KR20190067512A - 광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자 - Google Patents
광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자 Download PDFInfo
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Abstract
발광 소자는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 발광 칩을 포함한다. 상기 제2 표면 상에 제1 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 제1 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들이 배치된다. 상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들 상에 제2 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 발광 칩 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 형성되고, 상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 연장된 투광 패턴이 배치된다. 상기 발광 칩의 상기 제1 표면 상에 파장 변환 층이 형성된다.
Description
광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자, 그리고 그 형성 방법에 관한 것이다.
발광 소자의 광속을 개선하기 위한 다양한 연구가 수행되고 있다. 상기 발광 소자는 발광 칩 및 전원 공급 단자들을 포함한다. 상기 전원 공급 단자들을 통하여 전원이 공급되면 상기 발광 칩은 광을 방출한다. 상기 발광 칩에서 방출되는 광을 원하는 방향으로 모으는 것이 상기 발광 소자의 광속 개선에 유리하다. 공정을 단순화 하면서 상기 발광 소자의 광속을 개선할 수 있는 새로운 기술이 필요하다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 광속이 개선되고 고집적화에 유리한 발광 소자를 제공하는데 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 광속이 개선되고 고집적화에 유리한 발광 소자의 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 발광 소자는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩을 포함한다. 상기 제2 표면 상에 제1 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 제1 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들이 배치된다. 상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들 상에 제2 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 발광 칩 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 형성되고, 상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 연장된 투광 패턴이 배치된다. 상기 발광 칩의 상기 제1 표면 상에 파장 변환 층이 형성된다.
본 개시의 실시예들에 따른 발광 소자는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩을 포함한다. 상기 제2 표면 상에 제1 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 제1 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들이 배치된다. 상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들 상에 제2 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 발광 칩의 상기 제1 표면 상에 파장 변환 층이 형성된다. 상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 다수의 단자들의 일 표면들은 실질적으로 동일한 평면을 이루며, 상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들은 실질적으로 동일한 평면을 이루고, 상기 제2 광 반사 패턴은 상기 제1 광 반사 패턴에 접촉된다.
본 개시의 실시예들에 따른 발광 소자는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩을 포함한다. 상기 제2 표면 상에 광 반사 패턴이 형성된다. 상기 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들이 배치된다. 상기 발광 칩의 상기 제1 표면을 덮고, 상기 발광 칩의 측면 및 상기 광 반사 패턴의 측면에 접촉된 파장 변환 층이 배치된다.
본 개시의 실시예들에 따르면, 제1 광 반사 패턴, 투광 패턴, 및 제2 광 반사 패턴이 제공된다. 상기 투광 패턴은, 발광 칩의 측면 및 상기 제2 광 반사 패턴 사이에 형성되고, 상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 제2 광 반사 패턴 사이에 연장된다. 상기 제1 광 반사 패턴, 상기 투광 패턴, 및 상기 제2 광 반사 패턴의 조합은 상기 발광 칩에서 방출되는 빛에 대한 반사효율을 극대화할 수 있다. 고집적화에 유리하면서 광속을 개선할 수 있는 발광 소자를 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 13은 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 27은 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 27은 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 내지 도 13은 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 발광 소자는 발광 칩(20), 제1 단자(43), 제2 단자(44), 제1 광 반사 패턴(51), 투광 패턴(53), 제2 광 반사 패턴(55), 및 파장 변환 층(57)을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(20)은 기판(21), 버퍼 층(23), 제1 반도체 층(25), 활성 층(27), 제2 반도체 층(29), 상부 전극(31), 제1 절연층(33), 제1 배선(35), 제2 배선(37), 및 제2 절연층(39)을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(20)은 제1 표면(20S1) 및 상기 제1 표면(20S1)에 대향하는 제2 표면(20S2)이 정의될 수 있다. 상기 제1 단자(43) 및 상기 제1 배선(35) 사이에 제1 금속 층(41)이 형성될 수 있다. 상기 제2 단자(44) 및 상기 제2 배선(37) 사이에 제2 금속 층(42)이 형성될 수 있다.
상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)는 상기 발광 칩(20)의 상기 제2 표면(20S2)하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 단자(43)는 상기 제1 광 반사 패턴(51)을 관통하고 상기 제1 금속 층(41)을 경유하여 상기 제1 배선(35)에 접속될 수 있다. 상기 제2 단자(44)는 상기 제1 광 반사 패턴(51)을 관통하고 상기 제2 금속 층(42)을 경유하여 상기 제2 배선(37)에 접속될 수 있다. 상기 발광 칩(20) 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 발광 칩(20), 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)는 시에스피(chip scale package; CSP)에 해당될 수 있다. 상기 발광 칩(20), 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 구성은 고집적화 및 공정 단순화에 유리할 수 있다. 일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)는 상기 발광 칩(20)의 상기 제2 표면(20S2)의 하부에 배치될 수 있다. 이하에서는 편의상 "상부", "하부", "상", "하", "상단","하단", "상면","하면", 및 이들과 유사한 용어들이 사용되었으나, 이러한 용어들은 보이는 각도에 따라 상대적인 것으로 해석되어야 하며, 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니된다.
상기 투광 패턴(53)은 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1) 및 측면들을 덮고 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들 옆에 연장될 수 있다. 상기 발광 칩(20)의 측면들은 상기 투광 패턴(53)에 의하여 완전히 덮일 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 상기 발광 칩(20)의 측면들 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 제2 표면(20S2)의 적어도 일부 영역보다 낮은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 아래로 갈수록 좁은 폭을 보일 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 경사진 측면을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 투광 패턴(53)의 일단으로 해석될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 일단은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)에 인접하게 정렬될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)은 상기 발광 칩(20)의 측면들 및 상기 제1 표면(20S1)을 덮고 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면 및 상기 제2 광 반사 패턴(55) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 광 반사 패턴(55)은 상기 투광 패턴(53)의 외측에 형성될 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 하부 영역은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 일부 측면(51SW)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 하면(55S2)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 상면(55S1) 및 상기 투광 패턴(53)의 상면(53S1)은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)은 상기 투광 패턴(53)에 직접적으로 접촉될 수 있다.
상기 제2 광 반사 패턴(55) 및 상기 투광 패턴(53) 사이의 계면은 다양한 경사를 보일 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 일면은 상기 발광 칩(20)의 측면 또는 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면에 대하여 제1 각도(θ1)를 이룰 수 있다. 상기 제1 각도(θ1)는 20도 내지 70도 일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 각도(θ1)는 45도 내지 70도 일 수 있다. 예를들면, 상기 제1 각도(θ1)는 약45도 또는 약55도일 수 있다. 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2), 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 하면(55S2), 상기 제1 단자(43)의 하면, 및 상기 제2 단자(44)의 하면은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다.
상기 제2 광 반사 패턴(55) 및 상기 투광 패턴(53) 상에 상기 파장 변환 층(57)이 형성될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 상기 제2 광 반사 패턴(55) 및 상기 투광 패턴(53)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)의 측면(57SW) 및 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 측면(55SW)은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 제1 두께(T1)를 보일 수 있다. 상기 제1 두께(T1)는 30㎛ 내지 300㎛일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 두께(T1)는 약90㎛일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 상면(55S1)은 제1 폭(W1)을 보일 수 있다. 상기 발광 칩(20)의 측면과 상기 투광 패턴(53)의 최외곽 사이의 수평거리는 제2 폭(W2)을 보일 수 있다. 상기 발광 칩(20)의 수평 폭은 제3 폭(W3)을 보일 수 있다. 상기 발광 칩(20)은 직사각형일 수 있다. 상기 제3 폭(W3)은 상기 발광 칩(20)의 단변의 길이에 해당될 수 있다. 본 개시의 실시예들에 따른 발광 소자의 전체 폭(Wt)은 2 X 제1 폭(W1) + 2 X 제2 폭(W2) + 제3 폭(W3)으로 정의될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)의 수평 폭은 상기 발광 소자의 전체 폭(Wt)과 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제1 폭(W1) 및 상기 제2 폭(W2)은 (1:1) ~ (1:10)의 비율을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 폭(W1) 및 상기 제2 폭(W2)은 1:2의 비율을 보일 수 있다. 상기 제1 폭(W1), 상기 제2 폭(W2), 및 상기 제3 폭(W3)은 (1:1:10) ~ (1:10:26)의 비율을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 폭(W1), 상기 제2 폭(W2), 및 상기 제3 폭(W3)은 1:2:12의 비율을 보일 수 있다.
상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면에 인접한 상기 투광 패턴(53)의 수평 폭은 제4 폭(W4)으로 정의될 수 있다. 상기 제4 폭(W4)은 상기 제2 폭(W2)보다 좁을 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)에 가까울수록 좁은 폭을 가질 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 상기 파장 변환 층(57)에 가까울수록 넓은 폭을 가질 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2) 에서 제1 거리(D1)만큼 높은 레벨에 정렬될 수 있다. 상기 제1 거리(D1)는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 투광 패턴(53), 및 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 조합은 상기 발광 칩(20)에서 방출되는 빛에 대한 추출 효율을 극대화할 수 있다.
도 2를 참조하면, 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 제1 광 반사 패턴(51)의 측면 하단에 인접하게 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)과 실질적으로 동일한 레벨에 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 제1 광 반사 패턴(51)의 측면 상단에 인접하게 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)의 최하단(P1)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면 상단과 실질적으로 동일한 레벨에 형성될 수 있다. 제2 광 반사 패턴(55)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면에 접촉될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제2 광 반사 패턴(55)의 하면(55S2)은 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 하면(55S2) 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2) 사이의 단차는 제2 거리(D2)로 표시될 수 있다. 상기 제2 거리(D2)는 5㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 상기 단차를 형성하므로 발광 소자를 회로 기판의 특정 패턴에 장착 할 때의 기준으로 이용 할 수도 있다. 일 실시예에서, 상기 단차의 제2 거리(D2)는 10㎛ 내지 100㎛일 수 있다.도 5를 참조하면, 투광 패턴(53)의 상면은 발광 칩(20)의 제1 표면(20S1)과 실질적으로 동일한 레벨에 형성될 수 있다. 제2 광 반사 패턴(55)의 상면, 상기 투광 패턴(53)의 상면, 및 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 파장 변환 층(57)의 하면은 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 상면, 상기 투광 패턴(53)의 상면, 및 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)의 수평 폭은 상기 발광 칩(20)의 수평 폭보다 클 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)을 완전히 덮고 상기 제2 광 반사 패턴(55) 및 상기 투광 패턴(53) 상에 연장될 수 있다.
도 6을 참조하면, 파장 변환 층(57)의 최하단은 발광 칩(20)의 제1 표면(20S1)보다 낮은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 상기 발광 칩(20)의 측면을 부분적으로 덮을 수 있다. 투광 패턴(53) 및 제2 광 반사 패턴(55)의 상면들은 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)보다 낮은 레벨에 형성될 수 있다. 이는 상기 파장 변환 층(57)과 상기 발광 칩(20)과의 결합력을 향상시켜 상기 파장 변환 층(57)의 박리를 방지 할 수 있고 또한 상기 발광 칩 (20)에서 발생하는 열을 상기 파장 변환 층(57)을 통해 방열 효과를 향상 시킬 수도 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 소프트한 필름 또는 소프트한 물질층을 이용하여 압력을 가해 형성 할 수 있다. 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1) 과 상기 파장 변환 층(57)의 최 하단의 단차는 1㎛ ~ 30㎛일 수 있다.
도 7을 참조하면, 투광 패턴(53) 및 제2 광 반사 패턴(55) 사이의 계면은 곡면 모양을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53) 및 상기 제2 광 반사 패턴(55) 사이의 계면의 일부는 둥글게 형성될 수 있다. 발광 칩(20)의 측면 또는 제1 광 반사 패턴(51)의 측면을 기준으로 상기 제2 광 반사 패턴(55)은 적어도 일부가 오목한 모양을 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 투광 패턴(53) 및 제2 광 반사 패턴(55) 사이의 계면은 둥글게 형성될 수 있다. 발광 칩(20)의 측면 또는 제1 광 반사 패턴(51)의 측면을 기준으로 상기 제2 광 반사 패턴(55)은 적어도 일부가 볼록한 모양을 가질 수 있다
도 9를 참조하면, 발광 칩(20)의 제1 표면(20S1) 상에 제1 파장 변환 층(57A)이 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(20)의 측면 및 제1 광 반사 패턴(51)의 측면 옆에 제2 파장 변환 층(57B)이 형성될 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)은 상기 발광 칩(20)의 측면 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 하면(57BS2), 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2), 상기 제1 단자(43)의 하면, 및 상기 제2 단자(44)의 하면은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다.
상기 제1 파장 변환 층(57A)은 제1 두께(T1)를 보일 수 있다. 상기 제1 두께(T1)는 30㎛ 내지 300㎛일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 두께(T1)는 약90㎛일 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 수평 폭은 제2 두께(T2)로 정의될 수 있다. 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)는 (1:2) ~ (1:5)의 비율을 보일 수 있다.
상기 제2 파장 변환 층(57B)의 상면은 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A)의 하면은 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 상면 및 상기 발광 칩(20)의 상기 제1 표면(20S1)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A)의 하면 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 상면 사이에 계면이 형성될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A)의 하면 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 상면 사이의 계면은 상기 제1 표면(20S1)과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A) 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 측면들은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 광 반사 패턴(51)은 광 반사 패턴에 해당될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 파장 변환 층(57A) 및 제2 파장 변환 층(57B)은 일체형일 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)은 상기 제1 파장 변환 층(57A)에 연속된 구조일 수 있다.
도 11을 참조하면, 제2 파장 변환 층(57B)의 하면(57BS2)은 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 하면(57BS2) 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2) 사이의 단차는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 하면(57BS2)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)과 상면(51S1) 사이에 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 파장 변환 층(57)의 상부 모서리들은 둥글게 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 파장 변환 층(57)의 최하단(57S2)은 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)의 최하단(57S2) 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2) 사이의 단차는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)의 최하단(57S2)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 하면(51S2)과 상면(51S1) 사이에 정렬될 수 있다.
도 14 내지 도 22는 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14를 참조하면, 다수의 발광 칩들(20) 형성될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 기판(21), 버퍼 층(23), 제1 반도체 층(25), 활성 층(27), 제2 반도체 층(29), 상부 전극(31), 제1 절연층(33), 제1 배선(35), 제2 배선(37), 및 제2 절연층(39)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 제1 표면(20S1) 및 상기 제1 표면(20S1)에 대향하는 제2 표면(20S2)이 정의될 수 있다.
상기 기판(21)은 광 투과율이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(21)은 사파이어(sapphire; Al2O3), 스피넬(spinel; MgAl2O4), GaN, SiC, ZnO, ZnS, GaP, SiO2, 실리콘 레진(silicon resin), 에폭시 레진(epoxy resin), 폴리이미드 레진(polyimide resin), 세라믹(ceramics), AlN, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 기판(21)은 사파이어를 포함할 수 있다. 상기 기판(21) 상에 상기 버퍼 층(23)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼 층(23)은 상기 기판(21) 및 상기 제1 반도체 층(25) 사이의 스트레스를 완화하는 역할을 할 수 있다. 상기 버퍼 층(23)은 상기 기판(21) 상에 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 버퍼 층(23)은 상기 기판(21) 및 상기 제1 반도체 층(25) 사이의 결정 결함을 완화하는 역할을 할 수 있다. 상기 버퍼 층(23)은 상기 기판(21) 및 상기 제1 반도체 층(25)의 구성 물질들 중 적어도 일부를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 버퍼 층(23)은 AlN을 포함할 수 있다. 상기 버퍼 층(23)은 생략될 수 있다.
상기 버퍼 층(23) 상에 상기 제1 반도체 층(25)이 형성될 수 있다. 상기 제1 반도체 층(25)은 n형 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체 층(25)은 AlaInbGa(1-a-b)N (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)으로 표시되는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 반도체 층(25)은 n형 불순물들을 함유하는 GaN 층을 포함할 수 있다. 상기 n형 불순물들은 Si, Ge, Sn, Se, Te, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체 층(25)은 상기 버퍼 층(23) 상에 에피택시얼 성장 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체 층(25) 상에 상기 활성 층(27)이 형성될 수 있다. 상기 활성 층(27)은 단일 양자 우물(Single Quantum Well; SQW) 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 나노 막대(Nano Rod), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 양자 점(Quantum Dot) 구조, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 활성 층(27)은 양자 우물층과 양자 장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자 우물(MQW) 구조를 포함할 수 있다. 양자 우물층/양자 장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조일 수 있다. 상기 양자 우물층은 상기 양자 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 활성 층(27)은 상기 제1 반도체 층(25) 상에 에피택시얼 성장 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 활성 층(27) 상에 상기 제2 반도체 층(29)이 형성될 수 있다. 상기 제2 반도체 층(29)은 p형 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 제2 반도체 층(29)은 AlaInbGa(1-a-b)N (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)으로 표시되는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 반도체 층(29)은 p형 불순물들을 함유하는 GaN 층을 포함할 수 있다. 상기 p형 불순물들은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제2 반도체 층(29)은 상기 활성 층(27) 상에 에피택시얼 성장 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 버퍼 층(23), 상기 제1 반도체 층(25), 상기 활성 층(27), 및 상기 제2 반도체 층(29)은 인-시츄(in-situ) 공정으로 형성될 수 있다.
상기 상부 전극(31)은 상기 제2 반도체 층(29)을 덮을 수 있다. 상기 상부 전극(31)은 상기 제2 반도체 층(29)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 상부 전극(31)은 은(silver; Ag)과 같은 금속 층을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(33)은 상기 상부 전극(31) 상을 덮고 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)의 측면을 둘러쌀 수 있다. 상기 제1 절연층(33)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 이들의 조합과 같은 절연물을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(33) 상에 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)이 형성될 수 있다. 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)은 다수의 콘택 플러그들, 다수의 수평 배선들, 및 다수의 패드들을 포함할 수 있다. 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 실리사이드, 도전성 카본, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)은 다수의 서로 다른 물질 층들을 포함할 수 있다.
상기 제1 배선(35)은 상기 제1 절연층(33), 상기 상부 전극(31), 상기 제2 반도체 층(29), 및 상기 활성 층(27)을 관통하여 상기 제1 반도체 층(25)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 제1 배선(35)의 최하단은 상기 제1 반도체 층(25)의 최상단보다 낮은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제1 배선(35) 및 상기 상부 전극(31) 사이에 상기 제1 절연층(33)이 개재될 수 있으며, 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 반도체 층(29) 사이에 상기 제1 절연층(33)이 개재될 수 있고, 상기 제1 배선(35) 및 상기 활성 층(27) 사이에 상기 제1 절연층(33)이 개재될 수 있다. 상기 제2 배선(37)은 상기 제1 절연층(33)을 관통하여 상기 상부 전극(31)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2 배선(37)은 상기 제1 배선(35)으로부터 떨어진 곳에 형성될 수 있다.
상기 제1 절연층(33) 상에 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37)을 부분적으로 노출하는 상기 제2 절연층(39)이 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(39)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 이들의 조합과 같은 절연물을 포함할 수 있다. 상기 제1 표면(20S1)에 상기 기판(21)의 일면이 노출될 수 있다. 상기 제2 표면(20S2)에 상기 제2 절연층(39), 상기 제1 배선(35)의 일부분, 및 상기 제2 배선(37)의 일부분이 노출될 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 제1 배선(35) 및 상기 제2 배선(37) 상에 제1 금속 층(41), 제2 금속 층(42), 제1 단자(43) 및 제2 단자(44)가 형성될 수 있다. 상기 제1 금속 층(41) 및 상기 제2 금속 층(42)은 유비엠(under bump metal; UBM)에 해당될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 금속 층(41) 및 상기 제2 금속 층(42)은 Ti, Ni, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 단자(43) 및 상기 제2 단자(44)는 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 실리사이드, 도전성 카본, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 단자(43) 및 상기 제2 단자(44)는 솔더 범프(solder bump)를 포함할 수 있다. 상기 제1 단자(43) 및 상기 제2 단자(44)는 Tin-silver-copper (Sn-Ag-Cu)를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속 층(41)은 상기 제1 배선(35)의 노출 표면 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 금속 층(42)은 상기 제2 배선(37)의 노출 표면 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 금속 층(41) 상에 상기 제1 단자(43)가 형성될 수 있으며, 상기 제2 금속 층(42) 상에 상기 제2 단자(44)가 형성될 수 있다. 상기 제1 단자(43) 및 상기 제2 단자(44)는 상기 제2 절연층(39)보다 높은 레벨에 돌출될 수 있다. 상기 제1 단자(43) 및 상기 제2 단자(44)의 상면들은 둥글게 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 다수의 발광 칩들(20)의 상기 제2 표면(20S2) 상에 제1 광 반사 층(51L)이 형성될 수 있다. 상기 제1 광 반사 층(51L)은 상기 제2 절연층(39), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)를 덮을 수 있다. 상기 제1 광 반사 층(51L)은 TiO2, TaO2, ZrO2, SiO2, Al2O3, Al(OH)3, MgCO3, ZnO2, Nb2O5, MgO, Mg(OH)2, SrO, In2O3, HfO, SeO, Y2O3, SiN, AlN, AlON, MgF2, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 광 반사 층(51L)은 TiO2를 포함할 수 있다. 상기 제1 광 반사 층(51L)을 형성하는 공정은 상기 제2 표면(20S2) 상에 액상 또는 유연성 물질을 투여(dispensing)하는 공정 및 큐어링(curing)하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 제1 광 반사 층(51L)은 10% 내지 97%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들면, DOW사의 WR-3100, WR-3110, WR-3120, 또는 이들의 조합과 같은 물질들이 상기 제1 광 반사 층(51L)의 형성 재료로 사용될 수 있다.
도 17을 참조하면, 평탄화 공정을 이용하여 상기 제1 광 반사 층(51L), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)를 부분적으로 제거할 수 있다. 상기 제1 광 반사 층(51L), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 상면들은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다.
도 18을 참조하면, 분리 공정을 이용하여 상기 다수의 발광 칩들(20)은 서로 분리될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)을 서로 분리하는 공정이 수행되는 동안 상기 제1 광 반사 층(51L) 또한 분할되어 제1 광 반사 패턴(51)이 형성될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 상기 제1 표면(20S1) 및 상기 제2 표면(20S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)는 상기 제2 표면(20S2) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 상면들은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20) 중 선택된 하나의 측면은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)을 서로 분리하는 공정은 스크라이빙(scribing) 공정, 브레이킹(breaking) 공정, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 제1 보조 기판(81) 상에 장착될 수 있다. 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 상면들은 상기 제1 보조 기판(81)에 접착될 수 있다. 제2 보조 기판(83) 상에 투광 물질(53D)이 형성될 수 있다. 상기 투광 물질(53D)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 물질(53D)은 SiO2, 또는 MgF2를 포함할 수 있다. 상기 투광 물질(53D)은 액상 또는 유연성 물질일 수 있다. 상기 투광 물질(53D)은 점도, 조성, 및 표면 장력에 기인하여 다양한 모양을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 물질(53D)은 상기 제2 보조 기판(83) 상에 반구-모양으로 형성될 수 있다. 상기 투광 물질(53D)은 실리콘 수지를 포함할 수 있다.
도 20을 참조하면, 상기 제1 보조 기판(81) 및 상기 제2 보조 기판(83) 사이에서 상기 투광 물질(53D)은 상기 다수의 발광 칩들(20)과 결합되어 투광 패턴(53)이 형성될 수 있다. 상기 제1 표면(20S1)은 상기 투광 패턴(53) 내에 묻힐 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 상기 다수의 발광 칩들(20)의 측면들을 덮고 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들 옆에 연장될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 측면들은 상기 투광 패턴(53)에 의하여 완전히 덮일 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 상기 다수의 발광 칩들(20)의 측면들 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 최상단은 상기 제2 표면(20S2)보다 높은 레벨에 정렬될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)의 최상단은 상기 제2 표면(20S2)과 상기 제1 보조 기판(81) 사이에 정렬될 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 아래로 갈수록 큰 폭을 보일 수 있다. 상기 투광 패턴(53)은 경사진 측면을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 투광 패턴(53)은 다양한 모양을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)은 상기 투광 물질(53D)의 점도, 조성, 및 표면 장력에 기인하여 다양한 모양을 보일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 투광 패턴(53)은 사출 성형 방법을 이용하여 형성될 수도 있으나 간략한 설명을 위하여 생략하기로 한다.
도 21을 참조하면, 상기 제2 보조 기판(83)을 제거하고 상기 투광 패턴(53) 상에 파장 변환 층(57)이 형성될 수 있다. 상기 제1 보조 기판(81)을 제거하고 상기 투광 패턴(53)의 측면 상에 제2 광 반사 층(55L)이 형성될 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 투광 패턴(53)의 측면에 직접적으로 접촉될 수 있다.
상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 투광 패턴(53)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 TiO2, TaO2, ZrO2, SiO2, Al2O3, Al(OH)3, MgCO3, ZnO2, Nb2O5, MgO, Mg(OH)2, SrO, In2O3, HfO, SeO, Y2O3, SiN, AlN, AlON, MgF2, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)에 비하여 상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 TiO2 층을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 91% 내지 97%의 반사율을 갖는 물질 층을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)에 비하여 상대적으로 높은 반사율을 갖는 물질 층을 포함할 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)에 비하여 상대적으로 낮은 강도를 갖는 TiO2 층을 포함할 수 있다. 예를들면, DOW사의 WR-3100, WR-3110, WR-3120, 또는 이들의 조합과 같은 물질들이 상기 제2 광 반사 층(55L)의 형성 재료로 사용될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 광 투과성 물질에 파장 변환 물질을 혼합하여 형성될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 형광 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 파장 변환 층(57)은 인(P)을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 필름 형태로 부착될 수 있다.
도 22를 참조하면, 상기 제2 광 반사 층(55L)을 분할하여 제2 광 반사 패턴(55)이 형성될 수 있다. 상기 제2 광 반사 층(55L)을 분할하는 동안 상기 파장 변환 층(57) 또한 분할될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 상기 제2 광 반사 패턴(55) 및 상기 투광 패턴(53)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57) 및 상기 제2 광 반사 패턴(55)의 측면들은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다.
도 23 내지 도 25는 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 23을 참조하면, 제3 보조 기판(85)상에 다수의 발광 칩들(20)이 장착될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 서로 떨어질 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20) 상에 제1 파장 변환 층(57A)이 형성될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 상기 제3 보조 기판(85) 및 상기 제1 파장 변환 층(57A) 사이에 배치될 수 있다. 제1 광 반사 패턴(51), 제1 단자(43), 및 제2 단자(44)의 일 표면들은 상기 제3 보조 기판(85)에 접착될 수 있다. 제1 표면(20S1)은 상기 제1 파장 변환 층(57A)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A)은 필름 형태로 형성될 수 있다.
도 24를 참조하면, 상기 다수의 발광 칩들(20)의 측면들 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들 상에 제2 파장 변환 층(57B)이 형성될 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)은 상기 다수의 발광 칩들(20)의 사이를 완전히 채울 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)은 상기 제1 파장 변환 층(57A)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A) 및 상기 제2 파장 변환 층(57B) 사이에 계면(57S)이 형성될 수 있다. 상기 계면(57S) 및 상기 제1 표면(20S1)은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제2 파장 변환 층(57B)은 상기 다수의 발광 칩들(20)의 측면들 및 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들에 직접적으로 접촉될 수 있다.
도 25를 참조하면, 상기 제1 파장 변환 층(57A) 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 각각은 분할될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A) 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)을 분할하는 동안 상기 제3 보조 기판(85) 또한 분할될 수 있다. 상기 제1 파장 변환 층(57A) 및 상기 제2 파장 변환 층(57B)의 측면들은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제3 보조 기판(85)을 제거하여 상기 제2 파장 변환 층(57B), 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 하면들은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다.
도 26 및 27은 본 개시에 따른 실시예들로서, 발광 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 26을 참조하면, 제4 보조 기판(87) 상에 다수의 발광 칩들(20)이 장착될 수 있다. 상기 다수의 발광 칩들(20)의 각각은 서로 떨어질 수 있다. 제1 광 반사 패턴(51), 제1 단자(43), 및 제2 단자(44)의 일 표면들은 상기 제4 보조 기판(87)에 접착될 수 있다. 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들과 상기 다수의 발광 칩들(20)의 제1 표면(20S1) 및 측면들 상에 파장 변환 층(57)이 형성될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)은 상기 제1 광 반사 패턴(51)의 측면들과 상기 다수의 발광 칩들(20)의 제1 표면(20S1) 및 측면들에 직접적으로 접촉될 수 있다.
도 27을 참조하면, 상기 파장 변환 층(57)은 분할될 수 있다. 상기 파장 변환 층(57)을 분할하는 동안 상기 제4 보조 기판(87) 또한 분할될 수 있다. 상기 제4 보조 기판(87)을 제거하여 상기 파장 변환 층(57), 상기 제1 광 반사 패턴(51), 상기 제1 단자(43), 및 상기 제2 단자(44)의 하면들은 실질적으로 동일한 평면에 노출될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
20: 발광 칩
21: 기판
23: 버퍼 층
25: 제1 반도체 층
27: 활성 층
29: 제2 반도체 층
31: 상부 전극
33: 제1 절연층
35: 제1 배선
37: 제2 배선
39: 제2 절연층
41: 제1 금속 층
42: 제2 금속 층
43: 제1 단자
44: 제2 단자
51: 제1 광 반사 패턴
53: 투광 패턴
55: 제2 광 반사 패턴
57, 57A, 57B: 파장 변환 층
21: 기판
23: 버퍼 층
25: 제1 반도체 층
27: 활성 층
29: 제2 반도체 층
31: 상부 전극
33: 제1 절연층
35: 제1 배선
37: 제2 배선
39: 제2 절연층
41: 제1 금속 층
42: 제2 금속 층
43: 제1 단자
44: 제2 단자
51: 제1 광 반사 패턴
53: 투광 패턴
55: 제2 광 반사 패턴
57, 57A, 57B: 파장 변환 층
Claims (10)
- 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩;
상기 제2 표면 상의 제1 광 반사 패턴;
상기 제1 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들;
상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들 상의 제2 광 반사 패턴;
상기 발광 칩 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 형성되고, 상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 제2 광 반사 패턴의 사이에 연장된 투광 패턴; 및
상기 발광 칩의 상기 제1 표면 상에 형성된 파장 변환 층을 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 광 반사 패턴은 상기 제1 광 반사 패턴에 직접적으로 접촉된 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 투광 패턴의 일단은, 상기 제1 광 반사 패턴의 측면과 상기 제2 광 반사 패턴 사이에 위치하고, 상기 발광 칩의 상기 제2 표면 및 상기 제1 광 반사 패턴의 하면 사이에 정렬된 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 투광 패턴의 일단은 상기 제1 광 반사 패턴의 측면 하단에 인접한 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 발광 칩의 측면 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면은 동일한 평면을 이루는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 광 반사 패턴, 상기 다수의 단자들, 및 상기 제2 광 반사 패턴의 하면들은 동일한 평면을 이루는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 광 반사 패턴의 최하단은 상기 발광 칩의 상기 제2 표면보다 낮은 레벨에 형성되고 상기 제2 광 반사 패턴의 최상단은 상기 발광 칩의 상기 제1 표면보다 높은 레벨 또는 동일한 레벨에 형성된 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 광 반사 패턴은 상기 제1 광 반사 패턴에 비하여 상대적으로 반사율이 높은 물질을 포함하는 발광 소자. - 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩;
상기 제2 표면 상의 제1 광 반사 패턴;
상기 제1 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들;
상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들 상의 제2 광 반사 패턴; 및
상기 발광 칩의 상기 제1 표면 상에 형성된 파장 변환 층을 포함하되,
상기 제1 광 반사 패턴 및 상기 다수의 단자들의 일 표면들은 동일한 평면을 이루며, 상기 발광 칩 및 상기 제1 광 반사 패턴의 측면들은 동일한 평면을 이루고, 상기 제2 광 반사 패턴은 상기 제1 광 반사 패턴에 접촉된 발광 소자. - 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖는 발광 칩;
상기 제2 표면 상의 광 반사 패턴;
상기 광 반사 패턴을 관통하여 상기 발광 칩에 접속된 다수의 단자들; 및
상기 발광 칩의 상기 제1 표면을 덮고, 상기 발광 칩의 측면 및 상기 광 반사 패턴의 측면에 접촉된 파장 변환 층을 포함하는 발광 소자.
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113571614B (zh) * | 2021-05-31 | 2022-08-12 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611492B2 (ko) * | 1973-10-08 | 1981-03-14 | ||
| WO2011093454A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JP2013251417A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| KR101360324B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2014-02-11 | 주식회사 씨티랩 | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
| JP2014157991A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US20170005245A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method |
| JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
| JP2018120923A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273408A (ja) | 2000-07-31 | 2003-09-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP5178650B2 (ja) | 2009-07-06 | 2013-04-10 | 株式会社日立製作所 | 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法 |
| JP5390472B2 (ja) | 2010-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2013012559A (ja) | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の製造方法 |
| CN104854716B (zh) * | 2012-12-10 | 2017-06-20 | 西铁城时计株式会社 | Led装置及其制造方法 |
| JP6237181B2 (ja) | 2013-12-06 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6582382B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6554914B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| JP6249002B2 (ja) | 2015-09-30 | 2017-12-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| KR102532804B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2023-05-16 | 주식회사 루멘스 | 반도체 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| JP6269753B2 (ja) | 2016-08-29 | 2018-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR102401826B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 |
-
2017
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-
2018
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611492B2 (ko) * | 1973-10-08 | 1981-03-14 | ||
| WO2011093454A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JP2013251417A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| KR101360324B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2014-02-11 | 주식회사 씨티랩 | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
| JP2014157991A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US20170005245A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method |
| JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
| JP2018120923A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10541350B2 (en) | 2020-01-21 |
| CN109904302A (zh) | 2019-06-18 |
| KR102530755B1 (ko) | 2023-05-10 |
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