KR102450966B1 - 지향성 발광 배열 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

날카롭게 정해진 빔 프로필을 갖는 광의 지향성 투사들을 발생시키는 발광 배열이 제안된다. 반사 측면-코팅(34)을 갖는 상부-발광 고상 광원(12)으로부터의 광은 여전히 너무 큰 빠져나가는 각도를 갖는 임의의 광선들을 캡처하는 보조 시준 퍼널(18)을 통해 전파되기 전에, 빔 성형 광학계(16)를 통해 사전 시준된다. 칩-스케일 패키지 치수들은 박막 측면-코팅 및 소형 인광체 층들의 사용을 통해 달성될 수 있다. 기판 레벨 공정 흐름은 또한 복수의 디바이스의 병렬 처리를 가능하게 한다.

Description

지향성 발광 배열 및 이를 제조하는 방법{DIRECTIONAL LIGHT EMITTING ARRANGEMENT AND A METHOD OF PRODUCING THE SAME}
본 발명은 지향성 광 빔을 발생시키도록 적응된 발광 배열에 관한 것이다.
발광 다이오드들(LED들)과 같은 고상 광원들이 다양한 조명 및 신호등 응용들에 점점 더 사용되고 있다. 백열등 또는 형광등들과 같은 전통적인 광원들보다 LED들의 장점들은 긴 수명, 높은 루멘 효율, 저 동작 전압 및 루멘 출력의 빠른 변조를 포함한다. 일반적인 조명 응용들을 위해, 통상적으로 램버시안 광-분배를 방출하는 LED들이 사용된다.
그러나, 자동차 전방 조명과 같은 많은 응용들을 위해, 지향성 광원들이 바람직하다. 전형적으로, 이러한 지향성은 '상부-방출' LED들의 사용을 통해 달성되고; LED들은 광이 단지 단일 방향으로 빠져나가게 하도록 적응된다.
지향성 외에, 상당한 투사성의 빔형 방출이 보통 또한 바람직하고, 고콘트라스트를 실현할 수 있는 배열을 요구한다. 예를 들어, 다가오는 트래픽에 대한 눈부심을 피하도록, 소정의 임계 각도 아래로만 광을 투사하는 '하향등' 자동차 전방 조명은 방출 시에 날카로운 수평 컷-오프를 요구한다. 유사한 요건이 낮고 높은 빔 기능성을 갖는, 미래의 매트릭스 헤드라이트들을 위해 필요하다. 또한, 측방향으로의 날카로운 콘트라스트가 또한 바람직하고, 각각의 LED는 빔의 높이에서 뿐만 아니라 빔의 폭에서 명확한 컷-오프를 실현할 수 있고, 그러므로 단지 수평의 특정한 세그먼트를 가로질러서만 투사한다.
고콘트라스트 방출은 전형적으로 더 높은 레벨 광학계를 사용하여 하나 이상의 상부-방출 LED로부터 방출된 광의 추가 시준에 의해 달성된다. 특히, 주 광학 요소(전형적으로 시준기 또는 반사기) 및 보조 광학계(전형적으로 렌즈)가 자주 사용된다.
그러나, 이러한 배열에서, 전형적으로 시준 각도 및 원하는 컷 오프를 위한 요건들은 LED 다이 아래의 것들을 상당히 초과하는 측방향 치수들을 갖는 광학 요소들을 필요로 하고, 그럼으로써 패키지에 의해 발생된 전체적인 풋프린트를 연장시킨다. 예를 들어, 크기 1.0㎜×1.0㎜의 입력 LED 다이를 사용하여, 40도의 법선 위와 아래의 시준 각도를 달성하기 위해, 내부 전반사 렌즈 및 렌즈와 광원 사이의 공기 갭을 갖는 전형적인 시준기는 약 2.7×1.6×1.6 ㎣의 치수들을 가질 것이다. 공기 갭이 없는 구성을 위해, 치수들은 약 3.5×2.3×2.3 ㎣일 것이다. 유사하게, 내부 전반사보다는 반사기에 기초한, 개방된 시준기를 위해, 전형적인 치수들은 1.5×1.6×1.6 ㎣일 수 있다. 그러므로, 풋프린트는 LED 다이 크기에 비해 상당히 증가된다는 것을 알 수 있다.
그러므로 날카로운 세로 및 가로 컷-오프로, 상당한 지향성 발광을 달성할 수 있는 배열이 바람직할 것이지만, 광학 요소들이 LED 패키지의 풋프린트로의 상당한 팽창을 초래하지 않는다. 이것은 패키지들의 증가된 일반적인 신축성뿐만 아니라, 응용들 내에서의 더 큰 LED 모듈 밀도, 모듈들의 어레이들의 간소화된 어셈블리를 가능하게 할 것이다.
본 발명은 청구범위에 의해 정해진다.
본 발명의 양태에 따르면,
발광 상부 표면 및 하나 이상의 측방향 측 표면을 갖는 고상 광원;
상기 측 표면 또는 표면들을 덮는 반사 구조;
광원으로부터 광학적으로 하류에 배치된 미세구조 빔 성형 배열; 및
반사 구조 위에 배치되고, 지향성 광 빔의 각도 분산을 제한하는 불투명한 광학 바디를 포함하고, 상기 바디는 상기 고상 광원으로부터 광을 수신하기 위한 그것의 베이스에서의 제1 개구, 및 제1 개구보다 큰 그것의 상부에서의 제2 개구로 개방된, 광원의 발광 상부 표면에 수직인 축을 둘러싸는 테이퍼된 퍼널 구조를 갖는,
지향성 광 빔을 발생시키도록 적응된 발광 배열이 제공된다.
본 발명은 날카로운 각도 컷 오프로 광의 시준된 투사를 조합하여 발생시키는 광학 요소들 및 구조들과 함께 광원의 배열을 포함한다. 그것은 광원으로부터 방출된 광을 '사전-시준'하는 제1 빔 성형 광학 요소를, 여전히 너무 큰 빠져나가는 각도를 갖는 어떤 광선들을 캡처하는 제2 광학 바디와 조합시킨다. 광원 자체는 반사 구조에 의해 그것의 측 표면들에서 둘러싸이고, 광이 단지 위로 향하는 표면들을 통해 빠져나가는 것을 보장하고, 옆으로 향하는 표면들을 통하는 잠재적인 광 누출들을 차단함으로써 광원의 밝기를 개선시키기 위해 부가적으로 작용한다. 임의의 측면-지향된 광이 광원을 향해 또는 위로 향하는 표면들을 통해 위로 되 반사된다. 양호하게는, 빔 성형 배열은 그것에서 출사하는 광선들의 대부분이 이미 보조 광학 바디의 각도 컷-오프에 따르도록 충분히 강하게 시준한다. 그러나 빔 성형 광학계의 수용 각도 밖으로 벗어나고, 결과적으로 원하는 각도로 시준되지 않는 임의의 광이 이 보조 불투명 광학 바디에 의해 캡처된다.
이 구성은 컷-오프 각도들에서 상당히 지향된 방출 및 고콘트라스트를 가능하게 하지만, 상당히 감소된 치수들을 갖는다. 광원의 반사적으로 덮여진 측 표면들과 조합하여, 시준 광학계는 고도의 지향성을 보장하고, 보조 광학 바디는 정도를 벗어나서 지향된 광선들을 캡처함으로써 높은 휘도 콘트라스트를 보장한다.
고상 광원은 임의 종류의 LED를 포함할 수 있고, 또는 보다 특정적으로, 패턴된 사파이어 기판을 포함할 수 있고, 바람직하게는 칩 스케일 패키지 LED일 수 있다.
미세구조가 의미하는 것은 단일 렌즈 또는 프리즘이라기보다는, 빔 성형 디바이스의 전체 영역 내에 빔 성형 소자들의 어레이(1 또는 2차원)가 있다는 것이다. 이것은 높이가 구조 자체 및 빔 성형 디바이스와 광원 사이의 공간 둘 다로 감소될 수 있다는 것을 의미한다.
반사 구조는 반사 박막 코팅 및 지지 베이스 층을 포함할 수 있다. 이 배열에서, 박막 코팅은 광원의 옆으로 향하는 표면들을 덮고, 광이 빠져나가는 것을 금지하는 반사 코팅, 및 부가적으로, 배열을 위한 구조를 제공하는 인접한 지지 베이스 층, 및 또한 그것 위의 보조 불투명 광학 바디에 대한 지지체를 제공한다.
박막 구성은 전체적인 배열의 상당히 감소된 풋프린트를 가능하게 하고, 지지 베이스 층은 고상 광원의 발광 상부 표면보다 면적이 크지 않다. 이것은 지지 베이스 층이 광원의 상부 표면의 에지들 주위에 받쳐있는 동안, 광원의 측 표면들 주위에만 박막을 놓음으로서 달성된다. 이 방식으로, 광원은 상부-방출로 되고, 보조 광학 바디가 구조적으로 지지되지만, 전체적인 배열의 치수들은 고상 광원 자체의 것을 지나 연장하지 않는다.
발광 배열은 광원으로부터 광학적으로 하류에 배치되되 빔 성형 배열로부터 광학적으로 상류에 배치되고, 고상 광원의 발광 상부 표면의 면적보다 적은 면적을 갖는, 인광체 층을 더 포함할 수 있다. 이 종류의 소형 인광체 층들은 전체적인 디바이스 풋프린트의 치수들을 더욱 감소시키고 부가적으로 광원의 외견상 방출 크기를 감소시킴으로써 밝기를 개선시킨다. 인광체는 루미라믹(Lumiramic)(상표) 유형의 인광체를 포함할 수 있다. 박막 배열과 조합한 소형 인광체(및 지지 베이스 층의 감소된 크기)의 사용은 진정한 칩-스케일 치수들에서의 낮은 높이 지향성 광의 실현을 가능하게 한다.
발광 배열은 광원으로부터 광학적으로 하류에 있되 빔 성형 배열로부터 광학으로 상류에 있는 공기 갭을 포함할 수 있다. 빔 성형 광학계와 광원 사이의 공기 갭은 감소된 시준 각도 및 (주어진 전파 거리에 대한) 더 좁은 빔 폭을 발생시킨다. 공기 갭은 그러므로 보조 시준 광학 바디의 치수들을 증가시키지 않고 더 좁은 시준 각도를 가능하게 할 수 있다.
광학적으로 불투명한 바디는 무반사 표면을 갖는 블랙 바디, 또는 반사 표면을 갖는 바디를 포함할 수 있다. 무반사(즉, 완전히 흡수하는) 바디를 사용하면 사실상 2차 반사된 광선들이 발생되지 않고, 결과적으로 패키지의 전체 높이가 상당히 감소될 수 있다는 장점을 갖게 된다. 이것은 예를 들어, 2차 광선들이 발생되고 원하는 한계들 내에 있는 전파 각도를 취득하기 위해서 시준기의 표면들로부터 여러 번 후속하여 반사하여야 하는, 내부 전반사 기반 시준기들과 대조적이다.
각각의 광원을 둘러싸는 블랙의 무반사 표면은 또한 방출된 빔의 콘트라스트를 향상시키도록 작용한다. 퍼널 표면(들), 광학 빔 성형기, 또는 광학적으로 하류인 기타 표면들에 의해 광원을 향해 되 반사된 어떤 광은 고상 광원의 일반적인 반사 주변들에 의해 되 반사되기보다는, 흡수되고 캡처된다. 이 방식으로, 광원 패키지의 휘도는 광원 자체에 더 집중되고 그것의 주변들로부터의 어떤 표류 광은 무시할 수 있다. 실제로, 이상적으로 광원은 배열 내의 휘도의 유일한 소스이고; 방출된 광선들은 이 한 위치로부터만 나온다.
빔 성형 배열은 프레넬 플레이트를 포함할 수 있다.
한 실시예에서, 복수의 발광 배열이 더 폭넓은 조명 유닛을 형성하기 위해 조합된다. LED 자동차 조명에서, 예를 들어, 하나보다 많은 LED 패키지가 요구된 전체적인 광도를 발생시키기 위해서, 각각의 헤드라이트 유닛 내에서 이용된다. 상이한 형상의 구성들의 발광 배열들이 상이한 결과적인 빔 프로필들을 발생시키기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 양태에 따르면, 복수의 발광 요소를 제조하는 방법으로서,
복수의 고상 광원 유닛을 제공하는 단계 - 각각의 고상 광원 유닛은 발광 상부 표면 및 하나 이상의 측방향 측 표면를 가짐 -;
제품 캐리어 보드를 제공하는 단계;
제품 캐리어 보드 상에 고상 광원 유닛들을 분배하는 단계;
상기 분배된 고상 광원 유닛들 사이의 갭들을 반사 재료로 채워서, 광원 유닛들의 측방향 측 표면 또는 표면들을 덮는 반사 베이스 구조를 제공하는 단계;
반사 베이스 구조 위에 미세구조 빔 성형 배열을 도포하는 단계;
각각이 그 각각의 베이스에 제1 개구를 갖는 복수의 퍼널 구조를 갖는, 불투명한 광학 바디를 제공하는 단계;
반사 베이스 구조의 상부 상에 상기 불투명한 광학 바디를 배치하되, 제1 개구가 대응하는 고상 광원 위에 있고 각각의 퍼널 구조가 대응하는 광원 유닛들의 발광 상부 표면에 수직인 축을 둘러싸도록 하는 단계;
이러한 배열을 단일 발광 요소들로 분리하는 단계
를 포함하는 방법이 제공된다.
이 방법은 예를 들어, 라미네이션 및 몰딩 기술들의 사용을 통해 복수의 발광 요소의 병렬 처리를 가능하게 하는, 기판 레벨에서의 공정 흐름을 갖는다.
고상 광원은 패턴된 사파이어 기판 LED와 같은 고상 광원 유닛을 포함할 수 있다.
방법은 광원 유닛들의 하나 이상의 측방향 측 표면을 덮는 반사 박막 코팅을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이것은 예를 들어, 분배된 광원 유닛들 사이의 갭들을 반사 재료로 채우는 것에 앞서 제공될 수 있다. 옆으로 향하는 표면들을 박막으로 덮음으로써, 반사 베이스 구조가 고상 광원의 발광 상부 표면을 지나 연장할 필요가 없는데, 왜냐하면 광원의 옆으로 향하는 표면들이 이미 박막에 의해 덮이기 때문이다. 이 방식으로, 각각의 단일 발광 요소의 반사 베이스 구조는 고상 광원의 발광 상부 표면보다 면적이 크지 않을 수 있다.
방법은 대응하는 고상 광원 유닛에 공기 갭이 있도록 빔 성형 배열을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예들이 이제 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명된다:
도 1은 본 발명에 따른 발광 배열의 제1 예를 도시하고;
도 2는 본 발명에 따른 발광 배열의 상면도를 도시하고;
도 3은 본 발명에 따른 발광 배열의 제2 예를 도시하고;
도 4는 광원과 빔 성형 배열 사이에 공기 갭을 갖는, 발광 배열의 제3 예를 도시하고;
도 5는 박막 측면-코팅을 갖는, 본 발명에 따른 발광 배열의 제4 예를 도시하고;
도 6은 박막 측면-코팅 및 공기 갭을 갖는, 본 발명에 따른 발광 배열의 제5 예를 도시하고;
도 7a-7e는 복수의 발광 요소를 제조하는 본 발명의 예에 따른 방법의 공정 흐름을 도시하고;
도 8a-8c는 본 발명에 따른 단일 다이 요소들(SDE들)의 예들을 도시한다.
본 발명은 날카롭게 정해진 빔 프로필을 갖는 광의 지향성 투사들을 발생시키는 발광 배열을 제공한다. 반사 측면-코팅을 갖는 상부 방출 고상 광원으로부터의 광은 여전히 너무 큰 빠져나가는 각도를 갖는 임의의 광선들을 캡처하는 보조 시준 퍼널을 통해 전파되기 전에, 빔 성형 광학계를 통해 사전 시준된다. 칩-스케일 패키지 치수들은 박막 측면-코팅 및 소형 인광체 층들의 사용을 통해 달성될 수 있다. 기판 레벨 공정 흐름은 복수의 디바이스의 병렬 처리를 더 가능하게 한다.
배열은 고콘트라스트이지만, 칩-스케일 치수들로, 지향성 발광을 달성하도록 설계된다. 칩-스케일 치수들이 의미하는 것은 배열을 칩 스케일 패키지로 하는 것으로 표준적으로 이해되는 것들 내에 드는, 패키지로서 취해진 발광 배열의 치수들이다. 고콘트라스트 방출이 의미하는 것은 빔 에지에서의 고콘트라스트; 빔 에지와 발생된 빔의 각도는 날카롭게 정해진 경계들을 갖는 것이다.
본 발명의 일부 예들 내에서 이용되는 빔 성형 배열은 빔 성형 기능을 수행한다. 이 기능은 예를 들어 광이 원하는 시야를 조명하기 위해, 출사 각도들의 제어된 범위들로 출사한다는 의미에서, 적어도 부분적 시준 기능에 근사할 수 있다. 아래의 예들에서, 광학 기능은 설명의 용이성을 위해 "시준"이라고 하지만, 이것은 제한하는 것으로 고려되어서는 안된다는 것을 이해할 것이다. 본 발명은 다양한 실시예들에서, 예를 들어, 다양한 상이한 폭들을 갖는 다양한 상이한 빔 형상들을 발생시킬 수 있다. 매우 폭넓은 빔 프로필를 발생시키는 실시예는 예를 들어, 표면 법선에 직접 평행한 출사 각도를 갖는 광선들로만 방출을 제한하는 의미에서, 그 기능이 진정한 시준의 것으로부터 아주 멀리 벗어나 있는 빔 성형 배열을 포함할 수 있다.
도 1에 본 발명에 따른 발광 배열의 제1 예가 도시된다. 고상 광원(12)은 광이 그것의 위로 향하는 표면(들)을 통해서만 빠져나갈 수 있도록 옆으로 향하는 표면들을 덮는, 반사 구조(14)에 의해 둘러싸인 옆으로 향하는 표면들을 갖는다. 선택적으로, 발광성 인광체 층(20)이 또한 제공될 수 있고, 그 안으로 광원(12)의 위로 향하는 표면(들)을 통해 방출된 광이 전파된다. 이 경우에, 반사 구조는 광원(12) 외에, 인광체 층의 옆으로 향하는 표면들을 더 덮어서, 광이 단지 그것의 위로 향하는 표면을 통해서만 방출되는 것을 보장한다.
광원(12)(또는 여기서 하나가 제공된 인광체 층(20))의 상부 표면(들)을 가로질러 빔 성형 배열(16); 광원의(또는 인광체 층의) 상부 표면을 통해 방출된 광에 대해 빔 성형 기능을 수행하는 광학 바디가 배치된다. 특히, 빔 성형 배열은 그것을 통해 지나가는 광을 시준하거나 또는 부분적으로 시준하도록 작용할 수 있다.
퍼널형 구조를 갖는 보조(불투명한) 광학 바디(18)는 반사 구조의 상부 위에 배치되고, 그것의 주 표면은 광원(12)의 발광 상부 표면에 수직인 축을 둘러싼다. 퍼널 구조는 보조 시준 기능: 빔 성형 배열(16)의 상부 표면을 통해 출사한 광은 인접한 개구를 통해 퍼널 구조에 들어오고 그것의 끝에서 말단 개구를 향해 구조의 세로 축을 따라 전파하는 기능을 수행한다. 너무 넓은 전파 각도로 빔 성형 배열에서 출사한 광선들은 시준 퍼널의 표면(들) 상에 입사하여 들어오고 표면(들)에 의해 흡수되거나 퍼널의 인접한 단부를 향해 되 반사된다. 이 방식으로, 퍼널의 경계들에 의해 정해진 것들 내에 드는 전파 각도를 갖는 광선들 만이 말단 단부를 통해 빠져나가는 것이 허용된다. 양호한 예에서, 퍼널의 중심 세로 축의 베이스에 대해, 퍼널의 경계에 의해 정해진 각도는 40도 이하이다. 퍼널은 원형일 수 있고 이 경우에 이 40도 이하는 모든 구조에 적용된다. 그러나, 그것은 원형이 아닐 수 있다. 그러면 퍼널의 중심 세로 축의 베이스와 퍼널의 상부 에지에서의 어떤 점 사이의 최대 각도는 40도 이하일 수 있다.
도 2는 배열의 상부 표면을 가로질러 2개의 광학 요소 - 불투명한 광학 바디(18) 및 빔 성형 배열(16) - 의 완전한 연장을 도시한, 도 1의 예의 상면도를 도시한다.
빔 성형 배열(16)의 광학 특성들은 특정한 원하는 빔 프로필에 대응하여, 시준의 더 크거나 더 적은 각도를 제공하도록 선택될 수 있다. 양호한 실시예에서, 그것은 빔 성형 배열을 통해 방출된 전체 광의 작은 부분만을 캡처하는 보조 시준 퍼널(18)로, 궁극적으로 출력된 광의 빔 프로필을 실질적으로 결정하는 빔 성형 배열이다.
한 실시예에 따르면, 빔 성형 배열(16)은 프레넬 플레이트 또는 프레넬 포일로 이루어진다. 프레넬 포일들은 프레넬 렌즈들의 원리들에 기초하여, 시준 또는 부분적 시준의 광학 특성에 의해 특징지어진다. 플레이트는 예를 들어 광원 쪽으로 향하거나 그로부터 멀리 떨어지는 프리즘형 홈들 또는 프리즘형/피라미드형 구조들의 대칭 또는 비대칭 어레이를 포함할 수 있다. 프리즘형 또는 피라미드형 요소들은 플레이트를 가로질러 상이한 점들에서 각도들을 다르게 함으로써 입사 광을 굴절시키도록, 플레이트의 표면을 가로질러 그들의 형상에 있어서 또는 다른 광학 특성들에 있어서 변화할 수 있다. 형상들 또는 다른 광학 특성들에서의 전체적인 분포는 요구된 시준의 특정한 각도를 발생시키도록 선택될 수 있다.
프레넬 렌즈들은 큰 어퍼처 및 짧은 촛점 길이가 상당히 감소된 질량 및 두께로 달성가능하다는 점에서 종래의 렌즈들보다 상당한 장점들을 갖는다. 프레넬 구조들은 종래의 렌즈 대응부들과 비교하여 상당히 얇아질 수 있고, 프레넬 포일들 또는 플레이트들의 경우에, 평탄한 시트의 형태를 취할 수 있다. 짧은 촛점 길이는 그들을 소형화된 조명 응용들에 특히 적합하게 하고, 소형화된 두께는 조명 패키지들의 감소된 전체 높이를 가능하게 한다.
프레넬 구조들은 또한 종래의 렌즈들보다 더 경사진 각도의 광을 캡처할 수 있고, 보다 효율적인 시준 동작을 가능하게 하고: 그렇지 않으면 종래의 렌즈의 수용 각도의 외부로 벗어날 수 있는 광원(12)에서 출사한 경사진 광선들은 그럼에도 불구하고 프레넬 포일에 의해 캡처되고 시준된다. 이것은 조명 패키지의 더 큰 전체적인 효율을 가능하게 하는데, 왜냐하면 보다 적은 광만이 보조 시준 퍼널(18)에 의해 희생되어야 하기 때문이다.
한 예에 따르면, 빔 성형 배열은 원형으로 보다는, 선형으로 배열된 평행한 피라미드형 릿지들의 세트를 갖는 하나 이상의 광학 시트를 포함함으로써 특징지어지는, 향상된 또는 적응된 프레넬 포일을 포함한다. 특히, 이 배열은 2개의 미세구조 시트를 포함할 수 있고, 각각의 시트는 구조화된 층을 포함하고, 구조화된 층들은 광원으로부터 멀리 떨어져 향하는 가늘고 긴 국소적으로 평행한 릿지의 어레이를 갖고, 각각의 릿지의 피크에서 정점을 갖고, 하나의 시트의 릿지들은 국소적 교차 각도가 30 내지 150도이도록 다른 시트의 릿지들과 교차된다. 교차된 릿지들은 소정의 각도들에서 입사한 광을 반사하고 다른 각도들에서 입사한 광을 굴절 및 투과시킨다. 이 변화는 소정의 임계 각도 콘 내에, 구조에 입사하여 들어온 광은 인광체 또는 광원을 향해 되 반사되고, 이 각도 콘 밖의 광은 굴절 및 투과된다는 특정한 장점을 갖는다. 되 반사된 광은 인광체(여기서 하나가 제공됨)에서 산란되고 후속하여 프레넬 포일을 통해 빠져나가는 두번째 기회를 갖는다.
광 재순환의 이 특성은 빔 성형 배열이 세기의 손실 없이 인광체 및/또는 광원에 가깝게 배치되게 할 수 있는데, 왜냐하면 굴절 및 투과를 위한 임계 수용 각도 밖으로 벗어나는 광선들이 희생되지 않고 반사를 통해 지지향되기 때문이다. 반사된 광은 광원에 의해 발생된 거의 모든 광선들이 궁극적으로 원하는 시준 각도 범위 내에서 패키지에서 출사하도록 재지향 후에 여전히 유닛에서 출사하고, 일부는 패키지 내에서 산란한다.
시준 퍼널(18)의 광학 특징을 위한 적어도 2개의 예들이 있다.
제1 예에 따르면, 시준 퍼널(18)은 무반사 표면을 갖는 블랙 바디이다. 무반사(즉, 완전히 흡수하는) 바디를 사용하면 사실상 2차 반사된 광선들이 발생되지 않고, 결과적으로 시준기의 높이가 상당히 감소될 수 있다는 장점을 갖게 된다. 이것은 예를 들어, 2차 광선들이 발생되고 원하는 한계들 내에 있는 전파 각도를 취득하기 위해서 시준기의 표면들로부터 후속하여 여러 번 후속하여 반사하여야 하는, 내부 전반사 기반 시준기들과 대조적이다.
흡수 표면은 원하는 각도 한계들 밖에 있는 광이 반사 및 재지향되기 보다는, 희생되는 것을 의미하지만, 프레넬 포일의 사용은 광원에 의해 발생된 전체 광의 아주 작은 부분만이 이 방식으로 손실되는 것이 보장한다. 그러므로 흡수하는 보조 시준 바디의 치수적 장점이 출력 효율의 상당한 손실 없이 달성될 수 있다.
각각의 광원을 둘러싸는 블랙의 무반사 표면은 또한 방출된 빔의 콘트라스트를 향상시키도록 작용한다. 퍼널 표면들, 광학 빔 성형기(16), 또는 기타 광학적으로 하류인 표면들에 의해, 광원(12)을 향해 되 반사된 어떤 광은 고상 광원의 일반적인 반사 주변들에 의해 후방 반사되기보다는, 흡수 및 캡처된다. 이 방식으로, 광원 패키지의 휘도는 광원 자체에 더 집중되고 그것의 주변들로부터의 어떤 표류 광은 무시할 수 있다.
부가적으로, 콘트라스트는 또한 광원 바로 주위의 반사 구조 재료를 통하는 어떤 잠재적인 누출을 차단 및 흡수하도록 블랙 무반사 광학 바디의 재료를 확장시킴으로써 개선될 수 있다. 반사 구조 자체는 전형적으로 체적 산란기 재료를 구성할 수 있다. 이러한 재료는 두께에 따라, 상당히 반사성이지만, 그럼에도 불구하고 여전히 입사 광의 일부 부분을 투과시킬 수 있다. 상부 위에 불투명한 구조 또는 층을 간단히 놓음으로써, 재료를 덮으면, 이 잠재적인 누출을 차단하는 데 도움을 준다.
제2 예에 따르면, 시준 퍼널(18)은 반사 표면을 갖는 바디이다. 이 경우에, 빠져나가는 각도가 너무 큰 광은 흡수 및 희생되지 않고, 오히려 반사된다. 광은 예를 들어 빔 성형 광학계(16) 쪽으로 다시 재지향될 수 있거나 시준 퍼널의 표면(들)로부터 더욱 반사될 수 있다. 반사 표면은 광이 손실되지 않고 그래서 효율이 최대화되는 것을 보장한다. 그러나, 콘트라스트는 어느 정도 절충되는데, 왜냐하면, 광선들의 작은 비율이 퍼널 표면으로부터 반사를 통해 퍼널의 말단부에서 빠져나갈 수 있고, 이들은 퍼널 형상에 의해 정해진 한계들 내에 있는 전파 방향을 갖지 않기 때문이다. 결과적으로, 발생된 빔 에지는 보다 더 흐릿하게 나타날 수 있다. 그러나, 블랙 바디에서와 같이, 프레넬 광학계의 사용은 이 효과의 정도를 상당히 제한할 수 있는데, 왜냐하면 광선들의 대부분은 이미 원하는 각도 한계들에 따르기 때문이다.
특정한 실시예에 따르면, 고상 광원은 반도체 발광 다이오드(LED)이다.
그러나, 다른 예들에서, 예를 들어, 유기 발광 다이오드들(OLED들), 폴리머 발광 다이오드들(PLED들) 또는 레이저 광원들인 다른 유형들의 고상 광원들이 이용된다. 예를 들어 백열 또는 형광등 광원들과 반대로, 고상 광원들은 그들의 낮은 열-발생 및 감소된 기생 에너지 소실뿐만 아니라, 그들의 작은 질량 및 치수들로 인해 본 발명에 특히 적용가능하다.
또 하나의 실시예에 따르면, 본 발명에 의해 이용된 LED는 특히 패턴된 사파이어 기판(PSS) 칩 스케일 패키지(CSP) LED이다. 패턴된 사파이어 기판 LED들은 보다 통상적인 기판 조성물의 LED들과 비교하여 증가된 밝기의 장점을 갖는다. 사파이어 기판의 표면 상의 패터닝은 기판 경계에 도달할 때 LED 내로 되 반사되는 광의 양을 감소시키고, 그러므로 요소의 전체적인 밝기를 개선시킨다.
양호한 예에서, 청색 PSS CSP LED가 사용된다. 이 경우에, 백색 광 방출은 광발광성을 사용하여 발생된 청색 광을 (근사) 백색 광 스펙트럼으로 "변환하는" 것을 통해 달성될 수 있다.
도 1의 예는 배열에 의해 출력된 광의 스펙트럼을 수정하도록 기능하는, 광원(12)과 빔 성형 배열(16) 사이에 놓인 전용 인광체 층(20)을 도시한다. 이러한 인광체 층을 갖는 배열은 본 발명의 제한적인 예이고, 그것의 가장 넓은 의미에서 본 발명은 아니라는 것을 이해할 것이다. 가장 간단한 실시예에서, 이미 원하는 스펙트럼의 광을 방출하는 고상 광원이 선택되고, 그러므로 발광성 인광체가 요구되지 않는다.
광원이 위에 설명된 것과 같은 청색 PSS CSP인 경우에, 인광체 층(20)은 예를 들어 YAG(Y3Al5O12)로 이루어진 것이 사용될 수 있고, 이것은 세륨(Ⅲ))-도핑된 YAG(Y3Al5O12:Ce3+)일 수 있거나 아닐 수 있다. 이러한 층은 청색 LED로부터의 광을 흡수하고 녹색 내지 적색의 넓은 범위에서 방출하고, 출력의 대부분은 황색으로 하게 하도록 작용한다. 결과적인 방출은 백색 광 출력에 가깝다.
청색 LED들을 위한 인광체들의 다른 예들은 자외선 및 가시광을 흡수하고 강한 광대역 가시 방출을 방출하는 유로퓸(Ⅱ)-도핑된 β-SiAION과 같은, 일부 광발광성 희토류 도핑된 시알론 세라믹들을 포함한다. 백색 방출을 위해, 청색 LED가 녹색 및 황색 SiAION 인광체와 함께 사용될 수 있다.
도 4-8에서 뿐만 아니라, 도 1에 도시한 특정한 예들에서, 그것 아래의 광원(12)과 비교하여 "소형"인 인광체 층(20)이 제공된다. 이 경우에, 반사 구조(18)는 인광체의 옆으로 향하는 표면들을 더욱 덮기 위해서, 광원의 옆으로 향하는 표면들의 경계를 지나, 안쪽으로 연장하고, 위로 향하는 표면(들)을 부분적으로 덮는다.
그러나, 인광체 층은 일반적으로 이 방식으로 보통보다 작지 않을 수 있고, 광원의 전체 상부-표면을 덮도록 연장할 수 있다. 도 3은 이러한 배열의 한 예를 도시한다. 여기서 반사 구조(14)는 인광체의 측 표면들을 덮기 위해서 광원의 옆으로 향하는 표면들의 경계들을 지나 연장할 필요가 없는데, 왜냐하면 인광체의 옆으로 향하는 표면들이 광원의 것들과 일렬 정렬되어 있기 때문이라는 것을 알 수 있다. 부가적으로, 도 3의 특정한 예에서, 보조 시준 퍼널이 광원 아래의 폭에 대해, 그것의 베이스에서 폭이 넓혀졌다. 이 방식으로, 어퍼처의 전체 크기는 감소되어, 소형 인광체의 사용에 의해 달성된 것과 비교할만한 방출 영역을 제공한다. 더 작은 방출 영역은 광원의 더 큰 외견상 밝기를 가져다 준다.
더구나, 위에 놓인 퍼널 구조의 하부 표면은 반사성으로 될 수 있어서, 입사 광자들을 인광체 또는 광원 아래로 다시 재순환하게 한다.
부가적으로 도 3의 예에서, 빔 성형 배열은 불투명한 바디(18)의 내부 경계들 사이에만 뻗어 있는 측방향 연장을 갖는다. 실제로 이 변화는 부가적으로 앞서 또는 후속하여 설명되는 예들 중 어느 것에나 적용될 수 있다. 이 배열의 장점들은 불투명한 퍼널(18)을 층들(14 및 20) 내로 더욱 '들어가게 하여'(도 3에 도시하지 않음), 배열 아래로 구조를 '가두고', 부가적으로 층들(14 및/또는 16 및/또는 20)의 측면들로부터 어떤 광선들이 빠져나가는 것을 차단하는 데 도움을 주는 능력을 포함한다.
빔 성형 배열(16)의 광학 특성들을 변경하는 것 외에, 방출된 빔의 프로필이 또한 광원(12)의 상부 표면과 빔 성형 배열의 입사 표면 사이에 낮은 굴절률 매질의 층을 포함시킴으로써 변화될 수 있다.
따라서, 그 예가 도 4에 도시한, 한 실시예에서, 광원(12)과 빔 성형 플레이트 사이에(또는 인광체 층(20)과 빔 성형 플레이트 사이에) 방출된 광이 그를 가로질러 이동하게 되는 공기 갭(24)이 제공된다. 이러한 공기 갭을 포함하는 패키지에서, 발생된 빔은 공기 갭을 포함하지 않는 패키지에 의해 발생된 것보다 비교적 더 좁은 프로필을 갖는다. 또는 등가적으로, 동일한 시준 효과의 발생을 위해, 공기 갭이 없는 배열은 공기 갭이 있는 배열이 갖는 것보다 더 큰 치수들의 광학 요소들(즉, 빔 성형 광학계 및 불투명한 광학 바디)을 요구한다.
공기 갭의 포함은 광학 소자들의 치수들을 제한하는데, 왜냐하면 갭의 공기로부터 빔 성형 광학계의 더 치밀한 재료로 통과하는 광의 굴절 효과가 광선들을 수직을 향해 안쪽으로 휘게 하기 때문이다. 이 굴절은 광선의 전파 각도들의 범위을 좁혀서, 더 작은 시준 퍼널 및/또는 빔 성형 층을 가능하게 하는, 효과적인 부가 시준 효과로서 작용한다.
전형적인 예에서, 공기 갭은 단지 수 미크론의 수직 연장을 가질 수 있다. 실제로, 이상적으로 공기 갭은 가능한 한 작고: 바람직한 굴절 효과는 공기 층을 가로질러 빔들에 의해 취해진 이동의 거리에 의존하지 않고, 그래서 최소 공기 층이 조명 패키지의 대응하여 최소인 전체 치수들을 가능하게 한다.
이상적인 실시예에서, 전체 패키지의 풋프린트는 광원 자체의 것을 초과하지 않을 것이다. 광원이 LED인 경우에, 이것은 단일 다이 요소(SDE) 자체의 것보다 크지 않는 풋프린트를 갖는 조명 배열 패턴을 의미할 것이고, 여기서 단일 다이 요소가 의미하는 것은 인광체가 있거나 없는, 단일 LED 패키지이다. SDE의 한 예가 도 8a에 도시된다.
이것을 실현하기 위해서, 반사 구조(14)는 광원(12)의 최대 측방향 연장들을 지나 측방향으로 연장하는 것이 요구되지 않는다. 그러나, 이러한 제한은 본 발명 내의 반사 구조의 기능들 중 하나: 광원에 반사 측면-코팅을 제공하여, 그것이 상부 방출만 하게 하는 것을 약화시킬 것이다. 그러나, 이 어려움은 광원을 위한 부가적인 측면-코팅으로 반사 구조를 보충함으로써 극복될 수 있고; 그것은 전체 패키지의 측방향 치수들에 단지 최소로 부가한다.
따라서, 광원(12)의 옆으로 향하는 표면들을 덮기 위해 - 그리고 인광체 층(20)이 하나 제공되고 - 반사 박막 측면 코팅(34)이 제공된 본 발명의 실시예가 도 5에 도시된다. 박막 측면 코팅은 예를 들어, 스퍼터링 퇴적과 같은 물리적 증착(PVD) 공정을 통해 광원 및 인광체 층에 도포될 수 있다. 이 층의 재료는 합금 혹은 예를 들어, 은 또는 알루미늄과 같은 하나 이상의 반사 금속들을 포함할 수 있다.
반사 구조(14)는 결과적으로 광원(14)의 위로 향하는 표면의 에지를 지나 연장하지 않도록 그것의 측방향 치수에서 제한될 수 있는데, 왜냐하면 박막 코팅(34)은 옆으로 지향된 광선들을 광원(12) 쪽으로 안으로 다시 반사시키는 역할을 총족시키기 때문이다. 이들 감소된 치수들을 갖고도, 이 구조는 본 발명 내의 그것의 다른 기능: 빔 성형 배열(16) 뿐만 아니라, 그것의 상부 위에 배치된 불투명한 광학 바디(18)에 대한 구조적 지지를 제공하는 것을 여전히 실행할 수 있다. 이 방식으로 전체 패키지는 진정한 칩-스케일 치수들을 가질 수 있다.
도 5의 예에서 제공된 것과 같은, 소형 인광체(20)는 반사 구조(14)가 받쳐질 수 있고 지지될 수 있는 그것을 둘러싸는 주변 표면을 남기어서, 반사 구조가 결국 불투명한 광학 바디에 대한 지지를 위에 제공한다. 그러나, 대안적인 예에서, 도 3의 예에서와 같이, 광원의 전체 상부 표면, 및 이들 층의 측면들에 도포된 박막 코팅을 가로질러 연장하는, 정상 크기의 인광체가 사용될 수 있다. 이 경우에, 반사 구조(14)는 모두 제거될 수 있고, 불투명한 광학 바디가 전체적으로 인광체 층(20)에 의해 구조적으로 지지된다.
박막은 그들을 칩-스케일 치수들로 하게 하기 위해서, 위에 논의된 실시예들 중 어느 것에나 제공될 수 있다. 도 6에서, 감소된 반사 구조 및 도포된 박막 측면-코팅이 있는, 도 4에 도시된 것과 유사한, 공기 갭을 갖는 배열의 예가 예를 들어, 도시된다.
많은 응용들에서, 복수의 발광 배열이 더 폭넓은 조명 유닛을 형성하기 위해 요구되고 조합된다. LED 자동차 조명에서, 예를 들어, 하나 보다 많은 LED 패키지가 요구된 전체 광도를 발생시키기 위해서, 각각의 헤드라이트 유닛 내에서 이용된다. 또한, 본 발명에 따른 발광 배열들의 상이한 형상의 구성들이 또한 상이한 결과적인 빔 프로필들을 발생시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 조명 패키지들의 원형 구성이 원형 빔 프로필을 발생시키기 위해 사용될 수 있다.
조명 배열의 칩-스케일 치수들은 기판 레벨에서의 공정 흐름을 갖는 제조 방법들을 가능하게 하고; 본 발명에 따른 복수의 조명 배열은 기판 레벨 업으로부터 구축되는 방법들을 사용하여 동시에 제조될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 복수의 발광 요소를 제조하는 방법의 예의 공정 흐름의 단계들이 도 7a-e에 도시된다. 도 7a에 도시한 바와 같이, 광원 유닛들(26)이 먼저 요구된 피치로 제품 캐리어(40) 상에 재배열된다. 도 7a의 광원 유닛들의 한가지 예가 도 8a에 상세히 도시되어 있다. 유닛은 제품 캐리어 보드(40)와 접속하기 위한 2개의 상호접속부(38) 위에 장착된 고상 광원(12)으로 이루어진다.
도 8a 및 도 7a-e에 도시한 예에서, 광원 유닛은 소형 인광체 층(20)을 더 포함한다. 도 1-6의 예들에서와 같이, 인광체 층은 본 발명의 이 양태의 필수 요소로서 고려되지 않는다. 예를 들어, 고상 광원이 청색 LED인 경우에, 인광체를 갖는 광원 유닛이 백색 방출을 발생시키기 위해 요구될 수 있다. 그러나, 대안적인 예에서, 진성 백색 방출을 갖는 광원이 사용되므로, 인광체 층은 요구되지 않는다.
광원 유닛들(26)의 분배 이후에, 상기 광원 유닛들 사이의 갭들은 도 7b에 도시한 바와 같이, 반사 재료(42)로 채워진다. 반사 재료는 광원 유닛의 측방향 측 표면 또는 표면들을 덮는 반사 베이스 구조를 제공한다. 채우는 공정은 디스펜싱 공정, 예를 들어, 주사기 또는 다른 퇴적 도구를 사용하여 광원 유닛들 사이에 반사 재료(42)를 퇴적하는 것을 포함할 수 있다. 또 하나의 예에서, 이 공정은 몰딩을 포함할 수 있다.
형성된 반사 베이스 구조의 재료는 예를 들어, 반사 티타늄 산화물을 갖는 실리콘 조성물을 포함할 수 있다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 빔 성형 배열(44)이 반사 베이스 구조(42) 위에 도포된다. 빔 성형 배열은 예를 들어, 프레넬 포일을 포함할 수 있거나 대안적으로 빔 성형 기능을 제공하는 상이한 광학 배열을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 빔 성형 배열(44)은 미리 사전 제작되어 예를 들어, 라미네이션을 통해 반사 베이스 구조(42) 위에 후속하여 도포될 수 있다. 그러나, 대안적인 예들에서, 빔 성형 배열은 예를 들어, 프린팅 또는 스피닝 공정을 통해, 인시튜(in situ) 형성 및 도포될 수 있다.
어느 예에서나, 배열(44)은 단일의 완전한 구조로서 형성 및 도포될 수 있거나, 대안적으로 스테이지들에서 형성 및/또는 도포될 수 있다. 구조가 사전 제작되는 경우에, 그것은 원피스로 형성될 수 있지만, 후속하여 많은 스테이지에서 절단 및 도포될 수 있다. 구조가 인시튜 형성되는 경우에, 그것은 하나의 공정 단계로서 조명 유닛들의 전체 어레이를 가로질러 형성될 수 있거나, 또는 예를 들어, 각각의 조명 패키지 위에 개별적으로 배열의 피스들을 프린트하는 복수의 부단계를 통해 형성될 수 있다.
마지막 예에서, 빔 성형 배열(44)은 단일의 연속하는 구조로서 형성 및/또는 도포될 수 있지만, 소정의 섹션들이 예를 들어, 기계적 또는 레이저 절단 공정을 통해 제거되는 후속하는 공정을 받을 수 있다. 예를 들어 도 3의 예시적인 실시예에서, 빔 성형 배열은 불투명한 퍼널(18)의 내부 경계들 사이에만 연장한다. 이러한 배열은 위에 설명된 것과 같은 절단의 공정을 통해 실현될 수 있고; 퍼널(18)의 풋프린트와 일치하는 배열(16)의 섹션들은 도포 후에 제거된다. 대안적으로, 이들 섹션은 선행 문단에서 설명된 예시적인 공정들 중 하나를 통해, 배열(44)의 도포 전에 제거될 수 있다.
빔 성형 배열(44)의 도포 시에, 복수의 퍼널 구조를 갖는, 불투명한 광학 바디(46)는 도 7d에 도시한 바와 같이, 반사 베이스 구조의 상부 상에 후속하여 배치된다. 복수의 퍼널 각각은 그것의 베이스에서 제1 개구를 갖고, 구조는 각각의 제1 개구가 대응하는 고상 광원 유닛(26) 위에 놓이도록 배치된다. 바디(46)의 도포는 예를 들어, 오버몰딩 절차를 통해 수행될 수 있거나, 대안적인 예에서, 바디는 사전 제작되어 후속하여 적절한 위치에서 반사 베이스 구조에 고정될 수 있다.
도 7d에 도시한 예에서, 불투명한 광학 바디(46)가 층(42)의 상부 표면 위에 배치된다. 그러나, 대안적인 예들에서, 바디는 대신에 층(42) 내로 파묻히거나 들어감으로써, 그것이 위치 안으로 가두어지고, 바디가 인광체 층들의 옆으로 향하는 표면들로부터 어떤 광이 누출하는 것을 차단하는 기능을 수행하게 한다.
마지막으로, 도 7d의 구조는 도 7e에 도시한 바와 같이, 개개의 단일 다이 요소들(SDE들)로 분리된다. 이 공정에 의해 제조된 SDE들의 예가 도 8c에 도시된다.
도 7에 도시한 예에서, 반사 재료(42)가 조명 유닛(26)의 상부 표면의 레벨보다 높은 레벨에 제공되어, 그 예가 도 8b에 보다 상세히 도시된, 단일 다이 요소들(SDE들)은 빔 성형 배열(16) 바로 아래에 공기 갭(24)을 포함시킨다. 도 4의 실시예에서와 같이, 공기 갭의 포함은 SDE에 의해 발생된 빔들의 프로필을 변화시키고; 특히, 공기 갭은 발생되는 빔을 좁힐 것이다.
공기 갭이 포함되게 하는 경우에, 이것은 예를 들어, 도 7a의 배열을 도 7b에 도시된 레벨까지 반사 재료로 채우고, 후속하여 조명 유닛들 각각 바로 위의 재료의 부분들을 제거함으로써 달성될 수 있다. 대안적으로, 희생 층이 조명 유닛들 사이의 갭들을 (도 8b에서와 같이) 반사 재료(42)로 채우기에 앞서 인광체(또는 광원) 위에 부가적으로 도포될 수 있다. 이 경우에, 반사 구조(42)가 제공되고 나서 희생 층을 간단히 제거함으로써 공기 갭이 달성될 수 있고, 여기서 이것은 갭들을 희생 층의 상부 표면의 레벨까지 채우는 것을 포함한다.
공기 갭을 포함하는 SDE들이 제조될 수 있는 방법들의 3개의 다른 변형예가 존재한다. 제1 예에서, 매립된 공기 캐비티 및 공기로 채워진 상부 층을 갖는 YAG(Y3Al5O12)의 층 스택을 포함하는 층이 진 인광체들이 사용된다. 그러므로, 이 경우에, 인광체 층(20)은 도 8b 및 8c의 예시적인 SDE에서 인광체 층 및 공기 갭(24)에 의해 차지된 전체 공간을 채우기 위해 효과적으로 연장한다. 그러나, 인광체 층 자체는 더 층이 진 구조를 포함하고, 그것의 최상부 층은 공기로 채워진다.
제2 예에서, 공기가 포함된 시트 재료 층이 갭들을 반사 재료(42)로 채우기에 앞서 조명 유닛들(26)(인광체가 있거나 없음)의 상부에 도포된다. 시트 재료는 공기 갭의 역할을 하고 그렇지 않으면 후자에 의해 채워진 높이까지 연장할 수 있다.
제3 예에서, 임시 충진재 재료(예를 들어, 레지스트)가 반사 베이스 구조(42)의 상부에 불투명한 광학 바디(46)를 제공하기에 앞서 광원 유닛들(26)(인광체가 있거나 없음)의 상부에 도포된다. 광학 바디를 고정한 후에, 임시 충진재 재료는 광원 유닛들(26) 바로 위의 공간들로부터 제거되고 - 이들 공간은 광학 바디에 의해 위에 덮여지지 않는 채로 남는다. 충진재 재료는 예를 들어, 솔벤트를 사용하여 쉽게 제거될 수 있는데, 솔벤트의 일반적인 도포는 각각의 광원 유닛 바로 위의 덮이지 않은 공간들만 침투하고, 그것 위의 광학 바디를 구조적으로 지지하는 충진재 재료는 건드리지 않고 남겨 놓게 된다.
공기 갭이 있거나 없는, 복수의 고상 조명 배열을 제조하는 방법의 또 하나의 예에서, 도 7a-e의 방법들은 광원 유닛들(26)의 하나 이상의 측방향 측 표면을 덮는 반사 박막 코팅을 제공하는 부가적인 단계에 의해 보충된다. 측면 코팅은 반사 구조(42)를 제공하기에 앞서 광원 유닛들(26)에 도포되어야 한다. 예를 들어, 측면 코팅은 도 7a에 도시한 바와 같이, 후속하여 유닛들을 캐리어 보드(40) 위에 분배하기 전에, 예비 단계로서 각각의 광원 유닛에 개별적으로 도포될 수 있다. 측면 코팅 층은 예를 들어, 은 또는 알루미늄일 수 있다.
박막 코팅이 제공되는 경우에, 광원 유닛들은 제품 캐리어 보드(40) 상에 함께 훨씬 더 가까이 배열될 수 있는데, 왜냐하면 반사 재료(42)에 의해 제조된 반사 구조는 빔 성형 배열(44) 및 불투명한 광학 바디(46)에 대한 구조적 지지만을 제공하고, 조명 유닛들(26)의 측방향 측 표면들에 덮는 반사 코팅을 제공하기 위해서는 요구되지 않는다. 이 경우에, 도 7e의 분리 단계에 의해 제조된 SDE들은 도 5 또는 6에 도시된 배열의 형태를 가질 수 있다.
개시된 실시예들에 대한 다른 변형들이 도면, 개시 내용, 및 첨부된 청구범위를 연구한다면, 청구된 발명을 실시하는데 있어서 본 기술 분야의 통상의 기술자에 의해 이해되고 이루어질 수 있다. 청구범위에서, "포함하는"은 다른 요소들 또는 단계들을 배제하지 않고, 단수 표현은 복수를 배제하지 않는다. 소정의 수단들이 상호 상이한 종속 청구항들에 나열된다는 사실만으로 이들 수단의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다. 청구범위 내의 참조 부호들은 그 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

Claims (15)

  1. 지향성 광 빔을 발생시키도록 적응된 발광 배열로서,
    발광 상부 표면 및 하나 이상의 측방향 측 표면을 갖는 고상 광원(12);
    상기 측 표면 또는 표면들을 덮는 반사 구조(14);
    상기 반사 구조(14)에 도포된 미세구조 빔 성형 배열(16); 및
    상기 반사 구조(14) 위에 배치되고, 상기 지향성 광 빔의 각도 분산을 제한하는 불투명한 광학 바디(18)
    를 포함하고, 상기 바디는 상기 고상 광원(12)으로부터 광을 수신하기 위한 상기 바디의 베이스에서의 제1 개구, 및 상기 바디의 상부에서 상기 제1 개구보다 큰 제2 개구로 개방된, 상기 고상 광원(12)의 상기 발광 상부 표면에 수직인 축을 둘러싸는, 테이퍼된 퍼널 구조를 갖고, 상기 제1 개구는 상기 고상 광원의 상기 발광 상부 표면보다 면적이 작은, 발광 배열.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고상 광원(12)은 LED인, 발광 배열.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고상 광원(12)은 패턴된 사파이어 기판 칩 스케일 패키지 LED인, 발광 배열.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 고상 광원(12)의 하나 이상의 측방향 측 표면을 덮는 반사 박막 코팅(34)을 포함하는, 발광 배열.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사 구조(14)는 상기 고상 광원(12)의 상기 발광 상부 표면보다 면적이 크지 않은, 발광 배열.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원(12)으로부터 광학적으로 하류에 배치되되 상기 빔 성형 배열(16)로부터 광학적으로 상류에 배치되고, 상기 고상 광원의 상기 발광 상부 표면의 면적보다 적은 면적을 갖는 인광체 층(20)을 포함하는, 발광 배열.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원으로부터 광학적으로 하류에 있되 상기 빔 성형 배열(16)로부터 광학적으로 상류에 있는 공기 갭(24)을 포함하는, 발광 배열.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학적으로 불투명한 바디(18)는 무반사 표면을 갖는 블랙 바디, 또는 반사 표면을 갖는 바디인, 발광 배열.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 성형 배열(16)은 프레넬 플레이트(Fresnel plate)를 포함하는, 발광 배열.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 발광 배열을 복수 개 포함하는, 조명 유닛.
  11. 복수의 발광 요소를 제조하는 방법으로서,
    복수의 고상 광원 유닛(26)을 제공하는 단계 - 각각의 고상 광원 유닛은 발광 상부 표면 및 하나 이상의 측방향 측 표면을 가짐 -;
    제품 캐리어 보드(40)를 제공하는 단계;
    상기 제품 캐리어 보드(40) 상에 상기 고상 광원 유닛들(26)을 분배하는 단계;
    상기 분배된 고상 광원 유닛들 사이의 갭들을 반사 재료로 채워서, 상기 광원 유닛들의 상기 측방향 측 표면 또는 표면들을 덮는 반사 베이스 구조를 제공하는 단계;
    상기 반사 베이스 구조 위에 미세구조 빔 성형 배열(44)을 도포하는 단계;
    각각이 불투명한 광학 바디의 베이스에서의 제1 개구를 갖는 복수의 퍼널 구조를 갖는, 상기 불투명한 광학 바디(46)를 제공하는 단계 - 상기 제1 개구는 상기 고상 광원 유닛의 상기 발광 상부 표면보다 면적이 작음 -;
    상기 반사 베이스 구조의 상부 상에 상기 불투명한 광학 바디(46)를 배치하되, 상기 제1 개구가 대응하는 고상 광원 유닛(26) 위에 있고 각각의 퍼널 구조가 상기 대응하는 광원 유닛들의 상기 발광 상부 표면에 수직인 축을 둘러싸도록 하는 단계; 및
    이러한 배열을 단일 발광 요소들로 분리하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 고상 광원 유닛(26)은 패턴된 사파이어 기판 칩 스케일 패키지 LED를 포함하는, 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 대응하는 고상 광원 유닛(26)에 공기 갭이 있도록 상기 빔 성형 배열(44)을 도포하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 광원 유닛들의 상기 하나 이상의 측방향 측 표면을 덮는 반사 박막 코팅을 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제14항에 있어서, 각각의 단일 발광 요소의 상기 반사 베이스 구조는 상기 고상 광원 유닛(26)의 상기 발광 상부 표면보다 면적이 크지 않은, 방법.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
TWI626771B (zh) * 2016-07-26 2018-06-11 宏齊科技股份有限公司 發光二極體單元和薄型平面光源模組
US10711971B2 (en) 2016-10-14 2020-07-14 Lumileds Llc Vehicle light assembly comprising flexible lighting strip
US10412806B2 (en) * 2016-11-10 2019-09-10 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Multi-color micro-LED array light source
WO2018108734A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Lumileds Holding B.V. Led module with high near field contrast ratio
KR102519814B1 (ko) 2016-12-15 2023-04-10 루미리즈 홀딩 비.브이. 높은 근거리 콘트라스트 비를 갖는 led 모듈
JP6720887B2 (ja) * 2017-02-02 2020-07-08 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2018142567A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN106784258B (zh) * 2017-03-15 2018-11-09 厦门大学 晶圆级封装led
JP7194692B2 (ja) * 2017-04-03 2022-12-22 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 光出力システム及び該システムを備える照明ユニット
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
JP7290001B2 (ja) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド 高密度ピクセル化ｌｅｄチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
JP6733646B2 (ja) 2017-11-30 2020-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
US10529773B2 (en) * 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
JP7239804B2 (ja) 2018-08-31 2023-03-15 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
JP6897641B2 (ja) 2018-08-31 2021-07-07 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
JP7206475B2 (ja) 2018-08-31 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
US10632907B2 (en) * 2018-09-10 2020-04-28 Ford Global Technologies Llc Vehicle lamp assembly for the passenger compartment having a first and second optic for functional lighting
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US10910433B2 (en) * 2018-12-31 2021-02-02 Lumileds Llc Pixelated LED array with optical elements
WO2020182278A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11777059B2 (en) 2019-11-20 2023-10-03 Lumileds Llc Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
CN114267761B (zh) * 2021-12-22 2023-10-20 广东中图半导体科技股份有限公司 一种用于led生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005050748A1 (ja) * 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
US20130264577A1 (en) * 2012-04-07 2013-10-10 Axlen, Inc. High flux high brightness led lighting devices
JP2013251417A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3595277B2 (ja) * 2001-03-21 2004-12-02 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光ダイオード
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
JP4100155B2 (ja) * 2002-12-05 2008-06-11 オムロン株式会社 発光光源、発光光源アレイ及び当該発光光源を用いた機器
JP2005038956A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光部品とその製造方法
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
DE102004051379A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
WO2007054859A2 (en) * 2005-11-09 2007-05-18 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Miniature optical component
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
EP2372797A3 (en) * 2006-07-31 2017-01-18 3M Innovative Properties Co. Light emitting diode source with hollow collection lens
JP2011517031A (ja) * 2008-04-04 2011-05-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ヘッドライトための投射モジュール
TWI528508B (zh) * 2008-10-13 2016-04-01 榮創能源科技股份有限公司 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
DE102009019161A1 (de) * 2009-04-28 2010-11-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
JPWO2011108664A1 (ja) 2010-03-03 2013-06-27 有限会社Ｍｔｅｃ 光半導体装置
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP2011253925A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置の製造方法
JP4875185B2 (ja) * 2010-06-07 2012-02-15 株式会社東芝 光半導体装置
JP5633477B2 (ja) 2010-08-27 2014-12-03 豊田合成株式会社 発光素子
DE102010045403A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2012169332A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20130258699A1 (en) * 2012-02-06 2013-10-03 Lumenetix, Inc. System and method for mixing light emitted from an array having different color light emitting diodes
US8946747B2 (en) * 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US8796052B2 (en) * 2012-02-24 2014-08-05 Intersil Americas LLC Optoelectronic apparatuses with post-molded reflector cups and methods for manufacturing the same
US9269873B2 (en) 2012-03-13 2016-02-23 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2013258234A (ja) 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの加工方法
CN102779926B (zh) 2012-08-02 2015-01-28 慧明光电(深圳)有限公司 高对比度的防水表贴led灯
KR102006390B1 (ko) * 2013-03-11 2019-08-01 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005050748A1 (ja) * 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
US20130264577A1 (en) * 2012-04-07 2013-10-10 Axlen, Inc. High flux high brightness led lighting devices
JP2013251417A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
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