WO2017093262A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

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WO2017093262A1
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sheet
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
optoelectronic
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PCT/EP2016/079152
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Markus Pindl
Matthias Sperl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to a method for herstel ⁇ len an optoelectronic component according to claim 1, and an optoelectronic component according to claim 16th
  • a method of manufacturing an optoelectronic Bauele ⁇ ment comprises the steps of providing a support for mounting a a wavelength-material-containing sheet to an upper surface of the carrier, for positioning of a grid structure at an upper side of the sheet, for placement of an optoelectronic semiconductor chip in an opening of the grid structure at the top of the sheet, for placing a potting material at the top of the sheet, the lattice structure and the optoelectronic semiconductor chip at least partially into the potting material embedded forming a composite comprising the potting material, the arch, the grid structure, and the optoelectronic semiconductor chip, and for releasing the composite from the substrate.
  • This method enables the production of a optoelekt ⁇ tronic device with advantageously very compact outer dimensions.
  • the dimensions of the composite body of the optoelectronic component obtainable by the method can only slightly exceed the dimensions of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the embedded in the Vergussmate ⁇ rial grating structure may advantageously cause a mechanical stabilization and stiffening of the available by the process of the optoelectronic component. This facilitates the implementation of further processing ⁇ steps of the manufacturing process and reduces the risk of damaging the optoelectronic component.
  • the grating structure embedded in the potting material can serve as a reflector for electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip, thereby causing beam shaping.
  • the manufacturing process is advantageously simple, fast and inexpensive to carry out.
  • the carrier used in the method may advantageously be simple. In particular, the carrier used in the process advantageously does not have to be suitable for a molding process (molding process).
  • the opening of the lattice structure has an area that is between 10% and 30% larger than the area of a front side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the grating structure thereby tightly encloses the front side of the optoelectronic semiconductor chip, as a result of which the grating structure increases only slightly the necessary minimum size of the composite body of the optoelectronic semiconductor chip obtainable by the method. nischer device causes.
  • the larger area of the opening of the lattice structure than the area of the front side of the optoelectronic semiconductor chip makes it possible to easily position the optoelectronic semiconductor chip in the opening of the lattice structure.
  • the grid structure can advantageously additionally serve as a reference system for the alignment of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the lattice structure is arranged by lamination at the top of the sheet.
  • this allows a pre-structuring of the grid structure, whereby the method is simple and inexpensive to carry out.
  • the grid structure in a direction perpendicular to the top of the arc has a thickness which is less than the thickness of the optoelectronic semiconductor chip.
  • this makes it very easy to arrange the optoelectronic semiconductor chip in the opening of the lattice structure.
  • the Git ⁇ ter designed in the top of the arc vertical direction has a thickness between 20 and 100 m on ⁇ .
  • the grating structure characterized on the one hand a sufficient thickness to effect a mechanical stabilization and stiffening of the composite, on the other hand, however, a little from ⁇ sufficient thickness to provide a simple arrangement of the optoelectronic semiconductor chip in the opening of the grid structure on the top side of the sheet to enable.
  • the grid structure is provided with a front side having a structuring.
  • the grid structure is arranged such that the front side of the grid structure faces the upper side of the arch.
  • the front of the lattice structure is then exposed at a front side of the optoelectronic device obtainable by the method.
  • the structuring of the front side of the grid structure can thereby influence a radiation characteristic of the optoelectronic component obtainable by the method.
  • the structuring comprises a sawtooth structure that at least partially revolves the opening of the lattice structure.
  • structuring of the front side of the lattice structure in the optoelectronic component obtainable by this method can bring about bundling of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
  • attaching the sheet to the top of the carrier includes steps of placing a releasable adhesive sheet on the top of the carrier and placing the sheet on the adhesive sheet.
  • the composite body is detached from the carrier by the adhesive film is detached from the carrier.
  • the adhesive film can be, for example, a thermally releasable adhesive film or a UV-releasable adhesive film.
  • it enables the method characterized ⁇ a simple detachment of the comparison of the composite body obtainable by the process of the optoelectronic device used in the process medium.
  • the sheet is provided as a sheet of material comprising silicone and wavelength-converting particles embedded in the silicone.
  • the sheet can thereby serve in which by the method he keeps handy ⁇ optoelectronic component to convert one by the optoelectronic semiconductor chip emitted electromagnetic radiation at least partly into electromagnetic radiation of a different wavelength. Since the material of the bow has silicone, the bow can advantageously have a tack that simplifies the placement of the optoelectronic semiconductor chip at the top of the sheet. As a result, the method can advantageously be carried out particularly easily.
  • the optoelectronic ⁇ African semiconductor chip is disposed on the arc such that a radiation emission surface forming a front side of the optoelectronic semiconductor chip facing the arc.
  • the arc is arranged above the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip, thereby enabling at least part of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip at the radiation emission surface in the arc to be converted into electromagnetic radiation other, for example, larger, wavelength is converted.
  • the potting material is arranged such that a back side of the optoelectronic semiconductor chip is not covered by the potting material.
  • the rear side of the optoelectronic semiconductor chip and the electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip arranged on the rear side of the optoelectronic semiconductor chip thus remain free. This makes it possible to electrically contact the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component obtainable by the method via the electrical contact surfaces arranged on the rear side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • this comprises a further step for arranging the composite body on a further film such that the sheet is remote from the further film.
  • the further sheet may, for example, share as a carrier during a subsequent process step for the cerium ⁇ serve the composite.
  • the grid structure is provided with a plurality of openings.
  • a plurality of optoelectronic semiconductor chips is arranged on the arc.
  • the composite body is designed so that it includes all optoelectronic semiconductor chips.
  • the method thereby enables a parallel production of a plurality of optoelectronic components in common operations. This reduces the Herstell einaufwand per optoelectronic device.
  • this comprises a further step for splitting the composite body.
  • the composite body can be divided so that each part of the composite body comprises at least one optoelectronic semiconductor chip ⁇ conductor.
  • optoelectronic components produced together in a composite can be separated from one another.
  • the dividing of the composite body takes place along dividing planes which extend through openings of the grid structure.
  • the openings arranged in the lattice structure facilitate the division of the composite body and of the lattice structure forming part of the composite body.
  • the apertures may also advantageously reduce formation of burrs in the area of the parting planes.
  • An optoelectronic component has a composite body which comprises a shaped body, an optoelectronic semiconductor chip embedded in the shaped body, a grid structure embedded in the shaped body and a layer of a wavelength-converting material adjoining a front side of the shaped body.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged in an opening of the lattice structure.
  • a front side of the optoelectronic semiconductor chip and a front side of the grid structure is flush with the front of the molded body.
  • the composite body of this optoelectronic component a housing with a very compact outer
  • the dimensions of the composite body forming the housing of the optoelectronic component can only be slightly larger than the dimensions of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the lattice structure forming part of the composite body advantageously effects a mechanical stabilization and stiffening of the composite body forming the housing, as a result of which the optoelectronic component can have a high degree of robustness.
  • the embedded in the molded body lattice structure may also serve to affect a Abstrahlcharakte ⁇ roxid of the optoelectronic component.
  • a rear side of the optoelectronic semiconductor chip terminates flush with a rear side of the shaped body.
  • the rear side of the optoelectronic semiconductor chip is exposed at the rear side of the composite body forming a housing of the optoelectronic component, which makes it possible to electrically contact the optoelectronic component via electrical contact surfaces arranged on the rear side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • a rear side of the lattice structure is covered by the shaped body.
  • thereby caused by the grid structure shorts are prevented.
  • the front side of the lattice structure has a structuring.
  • This structuring can serve to influence a radiation characteristic of the optoelectronic component.
  • the structuring comprises a sawtooth structure which at least partially surrounds the opening of the lattice structure.
  • FIG. 1 is a sectional side view of a carrier
  • FIG. 2 shows the carrier with an adhesive film arranged thereon;
  • FIG. 4 shows the wavelength-converting curve after detachment of a first cover bearing
  • FIG. 5 shows a lattice structure arranged above an upper side of the wavelength-converting arc
  • Figure 6 is a plan view of the grid structure
  • Figure 7 is a sectional side view of the grid structure a sectional side view of the carrier, the adhesive film, the wavelength-converting arc, the lattice structure and arranged in openings of the lattice structure at the top of the arc optoelectronic semiconductor chips; a composite body formed by embedding the optoelectronic semiconductor chips and the grid structure in a potting material; the composite after detachment of the carrier; the composite body after placing on another film; the composite after peeling the adhesive sheet and a second cover sheet of the wavelength converting sheet; a plurality of optoelectronic devices formed by dividing the composite body; a sectional side view of an alternative embodiment of the grid structure; and
  • FIG. 15 shows a plan view of a further alternative embodiment of the lattice structure.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional side view of a carrier 100.
  • the carrier 100 has a flat upper side 101.
  • the carrier 100 may be formed, for example, as a disc.
  • the carrier 100 may comprise, for example, a glass, stainless steel, aluminum or an alloy.
  • Figure 2 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 in one of the representation of Figure 1 temporally subsequent processing status.
  • On the upper surface 101 of the carrier 100 is a releasable adhesive ⁇ sheet 110 has been placed.
  • the detachable adhesive film 110 has a first side 111 and a second side 112 lying opposite the first side 111. Both the first side 111 and the second side 112 of the releasable adhesive film 110 are adhesively formed.
  • the second side 112 of the releasable adhesive film 110 is arranged on the upper side 101 of the carrier 100.
  • the adhesive sheet can be, for example, a thermally releasable adhesive sheet or a detachable by UV irradiation ⁇ adhesive film.
  • the adhesive bond between the second side 112 of the releasable adhesive sheet 110 and the top surface 101 of the carrier 100 may then be released by a thermal treatment or by UV irradiation.
  • Figure 3 shows a schematic sectional side view of the carrier 100 and the releasable adhesive film 110 in one of the representation of Figure 2 temporally subsequent processing status.
  • the wavelength converting sheet 200 comprises a material that is adapted to convert entering the WEL leninkonvert Schlierenden sheet 200 electromagnetic radiation having a wavelength from a first spectral range at least partially into electromagnetic radiation with a wavelength of a second areas of the spectrum ⁇ rich.
  • the wavelength-converting sheet 200 may in particular comprise a material which comprises silicone and wavelength-converting particles embedded in the silicone.
  • the material of the wavelength-converting ⁇ the arc can be present in a not fully cured state.
  • the wavelength converting sheet 200 has an upper surface 201 and a top surface 201 of the opposing sub ⁇ page 202.
  • the top 201 and the bottom 202 of the wavelength converting sheet 200 may each have a slight stickiness.
  • the upper surface 201 of the wavelength-converting arc 200 is covered by a first cover layer 210 for protection against contamination.
  • the underside 202 of the wavelength-converting arc 200 is covered by a second cover 220 for protection against contamination.
  • the cover layers 210, 220 may also be referred to as liners.
  • the wavelength-converting arc 200 is arranged on the first side 111 of the releasable adhesive film 110 such that the underside 202 of the wavelength-converting arc 200 faces the releasable adhesive film 110 and thus also the top side 101 of the carrier 100.
  • the second cover layer 220 arranged on the lower side 202 of the wavelength-converting curve 200 is laminated onto the first side 111 of the releasable adhesive film 110.
  • the wavelength-converting curve 200 may, for example, have a thickness between 20 ⁇ m and 150 m.
  • the cover layers 210, 220 may for example comprise a plastic material.
  • the cover layers 210, 220 may be formed, for example, as polymer films, in particular, for example, as fluoropolymer films. It is expedient that the cover layers 210, 220 have a low adhesive force to the material of the wavelength-converting curve 200.
  • Figure 4 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 110 and the wavelength-converting arc 200 in one of the representation of Figure 3 temporally subsequent processing status.
  • the first cover layer 210 which was previously located on the upper side 201 of the wavelength-converting curve 200, has been removed. The removal of the first cover layer 210 may for example be done by simply peeling.
  • Figure 5 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 110 and the wavelength-converting arc 200 in one of the representation of Figure 4 temporally subsequent processing status.
  • FIG. 6 shows a schematic plan view of a front side 301 of the lattice structure 300.
  • FIG. 7 shows a schematic sectional side view of the lattice structure 300.
  • the lattice structure 300 is formed as a flat, planar and substantially two-dimensional lattice with a plurality of openings 310 which extend from the front side 301 of the lattice structure 300 to a back side 302 of the lattice structure 300 opposite the front side 301 through the lattice structure 300. It is expedient that the openings 310 of the grid structure 300 are arranged in a regular two-dimensional pattern, for example in a rectangular matrix arrangement. It is expedient that the openings 310 of the grid structure 300 have rectangular cross sections. For example, the openings 310 of the mesh structure 300 may guadratician cross sections aufwei ⁇ sen.
  • the grating structure 300 comprises a material with high optical reflectivity.
  • the front side 301 of the lattice structure 300 has a high optical reflectivity.
  • the grid structure 300 may be, for example, a metal or a metal Plastic have.
  • the lattice structure 300 may comprise, for example, copper and / or silver, PEEK, PPA or a white epoxy resin.
  • the lattice structure 300 may have already been structured prior to its arrangement on the upper side 201 of the wavelength-converting curve 200, that is to say may have been provided in particular with the openings 310.
  • the openings 310 may have been created, for example, by a stamping process or an etching process.
  • the arrangement of the grid structure 300 on the upper side 201 of the arch 200 can be done, for example, by lamination.
  • the lattice structure 300 may be held by an existing tackiness of the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 at the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200.
  • the grating structure 300 has been arranged on the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 such that the front side 301 of the grating structure 300 faces the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 and is in contact with the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200.
  • the front face 301 of the grating structure 300 is formed flat in the embodiment shown in Figu ⁇ ren 5 to 7 embodiment of the grating 300th
  • the grid structure 300 has a thickness 303 dimensioned in the direction from its front side 301 to its rear side 302.
  • the thickness 303 may be, for example, between 20 ⁇ and 100 ⁇ .
  • the thickness 303 may be, for example, 50 ⁇ m.
  • FIG. 8 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the releasable adhesive film 110, the wavelength-translating sheet 200 and the lattice structure 300 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • a plurality of optoelectronic semiconductor chips 400 have been arranged in the openings 310 of the grid structure 300.
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 are designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light.
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 are designed to emit electromagnetic radiation having a wavelength that can be at least partially converted by the wavelength-converting arc 200 into electromagnetic radiation of a different wavelength.
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 may, for example, be designed to emit electrical radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chips 400 may be, for example, light emitting diode chips (LED chips).
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 are designed as sapphire flip chips.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 400 has a front side 401 forming a radiation emission surface.
  • the front side 401 may be formed on a sapphire side of the respective optoelectronic semiconductor chip 400.
  • at least part of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 400 is emitted at the front side 401 forming the radiation emission surface .
  • electromagnetic radiation can also be applied to other surfaces of the optoelectronic
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 could alternatively be ⁇ example designed as surface-flip chips.
  • each optoelectronic semiconductor chip 400 has a rear side 402 opposite the front side 401. At the rear side 402 are arranged electrical contact surfaces 410 of the optoelectronic semiconductor chips 400, via which the respective optoelectronic semiconductor chip 400 electrically contacted and can be acted upon by electrical current or electrical voltage.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 are so arranged on the upper side 202 of the wavelength converting sheet 200 such that the front sides 401 of the optoelectronic see semiconductor chip face 400 of the top 201 of the wavelength ⁇ converting sheet 200 and are in contact therewith.
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 can be held in their respective positions by a tackiness of the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200.
  • the optoelectronic semiconductor chips 400 have been arranged in the openings 310 of the grid structure 300.
  • an optoelectronic semiconductor chip 400 has been arranged in each opening 310 of the grating structure 300.
  • the openings 310 of the grid structure 300 have a shape similar to the shape of the front sides 401 of the optoelectronic semiconductor chips 400.
  • both the openings 310 of the grid structure 300 and the front sides 401 of the optoelectronic semiconductor chips 400 may be rectangular, in particular square.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 spaced apart from the grating structure 300 in the openings 310 of the mesh structure 300 arranged.
  • the areas 311 of the openings 310 of the grid structure 300 may be between 10% and 30% greater than that
  • the front sides 401 of the optoelectronic semiconductor chips 400 each have a surface 404 of 1000 ⁇ ⁇ 1000 ⁇ have.
  • the openings 310 of the grid structure 300 may, for example, each have a surface 311 of 1100 ⁇ ⁇ 1100 ⁇ .
  • the arrangement of the optoelectronic semiconductor chips 400 on the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 may be effected, for example, by a die-attach method.
  • the openings 310 of the grid structure 300 may have been used for local alignment of the optoelectronic semiconductor chips 400.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 400 has an in
  • the thickness 303 of the grating structure 300 is smaller than the thickness 403 of the optoelectronic semiconductor chips 400.
  • the remindsei- th 402 arranged on the upper side 201 of the wavelength converting sheet 200 optoelectronic semiconductor chip 400 then protrude through the back side 302 of the 200 angeord ⁇ Neten on the upper side 201 of the wavelength converting sheet lattice structure 300 addition.
  • FIG. 9 shows a schematic sectional side view of the carrier 100, the detachable adhesive sheet 110, the wellenlän ⁇ genkonvertierenden sheet 200, the lattice structure 300 and the Optoelectronic semiconductor chip 400 in one of the representation of Figure 8 temporally subsequent processing status.
  • a potting material 500 has been arranged on the upper side 201 of the wavelength-converting sheet 200.
  • the lattice structure 300 arranged on the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 and the optoelectronic semiconductor chip 400 arranged on the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 have been at least partially embedded in the potting material 500.
  • the back side 302 of the lattice structure 300 and side surfaces of the lattice structure 300 extending between the front side 301 and the back side 302 are at least partially covered by the potting material 500. Also between the front sides 401 and the rear sides 402 of the optoelectronic
  • Semiconductor chips 400 extending side surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 400 are at least partially covered by the potting material 500.
  • the rear sides 402 of the optoelectronic semiconductor chips 400 are at least so far exposed and uncovered by the potting material 500 that the electrical contact surfaces 410 arranged on the rear sides 402 of the optoelectronic semiconductor chips 400 are still accessible.
  • the potting material 500 also adjoins the upper side 201 of the wavelength-converting arch 200.
  • the potting material 500 forms a shaped body 510, in which the lattice structure 300 and the optoelectronic semiconductor chips ⁇ 400 are at least partially embedded.
  • the molded body 510 has a front side 511 adjoining the upper side 201 of the wavelength-converting arch 200 and a rear side 512 opposite the front side 511. It is expedient that the rear sides 402 of the optoelectronic semiconductor chips 400 terminate approximately flush with the rear side 512 of the molded body 510.
  • the rear side 302 of the grid structure 300 is characterized by the shaped body 510. covers.
  • the front sides 401 of the optoelectronic semiconductor chips 400 and the front side 301 of the grid structure 300 are flush with the front side 511 of the molded body 510.
  • the molded body 510 formed by the potting material 500, the lattice structure 300 embedded in the molded body 510, the optoelectronic semiconductor chips 400 embedded in the molded body 510 and the wavelength-converting arc 200 together form a composite body 600.
  • the potting material 500 and the potting material 500 formed from the potting material 500 Shaped bodies 510 can have a high optical reflectivity.
  • the potting material 500 may comprise, for example, a silicone or an epoxy resin.
  • the potting material 500 may comprise embedded particles, for example optically reflective particles, for example particles having T1O 2 .
  • the potting material 500 may, for example, have been arranged in a flowable form on the upper side 201 of the wavelength-converting lobe 200 above the lattice structure 300 and between the optoelectronic semiconductor chips 400.
  • a dam surrounding the lattice structure 300 and the optoelectronic semiconductor chips 400 at the upper side 201 of the wavelength-converting arc 200 may have been previously provided.
  • the placement of the potting material 500 can for example be carried out by a dosing method ⁇ , in particular for example by a non-contact dispensing.
  • the potting material 500 may have been arranged by jetting. If the previous advantages see a dam has been dispensed, the encapsulant 500 has been conveniently in viscous form on the upper surface 201 of the wavelength converting sheet 200 angeord ⁇ net to prevent excessive bleed of the potting material 500th
  • a further process step for curing the shaped body 510 formed from the potting material 500 are performed.
  • the curing of the molded body 510 can be carried out, for example, by a thermal treatment or by irradiation with light of a fixed wavelength. It is possible to cure the material of the wavelength-converting sheet 200 and the molded body 510 formed of the potting material 500 in a common processing step.
  • Figure 10 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 in one of the representation of Figure 9 temporally subsequent processing status.
  • the composite body 600 has been detached from the upper side 101 of the carrier 100. This is done by detaching the releasable adhesive film 110 from the top 101 of the carrier 100. For this purpose, the adhesive bond between the second side 112 of the releasable adhesive film 110 and the top side 101 of the carrier 100 has been solved.
  • the detachment of the composite body 600 from the upper side 101 of the carrier 100 may be facilitated by the lattice structure 300 embedded in the molded body 510 causing mechanical stabilization and stiffening of the composite body 600 comprising the shaped body 510.
  • the first side 111 of the releasable adhesive film 110 is still connected to the second cover layer 220 arranged on the underside 202 of the wavelength-converting curve 200.
  • FIG. 11 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 and the releasable adhesive film 110 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • the composite body 600 has been arranged on a further film 700.
  • the composite body 600 has been arranged such that the rear sides 402 of the optoelectronic semiconductor chips 400 face the further foil 700 and the wavelength converting arc 200 is remote from the further film 700.
  • the composite body 600 may ⁇ example, by means of an adhesive connection with the other film 700 to be connected.
  • the additional film 700 may also be referred to as a dicing film.
  • FIG. 12 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 arranged on the further film 700 in a processing state which follows the illustration of FIG.
  • FIG. 13 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 arranged on the further film 700 in a processing state following in the illustration of FIG.
  • the composite body 600 has been split along parting planes 710 extending perpendicular to the further film 700.
  • the cutting of the composite body 600 can be done for example by sawing, laser cutting or punching.
  • Each part of composite body 600 resulting from the division has at least one embedded optoelectronic semiconductor chip 400 and forms an optoelectronic component 10.
  • FIG. 14 shows a schematic sectional side view of an alternative embodiment of the grid structure 300.
  • the embodiment of the grid structure shown in FIG. In the case of the method described with reference to FIGS. 1 to 13, the method 300 may be used instead of the embodiment of the grid structure 300 shown in FIGS. 6 and 7.
  • the embodiment of the grid structure 300 shown in Figure 14 differs from the ge Service ⁇ th in Figures 6 and 7, the grating structure 300 in that the lattice structure 300 has at its front side 301, a patterning 320th The front side 301 of the grid structure 300 is thus not flat.
  • FIG. 14 shows a schematic sectional side view of an alternative embodiment of the grid structure 300.
  • the embodiment of the grid structure shown in FIG. In the case of the method described with reference to FIGS. 1 to 13, the method 300 may be used instead of the embodiment of the grid structure 300 shown in FIGS. 6 and 7.
  • the embodiment of the grid structure 300 shown in Figure 14 differs from the ge Service ⁇ th in Figures 6 and 7, the grating structure
  • the structuring 320 includes the openings 310 of the grid structure 300 at least partially encircling sawtooth structures.
  • the sawtooth structures can surround the openings 310 of the lattice structure 300, for example radially symmetrically.
  • the sawtooth structures of the structuring 320 on the front side 301 of the lattice structure 300 can serve to bundle electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips 400 in the optoelectronic components 10 by emitting electromagnetic radiation obliquely emitted in the direction of an optical path
  • the structuring 320 on the front side 301 of the grid structure 300 could also be designed differently.
  • 15 shows a schematic plan view of the front side 301 of a further alternative embodiment of the grid structure 300.
  • the embodiment of the grid structure 300 shown in FIG. 15 can be used instead of the embodiment of the grid structure 300 shown in FIGS. 6 and 7 in the method described with reference to FIGS be used .
  • the embodiment of the grid structure 300 shown in Figure 15 differs from the ge Service- in Figures 6 and 7 th embodiment of the grating structure 300 through additional openings 315 which are disposed between the openings 310 of the Git ⁇ terpatented 300 and respectively between the Front 301 and the back 302 extend through the grid structure 300.
  • the apertures 315 may be co-located with the apertures 310 in the grid structure 300.
  • the openings 315 are arranged so that the separation levels 710, along which the composite body 600 is divided in the method step described in connection with FIG. 13, extend through the openings 315.
  • the apertures 315 thereby facilitate the cutting of the composite body 600 by facilitating the division of the grid structure 300 forming part of the composite body 600.
  • the provision of the apertures 315 may allow use of a higher sawing speed.
  • the apertures 315 also prevent excessive burr formation during dicing of the grid structure 300 forming part of the composite body 600.
  • this has both the structuring 320 formed on the front side 301 and the openings 315.

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelement umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen einer Gitterstruktur an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei die Gitterstruktur und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen, die Gitterstruktur und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1 sowie ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 16.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 120 855.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit unterschiedlichen Gehäuseformen bekannt.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des An- spruchs 16 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele¬ ments umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen einer Gitterstruktur an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei die Gitterstruktur und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen, die Gitterstruktur und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.
Dieses Verfahren ermöglicht eine Herstellung eines optoelekt¬ ronischen Bauelements mit vorteilhafterweise sehr kompakten äußeren Abmessungen. Die Abmessungen des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauele- ments können nur wenig über die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips hinausgehen. Die in das Vergussmate¬ rial eingebettete Gitterstruktur kann vorteilhafterweise eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements bewirken. Dies erleichtert die Durchführung der weiteren Bearbeitungs¬ schritte des Herstellungsverfahrens und reduziert die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Bauelements. Zusätzlich kann die in das Vergussmaterial eingebettete Gitterstruktur als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung dienen und dadurch eine Strahlformung bewirken. Das Herstellungsverfahren ist vorteilhafterweise einfach, schnell und kostengünstig durchführbar. Der bei dem Verfahren verwendete Träger kann vorteilhafterweise einfach ausgebildet sein. Insbeson- dere muss sich der bei dem Verfahren verwendete Träger vorteilhafterweise nicht für einen Formprozess (Moldprozess) eignen .
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Öffnung der Gitterstruktur eine Fläche auf, die zwischen 10 % und 30 % größer ist als die Fläche einer Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Vorteilhafterweise umschließt die Gitterstruktur die Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips dadurch eng, wodurch die Gitterstruktur nur eine geringfügige Erhöhung der notwendigen Mindestgröße des Verbundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektro- nischen Bauelements bewirkt. Gleichzeitig ermöglicht die gegenüber der Fläche der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips größere Fläche der Öffnung der Gitterstruktur eine einfache Positionierung des optoelektronischen Halb- leiterchips in der Öffnung der Gitterstruktur. Dabei kann die Gitterstruktur vorteilhafterweise zusätzlich als Bezugsystem zur Ausrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen . In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur durch Laminieren an der Oberseite des Bogens angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine Vorstrukturierung der Gitterstruktur, wodurch das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Gitterstruktur in zur Oberseite des Bogens senkrechte Richtung eine Dicke auf, die geringer als die Dicke des optoelektronischen Halbleiterchips ist. Vorteilhafterweise ist es dadurch sehr einfach, den optoelektronischen Halbleiterchip in der Öffnung der Gitterstruktur anzuordnen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Git¬ terstruktur in zur Oberseite des Bogens senkrechte Richtung eine Dicke zwischen 20 μπι und 100 m auf. Vorteilhafterweise weist die Gitterstruktur dadurch einerseits eine ausreichende Dicke auf, um eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des Verbundkörpers zu bewirken, andererseits jedoch eine aus¬ reichend geringe Dicke, um eine einfache Anordnung des opto- elektronischen Halbleiterchips in der Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens zu ermöglichen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur mit einer Vorderseite bereitgestellt, die eine Struktu- rierung aufweist. Dabei wird die Gitterstruktur derart angeordnet, dass die Vorderseite der Gitterstruktur der Oberseite des Bogens zugewandt ist. Die Vorderseite der Gitterstruktur liegt dann an einer Vorderseite des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements frei. Die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur kann dadurch eine Abstrahlcharakteristik des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements beeinflussen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Strukturierung eine die Öffnung der Gitterstruktur zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur. Vorteilhafterweise kann die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine Bündelung der durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Befestigen des Bogens an der Oberseite des Trägers Schritte zum Anordnen einer lösbaren Klebefolie an der Oberseite des Trägers und zum Anordnen des Bogens an der Klebefolie. Dabei wird der Verbundkörper von dem Träger abgelöst, indem die Klebefolie von dem Träger abgelöst wird. Die Klebefolie kann beispielsweise eine thermisch lösbare Klebefolie oder eine durch UV- Bestrahlung lösbare Klebefolie sein. Vorteilhafterweise er¬ möglicht das Verfahren dadurch ein einfaches Ablösen des Ver- bundkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements von dem bei dem Verfahren verwendeten Träger .
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Bogen als Bogen eines Materials bereitgestellt, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Der Bogen kann dadurch bei dem durch das Verfahren er¬ hältlichen optoelektronischen Bauelement dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elekt- romagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Da das Material des Bogens Silikon aufweist, kann der Bogen vorteilhafterweise eine Klebrigkeit aufweisen, die das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des Bogens vereinfacht. Dadurch lässt sich das Verfahren vorteilhafterweise besonders einfach durchführen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektro¬ nische Halbleiterchip derart an dem Bogen angeordnet, dass eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips dem Bogen zugewandt ist. Dadurch ist der Bogen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement über der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet, wodurch es ermöglicht wird, dass zumindest ein Teil einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip an der Strahlungsemis- sionsfläche emittierten elektromagnetischen Strahlung in dem Bogen in elektromagnetische Strahlung mit einer anderen, beispielsweise größeren, Wellenlänge konvertiert wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Vergussmaterials so, dass eine Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht durch das Vergussmaterial bedeckt wird. Vorteilhafterweise bleiben die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips und an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnete elektrische Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips dadurch frei. Dies ermöglicht es, den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements über die an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktflächen elektrisch zu kontaktieren.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen des Verbundkörpers an einer weiteren Folie derart, dass der Bogen von der weiteren Folie abgewandt ist. Die weitere Folie kann beispielsweise als Träger während eines nachfolgenden Verfahrensschritts zum Zer¬ teilen des Verbundkörpers dienen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gitterstruktur mit einer Mehrzahl von Öffnungen bereitgestellt. Dabei wird eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips an dem Bogen angeordnet. Der Verbundkörper wird dabei so ausgebildet, dass er alle optoelektronischen Halbleiterchips umfasst. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Hierdurch sinkt der Her- Stellungsaufwand pro optoelektronischem Bauelement.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Verbundkörpers. Dabei kann der Verbundkörper so zerteilt werden, dass jeder Teil des Verbundkörpers mindestens einen optoelektronischen Halb¬ leiterchip umfasst. Dadurch können gemeinsam in einem Verbund hergestellte optoelektronische Bauelemente voneinander getrennt werden. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Zerteilen des Verbundkörpers entlang von Trennebenen, die sich durch Durchbrüche der Gitterstruktur erstrecken. Vorteilhafterweise erleichtern die in der Gitterstruktur angeordneten Durchbrüche das Zerteilen des Verbundkörpers und der einen Teil des Verbundkörpers bildenden Gitterstruktur. Die Durchbrüche können außerdem vorteilhafterweise eine Bildung von Graten im Bereich der Trennebenen reduzieren.
Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Verbundkörper auf, der einen Formkörper, einen in den Formkörper eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip, eine in den Formkörper eingebettete Gitterstruktur und eine an eine Vorderseite des Formkörpers angrenzende Schicht eines wellenlängenkonvertierenden Materials umfasst. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in einer Öffnung der Gitterstruktur angeordnet. Eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips und eine Vorderseite der Gitterstruktur schließen bündig mit der Vorderseite des Formkörpers ab.
Vorteilhafterweise kann der Verbundkörper dieses optoelektro- nischen Bauelements ein Gehäuse mit sehr kompakten äußeren
Abmessungen bilden. Die Abmessungen des das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bildenden Verbundkörpers können nur geringfügig größer als die Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips sein. Die einen Teil des Verbundkörpers bildende Gitterstruktur bewirkt bei diesem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des das Gehäuse bildenden Verbundkörpers, wodurch das optoelektronische Bauelement eine große Robustheit aufweisen kann. Die in den Formkörper eingebettete Git- terstruktur kann außerdem dazu dienen, eine Abstrahlcharakte¬ ristik des optoelektronischen Bauelements zu beeinflussen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließt eine Rückseite des optoelektronischen Halbleiter- chips bündig mit einer Rückseite des Formkörpers ab. Dadurch liegt die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips an der Rückseite des ein Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bildenden Verbundkörpers frei, was es ermöglicht, das optoelektronische Bauelement über an der Rückseite des opto- elektronischen Halbleiterchips angeordnete elektrische Kontaktflächen elektrisch zu kontaktieren.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Rückseite der Gitterstruktur durch den Formkörper bedeckt. Vorteilhafterweise werden dadurch durch die Gitterstruktur verursachte Kurzschlüsse verhindert.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Vorderseite der Gitterstruktur eine Strukturierung auf. Diese Strukturierung kann dazu dienen, eine Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements zu beeinflussen . In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Strukturierung eine die Öffnung der Gitterstruktur zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur. Dadurch kann die Strukturierung der Vorderseite der Gitterstruktur vorteilhafterweise eine Bündelung von durch den optoelektro¬ nischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierter elektromagnetischer Strahlung bewirken. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel¬ lung
Figur 1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers; Figur 2 den Träger mit einer darauf angeordneten Klebefolie ;
Figur 3 den Träger und die Klebefolie mit einem darauf an¬ geordneten wellenlängenkonvertierenden Bogen;
Figur 4 den wellenlängenkonvertierenden Bogen nach dem Ablösen einer ersten Abdecklager-
Figur 5 eine über einer Oberseite des wellenlängenkonvertierenden Bogens angeordnete Gitterstruktur;
Figur 6 eine Aufsicht auf die Gitterstruktur;
Figur 7 geschnittene Seitenansicht der Gitterstruk eine geschnittene Seitenansicht des Trägers, der Klebefolie, des wellenlängenkonvertierenden Bogens, der Gitterstruktur und in Öffnungen der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens angeordneter optoelektronischer Halbleiterchips; einen durch Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips und der Gitterstruktur in ein Vergussmaterial gebildeten Verbundkörper; den Verbundkörper nach dem Ablösen des Trägers; den Verbundkörper nach dem Anordnen auf einer weiteren Folie; den Verbundkörper nach dem Ablösen der Klebefolie und einer zweiten Abdecklage von dem wellenlängenkonvertierenden Bogen; eine Mehrzahl durch Zerteilen des Verbundkörpers gebildeter optoelektronischer Bauelemente; eine geschnittene Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur; und
Figur 15 eine Aufsicht auf eine weitere alternative Ausführungsform der Gitterstruktur.
Figur 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 100. Der Träger 100 weist eine ebene Oberseite 101 auf. Der Träger 100 kann beispielsweise als Scheibe ausgebildet sein. Der Träger 100 kann beispielsweise ein Glas, Edelstahl, Aluminium oder eine Legierung aufweisen. Figur 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 in einem der Darstellung der Figur 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf der Oberseite 101 des Trägers 100 ist eine lösbare Klebe¬ folie 110 angeordnet worden. Die lösbare Klebefolie 110 weist eine erste Seite 111 und eine der ersten Seite 111 gegenüber- liegende zweite Seite 112 auf. Sowohl die erste Seite 111 als auch die zweite Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 sind klebend ausgebildet. Die zweite Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 ist an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet. Die Klebefolie kann beispielsweise eine thermisch lös- bare Klebefolie oder eine durch UV-Bestrahlung lösbare Klebe¬ folie sein. Die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 kann dann durch eine thermische Behandlung oder durch UV-Bestrahlung gelöst werden.
Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und der lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der Figur 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
Mittels der lösbaren Klebefolie 110 ist ein wellenlängenkonvertierender Bogen 200 an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt worden. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist ein Material auf, das dazu ausgebildet ist, in den wel- lenlängenkonvertierenden Bogen 200 eintretende elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbe¬ reich zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Bo- gen 200 kann insbesondere ein Material aufweisen, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist. Das Material des wellenlängenkonvertieren¬ den Bogens kann dabei in einem nicht vollständig ausgehärteten Zustand vorliegen. Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unter¬ seite 202 auf. Die Oberseite 201 und die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 können jeweils eine leichte Klebrigkeit aufweisen. Die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine erste Abdecklage 210 bedeckt. Die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist zum Schutz vor einer Verschmutzung durch eine zweite Abdeck- läge 220 bedeckt. Die Abdecklagen 210, 220 können auch als Liner bezeichnet werden.
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 ist derart an der ersten Seite 111 der lösbaren Klebefolie 110 angeordnet, dass die Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 der lösbaren Klebefolie 110 und somit auch der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt ist. Damit ist die an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 auf die erste Seite 111 der lösba- ren Klebefolie 110 auflaminiert .
Der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 kann beispielsweise eine Dicke zwischen 20 μιη und 150 m aufweisen. Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen. Die Abdecklagen 210, 220 können beispielsweise als Polymer-Folien ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als Fluor-Polymer-Folien. Es ist zweckmäßig, dass die Abdecklagen 210, 220 eine geringe Haftkraft zum Ma- terial des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 aufweisen.
Figur 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der Figur 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die zuvor noch an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 befindliche erste Abdecklage 210 ist entfernt worden. Das Entfernen der ersten Abdecklage 210 kann beispielsweise durch einfaches Abziehen erfolgt sein.
Figur 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110 und des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in einem der Darstellung der Figur 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 ist eine Gitterstruktur 300 angeordnet worden. Figur 6 zeigt eine schematische Aufsicht auf eine Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300. Figur 7 zeigt eine schema- tische geschnittene Seitenansicht der Gitterstruktur 300.
Die Gitterstruktur 300 ist als flaches, ebenes und im Wesentlichen zweidimensionales Gitter mit einer Mehrzahl von Öffnungen 310 ausgebildet, die sich jeweils von der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 zu einer der Vorderseite 301 gegenüberliegenden Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 durch die Gitterstruktur 300 erstrecken. Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 in einem regelmäßigen zweidimensionalen Muster angeordnet sind, beispielsweise in einer rechteckigen Matrixanordnung. Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 rechteckige Querschnitte aufweisen. Beispielsweise können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 guadratische Querschnitte aufwei¬ sen .
Es ist zweckmäßig, dass die Gitterstruktur 300 ein Material mit hoher optischer Reflektivität aufweist. Insbesondere ist es zweckmäßig, dass die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 eine hohe optische Reflektivität aufweist. Die Git- terstruktur 300 kann beispielsweise ein Metall oder einen Kunststoff aufweisen. Insbesondere kann die Gitterstruktur 300 beispielsweise Kupfer und/oder Silber, PEEK, PPA oder ein weißes Epoxidharz aufweisen. Die Gitterstruktur 300 kann bereits vor ihrer Anordnung an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 strukturiert worden sein, also insbesondere mit den Öffnungen 310 versehen worden sein. Die Öffnungen 310 können beispielsweise durch ein Stanzverfahren oder ein Ätzverfahren angelegt worden sein.
Das Anordnen der Gitterstruktur 300 an der Oberseite 201 des Bogens 200 kann beispielsweise durch Laminieren erfolgt sein. Die Gitterstruktur 300 kann durch eine vorhandene Klebrigkeit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 gehalten werden. Die Gitterstruktur 300 ist derart an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet worden, dass die Vorderseite 301 der Git- terstruktur 300 der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 zugewandt ist und mit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 in Kontakt steht. Die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 ist bei der in Figu¬ ren 5 bis 7 gezeigten Ausführungsform des Gitters 300 eben ausgebildet.
Die Gitterstruktur 300 weist eine in Richtung von ihrer Vorderseite 301 zu ihrer Rückseite 302 bemessene Dicke 303 auf. Die Dicke 303 kann beispielsweise zwischen 20 μπι und 100 μιτι betragen. Insbesondere kann die Dicke 303 beispielsweise 50 μιη betragen.
Figur 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110, des wellenlän- genkonvertierenden Bogens 200 und der Gitterstruktur 300 in einem der Darstellung der Figur 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips 400 in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet wor- den. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Dabei sind die optoelektronischen Halbleiterchips 400 dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge zu emittieren, die durch den wellenlängenkonvertierenden Bogen 200 zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge konvertiert werden kann. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektrische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu emittieren. Bei den opto¬ elektronischen Halbleiterchips 400 kann es sich beispielsweise um Leuchtdiodenchips (LED-Chips) handeln.
Im in Figur 8 dargestellten Beispiel sind die optoelektroni- sehen Halbleiterchips 400 als Saphir-Flip-Chips ausgebildet. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite 401 auf. Die Vorderseite 401 kann an einer Saphir-Seite des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 400 gebildet sein. Im Be- trieb des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 400 wird zumindest ein Teil der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der die Strahlungsemissionsfläche bildenden Vorder¬ seite 401 abgestrahlt. Zusätzlich kann elektromagnetische Strahlung auch an anderen Flächen der optoelektronischen
Halbleiterchips 400 abgestrahlt werden. Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 könnten alternativ auch beispiels¬ weise als oberflächenemittierende Flip-Chips ausgebildet sein .
Weiter weist jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 eine der Vorderseite 401 gegenüberliegende Rückseite 402 auf. An der Rückseite 402 sind elektrische Kontaktflächen 410 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet, über die der jeweilige optoelektronische Halbleiterchip 400 elektrisch kontaktiert und mit elektrischem Strom beziehungsweise elektrischer Spannung beaufschlagt werden kann.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind derart an der Oberseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnet worden, dass die Vorderseiten 401 der optoelektroni- sehen Halbleiterchips 400 der Oberseite 201 des wellenlängen¬ konvertierenden Bogens 200 zugewandt sind und mit dieser in Kontakt stehen. Dabei können die optoelektronischen Halbleiterchips 400 durch eine Klebrigkeit der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 an ihren jeweiligen Positionen gehalten werden.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet worden. Dabei ist in jeder Öffnung 310 der Gitterstruktur 300 ein opto- elektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet worden.
Es ist zweckmäßig, dass die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 eine Form aufweisen, die der Form der Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 ähnlich ist. Bei- spielsweise können sowohl die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 als auch die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 rechteckig, insbesondere quadratisch, ausgebildet sein. Dabei weist jede Öffnung 310 der Gitterstruktur 300 eine Fläche 311 auf, die etwas größer ist als eine Fläche 404 der Vorderseite 401 des zugehörigen optoelektronischen Halb¬ leiterchips 400. Dadurch sind die optoelektronischen Halbleiterchips 400 beabstandet von der Gitterstruktur 300 in den Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 angeordnet. Beispielsweise können die Flächen 311 der Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zwischen 10 % und 30 % größer sein als die Flächen 404 der Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400. Beispielsweise können die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 jeweils eine Fläche 404 von 1000 μπι χ 1000 μπι aufweisen. Die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 können beispielsweise jeweils eine Fläche 311 von 1100 μπι χ 1100 μπι aufweisen.
Das Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann beispielsweise durch ein Die-Attach-Verfahren erfolgt sein. Dabei können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zur lokalen Ausrichtung der optoelektronischen Halbleiterchips 400 genutzt worden sein. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine in
Richtung von seiner Vorderseite 401 zu seiner Rückseite 402 bemessene Dicke 403 auf. Es ist zweckmäßig, dass die Dicke 303 der Gitterstruktur 300 geringer als die Dicke 403 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist. Die Rücksei- ten 402 der an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 ragen dann über die Rückseite 302 der an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeord¬ neten Gitterstruktur 300 hinaus.
Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt durchgeführt werden, um das Material des wellenlängenkonvertierenden Bo- gens 200 auszuhärten. Das Aushärten des Materials des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann dabei beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen. Figur 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100, der lösbaren Klebefolie 110, des wellenlän¬ genkonvertierenden Bogens 200, der Gitterstruktur 300 und der optoelektronischen Halbleiterchips 400 in einem der Darstellung der Figur 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bo- gens 200 ist ein Vergussmaterial 500 angeordnet worden. Dabei sind die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete Gitterstruktur 300 und die an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 zumindest teilweise in das Vergussmaterial 500 eingebettet worden. Die Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 und sich zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302 erstreckende Seitenflächen der Gitterstruktur 300 sind zumindest teilweise durch das Vergussmaterial 500 bedeckt. Auch sich zwischen den Vor- derseiten 401 und den Rückseiten 402 der optoelektronischen
Halbleiterchips 400 erstreckende Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind zumindest teilweise durch das Vergussmaterial 500 bedeckt. Die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 sind dagegen zumindest so- weit frei und durch das Vergussmaterial 500 unbedeckt geblieben, dass die an den Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordneten elektrischen Kontaktflächen 410 weiter zugänglich sind. Das Vergussmaterial 500 grenzt auch an die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertie- renden Bogens 200 an.
Das Vergussmaterial 500 bildet einen Formkörper 510, in den die Gitterstruktur 300 und die optoelektronischen Halbleiter¬ chips 400 zumindest teilweise eingebettet sind. Der Formkör- per 510 weist eine an die Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angrenzende Vorderseite 511 und eine der Vorderseite 511 gegenüberliegende Rückseite 512 auf. Es ist zweckmäßig, dass die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 etwa bündig mit der Rückseite 512 des Formkörpers 510 abschließen. Die Rückseite 302 der Gitterstruktur 300 ist hingegen durch den Formkörper 510 be- deckt. Die Vorderseiten 401 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 und die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 schließen bündig mit der Vorderseite 511 des Formkörpers 510 ab. Der durch das Vergussmaterial 500 gebildete Formkör- per 510, die in den Formkörper 510 eingebettete Gitterstruktur 300, die in den Formkörper 510 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 400 und der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 bilden gemeinsam einen Verbundkörper 600. Das Vergussmaterial 500 und der aus dem Vergussmaterial 500 gebildete Formkörper 510 können eine hohe optische Reflekti- vität aufweisen. Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxidharz aufweisen. Außerdem kann das Vergussmaterial 500 eingebettete Partikel aufweisen, bei- spielsweise optisch reflektierende Partikel, beispielsweise Partikel, die T1O2 aufweisen.
Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise in fließfähiger Form an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bo- gens 200 über der Gitterstruktur 300 und zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet worden sein. Hierzu kann zuvor ein die Gitterstruktur 300 und die optoelektronischen Halbleiterchips 400 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 umgrenzender Damm vor- gesehen worden sein. Das Anordnen des Vergussmaterials 500 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren erfolgt sein, insbesondere beispielsweise durch ein berührungsloses Dosier¬ verfahren. Beispielsweise kann das Vergussmaterial 500 durch Jetting angeordnet worden sein. Falls auf das vorherige Vor- sehen eines Damms verzichtet wurde, so wurde das Vergussmaterial 500 zweckmäßigerweise in zähflüssiger Form an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeord¬ net, um ein übermäßiges Zerfließen des Vergussmaterials 500 zu verhindern.
Nach dem Anordnen des Vergussmaterials 500 an der Oberseite 201 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 kann ein weiterer Verfahrensschritt zum Aushärten des aus dem Vergussmaterial 500 gebildeten Formkörpers 510 durchgeführt werden. Das Aushärten des Formkörpers 510 kann beispielsweise durch eine thermische Behandlung oder durch Bestrahlung mit Licht einer festgelegten Wellenlänge erfolgen. Es ist möglich, das Material des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 und den aus dem Vergussmaterial 500 gebildeten Formkörper 510 in einem gemeinsamen Bearbeitungsschritt auszuhärten. Figur 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der Figur 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Der Verbundkörper 600 ist von der Oberseite 101 des Trä- gers 100 abgelöst worden. Dies ist durch Ablösen der lösbaren Klebefolie 110 von der Oberseite 101 des Trägers 100 erfolgt. Hierzu wurde die Klebeverbindung zwischen der zweiten Seite 112 der lösbaren Klebefolie 110 und der Oberseite 101 des Trägers 100 gelöst. Das Ablösen des Verbundkörpers 600 von der Oberseite 101 des Trägers 100 kann dadurch erleichtert worden sein, dass die in den Formkörper 510 eingebettete Gitterstruktur 300 eine mechanische Stabilisierung und Versteifung des den Formkörper 510 umfassenden Verbundkörpers 600 bewirkt. In dem in Figur 10 gezeigten Bearbeitungsstand ist die erste Seite 111 der lösbaren Klebefolie 110 noch mit der an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordneten zweiten Abdecklage 220 verbunden.
Figur 11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 und der lösbaren Klebefolie 110 in einem der Darstellung der Figur 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
Der Verbundkörper 600 ist an einer weiteren Folie 700 ange- ordnet worden. Dabei wurde der Verbundkörper 600 derart angeordnet, dass die Rückseiten 402 der optoelektronischen Halbleiterchips 400 der weiteren Folie 700 zugewandt sind und der wellenlängenkonvertierende Bogen 200 von der weiteren Folie 700 abgewandt ist. Der Verbundkörper 600 kann beispiels¬ weise mittels einer Klebeverbindung mit der weiteren Folie 700 verbunden sein. Die weitere Folie 700 kann auch als Dicing-Folie bezeichnet werden.
Figur 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der Figur 11 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Die zuvor an der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 angeordnete zweite Abdecklage 220 und die mit der zweiten Abdecklage 220 verbundene lösbare Klebefolie 110 sind von dem Verbundkörper 600 abgelöst worden. Das Ablösen kann beispielsweise durch ein Abziehen der zweiten Abdecklage 220 von der Unterseite 202 des wellenlängenkonvertierenden Bogens 200 erfolgt sein. Figur 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des an der weiteren Folie 700 angeordneten Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der Figur 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Der Verbundkörper 600 ist entlang von senkrecht zu der weiteren Folie 700 verlaufenden Trennebenen 710 zerteilt worden. Das Zerteilen des Verbundkörpers 600 kann beispielsweise durch Sägen, Lasertrennen oder Stanzen erfolgt sein. Jeder durch das Zerteilen entstandene Teil des Verbundkörpers 600 weist mindestens einen eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 400 auf und bildet ein optoelektronisches Bauelement 10.
Figur 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur 300. Die in Figur 14 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruk- tur 300 kann bei dem anhand der Figuren 1 bis 13 beschriebenen Verfahren anstelle der in Figuren 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 verwendet werden. Die in Figur 14 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 unterscheidet sich von der in Figuren 6 und 7 gezeig¬ ten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 dadurch, dass die Gitterstruktur 300 an ihrer Vorderseite 301 eine Strukturierung 320 aufweist. Die Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 ist damit nicht eben ausgebildet. Im in Figur 14 gezeigten
Beispiel umfasst die Strukturierung 320 die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstrukturen. Die Sägezahnstrukturen können die Öffnungen 310 der Gitterstruktur 300 beispielsweise radialsymmetrisch um- schließen. Die Sägezahnstrukturen der Strukturierung 320 an der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 können dazu dienen, bei den optoelektronischen Bauelementen 10 durch die optoelektronischen Halbleiterchips 400 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln, indem sie schräg abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in Richtung eines optischen
Zentrums reflektieren. Die Strukturierung 320 an der Vorderseite 301 der Gitterstruktur 300 könnte auch anders ausgebildet sein. Figur 15 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Vorderseite 301 einer weiteren alternativen Ausführungsform der Gitterstruktur 300. Die in Figur 15 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 kann bei dem anhand der Figuren 1 bis 13 beschriebenen Verfahren anstelle der in Figuren 6 und 7 gezeigten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 verwendet werden .
Die in Figur 15 gezeigte Ausführungsform der Gitterstruktur 300 unterscheidet sich von der in Figuren 6 und 7 gezeig- ten Ausführungsform der Gitterstruktur 300 durch zusätzliche Durchbrüche 315, die zwischen den Öffnungen 310 der Git¬ terstruktur 300 angeordnet sind und sich jeweils zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302 durch die Gitterstruktur 300 erstrecken. Die Durchbrüche 315 können beispielsweise gemeinsam mit den Öffnungen 310 in der Gitterstruktur 300 angelegt worden sein.
Die Durchbrüche 315 sind so angeordnet, dass sich die Trenn¬ ebenen 710, entlang derer der Verbundkörper 600 in dem in Zusammenhang mit Figur 13 beschriebenen Verfahrensschritt zerteilt wird, durch die Durchbrüche 315 erstrecken. Die Durch- brüche 315 erleichtern dadurch das Zerteilen des Verbundkörpers 600, indem sie das Zerteilen der einen Teil des Verbundkörpers 600 bildenden Gitterstruktur 300 erleichtern. Insbesondere kann das Vorsehen der Durchbrüche 315 eine Verwendung einer höheren Sägegeschwindigkeit ermöglichen. Durch die Durchbrüche 315 wird außerdem eine übermäßige Gratbildung während des Zerteilens der einen Teil des Verbundkörpers 600 bildenden Gitterstruktur 300 verhindert.
In einer weiteren Ausführungsform der Gitterstruktur 300 weist diese sowohl die an der Vorderseite 301 ausgebildete Strukturierung 320 als auch die Durchbrüche 315 auf.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
10 optoelektronisches Bauelement 100 Träger
101 Oberseite
110 lösbare Klebefolie
111 erste Seite
112 zweite Seite
200 wellenlängenkonvertierender Bogen
201 Oberseite
202 Unterseite
210 erste Abdecklage
220 zweite Abdecklage
300 Gitterstruktur
301 Vorderseite
302 Rückseite
303 Dicke
310 Öffnung
311 Fläche
315 Durchbruch
320 Strukturierung
400 optoelektronischer Halbleiterchip
401 Vorderseite
402 Rückseite
403 Dicke
404 Fläche
410 elektrische Kontaktfläche
500 Vergussmaterial
510 Formkörper
511 Vorderseite
512 Rückseite 600 Verbundkörper
700 weitere Folie 710 Trennebene

Claims

PATENTANS PRÜCHE
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10)
mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (100);
- Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens (200) an einer Oberseite (101) des Trägers (100);
- Anordnen einer Gitterstruktur (300) an einer Oberseite (201) des Bogens (200) ;
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (400) in einer Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) an der Oberseite (201) des Bogens (200);
- Anordnen eines Vergussmaterials (500) an der Oberseite (201) des Bogens (200) , wobei die Gitterstruktur (300) und der optoelektronische Halbleiterchip (400) zumindest teilweise in das Vergussmaterial (500) eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial (500), den Bogen (200), die Gitterstruktur (300) und den optoelektronischen Halbleiterchip (400) umfassender Verbundkörper (600) gebildet wird;
- Ablösen des Verbundkörpers (600) von dem Träger (100) . Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) eine Fläche (311) aufweist, die zwischen 10 % und 30 % größer ist als die Fläche (404) einer Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) .
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) durch Laminieren an der Oberseite (201) des Bogens (200) angeordnet wird. 4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Gitterstruktur (300) in zur Oberseite (201) des Bogens (200) senkrechte Richtung eine Dicke (303) aufweist, die geringer als die Dicke (403) des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips (400) ist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) in zur Oberseite (201) des Bogens (200) senkrechte Richtung eine Dicke (303) zwischen 20 m und 100 μιτι aufweist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gitterstruktur (300) mit einer Vorderseite (301) bereitgestellt wird, die eine Strukturierung (320) aufweist,
wobei die Gitterstruktur (300) derart angeordnet wird, dass die Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) der Oberseite (201) des Bogens (200) zugewandt ist.
Verfahren gemäß Anspruch 6,
wobei die Strukturierung (320) eine die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) zumindest teilweise umlaufende Sägezahnstruktur umfasst.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Befestigen des Bogens (200) an der Oberseite (101) des Trägers (100) die folgenden Schritte umfasst:
- Anordnen einer lösbaren Klebefolie (110) an der Oberseite (101) des Trägers (100);
- Anordnen des Bogens (200) an der Klebefolie (110);
wobei der Verbundkörper (600) von dem Träger (100) abgelöst wird, indem die Klebefolie (110) von dem Träger (100) abgelöst wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Bogen (200) als Bogen eines Materials bereitgestellt wird, das Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweist.
10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) derart an dem Bogen (200) angeordnet wird, dass eine eine Strahlungsemissionsfläche bildende Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) dem Bogen (200) zugewandt ist.
11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei das Anordnen des Vergussmaterials (500) so erfolgt, dass eine Rückseite (402) des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (400) nicht durch das Vergussmaterial (500) bedeckt wird.
12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst :
- Anordnen des Verbundkörpers (600) an einer weiteren Folie (700) derart, dass der Bogen (200) von der weiteren Folie (700) abgewandt ist.
13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Gitterstruktur (300) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (310) bereitgestellt wird,
wobei eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (400) an dem Bogen (200) angeordnet wird,
wobei der Verbundkörper (600) so ausgebildet wird, dass er alle optoelektronischen Halbleiterchips (400) umfasst.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst :
- Zerteilen des Verbundkörpers (600) .
15. Verfahren gemäß Anspruch 14,
wobei das Zerteilen des Verbundkörpers (600) entlang von Trennebenen (710) erfolgt, die sich durch Durchbrüche (315) der Gitterstruktur (300) erstrecken.
16. Optoelektronisches Bauelement (10)
mit einem Verbundkörper (600), der einen Formkörper (510), einen in den Formkörper (510) eingebetteten opto- elektronischen Halbleiterchip (400), eine in den Formkörper (510) eingebettete Gitterstruktur (300) und eine an eine Vorderseite (511) des Formkörpers (510) angrenzende Schicht (200) eines wellenlängenkonvertierenden Materials umfasst,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) in einer
Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) angeordnet ist, wobei eine Vorderseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) und eine Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) bündig mit der Vorderseite (511) des Formkörpers (510) abschließen.
17. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 16, wobei eine Rückseite (402) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) bündig mit einer Rückseite (512) des Formkörpers (510) abschließt.
18. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 16 und 17,
wobei eine Rückseite (302) der Gitterstruktur (300) durch den Formkörper (510) bedeckt ist.
19. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 16 bis 18,
wobei die Vorderseite (301) der Gitterstruktur (300) eine Strukturierung (320) aufweist.
20. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 19, wobei die Strukturierung (320) eine die Öffnung (310) der Gitterstruktur (300) zumindest teilweise umlaufende Säge- zahnstruktur umfasst.
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