RU2521749C2 - Осаждение фосфора для светодиода - Google Patents

Осаждение фосфора для светодиода Download PDF

Info

Publication number
RU2521749C2
RU2521749C2 RU2011117216/28A RU2011117216A RU2521749C2 RU 2521749 C2 RU2521749 C2 RU 2521749C2 RU 2011117216/28 A RU2011117216/28 A RU 2011117216/28A RU 2011117216 A RU2011117216 A RU 2011117216A RU 2521749 C2 RU2521749 C2 RU 2521749C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
enclosing
enclosing material
sealing
substrate
seal
Prior art date
Application number
RU2011117216/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011117216A (ru
Inventor
Рене Петер ХЕЛЬБИНГ
Original Assignee
Бриджлюкс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бриджлюкс, Инк. filed Critical Бриджлюкс, Инк.
Publication of RU2011117216A publication Critical patent/RU2011117216A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2521749C2 publication Critical patent/RU2521749C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации. Также согласно изобретению предложены светодиод и лампа на основе светодиода. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления светодиодов и снижение затрат на их производство. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение, в целом, относится к области светоизлучающих диодов и, более конкретно, к системе осаждения люминофора для формирования герметизации для светоизлучающих диодов.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Светоизлучающий диод (светодиод) является полупроводниковым материалом, импрегнированным или легированным примесями. Эти примеси добавляют «электроны» и «дыры» в полупроводник, которые могут перемещаться относительно свободно. В зависимости от типа примеси легированная область полупроводника может иметь преимущественно электроны или дыры и именуется областью полупроводника n-типа или p-типа соответственно. В конструкции светодиода полупроводник включает в себя область полупроводника n-типа и область полупроводника p-типа. В переходе между этими двумя областями создается обратное электрическое поле, которое вызывает перемещение электронов и дыр в сторону от перехода, чтобы формировать активное пространство. Когда приложено прямое напряжение, достаточное для преодоления обратного электрического поля, к p-n переходу, электроны и дыры ускоряются к активному пространству и образуют комбинацию. Когда электроны образуют комбинацию с дырами, они падают на более низкие энергетические уровни и высвобождают энергию в виде света.
Во время эксплуатации прямое напряжение прикладывают к p-n переходу через пару электродов. Электроды формируют на полупроводниковом материале с p-электродом, образованном на области полупроводника p-типа, и n-электродом, образованном на области полупроводника n-типа. Каждый электрод включает в себя контактную площадку проводного соединения, которая позволяет прикладывать внешнее электрическое напряжение к светодиоду.
Как правило, светодиодное устройство содержит светодиодный чип (или кристалл), который монтируют на подложку и герметизируют герметизирующим материалом, таким как люминофор. Герметизация действует для предохранения светодиодного чипа и экстрагирования света. Обычно светодиодный чип устанавливают в углубление, которое затем наполняют герметизирующим материалом. Для светодиодных чипов, монтируемых на плоские подложки (например, кристалл на плате), где не существует углубления, и процедура должна отличаться. Для обеспечения герметизации, имеющей особую геометрическую форму, отдельно проектируют и изготавливают герметизационную пресс-форму, имеющую желаемую геометрическую форму. Пресс-форму затем монтируют на подложку так, что она устанавливается вокруг светодиодного чипа. Затем пресс-форму наполняют смесью люминофора или другим герметизирующим материалом.
К сожалению, применение отдельно проектируемой и изготавливаемой пресс-формы является дорогостоящим, затратным по времени и требует дополнительных производственных операций. Например, пресс-форму нужно проектировать и изготавливать в качестве отдельной детали, которая является затратной по времени и дорогостоящей. Затем пресс-форму необходимо монтировать на подложке до того, как она может быть наполнена герметизирующим материалом, что требует дополнительных производственных операций.
Соответственно, существует потребность в технике для усовершенствований в технологии герметизации так, чтобы герметизацию, имеющую многообразие форм, можно было формировать быстро и гибко для снижения затрат и облегчения производства светодиодных устройств.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В различных вариантах осуществления обеспечивают систему люминофорного осаждения, которая позволяет формировать герметизацию светодиода, имеющую многообразие геометрических форм, быстрым, гибким и затратно эффективным способом с простыми производственными операциями.
В одном варианте осуществления обеспечивают способ формирования герметизации. Способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации, выбирают ограждающий материал, наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее указанную геометрическую форму, и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.
В другом варианте осуществления обеспечивают светодиодное устройство, которое содержит по меньшей мере один светодиодный чип, и герметизацию, располагаемую по меньшей мере на одном светодиодном чипе. Герметизацию формируют способом, в котором определяют геометрическую форму для герметизации, выбирают ограждающий материал, наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее указанную геометрическую форму, и наполняют пространство герметизационным материалом для формирования герметизации.
В другом варианте осуществления обеспечивают светодиодную лампу, которая содержит корпус и светодиодное устройство, соединяемое с корпусом. Светодиодное устройство содержит по меньшей мере один светодиодный чип и герметизацию, располагаемую по меньшей мере на одном светодиодном чипе. Герметизацию формируют способом, в котором определяют геометрическую форму для герметизации, выбирают ограждающий материал, наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее указанную геометрическую форму, и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.
Следует понимать, что иные варианты осуществления настоящего изобретения станут более очевидными специалисту в области техники из последующего подробного описания. Как будет понятно, настоящее изобретение включает в себя иные и отличные варианты осуществления, и некоторые его детали являются способными к модификации во многих других отношениях, причем без отклонения от сущности и объема настоящего изобретения. Соответственно, чертежи и подробное описание следует рассматривать как иллюстративные по сути, а не как ограничительные.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Вышеупомянутые варианты осуществления, описываемые в данном документе, станут более очевидными, когда ссылочные позиции в последующем описании будут рассмотрены совместно с сопроводительными чертежами, на которых:
На Фиг.1 показан пример светодиодного узла, который демонстрирует варианты осуществления системы осаждения люминофора;
На Фиг.2 показан пример светодиодного узла, который демонстрирует варианты осуществления системы осаждения люминофора;
На Фиг.3 показан пример способа обеспечения герметизаций в соответствии с системой осаждения люминофора; и
На Фиг.4 показан пример устройств, содержащих светодиодные узлы, конструируемые в соответствии с системой осаждения люминофора.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Настоящее изобретение будет описано ниже более подробно со ссылками на сопроводительные чертежи, в которых представлены различные варианты осуществления настоящего изобретения. Данное изобретение, однако, можно осуществлять во многих других формах и не следует истолковывать как ограничивающееся различными вариантами осуществления настоящего изобретения, представленными в описании. Предпочтительно, эти варианты осуществления обеспечены для исчерпывающего и завершенного описания данного изобретения, так что объем настоящего изобретения будет вполне понятен специалисту в области техники. Различные варианты осуществления настоящего изобретения, демонстрируемые на чертежах, могут быть изображены не в масштабе. Соответственно, размеры различных признаков могут быть увеличены или сокращены для ясности. Кроме того, для ясности некоторые чертежи могут быть упрощены. Так, на чертежах могут быть изображены не все составляющие данного устройства (например, приспособления, устройства) или способа.
Различные варианты осуществления настоящего изобретения будут описаны далее со ссылками на чертежи, которые являются схематичными видами идеализированных конфигураций настоящего изобретения. Как таковые, вариации изображаемых форм можно ожидать в результате, например, производственных технологий и/или допусков. Таким образом, различные варианты осуществления настоящего изобретения, представленные в рамках данного описания, не следует истолковывать как ограничивающиеся конкретными формами элементов (например, пространствами, слоями, секциями, подложками и т.д.), изображаемых и описываемых в данном документе, но должны включать отклонения в формах, которые получаются, например, в результате процесса производства. В качестве примера элемент, изображаемый и описываемый как прямоугольник, может иметь закругленные или изогнутые элементы, и/или градиентную концентрацию на его краях, нежели дискретное изменение от одного элемента к другому. Таким образом, элементы, демонстрируемые на чертежах, являются схематичными, по сути, и их формы не предназначены для изображения точной формы элемента и не предназначены для ограничения объема настоящего изобретения.
Следует понимать, что когда элемент, такой как пространство, слой, секция, подложка или подобный, описан как находящийся «на» другом элементе, он может находиться непосредственно на другом элементе или могут присутствовать также промежуточные элементы. В противоположность, когда элемент описан как находящийся «непосредственно на» другом элементе, промежуточных элементов нет в наличии. Далее также следует понимать, что когда элемент описан как формируемый на другом элементе, его могут выращивать, осаждать, травить, прикреплять, соединять, связывать/соединять или получать иным способом или изготавливать на другом элементе или на промежуточном элементе.
Кроме того, относительные термины, такие как «нижний» или «низ» и «верхний» или «верх», могут быть использованы в данном документе для описания отношения одного элемента к другому элементу, которые демонстрируются на чертежах. Очевидно, что относительные термины предназначены для охватывания различающихся ориентации устройства в дополнение к ориентации, изображаемой на чертежах. В качестве примера, если устройство на чертежах перевернуто, элементы, описываемые как находящиеся на «нижней» стороне других элементов, были бы тогда расположены на «верхних» сторонах других элементов. Термин «нижний» вследствие этого может охватывать обе ориентации и «нижнюю» и «верхнюю», в зависимости от конкретной ориентации устройства. Подобным образом, если устройство на чертежах было бы перевернуто, элементы, описываемые как «снизу» или «ниже» других элементов, были бы ориентированы сверху» других элементов. Термины «снизу» или «ниже», вследствие этого, могут охватывать обе ориентации и сверху» и «снизу».
До тех пор пока не дано иное определение, все термины (включая технические и научные термины), используемые в данном документе, имеют то же самое значение, которое обычно известно специалисту в области техники, к которой принадлежит это изобретение. Далее будет понятно, что такие термины, как те, которые истолкованы в обычно используемых словарях, следует интерпретировать, как имеющие значение, которое согласуется с их смыслом в контексте релевантной области техники и данного изобретения.
Как использовано в данном документе, формы единственного числа предназначены для того, чтобы включать в себя также формы множественного числа, пока контекст явно не указывает на иное. Далее следует понимать, что термины «содержит» и/или содержащий», когда использованы в данном описании, устанавливают наличие указываемых признаков, целостностей, этапов, режимов, элементов и/или компонентов, но не исключают наличие или дополнение, одного или более, других признаков, целостностей, этапов, режимов, элементов, компонентов и/или групп таковых. Термин «и/или» включает в себя какую-либо и все комбинации одной или более объединяемых позиций, входящих в перечень.
Следует понимать, что хотя термины «первый» и «второй» могут быть использованы в данном документе для описания различных областей, слоев и/или секций, эти области, слои и/или секции не должны ограничиваться этими терминами. Эти термины используются только для того, чтобы отличать одну область, слой или секцию от другой области, слоя или секции. Так, первая область, слой или секция, обсуждаемые ниже, могли быть обозначены второй областью, слоем или секцией, и подобным образом вторая область, слой или секция могут быть обозначены первой областью, слоем или секцией без отклонения от идеи настоящего изобретения.
Со ссылками на Фиг.1 ниже показан пример узла 100 светодиода, который иллюстрирует варианты осуществления системы осаждения люминофора. Узел 100 светодиода содержит множество светодиодных чипов 104, монтируемых на подложку 102, которая может быть керамической, алюминиевой или любым другим подходящим для подложки материалом. Следует заметить, что хотя на Фиг.1 показано четыре светодиодных чипа 104, система подходит для использования с одним или любым набором светодиодных чипов.
В соответствии с вариантами осуществления системы, описываемой в данном документе, ограждение 106, содержащее ограждающий материал, осаждают на подложку 102 так, что оно окружает светодиодные чипы 104, для того, чтобы создать герметизационное пространство 108. Ограждающий материал может быть прозрачным или матово белым, являющимся отражающим. Например, ограждающим материалом может быть эпоксидная смола или силикон. В одном варианте осуществления частицы наполнителя, подобного диоксиду титана, могут быть добавлены для создания матового материала. Как правило, ограждающий материал должен быть прозрачным или отражающим. В варианте осуществления ограждающий материал осаждают на подложку 102 при помощи механизма автоматического распыления, который является программируемым и способным осаждать ограждающий материал на подложку 102 по любому шаблону и/или любой геометрической формы. Например, ограждающий материал можно осаждать для формирования прямоугольных форм, круглых форм, изогнутых в дугу форм и/или каких-либо комбинаций форм, которые могут быть выбраны с тем, чтобы определить пространство, в котором следует формировать герметизацию. Ограждающий материал можно также осаждать с требуемым сечением.
В другом варианте осуществления осаждаемый ограждающий материал имеет другие оптические свойства. Например, в одном варианте осуществления ограждающий материал содержит отражающий ограждающий материал, который отражает свет. Таким образом, свет, излучаемый от светодиодных чипов 104, будет отражаться от ограждающего материала для формирования суженной диаграммы излучения. В другом варианте осуществления ограждающий материал содержит прозрачный ограждающий материал, который пропускает свет. Таким образом, свет, излучаемый от светодиодных чипов 104, будет проходить через ограждающий материал для формирования расширенной диаграммы излучения. Более подробное описание того, как система обеспечивает разнообразные диаграммы излучения, представлено в другом разделе данного документа. Итак, в различных вариантах осуществления могут быть выбраны ограждающие отличающиеся материалы с тем, чтобы получать герметизацию, имеющую разные диаграммы излучения.
Следовательно, в различных вариантах осуществления обеспечивается эффективная система осаждения люминофора для упрощения формирования герметизации, селективности диаграммы излучения света и иных преимуществ. Система подходит для использования с подложкой любого типа и имеет следующие признаки.
1. Свободная форма, легко осаждать и легко формировать ограждающий материал для обеспечения любого типа геометрии герметизации.
2. Ограждающий материал может быть прозрачным (например, прозрачный силикон), чтобы пропускать свет для получения расширенной диаграммы излучения.
3. Ограждающий материал может быть отражающим, чтобы отражать свет для получения суженной диаграммы излучения.
4. Ограждающий материал можно осаждать в диапазонах высот и сечений.
5. Ограждающий материал можно наносить на любой тип материала подложки.
6. Позволяет избегать дорогостоящих и затратных по времени конструирования, производства и сборки пресс-формы перед производством.
На Фиг.2 показан пример узла 200 светодиода, который демонстрирует вариант осуществления системы осаждения люминофора. Узел 200 светодиода содержит множество светодиодных чипов 202, монтируемых на подложку 204. В соответствии с различными вариантами осуществления ограждающий материал (позиции 206 и 208) осаждают на подложку 204, чтобы задать границы замкнутого пространства, в целом обозначенного позицией 210, в котором формируют герметизацию. Например, ограждающий материал, который обозначен позициями 206 и 208, формирует границу, которая определяет замкнутое пространство 210. С целью составления данного описания ограждающий материал показан в двух сечениях 206 и 208 с тем, чтобы продемонстрировать, как можно выбирать ограждающий материал с оптическими характеристиками для получения желаемой диаграммы излучения. Также следует заметить, что ограждающий материал можно осаждать с получением, в сущности, любого сечения и не ограничивается формой сечения, показанной на Фиг.2.
Ограждающий материал, обозначенный позициями 206 и 208, осаждают на подложку 204 с выбранной высотой, обозначенной позицией 224. После осаждения ограждающего материала формируют герметизацию 214 посредством наполнения герметизирующим материалом пространства 210, определяемого ограждающим материалом (206, 208). Таким образом, ограждающий материал можно осаждать на подложку так, чтобы определять пространство любого размера и/или формы, в котором может быть сформирована герметизация с соответствующим размером/формой.
С целью пояснения, как можно выбирать ограждающий материал для получения широких или узких диаграмм излучения, предположим, что в качестве ограждающего материала выбирают отражающий материал. По этому предположению ограждающий материал 206 демонстрирует оптические характеристики. Если ограждающий материал выбирают для отражения, свет, излучаемый от светодиодов 202, отражается от поверхности ограждающего материала, как демонстрируется позицией 216 для формирования узкой диаграммы излучения, демонстрируемой позицией 218.
Предположим на этот раз, что ограждающий материал выбирают так, что он является прозрачным. Ограждающий материал 208 демонстрирует оптические характеристики по данному предположению. Если ограждающий материал выбирают так, что он является прозрачным, свет, излучаемый от светодиодов 202, проходит через поверхность ограждающего материала, как демонстрируется позицией 220 для формирования широкой диаграммы излучения, демонстрируемой позицией 222. Итак, в различных вариантах осуществления ограждающий материал можно выбирать для получения желаемой диаграммы излучения.
Ссылочная позиция 224 демонстрирует высоту ограждающего материала. В различных вариантах осуществления ограждающий материал можно осаждать так, чтобы получать широкий диапазон высот и/или сечений. Например, можно легко получать ограждающий материал, имеющий высоту приблизительно один миллиметр. Как правило, высота и/или сечение ограждающего материала может зависеть от ширины его основания или от общего соотношения варианта осуществления.
Фиг.3 демонстрирует пример способа 300 обеспечения герметизаций в соответствии с системой осаждения люминофора. Для простоты понимания, способ 300 описан ниже со ссылками на Фиг.1-2.
На этапе 302 определяют геометрическую форму для герметизации, чтобы использовать в светодиодном узле. В варианте осуществления можно выбирать любую подходящую геометрическую форму. Например, могут быть выбраны прямоугольные формы, круглые формы, изогнутые в дугу формы и/или сочетания форм.
На этапе 304 выбирают ограждающий материал, чтобы обеспечить желаемую диаграмму оптического излучения. В варианте осуществления ограждающий материал может быть отражающим материалом, который отражает свет, для обеспечения суженной диаграммы излучения. В другом варианте осуществления ограждающий материал может быть прозрачным, чтобы пропускать свет, для обеспечения широкой диаграммы излучения.
На этапе 306 ограждающий материал осаждают на подложку, чтобы сформировать границу, которая определяет пространство, имеющее желаемую геометрическую форму. Следует заметить, что можно определять множественные (составные) пространства. В варианте осуществления ограждающий материал осаждают посредством автоматического распыления. Ограждающий материал можно также осаждать желаемой высоты поверх подложки и с желаемым сечением для дальнейшего определения формы герметизации. Например, как показано на Фиг.1, ограждающий материал осаждают для формирования пространства 108, а на Фиг.2 ограждающий материал осаждают для формирования области 210.
На этапе 308 пространство, ограниченное ограждающим материалом, заполняют герметизирующим материалом с тем, чтобы получить герметизацию, имеющую желаемую форму. Герметизирующим материалом, например, может быть силикон или эпоксидная смола, как прозрачные, так и с люминофорным наполнением, или любой другой герметизирующий материал, который наносят, осаждают или иным образом заполняют область пространства, ограниченную ограждающим материалом.
Следовательно, способ 300 обеспечивает систему люминофорного осаждения, которая позволяет быстро и гибко формировать герметизации, имеющие разнообразие форм. Следует заметить, что режимы способа 300 могут быть перенастроены или модифицированы иным образом в объеме, охватываемом различными вариантами осуществления. Итак, иные исполнения возможны в объеме вариантов осуществления, описываемых в данном документе.
На Фиг.4 показаны примеры устройств 400, содержащих светодиодные узлы, имеющие герметизации, формируемые посредством системы люминофорного осаждения в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Устройства 400 содержат лампу 402, осветительное устройство 404 и уличный фонарь 406. Каждое из устройств, показанных на Фиг.4, включает в себя светодиодный узел, имеющий герметизацию, формируемую посредством системы осаждения люминофора, как описано в данном документе. Например, лампа 402 содержит корпус 416 и светодиодный узел, имеющий герметизацию, формируемую посредством системы осаждения люминофора. Лампу 402 можно использовать для обычного освещения любого типа. Например, лампа 402 может быть использована для автомобильной фары, для уличного фонаря, для потолочного (подвесного) освещения или для какого-либо иного применения в обычном освещении. Осветительное устройство 404 содержит источник 410 электроэнергии, который электрически подключен к лампе 412, которая может быть сконфигурирована как лампа 402. В варианте осуществления источником 410 электроэнергии могут быть аккумуляторные батарейки или источник электроэнергии любого другого типа, как, например, фотогальванический элемент. Уличный фонарь 406 содержит источник электроэнергии, подключенный к лампе 414, которая может быть сконфигурирована как лампа 402. В варианте осуществления лампа 414 содержит светодиодный узел, имеющий герметизацию, формируемую посредством системы осаждения люминофора.
Следует заметить, что варианты осуществления системы осаждения люминофора, описываемые в данном документе, являются приемлемыми для использования при формировании герметизаций, используемых в светодиодном узле, в сущности, любого типа, который, в свою очередь, может быть использован в осветительном устройстве любого типа, и не ограничиваются устройствами, показанными на Фиг.4.
Различные варианты осуществления данного описания обеспечены представлены для обеспечения возможности использования настоящего изобретения на практике специалистом в области техники. Различные модификации к вариантам осуществления, представленным в рамках всего описания, будут более очевидны специалисту в области техники, и идею, раскрываемую в данном документе, можно распространять на других применениях. Таким образом, формула изобретения не предназначена для ограничения различными вариантами осуществления, раскрытыми в описании, но должна соответствовать полному объему формулировок пунктов формулы изобретения. Все структурные и функциональные эквиваленты к элементам различных вариантов осуществления, описываемых в рамках всего описания, которые известны или позднее станут известными специалисту в области техники, прямо включены в настоящий документ путем ссылки и предназначены быть охваченными формулой изобретения.
Более того, ничто, заявленное в данном документе, не предназначено для передачи третьим лицам, не обращающим внимания на то, что изобретение прямо изложено в формуле изобретения. Ни один заявленный элемент не следует толковать, по условиям шестого пункта Раздела 35 Кодекса законов США (U.S.С.) §112 до тех пор, пока элемент прямо не будет изложен с использованием фразы «средство для» или в отношении заявленного способа элемент не будет изложен с использованием фразы «этап для».
Соответственно, тогда как в данном документе были проиллюстрированы и описаны варианты осуществления системы осаждения люминофора, следует принимать во внимание, что различные изменения могут быть выполнены без отклонения от объема или сущности признаков настоящего изобретения. Вследствие этого раскрытия и описания в настоящем документе предназначены быть иллюстративными, но не ограничивающими объем изобретения, которое изложено в нижеследующей формуле изобретения.

Claims (18)

1. Способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых:
определяют геометрическую форму для герметизации;
выбирают ограждающий материал;
наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и
наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.
2. Способ по п.1, в котором указанный выбор содержит выбор ограждающего материала для обеспечения выбранной диаграммы излучения.
3. Способ по п.1, в котором указанный выбор содержит выбор ограждающего материала, который является отражающим материалом, чтобы отражать свет.
4. Способ по п.1, в котором указанный выбор содержит выбор ограждающего материала, который является прозрачным материалом, чтобы пропускать свет.
5. Способ по п.1, в котором указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала, так что он имеет по меньшей мере одно из выбранного сечения и выбранной высоты поверх подложки.
6. Способ по п.1, в котором указанный выбор содержит выбор одного из силикона или эпоксидной смолы в качестве ограждающего материала.
7. Устройство светоизлучающего диода, содержащее по меньшей мере один светодиодный чип; и
герметизацию, расположенную по меньшей мере на одном светодиодном чипе, при этом герметизация сформирована посредством этапов, на которых:
определяют геометрическую форму для герметизации;
выбирают ограждающий материал;
наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и
наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.
8. Устройство по п.7, в котором ограждающий материал выбран для обеспечения выбранной диаграммы излучения.
9. Устройство по п.7, в котором ограждающий материал является отражающим материалом, который отражает свет.
10. Устройство по п.7, в котором ограждающий материал является прозрачным материалом, который пропускает свет.
11. Устройство по п.7, в котором указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала так, что он имеет по меньшей мере одно из выбранного сечения и выбранной высоты поверх подложки.
12. Устройство по п.7, в котором указанный выбор содержит выбор одного из силикона или эпоксидной смолы в качестве ограждающего материала.
13. Светодиодная лампа, содержащая:
корпус;
устройство светоизлучающего диода, соединенное с корпусом и содержащее:
по меньшей мере один светодиодный чип и герметизацию, расположенную по меньшей мере на одном светодиодном чипе, в котором герметизация сформирована посредством этапов, на которых:
определяют геометрическую форму для герметизации;
выбирают ограждающий материал;
наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и
наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.
14. Лампа по п.13, в которой ограждающий материал выбран для обеспечения выбранной диаграммы излучения.
15. Лампа по п.13, в которой ограждающий материал является отражающим материалом, который отражает свет.
16. Лампа по п.13, в которой ограждающий материал является прозрачным материалом, который пропускает свет.
17. Лампа по п.13, в которой указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала так, что он имеет по меньшей мере одно из выбранного сечения и выбранной высоты поверх подложки.
18. Лампа по п.13, в которой указанный выбор содержит выбор одного из силикона или эпоксидной смолы в качестве ограждающего материала.
RU2011117216/28A 2008-09-30 2009-09-23 Осаждение фосфора для светодиода RU2521749C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/242,274 2008-09-30
US12/242,274 US8247827B2 (en) 2008-09-30 2008-09-30 LED phosphor deposition
PCT/US2009/058079 WO2010039546A1 (en) 2008-09-30 2009-09-23 Led phosphor deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011117216A RU2011117216A (ru) 2012-11-10
RU2521749C2 true RU2521749C2 (ru) 2014-07-10

Family

ID=42056418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011117216/28A RU2521749C2 (ru) 2008-09-30 2009-09-23 Осаждение фосфора для светодиода

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8247827B2 (ru)
JP (1) JP2012504341A (ru)
KR (1) KR20110063793A (ru)
CN (1) CN102224607B (ru)
MY (1) MY153517A (ru)
RU (1) RU2521749C2 (ru)
WO (1) WO2010039546A1 (ru)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8049237B2 (en) 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
TWI483418B (zh) * 2009-04-09 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝方法
KR101659357B1 (ko) * 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
DE102010044470B4 (de) * 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD650760S1 (en) 2010-11-22 2011-12-20 Cree, Inc. Light emitting device package
US9000470B2 (en) * 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US9300062B2 (en) * 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8624271B2 (en) * 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
DE102010061801A1 (de) * 2010-11-23 2012-05-24 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit gemeinsamem Farbumwandlungsmodul für wenigstens zwei LED-Chips
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8860056B2 (en) 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
US9412914B2 (en) * 2011-07-25 2016-08-09 Nichia Corporation Light emitting device
US20130026902A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Chao-Chuan Chen Led package for increasing illumination and spotlighting
TWI435479B (zh) * 2011-08-04 2014-04-21 矽品精密工業股份有限公司 可發光式封裝件
FR2979487A1 (fr) * 2011-08-23 2013-03-01 Syndica Optical Technology Co Ltd Boitier de diode electroluminescente pour augmenter un eclairage et un eclairage ponctuel
EP2759000A1 (en) * 2011-09-20 2014-07-30 The Regents of The University of California Light emitting diode with conformal surface electrical contacts with glass encapsulation
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
KR101288911B1 (ko) * 2011-11-22 2013-07-23 우리이앤엘 주식회사 발광 모듈
JP2013149637A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2013197369A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Rohm Co Ltd 光源装置およびｌｅｄランプ
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US20130273238A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Peter S. Andrews Inverted Curing of Liquid Optoelectronic Lenses
TW201808342A (zh) 2012-05-02 2018-03-16 喜納製藥公司 包含四ｇａｌｎａｃ之新穎結合物及傳送寡核苷酸之方法
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
JP6476567B2 (ja) 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20140143701A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 서울반도체 주식회사 발광 디바이스 및 이의 제조방법
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
TWI548005B (zh) * 2014-01-24 2016-09-01 環旭電子股份有限公司 選擇性電子封裝模組的製造方法
DE102014205470B4 (de) * 2014-03-24 2016-10-13 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit CoB-Bereich
US10453825B2 (en) * 2014-11-11 2019-10-22 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
JP6541963B2 (ja) * 2014-12-18 2019-07-10 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
US20170059116A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Osram Sylvania Inc. Led array within asymmetric cavity having reflective and non-reflective regions
US20170059115A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Osram Sylvania Inc. Led array on partially reflective substrate within dam having reflective and non-reflective regions
JP7177326B2 (ja) * 2016-01-29 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR102634692B1 (ko) 2016-02-12 2024-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
JP6683000B2 (ja) * 2016-05-09 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10957736B2 (en) 2018-03-12 2021-03-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2134000C1 (ru) * 1997-12-31 1999-07-27 Абрамов Владимир Семенович Светодиодное устройство
WO2007012992A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nxp B.V. A package and manufacturing method for a microelectronic component
US7255823B1 (en) * 2000-09-06 2007-08-14 Institute Of Materials Research And Engineering Encapsulation for oled devices

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961886A (en) 1988-06-09 1990-10-09 Dow Corning Corporation Method of controlling flow by a radiation formed dam
JPH09148633A (ja) * 1995-11-28 1997-06-06 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード整列光源
US5962810A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package employing a transparent encapsulant
US6348959B1 (en) 1998-12-21 2002-02-19 Philips Electronics North America Corporation Reflective LCD with dark borders
DE19908371A1 (de) 1999-02-26 2000-08-31 Truetzschler Gmbh & Co Kg Vorrichtung an einer Strecke zur Verarbeitung eines Faserverbandes aus Faserbändern
NL1011993C2 (nl) * 1999-05-07 2000-11-09 Stork Brabant Bv Zeefdrukinrichting met een in een sjabloon verplaatsbare reinigingseenheid.
EP1107321A4 (en) 1999-06-23 2006-08-30 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
ATE241253T1 (de) 1999-12-17 2003-06-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
US6595699B1 (en) * 2001-08-03 2003-07-22 National Semiconductor Corporation Optoelectronic package with controlled fiber standoff
JP2007528588A (ja) * 2003-09-16 2007-10-11 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源およびｌｅｄ照明装置
JP4366154B2 (ja) * 2003-09-16 2009-11-18 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7064424B2 (en) * 2004-05-06 2006-06-20 Wilson Robert E Optical surface mount technology package
JP2005347467A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
JP2006066786A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
JP2006156187A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄ光源装置及びｌｅｄ電球
JP2006324589A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp Ｌｅｄ装置およびその製造方法
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
KR20070045462A (ko) * 2005-10-27 2007-05-02 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
US7521728B2 (en) * 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
KR100799553B1 (ko) * 2006-07-11 2008-01-31 주식회사 우리이티아이 댐 인캡 식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
JP2008041290A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法
JP2008071859A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 微小電子部品の封止方法
EP1914809A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-23 Tridonic Optoelectronics GmbH Cover for optoelectronic components
TW200824150A (en) * 2006-11-29 2008-06-01 Solidlite Corp Package structure of light emitting diode having high divergence angle
TWI344708B (en) * 2007-04-30 2011-07-01 Jin Chyuan Biar Package structure of lighting element and lighting device thereof
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2134000C1 (ru) * 1997-12-31 1999-07-27 Абрамов Владимир Семенович Светодиодное устройство
US7255823B1 (en) * 2000-09-06 2007-08-14 Institute Of Materials Research And Engineering Encapsulation for oled devices
WO2007012992A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nxp B.V. A package and manufacturing method for a microelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011117216A (ru) 2012-11-10
CN102224607B (zh) 2016-10-12
CN102224607A (zh) 2011-10-19
US20100078664A1 (en) 2010-04-01
KR20110063793A (ko) 2011-06-14
JP2012504341A (ja) 2012-02-16
MY153517A (en) 2015-02-27
WO2010039546A1 (en) 2010-04-08
US8247827B2 (en) 2012-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2521749C2 (ru) Осаждение фосфора для светодиода
KR101843501B1 (ko) 발광장치
KR102222215B1 (ko) 기판내에 산란 특징을 갖는 led
TWI597860B (zh) 發光二極體之製作方法、發光元件及其製作方法
KR20190006176A (ko) 고밀도 픽셀 형 멀티-led, 이를 포함하는 장치, 그리고 그 제조 방법
TWI636584B (zh) 發光二極體組件、包括該發光二極體組件的發光二極體、及微光學多層結構
TWI415302B (zh) 光電半導體本體
KR102149016B1 (ko) 광전자 소자
KR102429992B1 (ko) 유리 층들을 갖는 변환기
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
JP2008034806A (ja) 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素
US10211187B2 (en) Light emitting diodes and reflector
JP2011507287A (ja) 照明装置
KR101039930B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP6212989B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101461154B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JP6195760B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP2009021418A (ja) 発光装置
US20190273192A1 (en) Led array package
KR102501895B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 모듈
KR101843503B1 (ko) 조명장치
KR101443365B1 (ko) 발광 효율이 개선된 발광 다이오드
KR101916282B1 (ko) 발광 소자
KR101843504B1 (ko) 발광장치
KR102550291B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치