DE102015120855B4

DE102015120855B4 - Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Info

Publication number: DE102015120855B4
Application number: DE102015120855.5A
Authority: DE
Inventors: Markus Pindl; Matthias Sperl
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2015-12-01
Filing date: 2015-12-01
Publication date: 2021-06-02
Anticipated expiration: 2035-12-02
Also published as: US10879427B2; DE102015120855A1; US20190157514A1; WO2017093262A1

Abstract

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Trägers (100);- Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens (200) an einer Oberseite (101) des Trägers (100);- Anordnen einer Gitterstruktur (300) an einer Oberseite (201) des Bogens (200);- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (400) in einer Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) an der Oberseite (201) des Bogens (200);- Anordnen eines Vergussmaterials (500) an der Oberseite (201) des Bogens (200), wobei die Gitterstruktur (300) und der optoelektronische Halbleiterchip (400) zumindest teilweise in das Vergussmaterial (500) eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial (500), den Bogen (200), die Gitterstruktur (300) und den optoelektronischen Halbleiterchip (400) umfassender Verbundkörper (600) gebildet wird;- Ablösen des Verbundkörpers (600) von dem Träger (100).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1 sowie ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 16.
Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit unterschiedlichen Gehäuseformen bekannt.
Die DE 10 2013 212 928 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit Schritten zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten Maskenschicht, zum Bereitstellen eines Trägers mit auf einer Oberfläche des Trägers angeordneten Wänden, die einen Aufnahmebereich seitlich begrenzen, zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips im Aufnahmebereich, wobei eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberfläche des Trägers zugewandt wird, zum Auffüllen eines den optoelektronischen Halbleiterchip umgebenden Bereichs des Aufnahmebereichs mit einem optisch reflektierenden Material bis zu einer Höhe, die zwischen der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und einer Oberseite der Maskenschicht liegt, zum Entfernen der Maskenschicht, um einen Freiraum im optisch reflektierenden Material zu schaffen, und zum Einbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials in den Freiraum.
Die DE 10 2007 053 067 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei ein Gitter auf einem Träger gebildet wird, sodass Vertiefungen entstehen, eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Träger angeordnet wird, sodass die Halbleiterchips innerhalb der Vertiefungen positioniert sind, die Vertiefungen, in denen die Halbleiterchips angeordnet sind, mit einem Abdeckmaterial gefüllt werden, sodass die Vertiefungen bis zur Höhe des Gitters gefüllt sind, das Abdeckmaterial ausgehärtet wird und die Halbleiterchips von dem Träger und dem Gitter getrennt werden.
Die JP 2007 - 19 096 A beschreibt eine lichtemittierende Vorrichtung mit einem Gehäuse und einem darin angeordneten LED-Element. Das Gehäuse ist mit einem Material befüllt, das lichtreflektierende Partikel aufweist.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 16 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen einer Gitterstruktur an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei die Gitterstruktur und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen, die Gitterstruktur und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.
Dieses Verfahren ermöglicht eine Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit vorteilhafterweise sehr kompakten äußeren Abmessungen. Die Abmessungen des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements können nur wenig über die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips hinausgehen. Die in das Vergussmaterial eingebettete Gitterstruktur kann vorteilhafterweise eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements bewirken. Dies erleichtert die Durchführung der weiteren Bearbeitungsschritte des Herstellungsverfahrens und reduziert die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Bauelements. Zusätzlich kann die in das Vergussmaterial eingebettete Gitterstruktur als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung dienen und dadurch eine Strahlformung bewirken. Das Herstellungsverfahren ist vorteilhafterweise einfach, schnell und kostengünstig durchführbar. Der bei dem Verfahren verwendete Träger kann vorteilhafterweise einfach ausgebildet sein. Insbesondere muss sich der bei dem Verfahren verwendete Träger vorteilhafterweise nicht für einen Formprozess (Moldprozess) eignen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Öffnung der Gitterstruktur eine Fläche auf, die zwischen 10 % und 30 % größer ist als die Fläche einer Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Vorteilhafterweise umschließt die Gitterstruktur die Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips dadurch eng, wodurch die Gitterstruktur nur eine geringfügige Erhöhung der notwendigen Mindestgröße des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements bewirkt. Gleichzeitig ermöglicht die gegenüber der Fläche der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips größere Fläche der Öffnung der Gitterstruktur eine einfache Positionierung des optoelektronischen Halbleiterchips in der Öffnung der Gitterstruktur. Dabei kann die Gitterstruktur vorteilhafterweise zusätzlich als Bezugsystem zur Ausrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur durch Laminieren an der Oberseite des Bogens angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine Vorstrukturierung der Gitterstruktur, wodurch das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Gitterstruktur in zur Oberseite des Bogens senkrechte Richtung eine Dicke auf, die geringer als die Dicke des optoelektronischen Halbleiterchips ist. Vorteilhafterweise ist es dadurch sehr einfach, den optoelektronischen Halbleiterchip in der Öffnung der Gitterstruktur anzuordnen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Gitterstruktur in zur Oberseite des Bogens senkrechte Richtung eine Dicke zwischen 20 µm und 100 µm auf. Vorteilhafterweise weist die Gitterstruktur dadurch einerseits eine ausreichende Dicke auf, um eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des Verbundkörpers zu bewirken, andererseits jedoch eine ausreichend geringe Dicke, um eine einfache Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips in der Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens zu ermöglichen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur mit einer Vorderseite bereitgestellt, die eine Strukturierung aufweist. Dabei wird die Gitterstruktur derart angeordnet, dass die Vorderseite der Gitterstruktur der Oberseite des Bogens zugewandt ist. Die Vorderseite der Gitterstruktur liegt dann an einer Vorderseite des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements frei. Die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur kann dadurch eine Abstrahlcharakteristik des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements beeinflussen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Strukturierung eine die Öffnung der Gitterstruktur zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur. Vorteilhafterweise kann die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine Bündelung der durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Befestigen des Bogens an der Oberseite des Trägers Schritte zum Anordnen einer lösbaren Klebefolie an der Oberseite des Trägers und zum Anordnen des Bogens an der Klebefolie. Dabei wird der Verbundkörper von dem Träger abgelöst, indem die Klebefolie von dem Träger abgelöst wird. Die Klebefolie kann beispielsweise eine thermisch lösbare Klebefolie oder eine durch UV-Bestrahlung lösbare Klebefolie sein. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch ein einfaches Ablösen des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements von dem bei dem Verfahren verwendeten Träger.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Bogen als Bogen eines Materials bereitgestellt, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Der Bogen kann dadurch bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Da das Material des Bogens Silikon aufweist, kann der Bogen vorteilhafterweise eine Klebrigkeit aufweisen, die das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des Bogens vereinfacht. Dadurch lässt sich das Verfahren vorteilhafterweise besonders einfach durchführen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektronische Halbleiterchip derart an dem Bogen angeordnet, dass eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips dem Bogen zugewandt ist. Dadurch ist der Bogen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement über der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet, wodurch es ermöglicht wird, dass zumindest ein Teil einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip an der Strahlungsemissionsfläche emittierten elektromagnetischen Strahlung in dem Bogen in elektromagnetische Strahlung mit einer anderen, beispielsweise größeren, Wellenlänge konvertiert wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Vergussmaterials so, dass eine Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht durch das Vergussmaterial bedeckt wird. Vorteilhafterweise bleiben die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips und an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnete elektrische Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips dadurch frei. Dies ermöglicht es, den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements über die an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktflächen elektrisch zu kontaktieren.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen des Verbundkörpers an einer weiteren Folie derart, dass der Bogen von der weiteren Folie abgewandt ist. Die weitere Folie kann beispielsweise als Träger während eines nachfolgenden Verfahrensschritts zum Zerteilen des Verbundkörpers dienen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur mit einer Mehrzahl von Öffnungen bereitgestellt. Dabei wird eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips an dem Bogen angeordnet. Der Verbundkörper wird dabei so ausgebildet, dass er alle optoelektronischen Halbleiterchips umfasst. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Hierdurch sinkt der Herstellungsaufwand pro optoelektronischem Bauelement.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Verbundkörpers. Dabei kann der Verbundkörper so zerteilt werden, dass jeder Teil des Verbundkörpers mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip umfasst. Dadurch können gemeinsam in einem Verbund hergestellte optoelektronische Bauelemente voneinander getrennt werden.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Zerteilen des Verbundkörpers entlang von Trennebenen, die sich durch Durchbrüche der Gitterstruktur erstrecken. Vorteilhafterweise erleichtern die in der Gitterstruktur angeordneten Durchbrüche das Zerteilen des Verbundkörpers und der einen Teil des Verbundkörpers bildenden Gitterstruktur. Die Durchbrüche können außerdem vorteilhafterweise eine Bildung von Graten im Bereich der Trennebenen reduzieren.
Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Verbundkörper auf, der einen Formkörper, einen in den Formkörper eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip, eine in den Formkörper eingebettete Gitterstruktur und eine an eine Vorderseite des Formkörpers angrenzende Schicht eines wellenlängenkonvertierenden Materials umfasst. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in einer Öffnung der Gitterstruktur angeordnet. Eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips und eine Vorderseite der Gitterstruktur schließen bündig mit der Vorderseite des Formkörpers ab.
Vorteilhafterweise kann der Verbundkörper dieses optoelektronischen Bauelements ein Gehäuse mit sehr kompakten äußeren Abmessungen bilden. Die Abmessungen des das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bildenden Verbundkörpers können nur geringfügig größer als die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips sein. Die einen Teil des Verbundkörpers bildende Gitterstruktur bewirkt bei diesem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des das Gehäuse bildenden Verbundkörpers, wodurch das optoelektronische Bauelement eine große Robustheit aufweisen kann. Die in den Formkörper eingebettete Gitterstruktur kann außerdem dazu dienen, eine Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements zu beeinflussen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließt eine Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips bündig mit einer Rückseite des Formkörpers ab. Dadurch liegt die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips an der Rückseite des ein Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bildenden Verbundkörpers frei, was es ermöglicht, das optoelektronische Bauelement über an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnete elektrische Kontaktflächen elektrisch zu kontaktieren.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Rückseite der Gitterstruktur durch den Formkörper bedeckt. Vorteilhafterweise werden dadurch durch die Gitterstruktur verursachte Kurzschlüsse verhindert.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Vorderseite der Gitterstruktur eine Strukturierung auf. Diese Strukturierung kann dazu dienen, eine Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements zu beeinflussen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Strukturierung eine die Öffnung der Gitterstruktur zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur. Dadurch kann die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur vorteilhafterweise eine Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierter elektromagnetischer Strahlung bewirken.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers;
2 den Träger mit einer darauf angeordneten Klebefolie;
3 den Träger und die Klebefolie mit einem darauf angeordneten wellenlängenkonvertierenden Bogen;
4 den wellenlängenkonvertierenden Bogen nach dem Ablösen einer ersten Abdecklage;
5 eine über einer Oberseite des wellenlängenkonvertierenden Bogens angeordnete Gitterstruktur;
6 eine Aufsicht auf die Gitterstruktur;
7 eine geschnittene Seitenansicht der Gitterstruktur;
8 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers, der Klebefolie, des wellenlängenkonvertierenden Bogens, der Gitterstruktur und in Öffnungen der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens angeordneter optoelektronischer Halbleiterchips;
9 einen durch Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips und der Gitterstruktur in ein Vergussmaterial gebildeten Verbundkörper;
10 den Verbundkörper nach dem Ablösen des Trägers;
11 den Verbundkörper nach dem Anordnen auf einer weiteren Folie;
12 den Verbundkörper nach dem Ablösen der Klebefolie und einer zweiten Abdecklage von dem wellenlängenkonvertierenden Bogen;
13 eine Mehrzahl durch Zerteilen des Verbundkörpers gebildeter optoelektronischer Bauelemente;
14 eine geschnittene Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur; und
15 eine Aufsicht auf eine weitere alternative Ausführungsform der Gitterstruktur.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 100. Der Träger 100 weist eine ebene Oberseite 101 auf. Der Träger 100 kann beispielsweise als Scheibe ausgebildet sein. Der Träger 100 kann beispielsweise ein Glas, Edelstahl, Aluminium oder eine Legierung aufweisen.
2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Auf der Oberseite 101 des Trägers 100 ist eine lösbare Klebefolie 110 angeordnet worden. Die lösbare Klebefolie 110 weist eine erste Seite 111 und eine der ersten Seite 111 gegenüberliegende zweite Seite 112 auf. Sowohl die erste Seite 111 als auch die zweite Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 sind klebend ausgebildet. Die zweite Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 ist an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet. Die Klebefolie kann beispielsweise eine thermisch lösbare Klebefolie oder eine durch UV-Bestrahlung lösbare Klebefolie sein. Die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 kann dann durch eine thermische Behandlung oder durch UV-Bestrahlung gelöst werden.
3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Mittels der lösbaren Klebefolie 110 ist ein wellenlängenkonvertierender Bogen 200 an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt worden. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist ein Material auf, das dazu ausgebildet ist, in den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 eintretende elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbereich zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 kann insbesondere ein Material aufweisen, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens kann dabei in einem nicht vollständig ausgehärteten Zustand vorliegen.
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Die Oberseite 201 und die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 können jeweils eine leichte Klebrigkeit aufweisen. Die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine erste Abdecklage 210 bedeckt. Die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine zweite Abdecklage 220 bedeckt. Die Abdecklagen 210, 220 können auch als Liner bezeichnet werden.
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 ist derart an der ersten Seite 111 der lösbaren Klebefolie 110 angeordnet, dass die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 der lösbaren Klebefolie 110 und somit auch der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt ist. Damit ist die an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 auf die erste Seite 111 der lösbaren Klebefolie 110 auflaminiert.
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 kann beispielsweise eine Dicke zwischen 20 µm und 150 µm aufweisen.
Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen. Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise als Polymer-Folien ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als Fluor-Polymer-Folien. Es ist zweckmäßig, dass die Abdecklagen 210, 220 eine geringe Haftkraft zum Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 aufweisen.
4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Die zuvor noch an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 befindliche erste Abdecklage 210 ist entfernt worden. Das Entfernen der ersten Abdecklage 210 kann beispielsweise durch einfaches Abziehen erfolgt sein.
5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist eine Gitterstruktur 300 angeordnet worden. 6 zeigt eine schematische Aufsicht auf eine Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300. 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Gitterstruktur 300.
Die Gitterstruktur 300 ist als flaches, ebenes und im Wesentlichen zweidimensionales Gitter mit einer Mehrzahl von Öffnungen 310 ausgebildet, die sich jeweils von der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 zu einer der Vorderseite 301 gegenüberliegenden Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 durch die Gitterstruktur 300 erstrecken. Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 in einem regelmäßigen zweidimensionalen Muster angeordnet sind, beispielsweise in einer rechteckigen Matrixanordnung. Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 rechteckige Querschnitte aufweisen. Beispielsweise können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 quadratische Querschnitte aufweisen.
Es ist zweckmäßig, dass die Gitterstruktur 300 ein Material mit hoher optischer Reflektivität aufweist. Insbesondere ist es zweckmäßig, dass die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 eine hohe optische Reflektivität aufweist. Die Gitterstruktur 300 kann beispielsweise ein Metall oder einen Kunststoff aufweisen. Insbesondere kann die Gitterstruktur 300 beispielsweise Kupfer und/oder Silber, PEEK, PPA oder ein weißes Epoxidharz aufweisen.
Die Gitterstruktur 300 kann bereits vor ihrer Anordnung an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 strukturiert worden sein, also insbesondere mit den Öffnungen 310 versehen worden sein. Die Öffnungen 310 können beispielsweise durch ein Stanzverfahren oder ein Ätzverfahren angelegt worden sein.
Das Anordnen der Gitterstruktur 300 an der Oberseite 201 des Bogens 200 kann beispielsweise durch Laminieren erfolgt sein. Die Gitterstruktur 300 kann durch eine vorhandene Klebrigkeit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 gehalten werden. Die Gitterstruktur 300 ist derart an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet worden, dass die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 zugewandt ist und mit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in Kontakt steht. Die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 ist bei der in 5 bis 7 gezeigten Ausführungsform des Gitters 300 eben ausgebildet.
Die Gitterstruktur 300 weist eine in Richtung von ihrer Vorderseite 301 zu ihrer Rückseite 302 bemessene Dicke 303 auf. Die Dicke 303 kann beispielsweise zwischen 20 µm und 100 µm betragen. Insbesondere kann die Dicke 303 beispielsweise 50 µm betragen.
8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110, des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 und der Gitterstruktur 300 in einem der Darstellung der 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips 400 in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet worden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Dabei sind die optoelektronischen Halbleiterchips 400 dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge zu emittieren, die durch den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge konvertiert werden kann. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektrische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu emittieren. Bei den optoelektronischen Halbleiterchips 400 kann es sich beispielsweise um Leuchtdiodenchips (LED-Chips) handeln.
Im in 8 dargestellten Beispiel sind die optoelektronischen Halbleiterchips 400 als Saphir-Flip-Chips ausgebildet. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite 401 auf. Die Vorderseite 401 kann an einer Saphir-Seite des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 400 gebildet sein. Im Betrieb des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 400 wird zumindest ein Teil der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der die Strahlungsemissionsfläche bildenden Vorderseite 401 abgestrahlt. Zusätzlich kann elektromagnetische Strahlung auch an anderen Flächen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 abgestrahlt werden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 könnten alternativ auch beispielsweise als oberflächenemittierende Flip-Chips ausgebildet sein.
Weiter weist jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 eine der Vorderseite 401 gegenüberliegende Rückseite 402 auf. An der Rückseite 402 sind elektrische Kontaktflächen 410 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet, über die der jeweilige optoelektronische Halbleiterchip 400 elektrisch kontaktiert und mit elektrischem Strom beziehungsweise elektrischer Spannung beaufschlagt werden kann.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind derart an der Oberseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet worden, dass die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 zugewandt sind und mit dieser in Kontakt stehen. Dabei können die optoelektronischen Halbleiterchips 400 durch eine Klebrigkeit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an ihren jeweiligen Positionen gehalten werden.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet worden. Dabei ist in jeder Öffnung 310 der Gitterstruktur 300 ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet worden.
Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 eine Form aufweisen, die der Form der Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 ähnlich ist. Beispielsweise können sowohl die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 als auch die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 rechteckig, insbesondere quadratisch, ausgebildet sein.
Dabei weist jede Öffnung 310 der Gitterstruktur 300 eine Fläche 311 auf, die etwas größer ist als eine Fläche 404 der Vorderseite 401 des zugehörigen optoelektronischen Halbleiterchips 400. Dadurch sind die optoelektronischen Halbleiterchips 400 beabstandet von der Gitterstruktur 300 in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet. Beispielsweise können die Flächen 311 der Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zwischen 10 % und 30 % größer sein als die Flächen 404 der Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400. Beispielsweise können die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 jeweils eine Fläche 404 von 1000 µm × 1000 µm aufweisen. Die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 können beispielsweise jeweils eine Fläche 311 von 1100 µm × 1100 µm aufweisen.
Das Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann beispielsweise durch ein Die-Attach-Verfahren erfolgt sein. Dabei können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zur lokalen Ausrichtung der optoelektronischen Halbleiterchips 400 genutzt worden sein.
Jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine in Richtung von seiner Vorderseite 401 zu seiner Rückseite 402 bemessene Dicke 403 auf. Es ist zweckmäßig, dass die Dicke 303 der Gitterstruktur 300 geringer als die Dicke 403 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist. Die Rückseiten 402 der an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 ragen dann über die Rückseite 302 der an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten Gitterstruktur 300 hinaus.
Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt durchgeführt werden, um das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 auszuhärten. Das Aushärten des Materials des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann dabei beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen.
9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110, des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200, der Gitterstruktur 300 und der optoelektronischen Halbleiterchips 400 in einem der Darstellung der 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist ein Vergussmaterial 500 angeordnet worden. Dabei sind die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete Gitterstruktur 300 und die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 zumindest teilweise in das Vergussmaterial 500 eingebettet worden. Die Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 und sich zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302 erstreckende Seitenflächen der Gitterstruktur 300 sind zumindest teilweise durch das Vergussmaterial 500 bedeckt. Auch sich zwischen den Vorderseiten 401 und den Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 erstreckende Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind zumindest teilweise durch das Vergussmaterial 500 bedeckt. Die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind dagegen zumindest soweit frei und durch das Vergussmaterial 500 unbedeckt geblieben, dass die an den Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordneten elektrischen Kontaktflächen 410 weiter zugänglich sind. Das Vergussmaterial 500 grenzt auch an die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an.
Das Vergussmaterial 500 bildet einen Formkörper 510, in den die Gitterstruktur 300 und die optoelektronischen Halbleiterchips 400 zumindest teilweise eingebettet sind. Der Formkörper 510 weist eine an die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angrenzende Vorderseite 511 und eine der Vorderseite 511 gegenüberliegende Rückseite 512 auf. Es ist zweckmäßig, dass die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 etwa bündig mit der Rückseite 512 des Formkörpers 510 abschließen. Die Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 ist hingegen durch den Formkörper 510 bedeckt. Die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 und die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 schließen bündig mit der Vorderseite 511 des Formkörpers 510 ab. Der durch das Vergussmaterial 500 gebildete Formkörper 510, die in den Formkörper 510 eingebettete Gitterstruktur 300, die in den Formkörper 510 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 400 und der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 bilden gemeinsam einen Verbundkörper 600.
Das Vergussmaterial 500 und der aus dem Vergussmaterial 500 gebildete Formkörper 510 können eine hohe optische Reflektivität aufweisen. Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxidharz aufweisen. Außerdem kann das Vergussmaterial 500 eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise optisch reflektierende Partikel, beispielsweise Partikel, die TiO₂ aufweisen.
Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise in fließfähiger Form an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 über der Gitterstruktur 300 und zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet worden sein. Hierzu kann zuvor ein die Gitterstruktur 300 und die optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 umgrenzender Damm vorgesehen worden sein. Das Anordnen des Vergussmaterials 500 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren erfolgt sein, insbesondere beispielsweise durch ein berührungsloses Dosierverfahren. Beispielsweise kann das Vergussmaterial 500 durch Jetting angeordnet worden sein. Falls auf das vorherige Vorsehen eines Damms verzichtet wurde, so wurde das Vergussmaterial 500 zweckmäßigerweise in zähflüssiger Form an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet, um ein übermäßiges Zerfließen des Vergussmaterials 500 zu verhindern.
Nach dem Anordnen des Vergussmaterials 500 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt zum Aushärten des aus dem Vergussmaterial 500 gebildeten Formkörpers 510 durchgeführt werden. Das Aushärten des Formkörpers 510 kann beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen. Es ist möglich, das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 und den aus dem Vergussmaterial 500 gebildeten Formkörper 510 in einem gemeinsamen Bearbeitungsschritt auszuhärten.
10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Der Verbundkörper 600 ist von der Oberseite 101 des Trägers 100 abgelöst worden. Dies ist durch Ablösen der lösbaren Klebefolie 110 von der Oberseite 101 des Trägers 100 erfolgt. Hierzu wurde die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 gelöst. Das Ablösen des Verbundkörpers 600 von der Oberseite 101 des Trägers 100 kann dadurch erleichtert worden sein, dass die in den Formkörper 510 eingebettete Gitterstruktur 300 eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des den Formkörper 510 umfassenden Verbundkörpers 600 bewirkt. In dem in 10 gezeigten Bearbeitungsstand ist die erste Seite 111 der lösbaren Klebefolie 110 noch mit der an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten zweiten Abdecklage 220 verbunden.
11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 und der lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Der Verbundkörper 600 ist an einer weiteren Folie 700 angeordnet worden. Dabei wurde der Verbundkörper 600 derart angeordnet, dass die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 der weiteren Folie 700 zugewandt sind und der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 von der weiteren Folie 700 abgewandt ist. Der Verbundkörper 600 kann beispielsweise mittels einer Klebeverbindung mit der weiteren Folie 700 verbunden sein. Die weitere Folie 700 kann auch als Dicing-Folie bezeichnet werden.
12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 11 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Die zuvor an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 und die mit der zweiten Abdecklage 220 verbundene lösbare Klebefolie 110 sind von dem Verbundkörper 600 abgelöst worden. Das Ablösen kann beispielsweise durch ein Abziehen der zweiten Abdecklage 220 von der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 erfolgt sein.
13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Der Verbundkörper 600 ist entlang von senkrecht zu der weiteren Folie 700 verlaufenden Trennebenen 710 zerteilt worden. Das Zerteilen des Verbundkörpers 600 kann beispielsweise durch Sägen, Lasertrennen oder Stanzen erfolgt sein. Jeder durch das Zerteilen entstandene Teil des Verbundkörpers 600 weist mindestens einen eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 400 auf und bildet ein optoelektronisches Bauelement 10.
14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur 300. Die in 14 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 kann bei dem anhand der 1 bis 13 beschriebenen Verfahren anstelle der in 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 verwendet werden.
Die in 14 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 unterscheidet sich von der in 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 dadurch, dass die Gitterstruktur 300 an ihrer Vorderseite 301 eine Strukturierung 320 aufweist. Die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 ist damit nicht eben ausgebildet. Im in 14 gezeigten Beispiel umfasst die Strukturierung 320 die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstrukturen. Die Sägezahnstrukturen können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 beispielsweise radialsymmetrisch umschließen. Die Sägezahnstrukturen der Strukturierung 320 an der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 können dazu dienen, bei den optoelektronischen Bauelementen 10 durch die optoelektronischen Halbleiterchips 400 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln, indem sie schräg abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in Richtung eines optischen Zentrums reflektieren. Die Strukturierung 320 an der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 könnte auch anders ausgebildet sein.
15 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Vorderseite 301 einer weiteren alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur 300. Die in 15 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 kann bei dem anhand der 1 bis 13 beschriebenen Verfahren anstelle der in 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 verwendet werden.
Die in 15 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 unterscheidet sich von der in 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 durch zusätzliche Durchbrüche 315, die zwischen den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet sind und sich jeweils zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302 durch die Gitterstruktur 300 erstrecken. Die Durchbrüche 315 können beispielsweise gemeinsam mit den Öffnungen 310 in der Gitterstruktur 300 angelegt worden sein.
Die Durchbrüche 315 sind so angeordnet, dass sich die Trennebenen 710, entlang derer der Verbundkörper 600 in dem in Zusammenhang mit 13 beschriebenen Verfahrensschritt zerteilt wird, durch die Durchbrüche 315 erstrecken. Die Durchbrüche 315 erleichtern dadurch das Zerteilen des Verbundkörpers 600, indem sie das Zerteilen der einen Teil des Verbundkörpers 600 bildenden Gitterstruktur 300 erleichtern. Insbesondere kann das Vorsehen der Durchbrüche 315 eine Verwendung einer höheren Sägegeschwindigkeit ermöglichen. Durch die Durchbrüche 315 wird außerdem eine übermäßige Gratbildung während des Zerteilens der einen Teil des Verbundkörpers 600 bildenden Gitterstruktur 300 verhindert.
In einer weiteren Ausführungsform der Gitterstruktur 300 weist diese sowohl die an der Vorderseite 301 ausgebildete Strukturierung 320 als auch die Durchbrüche 315 auf.
Bezugszeichenliste

10: optoelektronisches Bauelement
100: Träger
101: Oberseite
110: lösbare Klebefolie
111: erste Seite
112: zweite Seite
200: wellenlängenkonvertierender Bogen
201: Oberseite
202: Unterseite
210: erste Abdecklage
220: zweite Abdecklage
300: Gitterstruktur
301: Vorderseite
302: Rückseite
303: Dicke
310: Öffnung
311: Fläche
315: Durchbruch
320: Strukturierung
400: optoelektronischer Halbleiterchip
401: Vorderseite
402: Rückseite
403: Dicke
404: Fläche
410: elektrische Kontaktfläche
500: Vergussmaterial
510: Formkörper
511: Vorderseite
512: Rückseite
600: Verbundkörper
700: weitere Folie
710: Trennebene

Claims

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Trägers (100); - Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens (200) an einer Oberseite (101) des Trägers (100); - Anordnen einer Gitterstruktur (300) an einer Oberseite (201) des Bogens (200); - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (400) in einer Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) an der Oberseite (201) des Bogens (200); - Anordnen eines Vergussmaterials (500) an der Oberseite (201) des Bogens (200), wobei die Gitterstruktur (300) und der optoelektronische Halbleiterchip (400) zumindest teilweise in das Vergussmaterial (500) eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial (500), den Bogen (200), die Gitterstruktur (300) und den optoelektronischen Halbleiterchip (400) umfassender Verbundkörper (600) gebildet wird; - Ablösen des Verbundkörpers (600) von dem Träger (100).
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) eine Fläche (311) aufweist, die zwischen 10 % und 30 % größer ist als die Fläche (404) einer Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400).
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) durch Laminieren an der Oberseite (201) des Bogens (200) angeordnet wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) in zur Oberseite (201) des Bogens (200) senkrechte Richtung eine Dicke (303) aufweist, die geringer als die Dicke (403) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) in zur Oberseite (201) des Bogens (200) senkrechte Richtung eine Dicke (303) zwischen 20 µm und 100 µm aufweist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) mit einer Vorderseite (301) bereitgestellt wird, die eine Strukturierung (320) aufweist, wobei die Gitterstruktur (300) derart angeordnet wird, dass die Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) der Oberseite (201) des Bogens (200) zugewandt ist.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei die Strukturierung (320) eine die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur umfasst.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Befestigen des Bogens (200) an der Oberseite (101) des Trägers (100) die folgenden Schritte umfasst: - Anordnen einer lösbaren Klebefolie (110) an der Oberseite (101) des Trägers (100); - Anordnen des Bogens (200) an der Klebefolie (110); wobei der Verbundkörper (600) von dem Träger (100) abgelöst wird, indem die Klebefolie (110) von dem Träger (100) abgelöst wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Bogen (200) als Bogen eines Materials bereitgestellt wird, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) derart an dem Bogen (200) angeordnet wird, dass eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) dem Bogen (200) zugewandt ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anordnen des Vergussmaterials (500) so erfolgt, dass eine Rückseite (402) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) nicht durch das Vergussmaterial (500) bedeckt wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: - Anordnen des Verbundkörpers (600) an einer weiteren Folie (700) derart, dass der Bogen (200) von der weiteren Folie (700) abgewandt ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (310) bereitgestellt wird, wobei eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (400) an dem Bogen (200) angeordnet wird, wobei der Verbundkörper (600) so ausgebildet wird, dass er alle optoelektronischen Halbleiterchips (400) umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: - Zerteilen des Verbundkörpers (600).
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Zerteilen des Verbundkörpers (600) entlang von Trennebenen (710) erfolgt, die sich durch Durchbrüche (315) der Gitterstruktur (300) erstrecken.
Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Verbundkörper (600), der einen Formkörper (510), einen in den Formkörper (510) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (400), eine in den Formkörper (510) eingebettete Gitterstruktur (300) und eine an eine Vorderseite (511) des Formkörpers (510) angrenzende Schicht (200) eines wellenlängenkonvertierenden Materials umfasst, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) in einer Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) angeordnet ist, wobei eine Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) und eine Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) bündig mit der Vorderseite (511) des Formkörpers (510) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 16, wobei eine Rückseite (402) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) bündig mit einer Rückseite (512) des Formkörpers (510) abschließt.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 16 und 17, wobei eine Rückseite (302) der Gitterstruktur (300) durch den Formkörper (510) bedeckt ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei die Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) eine Strukturierung (320) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 19, wobei die Strukturierung (320) eine die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur umfasst.