range.
  • the wavelength-Materi ⁇ al of the wavelength converting sheet 300 may for example be adapted to convert light having a wavelength in the blue or ultraviolet spectral range into light having a wavelength in the yellow or orange spectral range.
  • the wavelength-converting arc 300 has a flat, leaf-like shape and is provided on both sides with a protective cover layer.
  • a first cover layer 301 is arranged on the side of the wavelength-converting curve 300 facing away from the carrier 100.
  • a second capping ⁇ layer 302 is disposed on the support 100 to the side facing the wavelength converting sheet 300 and communicates with the releasable adhesive sheet 200 in contact.
  • Figure 3 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 200 and the wave ⁇ length-converting sheet 300 in a representation of Figure 2 temporally subsequent processing status.
  • the first cover layer 301 of the wavelength-Bo ⁇ gens 300 has been removed, for instance by peeling, to expose the wavelength-converting material of the wavelength converting sheet ⁇ 300th
  • portions 410 of a first Materi ⁇ than 400 have been arranged on the wavelength-converting arc 300.
  • four portions 410 of the first material 400 are shown.
  • a significantly larger number of portions 410 of the first material 400 may have been disposed on the wavelength converting sheet 300.
  • the portions 410 may have been positioned 300, for example, in a regular two-dimensional pattern on the upper surface of the wavelength-arc, for example in the form of a ⁇ eckgitters.
  • the individual portions 410 of the first material 400 are spaced apart.
  • the portions 410 may ⁇ example, be formed as small droplets.
  • the portions 410 of the first material 400 may have been positioned on the wavelength converting sheet 300, for example by Na ⁇ deldosieren (dispensing).
  • FIG. 4 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and of the components arranged above the upper side 101 of the carrier 100 in a processing state which chronologically follows the representation of FIG.
  • an optoelectronic semiconductor chip 500 has been pressed in each case.
  • the optoelectronic semiconductor chip 500 are formed to emit light, for example light having a wave length in the ultraviolet or ⁇ from the blue spectral range.
  • the optoelectronic semiconductor chips 500 may be, for example, light-emitting diode chips.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 500 has a front ⁇ page 501 and a front 501 opposite backside 502. Between the front sides 501 and the rear sides 502 extend side surfaces 503, which are oriented essentially perpendicular to the front sides 501 and the rear sides 502.
  • the optoelectronic semiconductor chips 500 are designed as flip chips and can be electrically contacted on their rear sides 502. For this purpose points the backside 502 of each optoelectronic semiconductor die 500 has a backside metallization 510 that provides both anode and cathode contacts.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chip 500 may be formed for example as sapphire flip-chips.
  • the sapphire side forms at each optoelectronic semiconductor chip 500, the front side 501 of the respective optoelectronic semiconductor chip 500.
  • the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 500 light is radiated in this case, on the front sides 501 and on the side surfaces 503 of the optoelectronic semiconductor chip 500th
  • the optoelectronic semiconductor chips 500 have been pressed into the portions 410 of the first material 400 such that the front sides 501 of the optoelectronic semiconductor chips 500 face the top side 101 of the carrier 100.
  • the size of the portions 410 of the first material 400 which Ma ⁇ material characteristics of the first material 400 and for pressing of the optoelectronic semiconductor chip spent in the portions 410 of the first material 400 500 force have been dimensioned so that when pressing the optoelectronic semiconductor chip 500 in the Portions 410 of the first material 400 in each optoelectronic semiconductor chip 500, the front side 501 and the side surfaces 503 have been wetted by the first material 400.
  • the rear sides 502 of the optoelectronic semiconductor chips 500 have not been wetted by the first material 400.
  • the exact wetting behavior between the first material 400 and the optoelectronic semiconductor chip 500 depends on the size of the portions 410 of the first material 400, the force with which pressed into the portions 410 of the first material 400, the optoelectronic semiconductor chip 500 ⁇ the, by the thixotropy of the first material 400 and surface energy. By changing these parameters, the wetting behavior can be influenced.
  • FIG. 5 shows an example of a first wetting behavior in a schematic enlarged representation.
  • FIG. 6 shows in schematic form Scher enlarged representation of an example of a second wetting behavior.
  • FIGS. 5 and 6 each show a schematic sectional side view of an optoelectronic semiconductor chip 500 pressed into a portion 410 of the first material 400.
  • the first material 400 wetted respectively the front side 501 of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 500.
  • a thin front layer 420 of the first material 400 Between the front surface 501 of the optoelectronic semiconductor chip 500 and the wel ⁇ lendorfnkonvert Schlierenden sheet 300 remains in both cases, a thin front layer 420 of the first material 400. the thickness of this front-side layer 420 depends on the properties of the first material 400 and by the force with which the optoelectronic semiconductor chip is pressed into the Por ⁇ tion 410 of the first material 400 500th
  • the first material wetted 400 in the examples of Figures 5 and 6 also each comprise at least parts of the side surfaces 503 of the optoelectronic semiconductor chip 500. It is Güns ⁇ kind, when the first material 400, the side surfaces 503 of the optoelectronic semiconductor chip 500 almost completely, or almost up to the Rear side 502 of the optoelectronic semiconductor chip 500, wetted.
  • the portion 410 of the first material 400 comprises Au ⁇ .kontur 430 after the A ⁇ press of the optoelectronic semiconductor chip 500th
  • the shape of the outer contour 430 can, as in the example of FIG. 5, be convex or, as in the example of FIG. 6, concave.
  • the shape of the outer contour 430 shown in FIG. 6 can offer the advantage in the method described here that the angle of the interface formed on the outer contour 430 in the component obtainable by the method becomes flatter toward the front side 501 of the optoelectronic semiconductor chip 500.
  • the first material 400 is transparent to light that can be emitted by the opto ⁇ electronic semiconductor chips 500.
  • the For example, first material 400 may include silicone. Since ⁇ when the first material 400 may be silicon having a high Bre ⁇ chung index or a low refractive index.
  • FIG. 7 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the components arranged above it in a processing state which follows the illustration of FIG. Over the wavelength converting sheet 300, a second material 600 has been arranged. The portions 410 of the first material 400 and the optoelectronic semiconductor chips 500 have been embedded in the second material 600. As a result, a composite body 700 has been formed which comprises the optoelectronic semiconductor chips 500, the portions 410 of the first material 400 and the second material 600.
  • the second material 600 has been arranged above the wavelength-converting arc 300 such that the backsides
  • the second material 600 may, for example, have been arranged by casting over the wavelength-converting arc 300.
  • the second material 600 is formed, animals reflected light through the 500 emittierbares optoelekt ⁇ tronic semiconductor chips.
  • the second material 600 may comprise, for example, a white color ⁇ SSE.
  • the second material 600 may, for example, comprise silicone and reflective particles embedded in the silicone.
  • the reflective particles may, for example, comprise T1O 2 .
  • the second material 600 may also be a hybrid material that contains silicon and another Materi ⁇ al, for example, an epoxy having,.
  • the portions 410 of the ERS ⁇ th material 400 and the optoelectronic semiconductor chip 500 formed composite body 700 has a front side 701 and a front 701 opposite backside 702.
  • the front side 701 of the composite body 700 is oriented in Rich ⁇ tion to the top 101 of the carrier 100 and abuts the wavelength converting arc 300 at.
  • the wavelength-converting arc 300 is connected to the front side 701 of the composite body 700.
  • the front sides 501 of the optoelectronic semiconductor chips 500 are oriented towards the front side 701 of the composite body 700.
  • the front-side layers 420 of the first material 400 arranged over the front sides 501 of the optoelectronic semiconductor chips 500 adjoin the front side 701 of the composite body 700.
  • the return ⁇ sides lie on the rear side 702 of the composite body 700,502 of the optoelectronic semiconductor chip 500 and arranged on the rear sides 502 of the optoelectronic semiconductor chip 500 rear-side 510 of the optoelectronic semiconductor chip 500 free.
  • the second material 600 adjoins the portions 410 of the first material 400.
  • boundary surfaces 710 which have the shape of the outer contours 430 are formed on the outer contours 430 of the portions 410 of the first material 400.
  • FIG. 8 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 and of the front side 701 of FIG
  • the composite body 700 has been detached from the carrier 100 by detaching the releasable adhesive film 200 from the upper side 101 of the carrier 100.
  • the detachment of the releasable adhesive film 200 from the carrier 100 may be effected for example by a thermal treatment or by irradiation with UV light.
  • the releasable adhesive sheet 200 and the second cover sheet 302 were removed from the wavelength-converting sheet 300 and the composite body 700, for example, by peeling.
  • FIG. 9 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 and of the wavelength-converting arc 300 arranged on the front side 701 of the composite body 700 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • the composite body 700 and the befes- preferential to the composite body 700 wavelength-sheets 300 are disposed on an SAE ⁇ gefolie 110th
  • the composite body 700 and the wavelength-converting arc 300 have been arranged on the sawing foil 110 such that the front side 701 of the composite body 700 is oriented to the sawing foil 110 and the wavelength-converting arc 300 abuts against the sawing foil 110.
  • the composite body 700 has been divided into a plurality of individual parts 720.
  • the cutting of the composite body 700 is carried out so that each part 720 of the composite ⁇ body 700 includes an embedded optoelectronic semiconductor chip 500th
  • the wavelength-converting arc 300 has been split together with the composite body 700, so that a part of the wavelength-converting arc 300 is attached to each part 720 of the composite body 700.
  • FIG. 10 shows a schematic sectional side view of an optoelectronic component 10 according to a first embodiment.
  • the optoelectronic component 10 has been formed by a portion 720 of the composite body 700 and it ⁇ be strengthened part of the wavelength-arc 300 and detached from the dicing tape 110th
  • the exposed on the rear side 702 of the portion 720 of the composite body 700 rear-side 510 of the optoelectronic semiconductor chip 500 forms electrical remindckkon ⁇ contacts 730 of the optoelectronic component 10.
  • the opto ⁇ electronic component 10 can be contacted via the electrical return ⁇ -side contacts 730 electrically.
  • the opto-electronic component 10 can be used, for example, as an SMD
  • Component be provided for surface mounting, in ⁇ example, for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
  • reflow soldering reflow soldering
  • light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 500 on the front side 501 and on the side surfaces 503 of the optoelectronic semiconductor chip 500 is coupled into the transparent first material 400.
  • the light coupled into the first material 400 is reflected at the interface 710 between the first material 400 and the second material 600 and thereby deflected by the shape of the interface 710 with high probability in the direction of the front side 701 of the composite body ⁇ 700.
  • the probability that at the interface 710 reflected light is reflected back into the optoelectronic ⁇ rule semiconductor chip 500 and there is sorbed from ⁇ is low.
  • Light emitted at the front side 501 of the optoelectronic semiconductor chip 500 can also travel directly to the front side 701 of the composite body 700.
  • the light enters the wavelength-converting arc 300 which emits at least part of the light emitted through the optoelectronic semiconductor chip 500 Light in light of another world lenaded.
  • a mixture of the unconverted and the converted light is radiated through the optoelectronic component 10 and may, for example, have a white light color.
  • Figure 11 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 already described with reference to FIG 1 with the disposed on the top 101 of the carrier 100 lösba ⁇ ren adhesive sheet 200th
  • FIG. 12 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 in a processing state that chronologically follows the illustration of FIG. 11.
  • FIG. 13 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the components arranged above the upper side 101 of the carrier 100 in a processing state which follows the representation of FIG.
  • FIG. 14 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the components arranged above the upper side 101 of the carrier 100 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • a second material 600 has been arranged such that, as be ⁇ written with reference to FIG 7, a composite has been formed 700, the portions 410 of the first material 400, the optoelectronic semiconductor chip 500 and the second material 600 includes.
  • the front side 701 of the composite body 700 rests on the releasable adhesive film 200 in the processing state shown in FIG.
  • Figure 15 shows a schematic side cutaway view of the composite body 700 after peeling the composite body 700 from the carrier 100.
  • the releasable adhesive sheet 200 together with the composite body 700 attached to the releasable adhesive sheet 200 from the top 101 of the carrier 100 apply ⁇ triggers, for example by a thermal process or by irradiation with UV light.
  • the lösba ⁇ re adhesive sheet was peeled off 200 from the front side 701 of the composite body 700, for example by peeling.
  • FIG. 16 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 in a processing state which follows the representation of FIG.
  • the composite body 700 has been attached to another carrier 120 by means of a further adhesive film 210.
  • the composite body 700 has been fastened to the further carrier 120 such that the rear side 702 of the composite body 700 in FIG.
  • a wavelength-material 310 on the front side 701 of the composite body 700 is disposed wor ⁇ .
  • the wavelength-converting material 310 is provided to at least partially convert light emitted by the optoelectronic semiconductor chips 500 into light of another wavelength.
  • the wavelength converting material 310 may ⁇ example, as a film over the front 701 of the composite body 700 laminated.
  • the wavelength-converting material 310 may also have been applied by spraying onto the front side 701 of the composite body 700.
  • Have been the waves ⁇ nostinkonvert Schlierende material 310 may also by a molding process ⁇ (Moldmaschine) on the front side 701 of the composite body 700 is applied.
  • Figure 17 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 fixed to the further support 120 and on the front side 701 of the composite body 700.
  • ⁇ ordered wavelength-converting material 310 in one of the representation of Figure 16 temporally succeeding processing status.
  • FIG. 18 shows a schematic sectional side view of an optoelectronic component 20 according to a second embodiment, which is formed by one of the parts 720 of the composite body 700 and the associated part of the wavelength-converting material 310 shown in FIG. 17 and detached from the further carrier 120 and the further adhesive film 210 has been.
  • the parts of the optoelectronic Bauele ⁇ ments 20 and its operation are similar to those of the optoelectronic component 10 of FIG 10th
  • FIG. 20 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the releasable adhesive film 200 in a processing state which follows the representation of FIG. Portions 410 of the first material 400 have been arranged on the detachable adhesive film 200, as has been described with reference to FIG.
  • FIG. 21 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the component arranged above the upper side 101 of the carrier 100 in a processing state which follows the representation of FIG.
  • FIG. 21 differ from those shown in Figure 13 the optoelectronic semiconductor chip 500, however, in that its back-side 510 has a greater thickness ⁇ .
  • the thickness of the backside metallizations 510 of the optoelectronic semiconductor chips 500 measured in the direction perpendicular to the rear sides 502 of the optoelectronic semiconductor chips 500 can be, for example, greater than 10 ⁇ m.
  • the back-side metallization 510 of the optoelectronic semiconductor chips 500 can have, for example, galvanically applied copper or posts made of nickel.
  • FIG. 22 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the components arranged above the upper side 101 of the carrier 100 in a processing state which chronologically follows the representation of FIG. 21.
  • a second material has been positioned 600 so that the portions 410 of the first mate rials ⁇ 400 and the optoelectronic semiconductor chip 500 to-least partially into the second material 600 embedded wor ⁇ .
  • a composite body 700 has been formed, which comprises the second material 600, the portions 410 of FIG first material 400 and the optoelectronic semiconductor chips 500.
  • the front face 701 of the collar body Ver ⁇ 700 thus formed is applied to the releasable adhesive sheet 200th
  • the second material 600 has been, however, arranged on the releasable adhesive film 200, that the return ⁇ sides 502 of the optoelectronic semiconductor chip 500 and arranged on the rear sides 502 of the optoelectronic semiconductor chip 500 rear-side 510 of the optoelectronic semiconductor chip 500 have been covered by the second material 600.
  • a portion 610 of the second material 600 is thereby disposed over the backside metallizations 510 on the backsides 502 of the optoelectronic semiconductor chips 500.
  • the arrangement of the second material 600 can be effected, for example, by a molding process (molding process), in particular, for example by compression molding or by film-assisted transfer molding.
  • the second material 600 may in the process described with reference to FIGS 19 to 27 processes, for example as a molding material (molding compound) may be formed, for example as Sili ⁇ kon-form material or as epoxy molding material. As in the variants of the production method described above, the second material 600 is reflective for light emitted by the opto ⁇ electronic semiconductor chips 500 and may for example have a white color.
  • a molding material molding compound
  • the second material 600 is reflective for light emitted by the opto ⁇ electronic semiconductor chips 500 and may for example have a white color.
  • Figure 23 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 200 and the composite ⁇ body 700 in one of the representation of Figure 22 temporally subsequent processing status.
  • the backside metallizations 510 of the optoelectronic half conductor chip 500 arranged portion 610 of the second material 600 has been removed to expose the back side metallizations 510 of the optoelectronic semiconductor chips 500 at the back 702 of the composite body 700.
  • the removal of the part 610 of the second material 600 can be done, for example, by grinding or by abrasive irradiation with a medium.
  • Figure 24 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 200 and the composite ⁇ body 700 in one of the representation of Figure 23 temporally subsequent processing status.
  • outer metallization 740 can be done, for example, by a lithographic process in combination with sputtering, vapor deposition or another deposition process.
  • the outer metallization 740 may also have been thickened by a galvanic process.
  • Figure 25 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 in one of the representation of Figure 24 temporally subsequent processing status.
  • processing status of the composite body 700 was first peeled off from the carrier 100 by first replaced the releasable adhesive sheet 200 from the upper ⁇ page 101 of the carrier 100, and then the lös ⁇ bare adhesive sheet 200 from the front side 701 of the Verbundkör ⁇ pers 700 was removed. Subsequently, the composite body 700 was fastened by means of a further adhesive film 210 to a further carrier 120. In this case, the composite body 700 has been arranged so that the rear side 702 of the composite body 700 is oriented to the further carrier 120 and abuts against the further adhesive film 210.
  • FIG. 26 shows a schematic sectional side view of the composite body 700 fastened to the further carrier 120 and the wavelength-converting material 310 in a processing state following in the illustration of FIG.
  • the composite body 700 and the wavelength-Ma ⁇ TERIAL 310 were divided so that each part 720 of the composite body 700 comprises an optoelectronic semiconductor chip 500th
  • the dicing of the composite 700 and the wavelength converting material 310 may be done, for example, by sawing.
  • FIG. 27 shows a schematic sectional side view of an optoelectronic component 30 according to a third embodiment.
  • the optoelectronic component 30 is formed by one of the parts shown in Figure 26, 720 of the composite body 700 and associated with this part 720 of the Verbundkör ⁇ pers 700 part of the wavelength-converting material 310 and of the further support 120 and the other adhesive film was peeled 210th
  • the outer metallization 740 arranged on the rear side 702 of the part 720 of the composite body 700 forms electrical rear side contacts 730 of the optoelectronic component 30, which make electrical contact with the optoelectronic component
  • the optoelectronic component 30 can be provided for example as a SMD component for a Oberflä ⁇ chenmontage, for example for a Oberflä ⁇ chenmontage by reflow soldering (reflow soldering).
  • the method described above with reference to FIGS . 19 to 27 provides the wavelength-converting material 310, as in the case of that described with reference to FIGS. 11 to 18 Method to arrange only after the formation of the composite body 700 on the front side 701 of the composite body 700.
  • by the method described in Figu ⁇ ren 19 to 27 method in which the rear-side 510 of the optoelectronic semiconductor chip 500 are initially covered by the second material 600, and only then exposed again.

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, zum Anordnen einer Portion eines ersten Materials über der Oberseite des Trägers, zum Eindrücken eines optoelektronischen Halbleiterchips in die Portion des ersten Materials derart, dass eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist, zum Anordnen eines zweiten Materials über der Oberseite des Trägers derart, dass die Portion des ersten Materials und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das zweite Materialeingebettet werden, wodurch ein Verbundkörper mit einer der Oberseite des Trägers zugewandten Vorderseite gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements sowie ein optoelekt¬ ronisches Bauelement. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 105 868.8, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, mit Gehäusen auszubilden, deren Ab¬ messungen die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements nicht wesentlich überschreiten. Die US 2014/0027804 AI beschreibt ein Verfahren zum Herstellen solcher optoelektronischer Bauelemente, bei dem optoelektronische Halbleiterchips in ein reflektie¬ rendes Material eingebettet werden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzu¬ stellen. Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen der unabhän- gigen Ansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, zum Anordnen einer Portion eines ersten Materials über der Oberseite des Trägers, zum Eindrücken eines optoelektronischen Halbleiterchips in die Portion des ersten Materials derart, dass eine Vorderseite des optoelektroni- sehen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist, zum Anordnen eines zweiten Materials über der Oberseite des Trägers derart, dass die Portion des ersten Materials und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das zweite Material eingebettet werden, wodurch ein Verbund¬ körper mit einer der Oberseite des Trägers zugewandten Vorderseite gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger. Der durch dieses Verfahren hergestellte Verbundkörper des optoelektronischen Bauelements weist zwei unterschiedliche Materialien auf, in die der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet ist. Die beiden Materialien können dabei unterschiedliche Reflexionseigenschaften aufweisen, wodurch das durch dieses Verfahren hergestellte optoelektronische Bauele¬ ment vorteilhafterweise eine optimierte Auskoppeleffizienz aufweisen kann. Bei dem durch dieses Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelement koppelt durch den optoelektro¬ nischen Halbleiterchip in eine seitliche Richtung emittiertes Licht im Wesentlichen in das unmittelbar an den optoelektronischen Halbleiterchip angrenzende erste Material ein und kann an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Material und dem zweiten Material reflektiert werden, um aus dem Verbund¬ körper des optoelektronischen Bauelements ausgekoppelt zu werden. Ein besonderer Vorteil dieses Herstellungsverfahrens besteht darin, dass das durch das Verfahren erhältliche opto¬ elektronische Bauelement sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen kann, die im Wesentlichen in derselben Größenordnung liegen wie die Abmessungen des optoelektronischen Halb- leiterchips des optoelektronischen Bauelements. Außerdem ist das Verfahren vorteilhafterweise kostengünstig durchführbar und eignet sich für eine Massenproduktion.
In einer Ausführungsform des Verfahrens ist der optoelektro- nische Halbleiterchip als Saphir-Flip-Chip ausgebildet. Vorteilhafterweise wird bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement erreicht, dass auch Licht, das durch den Saphir-Flip-Chip in seitliche Richtung abgestrahlt wird, mit hoher Effizienz aus dem optoelektronischen Bauelement ausgekoppelt und damit einer Nutzung zugänglich gemacht werden kann. In einer Ausführungsform des Verfahrens werden beim Eindrücken des optoelektronischen Halbleiterchips in die Portion des ersten Materials die Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips und senkrecht zur Vorderseite des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips orientierte Seitenflächen des opto- elektronischen Halbleiterchips durch das erste Material be¬ netzt. Eine der Vorderseite des optoelektronischen Halb¬ leiterchips gegenüberliegende Rückseite des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips wird dabei jedoch nicht durch das erste Material benetzt. Durch die Benetzung der Vorderseite und der Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips durch das erste Material wird vorteilhafterweise erreicht, dass durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht im Wesentlichen vollständig in das erste Material eingekop¬ pelt wird. Dadurch kann bei dem durch das Verfahren erhältli- chen optoelektronischen Bauelement eine hohe Auskoppeleffizienz erzielt werden. Dadurch, dass die Rückseite des opto¬ elektronischen Halbleiterchips nicht durch das erste Material benetzt wird, wird vorteilhafterweise eine elektrische Kon- taktierung des optoelektronischen Halbleiterchips über die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips ermöglicht.
In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das erste Material transparent für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierbares Licht. Vorteilhafterweise wird dadurch bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine besonders wirksame Einkopplung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht in das erste Material ermöglicht. Dabei wird das in das erste Mate¬ rial eingekoppelte Licht in dem ersten Material nur in gerin- gern Maße absorbiert.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das erste Mate¬ rial Silikon auf. Dabei kann das erste Material einen hohen oder einen niedrigen Brechungsindex aufweisen. Vorteilhafterweise ist das erste Material in diesem Fall kostengünstig er¬ hältlich . In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das zweite Mate¬ rial ausgebildet, durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierbares Licht zu reflektieren. Das zweite Material kann dabei beispielsweise mit einem Füllstoff, beispielsweise T1O2, gefülltes Silikon oder ein Formmaterial aufweisen, bei- spielsweise ein Formmaterial auf Basis von Silikon oder Epo- xid oder einem Hybridmaterial. Vorteilhafterweise wird dadurch bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement durch den optoelektronisch Halbleiterchip emittiertes und in das erste Material eingekoppeltes Licht an dem zweiten Material reflektiert, wodurch eine effiziente und gerichtete Auskopplung des durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts aus dem Verbundkörper des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements ermöglicht wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das zweite Mate¬ rial so über der Oberseite des Trägers angeordnet, dass eine Rückseitenmetallisierung des optoelektronischen Halbleiterchips, die an einer der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips gegenüberliegenden Rückseite des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips angeordnet ist, unbedeckt durch das zweite Material bleibt. Vorteilhafterweise wird dadurch auf einfache Weise erreicht, dass der optoelektronische Halb¬ leiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektro- nischen Bauelements an seiner Rückseite elektrisch kontaktiert werden kann.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das zweite Mate¬ rial durch Vergießen über der Oberseite des Trägers angeord- net. Vorteilhafterweise kann dadurch auf einfache Weise er¬ reicht werden, dass die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips unbedeckt durch das zweite Material bleibt. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das zweite Mate¬ rial so über der Oberseite des Trägers angeordnet, dass eine der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips gegen¬ überliegende Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips durch das zweite Material bedeckt wird. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine besonders einfache, schnelle und kosten¬ günstige Anordnung des zweiten Materials über der Oberseite des Trägers.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das zweite Mate¬ rial durch ein Formverfahren über der Oberseite des Trägers angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine Herstellung eines Verbundkörpers mit besonders robusten mechanischen Eigenschaften.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Anordnen des zweiten Materials ein weiterer Schritt durchgeführt zum Entfernen eines Teils des zweiten Materials, um eine an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeord¬ nete Rückseitenmetallisierung des optoelektronischen Halbleiterchips freizulegen. Vorteilhafterweise wird dadurch eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements über die Rückseite des optoelektronischen Halb¬ leiterchips ermöglicht.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen des Teils des zweiten Materials durch Schleifen. Vorteilhaf¬ terweise ist das Verfahren dadurch besonders einfach, schnell und kostengünstig durchführbar.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Freilegen der Rückseitenmetallisierung ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anlegen von mit der Rückseitenmetallisierung elektrisch leitend verbundenen elektrischen Rückseitenkontakten. Vorteilhafterweise ermöglichen die durch dieses Verfah¬ ren angelegten Rückseitenkontakte eine elektrische Kontaktie¬ rung des durch das Verfahren erhältlichen Bauelements, bei- spielsweise eine elektrische Kontaktierung nach einem Verfahren zur Oberflächenmontage, insbesondere beispielsweise eine elektrische Kontaktierung durch Wiederaufschmelzlöten (Re- flow-Löten) .
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Materials an der Vorderseite des Verbundkörpers. Das an der Vor- derseite des Verbundkörpers angeordnete wellenlängenkonver¬ tierende Material kann bei dem durch das Verfahren erhältli¬ chen optoelektronischen Bauelement dazu dienen, zumindest einen Teil des durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Dadurch kann das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement beispielsweise eine Erzeugung von weißem Licht ermöglichen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials durch Laminieren einer Folie, die ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweist, durch Aufsprühen eines wellenlängenkonvertierenden Materials oder durch Aufbringen eines wellenlängenkonvertie¬ renden Materials mittels eines Formverfahrens. Vorteilhafter- weise ermöglicht das Verfahren dadurch eine einfache und kos¬ tengünstige Anordnung des wellenlängenkonvertierenden Materials an der Vorderseite des Verbundkörpers.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger mit einer über seiner Oberseite angeordneten Lage eines wellenlängenkonvertierenden Materials bereitgestellt. Dabei wird die Portion des ersten Materials auf der Lage des wellenlängenkonvertierenden Materials angeordnet. Die Lage des wellen¬ längenkonvertierenden Materials verbleibt nach dem Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger an der Vorderseite des Ver¬ bundkörpers. Vorteilhafterweise wird der Verbundkörper des optoelektronischen Bauelements bei diesem Verfahren bereits auf der Lage des wellenlängenkonvertierenden Elements aufge- baut, wodurch das durch Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement ein wellenlängenkonvertierendes Element auf¬ weist. Dieses wellenlängenkonvertierende Element kann bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauele- ment dazu dienen, zumindest einen Teil des durch den opto¬ elektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger mit einer an seiner Oberseite angeordneten lösbaren Klebefolie bereitgestellt. Zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger wird die Klebefolie von dem Träger abgelöst. Vorteilhafter¬ weise ermöglicht dies eine einfache und beschädigungsfreie Ablösung des Verbundkörpers von dem Träger. Die Klebefolie kann beispielsweise eine thermisch lösbare Klebefolie oder eine durch Bestrahlung mit UV-Licht lösbare Klebefolie sein.
In einer Ausführungsform des Verfahrens werden mehrere Porti- onen des ersten Materials über der Oberseite des Trägers an¬ geordnet. Dabei wird in jede Portion des ersten Materials je¬ weils ein optoelektronischer Halbleiterchip eingedrückt. Der Verbundkörper wird so gebildet, dass er die mehreren opto¬ elektronischen Halbleiterchips umfasst. Nach dem Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger wird ein weiterer Schritt durchgeführt zum Zerteilen des Verbundkörpers derart, dass jeder Teil einen optoelektronischen Halbleiterchip umfasst. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine pa¬ rallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauele- mente in gemeinsamen Bearbeitungsschritten. Dadurch sinken die zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements erforderliche Bearbeitungszeit und die Kosten zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Verbundkörper auf, der einen optoelektronischen Halbleiterchip, ein erstes Material und ein zweites Material umfasst. Eine zu einer Vor¬ derseite des Verbundkörpers orientierte Vorderseite des opto- elektronischen Halbleiterchips und senkrecht zur Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips orientierte Seitenflä¬ chen des optoelektronischen Halbleiterchips sind zumindest teilweise durch das erste Material bedeckt. Der optoelektro- nische Halbleiterchip und das erste Material sind zumindest teilweise in das zweite Material eingebettet. Dabei ist das zweite Material nicht über der Vorderseite des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips angeordnet. Eine der Vorderseite des Verbundkörpers gegenüberliegende Rückseite des Verbundkörpers weist elektrische Rückseitenkontakte auf.
Vorteilhafterweise bildet die Grenzfläche zwischen dem ersten Material und dem zweiten Material des Verbundkörpers dieses optoelektronischen Bauelements einen Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht. Durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht wird zumindest teilweise in das erste Material des Verbundkörpers eingekoppelt und an der Grenzfläche zwischen dem ersten Material und dem zweiten Ma- terial reflektiert, wodurch es aus dem Verbundkörper des optoelektronischen Bauelements ausgeleitet wird. Dadurch wird eine hohe Auskoppeleffizienz für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht erreicht. Dies gilt vorteil¬ hafterweise auch in dem Fall, dass durch den optoelektroni- sehen Halbleiterchip emittiertes Licht von dem optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise in seitliche Rich¬ tung abgestrahlt wird. Die an der Rückseite des Verbundkör¬ pers dieses optoelektronischen Bauelements angeordneten elektrischen Rückseitenkontakte ermöglichen eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements. Das optoelektronische Bauelement kann sich dadurch beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispiels¬ weise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Vorderseite des Verbundkörpers ein wellenlängen¬ konvertierendes Material angeordnet. Das wellenlängenkonver- tierende Material ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht zumindest zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Dadurch kann das optoelektroni- sehe Bauelement beispielsweise eine Erzeugung von weißem Licht ermöglichen.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Figur 1 eine geschnittene Seitenansicht eines bei einer ersten Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens verwende¬ ten Trägers; Figur 2 den Träger mit einer darüber angeordneten Lage eines wellenlängenkonvertierenden Materials;
Figur 3 den Träger mit darüber angeordneten Tropfen eines ersten Materials;
Figur 4 den Träger mit in die Tropfen eingedrückten optoelektronischen Halbleiterchips;
Figur 5 ein erstes Benetzungsverhalten des ersten Materi- als;
Figur 6 ein zweites Benetzungsverhalten des ersten Materials; Figur 7 den Träger mit einem durch Anordnen eines zweiten Materials über der Oberseite des Trägers gebildeten Verbund¬ körper; Figur 8 den Verbundkörper nach dem Ablösen von dem Träger;
Figur 9 den Träger nach dem Anordnen auf einer Sägefolie; Figur 10 ein durch Zerteilen des Trägers gebildetes opto¬ elektronisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform;
Figur 11 eine geschnittene Seitenansicht eines bei einem Verfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform verwendeten Trägers;
Figur 12 den Träger mit darüber angeordneten Tropfen eines ersten Materials; Figur 13 den Träger mit in das erste Material eingedrückten optoelektronischen Halbleiterchips ;
Figur 14 den Träger mit einem durch Anordnen eines zweiten Materials über dem Träger gebildeten Verbundkörper;
Figur 15 den Verbundkörper nach dem Ablösen von dem Träger;
Figur 16 den an einem weiteren Träger befestigten Verbundkörper mit über seiner Vorderseite angeordnetem wellenlängen- konvertierendem Material;
Figur 17 den Verbundkörper nach einem Zerteilen;
Figur 18 ein aus einem Teil des Verbundkörpers gebildetes optoelektronisches Bauelement gemäß einer zweiten Ausfüh¬ rungsform;
Figur 19 eine geschnittene Seitenansicht eines bei einem Verfahren gemäß einer dritten Ausführungsform verwendeten Trägers;
Figur 20 den Träger mit darüber angeordneten Tropfen eines ersten Materials; Figur 21 den Träger mit in die Tropfen eingedrückten optoelektronischen Halbleiterchips; Figur 22 den Träger mit einem durch Anordnen eines zweiten Materials über dem Träger gebildeten Verbundkörper;
Figur 23 den Träger mit dem Verbundkörper nach einem Entfernen eines Teils des zweiten Materials;
Figur 24 den Träger und den Verbundkörper mit einer an einer Rückseite des Verbundkörpers angeordneten äußeren Metallisie¬ rung; Figur 25 den auf einem weiteren Träger angeordneten Verbundkörper mit an einer Vorderseite des Verbundkörpers angeordne¬ tem wellenlängenkonvertierenden Material;
Figur 26 den Verbundkörper nach einem Zerteilen; und
Figur 27 ein aus einem Teil des Verbundkörpers gebildetes optoelektronisches Bauelement gemäß einer dritten Ausfüh¬ rungsform. Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers 100, der bei einer ersten Varian¬ te eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements verwendet werden kann. Der Träger 100 weist eine flache Oberseite 101 auf.
An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist eine lösbare Klebe¬ folie 200 angeordnet. Die Klebeverbindung zwischen der Klebe¬ folie 200 und der Oberseite 101 des Trägers 100 kann gelöst werden, beispielsweise durch ein thermisches Verfahren oder durch Bestrahlung mit UV-Licht.
Figur 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der lösbaren Klebefolie 200 in einem der Darstellung der Figur 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
Auf der lösbaren Klebefolie 200 ist ein wellenlängenkonver- tierender Bogen 300 angeordnet worden. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 weist ein wellenlängenkonvertierendes Material auf, das dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wel¬ lenlänge aus einem ersten Spektralbereich zumindest teilweise in Licht mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbe- reich zu konvertieren. Das wellenlängenkonvertierende Materi¬ al des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, Licht mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in Licht mit einer Wellenlänge aus dem gelben oder orangen Spektralbereich zu konvertieren.
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 weist eine flache, blattförmige Gestalt auf und ist beidseitig mit je einer schützenden Abdecklage versehen. Eine erste Abdecklage 301 ist auf der dem Träger 100 abgewandten Seite des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 angeordnet. Eine zweite Abdeck¬ lage 302 ist auf der dem Träger 100 zugewandten Seite des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 angeordnet und steht mit der lösbaren Klebefolie 200 in Kontakt.
Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 200 und des wellen¬ längenkonvertierenden Bogens 300 in einem der Darstellung der Figur 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Die erste Abdecklage 301 des wellenlängenkonvertierenden Bo¬ gens 300 ist entfernt worden, beispielsweise durch Abziehen, um das wellenlängenkonvertierende Material des wellenlängen¬ konvertierenden Bogens 300 freizulegen.
Anschließend sind mehrere Portionen 410 eines ersten Materi¬ als 400 auf dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 angeordnet worden. In der schematischen Darstellung der Figur 3 sind vier Portionen 410 des ersten Materials 400 gezeigt. Es kann jedoch eine wesentlich größere Zahl von Portionen 410 des ersten Materials 400 auf dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 angeordnet worden sein. Die Portionen 410 können beispielsweise in einem regelmäßigen zweidimensionalen Muster auf der Oberseite des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 angeordnet worden sein, beispielsweise in Form eines Recht¬ eckgitters . Die einzelnen Portionen 410 des ersten Materials 400 sind voneinander beabstandet. Die Portionen 410 können beispiels¬ weise als kleine Tröpfchen ausgebildet sein. Die Portionen 410 des ersten Materials 400 können beispielsweise durch Na¬ deldosieren (Dispensen) auf dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 angeordnet worden sein.
Figur 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der Fi- gur 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
In jede auf dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 angeordnete Portion 410 des ersten Materials 400 ist jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 500 eingedrückt worden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind dazu ausgebildet, Licht zu emittieren, beispielsweise Licht mit einer Wellen¬ länge aus dem ultravioletten oder aus dem blauen Spektralbereich. Die optoelektronischen Halbleiterchips 500 können beispielsweise Leuchtdiodenchips sein.
Jeder optoelektronische Halbleiterchip 500 weist eine Vorder¬ seite 501 und eine der Vorderseite 501 gegenüberliegende Rückseite 502 auf. Zwischen den Vorderseiten 501 und den Rückseiten 502 erstrecken sich Seitenflächen 503, die im We- sentlichen senkrecht zu den Vorderseiten 501 und den Rückseiten 502 orientiert sind. Die optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind als Flip-Chips ausgebildet und können an ihren Rückseiten 502 elektrisch kontaktiert werden. Hierzu weist die Rückseite 502 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 500 eine Rückseitenmetallisierung 510 auf, die jeweils sowohl Anoden- als auch Kathodenkontakte bereitstellt. Die opto¬ elektronischen Halbleiterchips 500 können beispielsweise als Saphir-Flip-Chips ausgebildet sein. In diesem Fall bildet die Saphirseite bei jedem optoelektronischen Halbleiterchip 500 die Vorderseite 501 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 500. Im Betrieb der optoelektronischen Halb¬ leiterchips 500 wird Licht in diesem Fall an den Vorderseiten 501 und an den Seitenflächen 503 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 abgestrahlt.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind so in die Portionen 410 des ersten Materials 400 eingedrückt worden, dass die Vorderseiten 501 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt sind. Die Größe der Portionen 410 des ersten Materials 400, die Ma¬ terialeigenschaften des ersten Materials 400 und die zum Eindrücken der optoelektronischen Halbleiterchips 500 in die Portionen 410 des ersten Materials 400 aufgewendete Kraft sind so bemessen worden, dass beim Eindrücken der optoelektronischen Halbleiterchips 500 in die Portionen 410 des ersten Materials 400 bei jedem optoelektronischen Halbleiterchip 500 die Vorderseite 501 und die Seitenflächen 503 durch das erste Material 400 benetzt worden sind. Die Rückseiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind dagegen nicht durch das erste Material 400 benetzt worden.
Das genaue Benetzungsverhalten zwischen dem ersten Material 400 und den optoelektronischen Halbleiterchips 500 hängt von der Größe der Portionen 410 des ersten Materials 400, der Kraft, mit der die optoelektronischen Halbleiterchips 500 in die Portionen 410 des ersten Materials 400 eingedrückt wer¬ den, von der Thixotropie des ersten Materials 400 und von der Oberflächenenergie ab. Durch Veränderung dieser Parameter kann das Benetzungsverhalten beeinflusst werden. Figur 5 zeigt in schematischer vergrößerter Darstellung ein Beispiel eines ersten Benetzungsverhaltens . Figur 6 zeigt in schemati- scher vergrößerter Darstellung ein Beispiel eines zweiten Be- netzungsverhaltens . Figuren 5 und 6 zeigen jeweils in schema- tischer geschnittener Seitenansicht einen in eine Portion 410 des ersten Materials 400 eingedrückten optoelektronischen Halbleiterchip 500.
Im Beispiel der Figur 5 und im Beispiel der Figur 6 benetzt das erste Material 400 jeweils die Vorderseite 501 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 500. Zwischen der Vorderseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem wel¬ lenlängenkonvertierenden Bogen 300 verbleibt in beiden Fällen eine dünne vorderseitige Schicht 420 des ersten Materials 400. Die Dicke dieser vorderseitigen Schicht 420 hängt ab von den Eigenschaften des ersten Materials 400 und von der Kraft, mit der der optoelektronische Halbleiterchip 500 in die Por¬ tion 410 des ersten Materials 400 eingedrückt wurde.
Das erste Material 400 benetzt in den Beispielen der Figuren 5 und 6 außerdem jeweils zumindest Teile der Seitenflächen 503 des optoelektronischen Halbleiterchips 500. Es ist güns¬ tig, wenn das erste Material 400 die Seitenflächen 503 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 fast vollständig, also fast bis zur Rückseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500, benetzt.
Die Portion 410 des ersten Materials 400 weist nach dem Ein¬ drücken des optoelektronischen Halbleiterchips 500 eine Au¬ ßenkontur 430 auf. Die Form der Außenkontur 430 kann, wie im Beispiel der Figur 5, konvex oder, wie im Beispiel der Figur 6, konkav sein. Die in Figur 6 gezeigte Form der Außenkontur 430 kann bei dem hier beschriebenen Verfahren den Vorteil bieten, dass bei dem durch das Verfahren erhältlichen Bauelement der Winkel der an der Außenkontur 430 gebildeten Grenzfläche in Richtung zur Vorderseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 flacher wird.
Das erste Material 400 ist transparent für durch die opto¬ elektronischen Halbleiterchips 500 emittierbares Licht. Das erste Material 400 kann beispielsweise Silikon aufweisen. Da¬ bei kann das erste Material 400 Silikon mit einem hohen Bre¬ chungsindex oder mit einem niedrigen Brechungsindex sein. Figur 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der darüber angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der Figur 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Über dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 ist ein zweites Material 600 angeordnet worden. Die Portionen 410 des ersten Materials 400 und die optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind dabei in das zweite Material 600 eingebettet worden. Dadurch ist ein Verbundkörper 700 gebildet worden, der die optoelektronischen Halbleiterchips 500, die Portionen 410 des ersten Materials 400 und das zweite Material 600 um- fasst .
Das zweite Material 600 ist so über dem wellenlängenkonver- tierenden Bogen 300 angeordnet worden, dass die Rückseiten
502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die an den Rückseiten 502 angeordneten Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 unbedeckt durch das zweite Material 600 geblieben sind. Das zweite Material 600 kann beispielsweise durch Vergießen (Casting) über dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 angeordnet worden sein.
Das zweite Material 600 ist ausgebildet, durch die optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 500 emittierbares Licht zu reflek- tieren. Das zweite Material 600 kann beispielsweise eine wei¬ ße Farbe aufweisen. Das zweite Material 600 kann beispiels¬ weise Silikon und in das Silikon eingebettete reflektierende Partikel aufweisen. Die reflektierenden Partikel können beispielsweise T1O2 aufweisen. Das zweite Material 600 kann auch ein Hybridmaterial sein, das Silikon und ein weiteres Materi¬ al, beispielsweise ein Epoxid, aufweist. Nach dem Anordnen des zweiten Materials 600 über dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 kann ein weiterer Bearbeitungsschritt zum Aushärten des zweiten Materials 600 erfolgt sein .
Der aus dem zweiten Material 600, den Portionen 410 des ers¬ ten Materials 400 und den optoelektronischen Halbleiterchips 500 gebildete Verbundkörper 700 weist eine Vorderseite 701 und eine der Vorderseite 701 gegenüberliegende Rückseite 702 auf. Die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 ist in Rich¬ tung zur Oberseite 101 des Trägers 100 orientiert und liegt an dem wellenlängenkonvertierenden Bogen 300 an. Dabei ist der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 mit der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 verbunden. Die Vorderseiten 501 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind zu der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 orientiert. Die über den Vorderseiten 501 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten vorderseitigen Schichten 420 des ersten Materials 400 grenzen an die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 an .
An der Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 liegen die Rück¬ seiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die an den Rückseiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 frei.
In dem Verbundkörper 700 grenzt das zweite Material 600 an die Portionen 410 des ersten Materials 400 an. Dadurch sind an den Außenkonturen 430 der Portionen 410 des ersten Materials 400 Grenzflächen 710 gebildet, die die Form der Außenkonturen 430 aufweisen.
Figur 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 700 und des an der Vorderseite 701 des
Verbundkörpers 700 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 in einem der Darstellung der Figur 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Ausgehend von dem in Figur 7 gezeigten Bearbeitungsstand ist der Verbundkörper 700 von dem Träger 100 abgelöst worden, indem die lösbare Klebefolie 200 von der Oberseite 101 des Trä- gers 100 abgelöst wurde. Das Ablösen der lösbaren Klebefolie 200 von dem Träger 100 kann beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit UV-Licht erfolgt sein. Anschließend wurden die lösbare Klebefolie 200 und die zweite Abdecklage 302 von dem wellenlängenkonvertierenden Bo- gen 300 und dem Verbundkörper 700 entfernt, beispielsweise durch Abziehen.
Figur 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 700 und des an der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 in einem der Darstellung der Figur 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Der Verbundkörper 700 und der an dem Verbundkörper 700 befes- tigte wellenlängenkonvertierende Bogen 300 sind auf einer Sä¬ gefolie 110 angeordnet worden. Dabei sind der Verbundkörper 700 und der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 so auf der Sägefolie 110 angeordnet worden, dass die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 zu der Sägefolie 110 orientiert ist und der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 an der Sägefolie 110 anliegt .
Anschließend ist der Verbundkörper 700 in eine Mehrzahl einzelner Teile 720 zerteilt worden. Das Zerteilen des Verbund- körpers 700 ist so erfolgt, dass jeder Teil 720 des Verbund¬ körpers 700 einen eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 500 umfasst. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 300 ist gemeinsam mit dem Verbundkörper 700 zerteilt worden, so dass an jedem Teil 720 des Verbundkörpers 700 ein Teil des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 befestigt ist. Das
Zerteilen des Verbundkörpers 700 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 kann beispielsweise durch Sägen erfolgt sein . Figur 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements 10 gemäß einer ersten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 10 ist durch einen Teil 720 des Verbundkörpers 700 und den daran be¬ festigten Teil des wellenlängenkonvertierenden Bogens 300 gebildet und von der Sägefolie 110 abgelöst worden.
Die an der Rückseite 702 des Teils 720 des Verbundkörpers 700 freiliegende Rückseitenmetallisierung 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 bildet elektrische Rückseitenkon¬ takte 730 des optoelektronischen Bauelements 10. Das opto¬ elektronische Bauelement 10 kann über die elektrischen Rück¬ seitenkontakte 730 elektrisch kontaktiert werden. Das opto- elektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als SMD-
Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein, bei¬ spielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederauf- schmelzlöten (Reflow-Löten) . Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 von dem optoelektronischen Halbleiterchips 500 an der Vorderseite 501 und an den Seitenflächen 503 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 emittiertes Licht wird in das transparente erste Material 400 eingekoppelt. Das in das erste Material 400 eingekoppelte Licht wird an der Grenzfläche 710 zwischen dem ersten Material 400 und dem zweiten Material 600 reflektiert und dabei durch die Form der Grenzfläche 710 mit hoher Wahrscheinlichkeit in Richtung der Vorderseite 701 des Ver¬ bundkörpers 700 abgelenkt. Die Wahrscheinlichkeit, dass an der Grenzfläche 710 reflektiertes Licht in den optoelektroni¬ schen Halbleiterchip 500 zurückreflektiert wird und dort ab¬ sorbiert wird, ist dagegen gering. An der Vorderseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 emittiertes Licht kann auch direkt zur Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 gelan- gen. An der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 gelangt das Licht in den wellenlängenkonvertierenden Bogen 300, der zumindest einen Teil des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 500 emittierten Lichts in Licht einer anderen Wel- lenlänge konvertiert. Eine Mischung des unkonvertierten und des konvertierten Lichts wird durch das optoelektronische Bauelement 10 abgestrahlt und kann beispielsweise eine weiße Lichtfarbe aufweisen.
Anhand der Figuren 11 bis 18 wird nachfolgend eine zweite Va¬ riante eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben. Die zweite Variante des Her¬ stellungsverfahrens und das durch die zweite Variante des Herstellungsverfahrens erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment weisen große Übereinstimmungen mit der anhand der Figuren 1 bis 10 beschriebenen ersten Variante des Herstellungs¬ verfahrens und dem durch die erste Variante des Herstellungs¬ verfahrens erhältlichen optoelektronischen Bauelement 10 auf. Entsprechende Komponenten sind in Figuren 11 bis 18 mit den¬ selben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 bis 10. Abgesehen von den nachfolgend beschriebenen Unterschieden trifft die vorstehende Beschreibung auch auf die zweite Variante des Herstellungsverfahrens und das durch die zweite Variante des Herstellungsverfahrens erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment zu.
Figur 11 zeigt in schematischer geschnittener Seitenansicht den bereits anhand der Figur 1 beschriebenen Träger 100 mit der an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten lösba¬ ren Klebefolie 200.
Figur 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 in einem der Darstellung der Figur 11 zeit- lieh nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Auf der lösbaren Klebefolie 200 sind Portionen 410 des ersten Materials 400 angeordnet worden, wie dies anhand der Figur 3 beschrieben worden ist. Abweichend von Figur 3 sind die Por- tionen 410 des ersten Materials 400 allerdings unmittelbar auf der lösbaren Klebefolie 200 angeordnet worden. Figur 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der Figur 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
In die Portionen 410 des ersten Materials 400 sind optoelekt¬ ronische Halbleiterchips 500 eingedrückt worden, wie dies an¬ hand der Figuren 4 bis 6 beschrieben wurde. Figur 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der Figur 13 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der lösbaren Klebefolie 200 ist ein zweites Material 600 derart angeordnet worden, dass, wie anhand der Figur 7 be¬ schrieben, ein Verbundkörper 700 gebildet worden ist, der die Portionen 410 des ersten Materials 400, die optoelektronischen Halbleiterchips 500 und das zweite Material 600 um- fasst. Im Unterschied zu der in Figur 7 gezeigten Situation liegt die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 im in Figur 14 gezeigten Bearbeitungsstand an der lösbaren Klebefolie 200 an . Figur 15 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 700 nach dem Ablösen des Verbundkörpers 700 von dem Träger 100. Zum Ablösen des Verbundkörpers 700 von dem Träger 100 wurde zunächst die lösbare Klebefolie 200 gemeinsam mit dem an der lösbaren Klebefolie 200 befestigten Verbundkörper 700 von der Oberseite 101 des Trägers 100 abge¬ löst, beispielsweise durch ein thermisches Verfahren oder durch Bestrahlung mit UV-Licht. Anschließend wurde die lösba¬ re Klebefolie 200 von der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 abgelöst, beispielsweise durch Abziehen.
Figur 16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 700 in einem der Darstellung der Figur 15 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der Verbundkörper 700 ist mittels einer weiteren Klebefolie 210 an einem weiteren Träger 120 befestigt worden. Dabei ist der Verbundkörper 700 so an dem weiteren Träger 120 befestigt worden, dass die Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 in
Richtung zu dem weiteren Träger 120 orientiert ist und über die weitere Klebefolie 210 mit dem weiteren Träger 120 ver¬ bunden ist. Anschließend ist ein wellenlängenkonvertierendes Material 310 an der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 angeordnet wor¬ den. Das wellenlängenkonvertierende Material 310 ist dazu vorgesehen, von den optoelektronischen Halbleiterchips 500 emittiertes Licht zumindest teilweise in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.
Das wellenlängenkonvertierende Material 310 kann beispiels¬ weise als Folie auf die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 laminiert worden sein. Das wellenlängenkonvertierende Ma- terial 310 kann auch durch Aufsprühen auf die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 aufgebracht worden sein. Das wellen¬ längenkonvertierende Material 310 kann auch durch ein Form¬ verfahren (Moldverfahren) auf die Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 aufgebracht worden sein.
Figur 17 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des auf dem weiteren Träger 120 befestigten Verbundkörpers 700 und des an der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 an¬ geordneten wellenlängenkonvertierenden Materials 310 in einem der Darstellung der Figur 16 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
Der Verbundkörper 700 und das an der Vorderseite 701 des Ver¬ bundkörpers 700 angeordnete wellenlängenkonvertierende Mate- rial 310 sind derart zerteilt worden, dass jeder Teil 720 des Verbundkörpers 700 einen der optoelektronischen Halbleiterchips 500 umfasst. Das Zerteilen kann beispielsweise durch Sägen erfolgt sein. Figur 18 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements 20 gemäß einer zweiten Ausführungsform, das durch einen der in Figur 17 gezeigten Teile 720 des Verbundkörpers 700 und des zugehörigen Teils des wellenlängenkonvertierenden Materials 310 gebildet und von dem weiteren Träger 120 und der weiteren Klebefolie 210 abgelöst worden ist. Die Teile des optoelektronischen Bauele¬ ments 20 und ihre Funktionsweise entsprechen denen des opto- elektronischen Bauelements 10 der Figur 10.
Anhand der Figuren 19 bis 27 wird nachfolgend eine dritte Va¬ riante eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben. Die dritte Variante des Her- Stellungsverfahrens und das durch die dritte Variante des
Herstellungsverfahrens erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment weisen Übereinstimmungen mit der oben beschriebenen ersten Variante des Herstellungsverfahrens und der oben be¬ schriebenen zweiten Variante des Herstellungsverfahrens sowie den durch die erste und die zweite Variante des Herstellungs¬ verfahrens erhältlichen optoelektronischen Bauelementen 10, 20 auf. Für entsprechende Komponenten sind in Figuren 19 bis 27 dieselben Bezugszeichen verwendet wie in Figuren 1 bis 18. Die vorstehende Beschreibung trifft, bis auf die nachfolgend beschriebenen Abweichungen, auch auf die dritte Variante des Herstellungsverfahrens und das durch die dritte Variante des Herstellungsverfahrens erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment zu. Figur 19 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 mit der an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten lösbaren Klebefolie 200, wie sie bereits anhand der Figuren 1 und 11 beschrieben wurden. Figur 20 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der lösbaren Klebefolie 200 in einem der Darstellung der Figur 19 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Auf der lösbaren Klebefolie 200 sind Portionen 410 des ersten Materials 400 angeordnet worden, wie dies anhand der Figur 12 beschrieben wurde.
Figur 21 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponente in einem der Darstellung der Figur 20 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
In die Portionen 410 des ersten Materials 400 sind optoelekt¬ ronische Halbleiterchips 500 eingedrückt worden, wie dies an¬ hand der Figuren 4 und 13 beschrieben wurde. Die in Figur 21 gezeigten optoelektronischen Halbleiterchips 500 unterscheiden sich von den in Figur 13 gezeigten optoelektronischen Halbleiterchips 500 allerdings dadurch, dass ihre Rückseitenmetallisierung 510 eine größere Dicke auf¬ weist. Die in Richtung senkrecht zu den Rückseiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 bemessene Dicke der Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 kann beispielsweise größer als 10 ym sein. Hierzu kann die Rückseitenmetallisierung 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 beispielsweise galvanisch aufge- brachtes Kupfer oder Pfosten aus Nickel aufweisen.
Figur 22 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der Fi- gur 21 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Über der lösbaren Klebefolie 200 ist ein zweites Material 600 angeordnet worden, so dass die Portionen 410 des ersten Mate¬ rials 400 und die optoelektronischen Halbleiterchips 500 zu- mindest teilweise in das zweite Material 600 eingebettet wor¬ den sind. Dadurch ist, wie bei den in Figuren 7 und 14 dargestellten Bearbeitungsständen, ein Verbundkörper 700 gebildet worden, der das zweite Material 600, die Portionen 410 des ersten Materials 400 und die optoelektronischen Halbleiterchips 500 umfasst. Die Vorderseite 701 des so gebildeten Ver¬ bundkörpers 700 liegt an der lösbaren Klebefolie 200 an. In dem der Darstellung der Figur 22 vorausgegangenen Bearbeitungsschritt ist das zweite Material 600 allerdings so über der lösbaren Klebefolie 200 angeordnet worden, dass die Rück¬ seiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die an den Rückseiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 durch das zweite Material 600 bedeckt worden sind. Ein Teil 610 des zweiten Materials 600 ist dadurch über den Rückseitenmetallisierungen 510 an den Rückseiten 502 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordnet.
Das Anordnen des zweiten Materials 600 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) erfolgt sein, insbesondere beispielsweise durch Formpressen (compression mol- ding) oder durch folienunterstütztes Spritzpressen (foil as- sisted transfer molding) .
Das zweite Material 600 kann bei dem anhand der Figuren 19 bis 27 beschriebenen Verfahren beispielsweise als Formmateri- al (mold Compound) ausgebildet sein, beispielsweise als Sili¬ kon-Formmaterial oder als Epoxid-Formmaterial . Wie bei den oben beschriebenen Varianten des Herstellungsverfahrens ist das zweite Material 600 reflektierend für durch die opto¬ elektronischen Halbleiterchips 500 emittiertes Licht und kann beispielsweise eine weiße Farbe aufweisen.
Figur 23 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 200 und des Verbund¬ körpers 700 in einem der Darstellung der Figur 22 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 ist der über den Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halb- leiterchips 500 angeordnete Teil 610 des zweiten Materials 600 entfernt worden, um die Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 an der Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 freizulegen. Das Entfernen des Teils 610 des zweiten Material 600 kann beispielsweise durch Schleifen oder durch abtragendes Bestrahlen mit einem Medium erfolgt sein.
Figur 24 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 200 und des Verbund¬ körpers 700 in einem der Darstellung der Figur 23 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 ist eine äußere Metallisierung 740 angelegt worden, deren Abschnitte
elektrisch leitend mit den Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 verbunden sind. Das Anordnen der äußeren Metallisierung 740 kann beispielsweise durch ein lithographisches Verfahren in Kombination mit Sput- tern, Aufdampfen oder einem anderen Abscheideverfahren erfolgt sein. Die äußere Metallisierung 740 kann auch durch ein galvanisches Verfahren aufgedickt worden sein.
Figur 25 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 700 in einem der Darstellung der Figur 24 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in Figur 24 gezeigten Bearbeitungsstand wurde der Verbundkörper 700 zunächst von dem Träger 100 abge- löst, indem zunächst die lösbare Klebefolie 200 von der Ober¬ seite 101 des Trägers 100 abgelöst und anschließend die lös¬ bare Klebefolie 200 von der Vorderseite 701 des Verbundkör¬ pers 700 entfernt wurde. Anschließend wurde der Verbundkörper 700 mittels einer weiteren Klebefolie 210 an einem weiteren Träger 120 befestigt. Dabei wurde der Verbundkörper 700 so angeordnet, dass die Rückseite 702 des Verbundkörpers 700 zu dem weiteren Träger 120 orientiert ist und an der weiteren Klebefolie 210 anliegt. Anschließend wurde auf die anhand der Figur 16 beschriebene Weise ein wellenlängenkonvertierendes Material 310 an der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 angeordnet . Figur 26 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an dem weiteren Träger 120 befestigten Verbundkörpers 700 und des wellenlängenkonvertierenden Materials 310 in einem der Darstellung der Figur 25 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
Der Verbundkörper 700 und das wellenlängenkonvertierende Ma¬ terial 310 wurden derart zerteilt, dass jeder Teil 720 des Verbundkörpers 700 einen optoelektronischen Halbleiterchip 500 umfasst. Das Zerteilen des Verbundkörpers 700 und des wellenlängenkonvertierenden Materials 310 kann beispielsweise durch Sägen erfolgt sein.
Figur 27 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements 30 gemäß einer dritten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 30 ist durch einen der in Figur 26 dargestellten Teile 720 des Verbundkörpers 700 und den mit diesem Teil 720 des Verbundkör¬ pers 700 verbundenen Teil des wellenlängenkonvertierenden Materials 310 gebildet und ist von dem weiteren Träger 120 und der weiteren Klebefolie 210 abgelöst worden.
Die an der Rückseite 702 des Teils 720 des Verbundkörpers 700 angeordnete äußere Metallisierung 740 bildet elektrische Rückseitenkontakte 730 des optoelektronischen Bauelements 30, die eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen
Bauelements 30 ermöglichen. Das optoelektronische Bauelement 30 kann beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflä¬ chenmontage vorgesehen sein, beispielsweise für eine Oberflä¬ chenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) .
Das vorstehend anhand der Figuren 19 bis 27 beschriebene Ver¬ fahren sieht vor, das wellenlängenkonvertierende Material 310, wie bei dem anhand der Figuren 11 bis 18 beschriebenen Verfahren, erst nach dem Ausbilden des Verbundkörpers 700 an der Vorderseite 701 des Verbundkörpers 700 anzuordnen. Es ist allerdings auch möglich, die anhand der Figuren 1 bis 10 und anhand der Figuren 19 bis 27 beschriebenen Verfahren derart miteinander zu kombinieren, dass der Verbundkörper 700, wie in Figuren 1 bis 10, direkt auf einem wellenlängenkonvertie¬ renden Bogen 300 ausgebildet wird, jedoch durch das in Figu¬ ren 19 bis 27 beschriebene Verfahren, bei dem die Rückseitenmetallisierungen 510 der optoelektronischen Halbleiterchips 500 zunächst durch das zweite Material 600 bedeckt und erst anschließend wieder freigelegt werden.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
10 optoelektronisches Bauelement
20 optoelektronisches Bauelement
30 optoelektronisches Bauelement
100 Träger
101 Oberseite
110 Sägefolie
120 weiterer Träger
200 lösbare Klebefolie
210 weitere Klebefolie 300 wellenlängenkonvertierender Bogen
301 erste Abdecklage
302 zweite Abdecklage
310 wellenlängenkonvertierendes Material
400 erstes Material
410 Portion
420 vorderseitige Schicht
430 Außenkontur
500 optoelektronischer Halbleiterchip
501 Vorderseite
502 Rückseite
503 Seitenfläche
510 Rückseitenmetallisierung
600 zweites Material
610 Teil des zweiten Materials 700 Verbundkörper
701 Vorderseite
702 Rückseite
710 Grenzfläche 720 Teil des Verbundkörpers
730 elektrischer Rückseitenkontakt
740 äußere Metallisierung

Claims

PATENTA S PRUCHE
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30)
mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (100) mit einer Oberseite (101) ;
- Anordnen einer Portion (410) eines ersten Materials (400) über der Oberseite (101) des Trägers (100);
- Eindrücken eines optoelektronischen Halbleiterchips (500) in die Portion (410) des ersten Materials (400) derart, dass eine Vorderseite (501) des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips (500) der Oberseite (101) des Trä¬ gers (100) zugewandt ist;
- Anordnen eines zweiten Materials (600) über der Oberseite (101) des Trägers (100) derart, dass die Portion (410) des ersten Materials (400) und der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip (500) zumindest teilweise in das zweite Material (600) eingebettet werden, wodurch ein Verbundkörper (700) mit einer der Oberseite (101) des Trägers (100) zugewandten Vorderseite (701) gebildet wird;
- Ablösen des Verbundkörpers (700) von dem Träger (100) . Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (500) als Sa¬ phir-Flip-Chip ausgebildet ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei beim Eindrücken des optoelektronischen Halbleiterchips (500) in die Portion (410) des ersten Materials
(400) die Vorderseite (501) des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (500) und senkrecht zur Vorderseite (501) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) orientierte Sei¬ tenflächen (503) des optoelektronischen Halbleiterchips
(500) durch das erste Material (400) benetzt werden, wobei eine der Vorderseite (501) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) gegenüberliegende Rückseite (502) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) nicht durch das erste Material (400) benetzt wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Material (400) transparent für durch den optoelektronischen Halbleiterchip (500) emittierbares Licht ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Material (400) Silikon aufweist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite Material (600) ausgebildet ist, durch den optoelektronischen Halbleiterchip (500) emittierbares Licht zu reflektieren.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite Material (600) so über der Oberseite (101) des Trägers (100) angeordnet wird, dass eine Rück¬ seitenmetallisierung (510) des optoelektronischen Halbleiterchips (500), die an einer der Vorderseite (501) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) gegenüberliegenden Rückseite (502) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) angeordnet ist, unbedeckt durch das zweite Material (600) bleibt.
Verfahren gemäß Anspruch 7,
wobei das zweite Material (600) durch Vergießen über der Oberseite (101) des Trägers (100) angeordnet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei das zweite Material (600) so über der Oberseite
(101) des Trägers (100) angeordnet wird, dass eine der Vorderseite (501) des optoelektronischen Halbleiterchips
(500) gegenüberliegende Rückseite (502) des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips (500) durch das zweite Material
(600) bedeckt wird. 10. Verfahren gemäß Anspruch 9,
wobei das zweite Material (600) durch ein Formverfahren über der Oberseite (101) des Trägers (100) angeordnet wird .
11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 und 10,
wobei nach dem Anordnen des zweiten Materials (600) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird:
- Entfernen eines Teils (610) des zweiten Materials
(600), um eine an der Rückseite (502) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) angeordnete Rückseitenmetal¬ lisierung (510) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) freizulegen.
12. Verfahren gemäß Anspruch 11,
wobei das Entfernen des Teils (610) des zweiten Materials (600) durch Schleifen erfolgt.
13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 und 12,
wobei nach dem Freilegen der Rückseitenmetallisierung (510) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird:
- Anlegen von mit der Rückseitenmetallisierung (510) elektrisch leitend verbundenen elektrischen Rückseitenkontakten (730, 740) .
14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei nach dem Ablösen des Verbundkörpers (700) von dem Träger (100) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird :
- Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Materials (310) an der Vorderseite (701) des Verbundkörpers (700).
15. Verfahren gemäß Anspruch 14,
wobei das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials (310) durch Laminieren einer Folie, die ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweist, durch Aufsprühen eines wellenlängenkonvertierenden Materials oder durch Aufbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials mittels eines Formverfahrens erfolgt.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13,
wobei der Träger (100) mit einer über seiner Oberseite (101) angeordneten Lage eines wellenlängenkonvertierenden Materials (300) bereitgestellt wird,
wobei die Portion (410) des ersten Materials (400) auf der Lage des wellenlängenkonvertierenden Materials (300) angeordnet wird,
wobei die Lage des wellenlängenkonvertierenden Materials (300) nach dem Ablösen des Verbundkörpers (700) von dem
Träger (100) an der Vorderseite (701) des Verbundkörpers (700) verbleibt.
17. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Träger (100) mit einer an seiner Oberseite (101) angeordneten lösbaren Klebefolie (200) bereitge¬ stellt wird,
wobei zum Ablösen des Verbundkörpers (700) von dem Träger (100) die Klebefolie (200) von dem Träger (100) abgelöst wird .
18. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei mehrere Portionen (410) des ersten Materials (400) über der Oberseite (101) des Trägers (100) angeordnet werden,
wobei in jede Portion (410) des ersten Materials (400) jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip (500) ein- gedrückt wird,
wobei der Verbundkörper (700) so gebildet wird, dass er die mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (500) um- fasst ,
wobei nach dem Ablösen des Verbundkörpers (700) von dem Träger (100) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird :
- Zerteilen des Verbundkörpers (700) derart, dass jeder Teil (720) einen optoelektronischen Halbleiterchip (500) umfasst .
19. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30)
mit einem Verbundkörper (700), der einen optoelektronischen Halbleiterchip (500), ein erstes Material (400) und ein zweites Material (600) umfasst,
wobei eine zu einer Vorderseite (701) des Verbundkörpers (700) orientierte Vorderseite (501) des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips (500) und senkrecht zur Vorderseite (501) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) orien¬ tierte Seitenflächen (503) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) zumindest teilweise durch das erste Ma¬ terial (400) bedeckt sind,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (500) und das erste Material (400) zumindest teilweise in das zweites Material (600) eingebettet sind,
wobei das zweite Material (600) nicht über der Vordersei¬ te (501) des optoelektronischen Halbleiterchips (500) an¬ geordnet ist,
wobei eine der Vorderseite (701) des Verbundkörpers (700) gegenüberliegende Rückseite (702) des Verbundkörpers (700) elektrische Rückseitenkontakte (730) aufweist.
20. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 19,
wobei an der Vorderseite (701) des Verbundkörpers (700) ein wellenlängenkonvertierendes Material (300, 310) ange¬ ordnet ist.
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