JP4298414B2 - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4298414B2 JP4298414B2 JP2003271624A JP2003271624A JP4298414B2 JP 4298414 B2 JP4298414 B2 JP 4298414B2 JP 2003271624 A JP2003271624 A JP 2003271624A JP 2003271624 A JP2003271624 A JP 2003271624A JP 4298414 B2 JP4298414 B2 JP 4298414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive material
- liquid
- manufacturing
- layer
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 15
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 15
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 13
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 4
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical group CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 15
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 13
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 10
- -1 azo compound Chemical class 0.000 description 9
- DCUFMVPCXCSVNP-UHFFFAOYSA-N methacrylic anhydride Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(=O)C(C)=C DCUFMVPCXCSVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- YTJDSANDEZLYOU-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-[4-(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-hydroxypropan-2-yl)phenyl]propan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(C(F)(F)F)(O)C1=CC=C(C(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 YTJDSANDEZLYOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEMNEAVSEGLTHB-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 IEMNEAVSEGLTHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOARGXHXVLNBMI-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-3-methyloxirane Chemical compound CCOC1OC1C OOARGXHXVLNBMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBTXDQOSJLEDQM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyiminobutan-2-one Chemical compound CON=C(C)C(C)=O LBTXDQOSJLEDQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHBLVNNAMPCGHQ-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)O.CON=C(C(C)=O)C Chemical compound C(C(=C)C)(=O)O.CON=C(C(C)=O)C NHBLVNNAMPCGHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N phenyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=CC=C1 QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1645—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by spincoating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1637—Manufacturing processes molding
- B41J2/1639—Manufacturing processes molding sacrificial molding
Description
(1)液体吐出用の熱エネルギーを発生するヒーター及びこれらヒーターを駆動するドライバー回路等を形成した素子基板にインク供給の為の貫通孔を形成した後、感光性ネガ型レジストにて液流路の壁となるパターン形成を行い、これに、電鋳法やエキシマレーザー加工によりインク吐出口を形成したプレートを接着して製造する方法、
(2)上記製法と同様に形成した素子基板を用意し、接着層を塗布した樹脂フィルム(通常はポリイミドが好適に使用される)にエキシマレーザーにて液流路及びインク吐出口を加工し、次いで、この加工した液流路構造体プレートと前記素子基板とを熱圧を付与して貼り合わせる方法、
等を挙げることができる。
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板と、液体を吐出する吐出口と連通する液体の流路とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に、メタクリル酸エステルと、熱架橋因子としてのメタクリル酸と、下記式(2)〜(6)のいずれかから選ばれる化合物とを共重合させて得られる3元系共重合体からなるポジ型感光性材料の層を設ける工程と、
該ポジ型感光性材料の層を加熱処理して、架橋化されたポジ型感光性材料層とする工程と、
該架橋化されたポジ型感光性材料層を分解し得る第1の波長域の光を、該架橋化されたポジ型感光性材料層の所定の部分に照射する工程と、
前記架橋化されたポジ型感光性材料層に対して現像を施し、前記流路のパターンを形成する工程と、
ネガ型の感光性材料からなる被覆樹脂層を、前記パターンを被覆するように前記基板上に形成する工程と、
前記被覆樹脂層に前記吐出口を形成する工程と、
前記パターン全体に対して、前記被覆樹脂層を介して前記第1の波長域の光を照射する工程と、
前記パターンを溶解除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板と、液体を吐出する吐出口と連通する液体の流路とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に、下記一般式1および一般式2で示される構造単位を有する光崩壊型のアクリル樹脂からなるポジ型感光性材料の層を設ける工程と、
該ポジ型感光性材料の層を加熱処理して、架橋化されたポジ型感光性材料層とする工程と、
該架橋化されたポジ型感光性材料層を分解し得る第1の波長域の光を、該架橋化されたポジ型感光性材料層の所定の部分に照射する工程と、
前記架橋化されたポジ型感光性材料層に対して現像を施し、前記流路のパターンを形成する工程と、
ネガ型の感光性材料からなる被覆樹脂層を、前記パターンを被覆するように前記基板上に形成する工程と、
前記被覆樹脂層に前記吐出口を形成する工程と、
前記パターン全体に対して、前記被覆樹脂層を介して前記第1の波長域の光を照射する工程と、
前記パターンを溶解除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
1)液体吐出ヘッド製作の為の主要工程が、フォトレジストや感光性ドライフィルム等を用いたフォトリソグラフィー技術による為、液体吐出ヘッドの液流路構造体の細密部を、所望のパターンで、しかも極めて容易に形成することができるばかりか、同構成の多数の液体吐出ヘッドを同時に加工することも容易にできる。
2)液流路構造体材料層の厚さを部分的に変えることが可能であり、機械的強度の高い液体吐出ヘッドを提供できる。
3)吐出速度が速く、極めて着弾精度の高い液体吐出ヘッドが製造できる為、高画質の記録を行うことができる。
4)高密度マルチアレイノズルの液体吐出ヘッドが簡単な手段で得られる。
5)熱架橋性ポジ型レジスト材料を適用することにより、極めてプロセスマージンの高い工程条件を設定でき、歩留まり良く液体吐出ヘッドを製造できる。
で表されるモノマー単位を用いることができる。このモノマー単位導入用のモノマーとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸フェニル等を挙げることができる。
一般式1
さらに光崩壊型の樹脂が、下記一般式3で示される構造単位を有していても良い。
一般式3
感度領域を広げる因子としては、感光性を示す波長域を広げる機能を有するものを選択して用いることができ、以下の式(2)〜(6)で表される長波長側へ感度領域を広げることができるモノマーを、共重合させて得られるモノマー単位が好適に利用できる。
ジエチレングリコールモノブチルエーテル 60vol%
エタノールアミン 5vol%
モルフォリン 20vol%
イオン交換水 15vol%
から成る現像液を用いることが可能である。
図5から図12の夫々には、本発明の方法に係わる液体噴射記録ヘッド用の吐出エレメントの構成とその製作手順の一例が示されている。尚、本例では、2つのオリフィス(吐出口)を有する液体噴射記録ヘッド用の吐出エレメントが示されるが、もちろんこれ以上のオリフィスを有する高密度マルチアレイ液体噴射記録インク吐出ヘッド用の吐出エレメントの場合でも同様であることは、言うまでもない。
第1の実施の形態と同様にして、図6に示すように、液体吐出エネルギー発生素子202を含む基板201上に、ポジ型レジスト層203を形成する。この材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸とメタクリル酸グリシジルの80:5:15比の共重合体で、重量平均分子量(Mw)は、34000であり、平均分子量(Mn)は、11000で、分散度(Mw/Mn)は、3.09である、3元系共重合体を有するポジ型レジスト材料を架橋したものである。ここで、型材を形成する熱架橋性ポジ型レジスト材料の吸収スペクトルを図15に示す。図15で示すように、このポジ型レジスト材料の吸収スペクトルが、260nm以下にしか存在しないので、270nm以上の波長を照射しても、材料自体に、該エネルギー領域で、分子が励起されることがなく、その結果、分解反応などが促進されることがない。即ち、前記ポジ型レジスト層は、260nm以下の電離放射線のみによって、分解反応が促進され、その後の現像工程において、パターン形成を行うことができる。この樹脂粒子をシクロヘキサノンに約30重量%の固形分濃度にて溶解し、レジスト液として使用した。その時の塗布溶液の粘度は、630cpsである。該レジスト液はスピンコート法にて上述した基板201に塗布し、120℃、3分でプリベークした後、オーブンにて200℃、60分間の本キュアを行い、熱架橋せしめた。形成した被膜の膜厚は14μmであった。
第1の実施の形態と同様にして、図6に示すように、液体吐出エネルギー発生素子202を含む基板201上に、ポジ型レジスト層203を形成する。この材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸と3−オキシイミノ−2−ブタノンメタクリル酸メチルの85:5:10比の共重合体で、重量平均分子量(Mw)は、35000であり、平均分子量(Mn)は、13000で、分散度(Mw/Mn)は、2.69である、3元系共重合体を有するポジ型レジスト材料を架橋したものである。ここで、型材を形成する熱架橋性ポジ型レジスト材料の吸収スペクトルを図16に示す。図16で示すように、このポジ型レジスト材料の吸収スペクトルが、260nm以下にしか存在しないので、270nm以上の波長を照射しても、材料自体に、該エネルギー領域で、分子が励起されることがなく、その結果、分解反応などが促進されることがない。即ち、前記ポジ型レジスト層は、260nm以下の電離放射線のみによって、分解反応が促進され、その後の現像工程において、パターン形成を行うことができる。この樹脂粒子をシクロヘキサノンに約30重量%の固形分濃度にて溶解し、レジスト液として使用した。その時の塗布溶液の粘度は、630cpsである。該レジスト液はスピンコート法にて上述した基板201に塗布し、120℃、3分でプリベークした後、オーブンにて200℃、60分間の本キュアを行い、熱架橋せしめた。形成した被膜の膜厚は14μmであった。
第1の実施の形態と同様にして、図6に示すように、液体吐出エネルギー発生素子202を含む基板201上に、ポジ型レジスト層203を形成する。この材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸とメタクリロニトリルの75:5:20比の共重合体で、重量平均分子量(Mw)は、30000であり、平均分子量(Mn)は、16000で、分散度(Mw/Mn)は、1.88である、3元系共重合体を有するポジ型レジスト材料を架橋したものである。ここで、型材を形成する熱架橋性ポジ型レジスト材料の吸収スペクトルを図17に示す。図17で示すように、このポジ型レジスト材料の吸収スペクトルが、260nm以下にしか存在しないので、270nm以上の波長を照射しても、材料自体に、該エネルギー領域で、分子が励起されることがなく、その結果、分解反応などが促進されることがない。即ち、前記ポジ型レジスト層は、260nm以下の電離放射線のみによって、分解反応が促進され、その後の現像工程において、パターン形成を行うことができる。この樹脂粒子をシクロヘキサノンに約30重量%の固形分濃度にて溶解し、レジスト液として使用した。その時の塗布溶液の粘度は、630cpsである。該レジスト液はスピンコート法にて上述した基板201に塗布し、120℃、3分でプリベークした後、オーブンにて200℃、60分間の本キュアを行い、熱架橋せしめた。形成した被膜の膜厚は14μmであった。
第1の実施の形態と同様にして、図6に示すように、液体吐出エネルギー発生素子202を含む基板201上に、ポジ型レジスト層203を形成する。この材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸と無水マレイン酸の80:5:15比の共重合体で、重量平均分子量(Mw)は、30000であり、平均分子量(Mn)は、14000で、分散度(Mw/Mn)は、2.14である、3元系共重合体を有するポジ型レジスト材料を架橋したものである。ここで、型材を形成する熱架橋性ポジ型レジスト材料の吸収スペクトルを図18に示す。図18で示すように、このポジ型レジスト材料の吸収スペクトルが、260nm以下にしか存在しないので、270nm以上の波長を照射しても、材料自体に、該エネルギー領域で、分子が励起されることがなく、その結果、分解反応などが促進されることがない。即ち、前記ポジ型レジスト層は、260nm以下の電離放射線のみによって、分解反応が促進され、その後の現像工程において、パターン形成を行うことができる。この樹脂粒子をシクロヘキサノンに約30重量%の固形分濃度にて溶解し、レジスト液として使用した。その時の塗布溶液の粘度は、630cpsである。該レジスト液はスピンコート法にて上述した基板201に塗布し、120℃、3分でプリベークした後、オーブンにて200℃、60分間の本キュアを行い、熱架橋せしめた。形成した被膜の被膜は14μmであった。
まず、基板201を準備する。最も汎用的には、基板201としてはシリコン基板が適用される。一般に、液体吐出エネルギー発生素子を制御するドライバーやロジック回路等は、汎用的な半導体製法にて生産される為、該基板にシリコンを適用することが好適である。本例においては、液体吐出エネルギー発生素子202としての電気熱変換素子(材質HfB2からなるヒーター)と、インク流路およびノズル形成部位にSiN+Taの積層膜(不図示)を有するシリコン基板を準備した。
重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)=25000
分散度(Mw/Mn)=2.3
この樹脂粉末をシクロヘキサノンに約30重量%の固形分濃度にて溶解し、レジスト液として使用した。その際のレジスト溶液の粘度は、630cpsであった。該レジスト液を、スピンコート法にて塗布し、120℃で、3分でプリベークした後、窒素雰囲気中オーブンにて250℃で、60分間の熱処理を行った。なお、熱処理後のポジ型レジスト層203の膜厚は12μmであった。
ジエチレングリコールモノブチルエーテル 60vol%
エタノールアミン 5vol%
モルフォリン 20vol%
イオン交換水 15vol%
次いで、被処理基板上に以下の組成からなる感光性樹脂組成物(ネガ型感光性材料)を用いてスピンコートを行い(平板上膜厚20μm)、100℃で2分間(ホットプレート)のベークを行い、液流路構成体材料207を形成した。
1、4HFAB(セントラル硝子製、商品名) 20重量部
SP−170(旭電化工業製、商品名) 2重量部
A−187(日本ユニカー製、商品名) 5重量部
メチルイソブチルケトン 100重量部
ジグライム 100重量部
引き続き、被処理基板上に以下の組成からなる感光性樹脂組成物を用いて、スピンコートにより1μmの膜厚となるように塗布し、80℃で3分間(ホットプレート)のベークを行い、撥インク剤層を形成した。
2,2−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)ヘキサフロロプロパン
25重量部
1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフロロイソプロピル)ベンゼン
25重量部
3−(2−パーフルオロヘキシル)エトキシ−1,2−エポキシプロパン
16重量部
A−187(日本ユニカー製、商品名) 4重量部
SP−170(旭電化工業製、商品名) 2重量部
ジエチレングリコールモノエチルエーテル 100重量部
次いで、MPA−600(キヤノン製、商品名)を用い、290〜400nmの波長の光を用いて、400mJ/cm2の露光量にてパターン露光した後、ホットプレートにて120℃で120秒のPEB(露光後ベーク)を行い、メチルイソブチルケトンにて現像することにより、液流路構成体材料207および撥インク剤層のパターニングを行い、インク吐出口209を形成した。なお、本実施例ではφ10μmの吐出口パターンを形成した。
ポジ型レジスト材料として、以下の光崩壊型のポジ型レジスト材料を用いた以外は、実施例6と同様にしてインクジェットヘッドを作成し、吐出および記録評価を行ったところ、良好な画像記録が可能であった。
(モノマー組成比10/90−モル比)
重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)=28000
分散度(Mw/Mn)=3.3。
ポジ型レジスト材料として、以下の光崩壊型のポジ型レジスト材料を用いた以外は、実施例6と同様にしてインクジェットヘッドを作成し、吐出および記録評価を行ったところ、良好な画像記録が可能であった。
(モノマー組成比10/85/5−モル比)
重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)=31000
分散度(Mw/Mn)=3.5。
2 発熱素子
3 型パターン
4 ネガ型感光性材料層
5 撥水層
6 インク吐出口
7 樹脂
8 薄膜
9 インク供給口
10 液流路
100 高圧水銀灯
101 コールドミラー
102 縄の目レンズ
103 反射集光器
104 水銀灯スクリーン
105 コンデンサーレンズ
106 マスク
201 基板
202 液体吐出エネルギー発生素子
203 ポジ型レジスト層
207 液流路構造体材料
208 電離放射線
209 インク吐出口
210 インク供給口
211 液流路
212 インク吐出エレメント
213 インクタンク
214 TABフィルム
215 電気接続用リード
Claims (11)
- 液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板と、液体を吐出する吐出口と連通する液体の流路とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に、メタクリル酸エステルと、熱架橋因子としてのメタクリル酸と、下記式(2)〜(6)のいずれかから選ばれる化合物と、を共重合させて得られる3元系共重合体からなるポジ型感光性材料の層を設ける工程と、
該ポジ型感光性材料の層を加熱処理して、架橋化されたポジ型感光性材料層とする工程と、
該架橋化されたポジ型感光性材料層を分解し得る第1の波長域の光を、該架橋化されたポジ型感光性材料層の所定の部分に照射する工程と、
前記架橋化されたポジ型感光性材料層に対して現像を施し、前記流路のパターンを形成する工程と、
ネガ型の感光性材料からなる被覆樹脂層を、前記パターンを被覆するように前記基板上に形成する工程と、
前記被覆樹脂層に前記吐出口を形成する工程と、
前記パターン全体に対して、前記被覆樹脂層を介して前記第1の波長域の光を照射する工程と、
前記パターンを溶解除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記3元系共重合体が、前記式(2)の化合物の単位を有し、前記3元系共重合体の重量平均分子量が、5000〜50000の範囲にある請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板と、液体を吐出する吐出口と連通する液体の流路とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に、下記一般式1および一般式2で示される構造単位を有する光崩壊型のアクリル樹脂からなるポジ型感光性材料の層を設ける工程と、
該ポジ型感光性材料の層を加熱処理して、架橋化されたポジ型感光性材料層とする工程と、
該架橋化されたポジ型感光性材料層を分解し得る第1の波長域の光を、該架橋化されたポジ型感光性材料層の所定の部分に照射する工程と、
前記架橋化されたポジ型感光性材料層に対して現像を施し、前記流路のパターンを形成する工程と、
ネガ型の感光性材料からなる被覆樹脂層を、前記パターンを被覆するように前記基板上に形成する工程と、
前記被覆樹脂層に前記吐出口を形成する工程と、
前記パターン全体に対して、前記被覆樹脂層を介して前記第1の波長域の光を照射する工程と、
前記パターンを溶解除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ネガ型の感光性材料は、前記第1の波長域と重なり合わない第2の波長域の光で感光するものであり、前記被覆樹脂層に対して前記第2の波長域の光を照射することで前記吐出口を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の波長域が、前記第2の波長域よりも短波長域であることを特徴とする請求項5に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ネガ型の感光性材料が、エポキシ樹脂を主たる構成材料とする感光性材料である請求項1〜6のいずれかに記載の微細な液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記架橋化されたポジ型感光性材料層に対して現像を施すための現像液として、少なくとも
1)水と任意の割合で混合可能な炭素数6以上のグリコールエーテル
2)含窒素塩基性有機溶剤
3)水
を含有する現像液を用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノブチルエーテルおよび/またはジエチレングリコールモノブチルエーテルであることを特徴とする請求項8に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記含窒素塩基性有機溶剤が、エタノールアミンおよび/またはモルフォリンであることを特徴とする請求項8または9に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記被覆樹脂層上に感光性材料からなる撥液剤層を形成し、前記被覆樹脂層と前記撥液剤層とを一括して露光することにより前記吐出口を形成する請求項1〜10のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003271624A JP4298414B2 (ja) | 2002-07-10 | 2003-07-07 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
US10/615,289 US7592131B2 (en) | 2002-07-10 | 2003-07-09 | Method for producing fine structured member, method for producing fine hollow structured member and method for producing liquid discharge head |
KR1020030046777A KR100541904B1 (ko) | 2002-07-10 | 2003-07-10 | 미세 구조화된 부재의 제조 방법, 미세 중공 구조화된부재의 제조 방법 및 액체 토출 헤드의 제조 방법 |
EP03015757A EP1380423B1 (en) | 2002-07-10 | 2003-07-10 | Method for producing fine structured member, method for producing fine hollow structured member and method for producing liquid discharge head |
DE60327133T DE60327133D1 (de) | 2002-07-10 | 2003-07-10 | Herstellungsverfahren für einen Feinstrukturkörper, Herstellungsverfahren für einen Hohlstrukturkörper und Herstellungsverfahren für einen Flüssigkeitsausstosskopf |
TW092118893A TWI225448B (en) | 2002-07-10 | 2003-07-10 | Method for producing fine structured member, method for producing fine hollow structured member and method for producing liquid discharge head |
CNB031467873A CN1229228C (zh) | 2002-07-10 | 2003-07-10 | 微细空洞结构体的制备方法和液体喷出头的制备方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002201894 | 2002-07-10 | ||
JP2003271624A JP4298414B2 (ja) | 2002-07-10 | 2003-07-07 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004042650A JP2004042650A (ja) | 2004-02-12 |
JP2004042650A5 JP2004042650A5 (ja) | 2006-08-17 |
JP4298414B2 true JP4298414B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=29738475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003271624A Expired - Fee Related JP4298414B2 (ja) | 2002-07-10 | 2003-07-07 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7592131B2 (ja) |
EP (1) | EP1380423B1 (ja) |
JP (1) | JP4298414B2 (ja) |
KR (1) | KR100541904B1 (ja) |
CN (1) | CN1229228C (ja) |
DE (1) | DE60327133D1 (ja) |
TW (1) | TWI225448B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006001530A2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head manufacturing method, and liquid discharge head obtained using this method |
JP4484774B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP4447974B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-04-07 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP4480141B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
JP4533256B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 微細構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP4761498B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 感光性樹脂組成物、ならびにこれを用いた段差パターンの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
CN1977219B (zh) | 2004-06-28 | 2011-12-28 | 佳能株式会社 | 制造微细结构的方法、制造排液头的方法以及排液头 |
CN1968815B (zh) * | 2004-06-28 | 2013-05-01 | 佳能株式会社 | 排液头制造方法,和使用该方法得到的排液头 |
JP2006126116A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Canon Inc | フィルター用基板の製造方法、インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
US7824560B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for ink jet recording head chip, and manufacturing method for ink jet recording head |
WO2008029650A1 (en) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head and method of manufacturing the same |
US7550252B2 (en) * | 2006-09-21 | 2009-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet recording head and method for producing same |
US8499453B2 (en) * | 2009-11-26 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid discharge head, and method of manufacturing discharge port member |
JP5473645B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 感光性樹脂組成物及び液体吐出ヘッド |
US8434229B2 (en) * | 2010-11-24 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head manufacturing method |
KR101249723B1 (ko) * | 2011-10-28 | 2013-04-02 | 전자부품연구원 | 액적 토출용 노즐 제조 방법 및 이를 이용해 제조된 노즐을 이용한 정전식 액적 토출 장치 |
CN103935127B (zh) * | 2014-04-24 | 2017-01-11 | 珠海赛纳打印科技股份有限公司 | 液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置 |
JP6217711B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4087569A (en) * | 1976-12-20 | 1978-05-02 | International Business Machines Corporation | Prebaking treatment for resist mask composition and mask making process using same |
US4330614A (en) * | 1980-10-14 | 1982-05-18 | International Business Machines Corporation | Process for forming a patterned resist mask |
JPH0645242B2 (ja) | 1984-12-28 | 1994-06-15 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘツドの製造方法 |
EP0244572B1 (en) | 1986-04-24 | 1990-09-05 | International Business Machines Corporation | Capped two-layer resist process |
US5264874A (en) * | 1990-02-09 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording system |
JP2925816B2 (ja) | 1991-10-31 | 1999-07-28 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド、その製造方法、及び同ヘッドを具備した記録装置 |
DE69127801T2 (de) | 1990-12-19 | 1998-02-05 | Canon Kk | Herstellungsverfahren für flüssigkeitsausströmenden Aufzeichnungskopf |
CA2075097C (en) * | 1991-08-02 | 2000-03-28 | Hiroyuki Ishinaga | Recording apparatus, recording head and substrate therefor |
DE69329359T2 (de) | 1992-06-01 | 2001-03-08 | Canon Kk | Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahlaufzeichnungskopfes |
JP2960608B2 (ja) | 1992-06-04 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
JP3305415B2 (ja) * | 1992-06-18 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、インクジェットヘッド、および画像形成装置 |
JPH0645242A (ja) | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Hitachi Ltd | レジスト塗布方法及びその装置 |
JP3143307B2 (ja) | 1993-02-03 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
EP0734866B1 (en) | 1995-03-31 | 1999-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the production of an ink jet head |
JP3347530B2 (ja) | 1995-06-27 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
US5861657A (en) * | 1996-01-18 | 1999-01-19 | International Rectifier Corporation | Graded concentration epitaxial substrate for semiconductor device having resurf diffusion |
US6302504B1 (en) * | 1996-06-26 | 2001-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head and recording apparatus using the same |
JP4497633B2 (ja) | 1999-03-15 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 撥液体層の形成方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
2003
- 2003-07-07 JP JP2003271624A patent/JP4298414B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-09 US US10/615,289 patent/US7592131B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-10 EP EP03015757A patent/EP1380423B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-10 DE DE60327133T patent/DE60327133D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-10 KR KR1020030046777A patent/KR100541904B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-10 TW TW092118893A patent/TWI225448B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-10 CN CNB031467873A patent/CN1229228C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1475352A (zh) | 2004-02-18 |
CN1229228C (zh) | 2005-11-30 |
US20040072107A1 (en) | 2004-04-15 |
TWI225448B (en) | 2004-12-21 |
EP1380423A1 (en) | 2004-01-14 |
US7592131B2 (en) | 2009-09-22 |
KR100541904B1 (ko) | 2006-01-10 |
JP2004042650A (ja) | 2004-02-12 |
EP1380423B1 (en) | 2009-04-15 |
KR20040005699A (ko) | 2004-01-16 |
TW200410831A (en) | 2004-07-01 |
DE60327133D1 (de) | 2009-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4280574B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
US6951380B2 (en) | Method of manufacturing microstructure, method of manufacturing liquid discharge head, and liquid discharge head | |
JP4532785B2 (ja) | 構造体の製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法 | |
EP1763440B1 (en) | Ink jet head manufacturing method and ink jet head manufactured by the manufacturing method | |
TWI260276B (en) | Liquid discharge head manufacturing method, and liquid discharge head obtained using this method | |
JP4298414B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP5159823B2 (ja) | 構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 | |
KR100895144B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 이 감광성 수지 조성물을 사용한 단차패턴의 형성 방법 및 잉크젯 헤드의 제조 방법 | |
KR20070030296A (ko) | 액체 토출 헤드 제조 방법, 및 이러한 방법을 사용하여얻어지는 액체 토출 헤드 | |
JP2009119650A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JP4533256B2 (ja) | 微細構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2005074747A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド | |
JP2004042396A (ja) | 微細構造体の製造方法、液体吐出ヘッドの製造方法および液体吐出ヘッド | |
JP4484774B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP4448065B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法及び該方法で得られた液体吐出ヘッド | |
KR20070022805A (ko) | 액체 토출 헤드 제조 방법, 및 이러한 방법을 사용하여얻어지는 액체 토출 헤드 | |
JP2006069009A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060703 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080514 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090304 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090408 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |