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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1.
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Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit unterschiedlichen Gehäuseformen bekannt.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
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Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet wird, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper ausgebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.
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Dieses Verfahren ermöglicht vorteilhafterweise eine Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit sehr kompakten äußeren Abmessungen. Die Abmessungen des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements können nur wenig über die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips hinausgehen. Das Verfahren ist dabei vorteilhafterweise einfach, schnell und kostengünstig durchführbar. Der bei dem Verfahren verwendete Träger kann vorteilhafterweise einfach ausgebildet sein. Insbesondere muss sich der bei dem Verfahren verwendete Träger vorteilhafterweise nicht für einen Formprozess (Moldprozess) eignen.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Befestigen des Bogens an der Oberseite des Trägers Schritte zum Anordnen einer thermisch lösbaren Klebefolie an der Oberseite des Trägers und zum Anordnen des Bogens an der Klebefolie, wobei der Verbundkörper von dem Träger abgelöst wird, indem die Klebefolie von dem Träger abgelöst wird. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch ein leichtes Ablösen des durch das Verfahren erhältlichen Verbundkörpers des optoelektronischen Bauelements von dem bei dem Verfahren verwendeten Träger.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Bogen mit einer die Oberseite des Bogens bedeckenden ersten Abdecklage und einer eine Unterseite des Bogens bedeckenden zweiten Abdecklage bereitgestellt. Dabei wird die zweite Abdecklage an der Klebefolie angeordnet. Nach dem Anordnen des Bogens wird die erste Abdecklage entfernt. Vorteilhafterweise verhindern die an der Oberseite und der Unterseite des Bogens angeordneten Abdecklagen eine Verschmutzung der Oberseite und der Unterseite des Bogens. Dies erlaubt eine einfache Handhabung des Bogens und dadurch eine einfache Durchführung des Verfahrens.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger ein weiterer Schritt durchgeführt zum Ablösen der zweiten Abdecklage. Vorteilhafterweise ist die Unterseite des Bogens dadurch während der Durchführung der übrigen Schritte des Herstellungsverfahrens noch durch die zweite Abdecklage bedeckt und dadurch vor einer Verschmutzung geschützt.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Bogen als Bogen eines Materials bereitgestellt, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Der Bogen kann dadurch bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Da das Material des Bogens Silikon aufweist, kann der Bogen vorteilhafterweise eine Klebrigkeit aufweisen, die das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des Bogens vereinfacht. Dadurch lässt sich das Verfahren vorteilhafterweise besonders einfach durchführen.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektronische Halbleiterchip derart an dem Bogen angeordnet, dass eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips dem Bogen zugewandt ist. Dadurch ist der Bogen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement über der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet, wodurch es ermöglicht wird, dass zumindest ein Teil einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip an der Strahlungsemissionsfläche emittierten elektromagnetischen Strahlung in dem Bogen in elektromagnetische Strahlung mit einer anderen, beispielsweise größeren, Wellenlänge konvertiert wird.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines den optoelektronischen Halbleiterchip umgrenzenden Damms an dem Bogen, wobei das Vergussmaterial in dem durch den Damm umgrenzten Bereich angeordnet wird. Dies ermöglicht es, das Vergussmaterial beispielsweise in fließfähiger Form an der Oberseite des Bogens anzuordnen, wobei ein seitliches Abfließen des Vergussmaterials durch den den optoelektronischen Halbleiterchip umgrenzenden Damm verhindert wird. Dadurch wird eine besonders einfache und zuverlässige Einbettung des optoelektronischen Halbleiterchips in das Vergussmaterial ermöglicht.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Damms durch ein Dosierverfahren. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch unter Verwendung etablierter Methoden durchführbar.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Vergussmaterials so, dass eine der Strahlungsemissionsfläche gegenüberliegende Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht durch das Vergussmaterial bedeckt wird. Vorteilhafterweise bleiben die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips und an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnete elektrische Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips dadurch frei. Dies ermöglicht es, den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements über die an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktflächen elektrisch zu kontaktieren.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Vergussmaterials durch ein berührungsloses Dosierverfahren. Beispielsweise kann das Anordnen des Vergussmaterials durch Jetting erfolgen. Vorteilhafterweise wird dadurch eine zuverlässige und reproduzierbare Einbettung des optoelektronischen Halbleiterchips in das Vergussmaterial ermöglicht.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen des Verbundkörpers an einer weiteren Folie derart, dass der Bogen von der weiteren Folie abgewandt ist. Die weitere Folie kann beispielsweise als Träger während eines nachfolgenden Verfahrensschritts zum Zerteilen des Verbundkörpers dienen.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips an dem Bogen angeordnet. Dabei wird der Verbundkörper so ausgebildet, dass er alle optoelektronischen Halbleiterchips umfasst. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Hierdurch sinkt der Herstellungsaufwand pro optoelektronischem Bauelement.
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In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Verbundkörpers. Dabei kann der Verbundkörper so zerteilt werden, dass jeder Teil des Verbundkörpers mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip umfasst. Dadurch können gemeinsam in einem Verbund hergestellte optoelektronische Bauelemente voneinander getrennt werden.
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Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
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1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers;
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2 den Träger mit einer darauf angeordneten Klebefolie;
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3 den Träger und die Klebefolie mit einem darauf angeordneten wellenlängenkonvertierenden Bogen;
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4 den wellenlängenkonvertierenden Bogen nach dem Ablösen einer ersten Abdecklage;
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5 eine Mehrzahl auf einer Oberseite des wellenlängenkonvertierenden Bogens angeordneter optoelektronischer Halbleiterchips;
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6 einen die optoelektronischen Halbleiterchips umgrenzenden Damm an der Oberseite des wellenlängenkonvertierenden Bogens;
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7 einen durch Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in ein Vergussmaterial gebildeten Verbundkörper;
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8 den Verbundkörper nach dem Ablösen des Trägers;
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9 den Verbundkörper nach dem Anordnen auf einer weiteren Folie;
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10 den Verbundkörper nach dem Ablösen der Klebefolie und einer zweiten Abdecklage von dem wellenlängenkonvertierenden Bogen; und
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11 eine Mehrzahl durch Zerteilen des Verbundkörpers gebildeter optoelektronischer Bauelemente.
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1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 100. Der Träger 100 weist eine ebene Oberseite 101 auf. Der Träger 100 kann beispielsweise als Scheibe ausgebildet sein. Der Träger 100 kann beispielsweise Edelstahl, Aluminium oder eine Legierung aufweisen.
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2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Auf der Oberseite 101 des Trägers 100 ist eine thermisch lösbare Klebefolie 110 angeordnet worden. Die thermisch lösbare Klebefolie 110 weist eine erste Seite 111 und eine der ersten Seite 111 gegenüberliegende zweite Seite 112 auf. Sowohl die erste Seite 111 als auch die zweite Seite 112 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 sind klebend ausgebildet. Die zweite Seite 112 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 ist an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet. Die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 kann thermisch gelöst werden.
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3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der thermisch lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Mittels der thermisch lösbaren Klebefolie 110 ist ein wellenlängenkonvertierender Bogen 200 an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt worden. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist ein Material auf, das dazu ausgebildet ist, in den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 eintretende elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbereich zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 kann insbesondere ein Material aufweisen, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann dabei in einem nicht vollständig ausgehärteten Zustand vorliegen.
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Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Die Oberseite 201 und die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 können jeweils eine leichte Klebrigkeit aufweisen. Die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine erste Abdecklage 210 bedeckt. Die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine zweite Abdecklage 220 bedeckt. Die Abdecklagen 210, 220 können auch als Liner bezeichnet werden.
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Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 ist derart an der ersten Seite 111 der thermischen lösbaren Klebefolie 110 angeordnet, dass die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 und somit auch der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt ist. Dabei ist die an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 auf die erste Seite 111 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 auflaminiert.
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Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 kann beispielsweise eine Dicke zwischen 20 µm und 150 µm aufweisen.
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Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen. Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise als Polymer-Folien ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als Fluor-Polymer-Folien. Es ist zweckmäßig, dass die Abdecklagen 210, 220 eine geringe Haftkraft zum Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 aufweisen.
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4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der thermisch lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Die zuvor an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete erste Abdecklage 210 ist entfernt worden. Das Entfernen der ersten Abdecklage 210 kann beispielsweise durch einfaches Abziehen erfolgt sein.
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5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der thermisch lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips 300 angeordnet worden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Dabei sind die optoelektronischen Halbleiterchips 300 dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge zu emittieren, die durch den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge konvertiert werden kann. Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu emittieren. Bei den optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann es sich beispielsweise um Leuchtdiodenchips (LED-Chips) handeln.
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Im in 5 dargestellten Beispiel sind die optoelektronischen Halbleiterchips 300 als Saphir-Flip-Chips ausgebildet. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Strahlungsemissionsfläche 301 auf. Die Strahlungsemissionsfläche 301 kann an einer Saphir-Seite des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 300 gebildet sein. Im Betrieb des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 300 wird zumindest ein Teil der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der Strahlungsemissionsfläche 301 abgestrahlt. Zusätzlich kann elektromagnetische Strahlung auch an anderen Flächen der optoelektronischen Halbleiterchips 300 abgestrahlt werden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 könnten alternativ auch beispielsweise als oberflächenemittierende Flip-Chips ausgebildet sein.
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Weiter weist jeder optoelektronische Halbleiterchip 300 eine der Strahlungsemissionsfläche 301 gegenüberliegende Rückseite 302 auf. An der Rückseite 302 sind elektrische Kontaktflächen 310 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnet, über die der jeweilige optoelektronische Halbleiterchip 300 elektrisch kontaktiert und mit elektrischem Strom beziehungsweise elektrischer Spannung beaufschlagt werden kann.
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Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind derart an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet worden, dass die Strahlungsemissionsflächen 301 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 zugewandt sind und mit dieser in Kontakt stehen. Dabei können die optoelektronischen Halbleiterchips 300 durch eine vorhandene Klebrigkeit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an ihren jeweiligen Positionen gehalten werden.
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Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind bevorzugt in einer regelmäßigen zweidimensionalen Anordnung, insbesondere beispielsweise in einer rechteckigen Gitteranordnung, voneinander beabstandet an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet. Das Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 300 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann beispielsweise durch ein Die-Attach-Verfahren erfolgt sein.
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Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 300 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt durchgeführt werden, um das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 auszuhärten. Das Aushärten des Materials des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann dabei beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen.
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6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der thermisch lösbaren Klebefolie 110, des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 und der optoelektronischen Halbleiterchips 300 in einem der Darstellung der 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist ein Damm 400 angelegt worden. Der Damm 400 ist ringförmig geschlossen und umgrenzt die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 300. Die optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind somit in einem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich 410 angeordnet.
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Das Anordnen des Damms 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren erfolgt sein.
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Es ist möglich, auf das Vorsehen des Damms 400 zu verzichten.
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7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten Komponenten in einem der Darstellung der 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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In dem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich 410 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist ein Vergussmaterial 500 angeordnet worden. Dabei sind die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Elements 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 300 zumindest teilweise in das Vergussmaterial 500 eingebettet worden. Sich zwischen den Strahlungsemissionsflächen 301 und den Rückseiten 302 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 erstreckende Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind zumindest teilweise durch das Vergussmaterial 500 bedeckt. Die Rückseiten 302 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 sind dagegen zumindest soweit frei und durch das Vergussmaterial 500 unbedeckt geblieben, dass die an den Rückseiten 302 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordneten elektrischen Kontaktflächen 310 weiter zugänglich sind. Das in dem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich 410 angeordnete Vergussmaterial 500 grenzt auch an die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an. Das Vergussmaterial 500, der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 und die in das Vergussmaterial 500 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 300 bilden gemeinsam einen Verbundkörper 600.
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Das Vergussmaterial 500 kann ein hohes optisches Reflexionsvermögen aufweisen. Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid-Harz aufweisen. Außerdem kann das Vergussmaterial 500 eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise optisch reflektierende Partikel, beispielsweise Partikel, die TiO2 aufweisen.
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Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise in fließfähiger Form in dem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich 410 angeordnet werden. Das Anordnen des Vergussmaterials 500 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren erfolgen, insbesondere durch ein berührungsloses Dosierverfahren. Beispielsweise kann das Vergussmaterial 500 durch Jetting in dem durch den Damm 400 umgrenzten Bereich 410 angeordnet werden.
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Falls auf das Anordnen des Damms 400 verzichtet wird, so wird das Vergussmaterial 500 zweckmäßigerweise in zähflüssiger Form an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet, so dass ein übermäßiges Zerfließen des Vergussmaterials 500 verhindert wird.
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Nach dem Anordnen des Vergussmaterials 500 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt zum Aushärten des Vergussmaterials 500 durchgeführt werden. Das Aushärten des Vergussmaterials 500 kann beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen.
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8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des durch das Vergussmaterial 500, die in das Vergussmaterial 500 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 300 und den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 gebildeten Verbundkörpers 600 sowie der thermisch lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Der Verbundkörper 600 ist von der Oberseite 101 des Trägers 100 abgelöst worden. Dies ist durch Ablösen der thermisch lösbaren Klebefolie 110 von der Oberseite 101 des Trägers 100 erfolgt. Hierzu wurde die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 thermisch gelöst. In dem in 8 gezeigten Bearbeitungsstand ist die erste Seite 111 der thermisch lösbaren Klebefolie 110 noch mit der an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten zweiten Abdecklage 220 verbunden.
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9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 und der thermisch lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Der Verbundkörper 600 ist an einer weiteren Folie 700 angeordnet worden. Dabei wurde der Verbundkörper 600 derart angeordnet, dass die Rückseiten 302 der optoelektronischen Halbleiterchips 300 der weiteren Folie 700 zugewandt sind und der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 von der weiteren Folie 700 abgewandt ist. Der Verbundkörper 600 kann beispielsweise mittels einer Klebeverbindung mit der weiteren Folie 700 verbunden sein. Die weitere Folie 700 kann auch als Dicing-Folie bezeichnet werden.
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10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Die zuvor an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 und die mit der zweiten Abdecklage 220 verbundene thermisch lösbare Klebefolie 110 sind von dem Verbundkörper 600 abgelöst worden. Das Ablösen kann beispielsweise durch einfaches Ziehen der zweiten Abdecklage 220 von der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 erfolgt sein.
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11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
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Der Verbundkörper 600 ist entlang von senkrecht zu der weiteren Folie 700 verlaufenden Trennebenen 710 zerteilt worden. Das Zerteilen des Verbundkörpers 600 kann beispielsweise durch Sägen, Lasertrennen oder Stanzen erfolgt sein. Jeder durch das Zerteilen entstandene Teil des Verbundkörpers 600 weist mindestens einen eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 300 auf und bildet ein optoelektronisches Bauelement 10.
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Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
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Bezugszeichenliste
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- 10
- optoelektronisches Bauelement
- 100
- Träger
- 101
- Oberseite
- 110
- thermisch lösbare Klebefolie
- 111
- erste Seite
- 112
- zweite Seite
- 200
- wellenlängenkonvertierender Bogen
- 201
- Oberseite
- 202
- Unterseite
- 210
- erste Abdecklage
- 220
- zweite Abdecklage
- 300
- optoelektronischer Halbleiterchip
- 301
- Strahlungsemissionsfläche
- 302
- Rückseite
- 310
- elektrische Kontaktfläche
- 400
- Damm
- 410
- umgrenzter Bereich
- 500
- Vergussmaterial
- 600
- Verbundkörper
- 700
- weitere Folie
- 710
- Trennebene
